TWI437936B - 濕式蝕刻設備及其供應裝置 - Google Patents

濕式蝕刻設備及其供應裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI437936B
TWI437936B TW101118319A TW101118319A TWI437936B TW I437936 B TWI437936 B TW I437936B TW 101118319 A TW101118319 A TW 101118319A TW 101118319 A TW101118319 A TW 101118319A TW I437936 B TWI437936 B TW I437936B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
supply
channel
wet etching
machine
etching apparatus
Prior art date
Application number
TW101118319A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201349967A (zh
Inventor
Tzyy Jang Tseng
Tsung Yuan Chen
Original Assignee
Unimicron Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Unimicron Technology Corp filed Critical Unimicron Technology Corp
Priority to TW101118319A priority Critical patent/TWI437936B/zh
Priority to KR1020120116061A priority patent/KR20130131205A/ko
Priority to US13/660,304 priority patent/US20130312911A1/en
Publication of TW201349967A publication Critical patent/TW201349967A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI437936B publication Critical patent/TWI437936B/zh
Priority to KR1020140058773A priority patent/KR20140071995A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0085—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0736—Methods for applying liquids, e.g. spraying
    • H05K2203/0746—Local treatment using a fluid jet, e.g. for removing or cleaning material; Providing mechanical pressure using a fluid jet

