TWI432721B - 用以檢測解凍之感測器裝置及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種感測器裝置,用以在具有形成在電阻層中之指叉式電極的表面上檢測解凍,其中電極係形成在基板上。本發明也關於一種用以提供基板之感測器裝置的製造方法。
已提出之感測器裝置之類型可由習知技術瞭解,而且為熟悉此項技術之人士所熟知。
在EP 1 021 704 B1中揭露一種感測器裝置,其係將金屬塗層應用到基板層。金屬塗層係依序以形成電容器之指叉式電極的形式出現,同時用以當作溫度感測器和加熱元件之溫度相依電阻係整合成電容器。此外,鈍化層(passivation layer)係應用到金屬塗層。鈍化層係由兩層組成,即下疏水層和位在其上之親水層。親水層係依序提供凝結核心,因此當感測器裝置在達到露點(dew point)之前冷卻到只有幾度凱氏(Kelvin)溫標時,確保形成可檢測水膜層,其中該可檢測水膜層產生可被評估之信號。在此情形下,上層和下層係直接應用到藉由指叉式電極形成之電容器。保護層可以為聚合物層。
另一種已提出之感測器裝置被揭露在DE 37 20 189 C1中,其說明一種露點感測器,一種以感測器表面曝露到待測氣體,量測在氣體中水蒸氣露點之露點計,當水蒸氣冷卻到露點溫度時,水蒸氣會凝結在表面上,而且其具有安
裝在感測器表面上之指叉式電極具有電極區域,其中電極區域係各自均勻間隔且平行排列,而且其以水分不敏感性絕緣層覆蓋,露點溫度的獲得係藉由量測兩個指叉式電極之間的阻抗或電容建立。此處之指叉式電極係以對水分不敏感的絕緣層塗布,其完全覆蓋所有的指叉式電極之叉齒的自由表面。絕緣層係由化學穩定的、電性絕緣的、完全對水分不敏感的材料構成。為此,適當的金屬氧化物也可以被考慮。露點檢測係根據當達到露點溫度時總阻抗變化的事實。這是因為在感測器表面上會有凝結的水滴開始形成。因此會有分離凝結水滴層形成在感測器表面上,被絕緣層塗布之指叉式電極仍然出現在感測器表面上。
因此,對於習知技術之感測器裝置的功能,感測器裝置必須具有許多層,其中包含凝結核心層。理論上,親水性的表面被用以有效改變感測器的訊號。
以習知技術所指出的評估為基礎,本發明之目的係設計一種以下列方式所提出之感測器裝置:沒有分離凝結核心層和電阻層同時當作凝結核心層。
此目的係藉由感測器裝置及具有分別在申請專利範圍第1項和第12項所指出的特徵之方法達成。
本發明之有利的設計和適當的進一步發展之特徵被描述在附屬的申請專利範圍。
藉由建構製程所形成之電阻層用以產生兩個彼此相互
交叉嚙合的電極,也用以根據本發明形成感測器裝置中的敏感層。
但是,本發明的核心觀念為指叉式電極的建構係藉由集束雷射光束和其水分敏感親水性表面的形成同時發生。
藉由選擇適當的雷射製程參數,產生一直延伸到基板之雷射輻射的作用。在此製程中蒸發之電阻和基板係沉積在指叉式電極上,而且在沒有完全形成封閉層之表面上係當作凝結核心層。在大氣環境下,電阻和基板的局部蒸發造成如要求沉積在指叉式電極之表面上及介於其間之空間中之材料的氧化。在特別簡單且唯一的方式下,此會造成表面的親水性化,其係當作凝結核心層。因此不需要昂貴的生產設備,其比得上雷射剝離法(laser ablation)之真空設備。在後續的燒結製程中,此提供核心之表面係機械上的穩定。
組合感測器和電極層係當作腐蝕穩定層,其不需要進一步的保護層或凝結核心層。因為沒有應用覆蓋層到感測器層,所以相較於習知技術之感測器,根據本發明之感測器裝置量測非常快速。解凍之典型的檢測時間低於500ms。此外,由於簡化配置,所以可以達到相對濕度之靈敏度值的範圍高於90%,尤其高於95%,此明顯高於習知技術的狀態。
相較於習知技術,根據本發明之感測器裝置因而極其簡化,因此可以具體實現分離成長層之優點的低成本建
構,尤其可以允許高訊號在很短的檢測時間內行進。
由於接合壓力降低,使得水分敏感親水性表面造成在表面上之露點溫度增加。因此發生解凍,而且不需要環境條件(露點溫度和相對濕度)。感測器表面上之水分子的吸附被用以當作感測器裝置的量測效應。
在此情形下,電極結構的電容變動首先會受到介電係數變動的影響,其次是由於離子傳導和Grothus傳輸機制,使得電阻變動會受到吸附水份之導電性變動的影響。
根據本發明之感測器的結構提供一種可以建構在基板上之電阻層。金屬氧化物層可以有利地用以當作電阻層,其最好係由氧化釕、釕酸鹽、或氧化銥形成。
可以使用熟悉此項技術之人士所習知的典型材料當作基板,例如,平板或膜狀形式之電路板材料、陶瓷、玻璃、或聚合物。
連接到指叉式電極的兩個接觸電極較佳係安裝在基板上。
接觸電極較佳係由金屬塗布層及可被焊接、接合、或以導電黏著接觸之另外層所構成。
本發明也允許以SMD技術更便宜的製造解凍感測器。在此技術中,表面可黏著元件(如電阻器或電容器)係藉由可被焊接或膠合的連接表面直接施加到電路板。此處可以使用標準的陶瓷基板當作基板。根據本發明之感測器裝置適用於裝配在電路板上之自動化SMD。
