TWI425601B - 光電組件 - Google Patents

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TWI425601B
TWI425601B TW098129335A TW98129335A TWI425601B TW I425601 B TWI425601 B TW I425601B TW 098129335 A TW098129335 A TW 098129335A TW 98129335 A TW98129335 A TW 98129335A TW I425601 B TWI425601 B TW I425601B
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Siegfried Herrmann
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Description

光電組件
本發明涉及一種光電組件。
像發光二極體或光二極體之類的光電組件在技術上已可廣泛地被應用。一些觀點提供了此種組件之推廣上的助力，這些觀點包括高的效率和高的壽命。光電組件亦可很緊密且只佔用很少的空間。為了達成較高的發光強度，當然需要將多個光電半導體晶片組合在一個共用的載體或基板上。於是，該組件會有一很大的熱負載。
本發明的目的是提供一種具有良好的熱特性之光電組件。
依據該光電組件之至少一實施形式，其包括一具有安裝側之載體。該安裝側是由該載體的主側所形成。該安裝側較佳是平坦地形成但亦可被結構化。該載體是以一種高導熱率的材料來製成，該導熱率較佳是至少50W/(m K)，特別是至少120W/(m K)。該載體具有足夠的機械穩定性，以防止該載體的彎曲或使該載體上所施加之組件不會受損。
依據該光電組件之至少一實施形式，該載體包括一功能元件。經由此一功能元件，該載體具有至少另一功能其超越了位於該載體上之組件之機械穩定性及/或多個光電半導體晶片之共同的電性接觸功能。該功能元件因此可主動地以電力來驅動或具有一種電性功能。經由該至少一功能元件，則該載體的特性(特別是熱性和電性)可針對一具體的應用上的需求來有效地調整。
依據該光電組件之至少一實施形式，其具有至少一光電半導體晶片。此光電半導體晶片可構成發光二極體、電致發光二極體、雷射二極體或光二極體。此光電半導體晶片特別是電磁輻射用的接收元件或發送元件。
依據該光電組件之至少一實施形式，此光電半導體晶片是一種無基板之半導體晶片。無基板是指：具有至少一活性區之層例如以磊晶方式生長在生長基板上。此種半導體晶片及其製造方法已揭示在文件DE 10 2007 004 304 A1中，其已揭示的內容之有關半導體晶片及其製造方法之部份藉由參考而收納於此處。
依據該光電組件之至少一實施形式，該無基板之半導體晶片所具有的厚度小於100微米，較佳是小於50微米，特別是小於10微米。
依據該光電組件之至少一實施形式，該半導體晶片具有一個上側和一個與該上側相面對的下側。此上側和下側是由半導體晶片之主側所形成。
依據該光電組件之至少一實施形式，此光電半導體晶片在該上側和下側上具有電性接觸區。換言之，該半導體晶片之電性接觸位置位於互相面對的側面上。特別是該半導體晶片不是所謂覆晶(Flip-Chip)。
依據該光電組件之至少一實施形式，該光電半導體晶片施加在安裝側上。特別是該光電半導體晶片直接固定在該安裝側上。這不排除：在該光電半導體晶片和該安裝側之間存在一種連接媒體(例如，黏合劑或焊劑)。此外，該光電半導體晶片可直接施加在至少一功能元件上。
依據該光電組件之至少一實施形式，其包括至少一電性接觸膜。此接觸膜較佳是以金屬來形成。同樣，此接觸膜亦可由一種透明的材料來形成，例如，由透明的導電氧化物(簡稱為TCOs)來形成，特別是以氧化銦錫來形成。
依據該光電組件之至少一實施形式，該接觸膜被結構化。即，該接觸膜是指位於該半導體晶片之表面上之導電軌。此種已結構化的接觸膜可被蒸鍍而形成。例如，該接觸膜具有多個L-形的部份區域，其由另一部份區域以框形的方式而圍繞著，其中該些L-形的部份區域顯示互相不同的腰長。
依據該光電組件之至少一實施形式，該接觸膜施加在該光電半導體晶片之上側上。該接觸膜因此用來使該半導體晶片達成電性接觸作用。該接觸膜之結構化進行時較佳是只使該半導體晶片之上側之一小部份被該接觸膜所覆蓋，此一小部份特別是小於35%，較佳是小於20%。
在該光電組件之至少一實施形式中，其載體具有一安裝側和至少一功能元件。此外，此光電組件包括至少一無基板之光電半導體晶片，其具有上側和一與該上側相面對的下側，其中該半導體晶片之一電性接觸區是以該上側和下側來作成，且該下側是與該載體之安裝側相面對。該至少一半導體晶片施加在該安裝側上。此外，該光電組件包括至少一在該半導體晶片之上側上的電性接觸膜，其中此接觸膜已被結構化。
此種光電組件以緊密方式來構成且具有良好的熱性。
依據該光電組件之至少一實施形式，該載體的厚度是在30微米和1毫米之間，特別是在50微米和100微米之間。藉由載體之此種小的厚度，則可確保該載體具有小的熱阻。即，在該光電組件操作時該半導體晶片中所產生的熱可經由該載體而有效地由該光電組件中發出。
依據該光電組件之至少一實施形式，至少一個半導體晶片在主側上至少依位置而具有一種金屬電鍍層，其厚度在垂直於半導體晶片之方向中可超過2微米。此電鍍層較佳是施加在該半導體晶片之下側上。
依據該光電組件之至少一實施形式，其包括多個半導體晶片。多個之意義是：該光電組件具有至少二個、特別是至少四個、較佳是至少八個半導體晶片。藉由使用多個半導體晶片，則可實現一種發光強度大的光源。
依據該光電組件之至少一實施形式，其具有多個半導體晶片，該些半導體晶片至少在該載體的安裝側之具有至少二個半導體晶片之一區域中緊密地封裝著。該區域較佳是包括至少四個半導體晶片，且較佳是包括至少一半(特別佳時是全部)之施加在該載體上的半導體晶片。”緊密地封裝著”之意義是指，半導體晶片在該區域中覆蓋該安裝側的面積之至少60%，特別是可覆蓋大於80%，更佳時可覆蓋大於90%之該面積。半導體晶片之高的封裝密度造成特別強的光源，其亦因此具有高的亮度。由於半導體晶片不具有基板，以及該載體較佳是以薄的形式來構成且具有高的導熱性，則半導體晶片操作時所產生的熱可良好地排出。由於該半導體晶片和載體具有小的熱阻，則該多個半導體晶片可緊密地封裝著。
依據該光電組件之至少一實施形式，至少一功能元件和至少一個半導體晶片在與該安裝側平行的方向中互相重疊著。換言之，該功能元件和該半導體晶片投影在該安裝側上，使該功能元件和該半導體晶片之投影面積相重疊。藉由此種重疊，則可緊密地配置半導體晶片且因此可緊密地構成該光電組件。藉由功能元件和半導體晶片之重疊，則若功能元件之材料所具有的導熱率大於載體時，亦可使該載體之熱阻下降。
依據該光電組件之至少一實施形式，功能元件積體化於載體中。即，功能元件以單件方式而與該載體一起構成。這特別是表示：該功能元件整體上或一部份是位於安裝側與該載體之一與該安裝側相面對之主面之間。該功能元件較佳是以其所佔用的體積之至少80%都位於該安裝側與該載體之與該安裝側相面對之主面之間。該功能元件亦可積體化於該載體上。即，該功能元件直接與該載體形成實際上的接觸。特別是該功能元件可固定地(即，不可逆)與該載體相連接。所謂不可逆是指，該功能元件不是經由插通或插接而去除且在無工具的輔助下不能”被去除後又可再被接合”。焊接或黏合亦屬一種不可逆的連接。在去除該功能元件時該載體之功能可能受損。藉由該功能元件積體化於該載體中，則可使光電組件之空間需求下降。該功能元件亦可直接與該載體形成熱接觸。
依據該光電組件之至少一實施形式，該功能元件包括電線，使各個半導體晶片可各別地受到控制。即，每一半導體晶片可各別地被施加電流而與其它半導體晶片無關。於是，可製成一種光電組件，其可依據具體的需求而發光。藉由各個半導體晶片之各別的可控制性，則可使熱負載下降，此乃因例如在照明裝置中不需要的半導體晶片可被關閉或進行調光。
依據該光電組件之至少一實施形式，一功能元件配屬於每一半導體晶片。該功能元件的至少一部份可位於該半導體晶片之下側。藉由功能元件之此種配置方式，則可使該光電組件達成緊密的構造。
依據該光電組件之至少一實施形式，半導體晶片配置成至少二個組。例如，在相同光譜區中發光或施加在該安裝側上之不同區域中的半導體晶片組合成一組。就像各別的半導體晶片一樣，各別的組可藉由適當構成的功能元件來各別地控制。半導體晶片之各別的組可有效率地進行操作，使該光電組件之功率消耗可下降且因此亦可使熱負載下降。
依據該光電組件之至少一實施形式，該載體及/或該功能元件是以半導體材料或陶瓷來構成。
依據該光電組件之至少一實施形式，該功能元件以主動式冷卻體來構成。例如，該功能元件是一種可以單件方式積體化於該載體中的Peltier元件。此外，該功能元件亦可以由通風器或具有冷卻流體之冷卻回路來構成。由光電組件所產生的熱可特別有效地經由此種功能元件而排出。
依據該光電組件之至少一實施形式，該功能元件構成為一種靜電放電(ESD)用的保護件。換言之，該功能元件用作ESD保護件。藉由此種ESD保護件，則該光電組件可受到保護而不會發生短路。會由於靜電放電而造成短路且會導致各別的半導體晶片之受損。該功能元件例如可以是變阻器、變阻陶瓷體、電阻、蕭特基(Schottky)二極體。該功能元件大致上是與半導體晶片並聯連接著。短路時亦可產生很大的電流，這樣會造成該光電組件有很大的熱負載，其它組件亦會受損。此種現象可藉由ESD保護件而予以避免。
依據該光電組件之至少一實施形式，該功能元件以單件方式而積體化於該載體上。該載體例如以p-摻雜的矽來構成。該功能元件包括至少一個n-摻雜的區域。於是，藉由該功能元件與該載體相結合，則可形成至少一pn-接面。同樣，該載體亦可n-摻雜。此時，該功能元件具有至少一個p-摻雜的區域。此種功能元件可像二極體或電晶體一樣具有省空間之作用。
依據該光電組件之至少一實施形式，該功能元件可以一種調整電路來構成。例如，各別的半導體晶片之電流可經由此一調整電路來各別地控制。由於可各別地控制，則可對半導體晶片進行調光。於是，可使該光電組件的功率消耗下降，熱負載亦減少。
依據該光電組件之至少一實施形式，該載體是由該功能元件來形成。例如，該功能元件是一種以矽為主之晶片，其包括一以調整電路來構成的積體電路。然後，至少一光電半導體晶片或發光二極體施加在該晶片上。
依據該光電組件之至少一實施形式，該功能元件包括至少一用於溫度及/或輻射的感測器。此感測器可以與溫度有關的電阻或光二極體來構成。若此感測器是一種溫度感測器，則其較佳是與至少一個半導體晶片形成熱接觸。若此感測器是一種輻射感測器，則可偵測一種發光二極體晶片之輻射或可對不是來自該光電組件之外來輻射進行偵測。藉由此種感測器，則可使該光電組件受到保護使不會發生過大的熱負載。
依據該光電組件之至少一實施形式，該功能元件是一種位址單元。藉由此種功能元件，則可對各半導體晶片進行定址及/或進行配置。例如，藉由至少一功能元件，則一單一的位址可配屬於每一半導體晶片或每一組半導體晶片，藉此可適當地控制該半導體晶片或該組半導體晶片。
依據該光電組件之至少一實施形式，該調整電路經由至少一信號線而與至少一感測器相連接。此感測器之信號供給至該調整電路中。流經至少一光電半導體晶片之電流之調整至少是依據該感測器之信號來進行。例如，該調整電路可依據該光電組件之溫度來使該光電組件之各別的或全部的光電半導體晶片關閉。於是，可使該光電組件不會受到一種大的熱負載。若該感測器是輻射感測器，則例如可依據外部的輻射來調整該光電組件之電流。在例如黑暗環境中有較小的外來輻射時，則可藉由該調整電路來使電流強度變大。此種調整電路可使該光電組件依據需求而被供應以電流而使熱負載下降。因此，該光電組件之壽命可提高。
依據該光電組件之至少一實施形式，該載體是可表面安裝的組件。即，該載體可藉由表面安裝技術(簡稱為SMT)而與不屬於該光電組件之外部終端載體相連接。這包括：該光電組件可不受損地忍受SMT接觸之架構中所產生的溫度。該載體特別是可焊接在終端載體上。焊接的各接觸區可以一種金屬來構成。藉由一種金屬及/或大面積來形成焊接接觸區，則可確保該光電組件和一外部終端載體之間可形成良好的熱接觸。於是，可使該配置的熱性獲得改良。
依據該光電組件之至少一實施形式，至少一半導體晶片之電功率消耗就該半導體晶片之上側之一面而言至少是1W/mm2 。此電功率消耗特別是至少5W/mm2 。藉由此種電功率密度，則可由該光電組件來實現一種輻射較強的光源。
半導體晶片和具有高的導熱率之薄載體及/或與一種以主動式或被動式冷卻單元來構成之功能元件相結合時，由於高的電功率消耗而可解決熱負載上的問題。
依據該光電組件之至少一實施形式，至少一個半導體晶片焊接在或黏合在該載體及/或該功能元件上。藉由焊接或黏合，則可使該半導體晶片與該載體及/或該功能元件達成一種大面積的接觸。於是，可確保該半導體晶片和該載體及/或功能元件之間有良好的熱接觸。
依據該光電組件之至少一實施形式，該功能元件具有電線，其基本上在該載體的內部中延伸。”基本上”此處是指，電線在該載體內部中延伸至終端位置，且可在終端位置處來與電線相接觸。藉由此種電線，則可使短路的危險性下降。因此，可使用大面積(特別是金屬接觸面)來與該半導體晶片相接觸。大面積的電性接觸區又可使該光電半導體晶片和該載體之間的熱接觸獲得改良。
此處所述之光電組件之可應用的領域大致上是顯示器或顯示裝置的背景照明。此外，此處所述的光電組件亦可用在投影用的照明裝置、探照燈、機動車頭燈或光輻射器或一般照明用的發光媒體中。
以下，將參考圖式中的實施例來描述此處所述的光電組件。各圖式和實施例中相同-或作用相同的各組件分別設有相同的參考符號。所示的各元件和各元件之間的比例未必依比例繪出。反之，為了清楚之故各圖式的一些元件已予放大地顯示出。
第1圖是光電組件1之一實施例。載體2具有一安裝側20，其上焊接著光電半導體晶片4。半導體晶片4是一種無基板之半導體晶片。半導體晶片4具有上側44和一與上側44相面對的下側45。此下側45面對該安裝側20。一金屬接觸膜5施加在該上側44上。經由該接觸膜5以確保均勻的電流可經由整個表面44而施加至該半導體晶片4中。在半導體晶片4之邊緣區上存在多個接觸位置16以進行電性接觸。
電線6a,6b形成功能元件3。經由功能元件3可各別地對各個半導體晶片4進行控制。電線6a接觸該下側45。電線6a由下側開始在該載體2之內部中延伸。電線6a在該載體2之邊緣區域上延伸至安裝側20且在該處形成一電性終端位置17。電線6b經由接觸位置16而導電性地與上側44上之接觸膜5相連接。電線6b由該接觸膜5而延伸至該載體2之安裝側20。為了防止電性上的短路，半導體晶片4之側面設有一絕緣體9。此絕緣體9例如以光阻來形成，其厚度在與該安裝面20相垂直的方向中至少等於該半導體晶片4之高度，但該絕緣體的高度可大於厚度的5倍。由該絕緣體所造成的不平坦性可由電線6b來消除而不需使電線6b中斷。電線6b之位於該安裝側20上的末端是一終端位置17。
