TWI418890B - 觸控反射式顯示面及其製造方法 - Google Patents

Description

觸控反射式顯示面及其製造方法

本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法，且特別是有關於一種觸控反射式顯示面及其製造方法。

在發展平面顯示器的同時，市場上對於具有更輕、更薄及可撓曲的特性一直是未來顯示器主要追求的目標。這種類型的軟性顯示器、電子紙與電子書所使用的顯示技術包括液晶顯示技術、電泳顯示技術與電致變色顯色技術等。電泳顯示器包括主動元件陣列基板及貼附於主動元件陣列基板上的電泳顯示薄膜。電泳顯示薄膜中具有一顯示基質以及分布於顯示基質中的多個顯示粒子。顯示基質例如是一種顯示溶液，而顯示粒子則是帶有正電或負電極性的粒子。主動元件陣列基板則包括有多個由一主動元件以及一畫素電極所組成的畫素結構。

一般而言，如果要使電泳顯示器具有觸控功能，則可在上電泳顯示器的表面貼附一電容式或是電阻式觸控面板。但是此種以外貼方式將觸控面板貼附於電泳顯示器不但成本較高，而且貼附程序也會增加製程複雜度。因此，目前已經有人提出將光感應元件整合在電泳顯示器之主動元件陣列基板上。然而，由於一般電子紙顯示裝置必須在有環境光的條件下閱讀，因此環境光線通常需通過電泳顯示薄膜之後，才能到達位於主動元件陣列基板上之光感應元件。因而，傳統將光感應元件整合在電泳顯示器之主動元件陣列基板上之方式具有觸控感應不夠靈敏的問題。

本發明提供一種觸控反射式顯示面及其製造方法，其可以解決傳統電子紙顯示裝置的觸控感應靈敏度不佳的問題。

本發明提出一種觸控反射式顯示面板，其包括前基板、多條掃描線、多條資料線、多個畫素結構、多個光感應元件、多個讀出元件、後基板以及反射式顯示介質。前基板具有內表面。掃描線與資料線設置於前基板之內表面上且彼此交錯設置。畫素結構設置於前基板之內表面上，每一畫素結構跟對應的掃描線與資料線電性連接。光感應元件設置於前基板之內表面上。每一讀出元件與對應的光感應元件電性連接。後基板與前基板對向設置。反射式顯示介質密封於前基板與後基板之間。特別是，上述之每一光感應元件包括設置於前基板之內表面上之透明下電極、設置於透明下電極上之感光富矽介電層以及設置於感光富矽介電層上之上電極。

本發明又提出一種觸控反射式顯示面板的製造方法。首先提供前基板，此前基板具有內表面且其具有多個畫素區域以及多個光感應元件區。在前基板的內表面上形成多條掃描線以及多條資料線，其對應上述之畫素區域。在相對應的畫素區域內形成開關元件以及與開關元件電性連接之畫素電極，其中每一開關元件與對應的掃描線以及資料線電性連接。在相對應畫素區域之光感應元件區內形成光感應元件與讀出元件，其中每一讀出元件與對應的光感應元件電性連接，每一光感應元件包括位於前基板的內表面上之一透明下電極、位於透明下電極上之上電極以及位於透明下電極與上電極之間的感光富矽介電層。將後基板與前基板組立在一起，且密封反射式顯示介質於前基板與後基板之間。

基於上述，由於本發明將光感應元件設置在前基板的內表面，因此外界光線會先通過前基板上的光感應元件之後，才進入反射式顯示介質。這樣一來，可以增加光感應元件的感應靈敏度。另外，本發明之光感應元件是利用感光富矽介電層作為其光導電材料，其在照光狀態時為通路狀態，而在不照光時為斷路狀態。此種光感應元件相較於傳統使用感應薄膜電晶體作為光感應元件具有較佳的光感應效果。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是根據本發明一實施例之觸控反射式顯示面板之剖面示意圖。圖2A是圖1之觸控反射式顯示面板的前基板上之具有光感應元件區與畫素區域之畫素單元的上視示意圖。圖2B是圖2A沿著剖面線A-A’與剖面線B-B’的剖面示意圖。請同時參照圖1、圖2A以及圖2B，本實施例之觸控反射式顯示面板包括前基板100、多條掃描線SL1、SL2、多條資料線DL、多個畫素結構P、多個光感應元件PS、多個讀出元件T2、後基板200以及反射式顯示介質300。

