TWI437079B - 液晶介質 - Google Patents

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TWI437079B TW095129235A TW95129235A TWI437079B TW I437079 B TWI437079 B TW I437079B TW 095129235 A TW095129235 A TW 095129235A TW 95129235 A TW95129235 A TW 95129235A TW I437079 B TWI437079 B TW I437079B
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Description

液晶介質
本發明係關於一種基於極性化合物之混合物之具有負介電各向異性的液晶介質，其包含至少一種式I化合物 其中R1 1 表示具有高達4個碳原子之烷基或烯基，其係未經取代或經CN或CF3 單取代或至少經鹵素單取代，其中另外，在此等基團中一或多個CH2 基可經－O－、－S－、、－C≡C－、－CF2 O－、－OCF2 －、－OC－O－或－O－CO－以O原子不直接彼此相連之方式取代，R1 2 表示具有高達5個碳原子之烯基，其係未經取代，經CN或CF3 單取代或至少經鹵素單取代，其中另外，在此等基團中一或多個CH2 基可經－O－、－S－、、－C≡C－、－CF2 O－、－OCF2 －、－OC－O－或－O－CO－以O原子不直接彼此相連之方式取代，該至少一種式I化合物之量以介質計30重量%。
特定言之，此類型之介質係用於基於ECB效應之具主動式矩陣定址的電光顯示器以及用於IPS(共平面切換型)顯示器。根據本發明之介質較佳具有負介電各向異性。
電制雙折射原理、ECB(電制雙折射)效應或DAP(排列相變形)效應首先在1971年描述(M.F.Schieckel及K.Fahrenschon,"Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields",Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。隨後出現J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)及G.Labrunie與J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)之論文。
J.Robert與F.Clerc(SID 80 Digest Techn.Papers(1980),30),J.Duchene(Displays 7(1986),3)及H.Schad(SID 82 Digest Techn.Papers(1982),244)之論文已表明液晶相必須具有彈性常數間的高比率值K3 /K1 、高光學各向異性值△n及介電各向異性值△s－0.5，以便適合用於基於ECB效應之高資訊顯示器元件。基於ECB效應之電光顯示器元件具有垂直邊緣排列(homeotropic edge alignment)(VA技術＝垂直排列)。使用所謂IPS效應之顯示器亦可使用介電負性液晶介質。
使用ECB效應之顯示器在MVA(多域垂直排列，例如：Yoshide,H.等人，Paper 3.2："MVA LCD for Note－book or Mobile PCs...",SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book I，第6至9頁及Liu,C.T.