TWI408992B - 電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶 - Google Patents

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Description

電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶
本發明，係關於一種濺鍍靶，其係用以藉濺鍍形成構成各種電子機器、資訊機器之顯示器等所使用之電致發光元件之螢光體膜。特別是，關於用以藉於含H2 S氣體之環境氣氛中進行反應之反應性濺鍍法形成添加銪之硫代鋁酸鎂．鋇螢光體膜(Mgx Ba1－x Al2 S4 ：Eu，其中x＝0.1~0.9)之濺鍍靶，其係即使於大氣中放置長時間亦可維持高強度之電致發光元件之螢光體膜形成用濺鍍靶。
本發明，主張2006年02月17日於日本申請之日本特願2006－40338號之優先權，並援用其內容於此。
近年來，於各種電子機器、資訊機器之顯示器正使用電致發光元件，而於該電致發光元件係使用有螢光體膜。電致發光元件，一般係具有下述構成：於玻璃基板上形成下部電極，於該下部電極之上形成第一絕緣膜，於該第一絕緣膜上形成螢光體膜，於該螢光體膜之上，以使螢光體膜由第二絕緣膜及第一絕緣膜包覆的方式形成第二絕緣膜，於該第二絕緣膜上形成上部電極，而該構造係廣為所知。
該電致發光元件所使用之螢光體膜之一，已知有添加銪之硫代鋁酸鎂．鋇螢光體膜(Mgx Ba1－x Al2 S4 ：Eu，其中x＝0.1~0.9)。該添加銪之硫代鋁酸鋇螢光體膜，母體成分係由硫代鋁酸鎂．鋇(Mgx Ba1－x Al2 S4 ，其中x＝0.1~0.9)所構成，發光中心之雜質係由銪(Eu)所構成，故該添加銪之硫代鋁酸鎂．鋇螢光體膜，係將MgS顆粒、Al2 S3 顆粒與添加有EuS3 之BaS顆粒作為蒸發源，以二維脈衝電子束蒸鍍法製作最初之非晶相之薄膜，之後藉由以退火爐進行熱處理使其結晶化而製作(參照專利文獻1)。
再者，添加銪之硫代鋁酸鎂．鋇螢光體膜(Mgx Ba1－x Al2 S4 ：Eu，其中x＝0.1~0.9)，一般而言，已知係以多重陰極濺鍍法(multiple－cathode sputtering)形成電致發光元件之螢光體膜(參照專利文獻2)。
專利文獻1：美國專利6919682號公報。
專利文獻2：日本特開2001－118677號公報。
近年來，顯示器愈來愈大型化，因此該大型之顯示器所使用之電致發光元件亦愈來愈大型化，但上述以蒸鍍法製造廣面積之添加銪之硫代鋁酸鋇螢光體膜時有其限界，形成更廣面積之薄膜時以濺鍍法較蒸鍍法為有利，故近年來，進行著以多重陰極濺鍍法製造大型電致發光元件所使用之廣面積添加銪之硫代鋁酸鎂．鋇螢光體膜的研究。
然而，若以多重陰極濺鍍法製造添加銪之硫代鋁酸鎂．鋇螢光體膜，則為了將Mg、Ba、Al及Eu各元素同時濺鍍，必須共同安裝Mg、Ba、Al及Eu各元素之靶於濺鍍裝置，故濺鍍裝置必須大型化，又，Ba及Eu為必須保存於油中以防止氧化之活性金屬，由於Ba及Eu若放置於大氣中則立即氧化，故欲於大氣中操作Ba及Eu靶為非常困難。
再者，既使使用Mg、Ba、Al及Eu各元素之靶進行多重陰極濺鍍，亦難以於不產生成分組成偏差之情形下成形為添加銪之硫代鋁酸鎂．鋇螢光體膜(Mgx Ba1－x Al2 S4 ：Eu，其中x＝0.1~0.9)，故將Mg、Ba、Al及Eu各要素粉末以由膜特性所訂定之含有Al：20~50質量%、Eu：1~10質量%、Mg：0.5~20質量%，剩餘部分為Ba所構成之組成的方式配合、混合，製作成混合粉末，將該混合粉末加壓成形，以於真空中之燒結或熱壓製作成靶，使用該靶於硫化氫環境氣氛中進行濺鍍，以製作成添加銪之硫代鋁酸鋇螢光體膜(BaAl2 S4 ：Eu)。
然而，將Mg、Ba、Al及Eu各要素粉末以含有Al：20~50質量%、Eu：1~10質量%、Mg：0.5~20質量%，剩餘部分為Ba所構成之組成的方式配合、混合，並加壓成形之後，於真空中之燒結或熱壓所製得之靶，由於容易氧化之Ba粉末及Eu粉末以金屬狀態殘存於材料中，如若將該靶放置於大氣中則於短時間內即氧化，因此，將所製作之靶安裝於濺鍍裝置至開始濺鍍之間靶即氧化，靶的強度極度降低，而有無法作為濺鍍用靶使用之問題點。
本發明之目的在於，提供一種即使長時間放置於大氣中亦可維持高強度之電致發光元件之螢光體膜形成用濺鍍靶。
