CN201126162Y - 结构改良的发光二极管 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种结构改良的发光二极管，该结构改良的发光二极管包括有一承载架、至少一发光芯片及一荧光层。其中该承载架形成一凹陷部；该至少一发光芯片设于该承载架的凹陷部内；而该荧光层结合于该承载架的壁缘上，且于该荧光层下方与该承载架之间形成一容置空间，该容置空间可为真空或惰性气体，以避免降低激发荧光粉的效率，或避免造成色衰，以及避免因空气而易造成发光芯片氧化与因氧化造成温度提高而降低整体的发光效率等问题，进而可提高发光二极管的发光效率与使用寿命。

Description

结构改良的发光二极管

技术领域

本实用新型涉及一种结构改良的发光二极管，通过一承载架、至少一发光芯片及一荧光层的组合设计，该荧光层与该承载架之间形成容置空间，该容置空间可采真空(或充填惰性气体)，以避免降低激发荧光粉的效率，或避免造成色衰，以及避免因空气而易造成该至少一发光芯片氧化与因氧化造成温度提高而降低整体的发光效率等问题，进而可提高发光二极管的发光效率与使用寿命，而适用于发光二极管或类似结构。

背景技术

现有的发光二极管结构，如图5所示，主要包括有一具凹陷槽的承载架A、一芯片B及一透光层D，该芯片B结合于承载架A的凹陷槽之中，该芯片B的外层被一层荧光粉层C所包覆，而该透光层D为透明胶体，以灌入承载架A的凹陷槽之中而包覆于该荧光粉层C外，因荧光粉层C与芯片B直接接触，以使芯片B发出的光线未被中间的介质吸收，而可得到较佳的发光效率，但因芯片B发光会生热，造成该荧光粉层C过热而使发光二极管产生色衰，减少了发光二极管的使用寿命。另一种现有的发光二极管结构，如图6所示，其与前述的差异在于该承载架A上的芯片B的上方设有一透光胶层C1，该透光胶层C1上方又结合有一透光层D1，该透光层D1可采荧光粉与透光胶混合构成(或光学透镜)，进而避免芯片B与荧光粉直接接触之因过热而造成色衰的问题，但是，因该芯片B所发出的光线会穿入该透光胶层C1中，造成有部分的光线被该透光胶层C1中的透明胶体吸收而降低激发荧光粉的效率。

发明内容

本实用新型的主要目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种结构改良的发光二极管，通过一承载架、至少一发光芯片及一荧光层的组合设计，该荧光层位于该至少一发光芯片的上方并涵盖该至少一发光芯片的发光区，该荧光层与该承载架之间形成容置空间，该容置空间可采真空(或充填惰性气体)，以避免因该至少一发光芯片发光产生的热与该荧光层直接接触而因过热造成色衰的问题，进而可提高发光二极管的使用寿命及得到混光均匀的效果，以增进整体的实用性。

本实用新型的次一目的在于，提出一种结构改良的发光二极管，通过一承载架、至少一发光芯片及一荧光层的组合设计，且通过荧光层与该承载架之间形成有容置空间，而该容置空间可采真空或充填惰性气体，以供降低热的传导，可避免该至少一发光芯片发出的光线与空气中的氧气作用而易造成该至少一发光芯片氧化，可避免因为氧化而使温度提高而导致降低发光效率，以及可避免该至少一发光芯片发出的光线直接穿入该透光胶体(或混合荧光粉的透光胶体)而造成部份光线被吸收使激发荧光粉的效率变低，进而使发光效率降低的问题，进而提高发光二极管的发光效率与使用寿命，以增进其实用性。

为达上述目的，本实用新型提供一种结构改良的发光二极管，包括：一承载架，该承载架形成一凹陷部；至少一发光芯片，该至少一发光芯片设于该承载架的凹陷部内；以及一荧光层，该荧光层结合于该承载架的壁缘上，且于该荧光层下方与该承载架之间形成一容置空间，该容置空间为真空。

为达上述目的，本实用新型还提供一种结构改良的发光二极管，包括：一承载架，该承载架形成一凹陷部；至少一发光芯片，该至少一发光芯片设于该承载架的凹陷部内；以及一荧光层，该荧光层结合于该承载架的壁缘上，且于该荧光层下方与该承载架之间形成一容置空间，该容置空间充填有惰性气体。

本实用新型具有以下有益技术效果：

1、通过一承载架、至少一发光芯片及一荧光层的组合设计，该荧光层位于该至少一发光芯片的上方并涵盖该至少一发光芯片的发光区，该荧光层与该承载架之间形成容置空间，该容置空间可采真空(或充填惰性气体)，以避免因该至少一发光芯片发光产生的热与该荧光层直接接触而因过热造成色衰的问题，进而可提高发光二极管的使用寿命及得到混光均匀的效果，以增进整体的实用性。

2、通过一承载架、至少一发光芯片及一荧光层的组合设计，且通过荧光层与该承载架之间形成有容置空间，而该容置空间可采真空或充填惰性气体，以供降低热的传导，可避免该至少一发光芯片发出的光线与空气中的氧气作用而易造成该至少一发光芯片氧化，可避免因为氧化而使温度提高而导致降低发光效率，以及可避免该至少一发光芯片发出的光线直接穿入该透光胶体(或混合荧光粉的透光胶体)而造成部份光线被吸收使激发荧光粉的效率变低，进而使发光效率降低的问题，进而提高发光二极管的发光效率与使用寿命，以增进其实用性。

