TWI413869B - A holding means, a position detecting means and an exposure means, a moving method, a position detecting method, an exposure method, a adjusting method of the detecting system, and an element manufacturing method - Google Patents

A holding means, a position detecting means and an exposure means, a moving method, a position detecting method, an exposure method, a adjusting method of the detecting system, and an element manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI413869B
TWI413869B TW096142461A TW96142461A TWI413869B TW I413869 B TWI413869 B TW I413869B TW 096142461 A TW096142461 A TW 096142461A TW 96142461 A TW96142461 A TW 96142461A TW I413869 B TWI413869 B TW I413869B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
detecting system
detecting
wafer
alignment
holding device
Prior art date
Application number
TW096142461A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200830059A (en
Inventor
柴崎祐一
Original Assignee
尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 尼康股份有限公司 filed Critical 尼康股份有限公司
Publication of TW200830059A publication Critical patent/TW200830059A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI413869B publication Critical patent/TWI413869B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70816—Bearings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/708—Mark formation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Description

保持裝置、位置檢測裝置及曝光裝置、移動方法、位置檢測方法、曝光方法、檢測系統之調整方法以及元件製造方法
本發明係關於一種保持裝置、位置檢測裝置及曝光裝置、移動方法、位置檢測方法、曝光方法、檢測系統之調整方法以及元件製造方法，更詳細而言，係關於可移動地保持檢測物體上之標記的檢測系統之保持裝置、具備檢測物體上之標記的檢測系統之位置檢測裝置及具備該位置檢測裝置之曝光裝置、使檢測物體上之標記的檢測系統移動之移動方法、使用該移動方法之位置檢測方法、藉由照射能束而在物體上形成圖案之曝光方法、檢測物體上之標記的檢測系統之調整方法、以及使用前述曝光裝置或曝光方法之元件製造方法。
先前，製造半導體元件(積體電路等)、液晶顯示元件等之電子元件(微型元件)的微影製程，主要使用步進及反覆方式之投影曝光裝置(亦即步進機)、步進及掃描方式之投影曝光裝置(亦即掃描步進機(亦稱為掃描機))等。
再者，製造半導體元件等之微影製程，係在晶圓上疊合形成多層電路圖案，不過，各層間之疊合精確度差時，半導體元件等無法發揮特定之電路特性，有時還成為瑕疵品。因而，通常係預先在晶圓上之複數個照射區域分別附設標記(調準標記)，檢測其標記在曝光裝置之載台座標系統上的位置資訊(座標值)。而後，依據該標記位置資訊與新形成之圖案(如標線片圖案)的已知位置資訊，進行對其圖案對準晶圓上之一個照射區域的晶圓調準。
晶圓調準之方式，由於兼顧生產量，因此主要使用如僅檢測晶圓上之數個照射區域(亦稱為抽樣照射區域或調準照射區域)的對準標記，藉由求出照射區域排列之規則性，以對準各照射區域之全晶圓調準。特別是最近係以藉由統計性方法，精密算出晶圓上之照射區域的排列之增強型全晶圓調準(EGA)為主流(如參照專利文獻1)。
且隨著積體電路之微細化，對準精確度之要求逐漸嚴格，EGA中亦為了提高其算出精確度，必須增加抽樣照射區域數量，亦即必須增加應檢測之標記數量。
但是，增加上述EGA中之抽樣照射區域數量，導致曝光裝置之生產量降低，因此實際上採用僅增加抽樣照射數量之對策困難。因而，最近亦提出使用複數個調準系統(標記檢測系統)之調準技術。
[專利文獻1]美國專利第5,243,195號說明書
本發明係基於上述情況而形成者，從第一觀點而言，係一種保持裝置，其係可移動地保持檢測物體上之標記的檢測系統，且具備支撐裝置，其係支撐前述檢測系統；及驅動裝置，其係將藉由前述支撐裝置，並經由特定之間隙而支撐的前述檢測系統，至少驅動於水平面內之一個軸方向。
藉此，藉由支撐裝置並經由特定之間隙而支撐的檢測系統，藉由驅動裝置至少驅動於水平面內之一個軸方向。因此，係對支撐裝置在不接觸之狀態下驅動檢測系統，因此不受摩擦力等之影響，而可高精確度移動(包含定位)檢測系統。
本發明從第二觀點而言，係一種第一位置檢測裝置，其具備檢測系統，其係檢測物體上之標記；及本發明之保持裝置，其係可移動地保持前述檢測系統。
藉此，由於檢測系統被本發明之保持裝置保持，因此可將檢測系統高精確度地定位。因此，藉由使用該檢測系統，可精確地檢測物體上之標記的位置資訊。
本發明從第三觀點而言，係一種第二位置檢測裝置，其係檢測物體上之標記的位置資訊，且具備檢測系統，其係檢測前述物體上之標記；力產生裝置，其係可使前述檢測系統與固定部之間產生引力及斥力，並且可調整前述引力與前述斥力之至少一方的大小；及驅動裝置，其係藉由前述力產生裝置產生之引力與斥力，在前述檢測系統與前述固定部之間形成有特定之間隙的狀態下，將前述檢測系統至少驅動於水平面內之一個軸方向。
藉此，由於對固定部在不接觸狀態下驅動檢測系統，因此可高精確度移動(定位)檢測系統。如此，藉由使用高精確度定位之檢測系統，來檢測物體上之標記的位置資訊，可進行高精確度之標記的位置資訊檢測。
本發明從第四觀點而言，係一種曝光裝置，其係藉由能束之照射，而在感應物體上形成圖案，且具備第一或第二位置檢測裝置，其係檢測前述感應物體上之標記的位置資訊；及圖案化裝置，其係利用前述位置檢測裝置之檢測結果，在前述感應物體上照射前述能束。
藉此，藉由本發明之第一或第二位置檢測裝置，高精確度地檢測感應物體上之標記的位置資訊，並利用該檢測結果，藉由圖案化裝置在感應物體上照射能束，以形成圖案。因此可對感應物體形成高精確度之圖案。
本發明從第五觀點而言，係一種第一移動方法，其係使檢測物體上之標記的檢測系統在水平面內移動，且藉由在前述檢測系統與固定部之間產生的引力與斥力，而在前述檢測系統與前述固定部之間形成特定之間隙，維持前述間隙，且使前述檢測系統在水平面內移動。
藉此，維持形成於檢測系統與固定部之間的特定間隙，且使檢測系統在水平面內移動。因此，不受摩擦力等之影響，而可高精確度移動(包含定位)檢測系統。
本發明從第六觀點而言，係一種第二移動方法，其係使檢測物體上之標記的檢測系統在水平面內移動，且包含在將前述檢測系統定位於水平面內之特定位置的狀態下，切斷用於計測前述檢測系統在前述水平面內之位置的計測系統之電源的製程；記憶切斷前述計測系統之電源之前的計測值之製程；及從定位於前述特定位置之狀態移動前述檢測系統時，在開始移動之前輸入前述計測系統之電源，並且將前述計測值設定成前述計測系統之初始值的製程。
藉此，可儘量減少在檢測系統定位於特定位置之狀態下，計測系統之電源的發熱對檢測系統之標記檢測精確度的影響。此外，雖是從定位於特定位置之狀態移動前述檢測系統時再投入電源，不過，此時無須進行計測系統之重設動作等的初始設定等。
本發明從第七觀點而言，係一種第三移動方法，其係使檢測物體上之標記的檢測系統在水平面內移動，且包含計測製程，其係使標記元件之標記維持於前述檢測系統之檢測區域內，而使前述標記元件與前述檢測系統移動於前述水平面內之一個軸方向，以計測前述標記元件與前述檢測系統在前述水平面內之位置資訊；及移動製程，其係使用所計測之位置資訊，使前述檢測系統移動於前述一個軸方向。
藉此，使標記元件之標記維持在檢測系統之檢測區域內，而使標記元件與檢測系統在水平面內之一個軸方向移動，以計測標記元件與檢測系統在水平面內之位置資訊，使用所計測之位置資訊，使檢測系統移動於前述一個軸方向。因此，可將物體之移動座標系統作為基準而使檢測系統移動。
本發明從第八觀點而言，係一種位置檢測方法，其係檢測物體上之標記的位置資訊，且包含使用本發明第一至第三移動方法之任何一個，使檢測系統移動；及藉由前述移動之檢測系統，檢測前述物體上之標記。
藉此，藉由使檢測系統高精確度地移動(包含定位)，可使用其移動後之檢測系統，精確檢測物體上之標記的位置資訊。
本發明從第九觀點而言，係一種第一曝光方法，其係藉由能束之照射，而在感應物體上形成圖案，且包含藉由本發明第一至第三移動方法之任何一個使檢測系統移動，以檢測前述感應物體之標記的位置資訊之製程；及利用前述檢測結果，在前述感應物體上照射前述能束，而在前述感應物體上形成圖案之製程。
藉此，可在感應物體上精確地形成圖案。
本發明從第十觀點而言，係一種第二曝光方法，其係藉由能束之照射，而在物體上形成圖案，且包含使用藉由本發明之保持裝置可移動地保持的檢測系統，以檢測前述感應物體之標記的位置資訊之製程；及利用前述檢測結果，在前述感應物體上照射前述能束，而在前述感應物體上形成圖案之製程。
藉此，可在感應物體上精確地形成圖案。
本發明從第十一觀點而言，係一種檢測系統之調整方法，該檢測系統係檢測物體上之標記，而至少可在水平面內移動，且包含第一製程，其係藉由電磁相互作用而在水平面內驅動前述檢測系統之驅動裝置，使前述檢測系統移動至關於水平面內之一個軸方向的特定移動界限位置；第二製程，其係在前述移動界限位置進行前述驅動裝置之磁極配合；第三製程，其係在關於前述一個軸方向之前述檢測系統的移動範圍之大致中央，藉由前述驅動裝置使前述檢測系統移動；第四製程，其係藉由前述驅動裝置，使前述檢測系統移動至關於與前述一個軸方向交叉之其他軸方向的一側之特定的移動界限位置；及第五製程，其係將前述檢測系統從前述其他軸方向之一側的移動界限位置，移動至前述其他軸之另一側，且搜尋計測前述檢測系統之一個軸方向的位置資訊之計測裝置的原點。
藉此，因為係在搜尋計測裝置原點之前，進行驅動裝置之磁極配合，所以搜尋原點時，形成將檢測系統調整成可在水平面內高精確度地驅動之狀態。此外，由於係使檢測系統從移動至關於其他軸方向之一側的移動界限位置之狀態，移動至其他軸方向之另一側而搜尋原點，因此可將該移動界限位置作為基準來搜尋原點。因此，可搜尋高精確度之計測裝置的原點。
此外，微影製程中，藉由使用本發明之曝光裝置，在感應物體上形成圖案，可提高高積體度之微型元件的生產性。此外，在微影製程中，藉由使用本發明之第一或第二曝光方法，在感應物體上形成圖案，可提高高積體度之微型元件的生產性。因此，本發明從另外觀點而言，亦可說是使用本發明之曝光裝置或本發明之第一或第二曝光方法的元件製造方法。
以下，依據第一圖至第十四(C)圖說明本發明一種實施例。
第一圖中概略顯示一種實施例之曝光裝置100的結構。該曝光裝置100係步進及掃描方式之投影曝光裝置，亦即係所謂掃描機。如後述，本實施例設有投影光學系統PL，以下將與該投影光學系統PL之光軸AX平行的方向作為Z軸方向，將在與其正交之面內相對掃描標線片與晶圓之方向作為Y軸方向，將與Z軸及Y軸正交之方向作為X軸方向，並將X軸、Y軸及Z軸周圍之旋轉(傾斜)方向分別作為θx、θy、θz方向來進行說明。
曝光裝置100包含照明系統10、保持藉由來自該照明系統10之曝光用照明光(以下稱為「照明光」或「曝光之光」)IL而照明之標線片R的標線片載台RST、自標線片R射出之照明光IL投射於晶圓W的投影光學系統PL之投影單元PU、具有晶圓載台WST及計測載台MST之載台裝置50、及此等之控制系統等。在晶圓載台WST上放置有晶圓W。
照明系統10如美國專利申請公開第2003/0025890號說明書等所揭示，包含光源；及照明光學系統，其係具有包含光學積分器等之照度均一化光學系統、及標線片遮簾等(均圖未顯示)。該照明系統10係藉由照明光(曝光之光)IL，以大致均一之照度而照明以標線片遮簾規定之標線片R上的細縫狀照明區域。此處之照明光IL如使用氟化氬(ArF)準分子雷射光(波長193nm)。此外，光學積分器可使用複眼微透鏡、棒形積分器(內面反射型積分器)或是繞射光學元件等。
在標線片載台RST上，如藉由真空吸附而固定將電路圖案等形成於其圖案面(第一圖中之下面)的標線片R。標線片載台RST藉由圖未顯示之標線片載台驅動系統，可在XY平面內微小驅動，並且可在特定之掃描方向(第一圖中紙面內左右方向之Y軸方向)以指定之掃描速度驅動。標線片載台RST之位置資訊藉由標線片載台干涉儀系統隨時計測，不過圖未顯示。
