TWI430952B - The parallel operation method of the reaction furnace for water generation - Google Patents
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Description
本發明,例如係為在半導體製造裝置或是化學品製造設備等中所被使用者,而係為有關於並不使用特別之原料氣體的分流供給裝置,僅需在進行平行運轉之複數的水分產生用反應爐的各原料氣體供給管路處插入具備有適宜口徑之限流孔,即可使各水分產生用反應爐具備特定之水分產生量並安定地作平行運轉的水分產生用反應爐之平行運轉方法者
在半導體製造設備之水分氧化法所致之氧化矽膜附加處理等之中,高純度水之供給係成為必要,通常,係使用如圖8所示一般之水分產生用反應爐,而進行必要之高純度水的供給。
亦即是,該當水分產生用反應爐,係如同在國際公開號WO97/28085號或是日本專利第3639469號中所揭示一般,在形成將入口側爐本體構件2與出口側爐本體構件3以對向狀而作組合並於內部具備有空間部4之反應爐本體1的同時,於反應爐本體1處設置原料氣體入口5與水分氣體出口6與反射器7以及反射器8,進而,在出口側爐本體構件3之內表面處,形成白金覆蓋被膜9,而構成之
又,在使水分產生時,首先,係從原料氣體入口5
處,將氧O2
與氫H2
之混合氣體G供給至空間部4內,並在經由反射器7、8而將混合氣體作攪拌的同時,經由白金覆蓋被膜9的觸媒作用,來使O2
以及H2
活性化。接下來,將被活性化後之O2
與H2
,在溫度450℃以下之非燃燒狀態下而瞬時地反應,藉由此來產生水。此產生之水係以水分氣體W之型態而從水分氣體出口6來放出至反應爐本體1之外部。
於上述圖8中所示之構造的水分產生用反應爐,雖然係極為小型(例如外徑為約114 mm,厚度為約35 mm),但是,藉由在400℃以下之溫度下進行觸媒反應,能夠連續地產生約2SLM(在0℃、1大氣壓之標準狀態下所換算出之水分氣體量)左右的水分氣體,而為具備有優秀且實用性之效果者。
但是,在圖8所示之水分產生用反應爐中,若是增加原料氣體G之供給量而使水分產生量增加,則出口側爐本體構件3之溫度的上升會變得急遽,同時,反應爐本體l之內部空間溫度會上升,而會接近至身為H2
與O2
之混合氣體的原料氣體G之爆炸可能溫度,因此,係成為極為危險的狀態。又,若是使原料氣體G之供給量增加,則氧O2
與氫H2
之反應率係降低,會成為使氧O2
以及/又或是氫H2
以為反應的狀態而混入至水分氣體W內,而成為在使用水分氣體W之製程端處產生各種的問題。
進而,由於反應爐本體1之溫度的上升,被形成在出口側爐本體構件3之內壁面的白金覆蓋被膜9會成為產生
有剝離脫落之現象,而成為造成觸媒作用之大幅降低。
另一方面,為了避免上述一般之問題的產生,係開發有:將如圖9所示一般之冷卻用風扇10、11設置在入口側爐本體構件以及出口側爐本體構件3之外壁面,以促進反應爐本體1之熱輻散的構造之水分產生用反應爐。另外,於圖9中,12係為電性加熱器,而係為在水分產生用反應爐1之啟動時,用以使水分產生用反應爐1之溫度上升至接近300℃者。
但是,若是設置冷卻用風扇10、11,則水分產生用反應爐1之外形尺寸係成為大幅的增加,例如,若是欲將水分產生量提升至1.3倍,則反應爐1之容積係成為增加約3倍,而有無法對應於水分產生用反應爐1之小型化的要求之問題。