等人，Paper 15.1："A 46－inch TFT－LCD HDTV Technology...",SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II，第750至753頁)及PVA(圖案化垂直排列，例如：Kim，Sang Soo,Paper 15.4："Super PVA Sets New State－of－the－Art for LCD－TV",SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II，第760至763頁)設計方面已被確認為除ASV(高級絢麗屏(super view)，例如：Shigeta，Mitzuhiro及Fukuoka,Hirofumi,Paper 15.2："Development of High Quality LCDTV",SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II，第754至757頁)顯示器及IPS(共面轉換型)顯示器(例如：Yeo,S.D.,Paper 15.3："A LC Display for the TV Application",SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II，第758與759頁)之外的所謂VAN(垂直排列向列型)顯示器，其為除久已習知之顯示器之外當前除TN(扭轉向列型)顯示器之外尤其在電視應用中最重要之三種最新類型液晶顯示器之一。此等技術以一般形式在(例如)Souk,Jun,SID Seminar 2004,Seminar M－6："Recent Advances in LCD Technology",Seminar Lecture Notes,M－6/1至M－6/26及Miller,Ian,SID Seminar 2004,Seminar M－7："LCD－Television",Seminar Lecture Notes,M－7/1至M－7/32中進行比較。儘管現代之ECB顯示器的響應時間已經藉由定址方法使用超速驅動(overdrive)而顯著地改進，例如：Kim,Hyeon Kyeong等人，paper 9.1："A 57－in.Wide UXGA TFT－LCD for HDTV Application",SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book I，第106至109頁，達成尤其用於灰階轉換之視訊相容響應時間仍係一尚未圓滿解決的問題。
此效應在電光顯示器元件中之工業應用要求LC相必須符合諸多要求。在此尤其重要的為對濕度、空氣及諸如熱、紅外區輻射、可見光區輻射及紫外區輻射及直接電場與交變電場之物理效應的化學耐性。
此外，可在工業上使用之LC相必須具有在適合溫度範圍之液晶中間相及低黏度。
至今所揭示之具有液晶中間相的化合物系列皆不包括滿足所有此等要求之單一化合物。因此通常製備2至25種化合物，較佳3至18種化合物之混合物來獲得可用作LC相的物質。然而，由於至今尚無可用之具有顯著負介電各向異性及適當之長期穩定性的液晶物質，所以不能以此方式容易地製備最優相。
矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)係已知的。可用於個別像素之個別轉換的非線性元件為(例如)主動元件(亦即電晶體)。接下來使用術語"主動矩陣"，其中可區別兩種類型：1.在作為基板之矽圓晶上的MOS(金屬氧化物半導體)電晶體。
2.在作為基板之玻璃板上的薄膜電晶體(TFTs)。
在類型1之情況下，使用之電光效應通常為動態散射或客體－主體效應。由於即便多個部件顯示器之模組化總成亦在結合處產生問題，所以使用單晶矽作為基板材料限制顯示器尺寸。
在較佳之更具前景的類型2情況下，使用之電光效應通常為TN效應。
存在兩種技術之間的區別：包含諸如CdSe之化合物半導體的TFT或基於多晶或非晶矽之TFT。後者技術在世界範圍內正在廣泛使用。
TFT矩陣應用於顯示器之一玻璃板內側，而另一玻璃板在其內側上攜有透明反電極。與像素電極尺寸相比較，TFT極小且實際上對影像無不利影響。此技術亦可擴展至能顯示全色(fully colour－capable)顯示器上，在該顯示器中經拼合之紅色、綠色及藍色濾光器以濾光器元件與每一可變換像素相對的方式設置。
迄今揭示之TFT顯示器通常作為具有透射性交叉偏光器之TN單元運作且係背光的。
術語MLC顯示器在此涵蓋任何具整合之非線性元件的矩陣顯示器，亦即除主動矩陣之外，亦具有諸如變阻器或二極體之被動元件的顯示器(MIM＝金屬－絕緣體－金屬)。
