TWI436418B - 遮罩基底用基板之製造方法及兩面研磨裝置 - Google Patents

Description

遮罩基底用基板之製造方法及兩面研磨裝置

本發明係關於一種遮罩基底用基板之製造方法及遮罩基底用基板。

近年來，隨著IT(Information Technology，資訊技術)技術之急速發展，要求半導體元件及液晶顯示裝置等之電子元件進一步微細化。支援如此之微細加工技術之一個技術係使用有光罩之光微影技術。該光微影技術中，使曝光用光源之電磁波或光波經過光罩而於附光阻膜之矽晶圓等上曝光，從而將微細之圖案轉印且形成於矽晶圓等上。該光罩通常係於透明基板上形成有遮光性膜之遮罩基底上，使用光微影技術形成作為底板之圖案而製造。近年來，根據圖案之微細化之需求，要求遮罩基底用基板具有高平坦性。

進而，近年來，對於製造液晶顯示器、有機電致發光顯示器、電漿面板顯示器等平板顯示器時所使用的大型遮罩基底用基板之要求提高。故而，提出多種大型遮罩基底用基板之製造方法(例如，參照日本專利特開2007-54944號公報)。

然而，尤其就大型遮罩基底用基板而言，難以高效地製造具有高平坦性之遮罩基底用基板。

因要求遮罩基底用基板具有高平坦性、且無損傷或異物等缺陷，故通常於遮罩基底用基板之製造步驟中設置研磨(拋光)步驟。

圖5係用於說明先前之大型遮罩基底用基板之研磨步驟之概略的圖，圖5(a)表示俯視圖，圖5(b)表示側視圖。又，圖6係基板4之概略立體圖。圖中，參考編號1表示載體，2表示上壓板，3表示下壓板，4表示作為遮罩基底用基板之底板的基板，5表示上壓板之研磨面，6表示下壓板之研磨面，O1表示上壓板之旋轉軸，O2表示下壓板之旋轉軸，O3表示基板之自轉軸，7表示基板4之主表面，8表示基板4之端面。

圖5及圖6中，首先，由載體1保持基板4之端面，將基板4定位於上下對向而設之上壓板2之研磨面5與下壓板3之研磨面6之間。而且，以基板4之兩主表面7與上壓板2之研磨面5及下壓板3之研磨面6接觸之方式，而夾持基板4。此後，使上壓板2及下壓板3分別圍繞與研磨面5、6垂直之旋轉軸O1、O2而旋轉。並且，設定成，使基板4之自轉軸O3相對於下壓板之旋轉軸O2而平行地偏心，而基板4之一部分位於下壓板之旋轉軸O2上。該狀態下，藉由使載體1旋轉而使基板4自轉。其結果，上壓板及下壓板之研磨面5、6與基板4之兩主表面7相互接觸且相對移動。藉此，基板4之兩主表面7受到研磨。

然而，壓板之研磨能力於壓板之研磨面之整個區域上並不均一，而依賴於壓板之研磨面與被研磨物接觸之部位的壓力及圓周速度。壓板之圓周速度與其與旋轉軸之距離(半徑)成比例，壓板之旋轉軸附近與外周部周邊之圓周速度有較大差異，故而，壓板之旋轉軸附近與外周部周邊之研磨能力產生較大之差。例如，因基板4自轉，故圖5(a)中，經過上下壓板之旋轉軸O1、O2上之部位的基板4之自轉軌跡成為圓周A。該圓周A上，雖經過研磨能力比較高的上下壓板2、3之外周部附近之區域，但同時亦經過研磨能力最低的上下壓板2、3之旋轉軸O1、O2附近之區域，故而，基板4之圓周A上之整體研磨量變小。另一方面，在基板4之中心部即位於自轉軸O3上之B點、及基板4之端面中央部之自轉軌跡即圓周C上，僅研磨能力比較高的上下壓板2、3之外周部附近之區域受到研磨，故而，與圓周A上相比，B點及圓周C上之整體研磨量較大。

