TWI395340B - 多接面太陽能電池 - Google Patents

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Description

多接面太陽能電池
本發明係關於一多接面太陽能電池結構及其製造方法。
因應原油資源有限，各式替代能源已被廣泛研究及產品化，其中太陽能電池不管在工業及民生用途，均已達商業生產的程度，III-V族多接面層太陽能電池(multi-junction solar cell)因其具有高轉換效率主要應用於太空或工業電力用途，其晶片結構例如包括晶格互相匹配之鍺/砷化鎵/磷化鎵銦(Ge/GaAs/GaInP)系列之三接面堆疊結構，其最上層以具有較大能隙之Gax In1-x P(1.85eV；x~0.5)為上部電池(Top cell)，能吸收具有較高能量之光子，即紫外光至可見光範圍之波長；GaAs之能隙1.42eV，為中間電池(Middle cell)，吸收近紅外光範圍之波長；鍺具有較低之能隙0.74eV，為底部電池(Bottom cell)，吸收通過前二疊層電池之紅外光範圍之波長。由於可吸收之太陽輻射光譜範圍較廣，轉換效率約30%以上。
本發明提出一新穎的多接面太陽能電池(multi-junction solar cell)結構及其製造方法，具有高效率並可改善元件之散熱特性。
本發明一方面提出一多接面太陽能電池之製造方法，包含提供一成長基板、成長一緩衝層於所述之成長基板之上、成長一接觸層於所述之緩衝層上、成長一第一光伏接面結構於所述之接觸層之上、成長一第一穿隧接面結構於所述之第一光伏接面結構之上、成長一第二光伏接面結構於所述之第一穿隧接面結構之上、形成一光子回收層於所述之第二光伏接面結構之上、提供一支撐體，並形成一接合層於所述之支撐體之上、利用所述之接合層接合所述之光子回收層及支撐體、移除所述之成長基板，使裸露出所述之接觸層、去除部份所述之接觸層使裸露一部份所述之第一光伏接面結構、形成一第一電極於所述之接觸層上以及形成一第二電極電性連接所述之支撐體、以及形成一抗反射層於所述之第一光伏接面結構之至少裸露之表面上；其中，至少第一光伏接面結構及第二光伏接面結構之至少其中之一包含一不連續光電轉換結構。於本發明之一實施例中，所述之不連續光電轉換結構係位於一圖形化結構層所定義之複數個空腔內。於本發明之另一實施例中，所述之不連續光電轉換結構係為一量子點層包含複數個量子點。
本發明另一方面提出一多接面太陽能電池結構，包含一支撐體、一接合層位於所述之支撐體之一表面上、一第一電極位於所述之支撐體之另一表面上、一光子回收層位於所述之接合層之上、一具有第一能隙之第一光伏接面結構位於所述之光子回收層之另一部份表面上、一第一穿隧接面結構位於所述之第一光伏接面結構之上、一具有第二能隙之第二光伏接面結構位於所述之第一穿隧接面結構之上、一接觸層位於所述之第二光伏接面結構之一部份表面上，並與所述之第二光伏接面結構形成歐姆接觸、一第二電極位於所述之接觸層之上、以及一抗反射層位於所述之第二光伏接面結構之至少另一部份表面之上；其中，至少第一光伏接面結構及第二光伏接面結構之至少其中之一包含一不連續光電轉換結構。於本發明之一實施例中，所述之不連續光電轉換結構係位於一圖形化結構層所定義之複數個空腔內。於本發明之另一實施例中，所述之不連續光電轉換結構係為一量子點層包含複數個量子點。
第1圖～第3圖揭示本發明多接面太陽能電池之第一實施例之製造方法及其結構，其製造方法之詳細步驟揭示如下：步驟一：如第1圖所示，首先提供一成長基板10，其材質包括鍺(Ge)、矽鍺合金(SiGe)、或砷化鎵(GaAs)，以及成長一緩衝層11於成長基板10之上，其中緩衝層11係為與成長基板10相異之材質且具有與成長基板相匹配之晶格常數，例如為砷化鎵(GaAs)或磷化銦鎵(InGaP)；步驟二：形成一接觸層12於緩衝層11上，接觸層12包含半導體材料，例如為砷化鎵，並且具有一高雜質濃度，例如為大於1*1018 cm-3 之雜質濃度；步驟三：成長一第一光伏接面結構21於接觸層12之上，其中，第一光伏接面結構21及接觸層12之間形成一低電阻之歐姆接觸；其中第一光伏接面結構21具有一第一能隙，包括一第一射極層(emitter layer)211具有第一電性型態，例如為n型、以及一第一基極層(base layer)212具有相異於第一電性之第二電性型態，例如為p型，其中第一射極層211及第一基極層212具有與成長基板10相匹配之晶格常數，其材質例如包含磷化鋁銦鎵(Ala