TWI430046B - Exposure charting device - Google Patents

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TWI430046B
TWI430046B TW097102455A TW97102455A TWI430046B TW I430046 B TWI430046 B TW I430046B TW 097102455 A TW097102455 A TW 097102455A TW 97102455 A TW97102455 A TW 97102455A TW I430046 B TWI430046 B TW I430046B
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Description

曝光描圖裝置
本發明係有關於一種在電路板、液晶元件用玻璃基板、PDP用玻璃元件基板等平面基材的表面形成圖案的曝光繪圖裝置。
例如，電路板(印刷電路板)係被搭載於行動電話、各種行動裝置(mobile)及個人電腦等。搭載於這些被搭載機器的基材的圖案係，傾向於要求其解析度、及連接用面(land)徑、孔(via)徑等相當細微的構成。對應於這些要求，在圖案形成用曝光工程中，有必要增加曝光裝置的光量。又，有必要提高光的矯正度、提高平行光的精度等。
另一方面，在短期間內生產多品種、量少的產品的要求變強。在習知的曝光裝置，即使是接觸方式或投影曝光方式，要形成圖案則必須有光罩，而在此光罩的準備、管理及維持方面，難以符合要求。
因此，將構成圖案的資料從CAD資料直接作為曝光裝置的光線的控制信號而利用的直接曝光方式和其裝置的要求變高。然而，習知的直接曝光裝置係由於使用405nm雷射作為照射至被曝光媒體的光線，有關被曝光媒體的圖案形成的反應速度變慢。因此，解決這些問題的曝光繪圖裝置的設計係被強烈希望的。
[專利文獻1]日本特開2006－113413[專利文獻2]日本特開2006－337475[專利文獻3]日本特開2006－343684
然而，習知的曝光繪圖裝置由於使用405nm雷射光作為照射至被曝光媒體的光線，有關被曝光媒體的圖案形成的反應速度變慢，會妨礙電路形成的生產性。又，在作為大型基板的被曝光體的全面形成圖案時，有必要搭載複數個空間光調變元件，在這些元件照射強的雷射光會有成本的問題。
在專利文獻2或專利文獻3揭露的圖案繪圖裝置係，為將少量輸出的七根UV燈光源藉由光纖供給光線至一或複數個光學系統的曝光繪圖裝置。又，如專利文獻2或專利文獻3的第6圖所示般，在曝光繪圖裝置中，光纖的入射端被配置於橢圓鏡的第二焦點位置。因此，有難以調整少量輸出的七根UV燈光源的光量，無法控制成配合被曝光體的感光條件的光線的問題。
本發明的目的在於提供一種曝光繪圖裝置，搭載著少數的光源和複數個作為空間光調變元件的DMD(Digital Micro－mirror Device，數位微型反射鏡元件)元件，在確保高運轉率之同時，以簡易的照明光學系統分離成複數個光束。
第一觀點的曝光繪圖裝置係包括：光源，照射紫外線；照明光學系統，將來自光源的光束成形為平行光；有孔構件，被配置於來自照明光學系統的平行光中，具有分離成第一光束和第二光束的第一窗及第二窗；第一導光裝置及第二導光裝置，導引在有孔構件被分離的平行光的第一光束及第二光束；第一及第二空間光調變裝置，將在第一導光裝置及第二導光裝置被導引的第一光束及第二光束做空間調變；以及第一及第二投影光學系統，將在這些第一及第二空間光調變裝置被空間調變的第一光束和第二光束導引至被曝光體。