其結果，於經過先前之大型遮罩基底用基板之研磨步驟而製造之遮罩基底用基板的兩主表面產生研磨不均(研磨量之差)。

圖7係表示經過先前之大型遮罩基底用基板之研磨步驟而製造之遮罩基底用基板的剖面之一例之圖。圖7中之A、B、C表示與圖5(a)中之A、B、C相同之部位。位於基板4之主表面中央部之B及位於基板4之端面中央部之C的整體研磨量較大，故呈凹形狀；上下壓板之旋轉軸O1、O2上所對應之A的整體研磨量較少，故呈凸形狀。

如上所述，經過先前之大型遮罩基底用基板之研磨步驟而製造之遮罩基底用基板中，於整體研磨量較少之壓板之旋轉軸上或其附近所對應之部分形成2個凸形狀，從而無法實現具有高平坦性之遮罩基底用基板。

於僅對基板之單方之主表面進行研磨之單面研磨領域中，提出如下技術：將旋轉之壓板之研磨面設成凸形狀，於固定基板之平板與使平板旋轉之軸之間設置彈簧構造，使軸傾斜而進行研磨等，藉此控制研磨量(例如參照日本專利特開2005-262441)。

然而，雙面研磨領域中，因同時對基板之兩主表面進行研磨，故無法使用單面研磨領域中之平板，而為使基板自轉，一般採用由載體保持基板之端面且使其自轉之形式。故而，雙面研磨領域中，為使壓板之研磨面上的基板之位置自由移動，必需採用使保持基板之載體及使載體旋轉之內齒輪等驅動系統移動，或並非使基板側移動而是使上下壓板及其驅動系統移動之規模非常大之方法。然而，如上所述採用大規模之方法並不實際。又，假設採用使上下壓板及其驅動系統等移動之方法，則於技術上極難使內齒輪及壓板保持水平，無法進行高精度之研磨作業。故而，幾乎不可能將單面研磨領域中之技術轉用於雙面研磨領域中。

鑒於如此之情況，本發明之目的係提供一種使大型遮罩基底用基板具有高平坦性之遮罩基底用基板之高效製造方法、及圖案轉印精度優良之遮罩基底用基板。

為達成上述之本發明之目的，本發明之遮罩基底用基板之製造方法之特徵在於：其係經過對基板之兩主表面進行研磨之研磨步驟而製造遮罩基底用基板者，上述研磨步驟中包括如下處理：由載體保持上述基板；於上下對向而設之上壓板與下壓板之兩研磨面之間，夾持上述基板；使上述上壓板及上述下壓板分別圍繞與上述研磨面垂直之旋轉軸而旋轉；使上述基板之自轉軸相對於上述下壓板之旋轉軸而平行地偏心，而使上述基板之一部分位於上述下壓板之旋轉軸上或其附近；及，藉由使上述載體旋轉而使上述基板自轉，且，至少上述上壓板之研磨面包含具有特定之曲率半徑之球面之一部分，上述上壓板之旋轉軸相對於上述下壓板之旋轉軸以特定之角度傾斜。

又，下壓板之研磨面可係包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分者。

進而，本發明之遮罩基底用基板之製造方法之特徵在於：其係經過對基板之兩主表面進行研磨之研磨步驟而製造遮罩基底用基板者，上述研磨步驟中包括如下處理：由載體保持上述基板；於上下對向而設之上壓板與下壓板之兩研磨面之間，夾持上述基板；使上述上壓板及上述下壓板分別圍繞與上述研磨面垂直之旋轉軸而旋轉；使上述基板之自轉軸相對於上述上壓板之旋轉軸而平行地偏心，而使上述基板之一部分位於上述上壓板之旋轉軸上或其附近；及，藉由使上述載體旋轉而使上述基板自轉，且，至少上述下壓板之研磨面包含具有特定之曲率半徑之球面之一部分，上述下壓板之旋轉軸相對於上述上壓板之旋轉軸以特定之角度傾斜。

又，上壓板之研磨面可係包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分者。

進而，遮罩基底用基板可係平板顯示器之遮罩基底用基板。

此處，基板可為包含一對長邊及一對短邊之大致矩形狀，且短邊為400mm以上。

又，可將研磨步驟重複進行複數次。

進而，本發明之遮罩基底用基板係包含一對長邊及一對短邊之大致矩形狀，且短邊為400mm以上，且遮罩基底用基板之至少一方之主表面係以主表面之中央部為中心之凸形狀，且主表面之平坦度為20μm以下。