投影單元PU包含鏡筒40，以及具有以特定之位置關係保持於該鏡筒40內的複數個光學元件之投影光學系統PL。投影單元PU經由設於鏡筒40外周部之凸緣FLG，而藉由主框架41保持。主框架41在地板F上，經由圖未顯示之防震單元，而藉由數支(例如3支)支撐元件43水平地支撐。
投影光學系統PL如使用由沿著與Z軸方向平行之光軸AX而排列的複數個透鏡(透鏡部件)而構成之折射光學系統。該投影光學系統PL例如為兩側離心，而具有特定之投影倍率(如1/4倍、1/5倍或1/8倍等)。因而，藉由來自照明系統10之照明光IL照明照明區域IAR時，藉由通過投影光學系統PL之第一面(物體面)與圖案面大致一致而配置之標線片R的照明光IL，經由投影光學系統PL(投影單元PU)，其照明區域IAR內之標線片R的電路圖案之縮小影像(電路圖案之一部分縮小影像)，形成於與配置於其第二面(影像面)側，表面塗布有抗蝕劑(感光劑)之晶圓W上的前述照明區域IAR共軛之區域(以下，亦稱為「曝光區域」)IA。另外，本實施例係將投影單元PU放置於主框架41上者，不過，如國際公開第2006/038952號說明書所揭示，亦可在第一圖中，將複數個支撐元件43延伸於＋Z側，在比第一圖高之位置支撐主框架41，對其主框架41，在3處懸掛支撐投影單元PU。
另外，本實施例之曝光裝置100，因為係進行適用浸液法之曝光，所以隨著投影光學系統PL之數值孔徑NA實質地增大，標線片側之孔徑變大。因而，僅以透鏡構成之折射光學系統中，滿足珀茲伐(Petzval)條件具有困難，而投影光學系統趨於大型化。為了避免該投影光學系統之大型化，亦可使用包含反射鏡與透鏡而構成之折反射系統(Catadioptric系統)。該折反射系統如國際公開第2004/107011號說明書等所揭示，可使用具有單一光軸之同軸型之折反射系統。
此外，本實施例之曝光裝置100，因為係進行適用浸液法之曝光，所以設有構成局部浸液裝置8之一部分的噴嘴單元32，其係包圍鏡筒40的下端部周圍，前述鏡筒40保持構成投影光學系統PL之最靠近影像面側(晶圓W側)之光學元件，此處係指透鏡(以下，亦稱為「頂端透鏡」)191。該噴嘴單元32具備液體Lq之供給口及回收口、相對配置晶圓W且設有回收口之下面、以及分別與液體供給管31A及液體回收管31B連接之供給流路及回收流路。局部浸液裝置8藉由噴嘴單元32，以液體Lq填滿頂端透鏡191與晶圓W之間，而形成包含照明光IL之光程空間的局部之浸液空間(相當於浸液區域14)。因此，噴嘴單元32亦稱為浸液空間形成元件或是containment member(或confinement member)等。
本實施例中，經由液體供給管31A、供給流路及供給口，從圖未顯示之液體供給裝置供給液體於頂端透鏡191與晶圓W之間，並且經由回收口、回收流路及液體回收管31B，藉由圖未顯示之液體回收裝置，從頂端透鏡191與晶圓W之間回收液體，而在頂端透鏡191與晶圓W之間保持一定量之液體Lq(參照第一圖)。此時，保持於頂端透鏡191與晶圓W之間的液體Lq經常更換。
另外，本實施例之液體，係使用氟化氬準分子雷射光(波長193nm之光)透過之純水(以下，簡稱為「水」)者。水對氟化氬準分子雷射光之折射率n大致為1.44，在該水中，照明光IL之波長短波長化成193nm×1/n＝約134nm。另外，第二圖中，以符號14表示由水Lq形成之浸液區域。
此外，在投影單元PU下方設置計測載台MST時，亦與上述同樣地，可在後述之計測載台MST與頂端透鏡191之間填滿水Lq。
載台裝置50如第一圖所示，具備配置於底盤12上之晶圓載台WST及計測載台MST；計測此等載台WST、MST之位置資訊，而包含Y軸干涉儀16、18之干涉儀系統；及曝光時等，用於計測晶圓載台WST之位置資訊的後述之編碼器系統(載台編碼器)等。
在晶圓載台WST及計測載台MST之各個底面，如在複數處設有真空預壓型空氣靜壓軸承(以下稱為「氣墊」)，藉由此等氣墊，在底盤12之上方，經由數μm程度之間隙而不接觸地支撐計測載台MST。
晶圓載台WST包含如藉由複數個線性馬達而可在XY平面內，亦即在X軸方向、Y軸方向及θz方向移動之載台本體91；及經由圖未顯示之Z．測平機構(如音圈馬達等)搭載於該載台本體91上，對載台本體91相對地微小驅動於Z方向、θx方向及θy方向的晶圓載台WST。
在晶圓固定台WTB上設有藉由真空吸附等而保持晶圓W的晶圓保持器(圖未顯示)。晶圓保持器亦可與晶圓固定台WTB一體地形成，不過，本實施例係分別構成晶圓保持器與晶圓固定台WTB，如藉由真空吸附等而將晶圓保持器固定於晶圓固定台WTB之凹部內。此外，在晶圓固定台WTB之上面具有與放置於晶圓保持器上之晶圓表面大致同一面，而對液體Lq進行拒液化處理之表面(拒液面)，且設有外形(輪廓)係矩形、在其中央部形成了比晶圓保持器(晶圓之放置區域)大一圈之圓形開口的板(拒液板)28。該板28由低熱膨脹率之材料，如由玻璃或陶瓷(如SHOT公司之ZERODUA(商品名稱)、三氧化二鋁(Al2 O3 )或碳化鈦(TiC)等)構成，在其表面如藉由氟樹脂材料、聚四氟化乙烯(鐵氟龍(Teflon)(註冊商標))等之氟系樹脂材料、丙烯基系樹脂材料或矽系樹脂材料等而形成拒液膜。再者，如第二圖所示，板28具有包圍圓形開口之外形(輪廓)為矩形的第一拒液區域28a，與配置於第一拒液區域28a周圍之矩形框狀(環狀)之第二拒液區域28b。第一拒液區域28a如在曝光動作時，形成從晶圓表面擠出之浸液區域14的至少一部分，第二拒液區域28b形成後述之編碼器系統用之標度(scale)。另外，板28亦可其表面之至少一部分與晶圓表面並非同一面，亦即亦可係不同高度。此外，板28亦可為單一之板，不過，本實施例係由複數個板，如組合分別對應於第一、第二拒液區域28a、28b之第一、第二拒液板而構成。本實施例如前述，由於液體Lq係使用純水，因此，以下將第一、第二拒液區域28a、28b亦分別稱為第一、第二拒水區域28a、28b或第一、第二拒水板28a、28b。
在第二拒水板28b之上面，分別沿著其4個邊，以特定間距直接形成多數個格柵線。詳細而言，在第二拒液板28b之X軸方向一側與另一側(第二圖之左右兩側)的區域分別形成Y標度39Y1 、39Y2 ，該Y標度39Y1 、39Y2 分別如藉由以特定間距沿著Y軸方向而形成將X軸方向作為長度方向之格柵線的將Y軸方向作為周期方向之反射型之格柵(如繞射格柵)而構成。同樣地，在第二拒液板28b之Y軸方向一側與另一側(第二圖之上下兩側)的區域分別形成X標度39X1 、39X2 ，該X標度39X1 、39X2 分別如藉由以特定間距沿著X軸方向而形成將Y軸方向作為長度方向之格柵線的將X軸方向作為周期方向之反射型之格柵(如繞射格柵)而構成。另外，第二圖之圖示在權宜上，比實際之間距格外擴大地圖示格柵之間距。此外，此等標度以前述之拒液膜(拒水膜)覆蓋。
回到第一圖，在前述晶圓固定台WTB之－Y端面、－X端面，分別實施鏡面加工而形成反射面。晶圓載台干涉儀系統(第一圖僅圖示其一部分之Y軸干涉儀16)在此等反射面上分別投射干涉儀光束(測長光束)，來計測晶圓載台WST之位置資訊(如包含X軸、Y軸及Z軸方向之位置資訊與θx、θy及θz方向之旋轉資訊)，並將該計測值供給至圖未顯示之控制裝置。另外，該干涉儀系統之詳細內容如揭示於國際公開第1999/28790號說明書。此外，亦可僅使用該干涉儀系統，或是使用該干涉儀系統與後述之編碼器系統兩者，進行晶圓載台WST(晶圓W)之XY平面內的位置控制，不過，本實施例至少在曝光動作時僅使用其編碼器系統來進行晶圓載台WST之位置控制，該干涉儀系統使用在曝光動作以外之特定動作，如使用在其編碼系統之校準(calibration)動作等。進行該校準動作，係為了修正如因標度隨時間變化等而產生之其編碼器系統的計測值之長期性變動等。
計測載台MST如包含藉由線性馬達等而在XY平面內移動之載台本體92，以及在該載台本體92上經由圖未顯示之Z．測平機構而搭載之計測固定台MTB。
計測固定台MTB(及載台本體92)中設有各種計測用元件，不過圖未顯示。計測用元件如採用在投影光學系統PL之影像面上具有接收照明光IL之光的針孔狀之受光部的照度不均一感測器、計測藉由投影光學系統PL投影之圖案的空間影像(投影影像)之光強度的空間影像計測器、及如揭示於國際公開第03/065428號說明書(對應美國專利第7,230,682號說明書)等之Shack－Hartman方式的波前像差計測器等。照度不均一感測器可使用如與美國專利第4,465,368號說明書等揭示者同樣之結構者。此外，空間影像計測器可使用如與美國專利申請公開第2002/0041377號說明書等揭示者同樣之結構者。另外，除上述各感測器之外，亦可採用如揭示於美國專利申請公開第2002/0061469號說明書等之在投影光學系統PL之影像面上具有接收照明光IL之光的特定面積之受光部的照度監視器。
在計測固定台MTB之－Y側端面，延伸於X軸方向而設有由剖面矩形之棒狀元件構成之作為基準元件的可靠棒(confidential bar)(以下簡稱為「CD棒」)46。另外CD棒46亦稱為基準棒等。
該CD棒46為了成為基準器(計測基準)，其素材採用低熱膨脹率之光學玻璃陶瓷，如採用SHOT公司之ZERODUA(商品名稱)等。此外，CD棒46之上面(表面)與所謂基準平面板相同程度地設定高度平坦度，並且如第二圖所示，在CD棒46之長度方向的一側與另一側的端部附近，分別形成有將Y軸方向作為周期方向之基準格柵(如繞射格柵)52。
此外，在該CD棒46之上面，以第二圖所示之配置形成有複數個基準標記M。該複數個基準標記M以同一間距在Y軸方向以3行之排列而形成，各行之排列在X軸方向相互離開特定距離程度而形成。各基準標記M使用可藉由後述之主要調準系統及次要調準系統而檢測之尺寸的二維標記。另外，本實施例之CD棒46的表面及計測固定台MTB(亦可包含前述之計測用元件)的表面亦分別以拒液膜(拒水膜)覆蓋。
在計測固定台MTB之＋Y端面及－X端面亦與前述之晶圓固定台WTB同樣地形成有反射面。計測載台干涉儀系統(第一圖中僅圖示其一部分之Y軸干涉儀18)在此等反射面上分別投射干涉儀光束(測長光束)，來計測計測載台MST之位置資訊(如至少包含X軸及Y軸方向之位置資訊與θz方向之旋轉資訊)，並將該計測值供給至圖未顯示之控制裝置。
本實施例之曝光裝置100如第二圖所示，通過投影單元PU之中心(投影光學系統PL之光軸AX，本實施例亦與前述之曝光區域IA的中心一致)，且在與Y軸平行之直線(以下稱為基準軸)LV上，配置有在從光軸AX至－Y側隔以特定距離之位置具有檢測中心的主要調準系統AL1。夾著該主要調準系統AL1，而在X軸方向之一側與另一側分別設有關於基準軸LV大致對稱地配置檢測中心之次要調準系統AL21 、AL22 與AL23 、AL24 。亦即，5個調準系統AL1、AL21 ~AL24 沿著X軸方向配置其檢測中心。另外，第一圖係包含5個調準系統AL1、AL21 ~AL24 及保持此等之保持裝置(滑塊)而顯示調準裝置99。本實施例係將調準裝置99設於主框架41上，不過如前述，第一圖之曝光裝置係對主框架41懸掛支撐投影單元PU之結構時，亦可如與投影單元PU一體地懸掛支撐調準裝置99。或是亦可與投影單元PU獨立地在從主框架41懸掛支撐之計測框架中設置調準裝置99。
另外，就調準裝置99之具體結構等，在後面進一步詳述。
再者，本實施例之曝光裝置100如第二圖所示，在前述之噴嘴單元32的四方配置有編碼器系統之四個頭部單元62A~62D。此等頭部單元62A~62D，在第二圖等中，基於避免圖式錯綜複雜之觀點而省略圖示，不過實際上係經由圖未顯示之支撐元件，而在懸掛狀態下固定於保持前述投影單元PU之主框架41(參照第一圖)。另外，如前述，第一圖之曝光裝置對主框架41係懸掛支撐投影單元PU之結構時，如亦可與投影單元PU一體地懸掛支撐頭部單元62A~62D，或是亦可與投影單元PU獨立地在從主框架41懸掛支撐之計測框架中設置頭部單元62A~62D。特別是後者亦可將頭部單元62A~62D與調準裝置99分別獨立地設於懸掛支撐之計測框架中。
頭部單元62A、62C在投影單元PU之＋X側及－X側，分別將X軸方向作為長度方向，且關於投影光學系統PL之光軸AX對稱地從光軸AX隔以大致相同間隔而配置。此外，頭部單元62B、62D在投影單元PU之＋Y側及－Y側，分別將Y軸方向作為長度方向，且關於投影光學系統PL之光軸AX對稱地從光軸AX隔以大致相同間隔而配置。
頭部單元62A及62C具備通過投影光學系統PL之光軸，且在與X軸平行之直線(基準軸)LH上，以特定間隔而配置之複數個(此處為6個)Y頭部64。頭部單元62A、62C分別使用前述之Y標度39Y1 ,39Y2 ，構成計測晶圓載台WST(晶圓固定台WTB)之Y軸方向的位置(Y位置)之多眼(此處為6眼)的Y線性編碼器。此處，鄰接之Y頭部64(計測光束)相互之間隔設定成比前述Y標度39Y1 ,39Y2 之X軸方向的寬度窄。
頭部單元62B具備以特定間隔配置於基準軸LV上的複數個，此處為7個X頭部66。此外，頭部單元62D具備在基準軸LV上以特定間隔配置之複數個，此處為11個(不過第二圖上，與主要調準系統AL1重疊之11個中的3個圖未顯示)之X頭部66。頭部單元62B、62D分別使用前述之X標度39X1 ,39X2 ，構成計測晶圓載台WST(晶圓固定台WTB)之X軸方向的位置(位置)之多眼(此處為7眼或11眼)的線性編碼器。另外，鄰接之X頭部66(計測光束)相互的間隔設定成比前述X標度39X1 ,39X2 之Y軸方向的寬度窄。