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

濕式蝕刻設備及其供應裝置
　　本發明係有關一種用於蝕刻之設備，尤其是指一種濕式蝕刻設備及其供應裝置。
　　目前半導體製程中，例如晶圓、封裝基板、封裝結構或電路板等版面（pannel），均會使用蝕刻液清洗該版面之表面殘留物，例如銅渣、膠渣、阻層等。一般清洗過程中，係先利用蝕刻液移除版面之表面殘留物，再以清洗液（如水）清洗該版面上之蝕刻液，最後再乾燥該版面之表面。
　　第1A及1B圖所示者，係為習知電路板版面5進行蝕刻清洗製程之上視與側視示意圖。如圖所示，濕式蝕刻設備（圖略）將蝕刻液3經輸送管10送至複數陣列排設之噴嘴11，以藉由該些噴嘴11將蝕刻液3噴灑於該電路板版面5上。
　　惟，習知噴嘴11係為固定式，亦即無法調整該噴嘴11之位置與個別運作該噴嘴11，故該噴嘴11之設計需能噴灑蝕刻液3相當廣之範圍，以避免清洗不完全，但卻因無法控制噴灑該蝕刻液3之輸出量，致使無法對特定區域微蝕刻或選擇性蝕刻，而導致無法針對微小區域之表面進行清洗，亦無法針對產品特性變異進行高精度控制之選擇性加工，以致於無法滿足提高蝕刻控制精細度之需求。
　　再者，習知濕式蝕刻設備中，該些輸送管10及噴嘴11係均勻分布，且無法調整該些輸送管10及噴嘴11之位置，又無法個別運作噴嘴11，故無法針對該電路板版面5之特定區域進行精密區域性蝕刻作業。例如，無法對特定區域微蝕刻，導致無法清洗乾淨微小區域之表面殘渣。因此，目前一般溼式蝕刻設備進行蝕刻作業時為整批全面性連續作業，而無法針對產品特性變異進行高精度控制之選擇性加工，以致於難以提高蝕刻控制精細度，因而影響到產品的特性能力之有效性與產品之產出良率。
　　因此，如何克服上述習知技術之種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。
　　鑑於上述習知技術之種種缺失，本發明係提供一種供應裝置，係於一如噴嘴之供應件外圍蓋設一調整件，該調整件係具有相鄰之通道與回收道，且該供應件係穿設於該通道中，以使蝕刻液可由該通道輸出，並令該回收道吸取部分由該通道輸出之蝕刻液，以減少該蝕刻液之輸出量。
　　前述之供應裝置中，係可設於濕式蝕刻設備之機台上，且該機台具有定位件，供該供應件設置於該定位件上，以藉該定位件帶動該供應件與調整件至所需之位置。
　　另外，該機台具有可程式邏輯控制系統，以操控該定位件之運作、蝕刻液之運動或該回收道之運作。
　　由上可知，本發明之濕式蝕刻設備及其供應裝置，係藉由該回收道之設計，使該調整件能控制噴灑蝕刻液之輸出量，亦即能控制噴灑蝕刻液之範圍，以對特定區域微蝕刻或選擇性蝕刻，而能對微小區域之表面進行清洗，且能對產品特性變異進行高精度控制之選擇性加工，故可提高該濕式蝕刻設備之精密蝕刻之能力，以達成高良率及高特性能力之需求。
　　再者，該機台藉由定位件以帶動該供應件與調整件至所需之位置，且藉由可程式邏輯控制系統，以個別運作該供應件，故能對各版面之特定區域進行精密區域性蝕刻作業。因此，於整批版面全面性連續作業時，可依需求針對產品特性變異進行高精度控制之選擇性加工，以提高蝕刻控制精細度。
　　以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。　
　　須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如“上”、“下”及“一”等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。
　　第2A及2B圖係為本發明之濕式蝕刻設備用之供應裝置2a之示意圖。如第2A圖所示，該供應裝置2a係包括一供應件21以及一調整件22。
　　所述之供應件21係具有貫穿之供應道（圖略），以輸送流體。於本實施例中，該供應件21係為噴嘴。
　　所述之調整件22係具有相鄰之通道220與回收道221，該供應件21係穿設於該通道220中，以使流經該供應件21之蝕刻液3由該通道220輸出，而該回收道221係用以吸取部分由該通道220輸出之蝕刻液3，以減少該蝕刻液3之輸出量。
　　於本實施例中，該回收道221係利用虹吸抽氣回收該蝕刻液3，如第2A圖所示之箭頭方向。
　　再者，該回收道221之端口與該通道220之端口具有高度差h，如第2A圖所示，該回收道221之端口位置比該通道220之端口位置更低，亦即該回收道221之端口位於該通道220之端口下方，以利於該回收道221吸取部分由該通道220輸出之蝕刻液3。
