TW201928025A - 液晶介質 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種液晶介質，其包含至少一種式I化合物：

及一或多種選自式IIA、IIB及IIC之化合物之群的化合物：

其中所出現之基團及參數具有請求項1中所指示之含義，
以及係關於其用於尤其基於VA、PSA、PA-VA、SS-VA、SA-VA、PS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、UB-FFS、U-IPS、FFS或PS-FFS效應之主動式矩陣顯示器的用途。

Description

液晶介質

本發明係關於一種液晶介質，其包含一或多種式I化合物：

其中
R¹¹ 及R¹² 各彼此獨立地表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基，其中另外，該等基團中之一或多個CH₂ 基團可各自彼此獨立地經-C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH=CH-、、、-O-、-CO-O-、-O-CO-置換，其方式為使得O原子彼此不直接連接，且其中另外，一或多個H原子可經鹵素置換，
A¹ 在每次出現時彼此獨立地表示
a) 1,4-伸環己烯基或1,4-伸環己基，其中一或兩個不相鄰CH₂ 基團可經-O-或-S-置換，
b) 1,4-伸苯基，其中一或兩個CH基團可經N置換，
c) 來自哌啶-1,4-二基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、菲-2,7-二基及茀-2,7-二基之群的基團，
其中基團a)、b)及c)可經鹵素原子單取代或多取代，
Z¹ 在每次出現時彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CH₂ -、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-CH=CH-CH₂ O-、-C₂ F₄ -、-CH₂ CF₂ -、-CF₂ CH₂ -、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵，且
L¹¹ 及L¹² 各彼此獨立地表示F、Cl、CF₃ 或CHF₂ ，較佳地表示H或F，最佳地表示F，
及
一或多種選自式IIA、IIB及IIC之化合物之群的化合物：

其中
R^2A 、R^2B 及R^2C 各彼此獨立地表示H、未經取代、經CN或CF₃ 單取代或至少經鹵素單取代之具有至多15個C原子之烷基或烯基，其中另外，該等基團中之一或多個CH₂ 基團可經-O-、-S-、、-C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-OC-O-或-O-CO-置換，其方式為使得O原子彼此不直接連接，
L¹ 至L⁴ 各彼此獨立地表示F、Cl、CF₃ 或CHF₂ ，
Z² 及Z^{2 '} 各彼此獨立地表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CHCH₂ O-，
p 表示0、1或2，
q 表示0或1，且
v 表示1至6。

此類介質可尤其用於基於ECB效應之具有主動式矩陣定址之電光顯示器及IPS (共平面切換型)顯示器或FFS (邊緣場切換型)顯示器。

電控雙折射、ECB效應或亦DAP (經配向相之變形)效應之原理首次描述於1971年(M.F. Schieckel及K. Fahrenschon, 「Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields」, Appl. Phys. Lett. 19 (1971), 3912)。隨後為J.F. Kahn之論文(Appl. Phys. Lett. 20 (1972), 1193)以及G. Labrunie及J. Robert之論文(J. Appl. Phys. 44 (1973), 4869)。

J. Robert及F. Clerc之論文(SID 80 Digest Techn. Papers (1980), 30)、J. Duchene之論文(Displays 7 (1986), 3)及H. Schad之論文(SID 82 Digest Techn. Papers (1982), 244)展示液晶相必須具有彈性常數K₃ /K₁ 之高比率值、高光學各向異性Δn值及≤-0.5之介電各向異性Δε值，以便適用於基於ECB效應之高資訊顯示元件。基於ECB效應之電光顯示元件具有垂面邊緣配向(VA技術=豎直配向(v erticallya ligned))。介電負性液晶介質亦可用於使用所謂IPS或FFS效應之顯示器。

除IPS (共平面轉換型；i n-p lanes witching)顯示器(例如：Yeo, S.D.,論文15.3: 「An LC Display for the TV Application」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV，第II冊，第758頁及第759頁)及早已眾所周知的TN (扭轉向列型；t wistedn ematic)顯示器以外，例如以MVA (多域豎直配向；m ulti-domainv erticala lignment)，例如：Yoshide, H.等人，論文3.1: 「MVA LCD for Notebook or Mobile PCs ...」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV，第I冊，第6頁至第9頁及Liu, C.T.等人，論文15.1: 「A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology ...」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV，第II冊，第750頁至第753頁)、PVA (圖案化豎直配向；p atternedv erticala lignment)，例如：Kim, Sang Soo, 論文15.4: 「Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV，第II冊，第760頁至第763頁)、ASV (先進大視角；a dvanceds uperv iew)，例如：Shigeta, Mitzuhiro及Fukuoka, Hirofumi, 論文15.2: 「Development of High Quality LCDTV」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV，第II冊，第754頁至第757頁)模式使用ECB效應之顯示器，如所謂的VAN (豎直配向之向列型；v erticallya lignedn ematic))顯示器，已本身確立為當前最重要的三種較新類型之液晶顯示器(尤其用於電視應用)之一。該等技術以一般形式在例如Souk, Jun, SID Seminar 2004, Seminar M-6: 「Recent Advances in LCD Technology」, Seminar Lecture Notes, M-6/1至M-6/26，及Miller, Ian, SID Seminar 2004, Seminar M-7: 「LCD-Television」, Seminar Lecture Notes, M-7/1至M-7/32中進行比較。儘管現代ECB顯示器之回應時間已藉由利用過激勵之定址方法顯著改良，例如：Kim, Hyeon Kyeong等人，論文9.1: 「A 57-in. Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV，第I冊，第106頁至第109頁，但視訊相容之回應時間之達成，尤其關於灰度切換仍為尚未圓滿解決的問題。

此效應在電光顯示元件中之工業應用需要必須滿足多種要求的LC相。在此，對濕氣、空氣及物理影響(諸如熱、紅外、可見光及紫外輻射以及直流及交流電場)之化學抗性尤其重要。

此外，要求工業可用之LC相在適合之溫度範圍內及低黏度下具有液晶中間相。

迄今揭示之具有液晶中間相之一系列化合物均不包括符合所有此等要求之單一化合物。因此一般製備兩種至25種、較佳三種至18種化合物之混合物以獲得可用作LC相之物質。然而，以此方式不可能容易地製備最佳相，因為迄今尚未獲得具有顯著負介電各向異性及足夠長期穩定性之液晶材料。

