TWI395954B - 測試裝置與驅動電路 - Google Patents

Description

測試裝置與驅動電路

本發明是有關於一種測試裝置和驅動電路。

作為對半導體電路等的被測試元件進行測試的測試裝置，已知有進行被測試元件的功能測試和直流測試的裝置(例如，請參閱專利文獻1)。在功能測試中，具有規定的邏輯圖案的圖案信號輸入至被測試元件時，依據被測試元件所輸出的響應信號，來判定該被測試元件的功能是否正常。在直流測試中，判定被測試元件所消耗的電力是否在規定範圍內。

【專利文獻1】日本專利特開2002-139551號公報

【專利文獻2】美國專利第6,255,839號說明書

在對於被測試元件進行功能測試和直流測試的測試裝置中，設置有連接至被測試元件的各接腳(pin)的功能測試用的電路、以及直流測試用的電路。而且，藉由進行任一種測試，可對任一個電路是否連接至被測試元件來進行切換。例如，可設置：驅動器，其輸出圖案信號；以及繼電器(relay)，其位於測試裝置的電路和被測試元件之間的傳送路徑上，且對直流測試器的任一個是否連接至被測試元件進行切換。

近年來，半導體電路的高頻數位化很明顯。因此，對該半導體電路等進行測試的測試裝置，較佳是可將高頻圖案信號供應至被測試元件。然而，為了實現功能測試和直 流測試此二種測試的功能，如上所述，在測試裝置的電路和被測試元件之間的傳送路徑上設置繼電器時，高頻圖案信號的傳送就比較困難。

又，若功能測試用的電路和直流測試用的電路設置在測試裝置的各接腳時，則該測試裝置的成本將提高。又，各接腳上由於可選擇功能測試用的電路和直流測試用的電路的任一種來使用，則由電路的使用效率的觀點來看亦不佳。此外，由於設有繼電器以對於是否使用功能測試用的電路和直流測試用的電路的哪一種來進行切換，則更會使成本上升。

因此，在本發明的一方面中，提供一種可解決上述問題的測試裝置和驅動電路。藉由申請專利範圍的獨立項所記述之特徵的組合而達成。而且，附屬項規定本發明的更有利的具體例子。

依據本發明的第1形式，本發明提供一種測試裝置，依據施加至被測試元件的負載電壓或負載電流來判定被測試元件的良否。此測試裝置包括：驅動電路，將對應於輸入信號之測試信號供應至被測試元件；以及判定部，在由該驅動電路將規定值的電流的測試信號供應至被測試元件時，依據施加至被測試元件的負載電壓來判定被測試元件的良否、或在由該驅動電路將規定值的電壓的測試信號供應至被測試元件時，依據施加至被測試元件的負載電流來判定被測試元件的良否。該驅動電路包括：驅動部，輸出 測試信號；電源電流偵測部，偵測出供應至驅動部中的電源電流；以及輸出控制部，依據電源電流偵測部所偵測的電源電流，來控制該驅動部所輸出的測試信號的電壓或電流使成為規定值。

依據本發明的第2形式，本發明提供一種驅動電路，輸出對應於輸入信號的信號。此驅動電路包括：驅動部，輸出對應於輸入信號的信號；電源電流偵測部，偵測出供應至驅動部中的電源電流；以及輸出控制部，依據電源電流偵測部所偵測的電源電流，來控制該驅動部所輸出的信號的電壓或電流使成為規定值。

又，上述發明的概要未列舉本發明必要特徵的全部，這些特徵群的次組合(sub-combination)亦可成為發明。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

以下，依據發明的實施形式來說明本發明的一方面。然而，以下的實施形式不是用來限定關於申請專利範圍的發明。又，實施形式中所述全部的特徵的組合未必限於發明的解決手段所必須者。

圖1是一個實施形式的測試裝置200的功能構成例、與被測試元件300合在一起顯示的方塊圖。測試裝置200是一種對半導體電路等的被測試元件300進行測試的裝置，且測試裝置200包括：圖案產生部110、驅動電路100、 以及判定部120。又，測試裝置200具有：進行該被測試元件300的功能測試的動作模式、以及進行直流測試的動作模式。

功能測試可以是一種下述的測試：當具有規定的邏輯圖案的圖案信號輸入至被測試元件300時，對應於被測試元件300所輸出的響應信號，來判定該被測試元件300的良否。又，直流測試可以是一種下述的測試：當將一定電壓或一定電流的信號供應至被測試元件300時，對應於被測試元件300所供應的電流或電壓，來判定該被測試元件300的良否。

圖案產生部110產生具有規定的邏輯圖案的圖案資料且供應至驅動電路100。例如，圖案產生部110可依據使用者所預先施加的資料或演算法(algorithm)來產生該圖案資料。進行功能測試時，圖案產生部110可產生圖案資料，此圖案資料具有該被測試元件300的內部電路中進行規定的動作時用的邏輯圖案。又，進行直流測試時，圖案產生部110可產生固定於邏輯值是高(H)邏輯或低(L)邏輯的任一種的圖案資料。

驅動電路100將由圖案產生部110所施加的輸入信號所對應的信號供應至該被測試元件300。此處，所謂信號包括：驅動該被測試元件300的電源電壓或電源電流。進行功能測試時，驅動電路100產生圖案信號，此圖案信號具有圖案產生部110所生成的邏輯圖案，且此圖案信號供應至該被測試元件300。又，在進行直流測試時，驅動電 路100可對應於邏輯值已固定的圖案資料，以生成一定電流值的定電流信號或一定電壓的定電壓信號，以供應至該被測試元件300。

判定部120判定被測試元件300的良否。在進行功能測試時，判定部120對應於圖案信號、且對應於被測試元件300所輸出的響應信號，來判定被測試元件300的良否。例如，判定部120比較響應信號的邏輯圖案以及規定的期待值圖案，以判定被測試元件300的良否。

又，進行直流測試時，判定部120在由驅動電路100供應定電流信號或定電壓信號至被測試元件300中時，依據由驅動電路100施加至被測試元件300的負載電壓或負載電流，來判定被測試元件300的良否。例如，判定部120依據負載電壓或負載電流是否在規定的範圍內，來判定被測試元件300的良否。藉由此種構成，可進行被測試元件300的功能測試和直流測試。

圖2顯示驅動電路100的構成例。驅動電路100將信號供應至作為負載而連接的半導體電路等的被測試元件300。驅動電路100具有：輸出控制部10、發送端電阻12、設定部14、驅動部20、以及電源電流偵測部50。

驅動部20被施加了由圖案產生部110而來的圖案資料以作為輸入信號。驅動部20生成一種對應於該圖案資料的信號，且經由發送端電阻12而輸出至被測試元件300。發送端電阻12可為設置在驅動部20的輸出端上的電阻，或亦可為設置在驅動部20的內部中的電阻。發送端電阻12 的電阻值較佳為已知。

輸出控制部10對具有規定的邏輯圖案的圖案信號、控制成一定電流的定電流信號、或控制成一定電壓的定電壓信號的任一信號是否輸出至驅動部20來進行切換。又，輸出控制部10亦可在驅動部20的輸出端被視為高阻抗的狀態下控制該驅動部20。本例的輸出控制部10在進行功能測試時，使圖案信號輸出至驅動部20，在進行直流測試時，使定電流信號或定電壓信號輸出至驅動部20。

驅動部20輸出一種與所施加的施加電壓相對應的電壓。本例的驅動部20中施加了高側的施加電壓VIH和低側的施加電壓VIL。驅動部20可輸出與所施加的圖案資料的邏輯值相對應的施加電壓所對應的電壓。例如，在圖案資料的邏輯值是高邏輯時，驅動部20可輸出對應於施加電壓VIH的電壓。又，圖案資料的邏輯值是低邏輯時，驅動部20可輸出對應於施加電壓VIL的電壓。藉此，驅動部20可輸出對應於圖案資料的信號。

又，驅動部20設置在高電壓電源線和低電壓電源線之間，且由該些電源線接收電源電流。驅動部20可使應該對於被測試元件300交接的負載電流所對應的電源電流，在高電壓電源線和低電壓電源線之間進行交接。例如，驅動部20可將電流由高電壓電源線供應至被測試元件300。又，驅動部20可將電流由被測試元件300引導至低電壓電源線。

電源電流偵測部50偵測出供應至驅動部20中的電源 電流。本例的電源電流偵測部50具有高電壓側偵測部50-1和低電壓側偵測部50-2。高電壓側偵測部50-1偵測由高電壓電源線供應至驅動部20的高電壓側電流ICH的電流值。低電壓側偵測部50-2偵測由驅動部20引導至低電壓電源線的低電壓側電流ICL的電流值。

輸出控制部10依據電源電流偵測部50所偵測的電源電流，將驅動部20所輸出的測試信號的電壓或電流控制成規定值。輸出控制部10亦可將驅動部20所輸出的測試信號的電壓或電流控制成由使用者所設定的值。

輸出控制部10可控制施加至驅動部20中的多個施加電壓的至少一個，藉此來控制該測試信號的電壓或電流。本例的輸出控制部10輸出數位式的設定資料，其表示施加電壓的電壓位準。

設定部14依據由輸出控制部10所施加的設定資料，以生成施加電壓VIH和施加電壓VIL。設定部14可以是分別對施加電壓VIH和施加電壓VIL所設置的數位類比轉換器(Digital-to-Analog Converter,DAC)。

進行該被測試元件300的功能測試時，輸出控制部10可將固定的設定資料施加至各別的設定部14。又，輸出控制部10可將具有規定的邏輯圖案的圖案資料輸出至圖案產生部110。藉此，驅動部20可將測試信號的邏輯圖案中的固定於高邏輯和低邏輯所對應的電壓位準的圖案信號進行輸出。

又，進行被測試元件300的直流測試時，輸出控制部 10可使固定於邏輯值的信號輸出至圖案產生部110中。輸出控制部10依據流至驅動部20的電源電流來控制施加至驅動部20之施加電壓中對應於圖案產生部110所輸出的邏輯值的施加電壓。在將信號供應至被測試元件300之期間可動態地進行上述的控制，藉此可將定電壓信號或定電流信號供應至被測試元件300。

於是，本例的驅動電路100藉由使功能測試和直流測試中所用的驅動部20成為共用，則可使電路規模下降。又，由於功能測試和直流測試中所用的驅動部20成為共用，則在被測試元件300和驅動部20之間的傳送路徑上可不設置一種對功能測試用的電路和直流測試用的電路進行切換的繼電器。因此，在與對功能測試用的電路和直流測試用的電路進行切換的測試裝置相比較下，更高頻的圖案信號可供應至被測試元件300。

圖3顯示驅動部20的電路構成例。本例的驅動部20具有預驅動器22(pre-driver)、電壓偏移部24以及緩衝器30。預驅動器22藉由輸出控制部10來接收電壓值所控制的多個施加電壓(VIH,VIL)。又，預驅動器22將由圖案產生部110所施加的輸入信號的邏輯值相對應的施加電壓所對應的電壓，經由電壓偏移部24而供應至緩衝器30中。例如，預驅動器可將與輸入信號的邏輯值對應的施加電壓大約相等的電壓予以輸出。

緩衝器30設置在上述高電壓電源線和低電壓電源線之間，且對應於所施加的信號而將電流由高電壓電源線供 應至被測試元件300。又，緩衝器30對應於所施加的信號而將電流由被測試元件300導引至低電壓電源線。本例的緩衝器30具有2個電晶體32。電晶體32可以是雙載子電晶體、MOSFET等的場效應電晶體、或其它的電晶體。

高電壓側電晶體32-1的集極(collector)端子經由高電壓側偵測部50-1而與高電壓電源線形成電性連接。又，高電壓側電晶體32-1的射極(emitter)端子經由傳送端電阻12而與被測試元件300形成電性連接，且由射極端子輸出該測試信號。低電壓側電晶體32-2的射極端子是與高電壓側電晶體32-1的射極端子形成電性連接，集極端子則經由低電壓側偵測部50-2而與低電壓電源線形成電性連接。

又，各別的電晶體32的基極(base)端子上施加有與預驅動器22的輸出電壓對應的電壓。電晶體32的射極電壓，即，測試信號的電壓是由電晶體32的基極電壓、集極電流和電晶體32的集極電流-基極射極間電壓特性來決定。

電壓偏移部24使預驅動器22所輸出的電壓只分別偏移預定的電壓，然後分別供應至高電壓側電晶體32-1和低電壓側電晶體32-2的基極端子。本例的電壓偏移部24具有：高電壓側電流源26-1、低電壓側電流源26-2、高電壓側二極體28-1以及低電壓側二極體28-2。

高電壓側二極體28-1設置在預驅動器22的輸出端和高電壓側電晶體32-1的基極端子之間，且將預驅動器22的輸出電壓對應於順方向電壓而升壓，以施加至高電壓側電晶體32-1的基極端子。高電壓側電流源26-1是與高電 壓側電晶體32-1的基極端子和高電壓側二極體28-1形成電性連接，且將順方向電流供應至高電壓側二極體28-1。

同樣，低電壓側二極體28-2設置在預驅動器22的輸出端和低電壓側電晶體32-2的基極端子之間，且將預驅動器22的輸出電壓對應於順方向電壓而降壓，以施加至低電壓側電晶體32-2的基極端子。低電壓側電流源26-2是與低電壓側電晶體32-2的基極端子和低電壓側二極體28-2形成電性連接，且將順方向電流供應至低電壓側二極體28-2。

藉由上述的構成，則可藉由電壓偏移部24來預先補償各別的電晶體32中的基極射極間的電壓差。此時，緩衝器30可將與施加至預驅動器22的施加電壓大約相等的負載電壓予以輸出。

又，高電壓偵測部50-1設置在高電壓電源線和高電壓側電晶體32-1之間，以偵測該高電壓側電晶體32-1的集極電流ICH。低電壓偵測部50-2設置在低電壓電源線和低電壓側電晶體32-2之間，以偵測該低電壓側電晶體32-2的集極電流ICL。

然後，輸出驅動部10可依據電源電流偵測部50所偵測的集極電流，來控制施加至預驅動器22中的施加電壓，藉此可控制該驅動部20所輸出的負載電壓。又，驅動部20所輸出的負載電壓由於可對應於負載電壓而變動，則可藉由控制該施加電壓來控制負載電流。因此，藉由控制該施加電壓使負載電流成為一定值，則可將定電流供應至該 被測試元件300，且藉由控制該施加電壓使負載電壓成為一定值，則可將定電壓供應至該被測試元件300。

圖4顯示藉由定電流動作模式來測試該被測試元件300的處理的一例的流程圖。定電流動作模式中的測試裝置200測定將一定電流的負載電流供應至被測試元件300時的負載電壓，以進行ISVM(Current Source,Voltage Measure，加恒流源測電壓)測試來判定該被測試元件300的良否。

此種情況下，輸出控制部10由電源電流偵測部50所偵測的電源電流來算出流向該被測試元件300的負載電流。該輸出控制部10對施加至驅動部20的施加電壓進行控制，使該負載電流成為規定的定電流。

在進行ISVM測試時，圖案產生部110將固定於邏輯值的圖案資料輸入至驅動部20中。本例的圖案產生部110將固定於高邏輯值的圖案資料輸入至驅動部20中(S410)。輸出控制部10進行ISVM測試時，可將固定於邏輯值的圖案資料輸出至圖案產生部110。例如，輸出控制部10可指定高邏輯或低邏輯的任一個，以將固定於邏輯值的圖案資料輸出至圖案產生部110。

驅動部20將所施加的邏輯值相對應的負載電壓輸出至被測試元件300。此處，電流電源偵測部50對供應至驅動部20中的電源電流進行測定(S412)。如上所述，電流電源偵測部50對供應至高電壓側電晶體32-1之高電壓側的電源電流ICH、以及供應至低電壓側電晶體32-2之低電壓 側的電源電流ICL進行偵測。

其次，輸出控制部10由高電壓側和低電壓側的電源電流的差(ICH-ICL)來算出供應至被測試元件300的負載電流(S414)。首先，輸出控制部10依據高電壓側和低電壓側的電源電流，即，基於高電壓側電晶體32-1和低電壓側電晶體32-2的集極電流，來算出各別的電晶體32之射極電流。此射極電流例如是由集極電流和基極電流的和而得到。步驟S414中，由於集極電流已知，若基極電流亦已知，則可算出集極電流。

例如，輸出控制部10中，可存在有電晶體32之顯示集極電流和基極電流的關係之靜特性資料(static characteristic data)。又，輸出控制部10，亦可存在有各別的電晶體32之顯示集極電流和射極電流的關係之靜特性資料。輸出控制部10可依據該些靜特性資料和電源電流偵測部50所偵測的集極電流來算出各別的射極電流。又，輸出控制部10算出該些射極電流的差以作為負載電流。此外，基極電流在與集極電流和射極電流相比較下非常小，所以該輸出控制部10亦可將與集極電流相同的電流處理成射極電流。

其次，輸出控制部10判定所算出的負載電流是否與預設的規定值一致(S416)。若負載電流與規定值不一致，則輸出控制部10調整施加至預放大器(preamplifier)中的施加電壓，使負載電流接近於規定值(S418)。藉由調整該施加電壓，則可使緩衝器30中的電晶體32的基極端子上所 施加的電壓發生變化，於是可控制負載電流。例如，輸出控制部10可在負載電流較規定值還小時使該施加電壓增大，在負載電流較規定值還大時使該施加電壓減小。

然後，驅動電路100返回到S412的處理。在被測試元件300的測試中動態地進行上述的控制，則可將供應至被測試元件300的負載電流控制在一定值。又，判定部120依據負載電流與規定值一致時的狀態之負載電壓，來判定該被測試元件300的良否(S420)。

此處，輸出控制部10依據各別的電晶體32之射極電流的電流值、各別的電晶體32之射極電壓的電壓值、以及發送端電阻12的電阻值，可算出施加至該被測試元件300的負載電壓。如上所述，可由顯示集極電流的電流值、以及電晶體32中的集極電流和基極電流的關係的靜特性資料，來求出射極電流的電流值。

又，輸出控制部10可依據各別的電晶體32的集極電流和基極電壓，來算出射極電壓。輸出控制部10中可施加顯示出各別的電晶體32中該集極電流和基極射極電壓的關係的靜特性資料。該射極電壓成為如圖2和圖3中所示的緩衝器30的輸出電壓VA。

其次，輸出控制部10依據射極電流的差ICH-ICL(即，負載電流)、射極電壓(即，輸出電壓VA)、以及發送端電阻12的電阻值RB，以算出負載電壓VB。更具體而言，輸出控制部10依據VB=VA-(ICH-ICL)×RB所示的數學式，可算出該負載電壓VB。

圖5A和圖5B顯示預先施加至該輸出控制部10的電晶體32的靜特性資料的一例。該些靜特性資料可由電晶體32的設計資訊求出特性值的邏輯值而取得。又，亦可藉由對電晶體32的特性值進行實測而取得。

如圖5A所示，該輸出控制部10可針對各別的電晶體32而儲存著顯示該電晶體32中的集極電流、基極電流的關係之靜特性資料。可依據該靜特性資料、及電源電流偵測部50所偵測的集極電流，來算出電晶體32的射極電流。

又，如圖5B所示，輸出控制部10可針對各別的電晶體32而儲存著顯示該電晶體32中的集極電流、基極射極間電壓的關係之靜特性資料。可由該靜特性資料、電源電流偵測部50所偵測的集極電流、及由該施加電壓所求出的基極電壓，來算出電晶體32的射極電壓。又，該輸出控制部10亦可儲存著顯示該電晶體32中的基極電流、基極射極間電壓的關係之靜特性資料，來取代該靜特性資料。即使在此種情況下，如圖5A所示的靜特性資料和集極電流亦可決定基極電流，因此可使用顯示基極電流、基極射極間電壓的關係之靜特性資料來算出射極電壓。

圖6顯示該輸出控制部10的構成例的方塊圖。本例的輸出控制部10具有：控制電路16和靜特性資料儲存部18。靜特性資料儲存部18儲存著如圖5A和5B所示之電晶體32的靜特性資料。

又，靜特性資料儲存部18所儲存的電晶體32的靜特性資料不限於圖5A和圖5B所示的資料。電晶體32的集 極電流藉由電源電流偵測部50來偵測出，且基極電壓由施加至預驅動器22的施加電壓來決定，於是，靜特性資料儲存部18可儲存著可由集極電流和基極電壓來算出射極電流和射極電壓這樣的靜特性資料。

控制電路16依據電源電流偵測部50所偵測的電源電流ICH和ICL、靜特性資料儲存部18所儲存的靜特性資料、以及使用者所設定的設定值，來控制施加至該預驅動器22之施加電壓VIH和VIL。例如，就像與圖4相關的說明中所述，該控制電路16依據靜特性資料和集極電流，來求出各別的電晶體32之射極電流，以控制該些施加電壓VIH和VIL中的一者，使該些射極電流的差成為規定的定電流。

又，控制電路16可由靜特性資料、集極電流和該施加電壓來算出各別的電晶體之射極電壓。然後，控制電路16依據射極電流的電流值、射極電壓的電壓值、以及發送端電阻12的電阻值來算出施加至該被測試元件300之負載電壓。判定部120依據該控制電路16所算出的負載電壓，以判定該被測試元件300的良否。藉此，可進行該被測試元件300的ISVM測試。

圖7顯示藉由定電壓動作模式來測試該被測試元件300的處理的一例的流程圖。定電壓動作模式中的測試裝置200對將一定電壓的負載電壓供應至該被測試元件300時的負載電流進行測定，以進行一種判定該被測試元件300的良否的VSIM(Voltage Source,Current Measure，加 恒壓源測電流)測試。此時，該輸出控制部10可由電源電流偵測部50所偵測的電源電流來算出對該被測試元件300所施加的負載電壓。該輸出控制部10控制施加至驅動部20中的施加電壓，使該負載電壓成為規定的定電壓。

即使在進行VSIM測試時，由S410至S414為止的處理由於與圖4相關而說明的由S410至S414的處理相同，故省略其說明。在S414中，該控制電路16算出負載電流之後，該控制電路16算出負載電壓(S422)。負載電壓的算出方法可與圖4的S420相關連而說明的方法相同。

其次，控制電路16判定所算出的負載電壓是否與預設的規定值一致(S424)。若負載電壓與預設的規定值不一致，則該控制電路16調整施加至預放大器中的施加電壓，使負載電壓接近於規定值(S426)。藉由調整該施加電壓，則施加至緩衝器30中的電晶體32的基極端子的電壓會發生變化，因此可控制該負載電壓。

該施加電壓已調整之後，驅動電路100返回S412的處理。在該被測試元件300的測試中動態地進行上述的控制，則可將供應至該被測試元件300中的負載電壓控制成一定值。又，判定部120依據負載電壓與規定值處於一致狀態時的負載電流，來判定該被測試元件300的良否(S428)。判定部120依據負載電壓與規定值一致後所算出的負載電流是否在規定的範圍內，來判定該被測試元件300的良否。

圖8顯示該驅動電路100在高阻抗動作模式中動作時 的處理的一例的流程圖。在高阻抗動作模式中，該輸出控制部10控制該施加電壓，使驅動部20的輸出端成為高阻抗的狀態。更具體而言，該輸出控制部10控制該施加電壓，使和圖4相關連而說明的處理方式所求出的負載電壓大約成為零。

本例中，由S410至S414為止的處理由於與圖4相關連而說明的由S410至S414為止的處理相同，因此省略其說明。S414的處理中求出負載電流之後，該輸出控制部10判定該負載電流的電流值是否大約成為零(S430)。若負載電流的電流值未成為零，則輸出控制部10控制該施加電壓，使負載電流的電流值接近於零(S418)。

藉由上述的控制，則可將流至驅動部20的輸出端的電流控制成大約是零。即，可將該驅動部20的輸出端控制成高阻抗的狀態。

圖9顯示該驅動部20的另一構成例。本例的驅動部20除了與圖3相關連而說明的驅動部20的構成以外，更具有基極電流偵測部40。基極電流偵測部40在定電流動作模式、定電壓動作模式、以及高阻抗動作模式中分別偵測出緩衝器30中的高電壓側電晶體32-1、低電壓側電晶體32-2的基極電流。驅動部20具有基極電流偵測部40時，可使用該基極電流偵測部40所偵測的基極電流的電流值以取代由靜特性資料所算出的基極電流的電流值，來控制該施加電壓，如圖1至圖8相關連而說明的那樣。

由圖5A所示的靜特性資料亦可算出各別的電晶體32 之基極電流，但靜特性資料由於是由模擬(simulation)等而來的邏輯值，因此有時具有誤差。對此，依據本例的驅動部20，由於可在被測試元件300的測試中對各別的電晶體32的基極電流進行實測，則可更精確地調整該負載電流或該負載電壓。

本例的基極電流偵測部40對各別的電晶體32而言具有：虛擬(dummy)電晶體42、虛擬電流偵測部44、電壓隨耦器(voltage follower)電路46以及切換部48。虛擬電晶體42對於相對應的電晶體32，使得射極端子相互之間、以及集極端子相互之間形成電性連接。又，虛擬電晶體42的極性較佳是與相對應的電晶體32相同。

虛擬電流偵測部44偵測出供應至虛擬電晶體42的基極端子的虛擬電流。例如，虛擬電流偵測部44可測定電壓隨耦器電路46和虛擬電晶體42的基極端子之間所設置的測定用電阻的二端的電壓差，藉此來偵測出供應至虛擬電晶體42的基極端子的虛擬電流。測定用電阻的電阻值由於幾乎不會對緩衝器30的動作造成影響，則可使用電阻值為數kΩ大小的高電阻的測定用電阻。

電壓隨耦器電路46將輸入電壓所對應的電壓施加至虛擬電晶體42的基極端子。電壓隨耦器電路46可以是一種差動電路，其在正側輸入端子接收該輸入電壓，且將施加至虛擬電晶體42的基極端子的電壓反饋至負側輸入端子。

切換部48對電壓隨耦器電路46的正側的輸入端子是 否施加由電壓偏移部24所輸出的電壓、以及正側的輸入端子是否施加基準電壓來進行切換。切換部48在定電流動作模式、定電壓動作模式以及高阻抗動作模式中將電壓偏移部24所輸出的電壓施加至電壓隨耦器電路46的正側輸入端子。

此時，對應於電晶體32的基極電壓之電壓施加至虛擬電晶體42的基極端子。作為一例，與該電晶體32之基極電壓相同的電壓施加至虛擬電晶體42的基極端子。即，虛擬電晶體42的集極電壓、射極電壓和基極電壓成為與電晶體32的集極電壓、射極電壓和基極電壓相同。因此，供應至虛擬電晶體42的基極端子的虛擬電流成為模擬該電晶體32之基極電流的電流。於是，藉由偵測該虛擬電晶體42的基極電流，則可偵測該電晶體32的基極電流。

虛擬電晶體42在施加了與該電晶體32相同的電壓時可以與該電晶體32具有相同的大小(size)，以流過相同的電流。此時，虛擬電晶體42的基極電流成為與電晶體32的基極電流一致。又，虛擬電晶體42的大小亦可以是電晶體32的大小的1/N倍。此時，虛擬電晶體42的基極電流成為電晶體32的基極電流的1/N倍。

藉由上述的構成，可測定該電晶體32的基極電流，且可精確地控制該負載電壓和負載電流。虛擬電流偵測部44可將已偵測的電流值通知該輸出控制部10。

又，驅動電路100更具有圖案動作模式，其輸出一種具有規定的邏輯圖案的圖案信號。在圖案動作模式時，切 換部48將規定的基準電壓施加至電壓隨耦器電路46的正側輸入端子。該基準電壓可以是一種遮斷電壓，其將該虛擬電晶體42控制成關閉狀態，且將虛擬電晶體42的集極-射極之間的信號傳送進行遮斷。藉由切換部48，可將該虛擬電流偵測部44由緩衝器30切離，因此在圖案動作模式中可生成高頻的圖案信號。

圖10顯示該驅動電路100的另一構成例的一部份。本例的驅動電路100除了與圖1至圖8相關連而說明的驅動電路100的構成以外，另具備電流補償電路70。

電流補償電路70使該電源電流偵測部50所偵測的各別的集極電流所對應的補償電流加至(added to)各別的集極電流、或由各別的集極電流中減掉。更具體而言，電流補償電路70將相當於該集極電流所對應的基極電流的電流加至電源電流偵測部50和電晶體32之間的集極電流或由該集極電流中減掉，藉此可使該電源電流偵測部50所偵測的集極電流、和電晶體32的射極電流成為大約相一致。藉由此種構成，則該輸出控制部10可不使用該電晶體32的靜特性，而由電源電流偵測部50所偵測的集極電流來算出該電晶體32的射極電流。

本例的驅動電路100具有：高電壓側的電流補償電路70-1以及低電壓側的電流補償電路70-2。高電壓側的電流補償電路70-1由高電壓側偵測部50-1和高電壓側電晶體32-1之間的配線導入高電壓側偵測部50-1所偵測的集極電流所對應的補償電流。藉此，供應至高電壓側電晶體32-1 的集極電流成為較該高電壓側偵測部50-1所偵測的集極電流還小的補償電流，但高電壓側電晶體32-1中由於集極電流和基極電流相加，因此該高電壓側電晶體32-1的射極電流成為與高電壓側偵測部50-1所偵測的集極電流大約一致。

又，低電壓側的電流補償電路70-2將低電壓側偵測部50-2所偵測的集極電流所對應的補償電流重疊至低電壓側偵測部50-2和低電壓側電晶體32-2之間的配線。藉此，低電壓側電晶體32-2的射極電流成為與低電壓側偵測部50-2所偵測的集極電流大約一致。

圖11顯示電源電流偵測部50和電流補償電路70之電路構成例。本例中，雖然說明了高電壓側偵測部50-1和高電壓側的電流補償電路70-1的構成，但低電壓側偵測部50-2和低電壓側的電流補償電路70-2亦具有同樣的構成。

高電壓側偵測部50-1具有：偵測用電晶體57、鏡面(mirror)電晶體52、測定用電阻53、類比/數位轉換器54(Analog-to-Digital Converter,ADC)、ADC55以及運算部56。偵測用電晶體57設置在高電壓電源線、與高電壓側電晶體32-1之間，且生成與高電壓側電晶體32-1的集極電流相同的集極電流。

鏡面電晶體52設置成可與偵測用電晶體57形成電流鏡(current mirror)。即，鏡面電晶體52流過有與該偵測用電晶體57相同的集極電流。測定用電阻53設置在鏡面電晶體52和基準電位之間。ADC54和ADC55偵測該測定用 電阻53的二端的電壓值。運算部56由ADC54和ADC55所偵測的電壓的差與該測定用電阻53的電阻值，來偵測高電壓側電晶體32-1的集極電流。

運算部56將已偵測出的電流值通知該輸出控制部10。藉由此種構成，由於可將該測定用電阻53設置在與該高電壓側電晶體32不同的配線上，則可使用較高電阻的測定用電阻53，可更精確地偵測出電流值。

電流補償電路70-1具有：第1電晶體72、第2電晶體74、第3電晶體76以及第4電晶體78。第1電晶體72設置成與偵測用電晶體57形成電流鏡。又，第2電晶體74是極性與第1電晶體72不同的電晶體、且第2電晶體74的集極端子是對第1電晶體72的集極端子形成電性連接，第2電晶體74的射極端子則連接至低電壓電源線。

此處，所謂極性不同的電晶體是指，雙載子電晶體(bipolar transistor)中多數載體(carrier)不同的情況，例如，其中一個是pnp型電晶體，另一個則成為npn型電晶體。又，亦可指單一載體電晶體(unipolar transistor)中載體不同的情況，其中一個是n通道電晶體，另一個則成為p通道電晶體。

第3電晶體76設置成與第2電晶體74形成電流鏡。又，第4電晶體78是極性與第3電晶體76不同的電晶體，且第4電晶體78的射極端子連接至第3電晶體76的集極端子，第4電晶體78的集極端子連接至高電壓電源線。第4電晶體78的基極端子連接至第5電晶體80的集極端子。 藉由此種構成，則第4電晶體78的基極端子成為模擬高電壓側電晶體32-1之基極端子的狀態。

電流補償電路70-1由高電壓側電晶體32-1的集極端子所連接的配線導入該第4電晶體78的基極電流所對應的電流。又，由第1電晶體72至第5電晶體80為止的大小作成高電壓側電晶體32-1的大小的1/M，藉此可使電流補償電路70-1中的消耗電流下降。

此時，如圖11所示，電流補償電路70-1生成第4電晶體78之基極電流的M倍的電流，且電流補償電路70-1具有第5電晶體80、第6電晶體82、第7電晶體84以及第8電晶體86。第5電晶體80具有極性與第4電晶體78不同的極性，且第5電晶體80的集極端子連接至第4電晶體78的基極端子。藉此，第5電晶體80中流過有一種與第4電晶體78的基極電流對應的集極電流。

第6電晶體82設置成與第5電晶體80形成電流鏡。第7電晶體84具有極性與第6電晶體82不同的極性，且第7電晶體84的集極端子連接至第6電晶體82的集極端子。藉此，第7電晶體84中流過有一種與第6電晶體82的集極電流相同的集極電流。

第8電晶體86設置成與第7電晶體84形成電流鏡。又，第8電晶體86具有與高電壓側電晶體32-1相同的大小、且第8電晶體86的集極端子連接至高電壓側電晶體32-1的集極端子，第8電晶體86的射極端子連接至低電壓電源線。

藉由上述的構成，可由連接至高電壓側電晶體32-1的集極端子的配線導入一種模擬高電壓側電晶體32-1的基極電流的電流。又，亦可使用一種威爾遜(Wilson)型的電流鏡電路以作為本例的電流補償電路70-1的各電流鏡電路。

圖12顯示該驅動電路100的另一構成例。本例的驅動電路100具有：輸出控制部10、設定部14、ADC91、ADC92、運算放大器93、電阻94、電容器95、電源電流偵測部50、以及驅動部20。本例的驅動部20可以是開路集極型(open collector)的驅動器。例如，驅動部20作為非反轉側的電路時具有串聯相接的電阻34-1和電晶體36-1，作為反轉側的電路時具有串聯相接的電阻34-2和電晶體36-2。

又，非反轉側的電路和反轉側的電路並列而設置著，電晶體36-1和電晶體36-2的射極端子共同連接至用來規定流過該些電路的電源電流的總和的電流源38。又，輸入信號施加至電晶體36-1，輸入信號的反轉信號施加至電晶體36-2。藉此，驅動部20雖然會消耗較大的電流，但可作為以較高速來動作的驅動器而發揮功能。

電阻94分別串聯至驅動部20的電阻34-1和34-2。又，運算放大器93將由設定部14-1施加的設定值所對應的高電壓側的電源電壓經由電阻94而施加至驅動部20。電容器95設置在電阻94和電阻34-1的連接點和基準電位之間。

ADC91和ADC92偵測該電阻94之二端的電壓且通知該輸出控制部10。藉此，該輸出控制部10可算出該電阻94中流過的電流。電阻94的電阻值較佳是可預先施加至輸出控制部10。又，電源電流偵測部50偵測電流源38中所流過的電源電流。

定電流動作模式、定電壓動作模式、以及高阻抗動作模式中，輸入信號的邏輯值固定至例如高邏輯。此時，電晶體36-1成為關閉狀態，電晶體36-2成為接通狀態。又，輸入信號的邏輯值亦可固定至低邏輯。此時，電晶體36-1成為接通狀態，電晶體36-2成為關閉狀態。

此種情況下，流過電阻34-1中的電流I1是與電阻94中所流過的電流相等。又，電晶體36-1的集極電流I2等於電源電流偵測部50所偵測的電流減去電晶體36的基極電流後所得的值。電晶體36的基極電流可由電晶體36的射極電流和電晶體36的靜特性資料求出，就像圖5A和圖5B相關的說明中所述一樣。

又，供應至被測試元件300的負載電流可藉由將電流I1減去電流I2而求出。輸出控制部10可對流過電流源38中的電流值作調整，使該負載電流成為規定值。

又，施加至被測試元件300中的負載電壓可由設定部14-1的設定值減去電流I1在電阻94及電阻34-1中所造成的電壓降來求出。該輸出控制部10可調整該電流源38中所流過的電流值，使該負載電壓成為規定值。

又，在驅動電路100中，電阻94和電阻34-1中消耗 了運算放大器93之輸出電壓和負載電壓之差所對應的電力。因此，輸出控制部10在電流源38的電流值的調整期間，亦可對該設定部14-1中的設定值作調整，使該輸出電壓和負載電壓之差變小。

圖13顯示該驅動電路100的另一構成例。本圖的驅動電路100除了與圖2相關連而說明的驅動電路100的構成以外，更包括複製(replica)電路。此複製電路具有：複製驅動部21、電源電流偵測部51、複製發送端電阻13、設定部15、ADC17、以及複製負載電路102。

電源電流偵測部51和複製發送端電阻13可以是與電源電流偵測部50和發送端電阻12相同的模擬電路、或消耗電力已下降的模擬電路。又，複製驅動部21具有與驅動部20的特性對應的特性，藉由輸出一種與施加至驅動部20的施加電壓相對應的電壓，以輸出一種模擬了該驅動部20所輸出的電壓的模擬電壓。

例如，該複製驅動部21可以是與驅動部20相同的電路，亦可以是消耗電力已下降的模擬電路。又，該複製驅動部21亦可以是與驅動部20中的緩衝器30相同的電路。此時，該複製驅動部21可與緩衝器30並列地接收該驅動部20中的電壓偏移部24所輸出的電壓，且輸出一種模擬了該驅動部20所輸出的電壓之電壓。

複製發送端電阻13設置在複製驅動部21的輸出端，且具有與發送端電阻12的特性相對應的特性，以模擬該發送端電阻12的二端電壓。例如，複製發送端電阻13可具 有一種與發送端電阻12相同的電阻值。

又，複製負載電路102將模擬了該被測試元件300的端子的電壓之電壓施加至複製發送端電阻13。複製負載電路102可以是一種電壓隨耦器電路，其將由該輸出控制部10經由設定部15所施加的電壓所對應的模擬電壓予以輸出。又，ADC17偵測該複製發送端電阻13的二端之電壓差，以通知該輸出控制部10。

該輸出控制部10對該複製負載電路102所輸出的電壓進行控制，使該高電壓側偵測部50-1所偵測的電源電流、以及高電壓側偵測部51-1所偵測的複製電路的電源電流成為一致，且使低電壓側偵測部50-2所偵測的電源電流、以及低電壓側偵測部51-2所偵測的複製電路的電源電流成為一致。

藉由以上的處理，則該複製驅動部21所輸出的模擬電壓和模擬電流可很精確地模擬該驅動部20所輸出的負載電壓和負載電流。因此，藉由偵測該複製驅動部21的模擬電流或模擬電壓，則可偵測該驅動部20所輸出的負載電流或負載電壓。

又，複製電路中的複製發送端電阻13的二端的電壓差可很精確地模擬該發送端電阻12的二端的電壓差。因此，輸出控制部10由ADC17所通知的複製發送端電阻13的二端的電壓差，可算出供應至該被測試元件300之負載電流。輸出控制部10可對施加至驅動部20中的預驅動器22的施加電壓進行控制，使該負載電流與規定值一致。

又，輸出控制部10可由ADC17所通知的複製發送端電阻13的複製負載電路102側的一端的電壓差，來算出供應至該被測試元件300中的負載電壓。該複製發送端電阻13由於設置成與驅動部20相獨立，則可藉由設置一種可直接測定該複製發送端電阻13的電壓之ADC17，使得即使在ADC17的輸入電容量附加至複製發送端電阻13時，亦不會對該驅動部20造成影響。

因此，可很精確地直接測定該複製發送端電阻13的電壓。該輸出控制部10可對施加至預驅動器22的施加電壓進行控制，使該負載電壓與規定值一致。即使藉由此種構成，亦可將施加至被測試元件300的負載電流或負載電壓控制成一定值。

圖14顯示發送端電阻12的另一例。本例的發送端電阻12設置在緩衝器30的內部。緩衝器30在高電壓側電晶體32-1和低電壓側電晶體32-2之間可具有串聯相接的2個發送端電阻12。此2個發送端電阻12的連接點連接至該被測試元件300。

又，與圖13相關連而說明的驅動電路100中，使用2個發送端電阻12和2個複製發送端電阻13時，ADC17針對各別的複製發送端電阻13來偵測二端的電壓差。在圖14所示的構成中，供應至被測試元件300之負載電流成為由第1複製發送端電阻13中流過的電流減去第2複製發送端電阻13中流過的電流後所得的電流。該輸出控制部10可由ADC17所偵測的各別的複製發送端電阻13的二端電 壓算出負載電流。

圖15顯示該輸出控制部10的另一構成例的方塊圖。本例的輸出控制部10除了與圖6相關連而說明的輸出控制部10的構成以外，更具有溫度偵測部19。

溫度偵測部19偵測該驅動部20的溫度。更具體而言，溫度偵測部19可偵測驅動部20中的各別之電晶體32的溫度。例如，溫度偵測部19可設置在電晶體32的附近，藉由偵測出由溫度所造成的特性會發生變化的元件的特性，可偵測該電晶體32之溫度。

本例中的靜特性資料儲存部18可對應於驅動部20之多個種類的溫度來儲存多個種類的靜特性資料。例如，靜特性資料儲存部18可如圖5所示來儲存其它溫度的靜特性資料。

控制電路16由靜特性資料儲存部18讀出溫度偵測部19所偵測的溫度所對應的靜特性資料，且依據該靜特性資料來控制該施加電壓。藉由此種構成，則可更精確地控制該負載電流或該負載電壓。

以上，雖然使用實施形式來說明本發明，但發明的技術範圍不限於上述實施形式中所記載的範圍。以上的實施形式中可施加多樣的變更或改良，這是此行的專家所理解者。施加了多樣的變更或改良後的形式亦包含在發明的技術範圍中，這由申請專利範圍的記載即可明白。

申請專利範圍、說明書及圖示中所示的裝置、系統、程式及方法中的動作、程序、步驟以及階段等的各處理的 執行順序應留意，只要未特別明確表示“更前面”、“首先”等，而且，在後面的處理中不利用前面處理的輸出，就可以任意的順序來實現。關於申請專利範圍、說明書及圖面中的動作流程，為了說明上的便利而利用〔首先〕、〔繼而〕等進行說明，但並不是意味著必須按照該順序來實施。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧輸出控制部

12‧‧‧發送端電阻

13‧‧‧複製發送端電阻

14、15‧‧‧設定部

16‧‧‧控制電路

17、54、55、91、92‧‧‧類比/數位轉換器(ADC)