藉由此構成，曝光繪圖裝置係，將有孔構件配置於照明光學系統的平行光的光束中，形成第一光束和第二光束。有孔構件20的入射側和出射側的光束的關係為，與亥姆霍茲－拉格朗日(Helmholtz－Lagrange)的不變式無關，可效率佳地得到倍率不變的影像作為所希望的四個光學系統。
第二觀點的曝光繪圖裝置的第一及第二空間光調變裝置係，具有由複數的反射元件構成的矩形形狀的反射面，第一窗和第二窗係為和反射面相似形狀的矩形形狀。
藉由此構成，有孔構件的第一窗及第二窗係為和第一及第二空間光調變裝置反射面的矩形形狀的相似形狀。因此，可有效率地照射光束至各空間光調變裝置的表面，不會照射無用的光束至空間光調變裝置的表面以外的部分。因此，難以成為影響空間光調變裝置的精度或動作般的空間光調變裝置的基台的溫度變化等的原因。
第三觀點的曝光繪圖裝置的第一導光裝置及第二導光裝置係，包含一個以上兩個以內的全反射光學元件。
由於使用少數的反射光學元件，可不衰減光量而將光導引至第一及第二空間光調變裝置。
第四觀點的曝光繪圖裝置的第一導光裝置及第二導光裝置係，具有可變化開口面積而調整透過的光量的光圈調整部，此光圈調整部係具有散熱構件。
第四觀點的曝光繪圖裝置係，藉由有孔構件將一個光束分離成第一及第二光束。因此在第一及第二光束產生光量差的情形，在光圈調整部調整。因為在此光圈調整部熱容易累積，藉由散熱構件抑制溫度上升。
第五觀點的曝光繪圖裝置的第一及第二空間光調變裝置係，具有由複數的反射元件構成的矩形形狀的反射面，第一窗和第二窗係為扇形狀。
藉由此構成，因為有孔構件的第一窗及第二窗為扇形，可將由照明光學系統被照明的圓形剖面的光束有效率地分離為第一光束及第二光束。
第六觀點的曝光繪圖裝置的第一導光裝置及第二導光裝置係，包含有孔構件側為扇形狀而第一及第二空間光調變裝置側為矩形形狀的光纖束。
藉由此構成，從扇形的有孔構件的第一窗及第二窗，可藉由光纖有效率地導引曝光光線至矩形形狀的第一及第二空間光調變裝置。一般而言，光纖係使曝光光線成為散射光，與全反射鏡相比，光量衰減，但因為大致不將圓形的照明光學系統的光量浪費，效率佳。
有關本發明的曝光繪圖裝置係，可將從光源發射的紫外線的平行光的曝光光線有效率地分離成複數的光束。
 <曝光繪圖裝置的全體構成>
第1圖係表示曝光繪圖裝置100的概略立體圖。曝光繪圖裝置100係大致分為照明光學系統30、導光光學系統37、空間光調變部41、投影光學系統60以及被曝光體台90。在本實施例中，為了對大面積的被曝光體CB做曝光而具備兩系統的照明光學系統30－1及照明光學系統30－2。曝光繪圖裝置100的照明光學系統30－1及照明光學系統30－2係具有第一高壓水銀燈10－1及第二高壓水銀燈10－2(參考第2圖)。又，在本實施例中，由於具有複數個相同系統的光學系統等，特別在區別說明的時候，在符號之後，加上「－1」、「－2」等。
第2圖係表示照明光學系統30－1及照明光學系統30－2的概念圖。以下由於照明光學系統30－1及照明光學系統30－2兩系統是相同的構造，因此僅說明一系統的照明光學系統30－1。
第一高壓水銀燈10－1係配置於橢圓鏡11－1的第一焦點位置上。橢圓鏡11－1將從高壓水銀燈10照射的UV光有效地反射至第二焦點位置的方向。除了高壓水銀燈之外，也可以使用氙氣燈或閃光燈。