此類型之MLC顯示器尤其適合於TV應用(例如袖珍型TV)或用於汽車或飛機結構中之高資訊顯示器。除關於對比度之角度依賴性及響應時間之問題外，MLC顯示器亦出現液晶混合物比電阻不夠高之困難[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORI－MACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay 84,Sept.1984：A 210－288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings，第141頁ff.,Paris；STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,Sept.1984：Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays，第145頁ff.,Paris]。隨電阻減弱，MLC顯示器之對比度劣化。由於液晶混合物之比電阻通常由於與顯示器之內表面相互作用而隨MLC顯示器之壽命而下降，所以對於經長期運作仍必須具有可接受之電阻值的顯示器而言高(初始)電阻係極重要的。
迄今揭示之MLC－TN顯示器的缺點為其對比度相當低，視角依賴性相對較高且在此等顯示器中難以產生灰階。
因此繼續存在對具有極高之比電阻，同時具有寬泛之運作溫度範圍、短響應時間及低臨限電壓(借助於低臨限電壓可產生多種灰階)的MLC顯示器的巨大需要。
本發明之目的為提供詳言之用於監視器及TV應用的MLC顯示器，其係基於ECB或IPS效應，無上文所述之缺陷，或僅較小程度上具以上缺陷，且同時具有極高之比電阻值。詳言之，對於監視器及電視機而言，須確保其在極高溫及極低溫下亦能夠工作。
現意外發現若此等顯示器元件中使用包含至少一種高濃度之式I化合物的向列型液晶混合物則可實現此目的。式I化合物係自(例如)EP 0 168 683 B1及EP 0 122 389 B1已知。
因此本發明係關於一種基於極性化合物之混合物的液晶介質，該混合物包含總計30重量%的至少一種式I化合物。
根據本發明之混合物表現極寬泛之向列相範圍(清澈點70℃)，極有利之電容臨限值，相對較高之保持率值，且同時在－30℃及－40℃下具極佳低溫穩定性以及極低旋轉黏度及短響應時間。根據本發明之混合物，詳言之彼等包含30重量%之者，除旋轉黏度γ1 改良外，係以彈性常數K3 3 增加促進響應時間改良之實情而卓著。
根據本發明之某些較佳混合物實施例係如下所示：a)在式I中R1 1 較佳表示烷基或烯基，詳言之乙基、丙基、丁基、乙烯基、1E－烯基或3E－烯基。
在式I中R1 2 較佳表示乙烯基、1E－烯基或3－烯基，較佳為CH2 ＝CH。
b)液晶介質，其包含一種、兩種、三種、四種或更多種(較佳一種、兩種或三種)式I化合物，c)液晶介質，其中式I化合物在混合物中之比例總體上為至少30重量%，較佳至少35重量%，尤其較佳38重量%。
d)液晶介質，其另外包含下式化合物 較佳總計25重量%。
e)液晶介質，其另外包含一或多種式IIA及/或式IIB之化合物 其中R2 表示具有高達15個C原子之H、烷基或烯基，其未經取代、經CN或CF3 單取代或至少經鹵素單取代，其中另外，在此等基中之一或多個CH2 基可經－O－、－S－、、－C≡C－、－CF2 O－、－OCF2 －、－OC－O－或－O－CO－以O原子彼此間不直接連接之方式取代，P表示1或2，且v表示1至6。
f)液晶介質，其另外包含一或多種式III化合物 其中R3 1 與R3 2 每一者彼此獨立地表示具高達12個C原子之直鏈烷基、烷氧基烷基或烷氧基，且表示,,,,或Z表示單鍵、－CH2 CH2 －、－CH＝CH－、－CF2 O－、－OCF2 －、－CH2 O－、－OCH2 －、－COO－、－OCO－、－C2 F4 －或－CF＝CF－。
g)液晶介質，其中在混合物中式IIA及/或式IIB化合物之比例總體上至少為20重量%。
h)液晶介質，其中在混合物中式III化合物之比例總體上至少為5重量%。
i)液晶介質，其包含至少一種選自次級式I1至I9之化合物：
根據本發明之特別較佳介質包含式之化合物，較佳總計30－60重量%，詳言之35－60重量%，及/或式之化合物，較佳總計30－40重量%，詳言之35－40重量%。若根據本發明之混合物包含式化合物及式之化合物，則在混合物中此等二混合物之總濃度為40重量%，較佳45重量%，詳言之50重量%。
