TWI435944B - 濺鍍轉盤及其應用的濺鍍裝置 - Google Patents

Description

濺鍍轉盤及其應用的濺鍍裝置

本發明涉及一種轉盤裝置，尤其涉及一種濺鍍轉盤及一種應用所述濺鍍轉盤的濺鍍裝置。

濺鍍是一種常用的表面處理方法，其主要係利用輝光放電(glow discharge)使氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，靶材的原子被彈出而堆積在基板(substrate)表面形成薄膜。如圖1所示的一種現有的濺鍍裝置10，其主要包括一托架11，兩個旋轉設置在所述托架11上方的待濺鍍基板12，以及多個設置在所述待濺鍍基板12上方一定距離處的靶材13。在所述濺鍍裝置10的使用過程中，在靶材13與托架11以及待濺鍍基板12之間的空間內會形成一離子區，該離子區的離子體分別落在靶材13、托架11及待濺鍍基板12上後使得靶材13與托架11以及待濺鍍基板12分別構成了平板電容器。由於靶材13至托架11之間的距離不同於靶材13至待濺鍍基板12之間的距離，因此，靶材13與托架11形成的平板電容器的電容大小與靶材13與待濺鍍基板12形成的平板電容器的電容的大小不同。由於靶材13與托架11及基板12形成了不同電容量的平板電容器，因此由上述平板電容器所產生的電場也不相同，從而導致離子區內的離子體因所受到的電場的靜電力不同而使得離子的分佈不均勻，從而影響濺鍍裝置10的濺鍍效果。

有鑒於此，有必要提供一種可在濺鍍時使離子均勻分佈的濺鍍轉盤及應用該濺鍍轉盤的濺鍍裝置。

一種濺鍍轉盤，其包括一基體，一驅動裝置，至少一傳動裝置。所述基體連接在驅動裝置上，所述傳動裝置可轉動地連接在所述基體上並與所述驅動裝置相嚙合。所述基體包括一上表面以及一下表面，在所述上表面上開設有至少一凹槽用以容置待濺鍍基板，所述凹槽的深度以使容置在所述凹槽內的待濺鍍基板的上表面與基體的上表面平齊為準。

一種濺鍍裝置，其包括一容置腔體，以及至少一靶材，所述靶材設置在所述容置腔體頂部內側。該濺鍍裝置還包括一濺鍍轉盤，所述濺鍍轉盤設置在所述容置腔體底部內側與所述靶材相對正且相互間隔一定距離。所述濺鍍轉盤包括一基體，一驅動裝置，至少一傳動裝置。所述基體連接在驅動裝置上，所述傳動裝置可轉動地連接在所述基體上並與所述驅動裝置相嚙合。所述基體包括一上表面以及一下表面，在所述上表面上開設有至少一凹槽用以容置待濺鍍基板，所述凹槽的深度以使容置在所述凹槽內的待濺鍍基板的上表面與基體的上表面平齊為準。

相較於先前技術，本發明濺鍍轉盤以及其應用的濺鍍裝置採用在基體上設置一凹槽，從而使得靶材與設置在所述凹槽內的待濺鍍基板及基體之間的距離相等，從而形成均一的平板電容器，構成一均勻的電場，使得形成在靶材與待濺鍍基板及基體之間的等離子體均勻分佈，從而提高濺鍍效果。

100‧‧‧濺渡裝置

110‧‧‧容置腔體

120‧‧‧濺鍍轉盤

122‧‧‧基體

122a‧‧‧上表面1

122b‧‧‧下表面

122c‧‧‧凹槽

124‧‧‧驅動裝置

124a‧‧‧驅動軸

124b‧‧‧驅動齒輪

126‧‧‧傳動裝置

126a‧‧‧從動齒輪

128‧‧‧齒圈

130‧‧‧靶材

200‧‧‧待濺鍍基板

圖1係先前技術提供的一種濺鍍裝置的結構示意圖。

圖2係本發明較佳實施方式提供的一種濺鍍裝置的剖視圖。

下面將結合附圖對本發明作進一步之詳細說明。

請參閱圖2，本發明較佳實施方式提供的一種濺渡裝置100。所述濺渡裝置100包括一容置腔體110，一濺鍍轉盤120，以及至少一靶材130。所述濺鍍轉盤120設置在所述容置腔體110的內側底部。所述靶材130設置在所述容置腔體110的頂部內側與所述濺鍍轉盤120間隔一定距離。

所述容置腔體110用以形成一可用以濺鍍的空間，該容置腔體110可通過真空機將其抽成真空，並在真空內填充適當的氣體如氬氣。在該容置腔體110內還設置有輝光放電裝置(圖未示)將填充在容置腔體110內部的氬氣進行電離以產生可以撞擊靶材130的等離子體。此外，在所述容置腔體110內還可設置有強磁力磁場將所述等離子體進行加速，從而使得靶材130與等離子體之間的撞擊機率增加，提高濺鍍速率。