配置於照明光學系統30－1的第一高壓水銀燈10－1係為了使其光輸出穩定在所定的位準，藉由曝光繪圖裝置100的電源控制部(未圖示)，從電源投入到切斷保持射出所定位準的照明光。因此，不曝光被曝光體CB的期間，為了遮蔽曝光光線IL，在橢圓鏡11－1的第二焦點位置上配置著遮片13－1。將遮片13－1配置於橢圓鏡11－1的第二焦點位置的理由是由於從高壓水銀燈10被射出的曝光光線IL被集中於第二焦點位置，遮片13－1可以少的移動量而遮蔽曝光光線IL。
照明光學系統30－1包含準直透鏡31－1及複眼透鏡32－1等，將曝光光線IL成形為均一的光強度的光束。形成於橢圓鏡11－1的第二焦點位置的來自光源像的發散光首先係由準直透鏡31－1成為大略平行的光束，而入射至波長選擇濾光器15－1。
此波長調整濾光器15－1係搭載著複數個濾光器。此濾光器的選擇係對應於塗佈在被曝光體的光阻的種類而決定。
波長被選擇的曝光光線IL係入射於複眼透鏡32－1，在光束範圍內照射強度被均一化。複眼透鏡32－1係，由複數個正透鏡元件(lens element)，使其中心軸線沿著光軸延伸般，縱橫地且稠密地配置而構成。因此，入射至複眼透鏡32－1的光束係，藉由複數個正透鏡元件而被波面分割，在其後側焦點面(亦即，射出面的附近)，形成由和透鏡元件的數目相同的數目的光源像構成的二次光源。亦即，在複眼透鏡32－1的後側焦點面，實質的面光源被形成。又，如本發明般，將來自光源的光線在光學系統上控制的光結合器(optical integrator)係，不限於複眼透鏡，也可為包含繞射光學元件、微小透鏡單元的集合體構成的微複眼透鏡，或包含內面反射型的桿狀結合器(中空管或光管、棒狀玻璃桿等)的構成。
來自複眼透鏡32－1的光束係入射至集光透鏡33－1。經由集光透鏡33－1的光束係將有孔構件20－1重疊地照明。另一系統的照明光學系統30－2也相同，將有孔構件20－2重疊地分別照明。被均一化的曝光光線IL係照明具備四個開口矩形窗21與光量檢測用的檢測窗29的有孔構件20－1。曝光光線IL係相對於有孔構件20－1正交而從Z方向入射，分割成四道光束。由全反射鏡或全反射稜鏡等的反射光學元件22－1被反射至水平方向。
回到第1圖，由有孔構件20－1、有孔構件20－2、反射光學元件22－1及反射光學元件22－2被分離成八道的曝光光線IL係由全反射鏡23－1至全反射鏡23－8被反射至Y方向。由全反射鏡23－1至全反射鏡23－8所反射的曝光光線IL係入射於導光光學系統37－1至導光光學系統37－8。
入射於導光光學系統37－1至導光光學系統37－8的曝光光線IL係被成形為適當的光量及光束形狀，而被照射至作為空間光調變元件的排成一列的八個DMD元件41－1至DMD元件41－8。DMD元件41－1至DMD元件41－8係由被供給的圖像資料將曝光光線IL做空間調變。由DMD元件41－1至DMD元件41－8所調變的光束係經由投影光學系統60－1至投影光學系統60－8，作為所定的倍率之後，被照射至被曝光體CB。
此投影光學系統60係為了在被曝光體CB中使八個系統的各光路的照明區域均一，在八個系統的各光路中微妙地調整倍率。又，也可對應於被曝光體CB的大小而調整倍率。曝光繪圖裝置100具備合計八個投影光學系統60，此八個投影光學系統60在X方向上配置成一列。配置成一列的DMD元件41及投影光學系統60係，製造容易且保養也容易。
曝光繪圖裝置100係在投影光學系統60的Z方向下側，具備支持照明光學系統30、導光光學系統37以及投影光學系統60等的框體95。在框體95上配置著一對導軌，在這些導軌上搭載著被曝光體台90。此被曝光體台90係藉由未圖示的驅動機構被驅動，例如，將球螺桿等藉由步進馬達等的馬達驅動。藉此，被曝光體台90係沿著一對導軌，在其長度方向的Y方向，對於投影光學系統60相對移動。在被曝光體台90上設置著作為被曝光體CB的塗佈有光阻的基板，此被曝光體CB在被曝光體台90上由真空吸附而被固定。被曝光體台90係被購成為，也可於X方向移動，又，也可移動至投影光學系統60的焦點位置般也可在Z方向移動。