本發明人等，針對即使長時間放置於大氣中亦可維持高強度之電致發光元件之螢光體膜形成用濺鍍靶的開發進行研究。其結果，初次發現以下之(A)~(C)。
(A)作為原料，準備Al－Mg合金、BaAl4 金屬間化合物、金屬Ba及金屬Eu、及視需要之金屬Al，將該等原料真空熔解、鑄造，製作成具有含Al：20~50質量%、Eu：1~10質量%、Mg：0.5~20質量%、剩餘部分為Ba及不可避免之雜質所構成之組成之鑄錠，將該鑄錠粉碎作成合金粉末，並將該合金粉末於真空中燒結或熱壓所製得之靶，係由Mg與Al之金屬間化合物及固溶Eu之Ba與Al之金屬間化合物所構成，由於Eu係固溶於Ba故即使放置於大氣中亦不會於短時間內氧化，因此，明白即使將該靶長時間放置於大氣中亦可維持其強度。
(B)明白該Mg與Al之金屬間化合物相，係由Al3 Mg2 金屬間化合物、Al12 Mg17 金屬間化合物及AlMg金屬間化合物所構成，
該Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相，係由Eu固溶於BaAl4 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物相及Eu固溶於Ba7 Al13 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物相所構成。
(C)並得到下述之研究結果：若材料中存在有單體Mg相則靶中容易產生異常放電，故材料中以不存在有單體Mg為佳，再者，若殘存單體Ba相及單體Eu相則容易氧化，而使靶的強度降低，故材料中以不存在有單體Ba相及單體Eu相為佳。
本發明，係基於上述研究結果所完成者，係(1)一種電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，其係具有含Al：20~50質量%、Eu：1~10質量%、Mg：0.5~20質量%、剩餘部分為Ba及不可避免之雜質所構成之組成，並具有Mg與Al之金屬間化合物相及Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相所構成之組織。
(2)如上述(1)所記載之電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，其中，較佳為，該Mg與Al之金屬間化合物相，係由Al3 Mg2 金屬間化合物、Al12 Mg17 金屬間化合物及AlMg金屬間化合物所構成，該Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相，係由Eu固溶於BaAl4 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物相及Eu固溶於Ba7 Al13 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物相所構成。
本發明人等，繼續進行研究的結果發現，本發明之用以形成電致發光元件之螢光體膜之高強度濺鍍靶，雖於材料中分散有單體Mg相、單體Ba相及單體Eu相為不佳，但即使分散有單體Al相，由於Al並不會急劇地氧化，故不會使強度降低，而藉由於材料中均勻地分散單體Al相，反而可使韌性提昇，於靶之切削時不會產生傾斜，得到上述研究結果。
因此，本發明係(3)一種電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，其係具有含Al：20~50質量%、Eu：1~10質量%、Mg：0.5~20質量%、剩餘部分為Ba及不可避免之雜質所構成之成分組成，並具有Mg與Al之金屬間化合物相、Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相及單體Al相所構成之組織。
(4)如上述(3)之電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，其中，較佳為，該Mg與Al之金屬間化合物相，係由Al3 Mg2 金屬間化合物、Al12 Mg17 金屬間化合物及AlMg金屬間化合物所構成，該Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相，係由Eu固溶於BaAl4 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物相及Eu固溶於Ba7 Al13 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物相所構成。