　　又，該回收道221圍繞於該通道220之外側，如第2B圖所示，以提升該回收道221之回收率，亦即提高該蝕刻液3之微供應量的準確度。
　　本發明之供應裝置2a中，係藉由該通道220以控制蝕刻區域，並藉由該回收道221回收該蝕刻液3，使該調整件22能控制噴灑蝕刻液3之輸出量，亦即能控制噴灑蝕刻液3之範圍，以對特定區域微蝕刻或選擇性蝕刻，而能對微小區域（如點區域）之表面進行清洗，且能對產品特性變異進行高精度控制之選擇性加工，故能達到高精度控制之效果。
　　請一併參閱第3A至3C圖，係為具有該供應裝置2a之濕式蝕刻設備2,2’,2”，其係將該供應裝置2a設於一機台（圖略）上。
　　所述之機台係具有用以儲存流體（如蝕刻液3）之容置空間（圖略），且該供應件21設置於該機台上，而該供應道係連通該機台之容置空間，以令該容置空間中之蝕刻液3流經該供應道移至該機台外。又該調整件22之回收道221係連通該機台之容置空間，以將部分由該通道220輸出之蝕刻液3藉由該回收道221吸回該機台之容置空間，如第2A圖所示之箭頭方向。
　　於本實施例中，該機台具有可程式邏輯控制系統（Programmable Logic Controller, PLC）與定位件20，該PLC係用以操控蝕刻清洗作業，例如，該蝕刻液3之運動或該回收道221之運作，且該定位件20係用以將該供應件21設於其上，以藉該PLC操控該定位件20帶動該供應件21與調整件22至所需之位置。
　　再者，該供應件21為複數個時，由至少二該供應件21構成一組供應單元21a,21b，如第3A及3B圖所示。或者，如第3C圖所示，該些供應件21係陣列排設，以形成高密度矩陣排列之蝕刻噴頭群。
　　所述之供應單元21a可由排成矩形之多個供應件21組成，如第3A圖所示；或者，該供應單元21b可由排成直線之多個供應件21組成，如第3B圖所示。
　　又，該供應件21或供應單元21a,21b可藉由該定位件20縱向移動y，如第3A及3B圖所示。
　　另外，該定位件20可作為軌道，令該供應件21或供應單元21a能於該定位件20上橫向移動x，如第3A圖所示。
　　本發明之濕式蝕刻設備2,2’,2”中，藉由該PLC之設計，能個別運作該供應件21或供應單元21a,21b，以具選擇性蝕刻控制能力，故能對該電路板版面5之特定區域進行精密區域性蝕刻作業。
　　再者，藉由該定位件20之設計，以帶動該供應件21或供應單元21a,21b與調整件22至所需之位置，而具選擇性蝕刻控制能力，故亦能對該電路板版面5之特定區域進行精密區域性蝕刻作業。
　　因此，於整批版面全面性連續作業時，可使用可移動式（如第3A及3B圖所示）或多組式（如第3C圖所示）之濕式蝕刻設備2,2’,2”蝕刻清洗該電路板版面5，以依需求針對產品特性變異進行高精度控制之選擇性加工，而提高蝕刻控制精細度。例如，於初步蝕刻作業後，進行光學檢查，再針對仍有殘留物（如殘銅塊）之區域（即點區域）進行二次蝕刻加工，而無需進行整版面蝕刻加工。
　　又，有關版面之種類繁多，例如晶圓、封裝基板或封裝結構，並不限於電路板。
　　另外，有關機台之容置空間中之流體種類繁多，並不限於蝕刻液，亦可其它液體（如水），特此述明。
　　綜上所述，本發明之濕式蝕刻設備及其供應裝置，主要藉由該回收道之設計，使該調整件能控制噴灑蝕刻液之輸出量，以進行微蝕刻或選擇性蝕刻，而提高該濕式蝕刻設備之精密蝕刻之能力。
　　再者，藉由定位件與可程式邏輯控制系統之設計，以對各版面之特定區域進行蝕刻作業，故於整批版面全面性連續作業時，可依需求進行高精度控制之選擇性加工，以提高蝕刻控制精細度，而提升產品的特性能力之有效性與產品之產出良率。
　　上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
10．．．輸送管
11．．．噴嘴
2,2’,2”．．．濕式蝕刻設備
2a．．．供應裝置
20．．．定位件
21．．．供應件
21a,21b．．．供應單元
22．．．調整件
220．．．通道
221．．．回收道
3．．．蝕刻液
5．．．電路板版面
h．．．高度差
x．．．橫向移動
y．．．縱向移動
　　第1A圖係為習知電路板版面進行蝕刻清洗製程之上視示意圖；
　　第1B圖係為習知電路板版面進行蝕刻清洗製程之側視示意圖；
　　第2A圖係為本發明供應裝置之側剖視示意圖；
　　第2B圖係為本發明供應裝置之調整件之上視示意圖；以及
　　第3A至3C圖係為本發明濕式蝕刻設備之不同實施例之上視示意圖。
2a．．．供應裝置
21．．．供應件
22．．．調整件
220．．．通道
221．．．回收道
3．．．蝕刻液
h．．．高度差