<有孔構件20的配置位置>
在此有孔構件20被配置在照明光學系統30的平行光的位置。以下說明有孔構件20的開口矩形窗21係被配置在不與亥姆霍茲－拉格朗日的不變定理一致的位置。
一般來說，在投影一定的影像的照明光學系統，通過透鏡等的光學元件的光束係由PA．LA＝PB－．LB的關係式決定(亥姆霍茲－拉格朗日的不變式，其中PA為入射側的影像高度，LA為入射距離，PB為成像的高度，LB為成像的距離)。
因此，一個光學影像係，夾持透鏡等的光學元件，在入射側(投影像)和出射側(成像側)，橫倍率和角倍率係相互成為反比例。因此，平行光被投影的話，藉由光學元件，成像側的光束係收束，或藉由發散的角度和距離，影像被限定。亦即，光束的角度和距離的關係，亦即，開口數NA(Numerical Aperture)係成為和投影側的成像性能有關係，藉由所謂的光源側的開口數NA和成像側的開口數NA的關係，被投影的影像被限制。
一般而言，如日本特開2006－337475號公報或日本特開2006－343684號公報的第6圖所示般，設置將光源的光束暫時成像、導引此被成像的光束、成像在最終目的面的光學系統。
相對地，本實施例係，不使光源的光束成像，將形成有把平面區分為四個矩形的開口矩形窗21的平板狀的有孔構件20插入成與平行光的光束成正交。因為將一道光束分離成四道，有孔構件20的入射側和出射側的光束的關係為，與亥姆霍茲－拉格朗日的不變式無關，可效率佳地得到倍率不變的影像作為所希望的四個光學系統。
<第一導光光學系統：從有孔構件20至DMD元件41>
第3圖係表示第一導光光學系統37、DMD元件41及投影光學系統60的立體圖。
通過有孔構件20－1及20－2的Z方向的光束係以平面鏡或在表面反射入射光的稜鏡等的反射光學元件22－1及反射光學元件22－2被反射至X方向。亦即，以有孔構件20－1分離成四道的曝光光線IL係以反射光學元件22－1被反射，在X方向上被分離成光路IL1、光路IL2、光路IL3以及光路IL4。同樣地，以有孔構件20－2分離成四道的曝光光線IL係由反射光學元件22－2被反射，在X方向上被分離成光路IL5、光路IL6、光路IL7以及光路IL8。被分離的光路IL1至光路IL8係由全反射鏡23－1至全反射鏡23－8被反射至Y方向，而朝向DMD元件41－1至DMD元件41－8。
在全反射鏡23－1至全反射鏡23－8被反射的光束係經由由透鏡等的光學元件及光圈調整部35所構成的第一導光光學系統37－1至第一導光光學系統37－8而導入DMD元件41。如第3圖所示般，被分離的光路IL1、光路IL4、光路IL5及光路IL8至個別的DMD元件41的距離是相等的，被分離的光路IL2、光路IL3、光路IL6及光路IL7至個別的DMD元件41的距離是相等的。但是光路IL1、光路IL4、光路IL5及光路IL8係與光路IL2、光路IL3、光路IL6及光路IL7的光路長度不同。在DMD元件41－1至DMD元件41－8被反射的曝光光線IL係經由投影光學系統60－1至投影光學系統60－8，必須以均一的形狀照射至被曝光體CB。亦即，若從DMD元件41到被曝光體CB的光路長度不是一定，則形成的最終的圖案的解析度、其他品質隨著照射曝光光線IL的光路而變化。因此，從全反射鏡23－1至全反射鏡23－8到DMD元件41－1至DMD元件41－8的光路IL1至光路IL8矯正成均一的焦點距離的光線而投入DMD元件41。當然，與第3圖不同、在從全反射鏡23到DMD元件41的全部光路長度不同的情況下，必須個別調整。