本發明之遮罩基底用基板之製造方法具有如下優點：可高效製造具有高平坦性之遮罩基底用基板。本發明之遮罩基底用基板成為以遮罩基底用基板主表面之中央部為中心之凸形狀。若由如此之主表面形狀之遮罩基底用基板製作光罩，則當已利用真空吸附等而將該光罩卡夾於曝光裝置之遮罩平台上時，會向平坦度較卡夾之前有所提高之方向變形，故而，亦具有可獲得卡夾時達到高平坦度之光罩的優點。

以下，參照圖式對本發明之實施例進行說明。

圖1係用於說明本發明之遮罩基底用基板之整個製造方法之流程圖。該製造方法係經過磨削步驟(S101)、研磨步驟(S102)、洗淨步驟(S103)、及評價步驟(S104)。

實施磨削步驟(S101)之目的在於：使基板之加工畸變層均一化，將基板之板厚尺寸調整為特定之板厚尺寸，使平坦度良化。磨削步驟(S101)係使用例如磨削裝置等而進行。再者，磨削步驟可進行複數次，亦可實施內容各自不同之磨削步驟。例如，可首先實施使用粗粒度之研磨粒的粗磨削步驟，此後，實施使用細粒度之研磨粒的精磨削步驟。

實施研磨步驟(S102)之目的在於：維持‧提高由磨削步驟(S101)所得之平坦度，且進而提高基板之主表面之平滑性；及除去附著於基板之主表面上之微粒。

圖2係用於說明本發明之遮罩基底用基板之製造方法中的研磨步驟之第1實施例之概略的圖，圖2(a)表示俯視圖，圖2(b)表示側視圖。圖中，標註有與圖5中相同符號之部分係表示同一部件。

第1實施例中，首先，由載體1保持作為遮罩基底用基板之底板之基板4，將基板4定位於上下對向而設之上壓板2之研磨面5與下壓板3之研磨面6之間。而且，以基板4之兩主表面與上壓板之研磨面5及下壓板之研磨面6接觸之方式進行夾持。此後，使上壓板2及下壓板3分別圍繞與研磨面5、6垂直之旋轉軸O1、O2而旋轉。並且，設定成，使基板4之自轉軸O3相對於下壓板之旋轉軸O2而平行地偏心，而基板4之一部分位於下壓板之旋轉軸O2上或其附近。此狀態下，藉由使載體1旋轉而使基板4自轉。此情形時，研磨面5、6包含具有特定之曲率半徑之球面之一部分，又，上壓板之旋轉軸O1相對於下壓板3之旋轉軸O2以特定之角度θ1傾斜。

亦即，第1實施例中，使用研磨面5、6之形狀包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分之上壓板2及下壓板3，進而，使上壓板之旋轉軸O1相對於下壓板之旋轉軸O2僅以特定之角度θ1傾斜，而對基板4進行研磨。

如圖2(b)所示，藉由使上壓板之旋轉軸O1相對於下壓板之旋轉軸O2僅以特定之角度θ1傾斜，而使狀態成為：包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分之上壓板之研磨面5之旋轉軸O1附近的區域不會與基板4接觸，或者有少許接觸。另一方面，藉由使上壓板之旋轉軸O1傾斜，而使狀態成為：上壓板之研磨面5之外周部附近之區域與基板4強力接觸。

圖2(a)中之圓周A係表示經過下壓板之旋轉軸O2上之部位的基板4之自轉軌跡。於圓周A上，上壓板之研磨面5之旋轉軸O1附近之區域不與基板4接觸，或者有少許接觸，藉此，研磨能力低之上壓板之旋轉軸O1附近之區域的研磨量減少。然而，藉由研磨能力比較高之上壓板之研磨面5之外周部附近之區域與基板4強力接觸，使上壓板之研磨面5之外周部附近之區域的研磨量大幅增加。