j)液晶介質，其包含至少一或多種來自以下群之化合物
k)液晶介質，其另外包含一或多種選自式IIIa至式IIIh之化合物： 其中烷基及烷基＊ 每一者彼此獨立地表示具有1－6個C原子之直鏈烷基。
根據本發明之介質較佳包含至少一種式IIIa、式IIIb及/或式IIId之化合物。
l)液晶介質，其包含以下物質或由其組成30－80重量%之一或多種式I化合物及20－70重量%之一或多種式IIA及/或式IIB化合物，其中式I及式IIA及/或式IIB化合物之總量100重量%。
m)液晶介質，其另外包含一或多種以下式之四環化合物 其中R7 及R8 每一者彼此獨立地具有在請求項2中對R2 所說明之涵義之一，且w及x每一者彼此獨立地表示1至6。
n)液晶介質，其另外包含一或多種式Y－1至式Y－11之化合物 其中R1 3 －R2 0 每一者彼此獨立地具有與對R2 所說明之涵義相同之涵義，且z及m每一者彼此獨立地表示1－6。RE 表示H、CH3 、C2 H5 或n－C3 H7 。
x表示0、1、2或3。
根據本發明之介質特別較佳包含一或多種具有烯基側鏈之式Y－2、式Y－3及/或Y－11之化合物，較佳總計5重量%。
o)液晶介質，其另外包含一或多種以下式之化合物
較佳總計>3重量%，詳言之5重量%且特別較佳5－25重量%，其中R2 1 具有對R2 所說明之涵義，且m表示1－6。
p)液晶介質，其另外包含一或多種式T－1至式T－22之氟化三聯苯 其中R具有對R2 所說明之涵義。
R較佳為直鏈烷基、烷氧基或烷氧基烷基(在每一情況下其具有1－6個C原子)，具有2－6個C原子之烯基或烯氧基。R較佳表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基。
根據本發明之介質較佳包含總計2－30重量%之式T－1至式T－22之三聯苯，詳言之5－20重量%。
特別較佳者為式T－1、T－2、T－3及T－22之化合物。在此等化合物中，R較佳表示烷基，此外表示烷氧基(在每一情況下皆具有1－5個C原子)。
三聯苯較佳與式I、式IIA、式IIB及式III之化合物結合用於具有△n0.10之混合物中。較佳混合物包含2－20重量%之三聯苯及5－60重量%之式IIA及/或式IIB之化合物。
q)液晶介質，其另外包含一或多種式B－1至式B－4之聯苯 其中烷基及烷基＊ 每一者彼此獨立地表示具有1－6個C原子之直鏈烷基，且烯基及烯基＊ 每一者彼此獨立地表示具有2－6個C原子之直鏈烯基。
在混合物中式B－1至B－4聯苯之比例總體上較佳為至少3重量%，詳言之5重量%。
在式B－1至式B－4之化合物中，式B－1及式B－4之化合物係特別較佳的。
特別較佳之聯苯為 其中R表示具有1個或2至6個C原子之烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基、烯氧基，且烯基具有如上所述之涵義。根據本發明之介質特別較佳包含一或多種式B－1a及/或式B－2c之化合物。
r)液晶介質，其另外包含一或多種以下式之化合物 較佳總計>3重量%，詳言之5重量%，且特別較佳5－25重量%，其中R2 2 － 2 3 具有對R1 1 所說明之涵義，且R2 4 表示CH3 、C2 H5 或n－C3 H7 ，且q表示1或2。
s)液晶介質，其另外包含至少一種式Z－1至式Z－22之化合物 其中R及烷基具有如上所述之涵義，且p為1或2，較佳總計5重量%，詳言之10重量%。
特別較佳者為包含一種、兩種或兩種以上式Z－1至式Z－9化合物及另外一種、兩種或兩種以上式II化合物的介質。此類型混合物較佳包含10重量%之式II化合物。t)液晶介質，其包含至少一種式O－1至O－12化合物 其中R1 及R2 具有對R2 所說明之涵義，且R1 及R2 每一者彼此獨立地較佳表示直鏈烷基，此外表示烯基。
u)根據本發明之較佳液晶介質包含一或多種諸如式N－1至式N－5化合物之含有四氫萘基或萘基單元的物質 其中R1 N 及R2 N 每一者彼此獨立地具有對R2 所說明之涵義，較佳表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈烯基，且Z、Z1 及Z2 每一者彼此獨立地表示－C2 H4 －、－CH＝CH－、－(CH2 )4 －、－(CH2 )3 O－、－O(CH2 )3 －、－CH＝CHCH2 CH2 －、－CH2 CH2 CH＝CH－、－CH2 O－、－OCH2 －、－COO－、－OCO－、－C2 F4 －、－CF＝CF－、－CF＝CH－、－CH＝CF－、－CF2 O－、－OCF2 －、－CH2 －或單鍵。