若移除此保護層,則對於感測器表面上之非黏著材料的鬆散分離同時係有利的,使得藉由雷射處理製造之剩餘的核心形成層具有特別的機械上之長期穩定性。
本發明也提供一種具有基板之感測器裝置的製造方法,其較佳係由氧化鋁陶瓷形成,其中在指叉式電極上和在凹槽上之水分敏感親水性表面的形成,係同時結合指叉式電極的製作,凝結核心係被應用到指叉式電極和凹槽。
在此情形下,該方法係由下列之方法步驟構成:
a)將接觸電極應用到基板,b)將電阻層應用到基板,c)以雷射輻射,藉由加熱、熔化和蒸發部分的基板和電阻層,從電阻層製作指叉式電極,d)在指叉式電極上和提供在指叉式電極之間的凹槽中凝結部分蒸發基板和部分蒸發電阻層。
e)藉由燒結,使在指叉式電極上和/或凹槽中之凝結核心機械上穩定。
其中根據本發明之方法的架構,如上所述,指叉式電極可以由金屬氧化物層形成。在此情形下,具有從248nm到1200nm波長的雷射輻射是適當的。
在燒結製程下,不完全的封閉使凝結核心層機械上穩定。此處可以選擇燒結參數,使得特定顆粒尺寸的凝結粒子被較佳燒結在一起。在本發明的另一較佳實施例中,未燒結凝結核心係被移除。
此外,在SMD技術中,該方法提供保護漆的應用及可被焊接之終端電極的應用,例如,可以電流分離或可被黏結之終端電極的應用,接著保護漆的分離和同時移除沒有燒結之凝結核心。
為了確保在電阻層或在基板之梳狀敏感結構也沒有被塗布,其中結構物本身係在指叉式電極中和在藉由雷射輻射製作之凹槽中,在製作終端電極之前,必須藉由適當的保護層覆蓋,其中該等層可以在製程之後再移除。
第1圖為根據本發明之感測器裝置,以元件符號100表示。
感測器裝置100具有基板10。基板10可以為氧化鋁基板。此外,接觸電極11、12被應用到基板10。再如第1圖中所示,電阻層13也可以放置在基板10上,而且較佳為金屬氧化物層。接觸電極11、12和金屬氧化物層兩者皆可藉由網版印刷製程而被施加,然後在適當溫度下燒製。
感測器裝置100具有指叉式電極14其係以雷射輻射17製作在金屬氧化物層中。根據本發明,藉由形成指叉式電極之此結構製程形成的電阻層13,因引進凝結核心19而變成為水分敏感性表面之感測層。但是,在示於第1圖之實施例中,指叉式電極14並沒有完全圖示。理論上,指叉式電極14具有彼此相互推進之梳狀(combs),其中指叉式電極14的平行行進叉齒15係藉由溝形之凹槽16彼此相互分
離,其中凹槽16係藉由集束雷射光束17製作。指叉式電極14係連接到接觸電極11、12,使能夠應用電壓。溝形之凹槽16係透過電阻層13突出進入基板10。指叉式電極14和凹槽16具有水分敏感親水性表面18,其中包含燒結在其上之凝結核心19。在周圍環境下,電阻層13和基板10藉由雷射光束17之材料的局部蒸著,造成沉積在指叉式電極14上當作凝結核心19之材料的氧化。在特別簡單且唯一的方式下,此會使指叉式電極14的表面發生親水性化。凝結核心19係藉由會造成加熱、熔化、和蒸發部分的電阻層13和基板10功效之雷射輻射17傳遞到指叉式電極14的表面。此製程係藉由元件符號20在第1圖中識別。再如第1圖中所示,在指叉式電極14之表面上之凝結核心19的密度在凹槽16的方向會增加。
再參考第2圖說明施加或引入凝結核心19之水分敏感親水性表面的形成過程。在示於第2圖之實施例中,氧化鋁基板也可用以當作基板10,例如,其中接觸電極11、12和電阻層13,此處也可以施加金屬氧化物層,係藉由網版印刷製程應用在其上,然後在適當溫度下燒製。指叉式電極14係藉由集束雷射光束17製作在電阻層13中,較佳係在約為532nm或在1064nm區域中之波長。雷射光束17製作穿透電阻層13突出進入基板10之凹槽16。延伸進入基板10之雷射輻射17的作用,造成加熱、熔化和蒸發部分的電阻層13和部分的基板10之功效。此依序造成為熔
化區形式之反應區21的形成。因此產生的材料蒸氣22從凹槽16脫逸,且以凝結核心19的形式沉積在指叉式電極14和凹槽16上,使得指叉式電極14的表面會以作為凝結核心層之水分敏感親水性表面的形式呈現,但是沒有形成分離層。在後續的燒結製程中,凝結核心19可以藉由燒結在指叉式電極和介於其間之空間的表面上之凝結核心19穩定化。因此具有機械上穩定凝結核心層之功能的水分敏感親水性表面18形成在感測器裝置100上。此處可以選擇燒結參數,使得特定顆粒尺寸的凝結核心19可較佳燒結在一起。剩餘沒有燒結的凝結核心在通電之後與電流保護層一起移除。
10‧‧‧基板
11‧‧‧接觸電極
12‧‧‧接觸電極
13‧‧‧電阻層
14‧‧‧指叉式電極
15‧‧‧叉齒
16‧‧‧凹槽
17‧‧‧雷射光束
18‧‧‧水分敏感親水性表面/凝結核心層
19‧‧‧凝結核心
20‧‧‧製程
21‧‧‧反應區
22‧‧‧材料蒸氣
100‧‧‧感測器裝置
本發明將參考第1圖和第2圖更詳細的說明。在圖式中:第1圖顯示根據本發明之感測器裝置的正視圖,其中指叉式電極係以雷射光束製作在電阻層上;第2圖顯示第1圖之整個感測器裝置的橫截面圖。
10‧‧‧基板
11‧‧‧接觸電極
12‧‧‧接觸電極
13‧‧‧電阻層