已知矩陣式液晶顯示器(MLC顯示器)。可用於個別像素之個別切換之非線性元件為例如主動元件(亦即，電晶體)。隨後使用術語「主動式矩陣」，其中以下兩種類型之間可存在區別：
1. 矽晶圓上之MOS (金屬氧化物半導體)電晶體作為基板
2. 玻璃板上之薄膜電晶體(TFT)作為基板。

在類型1之情況下，所用電光效應通常為動態散射或客體-主體效應。使用單晶矽作為基板材料限制了顯示器大小，因為即使各種部分顯示器之模組總成亦會在接合處產生問題。

在更有前景之類型2 (其為較佳的)之情況下，所用電光效應通常為TN效應。

以下兩種技術存在區別：包含諸如CdSe之化合物半導體的TFT，或基於多晶或非晶矽的TFT。後一技術在全世界廣泛使用。

將TFT矩陣應用於顯示器之一個玻璃板內部，而另一玻璃板在其內部載有透明相對電極。相較於像素電極之大小，TFT極小且對影像幾乎無不良影響。此技術亦可擴展為全色能顯示器(fully colour-capable display)，其中以濾光元件與各可切換像素相對之方式佈置紅光、綠光及藍光濾光器之鑲嵌體(mosaic)。

此處之術語MLC顯示器涵蓋具有整合式非線性元件的任何矩陣顯示器，亦即除主動式矩陣以外，顯示器亦具有被動元件，諸如變阻器或二極體(MIM=金屬-絕緣體-金屬)。

此類型之MLC顯示器尤其適用於TV應用(例如袖珍TV)或汽車或飛機建構中之高資訊顯示器。除關於對比度之角度依賴性及回應時間的問題以外，由於液晶混合物之比電阻不夠高，在MLC顯示器中亦產生困難[TOGASHI, S., SEKIGUCHI, K., TANABE, H., YAMAMOTO, E., SORIMACHI, K., TAJIMA, E., WATANABE, H., SHIMIZU, H., Proc. Eurodisplay 84, 1984年9月：A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings，第141頁及以下，Paris；STROMER, M., Proc. Eurodisplay 84, 1984年9月：Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays，第145頁及以下，Paris]。隨著電阻降低，MLC顯示器之對比度劣化。由於液晶混合物之比電阻通常因與顯示器內表面相互作用而隨MLC顯示器之壽命下降，因此對於必須在長操作時間段內具有可接受之電阻值的顯示器，高(初始)電阻極其重要。

仍大量需要在具有大工作溫度範圍、短回應時間及低臨限電壓的同時具有極高比電阻之MLC顯示器，藉此可產生各種灰度。

常使用之MLC-TN顯示器的缺點係由於其相對較低的對比度、相對較高的視角依賴性及在此等顯示器中產生灰度之難度。

VA、PS-VA、IPS、FFS及UB-FFS應用之市場正尋找具有快速回應時間及極高可靠性之LC混合物。一種用於達成快速回應時間之方法為識別具有低旋轉黏度之高極性LC材料，其在LC混合物中之使用促進所要效應。然而，尤其在曝光後，使用此類型之高極性LC材料對可靠性參數有不良影響。

本發明係基於提供尤其用於監視器及TV應用的基於ECB、UB-FFS、IPS或FFS效應之液晶混合物之目標，該等液晶混合物無上文所指示之缺點，或僅具有降低程度的上文所指示之缺點。詳言之，必須確保監視器及電視在極高及極低溫度下亦工作，且同時具有極短回應時間且同時具有改良之可靠性特性，尤其在長操作時間之後不展現影像殘留或展現顯著降低之影像殘留。

以下通式之化合物：

在歐洲專利申請案第EP 17161352.4中經提及作為液晶介質之成分。亦揭示式

及式
。
然而，僅單種化合物

其中n為2及m為5，用於彼文獻之介質中。

因此本發明係關於一種液晶介質，其包含至少一種式I化合物及一或多種選自式IIA、IIB及IIC之化合物之群的化合物。該等介質尤其適合獲得展現快速回應時間及良好電壓保持率以及在對於許多應用足夠之深溫下的極佳穩定性之存儲器儲存的液晶顯示器。

根據本發明之混合物較佳地展現極寬廣的向列相範圍(其中清澈點≥ 70℃，較佳地≥ 75℃，尤其≥ 80℃)、極有利之電容臨限值、相對較高之保持率值及同時在-20℃及-30℃下極好之低溫穩定性，以及極低旋轉黏度值及短回應時間。除旋轉黏度γ₁ 之改良以外，根據本發明之混合物的突出之處另外在於可觀測到用於改良回應時間之相對較高彈性常數K₃₃ 值。在LC混合物，較佳地具有負介電各向異性之LC混合物中使用式I化合物，降低旋轉黏度γ₁ 及彈性常數K_i 之比率。

以下指示根據本發明之混合物之一些較佳實施例。

在式I化合物中，R¹¹ 及R¹² 較佳地各彼此獨立地表示：直鏈烷基，尤其CH₃ 、n -C₂ H₅ 、n -C₃ H₇ 、n -C₄ H₉ 、n -C₅ H₁₁ 、n -C₆ H₁₃ -或n -C₇ H₁₅ ；直鏈烷氧基，尤其CH₃ -O、n -C₂ H₅ -O、n -C₃ H₇ -O、n -C₄ H₉ -O、n -C₅ H₁₁ -O或n -C₆ H₁₃ -O；另外，烯基，尤其CH₃ =CH、CH₃ CH=CH、CH₃ CH=CHCH₂ 或CH₃ CH₂ CH=CH；分支鏈烷氧基，尤其(CH₃ )₂ CH(CH₂ )₃ O；及烯氧基，尤其CH₂ =CHO、CH₂ =CH₂ CHO、CH₃ CH₂ =CHCHO或O CH₂ CH₂ CH=CHCH₂ O。

R¹¹ 尤佳表示具有1至7個C原子之直鏈烷基，且R¹² 尤佳表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基，尤其甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基或己氧基。