v)較佳混合物包含一或多種式BC之二氟苯幷烷化合物 其中RB 1 及RB 2 每一者彼此獨立地具有R2 之涵義，較佳總計3至20重量%，詳言之總計3至15重量%。
式BC之特別較佳化合物為化合物BC－1至BC－7 其中烷基及烷基＊ 每一者彼此獨立地表示具有1－6個C原子之直鏈烷基，且烯基及烯基＊ 每一者彼此獨立地表示具有2－6個C原子之直鏈烯基。
極特別較佳之混合物包含一種、兩種或三種式BC－2之化合物。
本發明另外係關於具有基於ECB效應之主動式矩陣定址的電光顯示器，特徵在於其含有作為介電質之如請求項1至10之任一項之液晶介質。
根據本發明之液晶介質較佳具有20℃至70℃之向列相，特別較佳30℃至80℃，極特別較佳40℃至90℃。
術語"具有向列相"在此意指在一方面在對應溫度低溫下觀察不到近晶相及結晶，且另一方面一旦向列相受熱不發生清澈化。低溫下研究以流量式黏度計在對應溫度下進行且藉由儲存於具有相當於電光應用之層厚的測試單元中達至少100小時來檢查。
若在相應之測試單元中在－20℃溫度下儲存穩定性為1000 h或更多，則認為介質在此溫度下係穩定的。在－30℃及－40℃溫度下，相應之時間分別為500 h及250 h。高溫下，清澈點藉由習知之方法在毛細管中來量測。
液晶混合物較佳具有至少60 K之向列相範圍及在20℃下至多30 mm2 ．s－ 1 之流動黏度v2 0 。
根據本發明之液晶混合物具有－0.5至－8.0之△ε，詳言之－3.0至－6.0，其中△ε表示介電各向異性。旋轉黏度γ1 較佳<200 mPa．s，詳言之<170 mPa．s。
在液晶混合物中雙折射值△n通常係在0.07與0.16之間，較佳在0.08與0.12之間。
根據本發明之液晶介質具有負介電各向異性且具有相對較高之介電各向異性絕對值(| △ε|)，其較佳在2.7至5.3範圍內。
根據本發明之液晶介質具有相對較小之臨限電壓值(V0 )。其較佳在1.7 V至2.5 V之範圍內，特別較佳2.3 V且極特別較佳2.2 V。
另外，根據本發明之液晶介質在液晶單元中具有高電壓保持率值。在單元中在20℃下在新經填充之單元中其為95%，較佳97%且極特別較佳99%，且在該等單元中在烘箱中100℃下5分鐘之後其為90%，較佳93%且極特別較佳98%。
通常，具有低定址電壓或臨限電壓之液晶介質與彼等具有更大之定址電壓或臨限電壓者相比具有較低之電壓保持率，反之亦然。
對於本發明，術語"介電正性化合物"表示具有△ε>1.5之化合物，術語"介電中性化合物"表示彼等具有－1.5△ε1.5之化合物，且術語"介電負性化合物"表示彼等具有△ε<－1.5之化合物。化合物之介電各向異性在此藉由在液晶主體中溶解10%化合物且在至少一測試單元中測定生成之混合物的電容來測定，在1 kHz下垂直及平行表面排列的每一情況下測試單元具有20 μm層厚度。測量電壓通常為0.5 V至1.0 V，但始終低於調查之各個的液晶混合物的電容臨限值。
用於介電正性及介電中性化合物之主體混合物為ZLI－4792且用於介電負性化合物之主體混合物為ZLI－2857，二者皆來自Merck KGaA,Germany。待調查之個別化合物的值係獲自在加入待調查之化合物後主體混合物介電常數之變化，且外推至100%使用化合物。10%待調查化合物溶解於主體混合物。若該物質之溶解性過低而不可行，則逐步將濃度減半直至在要求之溫度下可進行研究。
本發明說明之所有溫度值為℃形式。
對於本發明，術語"臨限電壓"係指電容臨限值(V0 )，亦稱為Freedericksz臨限值，除非明確地另外說明。在實例中，如通常之慣例，亦測定且提供10%相對對比度之光學臨限(V1 0 )。