14‧‧‧指叉式電極
15‧‧‧叉齒
16‧‧‧凹槽
17‧‧‧雷射光束
18‧‧‧水分敏感親水性表面/凝結核心層
19‧‧‧凝結核心
20‧‧‧製程
100‧‧‧感測器裝置
Claims (17)
- 一種感測器裝置(100),用以在具有於電阻層(13)中形成之指叉式電極(14)的表面上檢測解凍,其中電阻層係形成在基板(10)上,其特徵在於由於施加凝結核心(19),故指叉式電極(14)和凹槽(16)具有水分敏感親水性表面(18),其中該凝結核心係由部分電阻層和部分基板(10)構成,其中燒結該凝結核心。
- 如申請專利範圍第1項之感測器裝置,其中該電阻層(13)係由形成在基板(10)上之金屬氧化物層形成。
- 如申請專利範圍第1項之感測器裝置,其中基板(10)係氧化鋁、電路板材料、玻璃或玻璃陶瓷其中之一。
- 如申請專利範圍第1項之感測器裝置,其中兩個終端接點(11,12)被施加到基板(10),其中接點係連接到指叉式電極(14)。
- 如申請專利範圍第2項之感測器裝置,其中金屬氧化物層係由氧化釕、釕酸鹽、或氧化銥構成。
- 如申請專利範圍第2項之感測器裝置,其中金屬氧化物層係金屬氧化物糊狀物。
- 如申請專利範圍第1項之感測器裝置,其中移除沒有燒結的凝結核心。
- 如申請專利範圍第1項之感測器裝置,其中凹槽(16)係提供在指叉式電極(14)的叉齒(15)之間,而凹槽係藉由雷射光束(17)製作,其中在指叉式電極(14)上之凝結核心(19) 的密度係在凹槽(16)的方向上增加。
- 一種具有基板(10)之感測器裝置(100)的製造方法,該基板較佳為由氧化鋁陶瓷形成,其中形成指叉式電極(14)和凹槽(16)上之水分敏感親水性表面(18),同時伴隨指叉式電極(14)的產生,其中凝結核心(19)被施加到指叉式電極(14)和凹槽(16)的表面,包含下列方法步驟:a)將接觸電極(11,12)施加到基板(10),b)將電阻層(13)施加到基板(10),c)藉由利用雷射輻射加熱、熔化、和蒸發部分基板和電阻層,在電阻層(13)中製造指叉式電極(14),d)在指叉式電極(14)上和提供在指叉式電極(14)之間的凹槽(16)中凝結蒸發的部分基板(10)和蒸發的部分電阻層(13),e)藉由燒結,使凝結核心(19)機械地穩定在指叉式電極(14)上及/或凹槽(16)中。
- 如申請專利範圍第9項之方法,其中,在SMD技術中,先施加保護漆,隨後施加例如可藉由電流分離而被焊接之終端電極、或可被黏接之終端電極,及分離保護漆,同時移除沒有燒結之凝結核心(19)。
- 如申請專利範圍第9項之方法,其中具有厚層品質之氧化鋁陶瓷係用作為基板(10)。
- 如申請專利範圍第9項之方法,其中指叉式電極(14)係 由金屬氧化物層形成,較佳為以氧化釕、釕酸鹽、或氧化銥形成。
- 如申請專利範圍第9項之方法,其中雷射輻射(17)係在248nm到1200nm之波長中執行。
- 如申請專利範圍第9項之方法,其中機械穩定化係藉由燒結製程實現。
- 如申請專利範圍第9項之方法,其中沒有燒結的凝結核心在通電(galvanization)之後與電流保護層(galvanic protection layer)一起被移除。
- 如申請專利範圍第9項之方法,其中該方法並沒有在真空中執行。
- 如申請專利範圍第9項之方法,其中實現加熱、熔化和蒸發基板(10)與電阻層(13)之反應區(21)係藉由雷射輻射(17)形成。
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Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9163955B2 (en) * | 2012-04-25 | 2015-10-20 | Eastman Kodak Company | Electronic sensing system with environmental sensor patches |
DE102009054747A1 (de) * | 2009-12-16 | 2011-06-22 | Endress + Hauser Wetzer GmbH + Co. KG, 87484 | Messeinsatz zur Temperaturmessung |
FR2995689B1 (fr) * | 2012-09-20 | 2015-07-03 | Electricfil Automotive | Sonde de mesure de depot de suie dans l'echappement et son procede de fabrication |