進而，藉由將上壓板之研磨面5之形狀設成包含具有特定之曲率半徑之球面之一部分，則即便當使上壓板之旋轉軸O1傾斜之情形時，亦可擴大上壓板之研磨面5與基板4之接觸面積，且可高效地利用上壓板之研磨面5對基板4進行研磨。又，因接觸面積擴大，可使上壓板之研磨面5與基板4之接觸強度達到適當，且能以高精度進行研磨。

其結果，與先前之遮罩基底用基板之製造方法的研磨步驟中之研磨量相比，圓周A上之整體研磨量增加。藉此，於先前之遮罩基底用基板之製造方法的研磨步驟中所形成之產生於基板4之上壓板及下壓板之旋轉軸O1、O2附近所對應之部分的2個凸形狀之問題得以解決。

又，圖2(a)中之B表示基板4之中心部即位於自轉軸O3上之部位，圓周C表示基板4之端面中央部之自轉軌跡。於B點及圓周C之上壓板之研磨面5外周部側之圓周上，藉由使上壓板之旋轉軸O1相對於下壓板之旋轉軸O2僅以特定之角度θ1傾斜，而使研磨能力高之上壓板之研磨面5之外周部附近之區域與基板4強力接觸，故而，與先前之遮罩基底用基板之製造方法的研磨步驟中之研磨量相比，B點、圓周C上之整體研磨量亦有所增加。

亦即，於圓周A上、B點、圓周C上等基板主表面之整個區域，研磨量增加。藉此，與先前之遮罩基底用基板之製造方法中的研磨步驟相比，可縮短研磨步驟所需之時間，且可高效地製造遮罩基底用基板。

又，第1實施例中，下壓板之研磨面6包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分。

雙面研磨中，因上壓板之研磨面5及下壓板之研磨面6之研磨係同時進行，故上壓板之研磨面5之研磨狀況對下壓板之研磨面6之研磨狀況有影響。例如，當已使上壓板2傾斜而於上壓板之研磨面5之外周部附近之區域進行研磨之情形時，上壓板之研磨面5之外周部附近之區域會與基板4強力接觸，故僅其端面由載體1保持之基板4被擠壓至上壓板之研磨面5之外周部，而向下壓板3之外周側略微傾斜。其結果，基板4與下壓板之研磨面6過度強力接觸，而受到必要以上之研磨，故而下壓板側之基板主表面之平坦度下降。

第1實施例中，將下壓板之研磨面6設成具有特定之曲率半徑之球面的一部分。藉此，隨著向下壓板3之外周部方向前進，下壓板之研磨面6與基板4之間產生微小間隙，或者下壓板之研磨面6與基板4之接觸強度減弱。以藉由該下壓板之研磨面6與基板4之間的微小間隙，或者下壓板之研磨面6與基板4之接觸強度之下降，即便基板4產生略微傾斜，亦可防止下壓板之研磨面5與基板4強力接觸，而可保證適當之接觸強度為佳。進而，藉由使基板4略微向下壓板3之外周側傾斜，而使狀態成為：下壓板之旋轉軸O2附近之區域與基板4不接觸，或者有少許接觸，故而，可抑制因經過下壓板之旋轉軸O2附近而產生之研磨不均之影響。其結果，以藉由下壓板之研磨面6，可適當地對基板4之下壓板側之主表面進行研磨，且可使基板4之平坦度變得良好為佳。

如上所述，於雙面研磨領域中，上壓板之研磨狀況對下壓板之研磨狀況亦有影響，僅對基板之單側進行研磨而完全無需考慮相反側之研磨狀況的單面研磨之技術、與對基板之兩主表面同時進行研磨之雙面研磨之技術係應解決之問題不同之完全不同的技術，極難將單面研磨之技術轉用於雙面研磨中。

上壓板之旋轉軸O1之傾斜角θ1之下限值通常為1.0×10^-5 (deg)以上，以3.0×10^-4 (deg)以上為佳。上限值通常為1.0×10^-3 (deg)以下，以5.0×10^-4 (deg)以下為佳。藉由處於該範圍，可有效抑制上壓板之旋轉軸O1附近之研磨能力低之區域內的研磨之影響，且可於上壓板之研磨面5之外周部附近之區域高效地進行研磨。藉此，可高效地製造出具有高平坦度之遮罩基底用基板。

