JP5038459B2 - ３次元サブセルを有するマルチ接合光電池構造およびその方法 - Google Patents

３次元サブセルを有するマルチ接合光電池構造およびその方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5038459B2
JP5038459B2 JP2010095287A JP2010095287A JP5038459B2 JP 5038459 B2 JP5038459 B2 JP 5038459B2 JP 2010095287 A JP2010095287 A JP 2010095287A JP 2010095287 A JP2010095287 A JP 2010095287A JP 5038459 B2 JP5038459 B2 JP 5038459B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
subcell
layer
junction
tall
type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010095287A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010258449A (ja
Inventor
ルイス スミス キャサリン
ハインツヘルムート アルトバウアー トーマス
イン ジュン ファン ジェームス
アンドリュー ロバート ディモック ジェームス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of JP2010258449A publication Critical patent/JP2010258449A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5038459B2 publication Critical patent/JP5038459B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
    • H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/03685—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table including microcrystalline silicon, uc-Si
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0725—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本発明は、マルチ接合光電池装置と、マルチ接合光電池構造を形成するための方法とに関する。
現在、商業用太陽電池は、シリコンまたはＩＩＩ-Ｖ化合物半導体物質のいずれかに基づいている。太陽電池は、その構造に基づいて、単接合またはマルチ接合太陽電池に分類される。単接合太陽電池は、その単一バンドギャップよりも大きい光子エネルギーを有するスペクトラムの領域からの光を吸収するだけである。その効率は、太陽電池における送電損および熱化損によって限定される。入射光子が半導体物質のバンドギャップより小さいエネルギーを有する場合、伝導帯から価電子帯まで電子を励起する十分なエネルギーが無いので、光子を吸収することができない。入射光子がバンドギャップよりも大きいエネルギーを有する場合、余剰のエネルギーが熱に変換される。
マルチ接合太陽電池（タンデム太陽電池としても知られる）は、紫外線、可視光線、および赤外線等の光子エネルギーの大部分をより効率良く捕捉し変換するために、一連のサブセルに積層される半導体物質の組み合わせを用いる。何年にもわたって２つの技術的アプローチが調査されてきた。まず第１は、機械的積層アプローチであり、異なるバンドギャップエネルギーを有する太陽電池がそれらの個々の基板上で組み立てられ、そして太陽電池がサブセルの積層したものからなるように組み合わされる。これにより、サブセル物質は異なる格子定数を有する。しかしながら、各セルについて分離した基板が必要となり、機械的な積層処理において複雑な処理が必要となる。第２に、モノリシックアプローチがあり、単一の基板上に異なる物質を成長させ、バンド間トンネルダイオードによって直列に接続される。