再者，在次要調準感測器AL21 之－X側及次要調準感測器AL24 之＋X側，分別設有在與通過主要調準系統AL1之檢測中心的X軸平行之直線上，且對其檢測中心大致對稱地配置檢測點的Y頭部64y1 ,64y2 。Y頭部64y1 ,64y2 在晶圓載台WST上之晶圓W的中心在基準軸LV上之第二圖所示的狀態下，分別與Y標度39Y1 ,39Y2 相對。於後述之調準動作時等，與Y頭部64y1 ,64y2 相對而分別配置Y標度39Y2 ,39Y1 ，藉由該Y頭部64y1 ,64y2 (線性編碼器)來計測晶圓載台WST之Y位置(及θz旋轉)。
上述各線性編碼器之計測值供給至圖未顯示之控制裝置，控制裝置依據各線性編碼器之計測值，控制晶圓固定台WTB之XY平面內的位置。另外，至少曝光動作時，除了使用前述編碼器系統控制晶圓載台WST之XY平面內(X軸、Y軸及θz方向)之位置外，亦可使用其他計測裝置進行晶圓載台WST之Z軸、θx及θy方向的位置控制。此處，其他計測裝置，可使用前述之晶圓載台干涉儀系統，或是揭示於美國專利第5,448,332號說明書之多點焦點位置檢測系統等。設置該多點焦點位置檢測系統時，亦可複數個計測點之至少一部分設定於浸液區域14(或曝光區域IA)內，或是亦可其全部設定於浸液區域14之外側。
此外，本實施例係在次要調準系統之後述基線計測時等，CD棒46之一對基準格柵52與Y頭部64y1 ,64y2 分別相對，藉由Y頭部64y1 ,64y2 與一對基準格柵52來計測CD棒46之Y位置。此等計測值供給至圖未顯示之控制裝置，控制裝置依據此等計測值來控制CD棒46之θz旋轉。
由於本實施例係採用上述之X頭部、Y頭部之配置，因此在晶圓載台WST之有效行程範圍(為了調準及曝光動作而移動之範圍)，必須X標度39X1 ,39X2 與頭部單元62B、62D(X頭部66)分別相對，且Y標度39Y1 ,39Y2 與頭部單元62A、62C(Y頭部64)或Y頭部64y1 ,64y2 分別相對。另外，第二圖之圖示的情況下，係將投影單元PU與調準系統AL1、AL21 ~AL24 在Y軸方向上離開而顯示，不過實際上調準系統AL1、AL21 ~AL24 比第二圖接近投影單元PU而配置。
因而，圖未顯示之控制裝置藉由在晶圓載台WST之有效行程範圍，依據此等編碼器之計測值，控制驅動晶圓載台WST之線性馬達等，可高精確度地控制晶圓載台WST在XY平面內之位置(包含θz旋轉)。此外，晶圓載台WST在其有效行程範圍內移動時，解除與X標度或Y標度相對狀態之前的X頭部或Y頭部之計測值，緊接著成為新的與X標度或Y標度相對之X頭部或Y頭部之計測值。
另外，將具有上述頭部單元之編碼器系統，以下適當地亦包含前述標度，亦稱為「載台編碼器」。
本實施例之曝光裝置100如第二圖所示，設有由照射系統90a及受光系統90b構成之如與揭示於美國專利第5,448,332號說明書等者同樣結構之斜入射方式的多點焦點位置檢測系統(以下簡稱為「多點AF系統」)。該多點AF系統在本實施例至少具有離開X軸方向而配置的複數個計測點。
其次，就第一圖所示之調準裝置99的具體結構等，依據第三圖至第九圖作說明。
第三圖中，在一部分剖開主框架41之狀態下，以立體圖顯示調準裝置99。如上述，調準裝置99具備主要調準系統AL1與四支次要調準系統AL21 、AL22 、AL23 、AL24 。對主要調準系統AL1配置於－X側之兩個次要調準系統AL21 、AL22 與配置於＋X側之兩個次要調準系統AL23 、AL24 ，係將主要調準系統AL1作為中心而左右對稱之結構。
主要調準系統AL1從顯示自＋X側觀察該主要調準系統AL1之狀態的第五圖瞭解，經由支撐元件202，而懸掛支撐於主框架41之下面。該主要調準系統AL1如使用圖像處理方式之FIA(場影像調準(Field Image Alignment))系統，其係將不使晶圓上之抗蝕劑感光的寬頻帶之檢測光束照射於對象標記，使用攝像元件(CCD等)攝像藉由來自其對象標記之反射光而成像於受光面之對象標記的影像，與圖未顯示之指標(設於各調準系統內之指標板上的指標圖案)的影像，而輸出此等攝像信號。來自該主要調準系統AL1之攝像信號供給至圖未顯示之控制裝置。
回到第三圖，在次要調準系統AL21 、AL22 之上面分別固定滑塊SL1、SL2。在滑塊SL1、SL2之＋Z側設有固定於主框架41下面之FIA平台302。此外，在次要調準系統AL23 、AL24 之上面分別固定滑塊SL3、SL4。在滑塊SL3、SL4之＋Z側設有固定於主框架41下面之FIA平台102。
以下，就此等次要調準系統AL21 ~AL24 之結構等，以次要調準系統AL24 、AL23 具體作說明。
第四圖係FIA平台102、302等一部分省略，而顯示主要調準系統AL1與次要調準系統AL21 ~AL24 之立體圖，第六圖係顯示從＋X方向觀察次要調準系統AL24 之狀態圖。此外，第九圖係顯示次要調準系統AL23 、AL24 及滑塊SL3、SL4之平面圖。
次要調準系統AL24 與主要調準系統AL1同樣係FIA系統，如第四圖及第六圖所示，包含在內部設有透鏡等之光學元件的概略L字狀的鏡筒109。在鏡筒109之延伸於Y軸方向的部分之上面(＋Z側之面)，固定有前述之滑塊SL4，該滑塊SL4與前述之FIA平台102相對而設置(參照第六圖)。
FIA平台102由磁性體且低熱膨脹率之元件(如不漲鋼等)構成，其一部分(－Y側之端部附近)設有包含複數個電樞線圈之電樞單元104(參照第六圖、第九圖)。FIA平台102中，連接有液體供給管63a及液體排出管63b的各個一端，從圖未顯示之液體供給裝置經由液體供給管63a而供給之冷卻用液體，通過涵蓋FIA平台102內全體而形成之流路後，經由液體排出管63b排出。因此，FIA平台102藉由該冷卻用液體調溫(冷卻)，而設定成特定溫度。另外，FIA平台102之溫度調整裝置不限於該結構，如亦可使用派耳帖(Peltier)元件等。
前述滑塊SL4如在第七(A)圖以立體圖所示，包含滑塊本體120、設於該滑塊本體120之3個氣體靜壓軸承122a、122b、122c、2個永久磁石124a、124b及磁極單元126。
氣體靜壓軸承122a如第八圖中放大顯示，如由概略立方體狀之元件構成，在其表面(＋Z側之面)的中央部形成有延伸於X軸方向之受壓溝144a。此外，在受壓溝144a之＋Y側及－Y側離開特定距離之位置，形成沿著X軸方向之大氣開放溝146a、146b，在一方之大氣開放溝146a的＋Y側及另一方之大氣開放溝146b之－Y側分別形成有平面觀察(從＋Z側觀察)為I字狀之預壓溝148a、148b。
在受壓溝144a之中央部形成開口144b，在預壓溝148a、148b之中央部分別形成有節流孔149a、149b。開口144b與節流孔149a、149b經由形成於氣體靜壓軸承之內部的管路150而連結，各溝間之氣體可流通。
如此構成之氣體靜壓軸承122a的上面，如第六圖所示，與FIA平台102之下面相對。因此，藉由從外部之氣體供給裝置(圖未顯示)經由形成於FIA平台102內之管路102a，對氣體靜壓軸承122a之受壓溝144a供給氣體，供給之氣體依序經由開口144b、管路150、節流孔149a、149b、預壓溝148a、148b，而向FIA平台102之下面噴灑。亦即，氣體靜壓軸承122a係不連接配管之所謂地面供氣型之氣體靜壓軸承。
回到第七圖(A)，其他之氣體靜壓軸承122b、122c亦為與上述之氣體靜壓軸承122a同樣的結構。此等氣體靜壓軸承122a~122c在滑塊本體120上配置於不在一直線上的3點(本實施例係相當於等腰三角形之頂點的位置)。
設於第七圖(A)之滑塊120上的永久磁石124a、124b中，一方之永久磁石124a配置於氣體靜壓軸承122a之＋Y側附近，另一方之永久磁石124b配置於被氣體靜壓軸承122b、122c夾著的位置。本實施例中，配置成連結永久磁石124a之中心與永久磁石124b之中心的線段之中點，與將前述3個氣體靜壓軸承122a~122c作為頂點的等腰三角形的重心一致。因為永久磁石124a、124b與前述由磁性體構成之FIA平台102相對，所以在永久磁石124a、124b與FIA平台102之間隨時作用有磁性吸引力。
由於藉由此等永久磁石124a、124b與氣體靜壓軸承122a~122c，而如前述地在永久磁石124a、124b與FIA平台102之間隨時作用有磁性之吸引力，因此，在氣體靜壓軸承122a~122c中不供給氣體時，滑塊SL4最接近(接觸)於FIA平台102之下面。亦即，滑塊SL4與FIA平台102間之間隙實質地成為零。另外，於氣體靜壓軸承122a~122c中供給氣體時，藉由氣體之靜壓，而在FIA平台102與滑塊SL4之間產生斥力。此時藉由磁性吸引力與氣體之靜壓(斥力)的平衡，而在其上面與FIA平台102之下面之間形成有特定間隙之狀態(第六圖所示之狀態)下維持(保持)滑塊SL4。以下，將前者稱為「著地狀態」，將後者稱為「浮起狀態」。另外，本實施例係僅藉由氣體之靜壓而產生斥力，而在滑塊SL4與FIA平台102之間形成間隙者，不過不限於此，亦可調整磁性吸引力與斥力之至少一方。如亦可不產生斥力而僅調整磁性吸引力，或是磁性吸引力保持一定而僅調整斥力。
前述磁極單元126如第七圖(A)所示，設於滑塊本體120之－Y側端部附近，且包含複數個(本實施例為10個)永久磁石。此等複數個永久磁石埋入滑塊本體120內。其中設於Y軸方向中央之兩個磁石(Y驅動用磁石)彼此形成相反極性，在該Y驅動用磁石之＋Y側及－Y側，沿著X軸方向排列有複數個永久磁石之一對磁石群(X驅動用磁石群)，其鄰接之各磁石形成相反磁性。
另外，設於磁極單元126上側之電樞單元104包含複數個電樞線圈而構成(參照第九圖)。該電樞單元104內包含之電樞線圈如第九圖所示，包含設於Y軸方向中央部之兩個線圈(Y驅動用線圈)，與在Y軸方向之一側及另一側，沿著X軸方向而排列複數個線圈之一對線圈群(X驅動用線圈群)。
此等磁極單元126與電樞單元104之間，藉由構成磁極單元之永久磁石產生的磁場，與流入構成電樞單元104之電樞線圈的電流之間的電磁相互作用，可對滑塊SL4作用X軸方向之驅動力及Y軸方向之驅動力(參照第九圖兩個黑色箭頭)。此外，關於Y軸方向離開特定間隔之兩處，藉由作用大小不同之X軸方向的驅動力，可對滑塊SL4作用Z軸周圍之旋轉(θz)方向的驅動力。另外，以下，將藉由上述磁極單元126與電樞單元104構成之驅動機構(致動器)稱為「調準系統馬達」。
本實施例如第九圖所示，設有限制滑塊SL4(次要調準系統AL24 )之移動範圍用的3個止動元件132。本實施例之各止動元件132與凸輪隨動器同樣地，使用抵接於滑塊SL4之一部分，而限制滑塊SL4之移動的旋轉元件。因此，以下，將各止動元件權宜上稱為凸輪隨動器。
詳細說明，係在氣體靜壓軸承122b之＋Y側附近、氣體靜壓軸承122c之＋Y側附近、及滑塊本體120之形成於氣體靜壓軸承122a與磁極單元126之間的位置之階差部120a的－Y側附近，分別各設有一個凸輪隨動器132。此等三個凸輪隨動器132實際上從前述之FIA平台102的下面懸掛支撐。滑塊SL4(次要調準系統AL24 )在第九圖之位置時，在各個凸輪隨動器132與氣體靜壓軸承122、120或階差部120a之間，如存在0.1mm程度之間隙。亦即，藉由上述三個凸輪隨動器132，限制次要調準系統AL24 在Y軸方向的移動範圍，如限制於約0.2mm之範圍。
次要調準系統AL24 (滑塊SL4)在X軸方向之位置，藉由第九圖所示之一對X軸調準系統編碼器(以下稱為「X軸編碼器」)151X1、151X2而計測，Y軸方向之位置藉由Y軸調準系統編碼器(以下稱為「Y軸編碼器」)151Y而計測(第九圖之兩個空心箭頭顯示計測方向)。本實施例因為使用兩個X軸編碼器，所以藉由使用此等之計測值，除了次要調準系統AL24 在X軸方向之位置外，亦可計測θz方向(Z軸周圍之旋轉方向)的位置。
此等X軸編碼器151X1、151X2及Y軸編碼器151Y，其包含光源及受光器等之編碼器頭部設置(懸掛支撐)於前述之FIA平台102側，在次要調準系統AL24 (或滑塊SL4)側設有將繞射格柵等形成於其表面的線性標度。另外，X軸編碼器151X2與Y軸編碼器151Y之線性標度實際上如第九圖所示，係設於固定在鏡筒109之－Y側的端面之板狀元件253的上面(＋Z側之面)，編碼器頭部與此等線性標度相對而懸掛支撐於FIA平台102。
此等編碼器(151X1、151X2、151Y)之各個計測值傳送至圖未顯示之控制裝置。而後，控制裝置於移動次要調準系統AL24 時，藉由對前述之氣體靜壓軸承122a~122c供給氣體，在滑塊SL3、SL4與FIA平台102之間形成特定之間隙，滑塊SL3處於上述浮起狀態。控制裝置在維持浮起狀態之狀態下，依據其計測值，藉由控制供給至構成調準系統馬達之電樞單元104的電流，而將滑塊SL4(次要調準系統AL24 )微小驅動於X軸、Y軸及θz方向。
回到第四圖，配置於次要調準系統AL24 之－X側的次要調準系統AL23 ，與上述之次要調準系統AL24 同樣係FIA系統，且包含在內部設有透鏡等之光學元件的概略L字狀之鏡筒119。在鏡筒119之沿著Y軸方向的部分之上面(＋Z側之面)，前述滑塊SL3與滑塊SL4成為套匣狀態地固定。該滑塊SL3之上面與FIA平台102之下面的一部分呈對向(參照第三圖、第九圖)。
滑塊SL3雖氣體靜壓軸承及永久磁石之配置等有若干差異，但是具有與前述之滑塊SL4大致相同的結構。亦即，如第七圖(B)所示，滑塊SL3包含滑塊本體220、設於該滑塊本體220之三個氣體靜壓軸承222a~222c、2個永久磁石224a、224b，及包含複數個永久磁石之磁極單元226。此時，氣體靜壓軸承與永久磁石配置成連結永久磁石224a之中心與224b之中心的線段之中點，與將三個氣體靜壓軸承222a~222c作為頂點之等腰三角形的重心一致。