又，上下壓板之研磨面5、6具有特定之曲率半徑，該曲率半徑之下限值通常為1km以上，以10km以上為佳。上限值通常為100km以下，以50km以下為佳。藉由處於該範圍，可確保上下壓板之研磨面5、6與基板4之接觸面積較大，可達到適當之接觸強度，且可高效地進行研磨。再者，上壓板之研磨面5與下壓板之研磨面6之曲率半徑無需相同，可各不相同。

進而，上下壓板之研磨面5、6可與上下壓板2、3構成為一體，亦可藉由將研磨布等黏附於上下壓板2、3上而構成。

基板4係遮罩基底用基板之底板，只要係可研磨且使光透過之基板，則無特別限定，通常係使用玻璃基板。玻璃基板之材質通常可使用石英玻璃、無鹼玻璃、硼矽玻璃、鋁矽玻璃、鹼石灰玻璃等。基板4之形狀只要係可夾持於上下壓板之研磨面5、6之間之形狀，便可為矩形狀、正方形狀、圓形狀、圓盤狀、塊狀等任意形狀，通常係使用大致矩形狀之基板。基板4之大小根據遮罩基底用基板之用途而不同，但只要是大致矩形狀之基板，則短邊之長度通常為100mm以上、1500mm以下。又，基板4之厚度通常為0.5mm以上、15mm以下。

本發明可有效控制因上下壓板之旋轉軸O1、O2附近之區域與上下壓板之研磨面5、6之外周部附近之區域的依賴於圓周速度之研磨能力之差而產生之研磨不均。從而，本發明適用於利用上下壓板之旋轉軸O1、O2附近區域及上下壓板之研磨面5、6之外周部附近區域該雙方之區域而進行研磨步驟之、使用大型遮罩基底用基板之平板顯示器的遮罩基底用基板之製造中。又，亦適用於一般歸類於大型遮罩基底用基板之、使用包含一對長邊及一對短邊、大致呈矩形狀且短邊之長度為400mm以上之基板的遮罩基底用基板之製造中。

再者，第1實施例中，利用將下壓板之研磨面6設為具有特定之曲率半徑之球面之一部分的實施例進行說明，但本發明中，上下壓板之研磨面5、6無需均包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分，第1實施例中下壓板之研磨面6亦可包含平面。

圖3係用於說明本發明之遮罩基底用基板之製造方法中的研磨步驟之第2實施例之概略的圖，圖3(a)表示俯視圖，圖3(b)表示側視圖。圖中，標註有與圖2相同之符號之部分表示同一部件，故省略重複說明。

第2實施例中，首先，由載體1保持基板4，且將基板4定位於上下對向而設之上壓板2之研磨面5與下壓板3之研磨面6之間。而且，以基板4之兩主表面與上壓板之研磨面5及下壓板之研磨面6接觸之方式進行夾持。此後，使上壓板2及下壓板3分別圍繞與研磨面5、6垂直之旋轉軸O1、O2而旋轉。並且，設定成，使基板4之自轉軸O3相對於上壓板之旋轉軸O1而平行地偏心，而基板4之一部分位於上壓板之旋轉軸O1上或其附近。此狀態下，藉由使載體1旋轉而使基板4自轉。此情形時，研磨面5、6包含具有特定之曲率半徑之球面之一部分，又，下壓板之旋轉軸O2相對於上壓板之旋轉軸O1以特定之角度θ2傾斜。

亦即，第2實施例中使第1實施例之上壓板2與下壓板3之構成相反。如此之第2實施例之構成中，亦可發揮與第1實施例相同之作用、效果。

第2實施例中，下壓板之旋轉軸O2之傾斜角θ2之下限值通常為1.0×10^-5 (deg)以上，以3.0×10^-4 (deg)以上為佳。上限值通常為1.0×10^-3 (deg)以下，以5.0×10^-4 (deg)以下為佳。藉由處於該範圍，可有效抑制下壓板之旋轉軸O2附近之研磨能力低之區域內的研磨之影響，且可於下壓板之研磨面6之外周部附近之區域高效地進行研磨。藉此，可高效地製造具有高平坦度之遮罩基底用基板。