式I中之L¹¹ 及L¹² 較佳地均表示F。

存在於介質中之較佳的式I化合物為式I-1至I-3，較佳地式I-2之化合物：


其中
該等參數具有上文所給出之含義，R¹¹ 表示直鏈烷基，且R¹² 較佳地表示烷氧基，且L¹¹ 及L¹² 較佳地均表示F。

在一較佳實施例中，該等介質包含一或多種選自式I-O-1至I-O-3之化合物之群的式I化合物，較佳地式I-O-2化合物：

其中該等參數具有上文所給出之該等含義。

在另一較佳實施例中，該等介質包含一或多種選自式I-S-1至I-S-3之化合物之群的式I化合物，較佳地式I-S-2化合物：

其中該等參數具有上文所給出之該等含義。

在本發明之一較佳實施例中，該等介質包含一或多種式I-O-1至I-O-3之化合物之群的化合物及一或多種選自式I-S-1至I-S-3之化合物之群的化合物。

式I化合物可例如如US 2005/0258399或WO 02/055463 A1中所描述來製備。

根據本發明之介質較佳包含一種、兩種、三種、四種或四種以上，較佳一種、兩種或三種式I化合物。

以整體混合物計，式I化合物較佳以≥1重量%，較佳≥3重量%之量用於液晶介質中。尤佳為包含1至40重量%，極佳2至30重量%之一或多種式I化合物之液晶介質。

根據本發明之液晶介質之較佳實施例如下所指示：
a) 另外包含一或多種選自式IIA、IIB及IIC之化合物之群的化合物的液晶介質，

在式IIA及IIB之化合物中，Z² 可具有相同或不同含義。在式IIB化合物中，Z² 及Z^2' 可具有相同或不同含義。

在式IIA、IIB及IIC之化合物中，R^2A 、R^2B 及R^2C 各較佳地表示具有1至6個C原子的烷基，尤其CH₃ 、C₂ H₅ 、n-C₃ H₇ 、n-C₄ H₉ 、n-C₅ H₁₁ 。

在式IIA及IIB之化合物中，L¹ 、L² 、L³ 及L⁴ 較佳地表示L¹ = L² = F及L³ = L⁴ = F，進一步表示L¹ = F及L² = Cl、L¹ = Cl及L² = F、L³ = F及L⁴ = Cl、L³ = Cl及L⁴ = F。在式IIA及IIB中，Z² 及Z² '較佳地各彼此獨立地表示單鍵，進一步表示-C₂ H₄ -橋。

若在式IIB中，Z² = -C₂ H₄ -或-CH₂ O-，則Z^2' 較佳地為單鍵或若Z^2' = -C₂ H₄ -或-CH₂ O-，則Z² 較佳地為單鍵。在式IIA及IIB之化合物中，(O)C_v H_2v+1 較佳地表示OC_v H_2v+1 ，進一步表示C_v H_2v+1 。在式IIC化合物中，(O)C_v H_2v+1 較佳地表示C_v H_2v+1 。在式IIC化合物中，L³ 及L⁴ 較佳地各表示F。

較佳之式IIA、IIB及IIC之化合物如下所指示：










其中
烷基及烷基* 各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且
烯基及烯基* 各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。

根據本發明之尤佳混合物包含一或多種式IIA-2、IIA-8、IIA-14、IIA-26、II-28、IIA-33、IIA-39、IIA-45、IIA-46、IIA-47、IIA-50、IIB-2、IIB-11、IIB-16及IIC-1之化合物。

式IIA及/或IIB之化合物在整體混合物中之比例較佳地為至少20重量%。

根據本發明之尤佳介質包含至少一種式IIC-1化合物：

其中烷基及烷基^* 具有上文所指示之含義，較佳地以＞3重量%、尤其＞5重量%且尤佳5至25重量%之量。
b) 另外包含一或多種式III化合物的液晶介質：

其中
R³¹ 及R³² 各彼此獨立地表示具有至多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烯基、烷氧基烷基或烷氧基，且
表示
Z³ 表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-C₄ H₈ -、-CF=CF-。

較佳式III化合物如下所指示：

其中
烷基及烷基* 各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。

根據本發明之介質較佳地包含至少一種式IIIa及/或式IIIb之化合物。

式III之化合物在整體混合物中之比例較佳地為至少5重量%。
c) 另外包含下式化合物的液晶介質：
及/或
及/或
，
較佳地總量為≥5重量%、尤其≥10重量%。

另外，較佳為包含以下化合物(縮寫字：CC-3-V1)之根據本發明之混合物：
，
較佳地量為2至15重量%。

較佳混合物包含5至60重量%，較佳地10至55重量%，尤其20至50重量%之下式化合物(縮寫字：CC-3-V)：
。

另外，較佳為包含下式化合物(縮寫字：CC-3-V)

及下式化合物(縮寫字：CC-3-V1)
之混合物，
較佳地量為10至60重量%。
d) 另外包含一或多種下式之四環化合物的液晶介質：


其中
R^7-10 各彼此獨立地具有請求項5中關於R^2A 所指示之含義之一，且
w及x 各彼此獨立地表示1至6。

尤佳為包含至少一種式V-9化合物之混合物。
e) 另外包含一或多種式Y-1至Y-6之化合物的液晶介質：


其中R¹⁴ 至R¹⁹ 各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之烷基或烷氧基；z及m各彼此獨立地表示1至6；x表示0、1、2或3。

根據本發明之介質尤佳包含一或多種式Y-1至Y-6之化合物，其量較佳地≥5重量%。
f) 另外包含一或多種式T-1至T-21之氟化聯三苯的液晶介質：




其中
R表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基，且m=0、1、2、3、4、5或6，且n表示0、1、2、3或4。

R較佳地表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。

根據本發明之介質較佳地包含2至30重量%、尤其5至20重量%之量的式T-1至T-21之聯三苯。

尤其較佳為式T-1、T-2、T-4、T-20及T-21之化合物。在此等化合物中，R較佳地表示各具有1至5個C原子之烷基，進一步表示烷氧基。在式T-20化合物中，R較佳地表示烷基或烯基，尤其烷基。在式T-21化合物中，R較佳地表示烷基。