又,為了不使用冷卻風扇10、11便使水分產生量增加,可以考慮有將反應爐本體1本身之外形尺寸增大的方法。但是,若是白金覆蓋被膜9之形成面積到達了一定面積以上,則在水分產生時,由於出口側爐本體構件3之內表面的溫度分佈,會成為產生有班點,其結果,成為易於發生白金覆蓋被膜9之剝離。例如,係得知了:若是將反應爐本體l之內徑尺寸設為2倍以上,則白金覆蓋被膜9之剝離頻度係顯著的變高,而有無法滿足地對應於水分產生量之增加的要求之問題。
因此,在先前技術之此種水分氣體W的供給設備中,係將複數台之水分產生用反應爐作並聯連接,同時,
使用高精確度之混合氣體分流供給裝置,來對供給至各水分產生用反應爐之混合氣體G的流量作控制,藉由此,而對水分產生量(供給水分量)之增加的要求作對應。
但是,設置高精確度之混合氣體G的分流供給裝置,係不僅會導致設備量之增加,為了作設置,亦需要極大的空間,進而,在混合氣體分流供給裝置之維修管理上,亦需要費用,而有著各種的問題。
[專利文獻l]國際公開WO97/28085號
[專利文獻2]日本專利第3639469號
本發明之目的,係為了解決在使用有先前技術之水分產生用反應爐之高純度水分的供給設備中之上述一般的問題,亦即是,為了解決:1.當藉由水分產生用反應爐之大型化(又或是大容量化)來對應於供給水量之增加的要求時,由於在白金覆蓋觸媒被膜之耐久性等之構造面上,水分產生用反應爐之大型化係有其限度,而具有一定的限制;和2.當藉由設置混合氣體G之分流供給裝置,並藉由從混合氣體分流供給裝置來將混合氣體G供給至複數台之進行平行運轉的水分產生用反應爐,來對應供給水量之增加的要求時,不但會導致混合氣體G之分流供給裝置的設備費或是管理費之增加,亦成為需要大的設置空間;
等的問題而進行者,並提供一種水分產生用反應爐之平行運轉方法,其係並不需要複雜之混合氣體G的分流供給裝置,而藉由在對平行運轉之各水分產生用反應爐的混合氣體供給管路處介在設置具備有特定之內徑的限流孔,來以簡單的構造而低價地且正確地將特定量之混合氣體G供給至進行平行運轉之各水分產生用反應爐處,藉由此,而能夠容易地對水分產生量之增加的要求作對應。
申請項1之發明,係以:在複數之水分產生用反應爐的各混合氣體入口側配設限流孔,同時將各限流孔之入口側與混合氣體供給管線作並列狀之連接,而成為將氫與氧之混合氣體通過各限流孔來分流供給至各水分產生用反應爐處,來作為發明之基本構成。
申請項2之發明,係以:在複數之水分產生用反應爐的各混合氣體入口側配設限流孔,同時將各限流孔之入口側與混合氣體供給管線作並列狀之連接,而成為將氫與氧之混合氣體通過各限流孔來分流供給至各水分產生用反應爐處,又,與各水分產生用反應爐之水分氣體出口測作並列連接,並將在各水分產生用反應爐處所產生之水分通過水分供給管線而供給至水分使用裝置,來作為發明之基本構成。
申請項3之發明,係為在申請項2之發明中,將水分使用裝置設為在接近於大氣壓之壓力下來使用的製程處理
室。
申請項4之發明,係在申請項2之發明中,將水分使用裝置設為在1~700 Torr之壓力下所使用的製程處理室,同時,在從各水分產生用反應爐而來之產生水分的水分供給管線處,設置減壓用限流孔者。
申請項5之發明,係在申請項第1項又或是第2項之發明中,將並列連接之水分產生用反應爐設為2台,同時,將配設在各水分產生反應爐之混合氣體入口側的限流孔設為相同口徑之限流孔,並從混合氣體供給管線,而將幾乎等量之混合氣體供給至各水分產生用反應爐的構成者。
申請項6之發明,係在申請項5之發明中,將各水分產生用反應爐之額定水分產生量設為5SLM~10SLM,同時,將配設在混合氣體入口側之限流孔的口徑設為0.8~0.6 mm者。
申請項7之發明,係在申請項6之發明中,將水分產生用反應爐之內壓設為200 Torr以上之壓力值者。