18‧‧‧靜特性資料儲存部

19‧‧‧溫度偵測部

20‧‧‧驅動部

21‧‧‧複製驅動部

22‧‧‧預驅動器

24‧‧‧電壓偏移部

26‧‧‧電流源

26-1‧‧‧高電壓側電流源

26-2‧‧‧低電壓側電流源

28‧‧‧二極體

28-1‧‧‧高電壓側二極體

28-2‧‧‧低電壓側二極體

30‧‧‧緩衝器

32、36、36-1、36-2‧‧‧電晶體

32-1‧‧‧高電壓側電晶體

32-2‧‧‧低電壓側電晶體

34、34-1、34-2、94‧‧‧電阻

38‧‧‧電流源

40‧‧‧基極電流偵測部

42‧‧‧虛擬電晶體

44‧‧‧虛擬電流偵測部

46‧‧‧電壓隨耦器電路

48‧‧‧切換部

50、51‧‧‧電源電流偵測部

50-1、51-1‧‧‧高電壓側偵測部

50-2、51-2‧‧‧低電壓側偵測部

52‧‧‧鏡面電晶體

53‧‧‧測定用電阻

56‧‧‧運算部

57‧‧‧偵測用電晶體

70‧‧‧電流補償電路

70-1‧‧‧高電壓側的電流補償電路

70-2‧‧‧低電壓側的電流補償電路

72‧‧‧第1電晶體

74‧‧‧第2電晶體

76‧‧‧第3電晶體

78‧‧‧第4電晶體

80‧‧‧第5電晶體

82‧‧‧第6電晶體

84‧‧‧第7電晶體

86‧‧‧第8電晶體

93‧‧‧運算放大器

95‧‧‧電容器

100‧‧‧驅動電路

102‧‧‧複製負載電路

110‧‧‧圖案產生部

120‧‧‧判定部

200‧‧‧測試裝置

300‧‧‧被測試元件

圖1是一個實施形式的測試裝置200的功能構成例、與被測試元件300合在一起顯示的方塊圖。

圖2顯示驅動電路100的構成例。

圖3顯示驅動部20的電路構成例。

圖4顯示藉由定電流動作模式來測試該被測試元件300的處理的一例的流程圖。

圖5A顯示預先施加至輸出控制部10的電晶體32的靜特性資料的一例。

圖5B顯示預先施加至輸出控制部10的電晶體32的靜特性資料的一例。

圖6顯示該輸出控制部10的構成例的方塊圖。

圖7顯示藉由定電壓動作模式來測試該被測試元件300的處理的一例的流程圖。

圖8顯示該驅動電路100在高阻抗動作模式中動作時 的處理的一例的流程圖。

圖9顯示該驅動部20的另一構成例。

圖10顯示該驅動電路100的另一構成例的一部份。

圖11顯示電源電流偵測部50和電流補償電路70之電路構成例。

圖12顯示該驅動電路100的另一構成例。

圖13顯示該驅動電路100的另一構成例。

圖14顯示發送端電阻12的另一例。

圖15顯示該輸出控制部10的另一構成例的方塊圖。

100‧‧‧驅動電路

110‧‧‧圖案產生部

120‧‧‧判定部

200‧‧‧測試裝置

300‧‧‧被測試元件

Claims (24)