若混合物之Δn值≥0.1，則聯三苯較佳用於根據本發明之混合物中。較佳混合物包含2至20重量%之一或多種選自T-1至T-21化合物之群的聯三苯化合物。
g) 另外包含一或多種式B-1至B-3之聯苯的液晶介質：

其中
烷基及烷基^* 各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且
烯基及烯基^* 各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。

式B-1至B-3之聯苯在整體混合物中之比例較佳地為至少3重量%，尤其為≥5重量%。

在式B-1至B-3之化合物中，式B-2化合物尤佳。

尤佳之聯苯為


,
其中烷基^* 表示具有1至6個C原子之烷基。根據本發明之介質尤佳地包含一或多種式B-1a及/或B-2c之化合物。
h) 包含至少一種式Z-1至Z-7之化合物的液晶介質：

其中R及烷基具有上文所指示之含義。
i) 另外包含至少一種式O-1至O-18之化合物的液晶介質：


其中R¹ 及R² 具有關於R^2A 所指示之含義。R¹ 及R² 較佳地各彼此獨立地表示直鏈烷基或烯基。

較佳介質包含一或多種式O-1、O-3、O-4、O-6、O-7、O-10、O-11、O-12、O-14、O-15、O-16及/或O-17之化合物。

尤佳地包含一或多種選自式O-17之化合物之群的化合物。

根據本發明之混合物極尤其較佳地包含式O-10、O-12、O-16及/或O-17之化合物，尤其其量為5%至30%。

較佳之式O-10及O-17之化合物如下所指示：

根據本發明之介質尤佳地包含式O-10a及/或式O-10b之三環化合物以及一或多種式O-17a至O-17d之雙環化合物。式O-10a及/或O-10b之化合物以及一或多種選自式O-17a至O-17d之雙環化合物的化合物之總比例為5%至40%，極尤佳為15%至35%。

極尤佳混合物包含化合物O-10a及O-17a：
。

以整體混合物計，化合物O-10a及O-17a較佳地以15%至35%、尤佳地以15%至25%且尤佳地以18%至22%之濃度存在於混合物中。

極尤佳混合物包含化合物O-10b及O-17a：
。

以整體混合物計，化合物O-10b及O-17a較佳地以15%至35%、尤佳地以15%至25%且尤佳地以18%至22%之濃度存在於混合物中。

極尤佳混合物包含以下三種化合物：
。

以整體混合物計，化合物O-10a、O-10b及O-17a較佳地以15%至35%、尤佳地以15%至25%且尤佳地以18%至22%之濃度存在於混合物中。

較佳混合物包含至少一種選自以下化合物之群的化合物：
，
其中R¹ 及R² 具有上文所指示之含義。較佳地，在化合物O-6、O-7及O-17中，R¹ 表示分別具有1至6個或2至6個C原子之烷基或烯基，且R² 表示具有2至6個C原子之烯基。

較佳混合物包含至少一種式O-6a、O-6b、O-7a、O-7b、O-17e、O-17f、O-17g及O-17h之化合物：


其中烷基表示具有1至6個C原子之烷基。

式O-6、O-7及O-17e-h之化合物較佳地以1至40重量%、較佳地以2至35重量%且極尤佳地以2至30重量%之量存在於根據本發明之混合物中。
j) 根據本發明之較佳液晶介質包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之物質，諸如式N-1至N-5之化合物：


其中R^1N 及R^2N 各彼此獨立地具有關於R^2A 所指示之含義，較佳地表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈烯基，且
Z¹ 及Z² 各彼此獨立地表示-C₂ H₄ -、-CH=CH-、-(CH₂ )₄ -、-(CH₂ )₃ O-、-O(CH₂ )₃ -、-CH=CHCH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ CH=CH-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ -或單鍵。
k) 較佳混合物包含一或多種選自式BC之二氟二苯并色滿化合物、式CR之色滿、式PH-1及PH-2之氟化菲、式BF-1及BF-2之氟化二苯并呋喃之群的化合物：


其中
R^B1 、R^B2 、R^CR1 、R^CR2 、R¹ 、R² 各彼此獨立地具有R^2A 之含義。c為0、1或2且d表示1或2。R¹ 及R² 較佳彼此獨立地表示具有1至6個C原子之烷基或烷氧基。式BF-1及BF-2之化合物不應等同於一或多種式I化合物。

根據本發明之混合物較佳地以3至20重量%之量、尤其以3至15重量%之量包含式BC、CR、PH-1、PH-2及/或BF之化合物。

尤佳之式BC及CR之化合物為化合物BC-1至BC-7及CR-1至CR-5：

其中
烷基及烷基^* 各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且
烯基及烯基^* 各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。

極尤佳為包含一種、兩種或三種式BC-2、BF-1及/或BF-2之化合物之混合物。
l) 較佳之混合物包含一或多種式In之茚滿化合物：

其中
R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基，
R¹² 及R¹³ 另外表示鹵素，較佳地表示F，
表示
，
i 表示0、1或2。

較佳式In化合物為如下所指示之式In-1至In-16之化合物：


。

尤佳為式In-1、In-2、In-3及In-4之化合物。

式In及子式In-1至In-16之化合物較佳以≥5重量%、尤其5至30重量%且極尤佳5至25重量%之濃度用於根據本發明之混合物中。
m) 較佳混合物另外包含一或多種式L-1至L-11之化合物：


其中
R、R¹ 及R² 各彼此獨立地具有如請求項5中R^2A 所指示之含義，且烷基表示具有1至6個C原子之烷基。s表示1或2。

尤佳為式L-1及L-4、尤其L-4之化合物。

較佳以5至50重量%，尤其5至40重量%及極尤佳10至40重量%之濃度採用式L-1至L-11之化合物。

尤佳混合物概念如下所指示：(在表A中解釋所用縮寫字。此處之n及m各彼此獨立地表示1至15，較佳地1至6)。

根據本發明之混合物較佳地包含
-一或多種式I化合物，其中L¹¹ =L¹² =F，R¹ =烷基且R^1* =烷氧基；
及/或
-CPY-n-Om，尤其CPY-2-O2、CPY-3-O2及/或CPY-5-O2，其濃度以整體混合物計較佳為＞5%、尤其10%至30%，
及/或
-CY-n-Om，較佳地CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2及/或CY-5-O4，其濃度以整體混合物計較佳為＞5%，尤其15%至50%，
及/或
-CCY-n-Om，較佳地CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1及/或CCY-5-O2，其濃度以整體混合物計較佳為＞5%，尤其10%至30%，
及/或
-CLY-n-Om，較佳地CLY-2-O4、CLY-3-O2及/或CLY-3-O3，其濃度以整體混合物計較佳為＞5%，尤其10%至30%。