申請項8之發明,係在申請項1又或是2之發明中,將水分產生反應爐設為以下之構成:將入口側爐本體構件與出口側爐本體構件以對向狀來組合而形成內部空間,同時,分別在入口側爐本體構件處設置混合氣體入口、在出口側爐本體構件處設置水分氣體出口,並進而在出口側爐本體構件之內壁面處設置白金覆蓋被膜,同時,在內部空間內設置反射器,使混合氣體內之氫氣與氧氣在前述內部
空間內以非燃燒狀態下而經由白金覆蓋被膜的觸媒作用來產生反應,以使其產生水分。
在本案發明中,係具有僅在並聯連接之水分產生用反應爐之混合氣體入口側配置有特定之口徑的限流孔之簡單構成的分流構造,而能夠將身為水分產生用之原料氣體的混合氣體極為正確地作分流,並成為能夠使用先前技術之使用有白金被膜觸媒的非燃燒式之水分產生用反應爐,來進行高純度水之大量供給。
亦即是,若藉由本發明,則不需要使用複雜構造之高價的混合氣體分流裝置,便可使用先前技術之非燃燒式水分產生用反應爐,來更為安全並更加低價地、且不會導致設備之大型化,而成為能夠將高純度水作大量的供給。
以下,根據圖面,對本發明之實施型態作說明。
圖1,係為展示本發明之第1實施型態,係展示使用2台之水分產生用反應爐WG1
、WG2
而對常壓之製程處理室CH供給水分W的情況者。
於圖1中,H2
係為氫氣,O2
係為氧氣,M係為H2
與O2
之氣體混合器,G係為混合氣體,WG1
、WG2
係為水分產生用反應爐,OR1
、OR2
係為限流孔,S係為H2
感測器,F係為過濾器,CH係為製程處理室,P1
、PW1
、
PW2
、PC
係為壓力計,W1
、W2
、W係為水分,L1
、L2
、L3
、L4
係為配管路。
在前述水分產生用反應爐WG1
、WG2
處,係被使用有2台之相同規格的水分產生用反應爐,其係為不鏽鋼製,該外徑尺寸為約180 mm,厚度為約37 mm,出口側爐本體構件之內壁面,係被形成有白金覆蓋被膜。
另外,在本實施型態中,雖係將相同規格之水分產生用反應爐2台作並聯連接,但是,亦可將2台以上,例如3~5台作並聯連接。
前述限流孔OR1
、OR2
,係為在外徑約12 mm,厚度0.2~1.0 mm之不鏽鋼薄板上穿孔有特定之限流孔洞(圓形孔)者,並可自由交換地被插著於限流孔插著器(圖示省略)內。另外,在本實施型態中,係使用如後述一般之具備有0.5~1.0 mm之限流孔洞的限流孔OR1
、OR2
。
前述配管路L1
~L4
係為由內徑4.3 mm,外徑6.35 mm之不鏽鋼製管所形成,又,消耗產生水分W之製程處理室CH係設為在常壓下進行各種的半導體處理者。
參考圖l,從氣體混合器W所供給之混合氣體G,係通過混合氣體供給管線L1
、各限流孔(0.6 mm又或是0.7 mm)OR1
、OR2
,而被供給至各水分產生用反應爐WG1、WG2,在此所產生之水分W1
、W2
,係通過水分供給管線L4
,而被供給至常壓處理室CH處。
另外,為了順暢地進行混合氣體G之分流供給,在各
部之壓力P1、PW
、PC
之間,係有必要成立P1>PW
>PC
之關係,又,壓力PC
,係成為較壓力PW
而損失了配管路之壓力損失量(約0.02~0.03 Mpa)
表l,係為展示當將限流孔OR1
、OR2
之口徑設為0.6又或是0.7 mm,而將H2
與O2
之混合比以及對常壓(760 Torr)之製程處理室CH的水分供給流量(sccm)作改變的情況時,對限流孔OR1
、OR2
之上流側壓力P1的試算之其中一例者,可以得知壓力之概算值。另外,壓力之演算式,係使用後述之式(2)以及式(3),且,配管路係設為內徑4 mm之不鏽鋼管,其延伸長度係設為600~800 mm。
又,表中之供給水份量,係為代表1台份之供給量者。
圖2,係為展示本發明之第2實施型態者,而係為展示從2台之水分產生用反應爐WG1
、WG2
來將產生水分W
供給至在1~100 Torr之減壓狀態下所被使用之製程處理室CH的情況者。
另外,在圖2中,OR3