再者，第2實施例中，係使用將上壓板之研磨面5設為具有特定之曲率半徑之球面之一部分的實施例進行說明，但本發明中研磨面5、6無需均包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分，第2實施例中上壓板之研磨面5亦可係包含平面者。

研磨步驟(S102)可實施複數次，亦可實施內容各不相同之研磨步驟。例如，可首先使用包含硬質拋光材料之研磨布對研磨面進行第1研磨步驟，此後，使用包含軟質拋光材料之研磨布對研磨面進行第2研磨步驟。如此，以藉由重複實施複數次研磨步驟(S102)，可製造出具有更高平坦度之遮罩基底用基板為佳。

實施洗淨步驟(S103)之目的在於：藉由研磨步驟(S102)而除去附著於基板上之研磨粒。洗淨步驟(S103)係例如將基板依序浸漬於鹼(NaOH)、硫酸中且施加超音波等而進行。

實施評價步驟(S104)之目的在於：評價經過洗淨步驟(S103)之基板是否可作為遮罩基底用基板使用。評價步驟(S104)中，例如，對基板之平坦度及平滑度進行測定，且對基板主表面之裂痕之存在等進行確認，排除不滿足作為遮罩基底用基板之基準者。

圖4係經過本發明之遮罩基底用基板之製造方法中的研磨步驟之第1實施例而製造之遮罩基底用基板的一例之剖面圖。圖4中之A、B、C表示與圖2(a)中之A、B、C相同之部位。第1實施例中，上下壓板之研磨面5、6包含具有特定之曲率半徑之球面之一部分，進而，上壓板之旋轉軸O1相對於下壓板之旋轉軸O2以特定之角度θ1傾斜，藉由如此之構成，可有效抑制因上下壓板之旋轉軸O1、O2附近之區域與上下壓板之研磨面5、6之外周部附近之區域的研磨能力之差而產生之研磨不均，故而，可以良好之精度對基板4之兩主表面進行研磨。而且，第1實施例中，基板4係以B<A<C之順序與研磨能力高之上下壓板之研磨面5、6的外周部附近之區域強力接觸，故而研磨量以B<A<C之順序增加。藉此，遮罩基底用基板之主表面成為以主表面之中央部B為中心之凸形狀。

遮罩基底用基板之材質與基板4相同。又，遮罩基底用基板之形狀、大小、厚度通常與基板4之形狀、大小、厚度大致相同。本發明所製造出之遮罩基底用基板之形狀可列舉例如包含一對長邊及一對短邊、大致呈矩形狀且短邊為400mm以上者。

又，遮罩基底用基板之主表面之平坦度通常為超過0μm、20μm以下，以超過0μm、10μm以下為佳。藉由處於該範圍，光罩製造後對曝光裝置等之安裝(卡夾)性優良，且圖案位置精度及圖案轉印精度提高。

上述遮罩基底用基板之平坦度可藉由實施本發明之遮罩基底用基板之製造方法而容易地製作。再者，本發明之平坦度係指，遮罩基底用基板之各個主表面上的，根據對各主表面任意設定之基準面所獲得的各個主表面面內之表面形狀之最大高度與最小高度之差(與根據測定面以最小平方法所算出之假想絕對平面相對應之、測定面的最大值與最小值之差)。又，平坦度之測定方法並無特別限定，可列舉例如觸針式之接觸式平坦度測定方法、或利用光之干涉等之非接觸式平坦度測定方法等，但自測定精度、測定區域(廣範圍)以及非破壞性檢查等方面考慮，以使用非接觸式平坦度測定方法為佳。

藉由實施本發明之遮罩基底用基板之製造方法而獲得之遮罩基底用基板，成為以遮罩基底用基板主表面之中央部為中心之凸形狀。若由如此之主表面形狀之遮罩基底用基板製作光罩，則當已將該光罩利用真空吸附等卡夾於曝光裝置之遮罩平台時，會向平坦度較卡夾之前有所提高之方向變形，故而，平坦度比卡夾時更高。若基板之相對向之兩端面側之基板主表面分別利用真空吸附等而吸附於遮罩平台上，則基板之兩端面側之基板主表面受到拉伸，基板主表面之中央部向凹陷之方向變形。此時，若基板主表面成為以中央部為中心之凸形狀，則即便基板主表面之中央部凹陷，但因卡夾之前為凸形狀，故變得更接近平坦面。根據上述理由，基板主表面宜研磨加工成以中央部為中心之凸形狀，可以說，本發明之遮罩基底用基板之製造方法最合適。