如前述，因為磁極單元226與設於FIA平台102之電樞單元104呈對向，所以藉由在構成磁極單元226之永久磁石產生的磁場，與流入構成電樞單元104之電樞線圈的電流之間的電磁相互作用，可對滑塊SL3作用X、Y軸方向及θz方向的驅動力(參照第九圖中畫陰影線之兩箭頭)。另外，以下結合電樞單元104與磁極單元226，亦稱為「調準系統馬達」。
次要調準系統AL23 之X軸方向及θz方向的位置，藉由第九圖所示之一對X軸調準系統編碼器(以下稱為「X軸編碼器」)251X1、251X2而計測，Y軸方向之位置藉由Y軸調準系統編碼器(以下稱為「Y軸編碼器」)251Y而計測(第九圖之兩空心箭頭顯示各編碼器之計測方向)。編碼器251X1、251X2、251Y之各個包含光源及受光器等之編碼器頭部設於前述FIA平台102側，並在次要調準系統AL24 (或滑塊SL4)側設有線性標度。
編碼器251X1、251X2、251Y之各個計測值傳送至圖未顯示之控制裝置。控制裝置依據編碼器251X1、251X2、251Y之計測值，在使次要調準系統AL23 之滑塊SL3浮起的狀態下，藉由控制供給至構成調準系統馬達之電樞單元104的電流，而將滑塊SL3(次要調準系統AL23 )微小驅動於X軸、Y軸及θz方向。
再者，如第九圖所示，形成於滑塊SL3之氣體靜壓軸承222b的－Y側、氣體靜壓軸承222c之－Y側、及滑塊本體220之永久磁石224a的＋Y側之位置的各個凹溝220a內各配置一個凸輪隨動器232。此等3個凸輪隨動器232與前述凸輪隨動器132同樣地，從FIA平台102之下面懸掛支撐。凹溝220a之Y軸方向的寬度設定成比凸輪隨動器232之直徑(外徑)如大0.2mm。在第九圖之位置有滑塊SL3(次要調準系統AL23 )時，三個凸輪隨動器232之各個與氣體靜壓軸承222b之－Y側面、氣體靜壓軸承222c之－Y側面及凹溝220a之＋Y側面之間，例如存在0.1mm程度之間隙。因此，藉由此等三個凸輪隨動器232，將次要調準系統AL23 在Y軸方向之移動範圍，如限制於約0.2mm之範圍。
回到第三圖，次要調準系統AL21 、AL22 係與上述之次要調準系統AL23 、AL24 同樣的結構，滑塊SL2具有與上述之滑塊SL3左右對稱的結構，滑塊SL1具有與上述之滑塊SL4左右對稱的結構。此外，FIA平台302之結構具有與上述之FIA平台102左右對稱之結構。
其次，就上述調準系統編碼器之重設動作及校準方法作說明。
<調準系統編碼器之重設動作>
本實施例中之重設動作，如係在切斷曝光裝置100全體之電源時，及曝光裝置調機時等進行者。
本實施例依據第十圖(A)至第十圖(D)說明計測四個次要調準系統中之兩個次要調準系統(此處為次要調準系統AL23 、AL24 )的位置之調準系統編碼器的重設動作。
首先，控制裝置控制供給至構成調準系統馬達之電樞單元104的電流，如第十圖(A)之空心箭頭A所示，將次要調準系統AL24 移動至Y軸方向一側(此處為－Y側)的移動界限位置(滑塊本體120之階差部120a與凸輪隨動器132接觸之位置)，在該位置進行電樞單元104與磁極單元126之磁極配合。此外，控制裝置控制供給至電樞單元104之電流，如第十圖(A)之空心箭頭B所示，將次要調準系統AL23 移動至Y軸方向一側(－Y側)之移動界限位置(滑塊SL3之氣體靜壓軸承222b、222c之－Y側的面與凸輪隨動器232接觸之位置)，在該位置進行電樞單元104與磁極單元226之磁極配合。
其次，控制裝置控制供給至電樞單元104之電流，將次要調準系統AL24 在Y軸方向另一側(＋Y側)移動特定距離(如次要調準系統AL24 可在Y軸方向移動之距離的1/2之距離)程度(參照第十圖(B)之空心箭頭C)，並且將次要調準系統AL23 在Y軸方向另一側(＋Y側)移動與前述特定距離相同距離程度(參照第十圖(B)之空心箭頭D)。
其次，控制裝置控制供給至電樞單元104之電流，將次要調準系統AL24 移動至X軸方向一側(此處為＋X側)之移動界限位置(氣體靜壓軸承122b之＋X側之面接觸於圖未顯示之針狀止動元件的位置)(參照第十圖(C)之空心箭頭E)，並且將次要調準系統AL23 移動至X軸方向一側(此處為－X側)之移動界限位置(氣體靜壓軸承222c之－X側之面接觸於圖未顯示之針狀止動元件的位置)(參照第十圖(C)之空心箭頭F)，以搜尋關於次要兩調準系統AL23 、AL24 在X軸方向之行程終端。
其後，控制裝置將次要調準系統AL24 移動於－X方向(參照第十圖(D)之空心箭頭G)，同時搜尋X軸編碼器151X1、151X2之原點，並且將次要調準系統AL23 移動至＋X方向(參照第十圖(D)之空心箭頭H)，搜尋X軸編碼器251X1、251X2之原點。
藉此，可進行編碼器之重設。
另外，上述之說明係依序移動次要調準系統AL24 、次要調準系統AL23 ，不過並不限於此，於電樞單元104內之對應於各個次要調準系統的電樞線圈中可分別供給電流情況下，亦可使各次要調準系統同時移動。
另外，計測次要調準系統AL21 、AL22 之位置的編碼器中，亦同樣地可進行重設動作。
<校準動作>
其次，說明本實施例中之計測次要調準系統AL2n (n＝1~4)的位置之調準系統編碼器，亦即X軸編碼器(151X1、151X2、251X1、251X2)及Y軸編碼器(151Y、251Y)之校準。
該校準係為了將調準系統編碼器之移動(計測軸)與晶圓載台(載台編碼器)之移動(計測軸)配合(相對應)者。
首先，控制裝置使晶圓載台WST移動至將形成於晶圓上之調準標記定位於四個次要調準系統中之一個(次要調準系統AL2n )的檢測區域(視野)中心之位置。
而後，控制裝置維持調準標記與次要調準系統AL2n 之視野中心一致的狀態，同時使晶圓載台WST與次要調準系統AL2n 如以同一速度移動於X軸方向(亦即，使晶圓載台WST追隨次要調準系統AL2n )。
如此，使晶圓載台WST與次要調準系統AL2n 移動中，控制裝置使用上述之載台編碼器計測晶圓載台WST在XY平面內之位置，並且使用調準系統編碼器計測次要調準系統AL2n 之位置，算出兩編碼器之計測結果的關係。
此外，同樣地，控制裝置維持調準標記與次要調準系統AL2n 之視野中心一致的狀態下，使晶圓載台WST與次要調準系統AL2n 以同一速度移動於Y軸方向，算出此時之載台編碼器的計測結果與調準系統編碼器之計測結果的關係。
此外，控制裝置就其他三個次要調準系統之調準系統編碼器，亦與上述同樣地算出調準系統編碼器與載台編碼器之計測結果的關係。
控制裝置在進行後述之次要調準系統AL2n 的位置調整時，考慮如上述算出之載台編碼器的計測結果與調準系統編碼器之計測結果的關係，以控制次要調準系統AL2n 之位置。藉此，在將調準系統編碼器之移動與晶圓載台WST之移動(載台編碼器之移動)配合的狀態下，可控制次要調準系統AL2n 之位置。
另外，上述之說明係使用晶圓上之調準標記進行調準系統編碼器之校準，不過並不限於此，亦可在晶圓固定台WTB上設置基準標記(FIA標記)，使用其而與上述同樣地進行校準。此外，將前述之載台編碼器的標度亦設於計測載台MST之上面的情況下，亦可使用計測載台MST之CD棒46的基準標記M與上述同樣地進行校準。
此外，上述之例係在維持次要調準系統之視野中心與晶圓載台WST上之標記(晶圓之調準標記或基準標記)一致狀態下，追隨晶圓載台WST而移動次要調準系統，不過並不限於此，如以其標記不超出次要調準系統之視野的方式，將載台編碼器及調準系統編碼器之移動作為基準，使晶圓載台WST與次要調準系統成為同一速度而移動於特定方向。而後，計測此時之次要調準系統的視野中心與基準標記之相對位置關係，亦使用該計測結果進行調準系統編碼器之校準。即使如此，仍可進行與上述之例相同之校準。
另外，進行如上述之校準時，亦可使晶圓載台WST及次要調準系統連續性移動，亦可以特定間隔(或隨機間隔)而離散性(斷續性)移動。
其次，說明主要對各批次之晶圓開始處理之前(批次最先)進行之次要調準系統AL2n (n＝1~4)的基線計測動作。此處所謂次要調準系統AL2n 之基線，係指將主要調準系統AL1(之檢測中心)作為基準之各次要調準系統AL2n (之檢測中心)的相對位置。另外，為已經計測(基線檢查)主要調準系統AL1之基線(投影光學系統PL之圖案(如標線片R之圖案)的投影位置與主要調準系統AL1之檢測中心的位置關係(或距離))者。此外，次要調準系統AL2n (n＝1~4)如為因應批次內之晶圓的照射圖資訊，藉由前述之調準系統馬達驅動，而設定X軸方向之位置者。
在批次最先進行之次要調準系統的基線計測(以下適當地亦稱為Sec－BCHK(批次最先))時，控制裝置首先如第十一圖(A)所示，以主要調準系統AL1檢測批次最先之晶圓W(處理晶圓)上的特定之調準標記(參照第十一圖(A)中之星號)，將其檢測結果與其檢測時上述載台編碼器之計測值相對應而儲存於記憶體中。其次，控制裝置將晶圓載台WST在－X方向上移動特定距離，如第十一圖(B)所示，以次要調準系統AL21 檢測上述特定之調準標記(參照第十一圖(B)中之星號)，將其檢測結果與其檢測時之上述載台編碼器的計測值相對應而儲存於記憶體中。
同樣地，控制裝置將晶圓載台WST移動於＋X方向，以其餘之次要調準系統AL22 、AL23 、AL24 依序檢測上述特定之調準標記，依序將其檢測結果與檢測時之載台編碼器的計測值相對應而儲存於記憶體中，控制裝置依據上述之處理結果，分別算出各次要調準系統AL2n 之基線。
如此，由於係藉由使用批次最先之晶圓W(處理晶圓)，以主要調準系統AL1與各次要調準系統AL2n 檢測其晶圓W上之同一調準標記，而求出各次要調準系統AL2n 之基線，因此，藉由該計測，結果亦修正因處理造成調準系統間之檢測偏差的差異。另外，亦可取代晶圓之調準標記，而使用晶圓載台WST或計測載台MST上之基準標記，計測次要調準系統AL2n 之基線。此外，本實施例由於主要調準系統AL1及次要調準系統AL2n 可分別檢測二維標記(X、Y標記)，因此，在次要調準系統AL2n 之基線計測時，藉由使用二維標記，可同時求出次要調準系統AL2n 之X軸及Y軸方向的基線。
其次，說明在批次內之晶圓處理中，於特定時序，如從晶圓之曝光結束至其次之晶圓載入晶圓固定台WTB上完成為止之間(亦即晶圓更換中)進行的Sec－BCHK動作。此時之Sec－BCHK由於係以每次晶圓更換之區間(interval)進行，因此以下亦記述為Sec－BCHK(區間)。
該Sec－BCHK(區間)時，控制裝置如第十二圖所示，以配置主要調準系統AL1之檢測中心的基準軸LV與中心線CL大致一致，且CD棒46與主要調準系統AL1及次要調準系統AL2n 相對之方式，移動計測載台MST。而後，依據與CD棒46上之一對基準格柵52分別相對之Y頭部64y1 、64y2 的計測值，調整CD棒46之θz旋轉，並且依據檢測位於計測固定台MTB之中心線CL上或其附近的基準標記M之主要調準系統AL1的計測值，調整CD棒46之XY位置。該調整如係藉由監控干涉儀之計測值並且調整CD棒46(計測載台MST)之位置來進行。
而後，在該狀態下，控制裝置藉由使用4個次要調準系統AL21 ~AL24 同時計測各個次要調準系統之視野內的CD棒46上之基準標記，而分別求出四個次要調準系統AL21 ~AL24 之基線。而後，其後之處理時，藉由使用新計測之基線，修正四個次要調準系統AL21 ~AL24 之基線的偏移。
另外，上述之Sec－BCHK(區間)係藉由同時計測複數個次要調準系統之不同的基準標記而進行者，不過並不限於此，亦可藉由以複數個次要調準系統依序(不同時地)計測CD棒46上之同一基準標記M，而分別求出4個次要調準系統AL21 ~AL24 之基線。
其次，依據第十三圖(A)及第十三圖(B)，簡單說明次要調準系統AL2n 之位置調整動作。
前提是，調整前之主要調準系統AL1與四個次要調準系統AL21 ~AL24 之位置關係係第十三圖(A)的位置關係。
如第十三圖(B)所示，控制裝置移動計測載台MST，使主要調準系統AL1及4個次要調準系統AL21 ~AL24 位於CD棒46之上方。其次，與上述Sec－BCHK(區間)時同樣地，依據上述Y軸線性編碼器(Y頭部64y1 ,64y2 )之計測值，調整CD棒46之θz旋轉，並且依據檢測位於計測固定台MTB之中心線CL上或其附近的基準標記M之主要調準系統AL1的計測值，與前述同樣地調整CD棒46之XY位置。與此同時，控制裝置依據包含其次曝光對象之晶圓上的調準照射區域之尺寸及配置(亦即晶圓上之調準標記的配置)資訊的照射圖資訊，使各次要調準系統AL2n 如第十三圖(B)中之箭頭所示地至少移動(及/或旋轉)於X軸方向。此時，控制裝置如前述地供給氣體至設於滑塊SL1~SL4之氣體靜壓軸承，使滑塊處於浮起狀態，在維持該浮起狀態下，藉由供給電流至電樞單元104，來驅動次要調準系統AL2n 。藉此，配合附加於須檢測之調準照射區域的調準標記之配置，調整(變更)次要調準系統AL2n 之基線，亦即在XY平面內之檢測區域的位置。
而後，如此調整次要調準系統AL2n 之基線後，控制裝置使滑塊SL1~SL4著地於FIA平台102、302的下面。該著地時，本實施例係控制裝置控制供給至構成調準系統馬達之電樞單元的電流，維持次要調準系統AL2n 在XY平面內之位置，同時停止對氣體靜壓軸承供給氣體。
藉此，在維持各次要調準系統AL2n 在XY平面內之位置的狀態下，可使次要調準系統AL2n (滑塊)著地於FIA平台。
此外，本實施例中，為了抑制編碼器之發熱對調準系統之檢測精確度的影響，在不計測次要調準系統AL2n 在XY平面內位置時(滑塊SL1~SL4著地於FIA平台102、302時)，切斷調準系統編碼器之電源。亦即，如上述地進行次要調準系統AL2n 之位置調整時，雖繼續投入電源至編碼器，但是在位置調整結束之階段切斷電源。