第4圖係表示第一導光光學系統37的一系統的Y－Z剖面的圖示。
在有孔構件20、反射光學元件22及全反射面鏡23被反射的光束IL經由透鏡等光學元件及由光圈調整部35所構成的第一導光光學系統37而導入DMD元件41。
第4圖所示般，光圈調整部35在與光軸正交的位置上設置光圈窗，設定此光圈窗的面積使四個被分離的各光束IL照射至被曝光體CB的光量均一。此光圈部的面積的設定係以馬達等驅動而設定。也可為，測量透過光量、固定至使透過光量成為所定的光量的開口的光圈。
在光圈調整部35，高壓水銀燈10的大約1/4的光量，亦即，熱量係投入光圈窗。此光圈窗調整光圈窗的面積使光束IL的光量均一化時，由於光圈窗的內徑的邊緣會遮蔽光束IL，在光圈調整部35會產生熱。因此在光圈調整部35設置翼狀的散熱部35F，以冷卻噴嘴吹冷媒而限制光圈調整部35的溫度上升。安裝於此光圈調整部35的散熱部35F係以複數個翼狀的平板所構成也可。
通過第一導光光學系統37的光束IL係以鏡子39被反射至Z方向，而導入反射稜鏡43。在反射稜鏡43藉由改變反射角，將入射光束IL導入DMD元件41，同時將藉由DMD元件41的微型反射鏡M被反射的光束IL反射至投影光學系統60的方向。
又，第5圖係表示從Y方向觀看的反射光學元件22－1及22－2、以及全反射鏡23－1至全反射鏡23－8的圖示。
如第5圖所示般，在反射光學元件22－1及反射光學元件22－2的中央部設有孔部或無遮蔽物的穿過部22A。又，第一光量感測器SS11及第二光量感測器SS12係配置於穿過部22A下方。第一光量感測器SS11及第二光量感測器SS12係量測第一高壓水銀燈10－1及第二高壓水銀燈10－2的光量。
<有孔構件>
第6圖係表示各種有孔構件20的圖示。有孔構件20－1及有孔構件20－2係由金屬或陶瓷等低蓄熱性且熱膨脹係數小的材料形成。由於曝光光線IL的一部份被照射至有孔構件20－1及有孔構件20－2，熱容易累積。又，也可以在有孔構件上設置散熱構件，使有孔構件20－1及有孔構件20－2的大小不會因熱膨脹而變形。
有孔構件20係具有對應於DMD元件41的數量的矩形窗21。例如，DMD元件的光反射面為長14mm寬12mm的矩形的大小。因此，被照射至DMD元件的光反射面的曝光光線IL必須是配合光反射面的矩形，必須配合DMD元件的數量。
本實施例的曝光繪圖裝置100係，藉由一系統的照明光學系統30和四個系統的DMD元件41以及投影光學系統60的組合所構成。因此，有孔構件20係，如第6圖所示般，具有在以一點虛線表示的曝光光線IL的光束IL中將光束IL分離為四個系統的矩形窗21。
在第6(a)圖所示的有孔構件20－A係，以通過曝光光線IL的中心CI的X軸為基準，在45度方向、135度方向、225度方向、以及315度方向具有矩形窗21。亦即，以矩形窗21的一邊為基準，在45度方向、135度方向、225度方向、以及315度方向配置四個矩形窗21。又，此有孔構件20－A係，在此有孔構件20－A的中心，設置一個ψ 3至ψ 5mm的光量檢測用的檢測窗。檢測窗29係為圓形形狀也可、矩形形狀也可，因為曝光光線IL係已成為均一光束，只要在光束IL內，配置在光束IL內的那裡都可以。
第6(b)圖係，表示以通過曝光光線IL的中心CI的X軸為基準，在0度方向、90度方向、180度方向、以及270度方向具有矩形窗21，在135度方向設置一個檢測窗29的有孔構件20－B。