此外，較佳為根據本發明之混合物，其包含：
(n及m各自彼此獨立地表示1至6。)
-式I，較佳地式I-1至I-3，亦即式I-O-1至I-O-3及/或I-S-1至I-S-3，尤其LB-3-O4及/或LB(S)-4-O3之化合物，其濃度範圍為1至20重量%，更佳為2至15重量%，尤佳為3至12重量%且極尤佳為4至11重量%
-CPY-n-Om及CY-n-Om，其濃度以整體混合物計較佳為10%至80%，
及/或
-CPY-n-Om及CK-n-F，其濃度以整體混合物計較佳為10%至70%，
及/或
-CPY-n-Om及PY-n-Om，較佳CPY-2-O2及/或CPY-3-O2及PY-3-O2，其濃度以整體混合物計較佳為10%至45%，
及/或
-CPY-n-Om及CLY-n-Om，其濃度以整體混合物計較佳為10%至80%，
及/或
-CCVC-n-V，較佳地CCVC-3-V，其濃度以整體混合物計較佳為2%至10%，
及/或
-CCC-n-V，較佳地CCC-2-V及/或CCC-3-V，其濃度以整體混合物計較佳為2%至10%，
及/或
-CC-V-V，其濃度以整體混合物計較佳為5%至50%。

在本發明之一尤佳實施例中，介質包含濃度在2%至8%範圍內之化合物B-2O-O5及濃度在25%至35%範圍內之化合物CC-3-V以及濃度在8%至12%範圍內之化合物CC-3-V1。

本發明另外係關於一種基於ECB、VA、PS-VA、PA-VA、IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS效應之具有主動式矩陣定址之電光顯示器，其中其含有根據請求項1至11中之一或多者之液晶介質作為介電質。

根據本發明之液晶介質之向列相較佳為≤-20℃至≥70℃、尤佳≤-30℃至≥80℃、極尤佳≤-40℃至≥90℃。

表述「具有向列相」在本文中意謂：一方面，在對應溫度下在低溫下未觀測到近晶相及結晶，且另一方面，在加熱時自向列相仍不會出現清澈現象。低溫下之研究在對應溫度下於流量式黏度計中進行，且藉由儲存於層厚度對應於電光用途之測試單元中至少100小時來進行檢驗。若在對應測試單元中於-20℃之溫度下之儲存穩定性為1000小時或更長時間，則稱該介質在此溫度下穩定。在-30℃及-40℃之溫度下，對應時間分別為500小時及250小時。在高溫下，藉由習知方法在毛細管中量測清澈點。

液晶混合物較佳具有至少60 K之向列相範圍及在20℃下至多30 mm² · s^-1 之流動黏度ν₂₀ 。

在液晶混合物中之雙折射Δn值一般在0.07與0.16之間，較佳在0.08與0.13之間。

根據本發明之液晶混合物之Δε為-0.5至-8.0、尤其-2.5至-6.0，其中Δε表示介電各向異性。在20℃下之旋轉黏度γ₁ 較佳≤150 mPa·s，尤其≤120 mPa·s。

根據本發明之液晶介質具有相對較低之臨限電壓(V₀ )值。其較佳在1.7 V至3.0 V範圍內，尤佳為≤2.5 V且極尤佳為≤2.3 V。

對於本發明，除非另外明確指示，否則術語「臨限電壓」係指電容臨限值(V₀ )，亦稱為弗雷德里克臨限值(Freedericks threshold)。

另外，根據本發明之液晶介質在液晶單元中具有高電壓保持率值。

一般而言，相比於具有較高定址電壓或臨限電壓之液晶介質，具有低定址電壓或臨限電壓之液晶介質展現較低的電壓保持率，且反之亦然。

對於本發明，術語「介電正性化合物」表示Δε＞1.5之化合物，術語「介電中性化合物」表示-1.5≤Δε≤1.5之彼等化合物，且術語「介電負性化合物」表示Δε＜-1.5之彼等化合物。在本文中，化合物之介電各向異性藉由以下步驟測定：將10%化合物溶解於液晶主體中，且測定所得混合物在至少一個測試單元中之電容，測試單元之層厚度在各情況下為20 µm且在1 kHz下具有垂面及均質表面配向。量測電壓通常為0.5 V至1.0 V，但總低於所研究之各別液晶混合物之電容臨限值。

關於本發明所指示之所有溫度值以℃為單位。

根據本發明之混合物適用於所有VA-TFT應用，諸如VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA (聚合物維持型VA)及PS-VA (聚合物穩定型VA)。其另外適用於具有負Δε之IPS (共平面切換型)及FFS (邊緣場切換型)應用。

根據本發明之顯示器中之向列型液晶混合物大體上包含兩種組分：A及B，其自身由一或多種個別化合物組成。

組分A具有顯著負介電各向異性且提供向列相≤-0.5之介電各向異性。除一或多種式I化合物以外，其較佳包含式IIA、IIB及/或IIC之化合物，另外包含一或多種式O-17化合物。

組分A之比例較佳地在45%與100%之間，尤其在60%與100%之間。

對於組分A，較佳地選擇Δε值≤-0.8之一種(或多種)個別化合物。必定為，此值愈負，在整體混合物中比例A愈小。

組分B具有明顯向列態，且在20℃下，流動黏度不大於30 mm² ·s^-1 、較佳不大於25 mm² · s^-1 。

多種適合材料為熟習此項技術者根據文獻已知的。尤佳為式O-17化合物。

組分B中之尤佳個別化合物為在20℃下流動黏度不大於18 mm² ·s^-1 、較佳不大於12 mm² ·s^-1 之極低黏度向列液晶。

組分B為單變性或互變性向列型，無近晶相且能夠在降至極低溫度時阻止液晶混合物中出現近晶相。舉例而言，若將各種高向列態材料添加至近晶液晶混合物中，則此等材料之向列態可經由所達成之近晶相的抑制程度進行比較。