與第1圖不同的是，電線6a,6b亦可延伸至一與該安裝側20相面對的載體下側15。由電線6a之末端所形成的終端位置17可以大面積的方式來形成，以便藉由焊接或黏合至一未顯示之不屬於光電組件1之外部終端載體來確保良好的熱接觸。藉由此種連接和該載體2之薄的形式，則可在半導體晶片4和未顯示的外部終端載體之間達成良好的熱耦合。
與第1圖不同的是，同樣可使全部的終端位置17在一小的區域中集中在該載體2上。特別是全部的終端位置17可沿著該載體2之邊緣而配置成一列或二列。
多個半導體晶片4相鄰地位於一與該安裝側20相平行的方向中。由於第1圖顯示的是側面圖，因此只可看到二個半導體晶片4。亦可在該安裝側20上施加二列半導體晶片4。同樣，亦可在該載體2上橫向偏移地安裝多列(特別是二列)的半導體晶片4。
第2圖中顯示半導體晶片4之上側44的俯視圖。在每一個上側44上施加一接觸膜5。此接觸膜5只覆蓋該上側44之面積的一小部份。此接觸膜5以條形的形式而被結構化。此結構化在該表面44上形成矩形或L形的陣列。於是，在半導體晶片4中可達成均勻的電流饋入作用。
在各個上側44之一角落中分別存在一接觸位置16。經由此一接觸位置16可使該接觸膜5導電性地與電線6b相連接。此種連接可藉由焊接來達成。該接觸膜5之位於該接觸位置16附近之條形的部份，可具一離該接觸膜5之與該接觸位置16更遠之條形區域更大的寬度。這樣可使電流均勻地注入至半導體晶片4中。
依據第2圖，四個半導體晶片4緊密地封裝而配置著。相鄰的半導體晶片4之間的距離小於半導體晶片4之橫向尺寸。由晶片上側44所覆蓋的區域18之內部的面積佔有安裝側20(其上安裝著該半導體晶片4)之面積的95%。區域18包括半導體晶片4且在第2圖中是以破折線來圍繞著。半導體晶片4之此種緊密的配置可藉由該半導體晶片4是一種無基板之晶片來達成，該晶片直接安裝在載體2上且因此可使半導體晶片4操作時所產生的熱良好地排出。
在第3圖之實施例中，功能元件3以Peltier元件來構成。在半導體晶片4之下側45和載體2之安裝側20之間安裝一金屬膜12和一由高摻雜之半導體材料所構成的層11。以矽構成的載體2是p-摻雜者，層11是高的p-摻雜層。電線6a,6b用來與半導體晶片4形成電性接觸。電線6b是依據第1圖之實施例的方式來構成。電線6a在橫向中於該載體2之邊緣區域中延伸且形成一終端位置17。
為了防止電性上的短路，電線6a,6b互相之間在朝向該載體2之方向中藉由絕緣體9a,9b來隔離。絕緣體9a,9b可以光阻來構成。
此外，在該載體下側15上以大面積方式安裝一條電線6c。
在該光電組件1操作時，電線6b連接成陽極。電線6a,6c用作陰極。因此，在操作時電流一方面經由電線6a而流經半導體晶片4且亦經由電線6b。另一方面電流經由電線6a而流經金屬膜12、高的p-摻雜層11和該載體2而至電線6c。即，在該金屬膜12和該高的p-摻雜層11之間的界面上由於Peltier效應而達成冷卻作用，在該載體2和電線6c之間的界面上達成加熱作用。半導體晶片4因此被冷卻且載體下側15被加熱。由於電線6c以大面積施加而成，則可在半導體晶片4上達成局部的冷卻且在載體下側15上達成大面積的加熱(因此較小)。藉由載體下側15和大面積的電線6c，則由於Peltier效應和光電組件1之半導體晶片4之操作而可使熱經由未顯示的外部終端載體而排出。
Peltier效應的大小和半導體晶片4之冷卻作用可藉由電線6a和6c之間的電壓來調整。
與第3圖不同，金屬膜12且特別是該高的p-摻雜層11不需經由半導體晶片4之整個下側45而延伸。亦可經由已結構化的層11來達成一種準確且較強的冷卻。金屬膜12例如以金膜來構成。金屬膜12因此可用作半導體晶片4中所產生的輻射之反射器。
