TWI411139B - 上下電極ｌｅｄ封裝 - Google Patents

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Description

上下電極LED封裝
本技藝係有關於具有上下電極之發光二極體封裝，特別是封裝完成的產品之上下電極，係分別由共平面之第一金屬片以向上C型彎折與第二金屬片以向下C型彎折所產生者。
圖1A為先前技藝頂視圖。先前技藝係發明人於2009年5月5日公告的美國專利7527391號，其顯示一個具有上下電極的發光二極體封裝產品200，包含上電極21與下電極22。此一平行且重疊上下電極21,22的製作，必須先準備第一金屬基材21，下方疊合一片絕緣材料25、衝壓出通孔，再準備第二金屬基材22疊合於下方、安裝發光二極體晶片20於通孔中的下層金屬22表面，最後以打線24電性耦合發光二極體晶片20的表面電極到第一金屬基材21、再以膠體23加以封裝。其製程比較複雜，在量產上若是可以開發出製程簡單且功能相同的產品，一直是製程工程師努力尋找的方向。
圖1B為圖1A的側面剖視圖。剖面圖顯示第一金屬21左右對稱，位於第二金屬22上方。第二金屬22位於產品底部，構成底部為全面金屬的第二電極22型態。
本技藝準備一片金屬材料，衝壓形成共平面之第一金屬與第二金屬，將發光二極體晶片安置於第一金屬第一端 ，將發光二極體晶片的表面電極電性耦合至第二金屬第一端；將第一金屬的第二端向上C型彎折形成封裝產品的上電極；將第二金屬的第二端向下反C型彎折形成封裝產品的下電極。
圖2A為本技藝實施例一步驟示意圖
(1)準備一片金屬基材，衝壓出共平面的第一金屬511與第二金屬512；(2)將發光二極體晶片50安置於第一金屬511第一端，且將發光二極體晶片50的下層電極電性耦合至第一金屬511；(3)將發光二極體晶片50的表面電極以金屬線52，電性耦合到第二金屬512的第一端；(4)準備封裝膠體53，封裝固著前述元件；圖2B為圖2A的側視圖，圖2B顯示第一金屬511左邊準備向上彎折，第二金屬512右邊準備向下彎折。
接著執行下述步驟，產生圖3A的產品：(5)將第一金屬511第二端向上彎折兩個90度，形成C型彎折，產生上端水平區域511T；以及(6)將第二金屬512第二端向下彎折兩個90度，形成反C型彎折，產生下端水平區域512B。
圖3A為本技藝實施例一成品頂視圖
顯示第一金屬511左端向上彎折兩次90度，產生一個上端水平端511T，作為上電極。第二金屬512右端向下彎 折兩次90度，請參考圖3B。
圖3B為圖3A的側視圖
顯示第一金屬511左端向上彎折兩次90度，產生一個上端水平端511T，作為上電極。第二金屬512右端向下彎折兩次90度，產生一個下端水平端512B，作為上電極。
圖4A為本技藝實施例二步驟示意圖
(1)準備一片金屬基材，衝壓出共平面的H型第一金屬611與矩形第二金屬612；(2)將發光二極體晶片60安置於H型第一金屬611中間橫樑，且將發光二極體晶片60的下層電極電性耦合至第一金屬611；(3)將發光二極體晶片60的表面電極以金屬線62，電性耦合到第二金屬612的第一端；(4)準備封裝膠體63，封裝固著前述元件；圖4B為圖4A的側視圖，圖4B顯示第一金屬611四個延伸端準備向上彎折，第二金屬612右邊延伸端準備向下彎折。
接著執行下述步驟，產生圖5A的產品：(5)將第一金屬611左邊兩個延伸端向上彎折兩個90度，形成C型彎折，產生第一第二兩個上端水平區域611T；將第一金屬611右邊兩個延伸端向上彎折兩個90度，形成反C型彎折，產生第三第四兩個上端水平區域611T；以及(6)將第二金屬612第二端向下彎折兩個90度，形成 反C型彎折，產生下端水平區域612B。
圖5A為本技藝實施例二成品頂視圖
