TWI409414B - 發光二極體光源裝置 - Google Patents

Description

發光二極體光源裝置

本發明涉及一種照明裝置，尤其是一種發光二極體光源裝置。

發光二極體是一種節能、環保、長壽命之固體光源，因此近十幾年來對發光二極體技術之研究一直非常活躍，發光二極體也有漸漸取代日光燈、白熾燈等傳統光源之趨勢。在現有技術中，發光二極體光源裝置一般是將發光二極體設置在電路板上，然後利用參雜螢光粉之封裝膠體封裝該發光二極體，所述發光二極體發出之光激發螢光粉射出到光源外部。但是，由於封裝後之螢光粉層位置是固定不變之，所以發光二極體光源發出之光之色溫也是固定不變之，無法進行調整，不能夠滿足實際需要。

有鑒於此，有必要提供一種螢光粉層可調式發光二極體光源裝置。

一種發光二極體光源裝置，其包括基板、設置在基板上之反射杯及容置在反射杯中並設置在基板上之至少一個發光二極體晶片。所述反射杯內表面分別開設有多組滑槽。所述發光 二極體光源裝置還包括一螢光層，所述螢光層選擇性插設在多組滑槽中之一組並遮擋在發光二極體晶片之出光方向，以改變螢光層相對於發光二極體晶片之距離而改變出光色溫。

上述之發光二極體光源裝置在容置杯之內表面上開設多組滑槽，藉由將螢光層插入到不同之滑槽，來改變螢光層與發光二極體晶片之間之距離，進而改變螢光層內之螢光粉被激發之效率，實現對發光二極體光源之出光色溫之調整。

10‧‧‧發光二極體光源裝置

100‧‧‧基板

200‧‧‧反射杯

300‧‧‧發光二極體晶片

400‧‧‧螢光層

500‧‧‧封裝體

110‧‧‧電極

210‧‧‧前壁

220‧‧‧後壁

230‧‧‧側壁

211‧‧‧插口

231‧‧‧第一滑槽

232‧‧‧第二滑槽

233‧‧‧第三滑槽

圖1為本發明實施方式中螢光層插入到發光二極體光源裝置過程中之整體結構示意圖。

圖2為沿圖1中所示之發光二極體光源裝置之II-II方向之剖面圖。

圖3為沿圖1中所示之發光二極體光源裝置之III-III方向之剖面圖。

以下將結合附圖對本發明作進一步之詳細說明。

請參閱圖1、圖2以及圖3，本發明一較佳實施方式提供之一種發光二極體光源裝置10包括基板100、設置在基板100上之反射杯200、容置在反射杯200中並設置在基板100上之多個發光二極體晶片300以及螢光層400。

所述基板100之材料為藍寶石、碳化矽、矽等材料構成，其上形成有電極110。

所述反射杯200設置於基板100上，其用於設定發光二極體光源裝置10之光場。反射杯200包括前壁210、後壁220以及兩個連接前壁210和後壁220之側壁230。前壁210、後壁220以及二側壁230共同圍成一容置杯。前壁210、後壁220以及側壁230之內表面分別為一傾斜面，該傾斜面自基板100向上向外傾斜，即這些傾斜面沿遠離基板100方向上延伸傾斜，使反射杯200之內部形成一漏斗形狀，並且前壁210、後壁220以及側壁230之內表面還分別塗敷有反光材料。其中，在兩個側壁230之內表面上沿平行基板100方向分別對應開設有一對第一滑槽231、一對第二滑槽232以及一對第三滑槽233，該第一滑槽231、第二滑槽232以及第三滑槽233距離基板100之距離越來越遠，並且貫通側壁230之兩端。反射杯200之前壁210上分別開設有對應第一滑槽231、第二滑槽232以及第三滑槽233之插口211。

能夠想到之是，滑槽之數量並不限定於本實施方式中之三對滑槽，可以根據實際需要確定滑槽之數量。

所述多個發光二極體晶片300設置在基板100上，並且與基板100上之電極110連接。該多個發光二極體晶片300上面還包覆一層封裝體500，所述封裝體500為一封膠樹脂，用於保護發光二極體晶片300免受灰塵、水氣等影響。能夠想到之是，所述發光二極體晶片300之數量也可以為一個。