このアプローチでは、様々な物質が基板と格子整合される必要がある。必要とされる基板は一つだけで、機械的積層アプローチと比べてコスト的に有利であり、モノリシックな太陽電池の成長は、ＩＩＩ-Ｖ物質についてはより複雑であるが、その処理は機械的積層アプローチよりも単純で安価である。基板が直列に接続されるという事実により、モノリシックなマルチ接合太陽電池の出力電流は、個々のサブセルのいずれかによって生成される電流の最も小さいものに限定される。理想的には、各サブセルにおいて同じ電流が生成される、すなわち、サブセルが‘電流整合される’。これによって、光電池装置全体の効率が向上する。
微晶質シリコン（以下、μｃ-Ｓｉと称す）は、アモルファスシリコン（以下、ａ-Ｓｉと称す）の１．７ｅＶバンドギャップに比べて、１．１ｅＶのバンドギャップを有する。このため、μｃ-Ｓｉは、ａ-Ｓｉを上面サブセルとして用いるマルチ接合太陽電池の底面サブセルとして用いることに適している。実際、１．７ｅＶと１．１ｅＶとの組み合わせは、タンデムセルについてほぼ理想的なバンドギャップを実現する。アモルファスＳｉＧｅ（ａ-ＳｉＧｅ）の代替物の代わりにμｃ-Ｓｉを狭いバンドギャップセルとして用いることの有利な点は、（１）長波長領域において量子効率が向上すること、（２）劣化を引き起こす光を無視し得ること、（３）ＧｅＨ４に比べて比較的低コストのＳｉＨ４を用いてμｃ-Ｓｉを製造できるので、材料コストが低減できること、（４）μｃ-Ｓｉセルは、高い充填比で製造できることである。一方、ＳｉＧｅ底面セルに比べてμｃ-Ｓｉを用いることに係る懸念事項は、日光を吸収するためにはるかに厚いｉ層（数μｍの厚さ）がμｃ-Ｓｉセルに必要なことである。これは、アモルファス半導体と比べて、間接バンドギャップ結晶においてバンド間吸収係数がより低いことによるものである [Ｈａｎｄｏｂｏｏｋ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ｂｙ Ａｎｔｏｎｉｏ Ｌｕｑｕｅ ａｎｄ Ａｔｅｖｅｎ Ｈｅｇｅｄｕｓ， ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ ｂｙ Ｗｉｌｅｙ ２００３]。タンデムシリコン太陽電池の例は、１９８１年６月９日に発行されたＵＳ４２７２６４１に示される。
現在、最も効果的な商業用マルチ接合太陽電池は、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ、Ｇａ０．９９Ｉｎ０．０１ＡｓおよびＧｅからなるサブセルを有するモノリシックトリプル接合装置である。しかしながら、この装置におけるＧｅサブセルはたいてい、結合されるＧａＩｎＰおよびＧａＩｎＡｓ層とほぼ同じ数の光子を吸収する。１ｅＶの物質がＧａＩｎＡｓサブセルとＧｅサブセルとの間に追加され、それによって全てのサブセルに適合する、より近い電流をもたらし、セル全体でより高い効率が得られる場合、より高い効率が達成される。モノリシック装置に組み込まれるために、この１ｅＶの物質もゲルマニウムに格子整合される必要がある。
ＧａＩｎＮＡｓは、これらの要件を満たし得る物質の一例である。少量の窒素を導入するときＧａＩｎＡｓバンドギャップにおける深刻なボーイングが発生する。図１は、格子整合がなされるＩｎおよびＮ化合物の範囲（四角形）、および、サンプルが１ｅＶの基本バンドギャップを有するＩｎおよびＮ化合物の範囲（円形）を示す。所望の１ｅＶバンドギャップは、図１の円形としてプロットされるいくつかの異なる化合物を用いることによって達成される。さらに、ＧａＡｓ（ゲルマニウムに非常に近く、代わりに用い得る基板である）に対する格子整合条件は、図１の四角形として示される。両曲線が交差する化合物において、１ｅＶバンドギャップの要件と同様に格子整合条件が満たされる。この物質は、インジウム８％と窒素２．８％の組成を有する［Ｋ Ｖｏｌｚ ｅｔ ａｌ、Ｊ． Ｃｒｙｓｔ． Ｇｒｏｗｔｈ ２４８，４５１（２００３）］。