前基板100具有內表面101a以及外表面101b。前基板100可為透明基板。為了使環境光L可以穿透前基板100，前基板100是採用透明或是透光材質，其例如是透明玻璃基板或是透明軟質基板。前基板100之前表面101a主要是作為承載元件之用。前基板100之外表面101b可以為防護層、抗鏡面反射層或其他形式觸控層等，亦可經由外貼膜層達到上述效果。前基板100面向使用者與環境光L，且因環境光L是從前基板100之外表面101b射入觸控反射式顯示面板，因此其又可稱為受光面。

在本實施例中，前基板100之內表面101a上具有多個陣列排列的畫素單元U。在圖1以及圖2A及圖2B中僅繪示出一個畫素單元U來作說明，以使本領域技術人員可以清楚的瞭解本發明。值得一提的是，在圖2A以及圖2B舉例之畫素單元(pixel unit) U中包括畫素區域(pixel region) U1以及光感應元件區(photo sensing device region) U2。然，本發明不限制每一畫素單元U都必須包括畫素區域U1以及光感應元件區U2。根據一實施例，可以在每N個畫素單元U設置一個光感應元件區U2即可，而其他畫素單元U中僅設置畫素區域U1。

請參照圖2A以及圖2B，掃描線SL1、SL2與資料線DL設置於前基板100之內表面101a上，且掃描線SL1、SL2與資料線DL彼此交錯設置。換言之，資料線DL的延伸方向與掃描線SL1、SL2的延伸方向不平行，較佳的是，資料線DL的延伸方向與掃描線SL1、SL2的延伸方向垂直。另外，掃描線SL1、SL2與資料線DL屬於不同的膜層。基於導電性的考量，掃描線SL1、SL2與資料線DL一般是使用金屬材料。然，本發明不限於此，根據其他實施例，掃描線SL1、SL2與資料線DL也可以使用其他導電材料。

畫素結構P設置於前基板100之內表面101a上，每一畫素結構P跟對應的掃描線SL1與資料線DL電性連接。更詳細而言，在前基板100之內表面101a上的每一畫素單元U的畫素區域U1中都設置有畫素結構P。根據本實施例，畫素結構P包括開關元件T1以及畫素電極PE。開關元件T1與掃描線SL1以及資料線DL電性連接，且畫素電極PE與開關元件T1電性連接。更詳細而言，開關元件T1包括閘極G1、通道CH1、源極S1以及汲極D1。閘極G1掃描線SL1電性連接。通道CH1位於閘極G1的上方。源極S1以及汲極D1位於通道CH1的上方，且源極S1與資料線DL電性連接。此外，畫素電極PE藉由接觸窗C1與開關元件T1的汲極D1電性連接。上述之開關元件T1是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。根據其他實施例，上述之開關元件T1也可是以頂部閘極型薄膜電晶體。

根據本發明一實施例，在上述之畫素區域U1內更包括設置有一透明儲存電容電極層102a，其位於前基板100的內表面101a上且位於畫素電極PE與前基板100的內表面101a之間。透明儲存電容電極層102a幾乎佔滿畫素區域U1的面積。而透明儲存電容電極層102a、畫素電極PE與位於透明儲存電容電極層102a與畫素電極PE兩者之間的絕緣層(例如是圖2B所示之絕緣層104、106)即可構成儲存電容器。另外，根據本實施例，在透明儲存電容電極層102a的表面上更包括設置有儲存電容電容電極線CS。儲存電容電容電極線CS直接與透明儲存電容電極層102a電性接觸。儲存電容電容電極線CS的延伸方向與掃描線SL1、SL2的延伸方向平行，且儲存電容電容電極線CS與掃描線SL1、SL2屬於同一膜層。由於儲存電容電容電極線CS電性連接至一共用電壓(Vcom)，因此前基板100上之每一畫素區域U1內的透明儲存電容電極層102a可藉由電容電極線CS而其具有共用電壓(Vcom)。