Claims (12)

  1. 一種濕式蝕刻設備，係包括：機台，係具有用以儲存流體之容置空間；至少一供應件，係設於該機台上，且該供應件具有貫穿之供應道，該供應道係連通該機台之容置空間，以令該容置空間中之流體經該供應道移至該機台外；以及調整件，係具有相鄰之通道與回收道，該通道用以容置該供應件，該回收道之端口與該通道之端口具有高度差，且該回收道之端口位於該通道之端口下方，以使流經該供應件之流體由該通道輸出，且該回收道係連通該機台之容置空間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻設備，其中，該機台具有定位件，供該供應件設置於該定位件上，以藉該定位件帶動該供應件與調整件至所需之位置。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之濕式蝕刻設備，其中，該機台具有可程式邏輯控制系統，以操控該定位件之運作。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻設備，其中，該機台具有可程式邏輯控制系統，以操控該流體之運動。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻設備，其中，該機台具有可程式邏輯控制系統，以操控該回收道之運作。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻設備，其中，該供應件係為噴嘴。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻設備，其中，該供應件為複數個時，由至少二該供應件構成一組供應單元。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻設備，其中，該供應件為複數個時，該些供應件係陣列排設。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻設備，其中，該回收道圍繞於該通道之外側。
  10. 一種濕式蝕刻設備用之供應裝置，係包括：供應件，係具有貫穿之供應道，以輸送流體；以及調整件，係具有相鄰之通道與回收道，該供應件係位於該通道中，該回收道之端口與該通道之端口具有高度差，且該回收道之端口位於該通道之端口下方，以使流經該供應件之流體由該通道輸出。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之供應裝置，其中，該供應件係為噴嘴。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之供應裝置，其中，該回收道圍繞於該通道之外側。
TW101118319A 2012-05-23 2012-05-23 濕式蝕刻設備及其供應裝置 TWI437936B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101118319A TWI437936B (zh) 2012-05-23 2012-05-23 濕式蝕刻設備及其供應裝置
KR1020120116061A KR20130131205A (ko) 2012-05-23 2012-10-18 습식 에칭 설비 및 그 공급 장치
US13/660,304 US20130312911A1 (en) 2012-05-23 2012-10-25 Wet-etching equipment and its supplying device
KR1020140058773A KR20140071995A (ko) 2012-05-23 2014-05-16 습식 에칭 설비 및 그 공급 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101118319A TWI437936B (zh) 2012-05-23 2012-05-23 濕式蝕刻設備及其供應裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201349967A TW201349967A (zh) 2013-12-01
TWI437936B true TWI437936B (zh) 2014-05-11

Family

ID=49620670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101118319A TWI437936B (zh) 2012-05-23 2012-05-23 濕式蝕刻設備及其供應裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130312911A1 (zh)
KR (2) KR20130131205A (zh)
TW (1) TWI437936B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170333936A1 (en) * 2009-08-07 2017-11-23 Fas Holdings Group, Llc Segmented or selected-area coating
CN114760765B (zh) * 2022-06-16 2022-09-02 深圳市惠利电子科技有限公司 一种干式电路板化学蚀刻设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI267405B (en) * 2004-07-20 2006-12-01 Sez Ag Fluid discharging device
WO2008088300A2 (en) * 2005-03-08 2008-07-24 Primaxx, Inc. Selective etching of oxides from substrates
JP2007165661A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201349967A (zh) 2013-12-01
KR20130131205A (ko) 2013-12-03
US20130312911A1 (en) 2013-11-28
KR20140071995A (ko) 2014-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101213522B1 (ko) 판상체의 박리 방법 및 그 장치
KR102391430B1 (ko) 다이 본딩 장치
US20060008591A1 (en) Coating apparatus and method using the same
US20140020714A1 (en) Non-contact multi-transfer apparatus and method for removing dust by using the same
TWI437936B (zh) 濕式蝕刻設備及其供應裝置
JP2012199413A (ja) 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法
TWI710017B (zh) 晶圓濕處理工作站
CN103878680A (zh) 降低晶圆被刮伤的方法、化学机械研磨机台及清洗器
CN1919470B (zh) 处理液供给喷管和基板处理装置
CN210117422U (zh) 一种用于基板处理的喷淋装置以及一种基板处理设备
CN111199898A (zh) 清洗装置及方法
JP5575849B2 (ja) ウェットエッチング設備
TWI673789B (zh) 清洗裝置及方法
US11107671B2 (en) Method of processing semiconductor substrate
CN208157373U (zh) 清洗装置
CN104175224A (zh) 化学机械研磨之研磨垫的清洗装置及其方法
KR101842113B1 (ko) 기판 처리 방법
CN101315876B (zh) 基板清洗用双流体供给模块及利用该模块的清洗装置
TWM573893U (zh) 清洗裝置
TWI717294B (zh) 可撓性基板水平濕製程方法
KR102520849B1 (ko) 보조용제의 세정 시스템
CN202189224U (zh) 保护层处理装置
KR102176209B1 (ko) 이물질 제거용 기판처리장치
CN201805637U (zh) 薄板处理制程的输送装置
TW201438824A (zh) 晶圓清洗方法及其系統

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees