TWI398544B

TWI398544B - 金屬基板的鍍膜結構及其鍍膜方法

Info

Publication number: TWI398544B
Application number: TW97134722A
Authority: TW
Inventors: Ching Sheng Chen
Original assignee: Subtron Technology Co Ltd
Priority date: 2008-09-10
Filing date: 2008-09-10
Publication date: 2013-06-11
Also published as: TW201011120A

Description

金屬基板的鍍膜結構及其鍍膜方法

本發明是有關於一種鍍膜結構及其鍍膜方法，且特別是有關於一種金屬基板的鍍膜結構及其鍍膜方法。

由於發光二極體(LED,Light Emitting Diode)具有體積小、壽命長、驅動電壓低、反應速度快及耐震性佳等特性，因而廣泛被應用在可攜式通訊裝置、交通號誌、戶外顯示看板、汽車光源及照明等電子產品領域。但隨著製造技術的精進，發光二極體的發光亮度越來越高，其功率與發熱量也隨之提升。因此，發光二極體便需要更強之工作電流以及更佳的散熱結構。

基於上述考量之下，習知的發光二極體配置於金屬基板上，再利用打線等方式與金屬基板上的接墊電性連接，並且藉由金屬基板將發光二極體所產生的熱量導引出去。一般而言，習知金屬基板的材質例如為銅，並且透過蝕刻等製程在金屬基板上形成接墊，以與發光二極體作電性連接。在金屬基板上形成接墊之後，再全面性覆蓋一鎳層與一金層於接墊上，以避免接墊氧化。然而，金層必須全面性覆蓋接墊上，而厚度又必須符合打線的需求。但實際上，接墊的表面積僅有一小部份做為打線接合的面積，打線接合所需的金層面積不大，故將金層全面覆蓋接墊上相當浪費材料成本。

本發明提供一種金屬基板的鍍膜結構及其鍍膜方法，具有較低的鍍膜成本。

本發明提供一種金屬基板的鍍膜方法，包括下列步驟。首先，圖案化一金屬基板，以形成一金屬塊，其中金屬塊具有一接墊表面。然後，全面性形成一中介層於接墊表面上。之後，全面性形成一第一抗氧化層於中介層上。再來，於第一抗氧化層上局部性增厚一第二抗氧化層。

在本發明之一實施例中，全面性形成中介層的方法包括浸漬法或無電電鍍法。

在本發明之一實施例中，全面性形成第一抗氧化層的方法包括浸漬法或無電電鍍法。

在本發明之一實施例中，局部性增厚第二抗氧化層的方法包括下列步驟。首先，形成一膜層於第一抗氧化層上，膜層具有一局部顯露第一抗氧化層的開口。接著，形成第二抗氧化層於開口中。

在本發明之一實施例中，形成第二抗氧化層的方法包括電鍍法。

本發明更提供一種金屬基板的鍍膜結構，包括一金屬塊、一中介層、一第一抗氧化層以及一第二抗氧化層。金屬塊具有一接墊表面。中介層全面性覆蓋接墊表面。第一抗氧化層全面性覆蓋中介層。第二抗氧化層局部性覆蓋第一抗氧化層。

在本發明之一實施例中，中介層的材質包括鎳。

在本發明之一實施例中，第一抗氧化層的材質包括金。

在本發明之一實施例中，第二抗氧化層的材質包括金。

在本發明之一實施例中，第一抗氧化層的厚度小於第二抗氧化層的厚度。

綜上所述，本發明藉由中介層與第一抗氧化層的全面性覆蓋來保護金屬塊的接墊表面，所以第二抗氧化層僅需局部增厚於第一抗氧化層上，即可滿足製程上的需求。因此，本發明能夠避免材料成本的浪費。亦即，本發明的鍍膜成本較低。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉多個實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖1為示意本發明一實施例金屬基板的鍍膜方法的流程圖，圖2A~圖2F為示意圖1之鍍膜方法所製作的結構剖面圖。在以下的說明中請配合參考圖1的各個步驟S110~S150。首先進行步驟S110，請參考圖2A，提供一金屬基板110，且其材質例如為銅。接著進行步驟S120，請參考圖2B，圖案化金屬基板110，以形成金屬塊112。金屬塊112具有一接墊表面112a。舉例來說，可對金屬基板110的一第一表面110a與一第二表面110b進行一蝕刻製程，而形成貫穿金屬機板110的一溝槽116。在溝槽116形成之後，還可在溝槽116中填入一膠體120，並可將多餘的膠體120透過研磨等方式移除，而形成圖2B所示的狀態。

詳細而言，溝槽116大致將金屬基板110分成金屬塊112與一散熱塊114兩部分，且散熱塊114可用以配置一發光二極體(未繪示)或一晶片(未繪示)等等的電子元件。當電子元件配置於散熱塊114時，電子元件可透過打線接合的導線(未繪示)，來與金屬塊112電性連接。如此一來，電子元件所產生的大部分的熱量可透過散熱塊114導出，而少部分的熱量經由導線導引至金屬塊112。

然後進行步驟S130，請參考圖2C，其為圖2B中的區域A的局部放大圖，全面性形成一中介層130於接墊表面112a上。在本實施例中，全面性形成中介層130的方法包括浸漬法或無電電鍍法。此外，中介層130的材質例如包括鎳。之後進行步驟S140，請參考圖2D，全面性形成一第一抗氧化層140於中介層130上。在本實施例中，全面性形成第一抗氧化層140的方法包括浸漬法或無電電鍍法。此外，第一抗氧化層140的材質包括金。也就是說，可配合一化鎳金(Electroless Nickel－Immersion Gold,ENIG)製程來形成中介層130與第一抗氧化層140。