DE102013212735B4 (de) * | 2013-06-28 | 2021-07-22 | Robert Bosch Gmbh | Sensorbauteil für einen Gas- und/oder Flüssigkeitssensor, Herstellungsverfahren für ein Sensorbauteil für einen Gas- und/oder Flüssigkeitssensor und Verfahren zum Detektieren mindestens eines Stoffs in einem gasförmigen und/oder flüssigen Medium |
DE102014201640A1 (de) * | 2014-01-30 | 2015-07-30 | BSH Hausgeräte GmbH | Temperaturmessung an einer Flächenheizung für ein Haushaltsgerät |
US10170680B2 (en) * | 2015-09-16 | 2019-01-01 | International Business Machines Corporation | Qubits by selective laser-modulated deposition |
WO2019044640A1 (ja) * | 2017-09-01 | 2019-03-07 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 乾湿応答センサー |
CN108195883A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-06-22 | 长沙格力暖通制冷设备有限公司 | 一种露点在线检测方法和装置 |
CN110231364B (zh) * | 2019-07-03 | 2024-05-03 | 中国特种设备检测研究院 | 一种在线检测露点腐蚀探针装置 |
CN110646471A (zh) * | 2019-09-29 | 2020-01-03 | 杭州铂得科技有限公司 | 一种微环境智能监测装置和微环境智能监测系统 |
DE102022201926A1 (de) | 2022-02-24 | 2023-09-07 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Sensorelement, insbesondere in Form eines SMD-Bauelementes |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3552186A (en) * | 1969-04-01 | 1971-01-05 | Alco Standard Corp | Apparatus for measuring the dew point temperature of a gas |
US4453397A (en) * | 1981-08-17 | 1984-06-12 | Nippon Soken, Inc. | Gas detecting sensor |
US4562725A (en) * | 1982-07-31 | 1986-01-07 | Shimadzu Corporation | Moisture sensor and a process for the production thereof |
GB2138952B (en) * | 1983-04-30 | 1986-07-30 | Sharp Kk | Producing electrical moisture sensors |
JPS61124859A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 湿度検出用素子 |
US4731257A (en) * | 1984-12-20 | 1988-03-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for producing a temperature and moisture sensitive element |
CN85100146B (zh) * | 1985-04-01 | 1987-06-10 | 清华大学 | 热--湿--气多功能敏感陶瓷元件及其制造方法 |
US5022045A (en) * | 1985-08-06 | 1991-06-04 | Elliott Stanley B | Optical-type, phase transition humidity-responsive devices |
DE3720189C1 (de) | 1987-06-16 | 1988-12-29 | Endress Hauser Gmbh Co | Taupunkt-Sensor |
EP0489825A1 (de) * | 1989-08-29 | 1992-06-17 | E + E Elektronik Gesellschaft M.B.H. | Verfahren zur herstellung eines feuchtesensors |