係為被設置在過濾器F之下流側的限流孔,並係作為對供給至處理室CH之產生水分W的減壓用者。
在本實施型態中,係與前述圖1所示之第l實施型態的情況相同地,為了順暢地進行混合氣體G之分流供給,並從兩水分產生用反應爐WG1
、WG2
而將特定量之產生水分W1
、W2
作供給,水分產生用反應爐WG1
、WG2
之壓力,係需要為200 Torr~900 Torr。此係因為,若是水分產生用反應爐WG1
、WG2
之內壓成為200 Torr以下,則H2
氣體之爆發臨限溫度係會下降至約350℃~400℃的溫度之故。
表2,係為展示將減壓用限流孔OR3
之口徑設為0.8 mm以及1.0 mm的情況時之水分產生用反應爐WG1
、WG2
之內壓PW
等的演算值之其中一例者,所使用之壓力的演算式等,係與前述表1之情況為相同。
又,表3,係為展示當混合氣體G之條件等為與表2相同的情況時,將上流側限流孔OR1
、OR2
之口徑設為0.7 mm的情況時,對限流孔OR1
、OR2
之上流側的壓力值作演算後之一例者,可以得知限流孔OR1
、OR2
上流側
之壓力值P1
的概要。
圖3,係為展示在前述圖1所示之第l實施型態中的水分產生用反應爐之平行運轉中,代替混合氣體G而供給了N2
氣體的情況時,對N2
氣體之分流狀態作了調查之電路者,於圖3中,MFC1
、MFM1
、MFM2
,係分別為代表質
量流量計者。
於圖3中,MFM1
以及MFM2
之各測定值,由於係為直接比例於對水分產生用反應爐WG1
、WG2
之混合氣體G的流入量者,因此,從該當MFM1
以及MFM2
之測定值,可以得知在各水分產生用反應爐WG1
、WG2
處之水分產生量。
表4,係為展示由當將圖3中之限流孔OR1
、OR2
之口徑設為0.7、0.6、0.5 mm的情況時的各測定值所得之分流誤差或壓力誤差的演算值。
又,圖4之(a)、(b)、(c)、以及(d),係為將前述表3之各演算值作了圖表化者,(a)係為展示對於流量MFM1
之分流誤差的關係;(b)係為展示對於限流孔上流側壓力P2
之分流誤差的關係;(c)係為展示限流孔上流側壓力P2
與計算壓力間之關係;(d)係為展示限流孔上流側壓力P2
與流量之相對分流誤差%間的關
係。
如同由表4以及圖4(a)、(b)、(c)、以及(d)可以清楚得知一般,分流誤差(圖4之(a))係成為約5%以下,又,偏差(MFM1
-MFM2
/MFC1
)亦係成為3%以下。故而,係得知了:限流孔OR1
、OR2
所致之分流,係可在實用上並不產生任何問題地作使用,而能夠以極為簡單的分流裝置,來進行混合氣體G之對各水分產生用反應爐WG1
、WG2
之分流供給。
圖5,係為當使用2台之水分產生用反應爐WG1
、WG2
來對在常壓(760 Torr)下作使用之處理室CH供給17SLM之水分氣體W的情況時之系統圖,又,表5,係為展示在圖5之系統圖中,假定限流孔OR1
、OR2
之上.下流間的臨限條件係成立,而從流量Q以及剖面積S所演算出之限流孔上流側壓力者。
另外,式(1)係為代表流量Q之演算式者。
但是,Q係為流量,S係為限流孔剖面積,TH
係為溫度,PH
係為上流壓力,C係為常數187021,C’係為從實流量所換算而來之修正值(C×0.82)。
在與前述圖5相同之系統圖中,對使對應於產生17SLM之水分的量之H2
與O2
的混合氣體G流通的情況時之質量流量計MFC的上流側(管上流側)與下流側(限流孔OR1
、OR2
之上流側)之壓力P1、P2分別作演算,式(2)以及式(3)係為展示該演算式者。
[數式2]Q
=C(P 1
-P 2
)………(2)
但是,在(2)以及(3)式中,Q係為流量,P1
係為上流壓力,P2
係為下流壓力,a係為限流孔半徑,η係為黏性係數,又,當配管壓力損失之計算(H2