本發明之靶，由於具有Mg與Al之金屬間化合物相及Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相所構成之組織，故即使將靶放置於大氣中亦不會於短時間內氧化，因此，即使將該靶長時間放置於大氣中亦可維持強度。
藉由使用本發明之濺鍍靶於含H2 S之環境氣氛中進行濺鍍，可以高速度製造與以往相比更廣面積之電致發光元件之螢光體膜，其製造成本亦下降，故對於顯示器產業的發展有很大的貢獻。
又，上述組織亦可具有單體Al相，即使於材料中分散有該單體Al相，由於Al並不會急劇地氧化，故不會使強度降低，而藉由於材料中均勻地分散單體Al相，反而可使韌性提昇，於靶之切削時不會產生傾斜。
以下，詳細說明本發明。
本發明之第一實施形態之電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，係具有含Al：20~50質量%、Eu：1~10質量%、Mg：0.5~20質量%、剩餘部分為Ba及不可避免之雜質所構成之成分組成，並具有Mg與Al之金屬間化合物相及Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相所構成之組織(亦稱為第一實施形態之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶)。
於上述第一實施形態之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，該Mg與Al之金屬間化合物相，較佳為，由Al3 Mg2 金屬間化合物、Al12 Mg17 金屬間化合物及AlMg金屬間化合物所構成，該Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相，較佳為，由Eu固溶於BaAl4 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物相及Eu固溶於Ba7 Al13 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物相所構成(亦將如此之濺鍍靶，稱為第二實施形態之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶)。
本發明之第三實施形態之電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，係具有含Al：20~50質量%、Eu：1~10質量%、Mg：0.5~20質量%、剩餘部分為Ba及不可避免之雜質所構成之成分組成，並具有Mg與Al之金屬間化合物相、Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相、與單體Al相所構成之組織(亦稱為第三實施形態之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶)。
又，於上述第三實施形態之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，該Mg與Al之金屬間化合物相，較佳為，由Al3 Mg2 金屬間化合物、Al12 Mg17 金屬間化合物及AlMg金屬間化合物所構成，該Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相，較佳為，由Eu固溶於BaAl4 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物相及Eu固溶於Ba7 Al13 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物相所構成(亦將如此之濺鍍靶，稱為第四實施形態之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶)。
製造上述第一~第二實施形態之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶時，例如，可以下述方式製造。