Inb Ga(1-a-b) P;0≦a,b≦1)；步驟四：成長一第一穿隧接面結構22於第一光伏接面結構21之上，包括第一穿隧層221具有第一電性型態，例如為p型，及一高於1*1018 cm-3 之雜質濃度、以及一第二穿隧層222具有第二電性型態相異於第一電性型態，例如為n型，及一高於1*1018 cm-3 之雜質濃度，其中第一穿隧層221及第二穿隧層222具有高雜質濃度及低厚度，例如為小於500埃，以形成一高導電接面結構；步驟五：成長一第二光伏接面結構31於第一穿隧接面結構22之上，其中第二光伏接面結構31具有一第二能隙小於所述之第一能隙，包括一第二射極層(emitter layer)311具有第一電性型態，例如為n型、以及一第二基極層(base layer)312具有相異於第一電性之第二電性型態，例如為p型，其中第二射極層311及第二基極層312具有與成長基板10相匹配之晶格常數，其材質例如包含砷化鎵(GaAs);步驟六：成長一第二穿隧接面結構32於第二光伏接面結構31之上，包括第三穿隧層321具有第一電性型態，例如為p型，及一高於1*1018 cm-3 之雜質濃度、以及一第四穿隧層322具有第二電性型態相異於第一電性型態，例如為n型，及一高於1*1018 cm-3 之雜質濃度，其中第三穿隧層321及第四穿隧層322具有高雜質濃度及低厚度，例如為小於500埃，以形成一高導電接面結構；步驟七：形成一圖形化結構層40於第二穿隧接面結構32之上，圖形化結構層40具有一圖案界定出複數個空腔，並且裸露出對應空腔區域內之第二穿隧接面結構32之部份表面；步驟八：成長一第三光伏接面結構41於所述之複數個空腔內，並且被圖形化結構層40界定出複數個不連續光伏接面區塊，第三光伏接面結構41具有一第三能隙小於所述之第二能隙，包括一第三射極層(emitter layer)411具有第一電性型態，例如為n型、以及一第三基極層(base layer)412具有相異於第一電性之第二電性型態，例如為p型；其中，第三射極層411及第三基極層412具有與成長基板10不匹配之晶格常數，例如晶格常數差異大於1%以上，其材質例如包含砷化銦鎵(Inc Ga(1-c) As;0≦c≦1)或砷磷化銦鎵(Inp Ga(1-p) Asq P(1-q) ;0≦p,q≦1)；步驟九：形成一光子回收層51於第三光伏接面結構41及圖形化結構40之上，光子回收層51之材質包含對特定光波長範圍之光線具有大於70%之高反射率，較佳為對第三光伏接面結構41之吸收波長範圍之光線具有大於70%之反射率，例如為符合上述條件之金屬材質，或符合上述條件之導電分散式布拉格反射層(Distributed Bragg Reflector；DBR)結構；步驟十：如第2圖所示，提供一支撐體60，並形成一接合層61於支撐體60之上，其中接合層61之材質例為金屬、金屬合金、或導電高分子材料，並利用接合層61接合光子回收層51及支撐體60；接合之方式，例如為膠合接合(glue bonding)、焊接接合(solder bonding)、或共金接合(eutectic bonding)等方式；步驟十一：移除成長基板10及緩衝層11，使裸露出接觸層12，其中移除之方法可用直接研磨去除成長基板10及緩衝層11，或以蝕刻液蝕刻去除緩衝層11造成成長基板10脫落去除，亦可以雷射照射緩衝層11，使緩衝層11分解熔融，造成成長基板10脫落去除；步驟十二：如第3圖所示，去除部份之接觸層12使裸露一部份之第一光伏接面結構21，形成一第一電極71於接觸層12上，以及形成一第二電極72電性連接支撐體60；第一電極71及第二電極72為一單層或多層疊層之金屬或金屬合金層；步驟十三：形成一抗反射層81於第一光伏接面結構21之至少裸露部份之表面上，以完成本發明第一實施例之多接面太陽能電池1。
如第3圖所示，多接面太陽能電池1包含支撐體60、接合層61位於支撐體60之一表面上、第二電極72位於支撐體60之另一表面上、光子回收層51位於接合層61之上、圖形化結構層40位於光子回收層51之一部份表面上，並定義出複數個空腔、具有第三能隙之第三光伏接面結構41位於光子回收層51之另一部份表面上及複數個空腔內，包含第三基極層412及第三射極層411、第二穿隧接面結構32位於第三光伏接面結構41及圖形化結構層40之上，包含第四穿隧層322及第三穿隧層321、具有第二能隙之第二光伏接面結構31位於第二穿隧接面結構32之上，包含第二基極層312及第二射極層311、第一穿隧接面結構22位於第二光伏接面結構31之上，包含第二穿隧層222及第一穿隧層221、具有第一能隙之第一光伏接面結構21位於第一穿隧接面結構22之上，包含第一基極層212及第一射極層211、接觸層12位於第一光伏接面結構21之一部份表面上，並與第一光伏接面結構21形成歐姆接觸、第一電極71位於接觸層12之上、以及抗反射層81位於第一光伏接面結構21之至少另一部份表面之上。