再者，當然，本發明之遮罩基底用基板之製造方法及遮罩基底用基板並不僅限於上述之圖示例，可於不脫離本發明之宗旨之範圍內進行多種變更。例如，亦可於磨削步驟(S101)與研磨步驟(S102)之間，設置對基板之端面進行切削而調整外形尺寸之形狀加工步驟等其他步驟。

1．．．載體

2．．．上壓板

3．．．下壓板

4．．．基板

5、6．．．研磨面

7．．．基板4之主表面

8．．．基板4之端面

A、C．．．圓周

B．．．點

O1、O2．．．旋轉軸

O3．．．自轉軸

θ1、θ2．．．角度

圖1係用於說明本發明之遮罩基底用基板之整個製造方法的流程圖；

圖2係用於說明本發明之第1實施例之遮罩基底用基板的研磨步驟之概略的圖，圖2(a)係俯視圖，圖2(b)係側視圖；

圖3係用於說明本發明之第2實施例之遮罩基底用基板的研磨步驟之概略的圖，圖3(a)係俯視圖，圖3(b)係側視圖；

圖4係經過本發明之遮罩基底用基板之研磨步驟而製造的遮罩基底用基板之一例的剖面圖；

圖5係用於說明先前之大型遮罩基底用基板之研磨步驟的概略之圖，圖5(a)係俯視圖，圖5(b)係側視圖；

圖6係基板之概略立體圖；及

圖7係經過先前之大型遮罩基底用基板之研磨步驟而製造的遮罩基底用基板之一例的剖面圖。

1．．．載體

2．．．上壓板

3．．．下壓板

4．．．基板

5、6．．．研磨面

A、C．．．圓周

B．．．點

O1、O2．．．旋轉軸

O3．．．自轉軸

θ1．．．角度

Claims (24)