混合物亦可視情況包含組分C，其包含具有Δε≥ 1.5之介電各向異性之化合物。此等所謂的正性化合物通常以整體混合物計以≤20重量%之量存在於負介電各向異性之混合物中。

除一或多種式I化合物以外，該等相較佳地包含4至15種，尤其5至12種且尤佳＜10種式IIA、IIB及/或IIC之化合物及視情況選用之一或多種式O-17化合物。

除式I化合物及式IIA、IIB及/或IIC及視情況選用之O-17之化合物以外，其他成分亦可以例如整體混合物之至多45%，但較佳至多35%，尤其至多10%之量存在。

其他成分較佳地選自向列型或向列原基物質，尤其選自以下之類別的已知物質：氧偶氮苯、苯亞甲基苯胺、聯苯、聯三苯、苯甲酸苯酯或苯甲酸環己酯、環己烷甲酸苯酯或環己烷甲酸環己酯、苯基環己烷、環己基聯苯、環己基環己烷、環己基萘、1,4-雙環己基聯苯或環己基嘧啶、苯基二噁烷或環己基二噁烷、視情況經鹵化之芪、苯甲基苯基醚、二苯乙炔及經取代之肉桂酸酯。

適合作為此類型液晶相之成分的最重要化合物可由下式IV表徵：
R²⁰ -L-G-E-R²¹ IV
其中L及E各表示來自由以下形成之群的碳環或雜環系統：1,4-二取代之苯環及環己烷環、4,4'-二取代之聯苯、苯基環己烷及環己基環己烷系統、2,5-二取代之嘧啶及1,3-二噁烷環、2,6-二取代之萘、二氫萘及四氫萘、喹唑啉及四氫喹唑啉，
G表示 -CH=CH- -N(O)=N-
-CH=CQ- -CH=N(O)-
-C≡C- -CH₂ -CH₂ -
-CO-O- -CH₂ -O-
-CO-S- -CH₂ -S-
-CH=N- -COO-Phe-COO-
-CF₂ O- -CF=CF-
-OCF₂ - -OCH₂ -
-(CH₂ )₄ - -(CH₂ )₃ O-
或C-C單鍵，Q表示鹵素，較佳地表示氯或-CN，且R²⁰ 及R²¹ 各表示具有至多18個、較佳至多8個碳原子之烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰氧基，或此等基團中之一者表示CN、NC、NO₂ 、NCS、CF₃ 、SF₅ 、OCF₃ 、F、Cl或Br。

在大多數此等化合物中，R²⁰ 及R²¹ 彼此不同，此等基團中之一者通常為烷基或烷氧基。所提出之取代基的其他變體亦為常見的。多種此類物質或其混合物亦可商購。所有此等物質可藉由根據文獻已知之方法製備。

對於熟習此項技術者不言而喻，根據本發明之VA、IPS或FFS混合物亦可包含例如H、N、O、Cl及F已經對應同位素置換之化合物。

可聚合化合物，例如如U.S.6,861,107所揭示之所謂的反應性液晶原基(RM)可另外添加至根據本發明之混合物，其濃度以混合物計較佳地為0.01至5重量%，尤佳為0.2至2重量%。此等混合物亦可視情況包含引發劑，如例如U.S. 6,781,665中所描述。較佳地將引發劑，例如來自BASF之Irganox-1076，以0%至1%之量添加至包含可聚合化合物之混合物中。此類型之混合物可用於所謂聚合物穩定型VA模式(PS-VA)或PSA (聚合物維持型VA)，其中意欲在液晶混合物中進行反應性液晶原基之聚合。其前提條件在於LC主體之液晶化合物不會在反應性液晶原基之聚合條件下(亦即，通常在暴露於320至360 nm之波長範圍內之UV時)發生反應。含有烯基側鏈之液晶化合物(諸如CC-3-V)不會顯現在針對RM之聚合條件下之反應(UV聚合)。

根據本發明之混合物可另外包含習知添加劑，諸如穩定劑、抗氧化劑、UV吸收劑、奈米粒子、微米粒子等。

根據本發明之液晶顯示器之結構對應於如在例如EP-A 0 240 379中所描述之常見幾何結構。

以下實例意欲解釋本發明，而不對其進行限制。在上文及下文中，百分比資料表示重量百分比；所有溫度以攝氏度表示。

在整個專利申請案中，1,4-伸環己基環及1,4-伸苯基環描繪如下：
；
。

除非另外明確提及，否則伸環己基環為反-1,4-伸環己基環。

在整個專利申請案及實施例中，藉助於縮寫字指示液晶化合物之結構。除非另外指示，否則根據表1至表3進行向化學式之轉化。所有基團CnH2n+1、CmH2m+1及Cm'H2m'+1或CnH2n及CmH2m為在各情況下分別具有n、m、m'或z個C原子之直鏈烷基或伸烷基。n、m、m'、z各彼此獨立地表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12，較佳地表示1、2、3、4、5或6。在表1中，將各別化合物之環要素編碼，在表2中，列出橋接成員，且在表3中，指示化合物之左側或右側側鏈之符號的含義。
表 1 ：環要素


表 2 ：橋接成員
表 3 ：側鏈

除一或多種式I化合物外，根據本發明之混合物較佳地包含如下自表A中所提及之化合物之一或多種化合物。

表 A
使用以下縮寫字：
(n、m、m'、z：各彼此獨立地為1、2、3、4、5或6；
(O)C_m H_2m+1 意謂OC_m H_2m+1 或C_m H_2m+1 )

可根據本發明所使用之液晶混合物以本身習知之方式製備。一般而言，宜在高溫下將以較少量使用之所要量之組分溶解於構成主要成分之組分中。亦有可能在有機溶劑中，例如在丙酮、氯仿或甲醇中混合各組分之溶液，且例如藉由在充分混合後蒸餾來再次移除溶劑。