另外，在前基板100的光感應元件區U2中設置有光感應元件PS。特別是，光感應元件PS包括設置於前基板100之內表面101a上之透明下電極102b、設置於透明下電極102b上之感光富矽介電層110以及設置於感光富矽介電層110上之上電極112。根據本發明之一實施例，上述之透明儲存電容電極層102a與光感應元件PS之透明下電極102b為同一膜層(如圖2B所示)。因此，透明儲存電容電極層102a的材質可與光感應元件PS之透明下電極102b的材質相同。此外，光感應元件PS之感光富矽介電層110包括富矽氧化矽層(SiOx)、富矽氮化矽層(SiNy)、富矽氮氧化矽層(SiOxNy)、富矽碳化矽層(SiCz)、富矽碳氧化矽層(SiOxCz)、氫化富矽氧化矽層(SiHwOx)、氫化富矽氮化矽層(SiHwNy)、氫化富矽碳化矽層(SiHwCz)或其組合，其中0<w<4、0<x<2、0<y<1.34、0<z<1。再者，光感應元件PS之上電極112為一透明電極，其與畫素電極PE屬於同一膜層(如圖2B所示)。因此，光感應元件PS之上電極112的材質可與畫素電極PE的材質相同。

另外，在前基板100的光感應元件區U2中還包括設置有讀出元件T2，此讀出元件T2與光感應元件PS電性連接。根據本實施例，讀出元件T2包括閘極G2、通道CH2、源極S2以及汲極D2。閘極G2掃描線SL2電性連接。通道CH2位於閘極G2的上方。源極S2以及汲極2位於通道CH2的上方。源極S2與一延伸部116(亦可稱為源極延伸部)連接，因此讀出元件T2之源極S2是透過延伸部116與接觸窗C2而與光感應元件PS之上電極112電性連接。上述之讀出元件T2是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。根據其他實施例，上述之讀出元件T2也可是以頂部閘極型薄膜電晶體。

根據本實施例，在前基板100的內表面101a上更包括設置有多條感應訊號讀取線RL，每一感應訊號讀取線RL與對應的讀出元件T2電性連接。更詳細而言，感應訊號讀取線RL與讀出元件T2的汲極D2電性連接。另外，在前基板100的內表面101a上更包括設置有更包括多條感應訊號輸入線IL，每一感應訊號輸入線IL與對應的光感應元件PS之透明下電極102b電性連接。在圖2B所示之實施例中，應訊號輸入線IL是直接設置在光感應元件PS之透明下電極102b的表面上，因此兩者可直接電性接觸。

請再回到圖1，後基板200是設置在前基板100的對向側。根據本發明之一實施例，後基板200的表面上更包括設置有一電極層202。由於本發明之觸控顯示面板是反射式觸控顯示面板，因此後基板200可為不透明基板或者是透明基板，其例如可採用金屬基板、玻璃基板或是軟質基板。

反射式顯示介質300是密封於前基板100與後基板200之間。反射式顯示介質300指的是當光線L從前基板100射入而到達反射式顯示介質300時，反射式顯示介質300會將光線L反射而使其再次從前基板100射出。反射式顯示介質300例如是膠囊式電泳顯示介質(如圖1所示)、微胞式電泳顯示介質、膽固醇型液晶電泳顯示介質或是其他種反射式電泳顯示介質。在前基板100、顯示介質300與後基板200之間可藉由黏著層302而黏著在一起。另外，在前基板100、顯示介質300與後基板200之間還可填入保護層材料，藉以保護前基板100與後基板300上之元件或膜層。

在上述之反射式顯示面板中，由於光感應元件PS是利用感光富矽介電層110作為其光導電材料。當光感應元件PS在照光狀態時為通路狀態。當有觸控操作元件例如是使用者的手指F進行觸控操作而阻擋光線L射入光感應元件PS時(也就是在不照光時)則光感應元件PS為斷路狀態。藉由此種方式偵測感測訊號改變即可感應到觸控位置。

基於以上所述，因上述實施例是將光感應元件PS設置在前基板100的內表面101a，因此外界光線L會先通過前基板100上的光感應元件PS之後，才進入反射式顯示介質300。這樣一來，可以增加光感應元件PS的感應靈敏度。

圖3A至圖3G是根據本發明一實施例之反射式顯示面板的前基板上的元件製造流程示意圖。此為圖2A以及圖2B所示之前基板上的元件製造流程。請參照圖2A、圖2B及圖3A，此前基板100之內表面101a上具有多個畫素單元U，且畫素單元U具有畫素區域U1以及光感應元件區U2(如圖2A所示)，其中圖3A僅繪示出畫素區域U1之對應A-A’的剖面處以及光感應元件區U2之對應B-B’的剖面處。類似地，本發明不限制每一畫素單元U都必須包括畫素區域U1以及光感應元件區U2。根據一實施例，可以在每N個畫素單元U設置一個光感應元件區U2即可，而其他畫素單元U中僅設置畫素區域U1。在前基板100上形成透明下電極102b。根據本實施例，在形成透明下電極102b時，更包括於每一畫素區域U1中形成透明儲存電容電極層102a。

請參照圖2A、圖2B及圖3B，在前基板100之內表面101a上形成掃描線SL1、SL2。同時，在畫素區域U1中形成與掃描線SL1電性連接的閘極G1且於光感應元件區U2中形成與掃描線SL2電性連接的閘極G2。根據本實施例，在形成掃描線SL1、SL2以及閘極G1、G2時，更包括於上述透明儲存電容電極層102a上形成一儲存電容電極線CS，其與透明儲存電容電極層102a電性接觸。另外，在形成掃描線SL1、SL2以及閘極G1、G2時，更包括形成感應訊號輸入線IL，其是直接形成在透明下電極102b的表面上。

請參照圖3C，在前基板100上形成第一絕緣層104，其覆蓋上述所形成的結構(包括掃描線SL1、SL2、閘極G1、G2、感應訊號輸入線IL、透明儲存電容電極層102a及透明下電極102b)。接著，在閘極G1上方之第一絕緣層104上形成通道CH1且於閘極G2上方之第一絕緣層104上形成通道CH2。通道CH1、CH2的材質包括經摻雜的非晶矽，較佳的是通道CH1、CH2的表面還包括歐姆接觸層。

請參照圖3D，在前基板100之內表面101a上形成資料線DL。同時，在畫素區域U1中的通道CH1上形成源極S1以及汲極D1，其中源極S1與資料線DL電性連接，且於通道CH2上形成源極S2以及汲極D2。此時，閘極G1、通道CH1、源極S1以及汲極D1構成開關元件T1，且閘極G2、通道CH2、源極S2以及汲極D2構成讀出元件T2。根據本實施例，於形成源極S1、汲極D1、源極S2以及汲極D2時，更包括形成延伸部116以及感應訊號讀取線RL，延伸部116與源極S2電性連接，感應訊號讀取線RL與汲極D2電性連接。

請參照圖3E，形成第二絕緣層106，其覆蓋上述所形成的結構(包括資料線DL、開關元件T1、讀取元件T2、延伸部116以及感應訊號讀取線RL)。接著，在第二絕緣層106中形成接觸窗開口C1，其暴露出開關元件T1之汲極D1，且於光感應元件區U2之第二絕緣層106以及第一絕緣層104中形成元件開口O，其暴露出透明下電極102b。在此同時，第二絕緣層106中更包括形成有接觸窗開口C2，其暴露出出延伸部116。

請參照圖3F，於光感應元件區U2中形成感光富矽介電層110，其填入第二絕緣層106以及第一絕緣層104中的元件開口O內。感光富矽介電層110以富矽氧化矽層為例，使用化學氣相沉積(CVD)製程，在反應室中通入含矽氣體與含氧氣體，並且適當調整氣體比例，使形成的富矽氧化矽層中矽的含量高於氧化含量。由於此為該項技藝者所熟知，因此不再贅述。

請參照圖3G，畫素區域U1內形成畫素電極PE，其中畫素電極PE更填入接觸窗開口C1以與開關元件T1之汲極D1電性連接。在此同時，更在光感應元件區U2之感光富矽介電層10上形成上電極112。上電極112與更填入接觸窗開口C2內以與延伸部116電性連接。由於延伸部116與讀出元件T2之源極S2電性連接，因此上電極112藉由延伸部116以及接觸窗開口C2得以與讀出元件T2之源極S2電性連接。

在圖3G之步驟之後即完成前基板100上之元件的製作。接著，可將前基板100與後基板200組立在一起，且密封反射式顯示介質300於前基板100與後基板200之間，即可形成觸控反射式顯示面板。

圖4A是根據本發明另一實施例之觸控反射式顯示面板的前基板上之具有光感應元件區與畫素區域之畫素單元的上視示意圖。圖4B是圖4A沿著剖面線A-A’與剖面線B-B’的剖面示意圖。圖4A以及圖4B所示之畫素單元與圖2A與圖2B所示之畫素單元相似，因此相同的元件以相同的標號表示，且在此不再重複贅述。

請參照圖4A以及圖4B，圖4A以及圖4B之畫素單元與圖2A與圖2B之畫素單元不同之處在於光感應元件PS包括透明下電極102b、感光富矽介電層110以及上電極112，其中上電極112為金屬電極。根據本實施例，光感應元件PS之上電極112是直接與延伸部116電性連接，而延伸部116是與讀出元件T2之源極S2電性連接。

而圖4A以及圖4B之畫素單元的製造流程與圖2A與圖2B之畫素單元的製造流程也與圖3A至圖3G所示相似，不同之處僅在於在圖3D之步驟中，於形成源極S1、汲極D1、源極S2、汲極D2以及延伸部116時，即同時形成上電極112，且延伸部116直接與上電極112連接在一起。在本實施例中，由於在形成延伸部116時，即同時形成上電極112，因此後續於形成畫素電極PE時，即不需再形成光感應元件PS之上電極。

綜上所述，由於本發明將光感應元件設置在前基板的內表面，因此外界光線會先通過前基板上的光感應元件之後，才進入反射式顯示介質。這樣一來，可以增加光感應元件的感應靈敏度。

另外，本發明之光感應元件是利用感光富矽介電層作為其光導電材料，其在照光狀態時為通路狀態，而在不照光時為斷路狀態。本發明使用感光富矽介電層作成光感應元件，此種光感應元件相較於傳統使用感應薄膜電晶體作為光感應元件具有較佳的光感應效果。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．前基板

101a．．．內表面

101b．．．外表面

102a．．．透明儲存電容電極層

102b．．．透明下電極

104、106．．．絕緣層

110．．．感光富矽介電層

112．．．上電極

116．．．延伸部

200．．．後基板

202．．．電極層

300．．．反射式顯示介質

302．．．黏著層

T1．．．開關元件

T2．．．讀出元件

PS．．．光感應元件

L．．．光線

F．．．手指

U．．．畫素單元

U1．．．畫素區域

U2．．．光感應元件區

SL1、SL2．．．掃描線

DL．．．資料線

CS．．．電容電極線

IL．．．感應訊號輸入線

RL．．．感應訊號讀取線

G1、G2．．．閘極

CH1、CH2．．．通道

S1、S2．．．源極

D1、D2．．．汲極

C1、C2．．．接觸窗/接觸窗開口

O．．．元件開口

P．．．畫素結構

PE．．．畫素電極

圖1是根據本發明一實施例之觸控反射式顯示面板之剖面示意圖。

圖2A是圖1之觸控反射式顯示面板的前基板上之具有光感應元件區與畫素區域之畫素單元的上視示意圖。

圖2B是圖2A沿著剖面線A-A’與剖面線B-B’的剖面示意圖。

圖3A至圖3G是根據本發明一實施例之反射式顯示面板的前基板上的元件製造流程示意圖。

圖4A是根據本發明另一實施例之觸控反射式顯示面板的前基板上之具有光感應元件區與畫素區域之畫素單元的上視示意圖。

圖4B是圖4A沿著剖面線A-A’與剖面線B-B’的剖面示意圖。

100．．．前基板

101a．．．內表面

101b．．．外表面

200．．．後基板

202．．．電極層

300．．．反射式顯示介質

302．．．黏著層

T1．．．開關元件

T2．．．讀出元件

PS．．．光感應元件

L．．．光線

F．．．手指

Claims (23)