所述螢光層400為一板狀結構，其由反射杯200之前壁210上之插口211能夠選擇性之分別插設在第一滑槽231、第二滑槽 232以及第三滑槽233中，從而遮擋在發光二極體晶片300之出光光路上。發光二極體晶片300發出之光經過螢光層400，激發其中之螢光粉後射出。螢光層400是由參雜有螢光粉之封膠樹脂製成，所述螢光粉可選自釔鋁石榴石、鋱釔鋁石榴石及矽酸鹽中之一種或幾種之組合。

當然，能夠想到之是，所述螢光層400之數量可以為多個，該多個螢光層400可選擇性之分別插設在不同之滑槽中，從而增加出光色溫之可選擇性和多樣性。

在使用時，當螢光層400分別插入到第一滑槽231、第二滑槽232以及第三滑槽233中時，其相對於發光二極體晶片300之距離不同，所受到之光之強度不同，從而螢光層400內之螢光粉之被激發效率也是不同，進而使得從螢光層400射出之光線之色溫不同。當螢光層400距離發光二極體晶片300越近，照射到螢光層400上之光之強度越強，螢光層400內之螢光粉之被激發效率也就越高，反之，當螢光層400距離發光二極體晶片300越遠，照射到螢光層400上之光之強度越弱，螢光層400內之螢光粉之被激發效率也就越低。例如，請再次參閱圖2，當螢光層400插入到第一滑槽231時，其相對於基板100表面之高度為H1，發光二極體晶片300照射到螢光層400之面積為S1，當螢光層400插入到第二滑槽232時，其相對於基板100表面之高度為H2，發光二極體晶片300照射到螢光層400之面積為S2。由於螢光層400插入到第一滑槽231時距離發光二極體晶片300之高度H1小於螢光層400插入到第二 滑槽232時距離發光二極體晶片300之高度H2，所以螢光層400所受到之光照強度不同，因而其內之螢光粉之被激發效率也就不同，從而導致最後之出光色溫不同。因此藉由將螢光層400選擇性之插入第一滑槽231、第二滑槽232以及第三滑槽233中，從而調整螢光層400相對於基板100之高度，改變螢光層400所受到之光照強度，即可實現對發光二極體光源裝置10色溫之調節。

相較於現有技術，本發明之發光二極體光源裝置在容置杯之內表面上開設多組滑槽，藉由將螢光層插入到不同之滑槽，來改變螢光層與發光二極體晶片之間之距離，進而改變螢光層內之螢光粉被激發之效率，實現對發光二極體光源之出光色溫之調整。

另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化，當然，這些依據本發明精神所做之變化，都應包含在本發明所要求保護之範圍之內。

100‧‧‧基板

300‧‧‧發光二極體晶片

400‧‧‧螢光層

500‧‧‧封裝體

110‧‧‧電極

230‧‧‧側壁

231‧‧‧第一滑槽

232‧‧‧第二滑槽

233‧‧‧第三滑槽

Claims (7)

1. 一種發光二極體光源裝置，其包括基板、設置在基板上之反射杯及容置在反射杯中並設置在基板上之至少一個發光二極體晶片，其改進在於，所述反射杯內表面分別開設有多組滑槽，所述發光二極體光源裝置還包括一螢光層，所述螢光層選擇性插設在多組滑槽中之一組並遮擋在發光二極體晶片之出光方向，以改變螢光層相對於發光二極體晶片之距離而改變出光色溫。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體光源裝置，其中：所述反射杯包括前壁、後壁及兩個連接前壁和後壁之側壁，所述前壁、後壁及側壁之內表面分別塗敷有反光材料。
3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體光源裝置，其中：所述前壁、後壁及側壁之內表面分別為一傾斜面，該傾斜面自基板向上向外傾斜。
4. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體光源裝置，其中：所述多組滑槽分別對應形成在所述側壁上，所述反射杯之前壁上開設有多個對應所述滑槽之插口，所述螢光層能夠由該多個插口分別插入到多個滑槽中。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體光源裝置，其中：所述多組滑槽分別平行所述基板並且距離所述基板之距離越來越遠。
6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體光源裝置，其中： 所述發光二極體晶片上還包覆一層封裝體，所述封裝體為一封膠樹脂。
7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體光源裝置，其中：所述螢光層由參雜有螢光粉之封膠樹脂製成，所述螢光粉選自釔鋁石榴石、鋱釔鋁石榴石及矽酸鹽中之一種或幾種之組合。