首先，作為原料，準備Al－Mg合金、BaAl4 金屬間化合物、金屬Ba及金屬Eu，將該等原料裝入氧化鋁製坩鍋，於氬氣環境氣氛中以高頻真空熔解爐熔解，將所得之熔融液澆注於模具中，製作成鑄錠。接著，將所得之鑄錠，於高純度氬氣氣流內粉碎，製作成粒徑為500μm以下之粉末，將該粉末以溫度：350~800℃、壓力：10~50MPa保持1~8小時之條件進行熱壓，製作成熱壓體。接著，將該熱壓體進行切削加工，藉此，可製作電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶。
又，製造上述第三~第四實施形態之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶時，例如，可以下述方式製造。
首先，作為原料，準備金屬Al、Al－Mg合金、BaAl4 金屬間化合物、金屬Ba及金屬Eu，將該等原料裝入氧化鋁製坩鍋，於氬氣環境氣氛中以高頻真空熔解爐熔解，將所得之熔融液澆注於模具中，製作成鑄錠。接著，將所得之鑄錠，於高純度氬氣氣流內粉碎，製作成粒徑為500μm以下之粉末，將該粉末以溫度：350~800℃、壓力：10~50MPa保持1~8小時之條件進行熱壓，製作成熱壓體。接著，將該熱壓體進行切削加工，藉此，可製作電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶。
將本發明之電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶的成分組成，作成含Al：20~50質量%、Eu：1~10質量%、Mg：0.5~20質量%、剩餘部分為Ba及不可避免之雜質所構成之成分組成，係用以形成添加銪之硫代鋁酸鎂．鋇螢光體膜(Mgx Ba1－x Al2 S4 ：Eu，其中x＝0.1~0.9)之以計算所導出之範圍，由於為已知之成分組成，故省略其限定理由的說明。
又，上述原料之可取得之金屬Ba以純度愈高者為佳，而一般作為工業原料可取得之金屬Ba中，係含有不可避免之雜質之鹼土類金屬(主要為Sr、Ca、Mg)。因此，於本發明之電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，亦含有該等不可避免之雜質之鹼土類金屬(主要為Sr、Ca、Mg)，而含有不可避免之雜質之Sr：2質量%以下、Ca：1質量%以下、Mg：0.5質量%以下之電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，亦包含於本發明之電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶。
又，由於Eu為非常容易氧化之元素，故單體Eu相若分散於靶組織中為不佳，而以固溶於Ba與Al之金屬間化合物為佳，而於本發明之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶之組織，亦可包含以En與Al之金屬間化合物之狀態存在或固溶者。
本發明之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，由於具有Mg與Al之金屬間化合物相及Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相所構成之組織，故即使將靶放置於大氣中亦不會於短時間內氧化，因此，即使將該靶長時間放置於大氣中亦可維持強度。
藉由使用本發明之濺鍍靶於含H2 S之環境氣氛中進行濺鍍，可以高速度製造與以往相比更廣面積之電致發光元件之螢光體膜，其製造成本亦下降，故對於顯示器產業的發展有很大的貢獻。
又，上述組織亦可具有單體Al相，即使於材料中分散有該單體Al相，由於Al並不會急劇地氧化，故不會使強度降低，而藉由於材料中均勻地分散單體Al相，反而可使韌性提昇，於靶之切削時不會產生傾斜。
[實施例] (實施例1)
作為原料，準備Al－Mg合金、BaAl4 金屬間化合物、金屬Ba及金屬Eu，將該等原料裝入氧化鋁製坩鍋，於氬氣環境氣氛中，以溫度：1200℃以高頻真空熔解爐熔解，將所得之熔融液澆注於模具中，製作成鑄錠。接著，將所得之鑄錠，於高純度氬氣氣流內粉碎，製作成平均粒徑：70μm之粉末，將該粉末以溫度：400℃、壓力：40MPa保持2小時之條件進行熱壓，製作成具有直徑：125mm、厚度：5mm之尺寸、且具有表1所示成分組成之本發明之實施例之熱壓體靶1~5及比較例之熱壓體靶1~3。接著，由該等本發明之實施例之熱壓體靶1~5及比較例之熱壓體靶1~3裁切成塊進行X射線繞射，並將峰值強度之檢測結果示於表1。