/O2
)時由於無法計算出混合氣體G之黏性係數,因此,係如表6所示一般,對H2
之情況與O2
之情況的兩者作計算(H2
之黏性
係數η係為0.88×10-5
Pa.sec,O2
之黏性係數ζ係為1.75×10-5
Pa.sec)。
圖6,係為藉由本發明而實施了2台之水分產生用反應爐WG1
、WG2
之平行運轉的系統圖,於圖6中,RG1
~RG4
係為壓力調整器,V1
~V4
係為閥,FA1
、FA2
係為冷卻風扇,HTC1
、HTC2
、HTC3
、HTC4
係為溫度控制器,HTM1
、HTM2
係為溫度螢幕,水分產生用反應爐WG1
、WG2
之出口側係開放於大氣中。
另外,前述溫度控制器HTC1
以及HTC4
係為將水分產生用反應爐WG1
、WG2
之溫度保持在350℃者,在必要的情況時,係進行有冷卻風扇FA1
、FA2
之運轉控制。又,HTC2
以及HTC3
係為用以將配管路之溫度分別保持在140℃者。進而,在限流孔OR1
、OR2
,係使用有口徑0.7 mm之限流孔洞,又,在水分產生用反應爐WG1
、WG2
,係分別使用有外徑180 mm之5SLM型反應爐。
在圖6之系統圖中,係從氣體混合器M而將混合氣體G(H2
=6~10SLM,O2
=7SLM)通過兩限流孔OR1
、OR2
來流至兩水分產生用反應爐WG1
、WG2
,並對水分產生時之溫度變化、未反應H2
濃度、O2
以及H2
氣體之供給壓力PH
、PO
分別作了測定。另外,水分產生量,係對1台之水分產生用反應爐,設為6SLM~10SLM之間。
表7,係為展示於前述圖6中之水分產生試驗的結果者,又,圖7係為展示試驗結果之概要的線圖。
如同由圖7及表7亦可清楚明白一般,藉由分流,對各水分反應爐WG1
、WG2
係流入有均等量之混合氣體G,而兩水分反應爐,係藉由略為同等之水分產生反應,而產
生有同等之溫度上升。又,未反應H2
之濃度亦為低值,而得知其係為安定。
本發明,係不僅可適用於半導體製造設備或是化學品製造設備,而亦可適用於食品產業或醫藥品產業中之高純度水供給設備等。
H2
‧‧‧氫氣
O2
‧‧‧氧氣
N2
‧‧‧氮氣
M‧‧‧H2
與O2
之氣
體混合器
G‧‧‧混合氣體(原料氣體)
WG1
、WG2
‧‧‧水
分產生用反應爐
OR1
、OR2
、0R3
‧‧‧限流孔
S‧‧‧H2
氣體
感測器
F‧‧‧過濾器
CH‧‧‧製程處理室
P1
、PW1
、PW2
、
PC
‧‧‧壓力計
W1
、W2
、W‧‧‧水分(水分氣體)
L1
、L2
、
L3
、L4
‧‧‧配管路
MFC1
、MFM1
、MFM2
‧‧‧質量流量計
HTC1
~HTC4
‧‧‧溫度控制器
RG1
~RG4
‧‧‧壓力調整器
V1
~V4
‧‧‧閥
FA1
、FA2
‧‧‧冷卻用風扇
HTM1
、HTM2
‧‧‧溫度
螢幕
1‧‧‧反應爐本體
2‧‧‧入口側爐本體構件
3‧‧‧出口
側爐本體構件
4‧‧‧爐本體之內部空間
5‧‧‧混合氣體(原
料氣體)入口
6‧‧‧水分氣體出口
7、8‧‧‧反射器
9‧‧‧白
金覆蓋被膜
10、11‧‧‧冷卻用風扇
[圖1]展示本發明之第1實施型態的水分產生用反應爐之平行運轉的系統圖。
[圖2]展示本發明之第2實施型態的水分產生用反應爐之平行運轉的系統圖。
[圖3]展示代替混合氣體G而供給N2
氣體,並測定出其對各水分產生用反應爐之分流狀態的系統圖。
[圖4]將表3之各演算值作了圖表化者,(a)係為展示對於流量(MFM1
)之分流誤差的關係;(b)係為展示對於限流孔上流側壓力P2
之分流誤差的關係;(c)係為展示限流孔上流側壓力P2
與計算壓力間之關係;(d)係為展示限流孔上流側壓力與流量之相對分流誤差(%)間的關係。