本实用新型的其它特点及具体实施例可于以下配合附图的详细说明中，进一步了解。

附图说明

图1为本实用新型的第一实施例的剖面示意图；

图2为本实用新型的第一实施例的组件分解图；

图3为本实用新型的第二实施例的剖面示意图；

图4为本实用新型的第二实施例的组件分解图；

图5为一现有发光二极管的剖面示意图；

图6为另一现有发光二极管的剖面示意图。

图中符号说明

10    承载架

11    陷部

20    发光芯片

30    荧光层

31    透光层

40    容置空间

A     承载架

B     芯片

C     荧光粉层

D     透光层

C1    透光胶层

D1    透光层

具体实施方式

请参图1～2所示，本实用新型为一种结构改良的发光二极管，包括：

一承载架10，该承载架10形成一凹陷部11，该凹陷部11设为凹杯状，以利集光。

至少一发光芯片20，该至少一发光芯片20固设(该固设方式可采覆晶或连接导线的方式)于该承载架10的凹陷部11内。

一荧光层30，该荧光层30结合于该承载架10的壁缘上，且于该荧光层30下方与该承载架10之间形成一容置空间40，该容置空间40为真空。

其中，该荧光层30上方可进一步结合一透光层31(请另参图3～4，本实用新型的第二实施例)，该透光层31可为光学透镜(Lens)、玻璃或透光胶体，以利聚光，该透光胶体可采环氧树脂(Epoxy，简称EP)、聚肽酰胺(Polyphthalamide，简称PPA)或硅胶(Silicone)等其中的任一种。

再者，虽在第一实施例及第二实施例中，该容置空间40采真空，但于实际实施时，亦可于该容置空间40中充填惰性气体，例如：氮(N₂)、氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)…等其中任一种气体。组装时，先将该至少一发光芯片20固设结合于承载架10上，以及将荧光粉体与透光胶混合形成该荧光层30(或是如图3～4所示，将荧光粉体均匀涂布或均匀喷洒于该透光层31的底层而形成该荧光层30)，通过将该荧光层30与该结合有至少一发光芯片20的承载架10一同置于真空或充满氮气(或其它惰性气体)的环境下，将该荧光层30卡合、套合或跨置于该承载架10的壁缘上时，并使该荧光层30下方与该承载架10之间具有一段距离差而形成一容置空间40，以使该容置空间40成为真空或充满氮气(或其它惰性气体)，由此，以完成本实用新型的组装。

请再参图1～4，承上结构，本实用新型的结构改良的发光二极管，其特点在于通过一承载架10、至少一发光芯片20及一荧光层30的组合设计，该荧光层30结合于该承载架10上并形成一容置空间40，该容置空间40使该至少一发光芯片20与荧光层30之间具有一段距离，以避免该荧光层30与该至少一发光芯片20直接接触而受该至少一发光芯片20发光生热造成该荧光层30因过热产生色衰的情形；又通过该容置空间40中为真空(或充满了惰性气体)，以避免该至少一发光芯片20发出的光线与空气中的氧气作用而易造成该至少一发光芯片20氧化，及可避免因氧化作用而使温度提高导致发光效率变低的问题，亦可避免因为该至少一发光芯片20发出的光线直接穿入透光胶体(或混合荧光粉的透光胶体)中，造成部份光线被吸收而导致激发荧光粉的效率降低，进而影响发光效率的问题；再通过该荧光层30与该承载架10之间形成的容置空间40采真空或充填惰性气体，以供降低热的传导，进而可提高发光二极管的发光效率及增加发光二极管的使用寿命，并因为该荧光层30结合于该至少一发光芯片20的上方，并于上方涵盖该至少一发光芯片20的发光区，使该至少一发光芯片20发出的光线经由与该荧光层30的作用，可达成均匀混光，进而使本实用新型具混光均匀、发光效率佳及使用寿命增长等效果，以增加其实用性及便利性。

以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例，当不能用以限定本实用新型可实施的范围，凡本领域技术人员所明显可作变化与修饰，皆应视为不悖离本实用新型的实质内容。

Claims (11)

1.一种结构改良的发光二极管，其特征在于，包括：

一承载架，该承载架形成一凹陷部；

至少一发光芯片，该至少一发光芯片设于该承载架的凹陷部内；以及

一荧光层，该荧光层结合于该承载架的壁缘上，且于该荧光层下方与该承载架之间形成一容置空间，该容置空间为真空。

2.如权利要求1所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该荧光层上方进一步结合一透光层。

3.如权利要求2所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该透光层为光学透镜。

4.如权利要求2所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该透光层为透光胶体，而该透光胶体为环氧树脂、聚肽酰胺、硅胶中的任一种。

5.如权利要求2所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该透光层为玻璃。

6.一种结构改良的发光二极管，其特征在于，包括：

一承载架，该承载架形成一凹陷部；

至少一发光芯片，该至少一发光芯片设于该承载架的凹陷部内；以及

一荧光层，该荧光层结合于该承载架的壁缘上，且于该荧光层下方与该承载架之间形成一容置空间，该容置空间充填有惰性气体。

7.如权利要求6所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该荧光层上方进一步结合一透光层。

8.如权利要求7所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该透光层为光学透镜。

9.如权利要求7所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该透光层为透光胶体，该透光胶体为环氧树脂、聚肽酰胺、硅胶中的任一种。

10.如权利要求7所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该透光层为玻璃。

11.如权利要求6所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该惰性气体为氮、氦、氖、氩、氪、氙、氡中的任一种气体。

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