US5136274A (en) * | 1990-02-01 | 1992-08-04 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Humidity sensor |
DE19519099C1 (de) * | 1995-05-24 | 1996-08-29 | Vdo Schindling | Resistiver Feuchtesensor |
DE19606272C2 (de) * | 1996-02-21 | 2001-05-17 | Ust Umweltsensortechnik Gmbh | Halbleiter-Gassensor |
DE19708053B4 (de) | 1997-02-28 | 2006-06-08 | Ust Umweltsensortechnik Gmbh | Verfahren und Sensoranordnung zur Dedektion von Kondensationen an Oberflächen |
US6787047B1 (en) * | 1997-03-13 | 2004-09-07 | Robert Bosch Gmbh | Methods for manufacturing a microstructured sensor |
CN1105911C (zh) * | 1997-05-02 | 2003-04-16 | 株式会社山武 | 湿度敏感元件及其制作方法 |
DE10056771C2 (de) * | 2000-03-20 | 2002-08-01 | Cis Inst Fuer Mikrosensorik Gg | Anordnung zur Messung der Gasfeuchte |
DE10114230C2 (de) * | 2000-03-24 | 2002-11-14 | Bayerische Motoren Werke Ag | Verfahren und Anordnung zur Detektion von Kondensationen |
DE10015430C1 (de) | 2000-03-28 | 2001-05-10 | Preh Elektro Feinmechanik | Kapazitiv arbeitender Sensor zur Detektion von Kondensation an Oberflächen |
FR2815718B1 (fr) * | 2000-10-20 | 2002-12-06 | Inst Francais Du Petrole | Methode d'evaluation de la temperature de transition vitreuse d'une piece en polymere en cours d'utilisation |
JP2003270189A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | Denso Corp | 容量式湿度センサ |
JP2005106802A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-04-21 | Canon Inc | 環境センサー、環境測定装置及び環境測定システム |
JP4341506B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2009-10-07 | 株式会社デンソー | 湿度センサおよび湿度検出機能を有する複合センサ |
TWI314989B (en) * | 2006-06-23 | 2009-09-21 | Fego Prec Ind Co Ltd | Humidity sensor having temperature compensation self-comparing and manufacturing method therefore |
KR101094870B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2011-12-15 | 한국전자통신연구원 | 습도 센서 및 이의 제조 방법 |
WO2012111480A1 (ja) * | 2011-02-16 | 2012-08-23 | 株式会社 村田製作所 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
US20140192836A1 (en) * | 2012-12-10 | 2014-07-10 | Femtoscale, Inc. | Resonant dew point measuring device |
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