[圖5]圖5,係為展示對常壓用處理室CH而將17SLM之水分氣體從2台之水分產生用反應爐來作供給的情況時之系統圖。
[圖6]展示使用有2台之水分產生用反應爐(額定5SLM)的現實之平行運轉所致的水分供給狀態之系統圖。
[圖7]展示有圖6之系統圖中的試驗結果之其中一例的線圖。
[圖8]展示先前技術之水分產生用反應爐的其中一例之剖面圖。
[圖9]展示先前技術之附加有冷卻風扇之水分產生用反應爐的其中一例之剖面圖。
H2
‧‧‧氫氣
O2
‧‧‧氧氣
N2
‧‧‧氮氣
M‧‧‧H2
與O2
之氣體混合器
G‧‧‧混合氣體(原料氣體)
WG1
、WG2
‧‧‧水分產生用反應爐
OR1
、OR2
‧‧‧限流孔
S‧‧‧H2
氣體感測器
F‧‧‧過濾器
CH‧‧‧製程處理室
P1
、PW1
、PW2
、Pc‧‧‧壓力計
W1
、W2
、W‧‧‧水分(水分氣體)
L1
、L2
、L3
、L4
‧‧‧配管路
Claims (8)
- 一種水分產生用反應爐之平行運轉方法,其特徵為:係在複數之水分產生用反應爐的各混合氣體入口側配設限流孔,同時將各限流孔之入口側與混合氣體供給管線作並列狀之連接,而成為將氫與氧之混合氣體通過各限流孔來分流供給至各水分產生用反應爐以使水分產生,並將所產生的水分通過水分供給管線來對於水分使用裝置作供給的構成。
- 一種水分產生用反應爐之平行運轉方法,其特徵為:係為在複數之水分產生用反應爐的各混合氣體入口側配設限流孔,同時將各限流孔之入口側與混合氣體供給管線作並列狀之連接,而成為將氫與氧之混合氣體通過各限流孔來分流供給至各水分產生用反應爐處,又,與各水分產生用反應爐之水分氣體出口側作並列連接,並將在各水分產生用反應爐處所產生之水分通過水分供給管線而供給至水分使用裝置之構成。
- 如申請專利範圍第2項所記載之水分產生用反應爐之平行運轉方法,其中,係將水分使用裝置,設為在接近於大氣壓之壓力下所使用的製程處理室。
- 如申請專利範圍第2項所記載之水分產生用反應爐之平行運轉方法,其中,係將水分使用裝置設為在1~700Torr之壓力下所使用的製程處理室,同時,在從各水分產 生用反應爐而來之產生水分的水分供給管線處,設置減壓用限流孔。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之水分產生用反應爐之平行運轉方法,其中,係為將並列連接之水分產生用反應爐設為2台,同時,將配設在各水分產生用反應爐之混合氣體入口側的限流孔設為相同口徑之限流孔,並從混合氣體供給管線,而將幾乎等量之混合氣體供給至各水分產生用反應爐之構成。
- 如申請專利範圍第5項所記載之水分產生用反應爐之平行運轉方法,其中,係將各水分產生用反應爐之額定水分產生量設為5SLM~10SLM,同時,將配設在混合氣體入口側之限流孔的口徑設為0.8~0.6mm 。
- 如申請專利範圍第6項所記載之水分產生用反應爐之平行運轉方法,其中,係將水分產生用反應爐之內壓設為200Torr以上之壓力值。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之水分產生用反應爐之平行運轉方法,其中,係將水分產生用反應爐設為以下之構成:將入口側爐本體構件與出口側爐本體構件以對向狀來組合而形成內部空間,同時,分別在入口側爐本體構件處設置混合氣體入口、在出口側爐本體構件處設置水分氣體出口,並進而在出口側爐本體構件之內壁面處設置白金覆蓋被膜,同時,在內部空間內設置反射器,使混合氣體內之氫氣與氧氣在前述內部空間內以非燃燒狀態下而經由白金覆蓋被膜的觸媒作用來產生反應,以使其產生水分。
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