太陽光自抗反射層81進入多接面太陽能電池1，並依序由具有第一能隙之第一光伏接面結構21吸收較短波長範圍之光線，並轉換產生第一電流值；具有小於第一能隙之第二能隙之第二光伏接面結構31吸收中間波長範圍之光線，並轉換產生第二電流值；具有小於第二能隙之第三能隙之第三光伏接面結構41吸收較長波長範圍之光線，並轉換產生第三電流值；剩餘未被吸收之光線可藉由光子回收層51將剩餘之光線再反射回第三光伏接面結構41再吸收，以補償第三光伏接面結構41因圖形化結構層40佔據部份之表面面積而造成之可轉換區域之損失。圖形化結構層40之圖案包含如第4圖所示之平行條紋4a或交錯條紋4b，所形成之條紋密度約佔多接面太陽能電池1之面積之1~10%，使得第三光伏接面結構41轉換產生之第三電流值接近或大於第一光伏接面結構21轉換產生之第一電流值或第二光伏接面結構31轉換產生之第二電流值之二者之一。所述之平行條紋或交錯條紋之寬度約介於0.5μm~5μm之間，高度約介於0.5μm~5μm，取決於形成之第三光伏接面結構41之厚度；所述之平行條紋或交錯條紋之高度與寬度之比值約介於0.1~10之間，較佳為介於0.5~5之間。圖形化結構層40之材質較佳為絶緣性良好之非晶材質，例如為氧化物或氮化物材質。另外，由於第三光伏接面結構41與基板10係為晶格不匹配，於磊晶成長時，容易形成線錯位(thread dislocation)並向上延伸，而影響磊晶品質，進而影響多接面太陽能電池之轉換效率；晶格不匹配的結果亦會造成應力累積而容易有晶圓彎曲過度而破損之情形。本發明之圖形化結構層40可以有效阻止線錯位(thread dislocation)繼續向上延伸，並且藉由將第三光伏接面結構41置於圖形化結構層40所形成之複數個空腔內，可將晶格不匹配所形成之應力釋放，消除晶圓翹曲破片之情形。
第5圖～第6圖揭示本發明多接面太陽能電池之第二實施例之製造方法及其結構，其製造方法之詳細步驟揭示如下：步驟一：如第5圖所示，首先提供一成長基板10，其材質包括鍺(Ge)、矽鍺合金(SiGe)、或砷化鎵(GaAs)，以及成長一緩衝層11於成長基板10之上，其中緩衝層11具有與成長基板10相匹配之晶格常數及與成長基板10相異之材質，例如為砷化鎵(GaAs)或磷化銦鎵(InGaP)；步驟二：形成一接觸層12於緩衝層11上，接觸層12包含半導體材料，例如為砷化鎵，並且具有一高雜質濃度，例如為大於1*1018 cm-3 之雜質濃度；步驟三：成長一第一光伏接面結構21於接觸層12之上，其中，第一光伏接面結構21及接觸層12之間形成一低電阻之歐姆接觸；第一光伏接面結構21具有一第一能隙，包括一第一射極層(emitter layer)211具有第一電性型態，例如為n型、以及一第一基極層(base layer)212具有相異於第一電性之第二電性型態，例如為p型，其中第一射極層211及第一基極層212具有與成長基板10相匹配之晶格常數，其材質例如包含磷化鋁銦鎵(Ala Inb Ga(1-a-b) P;0≦a,b≦1);步驟四：成長一第一穿隧接面結構22於第一光伏接面結構21之上，包括第一穿隧層221具有第一電性型態，例如為p型，及一高於1*1018 cm-3 之雜質濃度、以及一第二穿隧層222具有第二電性型態相異於第一電性型態，例如為n型，及一高於1*1018 cm-3 之雜質濃度，其中第一穿隧層221及第二穿隧層222具有高雜質濃度及低厚度，例如為小於500埃，以形成一高導電接面結構；步驟五：成長一第二光伏接面結構31於第一穿隧接面結構22之上，其中第二光伏接面結構31具有一第二能隙小於所述之第一能隙，包括一第二射極層(emitter layer)311具有第一電性型態，例如為n型、以及一第二基極層(base layer)312具有相異於第一電性之第二電性型態，例如為p型，其中第二射極層311及第二基極層312具有與成長基板10相匹配之晶格常數，其材質例如包含砷化鎵(GaAs);步驟六：成長一第二穿隧接面結構32包括第三穿隧層321具有第一電性型態，例如為p型，及一高於1*1018 cm-3 之雜質濃度、以及一第四穿隧層322具有第二電性型態相異於第一電性型態，例如為n型，及一高於1*1018 cm-3 之雜質濃度，其中第三穿隧層321及第四穿隧層322具有高雜質濃度及低厚度，例如為小於500埃，以形成一高導電接面結構；步驟七：成長一第三光伏接面結構90於第二穿隧接面結構32之上，其中第三光伏接面結構90具有一第三能隙小於或等於所述之第二能隙，包括一第三射極層91具有第一電性型態，例如為n型、一第三基極層93具有相異於第一電性之第二電性型態，例如為p型、以及一量子點區92介於第三射極層91及第三基極層93之間，其中第三射極層91及第三基極層93具有與成長基板10相匹配之晶格常數，其材質例如包含砷化銦鎵(Inc Ga(1-c) As;0≦c≦1)或砷磷化銦鎵(Inp Ga(1-p) Asq P(1-q) ;0≦p,q≦1)；量子點區92包含複數個覆蓋層(cap layer)921、複數個量子井層922、及複數個量子點層923依序交互堆疊形成，其中，覆蓋層921可同時作為一阻障層(barrier layer)以集中載子(電子或電洞)於量子點層923或量子井層922及平坦層以平坦化量子點層923造成之表面起伏，以維持元件表面之平整度；覆蓋層921之材質例如與第三射極層91相同之材質，以及與第三射極層91相同電性之外質(extrinsic)半導體層或非摻雜之本質(intrinsic)半導體層；量子井層922係形成於覆蓋層921之上，具有一能隙低於覆蓋層921，以及一晶格常數不匹配於成長基板10之材質，例如晶格常數與成長基板10差異大於1%以上之砷化銦鎵(Ind Ga(1-d) As;0≦d≦1)或砷磷化銦鎵(Inp Ga(1-r) Asq P(1-s) ;0≦r,s≦1)材質，量子井層922之厚度介於1～10nm之間，較佳為1～5nm之間，使晶格缺陷實質上不致於形成及向上延伸；量子點層923係形成於量子井層922之上，並且由複數個不規則排列之量子點(quantum dot)所組成，具有與量子井層922實質上相同之材質，並且量子點層923形成複數個能隙相異於量子井層922之能隙，如第8圖所示之不同尺寸之量子點8a、8b、8c對應具有複數個相異之量子能隙Ega 、Egb 、及Egc 大於量子井層922之能隙Egd ，藉以提高對應可吸收光譜之範圍，進而提高第三光伏接面結構90之轉換效率；量子點層923實質上為直徑介於1～10nm之複數個彼此分離之量子點所組成之不連續光電轉換結構，除可提高轉換效率，更有助於釋放因晶格不匹配而產生之應力；步驟八：形成一光子回收層51於第三光伏接面結構41之上，光子回收層51之材質包含對特定光波長範圍之光線具有大於70%之反射率，特別是對第三光伏接面結構90之吸收波長範圍之光線具有大於70%之反射率，例如為符合上述條件之金屬材質，或符合上述條件之導電分散式布拉格反射層(Distributed Bragg Reflector；DBR)結構；步驟九：如第6圖所示，提供一支撐體60，並形成一接合層61於支撐體60之上，其中接合層61之材質例為金屬、金屬合金、或導電高分子材料，並利用接合層61接合光子回收層51及支撐體60；接合之方式，例如為膠合接合(glue bonding)、焊接接合(solder bonding)、或共金接合(eutectic bonding)等方式；步驟十：移除成長基板10及緩衝層11，使裸露出接觸層12，其中移除之方法可用研磨去除成長基板10及緩衝層11，或以蝕刻液蝕刻緩衝層11造成成長基板10脫落去除，亦可以雷射照射緩衝層11，使緩衝層11分解熔融，造成成長基板10脫落去除；步驟十一：如第7圖所示，去除部份之接觸層12使裸露一部份之第一光伏接面結構21，並且形成一第一電極71於接觸層12上，以及形成一第二電極72電性連接支撐體60；第一電極71及第二電極72為一單層或多層疊層之金屬或金屬合金層；步驟十二：形成一抗反射層81於第一光伏接面結構之至少裸露部份之表面上，以完成本發明第二實施例之多接面太陽能電池2。