因而，控制裝置將切斷編碼器電源之前的編碼器之計數值，如預先儲存於圖未顯示之記憶體等加以記憶。而後，進行前述之次要調準系統AL2n 的位置調整時，在編碼器中再度投入電源之階段，將預先記憶之計數值設定成編碼器之初始值。
藉此，可儘量抑制編碼器之發熱對調準系統的熱性影響，並且於編碼器中再度投入電源時，無須進行重設編碼器之重設動作，因此可縮短關於次要調準系統AL2n 之位置調整一連串動作所需的時間。
另外，上述之說明，係以五個調準系統AL1、AL21 ~AL24 同時且個別地檢測形成於CD棒46上之不同位置的基準標記M者，不過並不限於此，如亦可以五個調準系統AL1、AL21 ~AL24 同時且個別地檢測形成於晶圓W(處理晶圓)上之不同位置的調準標記，藉由調整次要調準系統AL21 ~AL24 之位置，來調整次要調準系統AL2n 之基線。此外，亦可使次要調準系統AL2n 固定於FIA平台後，再度以次要調準系統AL2n 檢測基準標記M，來計測其基線。再者，亦可不使用CD棒46之基準標記等，而依據前述之照射圖資訊與調準系統編碼器之計測值，移動次要調準系統AL2n ，固定於FIA平台，其後計測基線。
本實施例之曝光裝置100係進行使用晶圓載台WST與計測載台MST之並列處理動作。該並列處理動作中，晶圓載台WST在XY平面內之位置，主要使用上述載台編碼器計測，在無法使用載台編碼器之範圍，係使用晶圓載台干涉儀系統計測。此外，計測載台MST使用計測載台干涉儀系統計測。而後，本實施例之曝光裝置100在放置於晶圓載台WST之晶圓上，使用局部浸液裝置8形成浸液區域14，並經由投影光學系統PL及浸液區域14之液體Lq，以照明光IL進行晶圓之曝光動作。該曝光動作藉由控制裝置，依據事前進行之調準系統AL1、AL21 ~AL24 的晶圓調準(EGA)結果及調準系統AL1、AL21 ~AL24 之最新的基線等，反覆進行為了曝光晶圓W上之各照射區域，而使晶圓載台WST向開始掃描位置(開始加速位置)移動的照射間移動動作，與對各照射區域，以掃描曝光方式轉印標線片R之圖案的掃描曝光動作。而後，在進行向晶圓載台WST上載入(或更換)晶圓時，控制裝置使用被計測載台MST支撐之CD棒46，進行計測4個次要調準系統對主要調準系統AL1之相對位置的Sec－BCHK(區間)。
再者，晶圓載入(或更換)結束後之晶圓載台WST移動至調準系統AL1、AL21 ~AL24 正下方時，控制裝置如以下地執行調準動作。
另外，本實施例中之調準動作，係將以第十四圖(C)所示之佈局(照射圖)形成有複數個照射區域的晶圓W上之著色的16個照射區域AS作為調準照射區域者。另外，第十四圖(A)、第十四圖(B)省略計測載台MST之圖示。
前提是，次要調準系統AL21 ~AL24 配合調準照射區域AS之配置，於事前進行X軸方向之位置調整(使用調準系統馬達之位置調整)者。
首先，控制裝置使定位於圖未顯示之載入位置(第十四圖(A)之右下側)的晶圓載台WST，移動至比第十四圖(A)所示之位置稍下側(晶圓W之中心位於基準軸LV上的特定位置(開始調準位置))。該移動係依據使用上述載台編碼器及晶圓載台干涉儀系統(或是僅晶圓載台干涉儀系統)而計測之晶圓載台的位置資訊來進行。
其次，控制裝置依據載台編碼器之計測值，將晶圓載台WST在＋Y方向移動特定距離，而定位於第十四圖(A)所示之位置，使用主要調準系統AL1及次要調準系統AL22 、AL23 ，大致同時且個別地檢測附設於三個第一調準照射區域AS的調準標記(參照第十四圖(A)之星號)，將上述三個調準系統AL1、AL22 、AL23 之檢測結果與其檢測時之載台編碼器的計測值相關連地儲存於圖未顯示之記憶體中。另外，此時亦可不檢測調準標記之兩端的次要調準系統AL21 、AL24 不照射或照射檢測光於晶圓固定台WTB(或晶圓)上。此外，本實施例之晶圓調準係以主要調準系統AL1位於晶圓固定台WTB之中心線上的方式，晶圓載台WST設定其X軸方向之位置，該主要調準系統AL1檢測位於晶圓之子午線上的調準照射區域之調準標記。
其次，控制裝置依據上述載台編碼器之計測值，將晶圓載台WST在＋Y方向移動特定距離，五個調準系統AL1、AL21 ~AL24 定位於大致同時且個別地可檢測附設於晶圓W上之五個第二調準照射區域AS的調準標記之位置，使用五個調準系統AL1、AL21 ~AL24 ，大致同時且個別地檢測五個調準標記，並將上述五個調準系統AL1、AL21 ~AL24 之檢測結果與其檢測時之載台編碼器的計測時相關連地儲存於圖未顯示之記憶體中。
其次，控制裝置依據上述載台編碼器之計測時，將晶圓載台WST在＋Y方向移動特定距離，五個調準系統AL1、AL21 ~AL24 定位於大致同時且個別地可檢測附設於晶圓W上之五個第三調準照射區域AS的調準標記之位置，使用五個調準系統AL1、AL21 ~AL24 ，大致同時且個別地檢測五個調準標記(參照第十四(B)圖中之星號)，並將上述五個調準系統AL1、AL21 ~AL24 之檢測結果與其檢測時之上述載台編碼器的計測時相關連地儲存於圖未顯示之記憶體中。
其次，控制裝置依據上述載台編碼器之計測時，將晶圓載台WST在＋Y方向移動特定距離，使用主要調準系統AL1及次要調準系統AL22 、AL23 定位於大致同時且個別地可檢測附設於晶圓W上之三個第四調準照射區域AS的調準標記之位置，使用上述三調準系統AL1、AL22 、AL23 ，大致同時且個別地檢測三個調準標記，並將上述三個調準系統AL1、AL22 、AL23 之檢測結果與其檢測時之上述載台編碼器的計測時相關連地儲存於圖未顯示之記憶體中。
而後，控制裝置使用如此獲得之合計16個調準標記之檢測結果及對應之上述載台編碼器的計測值，與次要調準系統AL2n 之基線，進行如揭示於日本特開昭61－44429號公報(對應美國專利第5,243,195號說明書)等之EGA方式的統計演算，算出在上述載台編碼器(4個頭部單元)之計測軸規定的座標系統(如將投影光學系統PL之光軸作為原點之XY座標系統)上之晶圓W上全部照射區域的排列(座標值)。
如此，本實施例使晶圓載台WST在＋Y方向移動，藉由在其移動路徑上之四處定位晶圓載台WST，比以單一之調準系統依序檢測16個調準標記時等，可格外地以短時間獲得合計16個調準照射區域AS中之調準標記的位置資訊。此時，如就調準系統AL1、AL22 、AL23 作觀察特別容易瞭解，係與上述之晶圓載台WST的移動連動，此等調準系統AL1、AL22 、AL23 分別檢測依序配置於檢測視野內，而沿著Y軸方向排列之複數個對準標記。因而，計測上述調準標記之位置時，無須使晶圓載台WST移動於X軸方向。
此外，此時，由於依晶圓載台WST在XY平面內之位置(特別是Y位置(亦即，晶圓W對複數個調準系統之進入程度))，藉由複數個調準系統同時檢測之晶圓W上的調準標記之檢測數量(計測數量)不同，因此，將晶圓載台WST移動於與複數個調準系統之排列方向(X軸方向)正交的Y軸方向時，可因應晶圓載台WST在Y軸方向的位置，換言之，因應晶圓W上之照射排列，使用必要數量之調準系統同時檢測晶圓W上之相互不同位置的標記。
另外，本實施例在上述調準中，於晶圓載台WST移動時，使用由照射系統90a及受光系統90b構成之多點AF系統，取得晶圓W之表面全面的Z位置。
其後，控制裝置依據前述晶圓調準(EGA)之結果及預先計測之主要調準系統之基線等，進行步進及掃描方式之浸液曝光，依序轉印標線片圖案至晶圓W上的複數個照射區域。以後，對批次內之其餘晶圓反覆進行同樣之動作。另外，曝光中之晶圓載台WST在Z軸方向的控制，係使用多點AF系統，依據在調準中取得之晶圓W於表面全面的Z位置，藉由進行晶圓載台WST之Z軸、θx及θy方向的位置控制之前述其他計測裝置來進行。
如以上詳細之說明，採用本實施例時，藉由滑塊SL1~SL4具備之氣體靜壓軸承與永久磁石，在與FIA平台102、302之間形成特定間隙的狀態下，支撐次要調準系統AL2n ，該被支撐之次要調準系統AL2n 藉由調準系統馬達在XY平面內驅動。亦即，由於對FIA平台102、302係在不接觸狀態下驅動次要調準系統AL2n (滑塊SL1~SL4)，因此次要調準系統AL2n 可高精確度地移動(定位)。此外，藉由設定來自氣體靜壓軸承之氣體的靜壓(斥力)比永久磁石與FIA平台102、302間之磁性吸引力小，亦可使次要調準系統AL2n 在高精確度定位之狀態下固定(著地)於任意的位置。
此外，採用本實施例時，由於可因應晶圓上之照射排列，而將次要調準系統高精確度定位，因此藉由使用主要調準系統及次要調準系統進行調準動作，可在短時間進行高精確度之調準。此外，藉由使用該調準結果，可以高生產量實現高精確度之曝光。
此外，本實施例由於設於各滑塊之三個氣體靜壓軸承配置於等腰三角形之頂點位置，此外，設於各滑塊之兩個永久磁石配置成連結各永久磁石之中心間的線段之中心與前述等腰三角形之重心一致，因此可使引力與斥力作用於同一作用點上，因此可進行穩定之滑塊的浮起及著地動作。
此外，採用本實施例時，由於係在次要調準系統被定位之狀態下，切斷調準系統編碼器的電源，因此可儘量減少編碼器之發熱對次要調準系統計測精確度的影響。此外，因為預先記憶切斷編碼器電源之前的編碼器之計測值，再度於編碼器中輸入電源時，將預先記憶之計測值設定成初始值，所以無須在每次再度投入電源時，進行編碼器之重設動作等的初始設定。
此外，本實施例由於係以使用載台編碼器計測晶圓W之位置，同時將晶圓W(晶圓載台WST)移動於特定方向，並且將次要調準系統在檢測視野內之標記的位置保持一定(位於視野中心)之方式，使用調準系統編碼器計測次要調準系統之位置，同時藉由移動次要調準系統進行調準系統編碼器之校準，因此，可在調準系統編碼器之移動與晶圓載台WST之移動(載台編碼器之移動)配合的狀態下作計測。因此，藉由考慮該計測結果，可高精確度地進行使用調準系統編碼器之次要調準系統的位置控制。此外，藉由使用該次要調準系統進行晶圓調準，可進行高精確度之曝光。
再者，本實施例於調準系統編碼器之重設時，因為係在搜尋編碼器之原點之前進行調準系統馬達之磁極配合，所以在原點搜尋時，形成在水平面內可高精確度地驅動次要調準系統作調整的狀態。此外，由於係將次要調準系統從移動至關於X軸方向一側之移動界限位置的狀態而移動於X軸方向的另一側，同時搜尋原點，因此可將該移動界限位置作為基準進行原點搜尋。因此，可進行高精確度之計測裝置的原點搜尋。
另外，上述實施例係說明進行次要調準系統之位置調整時，供給氣體於氣體靜壓軸承，使滑塊從FIA平台浮起，不進行位置調整時，不供給氣體於氣體靜壓軸承，而使滑塊著地於FIA平台的情況，不過並不限於此，不進行位置調整時，亦可供給氣體於氣體靜壓軸承而維持浮起狀態。
另外，上述實施例係說明使FIA平台與滑塊之間產生引力的機構，係採用包含FIA平台(磁性體)與設於滑塊之永久磁石的機構之情況。但是本發明並非限於此者，如亦可取代永久磁石而使用電磁石。此外，亦可在FIA平台側設置永久磁石(或電磁石)，而在滑塊之至少一部分設置磁性體。再者，引力除了磁性吸引力之外，亦可使用如靜電力或是真空吸引力等。此外，上述實施例係說明FIA平台本身由磁性體構成之情況，不過不限於此，亦可以非磁性體構成FIA平台，而在該FIA平台之下面側另外設置磁性體。另外，上述實施例之結構，由於FIA平台與滑塊間之引力係利用永久磁石與磁性體間的磁性力，因此即使停電時，次要調準系統AL21 ~AL24 不致落下而破損。此外，永久磁石與磁性體間之引力(磁性力)的大小亦可變動而非固定。
此外，上述實施例係說明使FIA平台與滑塊間產生斥力之機構，係採用包含設於滑塊之氣體靜壓軸承的機構，且斥力係氣體之靜壓的情況。但是本發明並非限於此者，如亦可將氣體靜壓軸承設於FIA平台側。此外，斥力除了氣體之靜壓之外，如亦可採用磁性之排斥力(永久磁石與電磁時之組合等而產生之排斥力)等。此外，上述實施例之氣體靜壓軸承係使用從FIA平台側供給氣體之所謂地面供氣型之氣體靜壓軸承，不過不限於此，亦可在氣體靜壓軸承上直接連接氣體供給用之配管。
此外，上述實施例係說明在各滑塊中設置三個氣體靜壓軸承與兩個永久磁石之情況，不過不限於此，可設置任意數量之氣體靜壓軸承及永久磁石。此外，氣體靜壓軸承與永久磁石之配置亦不限於上述結構。
另外，上述實施例係說明計測次要調準系統在XY平面內之位置的位置計測系統，係使用調準系統編碼器的情況，不過除此之外，亦可使用干涉儀等其他計測裝置。此外，上述實施例在不進行次要調準系統AL2n 於XY平面內位置之計測時，為了抑制熱對調準系統之檢測精確度的影響，係切斷調準系統編碼器之電源，不過斷開編碼器之電源並非必須。如熱不致造成問題時，或是編碼器之熱源(光源及檢測器)配置於外部時等，亦可無須斷開電源。
此外，調準系統編碼器之校準、磁極配合及原點搜尋等亦不限於上述者。
另外，上述實施例中，亦可將次要調準系統之全體固定於滑塊，亦可將其一部分，如僅將鏡筒109內之光學系統固定於滑塊。
另外，上述實施例係說明調準裝置99具備四支次要調準系統之情況，不過不限於此，次要調準系統可為任意之數量。此外，主要調準系統AL1不限於一支，亦可為數支，且與次要調準系統同樣地，亦可採用可在XY平面內驅動之結構。
另外，上述各調準系統不限於FIA，當然可單獨或適當地組合將相關之檢測光照射於對象標記，而檢測自其對象標記產生之散射光或繞射光，或是干擾自其對象標記產生之兩個繞射光(如同次數之繞射光或是繞射於同方向之繞射光)而檢測之調準感測器來使用。
另外，上述實施例係例示滑塊與FIA平台相對之情況，不過支撐可移動調準系統之支撐裝置的固定部不限於平台。如斥力之產生係使用氣體靜壓軸承之情況等，只要是具有作為受壓面之功能程度的平面之元件均可使用。引力使用磁力時，其元件之至少一部分以磁性體構成即可。