藉助於適合添加劑，根據本發明之液晶相可經改質以使得其可用於迄今已揭示之任何類型(例如ECB、VAN、IPS、GH或ASM-VA LCD)顯示器中。

介電質亦可包含熟習此項技術者已知及文獻中所描述之其他添加劑，諸如UV吸收劑、抗氧化劑、奈米粒子及自由基清除劑。舉例而言，可添加0%至15%的多色染料、穩定劑(諸如酚類、HALS (受阻胺光穩定劑))或對掌性摻雜劑。適合於根據本發明之混合物的穩定劑尤其為表C中所列的彼等物質。

舉例而言，可添加0%至15%之多色染料，此外可添加導電鹽，較佳為4-己氧基苯甲酸乙基二甲基十二烷基銨、四苯基氫硼化四丁基銨或冠醚之錯合鹽(參見例如Haller等人, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 第24卷，第249頁至第258頁(1973))以改良導電性，或可添加物質以修飾向列相之介電各向異性、黏度及/或配向。此類型之物質描述於例如DE-A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430及28 53 728中。

表 B
表B指示可添加至根據本發明之混合物中的可能的摻雜劑。若混合物包含摻雜劑，則其以0.01至4重量%、較佳0.01至3重量%之量添加。

根據本發明之混合物包含至少一種來自下文給定表C之穩定劑。

表 C
可以0至10重量%、較佳0.001至5重量%、尤其0.001至1重量%之量添加例如至根據本發明之混合物的穩定劑如下所指示。

n = 1、2、4、5、6或7

n = 1、2、4、5、6或7




n = 2、3、4、5或6

實施例：
以下實例意欲解釋本發明，而不對其進行限制。在實例中，m.p.表示液晶物質之熔點(以攝氏度計)且C表示液晶物質之清澈點(以攝氏度計)；沸點溫度由m.p.表示。此外：C表示結晶固體狀態，S表示近晶相(指數表示相類型)，N表示向列狀態，Ch表示膽固醇狀液晶相，I表示各向同性相，T_g 表示玻璃轉移溫度。兩個符號之間的數字指示以攝氏度表示之轉化溫度。

用於測定式I化合物之光學各向異性Δn之主體混合物為市售混合物ZLI-4792 (Merck KGaA)。使用市售混合物ZLI-2857測定介電各向異性Δε。待研究化合物之物理資料獲自添加待研究化合物後主體混合物之介電常數的變化及向100%所用化合物之外插。一般而言，視溶解度而定，將10%待研究化合物溶解於主體混合物中。

除非另外指示，否則份數或百分比資料表示重量份或重量百分比。

在上文及下文中：
V_o 表示在20℃下之電容臨限電壓[V]，
n_e 表示在20℃及589 nm下之非尋常折射率，
n_o 表示在20℃及589 nm下之普通折射率，
Δn 表示在20℃及589 nm下之光學各向異性，
ε_⊥ 表示在20℃及1 kHz下，垂直於指向矢之介電電容率，
ε_÷÷ 表示在20℃及1 kHz下，與指向矢平行之介電電容率，
Δε 表示在20℃及1 kHz下之介電各向異性，
cl.p., T(N,I) 表示清澈點[℃]，
γ₁ 指代在20℃下所量測之旋轉黏度[mPa·s]，其藉由旋轉方法在磁場中測定，
K₁ 表示彈性常數，在20℃下之「傾斜」變形[pN]，
K₂ 表示彈性常數，在20℃下之「扭曲」變形[pN]，
K₃ 表示彈性常數，在20℃下之「彎曲」變形[pN]，及
LTS 表示如所規定以測試單元或整體測定之低溫穩定性(向列相)。

除非另外明確指出，否則本申請案中關於溫度(諸如熔點T(C,N)、自近晶(S)相至向列(N)相之轉變T(S,N)及清澈點T(N,I)或cl.p.)所指示之所有值以攝氏度進行指示(℃)。M.p.表示熔點。此外，Tg =玻璃態，C =結晶態，N =向列相，S =近晶相且I =各向同性相。在此等符號之間的數字表示轉移溫度。

除非另外明確指示，否則用於本發明之術語「臨限電壓」係關於電容臨限值(V₀ )，亦稱為弗雷德里克臨限值(Freedericks threshold)。在實例中，如一般常用，亦可針對10%相對對比度指示光學臨限值(V₁₀ )。

用於量測電容臨限電壓之顯示器由兩個間距為20 µm之平面平行玻璃外板組成，其各在內側上具有電極層且在頂部具有未摩擦之聚醯亞胺配向層，其實現液晶分子之垂直邊緣配向。

用於量測傾斜角之顯示器或測試單元由兩個間距為4 µm之平面平行玻璃外板組成，其各在內側上具有電極層且在頂部具有聚醯亞胺配向層，其中兩個聚醯亞胺層彼此反向平行地摩擦，且實現液晶分子之垂直邊緣配向。

除非另外指示，否則VHR係在20℃下(VHR₂₀ )及在來自日本TOYO Corporation的市售型號6254儀器中在100℃下(VHR₁₀₀ )在烘箱中5分鐘之後進行測定。除非更確切地指示，否則所使用電壓具有在1 Hz至60 Hz範圍內之頻率。

VHR量測值之精確性取決於各別VHR值。精確性隨著值降低而降低。一般就各種量值範圍中之值而言觀測到之偏差以其數量級而編譯於下表中。

對UV照射的穩定性在來自德國Heraeus的市售儀器「日光測試CPS(Suntest CPS)」中進行研究。除非明確指示，否則密封測試單元經照射30分鐘至2.0小時而無需額外加熱。300 nm至800 nm範圍內之波長的照射功率為765 W/m² V。具有310 nm之邊緣波長的UV「截斷」濾波器按次序使用以模擬所謂的窗玻璃模式。在每一系列實驗中，針對每一條件研究至少四個測試單元，且各別結果經指示為對應個別量測之平均值。

通常藉由曝光(例如，藉由UV照射或藉由LCD背光)引起的電壓保持率的降低(ΔVHR)根據以下方程式(1)來測定：
(1)。

為了研究低溫穩定性，亦稱為「LTS」，亦即整體中之LC混合物針對個別組分在低溫下之自發性結晶或近晶相之出現的穩定性，視具體情況，將各含有約1 g材料之若干密封瓶子儲存於一或多個給定溫度下，通常為-10℃、-20℃、-30℃及/或-40℃下，且以規則間隔用肉眼檢驗是否觀測到相變。一旦第一個樣本在給定溫度下展示變化，就標註出時間。直至最後檢驗之前未觀測到變化的時間經標註為各別LTS。