例如臨限電壓(V0 )(電容量測)及光學臨限值(V1 0 )之電光性質如同轉換特性在Merck KGaA生產之測試單元測定。量測單元具有鹼石灰玻璃基板且以ECB或VA組態藉由彼此垂直地磨擦之聚醯亞胺排列層(SE－1211與稀釋劑＊ ＊ 26(混合比率1：1)，二者來自Nissan Chemicals,Japan)來生產。透明、實質上正方形之ITO電極的面積為1 cm2 。使用之測試單元層厚度係根據所調查液晶混合物之雙折射率以光滯後為(0.33±0.01)μm之方式選擇。該等偏光器中之一個位於單元之前部且其另一個位於單元之後部，彼此間以其吸收軸形成90°角度且在其各自相鄰之基板上此等軸與磨擦方向平行。層厚度通常為約4.0 μm。單元係在大氣壓力下藉由毛細管作用填充且在未密封狀態下調查。除非另外說明，使用之液晶混合物中不添加對掌性摻雜劑，但後者亦特別適合於必需此類型之摻雜物之應用。
測試單元之電光性質及響應時間在20℃溫度下以來自Autronic－Melchers,Karlsruhe,Germany之DMS 301測量儀錶測定。使用之定址波形為具60 Hz頻率的矩形波。電壓以Vr m s (均方根)形式提供。在響應時間量測期間，電壓自0 V增加至兩倍光學臨限(2V1 0 )值且返回。提供之響應時間適於自電壓變化直至光強各自90%完全變化發生所經歷之全部時間，亦即τo n ≡t(0%至>90%)且τo f f ≡t(100%至>10%)，亦即亦包括各自之延遲時間。由於個別響應時間取決於定址電壓，所以亦提供兩個別響應時間之和(Σ＝τo n ＋τo f f )或平均響應時間(τa v . ＝(τo n ＋τo f f )/2)以改良結果之可比較性。
電壓保持比率係在Merck KGaA生產之測試單元中測定。量測單元具有鹼石灰玻璃基板且以彼此垂直地磨擦之50 nm層厚度之聚醯亞胺排列層(AL－3046，來自Japan Synthetic Rubber,Japan)生產。層厚度一致為6.0 μm。透明ITO電極之面積為1 cm2 。
根據本發明之混合物適合於所有VA－TFT應用，諸如VAN、MVA、(S)－PVA及ASV。其另外適合於負△ε之IPS(共面轉換型)、FFS(散射場轉換型)及PALC應用。
根據本發明之顯示器中之向列型液晶混合物通常包含二成份A與B，其自身由一或多種個別化合物組成。
組分A顯著具有負介電各向異性且賦予向列相－0.5介電各向異性。其較佳包含式I、式IIA、式IIB及/或式III化合物。
組分A之比例較佳在45與100%之間，詳言之在60與100%之間。
對於組分A而言，較佳選擇一(或多)種具有△ε值－0.8的個別化合物。總體上在混合物中比例A愈小，則此值必須更具負性。
組分B具有顯著之向列性且在20℃下不大於30 mm2 ．s－ 1 之流動黏度，較佳不大於25 mm2 ．s－ 1 。
在組分B中特別較佳之個別化合物為在20℃下具有不大於18 mm2 ．s－ 1 之流動黏度，較佳不大於12 mm2 ．s－ 1 的極低黏度向列型液晶。
組分B為單變或互變向列型，無近晶相且在液晶混合物中在降至極低溫度下能夠防止發生近晶相。例如，若多種高向列性物質添加入近晶液晶混合物，則此等物質之向列性可藉由達成之近晶相抑制程度比較。
熟習此項技術者自文獻已知許多種適合之物質。特別較佳者為式III之化合物。
另外，此等液晶相亦可包含多於18種成份，較佳18至25種成份。
該等相較佳包含4至15種，詳言之5至12種，且特別較佳<10種式I、式IIA及/或式IIB且視情況式III的化合物。
除式I、IIA及/或IIB以及III之化合物外，亦可存在其他組份，例如總體上高達混合物之45%，但較佳高達35%，詳言之高達10%。
其他組分較佳選自向列型或向列性物質，詳言之來自氧化偶氮苯、亞苄基苯胺、聯苯、三聯苯、苯基或環己基苯甲酸酯、苯基或環己基環己羧酸酯、苯基環己烷、環己基聯苯、環己基環己烷、環己基萘、1,4－雙環己基聯苯或或環己基嘧啶、苯基或環己基二噁烷、視情況鹵化酯二苯乙烯、苄基苯基醚、二苯乙炔及經取代肉桂酸酯類別已知物質。
適合作為此類型液晶相之成份的最重要化合物可由式IV特徵化R9 －L－G－E－R1 0 IV其中L及E每一者表示來自由1,4－雙取代苯及環己烷環、4,4'－雙取代聯苯、苯基環己烷及環己基環己烷系統、2,5－雙取代嘧啶及1,3－二噁烷環、2,6－雙取代萘、二氫化萘及四氫化萘、喹唑啉及四氫喹唑啉形成之群的碳環或雜環系統。
G表示－CH＝CH－ －N(O)＝N－－CH－CQ－ －CH＝N(O)－－C≡C－ －CH2 －CH2 －－CO－O－ －CH2 －O－ －CO－S－ －CH2 －S－ －CH＝N－ －COO－Phe－COO－ －CF2 O－ －CF＝CF－ －OCF2 － －OCH2 － －(CH2 )4 － －(CH2 )3 O－