另外，上述實施例係使用具有晶圓相對而配置之下面的噴嘴單元者，不過不限於此，如國際公開第99/49504號說明書所揭示，亦可採用具有多數個噴嘴之結構者。只要可在構成投影光學系統PL之最下端的光學元件(頂端透鏡)191與晶圓W之間供給液體者，其結構亦可為任何者。如揭示於國際公開第2004/053955號說明書之浸液機構、揭示於歐洲專利公開第1420298號公報之浸液機構亦可適用於本實施例之曝光裝置。
另外，上述實施例係說明在晶圓載台WST側進行各晶圓之更換時，在計測載台MST側使用CD棒46進行Sec－BCHK(區間)之情況，不過不限於此，亦可使用計測載台MST之計測器群，進行照度不均一計測(及照度計測)、空間影像計測、波前像差計測等之至少一個，使其計測結果反映於其後進行之晶圓曝光者。具體而言，如可依據計測結果進行投影光學系統PL之調整。此外，亦可晶圓更換中，預先在計測載台MST上保持浸液區域，藉由與計測載台更換，將晶圓載台WST配置於投影光學系統PL之正下方時，將計測載台上之浸液區域移動於晶圓載台上。
另外，上述實施例之晶圓載台WST係包含載台本體91與晶圓固定台WTB者，不過不限於此，亦可採用可以六個自由度移動之單一的載台作為晶圓載台WST。此外，亦可取代反射面，而在晶圓固定台WTB上設置由平面鏡構成之移動鏡。此外，計測載台之結構不限於上述實施例中說明者，如亦可採用可對載台本體92在X軸方向、Y軸方向及θz方向微動地構成之所謂粗微動構造的計測載台MST，或是亦可將計測固定台MTB固定於載台本體92，可在六個自由度方向驅動包含其計測固定台MTB之載台本體92的結構。
此外，上述實施例中，亦可使用如美國專利申請公開第2006/0227309號等所揭示，在晶圓固定台上設置編碼器頭部，且在晶圓固定台之上方，與其相對而配置形成有一維或二維格柵(如繞射格柵)之標度的編碼器系統。此外，亦可不設置編碼器系統與干涉儀系統兩者，而僅設置干涉儀系統來控制晶圓載台之位置。
另外，上述實施例之液體係使用純水(水)者，不過本發明當然並不限於此。液體亦可使用化學性穩定且照明光IL之透過率高而安全的液體，如使用氟系惰性液體。該氟系惰性液體如可使用FLORINERT(美國3M公司之商品名稱)。該氟系惰性液體之冷卻效果亦優異。此外，液體亦可使用對照明光IL之折射率比純水(折射率1.44程度)高，如為1.5以上的液體。該液體如為折射率約1.50之異丙醇、折射率約1.61之丙三醇(glycerol,glycerin)之具有C－H結合或O－H結合的特定液體、己烷、庚烷、癸烷等特定液體(有機溶劑)或折射率約1.60之萘烷(Decalin：Decahydronaphthalene)等。或是亦可為混合此等特定液體中任意2種以上之液體者，或是液體亦可為在純水中添加(混合)了H＋ 、Cs＋ 、K＋ 、Cl－ 、SO4 2－ 、PO4 2－ 等之鹼或酸者。再者，亦可為在純水中添加(混合)了鋁氧化物等之微粒子者。此等液體可透過氟化氬準分子雷射光。此外，液體宜為光之吸收係數小，溫度依存性少，對投影光學系統(頂端之光學元件)及/或塗布於晶圓表面之感光材料(或保護膜(上塗層膜)或防反射膜等)穩定者。此外，將氟雷射作為光源時，選擇Vonbrin oil即可。
此外，上述實施例亦可再利用回收之液體，此時須將從回收之液體除去雜質的過濾器預先設置於液體回收裝置或回收管等中。再者，上述實施例之曝光裝置係具備前述局部浸液裝置8之全部者，不過局部浸液裝置8之一部分(如液體供給裝置及/或液體回收裝置等)無須具備曝光裝置，如亦可代用設置曝光裝置之工廠等的設備。
另外，上述實施例係說明曝光裝置係浸液型之曝光裝置的情況，不過並非限於此者，亦可採用不經由液體(水)而進行晶圓W曝光之乾式曝光裝置。此外，本發明亦可適用於不具計測載台之曝光裝置。
此外，上述實施例係說明適用本發明於步進及掃描方式等之掃描型曝光裝置的情況，不過不限於此，亦可適用本發明於步進機等靜止型曝光裝置。即使是步進機等，藉由編碼器計測搭載了曝光對象之物體的載台位置，同樣地可使因空氣搖晃而產生之位置計測誤差幾乎為零。此時，可依據使用干涉儀之計測值修正該編碼器之計測值的短期變動之修正資訊與編碼器之計測值，將載台高精確度地定位，結果可將高精確度之標線片圖案轉印於物體上。此外，本發明亦可適用於合成照射區域與照射區域之步進及斷續方式之曝光裝置。再者，如揭示於日本特開平10－163099號公報及日本特開平10－214783號公報(對應美國專利第6,590,634號)、日本特表2000－505958號公報(對應美國專利第5,969,441號)、美國專利第6,208,407等，本發明亦可適用於具備複數個晶圓載台的多載台型之曝光裝置。
此外，上述實施例之曝光裝置中的投影光學系統之倍率除了係縮小系統之外，亦可為等倍或放大系統，而投影光學系統除了折射系統以外，亦可為反射系統或反射折射系統，且其投影影像可為倒立影像或直立影像。
此外，照明光IL不限於氟化氬準分子雷射光(波長193nm)，亦可為氟化氪準分子雷射光(波長248nm)等之紫外光、氟雷射光(波長157nm)等之真空紫外光。如國際公開第1999/46835號說明書(對應美國專利7,023,610號)所揭示，真空紫外光亦可使用如以摻雜了鉺(或鉺與鐿兩者)之光纖放大器放大從DFB半導體雷射或光纖雷射振盪之紅外區域或可視區域之單一波長雷射光，並使用非線形光學結晶而波長轉換成紫外區域的高次諧波。
此外，上述實施例之曝光裝置的照明光IL不限於波長為100nm以上之光，當然亦可使用波長未達100nm之光。如近年來為了曝光70nm以下之圖案，而進行將SOR或電漿雷射作為光源，以產生軟X射線區域(如5~15nm之波長區域)的EUV(遠紫外光(Extreme Ultraviolet))，並且使用在其曝光波長(如13.5nm)之下設計之全反射縮小光學系統及反射型遮罩之EUV曝光裝置的開發。該裝置中，由於考慮使用圓弧照明，同步掃描遮罩與晶圓以進行掃描曝光之結構，因此該裝置亦可適用本發明。除此之外，本發明亦可適用使用電子線或離子束等荷電粒子線的曝光裝置。
此外，上述實施例中，係使用在光透過性之基板上形成特定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透過型遮罩(標線片)，不過亦可取代該標線片，而使用如美國專利第6,778,257號說明書所揭示，依據須曝光之圖案的電子資料，形成透過圖案或反射圖案或發光圖案之電子遮罩(亦稱為可變成形遮罩、主動遮罩或影像產生器等，如包含一種非發光型圖像顯示元件(空間光調制器)之DMD(數位微反射鏡元件(Digital Micro－mirror Device))等)。
此外，如國際公開2001/035168號說明書所揭示，藉由將干擾條紋形成於晶圓上，而在晶圓上形成線及空間圖案的曝光裝置(微影系統)亦可適用本發明。
再者，如日本特表2004－519850號公報(對應美國專利第6,611,316號)所揭示，將兩個標線片圖案經由投影光學系統在晶圓上合成，藉由一次掃描曝光，大致同時雙重曝光晶圓上之一個照射區域的曝光裝置亦適用本發明。
此外，在物體上形成圖案之裝置不限於前述之曝光裝置(微影系統)，如以噴墨方式在物體上形成圖案之裝置亦可適用本發明。
另外，上述實施例須形成圖案之物體(照射能束之曝光對象的物體)不限於晶圓，亦可為玻璃板、陶瓷基板、薄膜元件或是遮罩素板等其他物體。
曝光裝置之用途不限定於用於製造半導體的曝光裝置，亦可廣泛適用於如在方型之玻璃板上轉印形成液晶顯示元件圖案之液晶用的曝光裝置，及用於製造有機EL、薄型磁頭、攝像元件(CCD等)、微型機器及DNA晶片等之曝光裝置。此外，除了半導體元件等之微型元件之外，為了製造光曝光裝置、EUV曝光裝置、X射線曝光裝置及電子線曝光裝置等使用之標線片及遮罩，而在玻璃基板或矽晶圓等上轉印電路圖案之曝光裝置亦可適用本發明。
此外，上述實施例之曝光裝置係以保持特定之機械性精確度、電性精確度、光學性精確度之方式，藉由組裝包含本申請專利範圍中列舉之各構成要素的各種子系統而製造。為了確保此等各種精確度，在該組裝之前後，就各種光學系統進行用於達成光學性精確度之調整，就各種機械系統進行用於達成機械性精確度之調整，就各種電氣系統進行用於達成電性精確度之調整。從各種子系統對曝光裝置之組裝製程包含各種子系統相互之機械性連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。在從該各種子系統對曝光裝置之組裝製程前，當然有各子系統各自的組裝製程。各種子系統對曝光裝置之組裝製程結束後，進行綜合調整，以確保曝光裝置全體之各種精確度。另外，曝光裝置之製造須在溫度及潔淨度等受到管理之潔淨室中進行。
另外，援用關於上述實施例中引用之曝光裝置等的全部公報、國際公開說明書、美國專利申請公開說明書及美國專利說明書之揭示，而作為本說明書內容之一部分。
另外，半導體元件係經過進行元件之功能、性能設計的步驟；依據該設計步驟製作標線片之步驟；從矽材料製作晶圓之步驟；使用上述實施例之曝光裝置，將形成於標線片之圖案轉印於晶圓等物體上之微影步驟；元件組裝步驟(包含切割製程、接合製程及封裝製程)；及檢查步驟等而製造。此時，微影步驟中，由於使用上述實施例之曝光裝置在物體上形成元件圖案，因此可提高高積體度之元件的生產性。
[產業上之可利用性]
如以上之說明，本發明之保持裝置適合可移動地保持檢測物體上之標記位置的檢測系統者。此外，本發明之位置檢測裝置適合檢測物體上之標記的位置資訊者。此外，本發明之曝光裝置及曝光方法適合藉由能束之照射而在物體上形成圖案者。此外，本發明之移動方法適合使檢測物體上之標記位置的檢測系統在水平面內移動者。此外，本發明之檢測系統的調整方法適合調整檢測物體上之標記的可在水平面內移動之檢測系統者。再者，本發明之元件製造方法適合製造半導體元件及液晶顯示元件等之電子元件。
100．．．曝光裝置
102．．．FIA平台(保持裝置之一部份、力產生裝置之一部份、引力產生裝置之一部份、斥力產生裝置之一部份)
104．．．電樞單元(驅動裝置之一部份)
122a~122c．．．氣體靜壓軸承(力產生裝置之一部份、斥力產生裝置之一部份)
124a~124b．．．永久磁石(磁石元件、力產生裝置之一部份、引力產生裝置之一部份)
126．．．磁極單元(驅動裝置之一部份)
132．．．凸輪隨動器(止動元件)
151X1．．．X軸編碼器(計測系統)
151X2．．．X軸編碼器(計測系統)
151Y．．．Y軸編碼器(計測系統)
AL21~AL24．．．次要調準系統(檢測系統)
W．．．晶圓(感應物、物體)
第一圖係概略顯示一實施例之曝光裝置的結構圖。
第二圖係顯示第一圖之曝光裝置具備之晶圓載台、計測載台及各種計測裝置(編碼器、調準系統、多點AF系統、Z感測器等)的配置平面圖。
第三圖係顯示調準裝置99之立體圖。
第四圖係顯示調準系統AL1、AL21 ~AL24 之立體圖。
第五圖係從＋X方向觀察調準系統AL1之圖。
第六圖係從＋X方向觀察調準系統AL24 之圖。
第七圖(A)係從第四圖取出調準系統AL24 而顯示之立體圖，第七圖(B)係從第四圖取出調準系統AL23 而顯示之立體圖。
第八圖係放大氣體靜壓軸承122a而顯示之立體圖。
第九圖係顯示調準系統AL1、AL23 、AL24 之平面圖。
第十圖(A)及第十圖(D)係調準系統編碼器之重設動作的說明圖。
第十一圖(A)及第十一圖(B)係一批最先進行之二次調準系統的基線計測動作之說明圖。
第十二圖係每次更換晶圓進行之二次調準系統的基線檢查動作之說明圖。
第十三圖(A)及第十三圖(B)係二次調準系統之位置調整動作的說明圖。
第十四圖(A)至第十四圖(C)係以一種實施例之曝光裝置進行的晶圓調準之說明圖。
41．．．主框架
63a．．．液體供給管
63b．．．液體排出管
102．．．平台
102a．．．管路
104．．．電樞單元
109．．．鏡筒
122a．．．力產生裝置
122b．．．力產生裝置
122c．．．力產生裝置
124a．．．力產生裝置
126．．．驅動裝置
AL24 ．．．檢測系統
FLG．．．凸緣
PU．．．投影單元
SL4．．．滑塊

Claims (25)

  1. 一種保持裝置，其係可移動地保持檢測物體上之標記的檢測系統，且具備：支撐裝置，其係支撐前述檢測系統；及驅動裝置，其係將藉由前述支撐裝置，並經由特定之間隙而支撐的前述檢測系統，至少驅動於水平面內之一個軸方向；其中前述支撐裝置包含在與前述檢測系統之間產生引力的力產生裝置，並藉由前述引力而懸掛支撐前述檢測系統。
  2. 如申請專利範圍第1項之保持裝置，其中前述支撐裝置於前述檢測系統固定時，使前述間隙大致為零。
  3. 如申請專利範圍第2項之保持裝置，其中前述支撐裝置於前述驅動時調整與前述檢測系統間之力，而形成前述間隙。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之保持裝置，其中前述力產生裝置在與前述檢測系統之間產生斥力，前述支撐裝置調整前述引力與前述斥力之至少一方，而形成前述間隙。
  5. 如申請專利範圍第4項之保持裝置，其中前述支撐裝置於前述檢測系統固定時，使前述斥力大致為零。
  6. 如申請專利範圍第4項之保持裝置，其中在與前述檢測系統之間產生的引力與斥力，實質地作用於前述檢測系統之同一位置。
  7. 如申請專利範圍第4項之保持裝置，其中在前述力產生裝置產生引力同時使斥力接近零時，控制前述驅動裝置，以將前述檢測系統在水平面內之位置大致保持 一定。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之保持裝置，其中前述力產生裝置產生磁性吸引力，作為與前述檢測系統間之引力。