如第7圖所示，多接面太陽能電池2包含支撐體60、接合層61位於支撐體60之一表面上、第二電極72位於支撐體60之另一表面上、光子回收層51位於接合層61之上、具有第三能隙之第三光伏接面結構90位於光子回收層51之上，包含第三基極層93、量子點區92、及第三射極層91、第二穿隧接面結構32位於第三光伏接面結構90之上，包含第四穿隧層322及第三穿隧層321、具有第二能隙之第二光伏接面結構31位於第二穿隧接面結構32之上，包含第二基極層312及第二射極層311、第一穿隧接面結構22位於第二光伏接面結構31及之上，包含第二穿隧層222及第一穿隧層221、具有第一能隙之第一光伏接面結構21位於第一穿隧接面結構22之上，包含第一基極層212及第一射極層211、接觸層12位於第一光伏接面結構21之一部份表面上，並與第一光伏接面結構21形成歐姆接觸、第一電極71位於接觸層12之上、以及抗反射層81位於第一光伏接面結構21之至少另一部份表面之上。
太陽光自抗反射層81進入多接面太陽能電池2，並依序由具有第一能隙之第一光伏接面結構21吸收較短波長範圍之光線，並轉換產生第一電流值；具有小於第一能隙之第二能隙之第二光伏接面結構31吸收中間波長範圍之光線，並轉換產生第二電流值；具有小於第二能隙之第三能隙之第三光伏接面結構90包含一由量子點層所組成之不連續光電轉換結構，吸收較長波長範圍之光線，並轉換產生第三電流值；剩餘未被吸收之光線可藉由光子回收層51將剩餘之光線再反射回第三光伏接面結構90再吸收，以補償第三光伏接面結構41因部份未形成量子點區域而造成之可轉換區域之損失。另外，由於第三光伏接面結構90與基板10係為晶格不匹配，於磊晶成長時，容易形成線錯位(thread dislocation)並向上延伸，而影響磊晶品質，進而影響多接面太陽能電池之轉換效率；晶格不匹配的結果亦會造成應力累積而容易有晶圓翹曲破片之情形。本實施例之量子點區92包含量子點層923之複數個不連續之量子點所組成之不連續光電轉換結構，可以有效阻止線錯位(thread dislocation)繼續向上延伸，消除晶格不匹配造成之應力，並且因為所述之複數個量子點係具有不同之尺寸，因此可形成複數個不同之量子能隙而提高轉換效率。量子點層923之疊層數介於5~100層，較佳為10~70層，使得第三光伏接面結構90轉換產生之第三電流值接近或大於第一光伏接面結構21轉換產生之第一電流值或第二光伏接面結構31轉換產生之第二電流值之二者之一。
第9圖揭示本發明多接面太陽能電池結構之第三實施例，相較於第7圖所示之多接面太陽能電池2，主要差異在於多接面太陽能電池3之量子點區92僅包含複數個覆蓋層(cap layer)921及複數個量子點層923依序交互堆疊形成，並未包含第7圖之量子井層922，因此，於多接面太陽能電池3中，造成晶格不匹配之量子點層923呈點狀不連續之三維分佈，並未包含如第7圖之量子井層922全面連續地覆蓋於整個表面，因此可更進一步降低晶格缺陷以及晶格不匹配造成之應力，提高元件之光電轉換效率。
本發明揭露一多接面太陽能電池包含一不連續光電轉換結構，於本發明之範圍內，所述之不連續光電轉換結構可形成於第一光伏接面結構、第二光伏接面結構、及第三光伏接面結構之至少其中之一。所述之不連續光電轉換結構係包括但不限於本發明實施例所提出之位於所述之圖形化結構層所定義之複數個空腔內之不連續光伏接面區塊；或於本發明之另一實施例所提出之所述之量子點層包含所述之複數個量子點。
本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作之任何顯而易知之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。
1、2、3．．．多接面太陽能電池
10．．．成長基板
11．．．緩衝層
12．．．接觸層
21．．．第一光伏接面結構
211．．．第一射極層
212．．．第一基極層
22．．．第一穿隧接面結構
221．．．第一穿隧層
222．．．第二穿隧層
31．．．第二光伏接面結構
311．．．第二射極層
312．．．第二基極層
32．．．第二穿隧接面結構
321．．．第三穿隧層
322．．．第四穿隧層
40．．．圖形化結構層
41、90．．．第三光伏接面結構
411、91．．．第三射極層
412、93．．．第三基極層
51．．．光子回收層
60．．．支撐體
61．．．接合層
71．．．第一電極
72．．．第二電極
81．．．抗反射層
92．．．量子點區
921．．．覆蓋層
922．．．量子井層
923．．．量子點層
第1~3圖顯示依本發明多接面太陽能電池之第一實施例之製造方法及其結構；
第4圖顯示依本發明之第一實施例之圖形化結構層；
第5~7圖顯示依本發明多接面太陽能電池之第二實施例之製造方法及其結構；
第8圖顯示依本發明之第二實施例之量子點層之能隙示意圖；
第9圖顯示依本發明多接面太陽能電池結構之第三實施例。
12‧‧‧接觸層
21‧‧‧第一光伏接面結構