接著，由該等熱壓體靶裁切、製作成具有寬度：4mm、長度：40mm、厚度：3mm之尺寸之抗折試驗片。將該抗折試驗片放置於大氣中12小時後，依JIS R－1601所規定之方法進行三點彎曲試驗，求出抗折強度，其結果示於表1。
再者，將本發明之實施例之熱壓體靶1~5及比較例之熱壓體靶1~3安裝於濺鍍裝置，另一方面，將做為基板之石英玻璃(縱：18mm、橫：12mm、厚度：1.2mm)以相對向於靶之方式安裝於濺鍍裝置，以環境氣氛：Ar(壓力：0.13Pa)、輸出：280W(直流)之條件實施濺鍍，測定於10分鐘之濺鍍中產生異常放電的次數，其結果示於表1。
(以往例)
作為原料，準備Mg粉末、Al粉末、Ba粉末及Eu粉末，將該等原料粉末以溫度：400℃、壓力：40MPa保持2小時之條件進行熱壓，製作成具有表1所示成分組成之以往例之熱壓體靶1~5，將該等以往例之熱壓體靶1~5裁切成塊進行X射線繞射，並將峰值強度之檢測結果示於表1。
接著，由該等熱壓體靶裁切、製作成具有寬度：4mm、長度：40mm、厚度：3mm之尺寸之抗折試驗片。將該抗折試驗片放置於大氣中12小時後，依JIS R－1601所規定之方法進行三點彎曲試驗，求出抗折強度，其結果示於表1。
再者，將以往例之熱壓體靶1~5安裝於濺鍍裝置，於Ar環境氣氛中，與上述實施例1以相同條件進行濺鍍以測定產生異常放電的次數，其結果示於表1。
由表1所示之結果可知，(a)本發明之實施例之熱壓體靶1~5，由於檢測出Al3 Mg2 金屬間化合物、Al12 Mg17 金屬間化合物及AlMg金屬間化合物之波峰，故可知存在有由Al3 Mg2 金屬間化合物、Al12 Mg17 金屬間化合物及AlMg金屬間化合物所構成之Mg與Al之金屬間化合物相。並且，由於檢測出BaAl4 金屬間化合物及Ba7 Al13 金屬間化合物之波峰，並檢測出單體Mg相、單體Al相、單體Ba相及單體Eu相之波峰，故可知本發明之實施例之熱壓體靶1~5之組織，具有BaAl4 金屬間化合物相及Ba7 Al13 金屬間化合物相，且Eu係以固溶於Ba之狀態含有。如此之本發明之實施例之熱壓體靶1~5，即使放置於大氣中12小時，亦可維持高強度，且濺鍍中之異常放電之產生次數亦少。
(b)比較例之熱壓體靶1~3，可知檢測出BaAl4 金屬間化合物相及Ba7 Al13 金屬間化合物相，並檢測出單體Ba相及/或單體Eu相之波峰。若將該等比較例之熱壓體靶1~3放置12小時，則強度降低。
(c)將Mg粉末、Al粉末、Ba粉末及Eu粉末等要素金屬粉末熱壓所得之以往例之熱壓體靶1~5，其成分組成分別與本發明之實施例之熱壓體靶1~5相同，但未檢測出由Al3 Mg2 金屬間化合物、Al12 Mg17 金屬間化合物與AlMg金屬間化合物所構成之Mg與Al之金屬間化合物相、及Eu固溶於Ba之BaAl4 金屬間化合物及Eu固溶於Ba之Ba7 Al13 金屬間化合物所構成之Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相的波峰，但檢測出Mg相、單體Al相、單體Ba相及單體Eu相之全部波峰。如此之以往例之熱壓體靶1~5，若放置於大氣中12小時，則其強度極度降低，於濺鍍之際異常放電之產生次數多、而顆粒之產生數多。
(實施例2)
作為原料，準備Al－Mg合金、BaAl4 金屬間化合物、金屬Al、金屬Ba及金屬Eu，將該等原料裝入氧化鋁製坩鍋，於氬氣環境氣氛中，以溫度：1200℃以高頻真空熔解爐熔解，將所得之熔融液澆注於模具中，製作成鑄錠。接著，將所得之鑄錠，於高純度氬氣氣流內粉碎，製作成平均粒徑：70μm之粉末，將該粉末與平均粒徑：100μm之Al粉末混合，將所得之混合粉末以溫度：400℃、壓力：40MPa保持2小時之條件進行熱壓，製作成具有表2所示成分組成之本發明之實施例之熱壓體靶6~10。接著，由該等本發明之實施例之熱壓體靶6~10裁切成塊進行X射線繞射，並將峰值強度之檢測結果示於表2。
接著，由該等熱壓體靶裁切、製作成具有寬度：4mm、長度：40mm、厚度：3mm之尺寸之抗折試驗片。將該抗折試驗片放置於大氣中12小時後，依JIS R－1601所規定之方法進行三點彎曲試驗，求出抗折強度，其結果示於表2。