  9. 如申請專利範圍第8項之保持裝置，其中前述力產生裝置具有：磁性體元件，其係設於前述支撐裝置之固定部及前述檢測系統的至少一方；及磁石元件，其係設於前述固定部及前述檢測系統之至少另一方。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之保持裝置，其中前述力產生裝置包含氣體靜壓軸承，作為在與前述檢測系統之間產生斥力的斥力產生裝置。
  11. 如申請專利範圍第10項之保持裝置，其中前述氣體靜壓軸承設於前述檢測系統。
  12. 如申請專利範圍第11項之保持裝置，其中前述氣體靜壓軸承中，經由配置前述檢測系統之前述支撐裝置的固定部而供給氣體。
  13. 如申請專利範圍第11項之保持裝置，其中前述氣體靜壓軸承設於與前述支撐裝置之固定部相對的前述檢測系統之特定面的三處。
  14. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之保持裝置，其中前述力產生裝置作為在與前述檢測系統之間產生引力的引力產生裝置，而具有設於前述檢測系統之複數個永久磁石，並且作為在與前述檢測系統之間產生斥力的斥力產生裝置，而具有設於前述檢測系統之複數個氣墊，連結前述複數個永久磁石而形成之圖形的重心，與連結前述複數個氣墊而形成之圖形的重心大致一致。
  15. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之保持裝置，其中進一步具備限制元件，其係限制前述檢測系統在前述水平面內之移動。
  16. 如申請專利範圍第15項之保持裝置，其中前述限制元件包含凸輪隨動器狀之止動元件。
  17. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之保持裝置，其中進一步具備計測系統，其係計測前述檢測系統在水平面內之位置資訊。
  18. 如申請專利範圍第17項之保持裝置，其中前述計測系統包含線性編碼器。
  19. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之保持裝置，其中配置前述檢測系統之前述支撐裝置的固定部具有冷媒通過其內部之管路。
  20. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之保持裝置，其中前述驅動裝置移動前述檢測系統之光學系統，可改變前述檢測系統檢測區域之位置。
  21. 一種位置檢測裝置，其具備：檢測系統，其係檢測物體上之標記；及可移動地保持前述檢測系統之申請專利範圍第1至20項中任一項的保持裝置。
  22. 一種曝光裝置，其係藉由能束之照射，而在感應物體上形成圖案，且具備：申請專利範圍第21項的位置檢測裝置，其係檢測前述感應物體上之標記的位置資訊；及圖案化裝置，其係利用前述位置檢測裝置之檢測結果，在前述感應物體上照射前述能束。
  23. 如申請專利範圍第22項之曝光裝置，其中前述位置 檢測裝置具有藉由前述驅動裝置至少移動一個之複數個檢測系統，且藉由前述複數個檢測系統以檢測前述感應物體上之標記的位置資訊。
  24. 如申請專利範圍第23項之曝光裝置，其中以可藉由前述複數個檢測系統之至少兩個同時檢測前述感應物體上之不同標記的方式，藉由前述驅動裝置移動前述至少一個檢測系統。
  25. 一種元件製造方法，其係包含：使用申請專利範圍第22至24項中任一項之曝光裝置，將感應物體曝光；及將前述曝光之感應物體顯像。
TW096142461A 2006-11-09 2007-11-09 A holding means, a position detecting means and an exposure means, a moving method, a position detecting method, an exposure method, a adjusting method of the detecting system, and an element manufacturing method TWI413869B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006303669 2006-11-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200830059A TW200830059A (en) 2008-07-16
TWI413869B true TWI413869B (zh) 2013-11-01

Family

ID=39364546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096142461A TWI413869B (zh) 2006-11-09 2007-11-09 A holding means, a position detecting means and an exposure means, a moving method, a position detecting method, an exposure method, a adjusting method of the detecting system, and an element manufacturing method

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8432534B2 (zh)
JP (2) JP5151989B2 (zh)
KR (1) KR101549709B1 (zh)
TW (1) TWI413869B (zh)
WO (1) WO2008056735A1 (zh)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5262455B2 (ja) * 2008-09-01 2013-08-14 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8325325B2 (en) 2008-09-22 2012-12-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8994923B2 (en) 2008-09-22 2015-03-31 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8599359B2 (en) 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8760629B2 (en) 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
US8773635B2 (en) 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8902402B2 (en) 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8792084B2 (en) 2009-05-20 2014-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8970820B2 (en) 2009-05-20 2015-03-03 Nikon Corporation Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8446569B2 (en) 2009-06-19 2013-05-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US8472008B2 (en) 2009-06-19 2013-06-25 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
US8355116B2 (en) 2009-06-19 2013-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8294878B2 (en) 2009-06-19 2012-10-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US20110008734A1 (en) 2009-06-19 2011-01-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8355114B2 (en) 2009-06-19 2013-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2011029217A (ja) * 2009-07-21 2011-02-10 Okawa Kanagata Sekkei Jimusho:Kk ウェーハ用ホルダ
US20110096318A1 (en) 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110096312A1 (en) 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110096306A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110086315A1 (en) 2009-09-30 2011-04-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110075120A1 (en) 2009-09-30 2011-03-31 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110085150A1 (en) 2009-09-30 2011-04-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR20120100959A (ko) * 2009-10-30 2012-09-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US20110123913A1 (en) 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US20110164238A1 (en) 2009-12-02 2011-07-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
DE102011077223B4 (de) 2011-06-08 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Messsystem
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
US9360772B2 (en) 2011-12-29 2016-06-07 Nikon Corporation Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9772564B2 (en) 2012-11-12 2017-09-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
CN113035768A (zh) 2012-11-30 2021-06-25 株式会社尼康 搬送系统
CN102998899B (zh) * 2012-12-05 2014-09-17 天津大学 二自由度纳米定位平台
EP4194953A1 (en) 2013-06-28 2023-06-14 Nikon Corporation Mobile body apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20160290781A1 (en) * 2013-11-08 2016-10-06 Empire Technology Development Llc Apparatus and methods for detecting substrate alignment during a printing process
CN112068406A (zh) 2015-02-23 2020-12-11 株式会社尼康 测量装置、光刻系统、以及组件制造方法
CN111610696A (zh) * 2015-02-23 2020-09-01 株式会社尼康 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法
JP6691693B2 (ja) 2015-02-23 2020-05-13 株式会社ニコン 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びに重ね合わせ計測方法及びデバイス製造方法
EP3291011A4 (en) * 2015-03-25 2019-02-27 Nikon Corporation LAYOUT METHOD, BRAND DETECTION METHOD, LIGHT EXPOSURE METHOD, MEASURING APPARATUS, LIGHT EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US10186438B2 (en) 2015-11-05 2019-01-22 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for use in wafer processing