顯示第一金屬611左端兩個延伸端向上彎折兩次90度，產生第一第二兩個上端水平端611T，作為上電極。顯示第一金屬611右端兩個延伸端向上彎折兩次90度，產生第三第四兩個上端水平端611T，作為上電極。第二金屬612右端向下彎折兩次90度，請參考圖5B。
圖5B為圖5A的側視圖
顯示第一金屬611左端延伸端向上彎折兩次90度，產生一個上端水平端611T，作為上電極。右端延伸端也向上彎折兩次90度，產生一個上端水平端611T，作為上電極。第二金屬612右端向下彎折兩次90度，產生一個下端水平端612B，作為下電極。
圖6A為圖5B的上視圖
顯示本技藝實施例二的發光二極體封裝的四個上電極611T，分別位於產品的封裝膠體63上面四個角落。
圖6B為圖5B的下視圖
顯示本技藝實施例二的發光二極體封裝的下電極612B，位於產品的封裝膠體63下面右邊。
圖6C為圖5B的左視圖
顯示本技藝實施例二的發光二極體封裝的第一金屬611左邊兩個延伸端彎折90度的狀態。
圖6D為圖5B的右視圖
顯示本技藝實施例二的發光二極體封裝的第一金屬611 右邊兩個延伸端彎折90度的狀態；以及第二金屬612右邊延伸端彎折90度的狀態。
前述描述揭示了本技藝之較佳實施例，惟，較佳實施例僅是舉例說明，並非用於限制本技藝之權利範圍於此，凡是以均等之技藝手段實施本技藝者、或是以下述之「申請專利範圍」所涵蓋之權利範圍而實施者，均不脫離本技藝之精神而為申請人之權利範圍。
50‧‧‧發光二極體晶片
52‧‧‧打線
53‧‧‧封裝膠體
511、611‧‧‧第一金屬
511T、611T‧‧‧上電極
512、612‧‧‧第二金屬
512B、612B‧‧‧下電極
圖1A為先前技藝頂視圖
圖1B為圖1A的側面剖視圖
圖2A為本技藝實施例一步驟示意圖
圖2B為圖2A的側視圖
圖3A為本技藝實施例一成品頂視圖
圖3B為圖3A的側視圖
圖4A為本技藝實施例二步驟示意圖
圖4B為圖4A的S1-S1’側視圖
圖5A為本技藝實施例二成品頂視圖
圖5B為圖5A的側視圖
圖6A為圖5B的上視圖
圖6B為圖5B的下視圖
圖6C為圖5B的左視圖
圖6D為圖5B的右視圖
50‧‧‧發光二極體晶片
52‧‧‧打線
53‧‧‧封裝膠體
511‧‧‧第一金屬
511T‧‧‧上電極
512‧‧‧第二金屬
512B‧‧‧下電極

Claims (12)

  1. 一種具有上下電極之發光二極體封裝，包含：C型金屬片，具有上端水平區域與下端水平區域；反C型金屬片，具有上端水平區域與下端水平區域；前述之反C型金屬片的上端水平區域與前述之C型金屬片的下端水平區域為共平面；發光二極體晶片，安置於前述之C型金屬片的下端水平區域，且前述之發光二極體晶片的底面電極電性耦合至前述之C型金屬片；將發光二極體表面電極電性耦合至前述之反C型金屬片的上端水平區域；以及封裝膠體，封裝固著前述元件；裸露前述之C型金屬片的上端水平區域，形成上電極；裸露前述之反C型金屬片的下端水平區域，形成下電極。
  2. 一種具有上下電極之發光二極體的封裝方法，包含：準備一片金屬基材，衝壓出共平面的第一金屬與第二金屬；將發光二極體晶片安置於前述之第一金屬第一端，且前述之晶片的底面電極電性耦合至前述之第一金屬；將前述之發光二極體晶片的表面電極以金屬線，電性耦合到第二金屬第一端；準備封裝膠體，封裝固著前述元件；將前述之第一金屬第二端向上彎折兩個90度，形成C型彎折，具有上端水平區域；以及 將前述之第二金屬第二端向下彎折兩個90度，形成反C型彎折，具有下端水平區域。