使用來自日本Toyo Corporation之市售LC材料特徵量測系統型號6254、使用具有單元間隙為3.2 µm之AL16301聚醯亞胺(日本JSR Corp.)之VHR測試單元量測離子密度，根據其計算電阻率。在儲存於60℃下或100℃下之烘箱中5 min後執行量測。

所謂的「HTP」表示在LC介質中光學活性或對掌性物質之螺旋扭轉力(以µm計)。除非另外指示，否則HTP係在20℃之溫度下以市售向列型LC主體混合物MLD-6260 (Merck KgaA)進行量測。

除非另外明確指出，否則本申請案中之所有濃度均以重量百分比指示，且係關於包含所有固體或液晶組分之作為整體之相應混合物(無溶劑)。除非另外明確指示，否則所有物理性質均根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」, Status 1997年11月, Merck KGaA, Germany測定，且適用於20℃之溫度。

以下具有負介電各向異性之混合物實例尤其適用於具有至少一個平面配向層之液晶顯示器，諸如IPS及FFS顯示器，尤其UB-FFS (=超亮FFS)，且適用於VA顯示器。

混合物實例及比較實例
比較混合物 C1 製備如下：

此混合物具有相對差的回應時間，但具有良好VHR值

比較混合物 C2 製備如下：

此混合物展示相較於比較實例1改良之回應時間，主要因其降低之γ₁ 所致，但展示較低VHR。

混合物 M1 製備如下：

混合物 M2 製備如下：

對於具有適當厚度之測試單元中的以上混合物執行深溫下之儲存測試。

良好VHR及同時主要因其良好(γ₁ /K₁ )值所致的相較於CM1改良之回應時間經編譯於下表中。
表1：VHR值
(備註: *所有VHR值在1V、1 Hz下及在60℃下量測。)

Claims (15)

1. 一種液晶介質，其特徵在於其包含一或多種式I化合物： 其中 R¹¹ 及R¹² 各彼此獨立地表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基，其中另外，該等基團中之一或多個CH₂ 基團可各自彼此獨立地經 -C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH=CH-、、、-O-、-CO-O-、-O-CO-置換，其方式為使得O原子彼此不直接連接，且其中另外，一或多個H原子可經鹵素置換， A¹ 在每次出現時彼此獨立地表示 a) 1,4-伸環己烯基或1,4-伸環己基，其中一或兩個不相鄰CH₂ 基團可經-O-或-S-置換， b) 1,4-伸苯基，其中一或兩個CH基團可經N置換， c) 來自哌啶-1,4-二基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、菲-2,7-二基及茀-2,7-二基之群的基團， 其中該等基團a)、b)及c)可經鹵素原子單取代或多取代， Z¹¹ 在每次出現時彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF₂ O-、 -OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-CH=CH-CH₂ O-、 -C₂ F₄ -、-CH₂ CF₂ -、-CF₂ CH₂ -、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、 -CH=CH-、-C≡C-或單鍵，且 L¹¹ 及L¹² 各彼此獨立地表示F、Cl、CF₃ 或CHF₂ ， X¹ 表示O或S，且 a 表示1或2，較佳地表示1， 及一或多種選自式IIA、IIB及IIC之化合物之群的化合物： 其中 R^2A 、R^2B 及R^2C 各彼此獨立地表示H、未經取代、經CN或CF₃ 單取代或至少經鹵素單取代之具有至多15個C原子之烷基或烯基，其中另外，該等基團中之一或多個CH₂ 基團可經-O-、-S-、、-C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-OC-O-或-O-CO-置換，其方式為使得O原子彼此不直接連接， L¹ 至L⁴ 各彼此獨立地表示F或Cl， Z² 及Z^{2 '} 各彼此獨立地表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CHCH₂ O-， p 表示0、1或2， q 表示0或1，且 v 表示1至6。
2. 如請求項1之液晶介質，其中該介質包含一或多種選自式I-1至I-3之化合物之群的化合物： 其中該等參數具有請求項1中所給出之該等含義。
3. 如請求項1之液晶介質，其中其包含一或多種選自式I-O-1至I-O-3之化合物之群的化合物： 其中該等參數具有請求項1中所給出之該等含義。
4. 如請求項1之液晶介質，其中其包含一或多種選自式I-S-1至I-SO-3之化合物之群的化合物： 其中該等參數具有請求項1中所給出之該等含義。
5. 如請求項1之液晶介質，其中其包含一或多種式IIA化合物： 其中該等參數具有請求項1中所給出之該等含義。
6. 如請求項1之液晶介質，其中其另外包含一或多種式IIB化合物： 其中該等參數具有請求項1中所給出之該等含義。
7. 如請求項1之液晶介質，其中該介質包含一或多種式IIC化合物： 其中該等參數具有請求項1中所給出之該等含義。
8. 如請求項1至7中任一項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種選自式O-1至O-18之化合物之群的化合物： 其中 R¹ 及R² 各彼此獨立地具有請求項1中關於R^2A 所指示之該等含義。
9. 如請求項1至7中任一項之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種選自式T-1至T-21之化合物之群的化合物： 其中 R表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基，且m=0、1、2、3、4、5或6，且n表示0、1、2、3或4。
10. 如請求項1至7中任一項之液晶介質，其中該式I化合物在整體混合物中之比例為1至40重量%。
11. 如請求項1至7中任一項之液晶介質，其中該等式IIA至IIC化合物在整體介質中的比例在10%至70%之範圍內。
12. 一種用於製備如請求項1至11中任一項之液晶介質的方法，其特徵在於一或多種式I化合物與一或多種選自式IIA至IIC之化合物之群的化合物混合。
13. 一種如請求項1至11中任一項之液晶介質之用途，其用於電光顯示器中。
14. 一種具有主動式矩陣定址之電光顯示器，其特徵在於其含有如請求項1至11中任一項之液晶介質作為介電質。
15. 如請求項14之電光顯示器，其中該電光顯示器為VA、PSA、PA-VA、SS-VA、SA-VA、PS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、FFS、UB-FFS、U-IPS或PS-FFS顯示器。