1. 一種測試裝置，依據施加至被測試元件的負載電壓或負載電流來判定該被測試元件的良否，該測試裝置包括：驅動電路，將對應於輸入信號之測試信號供應至該被測試元件；以及判定部，由該驅動電路將具有規定的邏輯圖案的圖案信號輸入至該被測試元件時，依據被測試元件所輸出的響應信號來判定該被測試元件的良否，並且在由該驅動電路將規定值的電流的該測試信號供應至該被測試元件時，依據施加至該被測試元件的該負載電壓來判定該被測試元件的良否、或在由該驅動電路將規定值的電壓的該測試信號供應至該被測試元件時，依據施加至該被測試元件的該負載電流來判定該被測試元件的良否，該驅動電路包括：驅動部，輸出該測試信號，並輸出所述具有規定的邏輯圖案的圖案信號；電源電流偵測部，偵測出供應至該驅動部中的電源電流；以及輸出控制部，在與輸出所述具有規定的邏輯圖案的圖案信號之圖案動作模式不同的動作模式中動作時，將供應至該驅動部中的該輸入信號的邏輯值固定至規定值，並且依據該電源電流偵測部所偵測的該電源電流，來控制該驅動部所輸出的該測試信號的電壓或電流使成為該規定值。
2. 如申請專利範圍第1項所述的測試裝置，其中， 該驅動部輸出與所施加的多個施加電壓中的、該輸入信號的邏輯值相對應的電壓，該輸出控制部依據該電源電流偵測部所偵測的該電源電流，來控制施加至該驅動部之該施加電壓。
3. 如申請專利範圍第2項所述的測試裝置，其中，該驅動部包括緩衝器，該緩衝器對應於所施加的信號而將電流由高電壓電源線供應至該被測試元件，且對應於所施加的信號而將電流由該被測試元件導引至低電壓電源線，該電源電流偵測部包括：高電壓側偵測部，偵測由該高電壓電源線供應至該被測試元件的高電壓側電流，以及低電壓側偵測部，偵測由該被測試元件引入到該低電壓電源線的低電壓側電流。
4. 如申請專利範圍第3項所述的測試裝置，其中，該緩衝器包括：高電壓側電晶體，該高電壓側電晶體的集極端子電性連接至該高電壓電源線，且由該高電壓側電晶體的射極端子輸出該測試信號，以及低電壓側電晶體，該低電壓側電晶體的射極端子電性連接至該高電壓側電晶體的射極端子，且該低電壓側電晶體的集極端子電性連接至該低電壓電源線，該高電壓側偵測部設置在該高電壓電源線和該高電壓側電晶體之間，且偵測該高電壓側電晶體的集極電流， 該低電壓側偵測部設置在該低電壓電源線和該低電壓側電晶體之間，且偵測該低電壓側電晶體的集極電流。
5. 如申請專利範圍第4項所述的測試裝置，其中，該輸出控制部依據該高電壓側偵測部所偵測的電流以及該低電壓側偵測部所偵測的電流之差，來控制該施加電壓。
6. 如申請專利範圍第5項所述的測試裝置，其中，該驅動部更包括預驅動器，該預驅動器將該輸入信號的邏輯值所對應的該施加電壓相對應的電壓分別供應至該高電壓側電晶體和該低電壓側電晶體的基極端子，該輸出控制部依據該電源電流偵測部所偵測的該電源電流，來控制供應至該預驅動器的該施加電壓。
7. 如申請專利範圍第6項所述的測試裝置，其中，該驅動部更包括電壓偏移部，該電壓偏移部將該預驅動器所輸出的電壓只偏移預定的電壓、以供應至該高電壓側電晶體的基極端子，且將該預驅動器所輸出的電壓只偏移預定的電壓、以供應至該低電壓側電晶體的基極端子。
8. 如申請專利範圍第4項所述的測試裝置，其中，該驅動電路具有：所述圖案動作模式；以及定電流動作模式，輸出規定的定電流，該輸出控制部在該定電流動作模式中動作時，控制施加至該驅動部的該施加電壓，以使藉由該電源電流偵測部所偵測的該電源電流來求出的、向該被測試元件的負載電流成為規定的定電流。
9. 如申請專利範圍第8項所述的測試裝置，其中，該輸出控制部包括：靜特性資料儲存部，分別在該高電壓側電晶體和該低電壓側電晶體中儲存著顯示集極電流和基極電流之關係的靜特性資料；以及控制電路，控制該施加電壓，使由該靜特性資料和該電源電流偵測部所偵測的集極電流所算出的各別的射極電流的差成為規定的定電流。
10. 如申請專利範圍第9項所述的測試裝置，其中，該測試裝置更包括：發送端電阻，設置在該驅動部和該被測試元件之間，該靜特性資料儲存部儲存著該靜特性資料，該靜特性資料更顯示各別的該高電壓側電晶體和該低電壓側電晶體中、集極電流和基極射極間電壓的關係，該控制電路由該靜特性資料和該集極電流來算出各別的電晶體的射極電壓，且依據該射極電流的電流值、該射極電壓的電壓值以及該發送端電阻的電阻值，來算出施加至該被測試元件之負載電壓，該判定部依據該控制電路所算出的該負載電壓來判定該被測試元件的良否。
11. 如申請專利範圍第8項所述的測試裝置，其中，該測試裝置更包括：基極電流偵測部，偵測該高電壓側電晶體和該低電壓側電晶體的基極電流，該輸出控制部控制該施加電壓，使由該電源電流偵測 部所偵測的集極電流、和該基極電流偵測部所偵測的基極電流所算出的各別的射極電流的差成為規定的定電流。
12. 如申請專利範圍第8項所述的測試裝置，其中，該測試裝置更包括：電流補償電路，將該電源電流偵測部所偵測的各別的集極電流相對應的補償電流加至各別的該集極電流、或由該集極電流中減去，使該緩衝器的各別的電晶體中的集極電極與射極電流一致，該輸出控制部控制該施加電壓，使由該電源電流偵測部所偵測的各別的集極電流的差成為規定的定電流。
13. 如申請專利範圍第8項所述的測試裝置，其中，該測試裝置更包括：發送端電阻，設置在該驅動部和該被測試元件之間；複製驅動部，具有與該驅動部的特性相對應的特性；且藉由輸出與施加至該驅動部的該施加電壓所對應的電壓，以輸出模擬了該驅動部所輸出的電壓的模擬電壓；複製發送端電阻，設置在該複製驅動部的輸出端，且具有與該發送端電阻的特性相對應的特性，以模擬該發送端電阻的二端電壓；以及複製負載電路，模擬該被測試元件之端子中的電壓，該輸出控制部在該定電流動作模式中動作時，由該複製發送端電阻的二端電壓求出該複製驅動部所輸出的模擬電流，藉此來偵測向該被測試元件的負載電流，且對施加至該驅動部的該施加電壓進行控制，使該負載電流成為規定的定電流。
14. 如申請專利範圍第4項所述的測試裝置，其中，該驅動電路具有：所述圖案動作模式；定電壓動作模式，輸出規定的定電壓，該驅動電路更包括：發送端電阻，設置在該驅動部和該被測試元件之間，該輸出控制部在該定電壓動作模式中動作時，依據該發送端電阻的電阻值和該集極電流的電流值，以算出供應至該被測試元件中的負載電壓，且控制施加至該驅動部中的該施加電壓，以使所算出的該負載電壓成為規定的定電壓。
15. 如申請專利範圍第14項所述的測試裝置，其中，該輸出控制部包括：靜特性資料儲存部，儲存著靜特性資料，該靜特性資料顯示出以下的關係：各別的該高電壓側電晶體和該低電壓側電晶體中集極電流和基極射極間電壓的關係，以及各別的該高電壓側電晶體和該低電壓側電晶體中集極電流和基極電流的關係；以及控制電路，由該靜特性資料和該電源電流偵測部所偵測的集極電流，算出該緩衝器中各別的電晶體的射極電壓和射極電流，且依據該射極電流的電流值、該射極電壓的電壓值、以及該發送端電阻的電阻值，來算出施加到該被測試元件的負載電壓，且對該施加電壓進行控制，使該負載電壓成為規定的定電壓。
16. 如申請專利範圍第15項所述的測試裝置，其中， 該判定部依據該控制電路所算出的、該緩衝器中各別的該電晶體之該射極電流的差所求出的負載電流，來判定該被測試元件的良否。
17. 如申請專利範圍第14項所述的測試裝置，其中，該測試裝置更包括：基極電流偵測部，偵測該高電壓側電晶體和該低電壓側電晶體的基極電流，該輸出控制部包括：靜特性資料儲存部，儲存靜特性資料，該靜特性資料顯示出各別的該高電壓側電晶體和該低電壓側電晶體中、集極電流和基極射極間電壓的關係；以及控制電路，由該靜特性資料和該電源電流偵測部所偵測的集極電流，算出該緩衝器中各別的電晶體的射極電壓，且由該基極電流偵測部所偵測的各別的該基極電流、和該電源電流偵測部所偵測的各別的該集極電流，來算出該緩衝器中各別的電晶體的射極電流，依據該射極電流的電流值、該射極電壓的電壓值、以及該發送端電阻的電阻值，來算出施加到該被測試元件的負載電壓，且對該施加電壓進行控制，使該負載電壓成為規定的定電壓。
18. 如申請專利範圍第14項所述的測試裝置，其中，該驅動電路更包括：電流補償電路，將該電源電流偵測部所偵測的各別的集極電流所對應的補償電流加至各別的該集極電流、或由該集極電流中減去。
19. 如申請專利範圍第14項所述的測試裝置，其中，該測試裝置更包括： 發送端電阻，設置在該驅動部和該被測試元件之間；複製驅動部，具有與該驅動部的特性相對應的特性，且藉由輸出施加至該驅動部的該施加電壓所對應的電壓，以輸出模擬了該驅動部所輸出的電壓的模擬電壓；以及複製發送端電阻，設置在該複製驅動部的輸出端，且具有與該發送端電阻的特性相對應的特性，以模擬該發送端電阻的二端電壓；該輸出控制部在該定電流動作模式中動作時，藉由偵測該複製發送端電阻的一端的電壓，以偵測出向該被測試元件的負載電壓，且對施加至該驅動部的該施加電壓進行控制，使該負載電壓成為規定的定電壓。
20. 如申請專利範圍第11項所述的測試裝置，其中，對該緩衝器中各別之電晶體而言，該基極電流偵測部包括：虛擬電晶體，該虛擬電晶體的射極端子和集極端子分別與該電晶體形成電性相連接；電壓隨耦器電路，將該電晶體的基極電壓所對應的電壓施加至該虛擬電晶體的基極端子；以及虛擬電流偵測部，由該電壓隨耦器電路偵測出供應至該虛擬電晶體的虛擬電流，以作為該基極電流。
21. 如申請專利範圍第20項所述的測試裝置，其中，該驅動電路更包括：切換部，對該電晶體的基極電壓所對應的電壓是否施加至該電壓隨耦器電路的輸入端子、或是否施加基準電壓以使該虛擬電晶體成為關閉狀態，來 進行切換。
22. 如申請專利範圍第4項所述的測試裝置，其中，該驅動電路具有：所述圖案動作模式；以及高阻抗動作模式，使該驅動部的輸出成為高阻抗，該輸出控制部在該高阻抗動作模式中動作時，控制該施加電壓，以使該高電壓側偵測部所偵測的電流、和該低電壓側偵測部所偵測的電流的差成為零。
23. 如申請專利範圍第9項所述的測試裝置，其中，該測試裝置更包括：溫度偵測部，偵測該驅動部的溫度，該靜特性資料儲存部儲存著與該驅動部的多個溫度對應之多個種類的該靜特性資料，該控制電路由該靜特性資料儲存部讀出該溫度偵測部所偵測的溫度所對應的該靜特性資料，且依據該靜特性資料來控制該施加電壓。
24. 一種驅動電路，輸出對應於輸入信號的信號，該驅動電路包括：驅動部，輸出對應於該輸入信號的信號，並輸出具有規定的邏輯圖案的圖案信號；電源電流偵測部，偵測出供應至該驅動部的電源電流；以及輸出控制部，在與輸出所述具有規定的邏輯圖案的圖案信號之圖案動作模式不同的動作模式中動作時，將供應至該驅動部中的該輸入信號的邏輯值固定至規定值，並且 依據該電源電流偵測部所偵測的該電源電流，來控制該驅動部所輸出的信號的電壓或電流使成為規定值。