1. 一種觸控反射式顯示面板，包括：一前基板，其具有一內表面以及與該內表面相對的一外表面，其中該外表面為觸控受光面，且環境光是從該外表面射入該觸控反射式顯示面板；多條掃描線，設置於該前基板之該內表面上；多條資料線，設置於該前基板之該內表面上且與該些掃描線交錯；多個畫素結構，設置於該前基板之該內表面上，每一畫素結構跟對應的該掃描線與該資料線電性連接；多個光感應元件，設置於該前基板之該內表面上，每一光感應元件包括：一透明下電極，設置於該前基板之該內表面上；一感光富矽介電層，設置於該透明下電極上；以及一上電極，設置於該感光富矽介電層上；多個讀出元件，每一讀出元件與對應的該光感應元件電性連接；一後基板，與該前基板對向設置；以及一反射式顯示介質，密封於該前基板與該後基板之間，其中該光感應元件位於該前基板的該內表面與該反射式顯示介質之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控反射式顯示面板，其中每一該畫素結構包括： 一開關元件，其與對應的該掃描線以及該資料線電性連接；以及一畫素電極，其與該開關元件電性連接。
3. 如申請專利範圍第2項所述之觸控反射式顯示面板，更包括一透明儲存電容電極層，位於該前基板的內表面上且位於該畫素電極與該前基板之間。
4. 如申請專利範圍第3項所述之觸控反射式顯示面板，其中該透明儲存電容電極層與該光感應元件之該透明下電極為同一膜層。
5. 如申請專利範圍第1項所述之觸控反射式顯示面板，其中該光感應元件之該上電極為一金屬電極。
6. 如申請專利範圍第5項所述之觸控反射式顯示面板，其中該光感應元件之該上電極直接與該讀出元件電性連接。
7. 如申請專利範圍第1項所述之觸控反射式顯示面板，其中該光感應元件之該上電極為一透明電極。
8. 如申請專利範圍第7項所述之觸控反射式顯示面板，其中該光感應元件之該上電極透過一接觸窗與該讀出元件電性連接。
9. 如申請專利範圍第1項所述之觸控反射式顯示面板，其中該光感應元件之該感光富矽介電層包括富矽氧化矽層、富矽氮化矽層、富矽氮氧化矽層、富矽碳化矽層、富矽碳氧化矽層、氫化富矽氧化矽層、氫化富矽氮化矽層、氫化富矽碳化矽層或其組合。
10. 如申請專利範圍第1項所述之觸控反射式顯示面板，更包括多條感應訊號讀取線，每一感應訊號讀取線與對應的該讀出元件電性連接。
11. 如申請專利範圍第1項所述之觸控反射式顯示面板，更包括多條感應訊號輸入線，每一感應訊號輸入線與對應的該光感應元件之該透明下電極電性連接。
12. 如申請專利範圍第1項所述之觸控反射式顯示面板，其中該反射式顯示介質包括膠囊式電泳顯示介質、微胞式電泳顯示介質、膽固醇型液晶電泳顯示介質。
13. 一種觸控反射式顯示面板的製造方法，包括：提供一前基板，該前基板具有一內表面以及該內表面相對的一外表面，且其具有多個畫素區域以及多個光感應元件區；在該前基板的該內表面上形成多條掃描線以及多條資料線，對應該些畫素區域；在相對應的畫素區域內形成一開關元件與該開關元件電性連接之一畫素電極，其中每一開關元件與對應的該掃描線以及該資料線電性連接；在相對應的畫素區域之該光感應元件區內形成一光感應元件與一讀出元件，其中每一該讀出元件與對應的該光感應元件電性連接，每一該光感應元件包括位於該前基板的該內表面上之一透明下電極、位於該透明下電極上之一上電極以及位於該透明下電極與該上電極之間的一感光富矽介電層；以及 將一後基板與該前基板組立在一起，且密封一反射式顯示介質於該前基板與該後基板之間，其中該外表面為觸控受光面，環境光是從該外表面射入該觸控反射式顯示面板，且該光感應元件位於該前基板的該內表面與該反射式顯示介質之間。