再者，將本發明之實施例之熱壓體靶6~10，以較實施例1更深2.5倍之切入深度：0.5mm、運送速度：40m/分鐘、轉速：540轉/分鐘、反相器：20Hz之條件使用銑床進行乾式切削加工，藉此製作成具有寬度：200mm、長度：350mm、厚度：10mm之尺寸，並具有表2所示之成分組成之本發明之實施例之靶6~10，測定切削表面所產生之直徑1mm以上之傾斜個數，其結果示於表2。
再者，將本發明之實施例之熱壓體靶6~10安裝於濺鍍裝置，於Ar環境氣氛中，與實施例1以相同條件進行濺鍍，測定異常放電的產生次數，其結果示於表2。
由表2所示之結果可知，本發明之實施例之熱壓體靶6~10，存在有由Al3 Mg2 金屬間化合物、Al12 Mg17 金屬間化合物及AlMg金屬間化合物所構成之Mg與Al之金屬間化合物相，且存在有Eu固溶於Ba之BaAl4 金屬間化合物及Eu固溶於Ba之Ba7 Al13 金屬間化合物所構成之Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相，並且存在有單體Al相，另一方面，未檢測出Mg相、單體Ba相及單體Eu相之波峰。如此之本發明之實施例之熱壓體靶6~10，即使放置於大氣中12小時亦可維持高強度，且由於存在有單體Al相，故切削性提昇，即使以嚴苛之條件進行切削亦不會產生傾斜，且異常放電次數亦較表1之以往例之熱壓體靶1~5少。
以上，係說明本發明之較佳實施例，但本發明並不限於該等實施例。只要於不脫離本發明之宗旨之範圍內，亦可進行構成之增加、省略、取代、及其他變更。本發明並不限定於上述之說明，僅受限於所添附之申請專利範圍。
本發明之電致發光元件之螢光體膜形成用濺鍍靶，即使長時間放置於大氣中亦可維持高強度。藉由使用本發明之濺鍍靶於含H2 S之環境氣氛中進行濺鍍，可以高速度製造與以往相比更廣面積之電致發光元件之螢光體膜，其製造成本亦下降，故對於顯示器產業的發展有很大的貢獻。

Claims (4)

  1. 一種電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，其特徵係，具有含Al：20~50質量%、Eu：1~10質量%、Mg：0.5~20質量%、剩餘部分為Ba及不可避免之雜質所構成之成分組成，並具有Mg與Al之金屬間化合物相及Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相所構成之組織。
  2. 如申請專利範圍第1項之電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，其中，該Mg與Al之金屬間化合物相，係由Al3 Mg2 金屬間化合物、Al12 Mg17 金屬間化合物及AlMg金屬間化合物所構成，該Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相，係由Eu固溶於BaAl4 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物及Eu固溶於Ba7 Al13 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物所構成。
  3. 一種電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，其特徵係，具有含Al：20~50質量%、Eu：1~10質量%、Mg：0.5~20質量%、剩餘部分為Ba及不可避免之雜質所構成之成分組成，並具有Mg與Al之金屬間化合物相、Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相及單體Al相所構成之組織。
  4. 如申請專利範圍第3項之電致發光元件之螢光體膜形成用高強度濺鍍靶，其中，該Mg與Al之金屬間化合物相，係由Al3 Mg2 金屬間化合物、Al12 Mg17 金屬間化合物及AlMg金屬間化合物所構成，該Eu固溶之Ba與Al之金屬間化合物相，係由Eu固溶於BaAl4 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物及Eu固溶於Ba7 Al13 金屬間化合物之Ba之金屬間化合物所構成。
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