第6(c)圖係，表示在Y軸方向具有四個矩形窗21，在從Y軸分離的位置設置一個檢測窗29的有孔構件20－C。
有孔構件20係，在以上的第6(a)圖至第6(c)圖的矩形窗21的配置以外的矩形窗21的配置也可。然而，必須考慮DMD元件41的數目以及光反射面的大小、和曝光光線IL的光束IL的關係。曝光光線IL的光束IL的直徑係，給予影響至照明光學系統的光學元件的直徑。亦即，儘可能使光束IL的直徑小即可由小照明光學系統足夠，可降低成本。比較第6(a)圖的曝光光線IL的光束IL的直徑ψ L1、第6(b)圖的曝光光線IL的光束IL的直徑ψ L2、以及第6(c)圖的曝光光線IL的光束IL的直徑ψ L3的話，ψ L2最小。因此，在DMD元件的數目為四個且光反射面為14mm x 12mm的情形，選擇第6(b)圖的有孔構件20－B係較佳的。然而，必須從平面鏡或在表面反射入射光的稜鏡等的反射光學元件22的形狀、其下游的全反射鏡23的配置，綜合判斷而考慮有孔構件20的矩形窗21的配置。在本實施例，考慮反射光學元件22的形狀，採用有孔構件20－A。
又，本實施例係，將有孔構件20和DMD元件41的光束等倍化。因此，矩形窗21的大小和DMD元件41的光反射面的大小相同。在第一導光光學系統37具有擴大或縮小光學系統的情形，矩形窗21的大小係配合DMD元件41的光反射面的大小而擴大或縮小即可。
<第二導光光學系統：從有孔構件120至DMD元件41>
第7圖係表示作為第二導光光學系統的複數分離型光纖137、DMD元件41及投影光學系統60的立體圖。第8圖係表示第二導光光學系統137的Y－Z剖面的圖示。和在第3圖或第4圖所示的構件相同的構件，附以相同的符號。
通過第二有孔構件120－1及第二有孔構件120－2的Z方向的光束係從複數分離型光纖137的入射端面137A入射至光纖束137。在本實施例中，複數分離型光纖137係將光束IL分離成四道。光纖束137係將複數條細光纖捆束，藉由捆束的方式，可將入射端面137A做成扇形狀、也可做成圓形。又，可將光纖束137的出射端做成矩形。被入射的光束係，在光纖束137內被反射，成為具有均一的照度分佈的複數個光束而出射，到達反射稜鏡43。在反射稜鏡43，藉由變化反射角，將入射的光束IL導引至DMD元件41的同時，將在DMD元件41的微型反射鏡M反射的光束反射至投影光學系統60的方向。
又，為了增加在DMD元件41的光反射面的照度均一性，使光纖束137－1至光纖束137－8的各出射端面形狀和DMD元件41的光反射面形狀一致係較佳地。為了使光纖束137－1至光纖束137－8的各出射端面形狀正確地和DMD元件41的光反射面形狀為相似形狀，在光纖束137－1至光纖束137－8的出射端，框體139－1至框體139－8被設置。為了調整全體的光束IL的光量，將使用於照相機等的可變光圈機構設置於各光纖束137入射端的附近。
<第二有孔構件>
第9圖係表示第二有孔構件120的圖示。第二有孔構件120係由金屬或陶瓷等低蓄熱性且熱膨脹係數小的材料形成。如上述般，由於光纖束137係為將複數條細光纖捆束的，所以可將第二有孔構件120的開口窗的形狀為各種形狀。在第9a圖，第二有孔構件120－A係具有四個扇形狀的窗121－A，配合著扇形狀的光纖束的入射端側。配合四個扇形狀的窗121，其與經由複眼透鏡32在集光透鏡33－1集光的光束的圓形照明一致。
光纖係由於在其內部的多重反射，產生光量衰減，但在第二有孔構件120－A，由於圓形的照明光束IL分離成四道，且和DMD元件41的光反射面的矩形形狀相似，所以浪費的光量少。