或C－C單鍵，Q表示鹵素，較佳氯，或－CN，且R9 及R1 0 每一者表示具有高達18個，較佳高達8個碳原子之烷基、烯基、烷氧基、烷醯氧基或烷氧羰氧基，或此等基團中之一選擇性地表示CN、NC、NO2 、NCS、CF3 、OCF3 、F、Cl或Br。
在大多數此等化合物中，R9 及R1 0 彼此不同，此等基團之一通常為烷基或烷氧基。建議取代基之其他變體亦常見。可購得許多此等物質亦或其混合物。所以此等物質皆可藉由自文獻已知之方法來製備。
對於熟習此項技術者不必贅述，根據本發明之VA、IPS、FFS或PALC混合物亦可包含其中例如H、N、O、Cl及F已由相應之同位素取代的化合物。
根據本發明之液晶顯示器的結構符合通常之幾何結構，例如在EP－A 0 240 379中所描述。
以下實例係意欲解釋本發明而非對其限制。上文及下文中，百分比表示重量百分比；所有溫度皆以攝氏溫度表示。
除式I化合物之外，根據本發明之混合物較佳包含一或多種如下所示之化合物。
使用以下縮寫：(n、m、z：每一者彼此獨立地為1、2、3、4、5或6)
可根據本發明使用之液晶混合物以其自身習知之方法製備。通常，期望之量的該等以較小量使用的成份係有利地在高溫下溶解於構成主成份的組份中。亦可能在有機溶劑中(例如在丙酮、氯仿或甲醇中)混合該等成份之溶液，且在徹底混和之後藉由(例如)蒸餾來再次移除溶劑。
介電質亦可包含為熟習此項技術者所知及在文獻中描述之其他添加劑，諸如UV吸收劑、抗氧化劑、奈米顆粒及自由基清除劑。例如，可添加0－15%之多色染料、穩定劑或對掌性摻雜劑。
例如，可添加0－15%之多色染料，此外可添加導電鹽類，較佳4－已羥基苯甲酸乙基二甲基十二烷基銨、四苯基氫硼化四丁銨或冠醚之複鹽(cf.，例如Haller等人，Mol.Cryst.Liq.Cryst.第24卷，第249－258頁(1973))以改良傳導率或可添加物質以改質向列型相之介電各向異性、黏度及/或排列。此類型之物質在例如DE－A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430及28 53 728中描述。
表格A顯示可添加至根據本發明之混合物的可能之摻雜劑。若混合物包含摻雜劑，則其以0.01－4重量%之量使用，較佳0.1－1.0重量%。
可添加至根據本發明之混合物中之穩定劑在下表B中顯示。
以下實例係意欲解釋本發明而非對其限制。上文及下文中，Vo 表示在20℃下之臨限電壓、電容[V]△n 表示在20℃及589 nm下量測之光學各向異性△ε 表示在20℃及lkHZ下介電各向異性cl.p. 表示清澈點[℃]K1 表示在20℃下之彈性常數，"張開"變形[pN]K3 表示在20℃下之彈性常數，"彎曲"變形[pN]γ1 表示在20℃下量測之旋轉黏度[mPa．s]LTS 表示低溫穩定度(向列相)，其在測試單元中測定
用於量測臨限電壓之顯示器具有分離20 μm之二平行平面之外板及具在外板內側具有上覆SE－1211排列層(Nissan Chemicals)的電極層，其實現液晶之垂直排列。
混合物實例 實例1
實例2
實例3
實例4
實例5
實例6
實例7
實例8

Claims (21)

  1. 一種基於極性化合物之混合物之具有負介電各向異性的液晶介質，其包含至少一種式I2化合物 該至少一種式I2化合物之量以該介質計為30至60重量%；及一或多種式IIA及/或IIB之化合物 其中R2 表示具有最高達15個C原子之烷基或烯基，其係未經取代、經CN或CF3 單取代或至少經鹵素單取代，其中另外，在此等基團中之一或多個CH2 基可各自彼此獨立地經-O-、-S-、、-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -、-OC-O-或-O-CO-以O原子彼此間不直接連接之方式置換，p 表示1或2，且v 表示1至6。
  2. 如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式 III之化合物 其中R31 與R32 各自彼此獨立地表示具有高達12個C原子之直鏈烷基、烷氧基烷基或烷氧基，表示，，，，或及Z 表示單鍵、-CH2 CH2 -、-CH=CH-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-COO-、-OCO-、-C2 F4 -或-CF=CF-。