1. 一種遮罩基底用基板之製造方法，其特徵在於：其係經過對基板之兩主表面進行研磨之研磨步驟而製造遮罩基底用基板者，上述研磨步驟包括如下處理：由載體保持上述基板；於上下對向而設之上壓板與下壓板之兩研磨面之間，夾持上述基板；使上述上壓板及上述下壓板分別繞與上述研磨面垂直之旋轉軸而旋轉；使上述基板之自轉軸相對於上述下壓板之旋轉軸而平行地偏心，而使上述基板之一部分位於上述下壓板之旋轉軸上；及藉由使上述載體旋轉而使上述基板自轉；且至少上述上壓板之研磨面包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分；上述上壓板之旋轉軸相對於上述下壓板之旋轉軸以特定之角度傾斜。
2. 如請求項1之遮罩基底用基板之製造方法，其中上述下壓板之研磨面包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分。
3. 一種遮罩基底用基板之製造方法，其特徵在於：其係經過對基板之兩主表面進行研磨之研磨步驟而製造遮罩基底用基板者， 上述研磨步驟包括如下處理：由載體保持上述基板；於上下對向而設之上壓板與下壓板之兩研磨面之間，夾持上述基板；使上述上壓板及上述下壓板分別繞與上述研磨面垂直之旋轉軸而旋轉；使上述基板之自轉軸相對於上述上壓板之旋轉軸而平行地偏心，而使上述基板之一部分位於上述上壓板之旋轉軸上；及藉由使上述載體旋轉而使上述基板自轉；且至少上述下壓板之研磨面包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分；上述下壓板之旋轉軸相對於上述上壓板之旋轉軸以特定之角度傾斜。
4. 如請求項3之遮罩基底用基板之製造方法，其中上述上壓板之研磨面包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分。
5. 如請求項1至請求項4中任一項之遮罩基底用基板之製造方法，其中上述特定之角度係1.0×10^-5 (deg)以上、1.0×10^-3 (deg)以下。
6. 如請求項1至請求項4中任一項之遮罩基底用基板之製造方法，其中上述特定之角度係3.0×10^-4 (deg)以上、5.0×10^-4 (deg)以 下。
7. 如請求項1至請求項4中任一項之遮罩基底用基板之製造方法，其中上述特定之曲率半徑係1km以上、100km以下。
8. 如請求項1至請求項4中任一項之遮罩基底用基板之製造方法，其中上述特定之曲率半徑係10km以上、50km以下。
9. 如請求項1至請求項4中任一項之遮罩基底用基板之製造方法，其中上述遮罩基底用基板係平板顯示器之遮罩基底用基板。
10. 如請求項1至請求項4中任一項之遮罩基底用基板之製造方法，其中上述基板係包含一對長邊及一對短邊之大致矩形狀，且該短邊為400mm以上。
11. 如請求項1至請求項4中任一項之遮罩基底用基板之製造方法，其中將上述研磨步驟重複進行複數次。
12. 如請求項1至請求項4中任一項之遮罩基底用基板之製造方法，其中上述載體之直徑較上述上壓板或下壓板的直徑大。
13. 如請求項1至請求項4中任一項之遮罩基底用基板之製造方法，其中上述上壓板或下壓板之研磨面配置有研磨布。
14. 如請求項1至請求項4中任一項之遮罩基底用基板之製造方法，其中上述研磨步驟後之上述基板之主表面具有以上述主表面之中央部為中心之凸形狀。
15. 一種兩面研磨裝置，其特徵在於：其係研磨基板之兩主表面，且具有下壓板，其具有研磨面，且以相對於上述研磨面垂直之軸為旋轉軸；上壓板，其具有研磨面，且以相對於上述研磨面垂直之軸為旋轉軸；及載體，其保持上述基板且使上述基板自轉；上述上壓板之研磨面與上述下壓板之研磨面係對向配置，且以上述研磨面夾持上述載體所保持之上述基板之兩主表面而進行研磨；上述載體係相對於下壓板之旋轉軸平行地偏心，且以上述基板之一部分位於上述下壓板之旋轉軸上之方式，決定所保持之基板之自轉軸而進行旋轉；上述上壓板之研磨面包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分；上述上壓板之旋轉軸相對於上述下壓板之旋轉軸以特定之角度傾斜。
16. 如請求項15之兩面研磨裝置，其中上述下壓板之研磨面包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分。
17. 一種兩面研磨裝置，其特徵在於：其係研磨基板之兩主表面，且具有下壓板，其具有研磨面，且以相對於上述研磨面垂直之軸為旋轉軸；上壓板，其具有研磨面，且以相對於上述研磨面垂直之軸為旋轉軸；及載體，其保持上述基板且使上述基板自轉；上述上壓板之研磨面與上述下壓板之研磨面係對向配置，且以上述研磨面夾持上述載體所保持之上述基板之兩主表面來進行研磨；上述載體係相對於下壓板之旋轉軸平行地偏心，且以上述基板之一部分位於上述下壓板之旋轉軸上之方式，決定所保持之基板之自轉軸而進行旋轉；上述下壓板之研磨面包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分；上述下壓板之旋轉軸相對於上述上壓板之旋轉軸以特定之角度傾斜。
18. 如請求項17之兩面研磨裝置，其中上述上壓板之研磨面包含具有特定之曲率半徑之球面的一部分。
19. 如請求項15至請求項18中任一項之兩面研磨裝置，其中上述特定之角度係1.0×10^-5 (deg)以上、1.0×10^-3 (deg)以下。
20. 如請求項15至請求項18中任一項之兩面研磨裝置，其中 上述特定之角度係3.0×10^-4 (deg)以上、5.0×10^-4 (deg)以下。
21. 如請求項15至請求項18中任一項之兩面研磨裝置，其中上述特定之曲率半徑係1km以上、100km以下。
22. 如請求項15至請求項18中任一項之兩面研磨裝置，其中上述特定之曲率半徑係10km以上、50km以下。
23. 如請求項15至請求項18中任一項之兩面研磨裝置，其中上述載體之直徑較上述上壓板或下壓板的直徑大。
24. 如請求項15至請求項18中任一項之兩面研磨裝置，其中上述上壓板或下壓板之研磨面配置有研磨布。