CN109791368B (zh) 2016-09-27 2021-11-26 株式会社尼康 决定方法及装置、程序、信息记录媒体、曝光装置、布局信息提供方法、布局方法、标记检测方法、曝光方法、以及器件制造方法
US11106145B2 (en) 2016-10-17 2021-08-31 Nikon Corporation Exposure system and lithography system
NL2020344A (en) * 2017-02-03 2018-08-14 Asml Netherlands Bv Exposure apparatus
TWI818915B (zh) 2017-07-14 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 度量衡裝置及基板載物台處置器系統
CN107388968A (zh) * 2017-08-24 2017-11-24 苏州光照精密仪器有限公司 检测仪以及检测系统
TWI796408B (zh) * 2017-12-28 2023-03-21 美商魯道夫科技股份有限公司 順應機台以及形成其之基部的方法
NL2025372A (en) 2020-04-20 2020-05-07 Asml Netherlands Bv System, lithographic apparatus and method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10223528A (ja) * 1996-12-30 1998-08-21 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57117238A (en) * 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS60147741A (ja) * 1984-01-12 1985-08-03 Canon Inc 処理装置とその監視方法
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JP2860578B2 (ja) * 1990-03-02 1999-02-24 キヤノン株式会社 露光装置
US5243195A (en) * 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
KR100300618B1 (ko) * 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JPH0864504A (ja) * 1994-08-26 1996-03-08 Nikon Corp ステージ装置
JPH09246150A (ja) * 1996-03-05 1997-09-19 Nikon Corp 露光装置
JP3553723B2 (ja) * 1996-03-15 2004-08-11 株式会社紀文食品 凍結豆乳すり身
JPH09275117A (ja) * 1996-04-02 1997-10-21 Toshiba Corp 半導体製造装置のコレットホルダユニット
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
CN1244018C (zh) * 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
DE69717975T2 (de) * 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands Bv In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
JPH1116816A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US6020964A (en) 1997-12-02 2000-02-01 Asm Lithography B.V. Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
KR100841147B1 (ko) * 1998-03-11 2008-06-24 가부시키가이샤 니콘 레이저 장치, 자외광 조사 장치 및 방법, 물체의 패턴 검출장치 및 방법
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000068192A (ja) 1998-08-18 2000-03-03 Nikon Corp 露光装置、露光方法及び位置検出方法
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
JP2001308003A (ja) * 2000-02-15 2001-11-02 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
KR20010085493A (ko) * 2000-02-25 2001-09-07 시마무라 기로 노광장치, 그 조정방법, 및 상기 노광장치를 이용한디바이스 제조방법
US20020041377A1 (en) * 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
EP1364257A1 (en) 2001-02-27 2003-11-26 ASML US, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
US6788385B2 (en) * 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
WO2003065428A1 (fr) 2002-01-29 2003-08-07 Nikon Corporation Systeme de reglage d'etat de formation d'images, procede d'insolation, appareil d'exposition, programme, et support d'enregistrement d'information
JP3959283B2 (ja) * 2002-02-19 2007-08-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置及び露光方法
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2004172321A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Seiko Epson Corp ワーク搬送テーブル、ワーク搬送装置、液滴吐出装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP4227402B2 (ja) * 2002-12-06 2009-02-18 キヤノン株式会社 走査型露光装置
WO2004053955A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101516141B1 (ko) 2003-05-06 2015-05-04 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
JPWO2004109780A1 (ja) * 2003-06-04 2006-07-20 株式会社ニコン ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
KR101205263B1 (ko) * 2003-08-07 2012-11-27 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 스테이지 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP4314091B2 (ja) * 2003-10-03 2009-08-12 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3950861B2 (ja) * 2004-02-25 2007-08-01 キヤノン株式会社 位置決め装置及び露光装置
WO2006038952A2 (en) 2004-09-30 2006-04-13 Nikon Corporation Projection optical device and exposure apparatus
JP4710308B2 (ja) * 2004-10-29 2011-06-29 株式会社ニコン レチクル搬送装置、露光装置、及びレチクルの搬送方法
US7515281B2 (en) * 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007184342A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Nikon Corp 露光システム、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2008078499A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Canon Inc 支持装置、露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10223528A (ja) * 1996-12-30 1998-08-21 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2008056735A1 (ja) 2010-02-25
US8432534B2 (en) 2013-04-30
JP5151989B2 (ja) 2013-02-27
KR101549709B1 (ko) 2015-09-11
JP5534262B2 (ja) 2014-06-25
TW200830059A (en) 2008-07-16
KR20090086385A (ko) 2009-08-12
JP2013048254A (ja) 2013-03-07
US20090233234A1 (en) 2009-09-17
WO2008056735A1 (fr) 2008-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI413869B (zh) A holding means, a position detecting means and an exposure means, a moving method, a position detecting method, an exposure method, a adjusting method of the detecting system, and an element manufacturing method
KR101346581B1 (ko) 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 이동체 구동 시스템 및이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101342765B1 (ko) 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP5494920B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
TWI655517B (zh) Exposure apparatus and method, and component manufacturing method
JP5177674B2 (ja) 測定装置及び方法、パターン形成装置及び方法、並びにデバイス製造方法
TWI534408B (zh) Position measuring system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method and component manufacturing method, and measuring tool and measuring method
TWI413870B (zh) Detection device, moving body device, pattern forming device and pattern forming method, exposure device and exposure method, and device manufacturing method
JP2009278097A (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法