太陽電池においてＧａＡｓまたはＧｅと格子整合する１ｅＶの物質としてＧａＩｎＮＡｓを用いるという概念は、以下の文献に広く記載されている［Ｄ．Ｊ． Ｆｒｉｅｄｍａｎ ｅｔ ａｌ．Ｊ．Ｃｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ １９５，４０９（１９９８）］。しかしながら、物質の特性に伴う問題により、キャリア拡散距離の低下など（低い移動性および短いキャリア寿命による）不利な点が発生し、高不純物濃度（ＵＳ２００７／０１５１５９５Ａ１（２００７年７月５日発行））により、バックグラウンドドーピング濃度が高くなる。その結果、達成可能なパワー変換効率および光電流は、４接合光電池装置における実施には不十分である。これらの制限にも関わらず、ＧａＩｎＮＡｓサブセルを用いるためにいくつかの提言が前からなされてきた。例えば、ＵＳ２００７／０１５１５９５Ａ１は、超格子構造の使用を論じ、Ｍ．Ｍｅｕｓｅｌ ｅｔ ａｌ．［“Ｅｕｒｏｐｅａｎ ｒｏａｄｍａｐ ｆｏｒ ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ＩＩＩ-Ｖ ｍｕｌｔｉ-ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｐａｃｅ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ”、１９ｔｈ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、２００４］は，ＧａＩｎＮＡｓ ｐ-ｎ接合を、６接合太陽電池において（０．７ｅＶ／１．１ｅＶ／１．４ｅＶ／１．６ｅＶ／１．９ｅＶ／２．２ｅＶ）５番目のサブセルとして含むことを論じている。この構造は、１．９ｅＶ／１．４ｅＶ／０．７ｅＶ太陽電池の電流密度の半分のみを生成し、それゆえ、ＧａＩｎＮＡｓ光電流における必要条件は低下される。
本発明の目的は、マルチ接合光電池装置の効率における利得を得ること、および／または、現在の技術と比べて素早く簡単に組み立てることができる構造を提供することである。
本発明の一側面によると、マルチ接合光電池構造が提供される。上記構造は、背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含み、上記背高構造は、長さおよび幅のうちの少なくとも１つよりも高い高さを有する構造である第１サブセルと、上記第１サブセルと縦に並んで配置され、平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第２サブセルとを備えている。
背高構造は、高さ（Ｙ）を有し、その他の２つの寸法（すなわち、幅）（Ｘ２）のうちの少なくとも１つよりも高さ（Ｙ）の方が大きく、その高さ（Ｙ），幅（ｘ２）、およびピッチ（Ｘ１）は、Ｙ＞Ｘ２およびＸ１＞Ｘ２という関係にある。
他の側面では、上記第１サブセルの上記背高構造のピッチ（Ｘ１）は１０ｎｍから１０μｍの間である。
他の側面によると、上記第１サブセルの上記背高構造の幅（Ｘ２）は１０ｎｍから１０μｍの間である。
さらに他の側面では、上記第１サブセルの上記背高構造の高さ（Ｙ）は、１０ｎｍから１０μｍの間である。
他の側面によると、上記第１サブセルの背高構造を有するｐ-ｎ接合は、３次元構造が形成されるｐ-タイプまたはｎ-タイプ層を有し、上記ｐ-タイプまたはｎ-タイプ層の片方は、その上面に堆積される。
さらに他の側面によると、上記ｐ-タイプまたはｎ-タイプ層の他方は平坦化される。
他の側面によると、上記第１サブセルの背高構造を有するｐ-ｉ-ｎ接合は、当該ｐ-ｉ-ｎ接合において３次元構造が形成されるｐ-タイプまたはｎ-タイプ層を有し、固有層がその上面に堆積され、上記ｐ-タイプまたはｎ-タイプ層の他方は、上記固有層の上面に形成される。
他の側面に基づいて、上記固有層は平坦化される。
さらに他の側面によると、上記第１サブセルの背高構造は、当該背高構造と対応する３次元構造を有する基板または下層の上面に等角に堆積される上記ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合の各層を有する。
さらに他の側面によると、上記第１サブセルおよび第２サブセルは異なるバンドギャップエネルギーを有し、上記背高構造は、上記第１サブセルと上記第２サブセルとの間の電流整合を改善する。
他の側面によると、上記第１サブセルは、μｃ-Ｓサブセルとａ-Ｓｉサブセルのうちの一方であり、上記第２サブセルは、μｃ-Ｓサブセルとａ-Ｓｉサブセルのうちの他方である。
さらに他の側面では、上記第１サブセルは、ＧａＩｎＮＡｓサブセルである。