第4圖中所示的實施例中該功能元件3以ESD保護件來構成。p-摻雜之矽用作載體2。載體2具有n-摻雜之區域13，其位於安裝側20上，該處有半導體晶片4安裝在該載體2上。電線6b在該光電組件1操作時用作陰極，電線6a用作陽極。半導體晶片4適當地被安裝著。即，半導體晶片4之p-側面對該安裝側20。在半導體晶片4不操作時若形成對操作電壓成相反極性的靜電壓，則此靜電壓可經由載體2和n-摻雜的區域13以及電線6a,6b而導出。於是，可使該光電組件不致於受損。
第4圖B中以三維方式顯示第4圖A之光電組件1。載體2可具有凹口形式的調整單元14，其可在一不屬於光電組件1之未顯示的終端載體上達成準確的安裝。
第5圖之實施例中，該功能元件3包括一調整電路8，其經由電線6而與溫度感測器7和半導體晶片4相連接。電流可經由該調整電路8以依據該溫度感測器7之信號而供應至半導體晶片4。
藉由適當的調整，則可預防該光電組件1之過大的熱負載。
與第5圖不同，亦可將多個半導體晶片4安裝在該載體2上。不同的半導體晶片4可經由唯一的調整電路8和唯一的溫度感測器7來控制或亦可經由多個溫度感測器7或調整電路8來控制。為了供應電流至該調整電路8，載體2中需存在多條電線6，其在該載體2之橫向邊緣區域上延伸至安裝側20和載體下側15。電線6之末端區可構成終端位置17。例如，可藉由焊接、黏合及/或連接線來與未顯示的外部終端載體相接觸。
第5圖之調整電路亦可與第3圖所示的Peltier元件相結合。該調整電路8特別是對電線6a和6c之間的電壓進行調整，且因此可對該Peltier元件之冷卻功率造成影響。同樣，一種ESD保護件可積體化於該調整電路8中。
該調整電路8例如經由光微影步驟而以單件方式積體化於載體2中。載體2可以是具有積體電路之矽晶片。溫度感測器7及/或半導體晶片4可焊接或黏合在該安裝側20上。同樣，溫度感測器7(大致上是一與溫度有關之電阻)亦可以單件方式積體化於載體2中。
該調整電路8和半導體晶片4在與該安裝側20平行的方向中橫向地互相重疊。於是，可實現一特別省空間的緊密配置。藉由該調整電路8與一溫度感測器7之組合，則可使該光電組件1不會發生熱性上的過負載。
或是，光電組件1亦可包括一輻射用的感測器。藉由此一感測器，則可偵測半導體晶片4之輻射或亦可偵測環境之輻射。藉由此種感測器，則在與一調整電路8相組合下可依據各別的需求來調整電流，且因此可使該光電組件1之熱負載下降。
本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各申請專利範圍或不同實施例之各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。
本專利申請案主張德國專利申請案10 2008 045 653.5之優先權，其已揭示的整個內容在此一倂作為參考。
1．．．光電組件
2．．．有功能的載體
20．．．載體的安裝側
3．．．功能元件
4．．．光電半導體晶片
44．．．半導體晶片之上側
45．．．半導體晶片之下側
5．．．電性接觸膜
6a、6b．．．電線
7．．．感測器
8．．．調整電路
9．．．絕緣體
11．．．高摻雜之p-半導體材料
12．．．金屬膜
13．．．摻雜之n-半導體材料
14．．．調整單元
15．．．載體下側
16．．．接觸位置
17．．．終端位置
18．．．區域
第1圖是光電組件之上述一實施例之切面圖。
第2圖是光電組件之上述一實施例之上側和多個接觸膜之俯視圖。
第3圖是具有Peltier元件之光電組件之上述一實施例之剖面圖。
第4A圖是具有ESD保護件之光電組件之上述一實施例之剖面圖，第4B圖是其三維空間的圖解。
第5圖是上述光電組件之另一實施例之切面圖。
1．．．光電組件
2．．．有功能的載體
20．．．載體的安裝側
3．．．功能元件
4．．．光電半導體晶片
44．．．半導體晶片之上側