  3. 如請求項1之液晶介質，其中該式I2化合物在該混合物中之比例總體上為至少35重量%。
  4. 如請求項1之液晶介質，其中該式IIA及/或IIB之化合物在該混合物中的比例總體上為至少20重量%。
  5. 如請求項2之液晶介質，其中該式III化合物在該混合物中之比例總體上為至少3重量%。
  6. 如請求項1之液晶介質，其中該介質包含至少一種選自式I1及式I3至式I9之化合物
  7. 如請求項1之液晶介質，其中該介質包含35至60重量%式I2化合物。
  8. 如請求項1之液晶介質，其中該介質進一步包含式I3化合物 其中該式I2及式I3化合物在該介質中之總濃度為40重量%。
  9. 如請求項8之液晶介質，其中該介質包含30至40重量%之該式I3化合物。
  10. 如請求項8之液晶介質，其中該式I2及式I3化合物在該介質中之總濃度為45重量%。
  11. 如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種選自式IIIa至式IIIh之化合物： 其中烷基及烷基*每一者彼此獨立地表示具有1-6個C原子之直鏈烷基。
  12. 如請求項11之液晶介質，其中該介質包含選自式IIIa、式 IIIb及/或式IIId化合物中至少一者。
  13. 如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式T-1至式T-22之氟化三聯苯 其中 R係具有最高達15個C原子之烷基或烯基，其係未經取代、經CN或CF3 單取代或至少經鹵素單取代，其中另外，在此等基團中之一或多個CH2 基可各自視情況地經-O-、-S-、、-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -、-OC-O-或-O-CO-以O原子彼此間不直接連接之方式置換。
  14. 如請求項13之液晶介質，其中該介質包含包含2-30重量%之式T-1至式T-22化合物。
  15. 如請求項13之液晶介質，其中該介質包含選自式T-1、T-2、T-3及T-22化合物中至少一者。
  16. 如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種下式之化合物 其中R22-23 係具有最高達4個碳原子之烷基或烯基，其係未經取代、經CN或CF3 單取代或至少經鹵素單取代，其中另外，在此等基團中一或多個CH2 基可經-O-、-S-、、-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -、-OC-O-或-O-CO-以O原子不直接彼此相連之方式置換，R24 表示CH3 、C2 H5 或n-C3 H7 ，及q表示1或2。
  17. 如請求項16之液晶介質，其中該介質包含5-25重量%具有下式之化合物
  18. 如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含至少一種式O-1至O-12化合物 其中R1 及R2 具有最高達15個C原子之烷基或烯基，其係未經取代、經CN或CF3 單取代或至少經鹵素單取代，其中另外，在此等基團中之一或多個CH2 基可各自彼此獨立地經-O-、-S-、、-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -、-OC-O-或-O-CO-以O原子彼此間不直接連接之方式置換。
  19. 如請求項1之液晶介質，其中該旋轉黏度γ1 <200mPa．s。
  20. 一種製備如請求項1至19中任一項之液晶介質的方法，其包含使一或多種式I2化合物與至少一種其他液晶化合物混合，且視情況添加添加劑。
  21. 一種基於ECB、PALC、FFS或IPS效應之具主動式矩陣定址的電光顯示器，其中該顯示器含有作為介電質之如請求項1至19中任一項的液晶介質。
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