又，在第9b圖，第二有孔構件120－B係具有四個圓形狀的窗121－B，配合圓形的光纖束的入射端側。由於光纖束係容易捆束為圓形，可容易製造。
<DMD元件>
第10a圖係表示一個DMD元件41的立體圖，第10b圖係表示微型反射鏡M的動作的圖示。
本實施例的曝光繪圖裝置100係具有八個DMD元件41，其一個DMD元件41的光反射面係由，例如，配置成1024×1280的陣列狀的1310720個的微型反射鏡M所構成。DMD元件41係沿X方向配置1024個微型反射鏡M、沿Y方向配置1280個微型反射鏡M，例如，在X方向具有約12mm的光反射面，在Y方向具有約14mm的光反射面。每個微型反射鏡M的尺寸係，例如，為11.5 μm角。
此DMD元件41係，例如，為藉由靜電作用使在晶圓42上以鋁濺鍍製作的具有高反射率的矩形微型反射鏡M動作的元件(device)。如第10b圖所示般，個別的微型反射鏡M係以對角線為中心而可旋轉傾斜，可定位於穩定的兩個姿勢。當任意的微型反射鏡M(m，n)(1≦m≦1024，1≦n≦1280)被定位於被曝光體CB方向時，入射到此的曝光光線IL係被反射而朝向投影光學系統60。當微型反射鏡M(m，n)定位於投影光學系統60的外側方向時，匯聚的光係向光吸收板(未圖示)被反射而從投影光學系統60離開。
<曝光繪圖的動作>
第11圖係為曝光繪圖的流程圖。
在步驟R11中，第一高壓水銀燈10－1及第二高壓水銀燈10－2的光量係以第一光量感測器SS11及第二光量感測器SS12做確認。未圖示的電源控制部係控制第一高壓水銀燈10－1及第二高壓水銀燈10－2的光量大約均等。第一高壓水銀燈10－1及第二高壓水銀燈10－2的光量大約均等後，遮片13遮蔽曝光光線IL。
在步驟R12中，輸入被曝光體CB在X方向Y方向的尺寸及被塗佈的光阻的感光度條件等。
在步驟R13中，根據被塗佈於被曝光體CB的光阻、及高壓水銀燈10的光量等而計算被曝光體台90的Y方向的移動速度。
在步驟R14中，被曝光體CB被真空吸附於被曝光體台90。
在步驟R15中，遮片13開放，開始被曝光體CB的曝光繪圖。
在步驟R16中，被曝光體台90於Y方向移動。
在步驟R17中，當曝光區域SP1至曝光區域SP8到達被曝光體CB的端部時，遮片13遮蔽曝光光線IL。在此狀態下，被曝光體CB的一半成為曝光完畢區域EX。
在步驟R18中，被曝光體台90於X方向移動。
在步驟R19中，遮片13開放，進行被曝光體CB的曝光繪圖。
在步驟R20中，被曝光體台90於－Y方向移動。
在步驟R21中，再度地，當曝光區域SP1至曝光區域SP8到達被曝光體CB的端部時，遮片13遮蔽曝光光線IL。在此狀態下，被曝光體CB的全面成為曝光完畢的區域EX。
在步驟R22中，被曝光體CB從真空吸附被釋放，被曝光體CB從被曝光體台90取出。
10．．．高壓水銀燈
11．．．橢圓鏡
13－1．．．遮片
15－1．．．波長選擇濾光器
20．．．第一有孔構件
120．．．第二有孔構件
21．．．矩形窗
22．．．反射光學元件
23．．．全反射鏡
29．．．檢測窗
121．．．扇形窗
30．．．照明光學系統
31－1．．．準直透鏡
32－1．．．複眼透鏡
33－1．．．集光透鏡
35．．．光圈調整部
37．．．第一導光光學系統
41．．．DMD元件
60．．．投影光學系統
90．．．被曝光體台
CB．．．被曝光體
IL．．．曝光光線
SS11．．．第一光量感測器
SS12．．．第二光量感測器