45．．．半導體晶片之下側
5．．．電性接觸膜
6a、6b．．．電線
9．．．絕緣體
15．．．載體下側
16．．．接觸位置
17．．．終端位置

Claims (15)

  1. 一種光電組件(1)，包括：-一載體(2)，具有一安裝側(20)和至少一功能元件(3)，-至少一無基板之光電半導體晶片(4)，其具有上側(44)和一與該上側相面對的下側(45)，且經由該上側(44)和該下側(45)來與該半導體晶片(4)形成電性接觸，其中該下側(45)是與該安裝側(20)相面對且該半導體晶片(4)安裝在該安裝側(20)上，以及-至少一在該上側(44)上的電性接觸膜(5)，其中此接觸膜(5)已被結構化。
  2. 如申請專利範圍第1項之光電組件(1)，其包括至少四個半導體晶片(4)。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件(1)，其中至少一功能元件(3)和至少一個半導體晶片(4)在與該安裝側(20)平行的方向中相重疊。
  4. 如申請專利範圍第2項之光電組件(1)，其中該功能元件(3)包括電線(6)，使該半導體晶片(4)或半導體晶片(4)所形成的組可各別地受到控制。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件(1)，其中該功能元件(3)是與p-摻雜的矽構成的載體(2)，以單件方式一起被積體化且包括至少一n-摻雜的區域。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件(1)，其中該功能元件(3)包括一主動式冷卻元件，特別是Peltier元件。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件(1)，其中該功能元件(3)包括一防止靜電放電用的保護件。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件(1)，其中該功能元件(3)包括用於溫度及/或輻射之至少一感測器(7)。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件(1)，其中該功能元件(3)包括一調整電路(8)。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件(1)，其中該功能元件(3)包括一調整電路(8)及用於溫度之至少一感測器(7)，並且該調整電路(8)經由一條信號線而與該至少一感測器(7)相連接。
  11. 如申請專利範圍第2項之光電組件(1)，其中在包含至少四個半導體晶片(4)之至少一區域(18)中緊密地封裝著該些半導體晶片(4)。
  12. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件(1)，其中至少一半導體晶片(4)是焊接或黏合在該載體(2)上。
  13. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件(1)，其中該半導體晶片(4)之電功率消耗，相對於該上側(44)之面積之值為至少1W/mm2 。
  14. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件(1)，其中該接觸膜(5)以金屬構成且最多只覆蓋該上側(44)之面積之35%。
  15. 如申請專利範圍第2項之光電組件(1)，其中每一個半導體晶片(4)配置一功能元件(3)，其至少一部份位於該下側(45)上。
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