再來進行步驟S150，於第一抗氧化層140上局部性增厚一第二抗氧化層160。詳細而言，請先參考圖2E，形成一膜層150於第一抗氧化層140上，膜層150具有一局部顯露第一抗氧化層140的開口152。接著請參考圖2F，形成第二抗氧化層160於開口152中。在本實施例中，形成第二抗氧化層160的方法包括電鍍法。

更進一步來說，在本實施例中，第二抗氧化層160的材質可包括金。亦即，第二抗氧化層160例如與第一抗氧化層140的材質相同。但在另一未繪示的實施例中，第二抗氧化層160亦可配合製程上的要求，而與第一抗氧化層140的材質不同。例如，第二抗氧化層160可選用與打線接合的導線(未繪示)材質相同的材質。此外，在形成第二抗氧化層160於開口152之後，亦可將膜層150移除。此外，在又一未繪示的實施例中，亦可不需事先形成膜層150，而直接透過印刷等方式形成第二抗氧化層160。

在經過上述的製作流程之後，即可製作出如圖2F所示之金屬基板110的鍍膜結構100。整體來說，金屬基板110的鍍膜結構100包括金屬塊112、中介層130、第一抗氧化層140以及第二抗氧化層160。金屬塊112具有接墊表面112a。中介層130位於接墊表面112a上，且全面性覆蓋接墊表面112a。第一抗氧化層140位於中介層130上，且全面性覆蓋中介層130。第二抗氧化層160位於第一抗氧化層140上，且局部性覆蓋第一抗氧化層140。在本實施例中，第一抗氧化層140的厚度小於第二抗氧化層160的厚度。舉例來說，第一抗氧化層140的厚度例如為0.03~0.05μm ，而第二抗氧化層160的厚度例如為0.1μm 。如此一來，接墊表面112a即可受到第一抗氧化層140全面性地保護，而能夠避免氧化。並且，亦可讓金屬塊112在後續打線的製程中，能夠藉由增厚的第二抗氧化層160與打線接合的導線(未繪示)充分地固接在一起。

綜上所述，本發明藉由中介層與第一抗氧化層的全面性覆蓋來保護金屬塊的接墊表面，所以第二抗氧化層僅需局部增厚第一抗氧化層，即可滿足打線等製程上的需求。因此，相較於習知全面性覆蓋的金層，本發明能夠避免材料成本的浪費。亦即，本發明的鍍膜成本較低。

雖然本發明已以多個實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧鍍膜結構

110‧‧‧金屬基板

110a‧‧‧第一表面

110b‧‧‧第二表面

112‧‧‧金屬塊

112a‧‧‧接墊表面

114‧‧‧散熱塊

116‧‧‧溝槽

120‧‧‧膠體

130‧‧‧中介層

140‧‧‧第一抗氧化層

150‧‧‧膜層

152‧‧‧開口

160‧‧‧第二抗氧化層

A‧‧‧區域

S110~S150‧‧‧步驟

圖1為示意本發明一實施例金屬基板的鍍膜方法的流程圖。

圖2A~圖2F為示意圖1之鍍膜方法所製作的結構剖面圖。

S110~S150‧‧‧步驟

Claims

一種金屬基板的鍍膜方法，包括：圖案化一金屬基板，以形成一金屬塊，其中該金屬塊具有一接墊表面；全面性形成一中介層於該接墊表面上；全面性形成一第一抗氧化層於該中介層上；以及於該第一抗氧化層上局部性增厚一第二抗氧化層。
如申請專利範圍第1項所述之金屬基板的鍍膜方法，其中全面性形成該中介層的方法包括浸漬法或無電電鍍法。
如申請專利範圍第1項所述之金屬基板的鍍膜方法，其中全面性形成該第一抗氧化層的方法包括浸漬法或無電電鍍法。
如申請專利範圍第1項所述之金屬基板的鍍膜方法，其中局部性增厚第二抗氧化層的方法包括：形成一膜層於該第一抗氧化層上，該膜層具有一局部顯露該第一抗氧化層的開口；以及形成該第二抗氧化層於該開口中。
如申請專利範圍第4項所述之金屬基板的鍍膜方法，其中形成該第二抗氧化層的方法包括電鍍法。
如申請專利範圍第1項所述之金屬基板的鍍膜方法，其中該中介層的材質包括鎳。
如申請專利範圍第1項所述之金屬基板的鍍膜方法，其中該第一抗氧化層的材質包括金。
如申請專利範圍第1項所述之金屬基板的鍍膜方法，其中該第二抗氧化層的材質包括金。
一種金屬基板的鍍膜結構，包括：一金屬塊，具有一接墊表面；一中介層，全面性覆蓋該接墊表面；一第一抗氧化層，全面性覆蓋該中介層；以及一第二抗氧化層，局部性覆蓋該第一抗氧化層。
如申請專利範圍第9項所述之金屬基板的鍍膜結構，其中該中介層的材質包括鎳。
如申請專利範圍第9項所述之金屬基板的鍍膜結構，其中該第一抗氧化層的材質包括金。
如申請專利範圍第9項所述之金屬基板的鍍膜結構，其中該第二抗氧化層的材質包括金。
如申請專利範圍第9項所述之金屬基板的鍍膜結構，其中該第一抗氧化層的厚度小於該第二抗氧化層的厚度。