さらに他の側面では、上記第１サブセルと上記第２サブセルとを分離するトンネル接合をさらに備える。
他の側面によると、上記第１サブセルに対して縦に並び、背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合、もしくは平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む少なくとも１つの追加サブセルをさらに備える。
さらに他の側面によると、上記少なくとも１つの追加サブセルは、背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む。
さらに他の側面によると、上記少なくとも１つの追加サブセルは、平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む。
さらに他の側面によると、上記背高構造は、リブまたはピラーの少なくとも１つを含む。
他の側面によると、マルチ接合光電池構造を形成する方法が提供される。上記方法は、長さおよび幅のうちの少なくとも１つよりも大きい高さを有する背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第１サブセルを形成する工程と、上記第１サブセルと縦に並んで配置され、平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第２サブセルを形成する工程とを含む。
さらに他の側面によると、上記方法は、３次元構造を有するｐ-ｎ接合を含む上記第１サブセルのｐ-タイプまたはｎ-タイプ層を形成する工程と、上記ｐ-タイプまたはｎ-タイプ層の他方をその上に堆積する工程とを含む。
さらに他の側面によると、上記方法は、３次元構造を有するｐ-ｉ-ｎ接合を含む上記第１サブセルのｐ-タイプまたはｎ-タイプ層を形成する工程と、その上に固有層を堆積する工程と、上記固有層の上にｐ-タイプまたはｎ-タイプ層の他方を形成する工程とを含む。
他の側面によると、上記方法は、上記背高構造に対応する３次元構造を有する基板または下層の上面に等角に上記ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合の各層を堆積することによって上記第１サブセルの上記背高構造を形成する工程を含む。
さらに他の側面によると、上記方法は、縦にならび、背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合、もしくは平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む少なくとも１つの追加サブセルを形成する工程をさらに含む。
さらに他の側面では、上記第１サブセルは、μｃ-Ｓｉサブセルおよびａ-Ｓｉサブセルのうちの１つであり、上記第２サブセルは、μｃ-Ｓｉサブセルおよびａ-Ｓｉサブセルのうちのもう一方である。
他の側面によると、上記第１サブセルはＧａＩｎＮＡｓサブセルである。
034 さらに他の側面によると、上記背高構造は、リブまたはピラーのうち少なくとも１つを含む。
発明の目的として、平坦層または表面は、層または表面における任意の形状が、一方よりも低いアスペクト比を有している。すなわち、基板の面における形状の寸法が、基板に垂直な形態の寸法よりも大きくなるように規定されている。基板の平面における形状の少なくとも１つの寸法（すなわち、長さまたは幅）が、基板の平面に垂直な形態の寸法（すなわち、高さ）より小さい場合、層または表面は背高構造（すなわち、３次元構造）を含むと考えられる。単に例示ではあるが、背高構造はピラー（そこにおいて、基板の平面における両寸法が、基板に垂直な形状の寸法より小さい）の形であってもよく、フィン（そこにおいて、基板の平面におけるただ１つの寸法は、基板に垂直な形態の寸法よりも小さい）の形であってもよい。背高構造については様々な他の形もあり得、十分本発明の範囲に含まれる。
本発明は、３次元構造サブセルの上面に堆積される少なくとも１つの他の平坦サブセルを有するマルチ接合光電池構造のサブセルにおける背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合の使用を開示する。有利な点としては、このような構造は、基板におけるナノ構造表面に等角に太陽電池フィルムを成長させる方法を記載した、同一出願人による同時継続出願英国特許出願０８１３５６８．３に記載されている処理技術を用いての組立てに特に適している。なお、上記出願の内容はここに参照として含まれる。