211‧‧‧第一射極層
212‧‧‧第一基極層
22‧‧‧第一穿隧接面結構
221‧‧‧第一穿隧層
222‧‧‧第二穿隧層
31‧‧‧第二光伏接面結構
311‧‧‧第二射極層
312‧‧‧第二基極層
32‧‧‧第二穿隧接面結
321‧‧‧第三穿隧層
322‧‧‧第四穿隧層
40‧‧‧圖形化結構層
41‧‧‧第三光伏接面結構
411‧‧‧第三射極層
412‧‧‧第三基極層
51‧‧‧光子回收層
60‧‧‧支撐體
61‧‧‧接合層
71‧‧‧第一電極
72‧‧‧第二電極
81‧‧‧抗反射層

Claims (17)

  1. 一多接面太陽能電池包含：一支撐體；一第一光伏接面結構位於該支撐體上，用以吸收第一波長範圍之光線轉換產生第一電流值；及一第二光伏接面結構以縱向堆疊於該第一光伏接面結構上，晶格不匹配於第一光伏接面結構，用以吸收相異於第一波長範圍之第二波長範圍之光線轉換產生第二電流值；其中，該第一光伏接面結構包含一橫向不連續光電轉換結構。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之多接面太陽能電池，其中該不連續光電轉換結構包含規則排列之不連續光伏接面區塊。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之多接面太陽能電池，更包含一圖形化結構層界定該些不連續光伏接面區塊。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之多接面太陽能電池，其中該圖形化結構層包含複數個條紋。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之多接面太陽能電池，其中該圖形化結構層包含複數個交錯條紋。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之多接面太陽能電池，其中該複數個條紋之面積佔該多接面太陽能電池面積之1~10%。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之多接面太陽能電池，其中該不連續光電轉換結構為一量子點層包含複數個不規則排列之量子點。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之多接面太陽能電池，其中該複數個量子點之尺寸不完全相同。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之多接面太陽能電池，其中該複數個量子點所形成之量子能隙不完全相同。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之多接面太陽能電池，其中該量子點層介於一基極層及一射極層之間。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之多接面太陽能電池，其中該不連續光電轉換結構為複數層疊之量子點層，各該量子點層包含複數個不規則排列之量子點。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之多接面太陽能電池，其中該不連續光電轉換結構包含5~100層之量子點層，各該量子點層包含複數個不規則排列之量子點。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之多接面太陽能電池，其中該第二光伏接面結構具有該不連續光電轉換結構。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之多接面太陽能電池，其中該第一電流值大於該第二電流值。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之多接面太陽能電池，更包含一接合層介於該支撐體及該第一光伏接面結構之間。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之多接面太陽能電池，更包含一光子回收層介於該接合層及該第一光伏接面結構之間。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之多接面太陽能電池，其中該光子回收層對該第一波長範圍之光線具有70%以上之反射 率。
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