137．．．光纖束(第二導光光學系統)
第1圖係表示本發明之曝光繪圖裝置100的概略立體圖；第2圖係表示照明光學系統30－1及30－2的概念圖；第3圖係表示導光光學系統37、DMD元件41及投影光學系統60的立體圖；第4圖係表示導光光學系統37的Y－Z剖面的圖示；第5圖係表示從Y方向觀看的反射光學元件22－1及22－2、以及全反射鏡23－1至全反射鏡23－8的圖示；第6(a)圖至第6(c)圖係表示各種有孔構件的圖示；第7圖係表示第二導光光學系統137、DMD元件41及投影光學系統60的立體圖；第8圖係表示第二導光光學系統137的Y－Z剖面的圖示；第9a圖至第9b圖係表示第二導光光學系統137用的有孔構件120－A和有孔構件120－B的圖示；第10a圖係表示一個DMD元件41的立體圖，第10b圖係表示微型反射鏡M的動作的圖示；以及第11圖為繪圖處理的流程圖。
10－1．．．第一高壓水銀燈
10－2．．．第二高壓水銀燈
11－1．．．橢圓鏡
13－1．．．遮片
15－1．．．波長選擇濾光器
20－1、20－2．．．有孔構件
21．．．矩形窗
29．．．檢測窗
30－1．．．第一照明光學系統
31－1．．．準直透鏡
30－2．．．第二照明光學系統
32－1．．．複眼透鏡
33－1．．．集光透鏡
IL．．．曝光光線
22－1、22－2．．．反射光學元件

Claims (6)

  1. 一種曝光繪圖裝置，包括：光源，照射紫外線；照明光學系統，將來自上述光源的光束成形為平行光；有孔構件，被配置於來自上述照明光學系統的平行光中，具有分離成第一光束和第二光束的第一窗及第二窗；第一導光裝置及第二導光裝置，導引在上述有孔構件被分離的平行光的第一光束及第二光束；第一及第二空間光調變裝置，將在上述第一導光裝置及第二導光裝置被導引的第一光束及第二光束做空間調變；以及第一及第二投影光學系統，將在該等第一及第二空間光調變裝置被空間調變的第一光束和第二光束導引至被曝光體；其中上述第一導光裝置及第二導光裝置係，具有可變化開口面積而調整透過的光量的光圈調整部；上述光圈調整部以被吹冷媒般地構成且具有散熱部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之曝光繪圖裝置，其中上述光圈調整部之上述散熱部以複數個翼狀的平板所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之曝光繪圖裝置，其中上述第一及第二空間光調變裝置係，具有由複數的反射元件構成的矩形形狀的反射面，上述第一窗和第二窗係為和上述反射面相似形狀的矩形形狀。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之曝光繪圖裝置，其中上述第一導光裝置及第二導光裝置係，包含一個以上兩個以內的全反射光學元件。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之曝光繪圖裝置，其中上述第一及第二空間光調變裝置係，具有由複數的反射元件構成的矩形形狀的反射面，上述第一窗和第二窗係為與由上述平行光而形成的圓形照明之中心相同的扇形狀。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之曝光繪圖裝置，其中上述第一導光裝置及第二導光裝置係，包含上述有孔構件側為扇形狀而上述第一及第二空間光調變裝置側為矩形形狀的光纖束。
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