  3. 一種具有上下電極之發光二極體封裝，包含：H型金屬，具有兩個上層C型金屬區段與兩個上層反C型金屬區段；構成四個上端水平區域與一個橫樑為共同的下端水平區域；下層反C型金屬片，具有上端水平區域與下端水平區域；安置於前述之上層兩個反C型金屬區段中間下方，且前述之下層反C型金屬區段的上端水平區域與前述之兩個上層反C型金屬區段的下端水平區域為共平面；發光二極體，安置於前述之H型金屬片的橫樑上；將發光二極體表面電極電性耦合至前述之下層反C型金屬片的上端水平區域；以及封裝膠體，封裝固著前述元件；裸露前述之兩個上層C型金屬片的上端水平區域，形成第一第二上電極；裸露前述之第兩個上層反C型金屬片的上端水平區域，形成第三第四上電極；裸露前述之下層反C型金屬片的下端水平區域，形成下電極。
  4. 一種具有上下電極之發光二極體之封裝方法，包含：準備一片金屬基材，衝壓出共平面的H型第一金屬與矩形第二金屬；將前述之發光二極體晶片安置於前述之第一金屬中間橫樑，且將 前述之發光二極體晶片的下層電極電性耦合至前述之第一金屬；將前述之發光二極體晶片的表面電極以金屬線電性耦合到前述之第二金屬的第一端；準備封裝膠體，封裝固著前述元件；將前述之第一金屬左邊兩個延伸端向上彎折兩個90度，形成C型彎折，產生第一第二兩個上端水平區域；將前述之第一金屬右邊兩個延伸端向上彎折兩個90度，形成反C型彎折，產生第三第四兩個上端水平區域；以及將前述之第二金屬第二端向下彎折兩個90度，形成反C型彎折，產生下端水平區域。
  5. 一種發光二極體封裝，包含：一第一金屬，向上彎折兩次90度以形成一上端水平區域及一下端水平區域，其中，該第一金屬的該上端水平區域形成該發光二極體封裝的一上電極；一第二金屬，向下彎折兩次90度以形成一上端水平區域及一下端水平區域，其中，該第二金屬的該下端水平區域形成該發光二極體封裝的一下電極；其中，該第一金屬的該下端水平區域及該第二金屬的該上端水平區域共平面；一發光二極體晶片，電連接該第一金屬的該下端水平區域，以及電連接該第二金屬的該上端水平區域；及一封裝膠體，封裝固著該發光二極體晶片。
  6. 如請求項5所述的發光二極體封裝，其中，該第一金屬的該上端水平區域的一上表面由該封裝膠體延伸而出，以形成該發光二極體封裝的該上電極，且其中，該第二金屬的該下端水平區域的一下表面由該封裝膠體延伸而出，以形成該發光二極體封裝的該下電極。
  7. 如請求項5所述的發光二極體封裝，其中，該發光二極體晶片透過一金屬線電性耦接到該第一金屬的該下端水平區域或該第二金屬的該上端水平區域，且其中，該封裝膠體封裝固著該金屬線、該第一金屬的該下端水平區域及該第二金屬的該上端水平區域。
  8. 如請求項5所述的發光二極體封裝，其中，該第一金屬的該下端水平區域及該第二金屬的該上端水平區域共平面。
  9. 一種發光二極體封裝，包含：一C型金屬，包括一上端水平區域及一下端水平區域，其中，該C型金屬的該上端水平區域形成該發光二極體封裝的一上電極；一反C型金屬，包括一上端水平區域即一下端水平區域，其中，該反C型金屬的該下端水平區域形成該發光二極體封裝的一下電極；其中，該C型金屬的該下端水平區域及該反C型金屬的該上端水平區域共平面；一發光二極體晶片，設置且電連接該C型金屬的該下端水平區域，以及透過一金屬線電連接該反C型金屬的該上端水平區域；或者是該發光二極體晶片設置且電連接該反C型金屬的該上端水平區域，以及透過一金屬線電連接該C型金屬的該下端水平區域，及 一封裝膠體，封裝固著該發光二極體晶片及該金屬線。
  10. 如請求項9所述的發光二極體封裝，其中該C型金屬的該上端水平區域的一上表面由該封裝膠體延伸而出，以形成該發光二極體封裝的該上電極，且其中，該反C型金屬的該下端水平區域的一下表面由該封裝膠體延伸而出，以形成該發光二極體封裝的該下電極。
  11. 如請求項9所述的發光二極體封裝，其中，該封裝膠體還封裝固著該C型金屬的該下端水平區域及該反C型金屬的該上端水平區域。
  12. 如請求項9所述的發光二極體封裝，其中，該C型金屬的該下端水平區域及該反C型金屬的該上端水平區域共平面。
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