所述濺鍍轉盤120包括一基體122，一驅動裝置124，至少一傳動裝置126。所述基體122設置在所述驅動裝置124上。所述驅動裝置124固設在所述容置腔體110的內部底側。所述傳動裝置126可轉動地連接在所述基體122上並與所述驅動裝置124相嚙合。所述基體122包括一上表面122a以及一下表面122b，在所述上表面122a上開設有至少一凹槽122c。所述驅動裝置124支撐在所述基體122的下表面122b上。所述驅動裝置124包括一驅動軸124a，以及一設 置在驅動軸124a端部的驅動齒輪124b，所述驅動齒輪124b可轉動的設置在所述基體122的下表面122b上，所述傳動裝置126可轉動的設置在所述基體122對應所述凹槽122c的位置處，且其一端容置在所述凹槽122c的內部。所述傳動裝置126鄰近所述驅動齒輪126的一端設置有一從動齒輪126a，該從動齒輪126a與所述驅動齒輪124b相互連接。所述傳動裝置126設置在所述凹槽122c內的一端與所述基體122的上表面122a的距離等於待濺鍍基板200的厚度，當所述待濺鍍基板200設置在所述凹槽122c的傳動裝置126上時，所述待濺鍍基板200遠離所述傳動裝置126的一側表面與所述基體122的上表面122a相平齊。為了實現在濺鍍過程中整個基體122可以公轉，設置在基體122上的傳動裝置126可以自轉，可在所述基體122的下表面122b上設置一齒圈128，所述齒圈128與所述驅動裝置124的驅動軸124a同心，且通過齒圈128內側的齒牙(圖未標)與所述傳動裝置126上的從動齒輪126a相嚙合，從而形成一由驅動齒輪124b，從動齒輪126a以及齒圈128構成的行星輪系。當所述驅動齒輪124b轉動時帶動所述從動齒輪126a轉動，所述從動齒輪126a帶動所述驅動裝置126自轉，同時，與所述從動齒輪126a嚙合的齒圈128帶動所述基體122繞所述驅動裝置124的驅動軸124a轉動。

所述靶材130設置在所述容置腔體110的頂部正對所述濺鍍轉盤120的基體122上的凹槽122c。

在使用時，將所述待濺鍍基板200容置在所述凹槽122c內的傳動裝置126上，由於傳動裝置126與所述基體122的上表面122a之間的距離恰好等於所述待濺鍍基板200的厚度，因此當所述待濺鍍 基板200設置在所述凹槽122c內時，待濺鍍基板200的上表面與所述基體122的上表面122a平齊，從而使得靶材130與待濺鍍基板200及基體122之間的距離相等，從而與靶材130形成單一的平板電容器，構成一均勻的電場，使得形成在靶材130與待濺鍍基板200及基體122之間的等離子體均勻分佈，從而提高濺鍍裝置100的濺鍍效果。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

100‧‧‧濺渡裝置

110‧‧‧容置腔體

120‧‧‧濺鍍轉盤

122‧‧‧基體

122a‧‧‧上表面

122b‧‧‧下表面

122c‧‧‧凹槽

124‧‧‧驅動裝置

124a‧‧‧驅動軸

124b‧‧‧驅動齒輪

126‧‧‧傳動裝置

126a‧‧‧從動齒輪

128‧‧‧齒圈

130‧‧‧靶材

200‧‧‧待濺鍍基板

Claims (6)

1. 一種濺鍍轉盤，其包括一基體，一驅動裝置，至少一傳動裝置，所述基體連接在驅動裝置上，所述傳動裝置可轉動地連接在所述基體上並與所述驅動裝置相嚙合，其改進在於：所述基體包括一上表面以及一下表面，在所述上表面上開設有至少一凹槽用以容置待濺鍍基板，所述凹槽的深度以使容置在所述凹槽內的待濺鍍基板的上表面與基體的上表面平齊為準。
2. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍轉盤，其中：所述驅動裝置支撐在所述基體的下表面上，所述驅動裝置包括一驅動軸，以及一設置在驅動軸端部的驅動齒輪，所述驅動齒輪可轉動的設置在所述基體的下表面上，所述傳動裝置可轉動的設置在所述基體對應所述凹槽的位置處，所述傳動裝置的一端容置在所述凹槽的內部，另一端設置有一從動齒輪，該從動齒輪與所述驅動齒輪相互連接。
3. 如申請專利範圍第2項所述之濺鍍轉盤，其中：所述傳動裝置設置在所述凹槽內的一端與所述基體的上表面的距離等於待濺鍍基板的厚度。
4. 如申請專利範圍第2項所述之濺鍍轉盤，其中：所述基體的下表面上設置一齒圈，所述齒圈與所述驅動裝置的驅動軸同心，且通過齒圈內側的齒牙與所述傳動裝置上的從動齒輪相嚙合。
5. 一種濺鍍裝置，其包括一容置腔體，以及至少一靶材，所述靶材設置在所述容置腔體頂部內側，其改進在於：該濺鍍裝置包括如申請專利範圍第1至4任意一項所述之濺鍍轉盤，所述濺鍍轉盤設置在所述容置腔體底部內側與所述靶材相對正且相互間隔一定距離。
6. 如申請專利範圍第5項所述之濺鍍裝置，其中：所述容置腔體內設置有強 磁力磁場。