14. 如申請專利範圍第13項所述之觸控反射式顯示面板的製造方法，其中在形成該光感應元件之該透明下電極時，更包括於每一畫素區域中形成一透明儲存電容電極層。
15. 如申請專利範圍第14項所述之觸控反射式顯示面板的製造方法，其中在形成該掃描線時，更包括於該透明儲存電容電極層上形成一儲存電容電極線，其與該透明儲存電容電極層電性接觸。
16. 如申請專利範圍第13項所述之觸控反射式顯示面板的製造方法，其中形成該開關元件、該光感應元件以及該讀出元件之方法包括：在該光感應元件區中形成該透明下電極；在該畫素區域中形成一第一閘極且於該光感應元件區中形成一第二閘極；形成一第一絕緣層，覆蓋該第一閘極、該第二閘極以及該透明下電極；在該第一閘極上方之該第一絕緣層上形成一第一通道且於該第二閘極上方之該第一絕緣層上形成一第二通道；在該第一通道上形成一第一源極以及一第一汲極，且於該第二通道上形成一第二源極以及一第二汲極； 形成一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層以及該第一源極、該第一汲極、該第二源極以及該第二汲極；在該第二絕緣層中形成一接觸窗開口，暴露出該第一汲極，且於該光感應元件區之該第二絕緣層以及該第一絕緣層中形成一元件開口，暴露出該透明下電極；於該光感應元件區中形成該感光富矽介電層，其填入該元件開口內；以及在該感光富矽介電層上形成該上電極，其中該上電極與該讀出元件之該第二源極電性連接。
17. 如申請專利範圍第16項所述之觸控反射式顯示面板的製造方法，其中該上電極與該畫素電極是同時形成。
18. 如申請專利範圍第16項所述之觸控反射式顯示面板的製造方法，其中於形成該第一閘極與該第二閘極時，更包括形成一感應訊號輸入線，其與該光感應元件之該透明下電極電性連接。
19. 如申請專利範圍第16項所述之觸控反射式顯示面板的製造方法，其中於形成該第一源極、該第一汲極、該第二源極以及該第二汲極時，更包括形成一感應訊號讀取線，其與該讀出元件之該第二汲極電性連接。
20. 如申請專利範圍第13項所述之觸控反射式顯示面板的製造方法，其中形成該開關元件、該光感應元件以及該讀出元件之方法包括：在該光感應元件區中形成該透明下電極；在該畫素區域中形成一第一閘極且於該光感應元件區 中形成一第二閘極；形成一第一絕緣層，覆蓋該第一閘極、該第二閘極以及該透明下電極；在該第一閘極上方之該第一絕緣層上形成一第一通道且於該第二閘極上方之該第一絕緣層上形成一第二通道；在該光感應元件區之該第一絕緣層中形成一元件開口，暴露出該透明下電極；在該元件開口內形成該感光富矽介電層；以及在該第一通道上形成一第一源極以及一第一汲極，於該第二通道上形成一第二源極以及一第二汲極，且於該感光富矽介電層上形成一上電極，其中該上電極與該第二源極電性連接。
21. 如申請專利範圍第20項所述之觸控反射式顯示面板的製造方法，其中於形成該第一閘極與該第二閘極時，更包括形成一感應訊號輸入線，其與該光感應元件之該透明下電極電性連接。
22. 如申請專利範圍第20項所述之觸控反射式顯示面板的製造方法，其中於形成該第一源極、該第一汲極、該第二源極、該第二汲極以及該上電極時，更包括形成一感應訊號讀取線，其與該讀出元件之該第二汲極電性連接。
23. 如申請專利範圍第13項所述之觸控反射式顯示面板的製造方法，其中該反射式顯示介質包括膠囊式電泳顯示介質、微胞式電泳顯示介質、膽固醇型液晶電泳顯示介質。