ここで提供される図面は、本発明の鍵となる特徴を示すために太陽電池を単純化し、模式化したものを示していることを理解されたい。光電池装置において典型的に用いられ、明確化のためにここで省略される他の層はまた、本発明の最適な使用を可能にするために提供される構造に含まれ得る。これらの層は、さらなるサブセル、核生成層、バッファ層、裏面電界層、トンネル接合、ウィンドウ層、およびコンタクト層を含んでもよいが、それに限定されない。本発明は、ｎ-ドープされた基板における太陽電池層の形成とともに説明される。各セルにおけるｐ-ドープされた、および、ｎ-ドープされた層を反転することによって、本発明を、ｐ-ドープされた基板に形成される装置に適用することが同様に可能である。
本発明の目的は、サブセルの物質における必要な吸収深度および可能な少数キャリア拡散距離に基づく要件を分離することによってマルチ接合光電池装置の効率における利得を得ることである。および／または、現在の技術と比べて素早く簡単に組み立てることができる構造を提供することである。本発明は、背高構造を含むサブセルと縦に並んで構成される少なくとも１つの平面サブセルを有する少なくとも１つのサブセルにおける背高構造を形成するｐ-ｎ接合またはｐ-ｉ-ｎ接合を有する任意の適切な物質において組み立てられる光電池装置を可能にする。光電池装置は、任意の適切な方法によって組み立てられ得る。これは、分子ビームエピタキシ、化学ビームエピタキシ、気相エピタキシ、化学気相堆積、スピンコーティング、インクジェットプリンティング、スタンプ転写、装置接着、および溶液からの所望の構造の転写を含むがこれに限定されない。
上記およびそれに関する目的を達成するために、本発明は、以下に十分に説明され、請求項で特に取り上げられている特徴を有している。以下の説明および添付の図面は詳細に、本発明の特定の例示的実施形態を示す。しかしながら、これらの実施形態は本発明の原理を用い得る様々な方法のうちのわずかを示しているにすぎない。本発明の他の目的、長所、新規な特徴は、図面を参照して本発明の以下の詳細な説明から明らかとなるであろう。
格子整合がなされ、サンプルが１ｅＶの基礎バンドギャップを有する、ＩｎおよびＮ化合物の範囲を示す図である。 本発明の各実施形態に係る、マルチ接合太陽電池の断面基本構造を示す図である。 本発明の各実施形態に係る、マルチ接合太陽電池の断面基本構造を示す図である。 本発明の各実施形態に係る、マルチ接合太陽電池の断面基本構造を示す図である。 本発明の各実施形態に係る、マルチ接合太陽電池の断面基本構造を示す図である。 本発明の各実施形態に係る、マルチ接合太陽電池の断面基本構造を示す図である。 本発明の各実施形態に係る、マルチ接合太陽電池の断面基本構造を示す図である。 本発明の各実施形態に係る、マルチ接合太陽電池の断面基本構造を示す図である。 本発明の実施形態に係る背高構造の例示的構成を示す図である。 本発明に係る例示的な背高構造をそれぞれ示す図である。 本発明に係る例示的な背高構造をそれぞれ示す図である。 本発明の例示的実施形態に係るマルチ接合太陽電池の第１構成の断面の詳細を示す図である。 本発明の例示的実施形態に係るマルチ接合太陽電池の第２構成の断面を詳細に示す図である。 本発明の例示的実施形態に係るマルチ接合太陽電池の第３構成の断面を詳細に示す図である。 本発明の例示的実施形態に係るマルチ接合太陽電池の第４構成の断面を詳細に示す図である。 コンピュータモデリングのための平坦かつ背高いユニットサブセル構造の例をそれぞれ示す図である。 コンピュータモデリングのための平坦かつ背高いユニットサブセル構造の例をそれぞれ示す図である。
本発明について、図面を参照して詳細に説明する。
図２〜図８は、本発明に係るマルチ接合太陽電池におけるサブセルの例示的構造を示す。ここで説明するように、サブセルは積層構成において１つ以上の３次元（３Ｄ）サブセルを有している。
例えば図２は、ｎタイプにドープされる第１層２が平面基板１の上に形成され得ることを示す。第１層２は、背高構造からなっていてもよい。これらの背高構造は、マスク、自己組織化、種付け基板、または他の適切な任意の方法を用いて、基板１の上に直接形成されてもよい。または、平面層が堆積され、第１層２を形成するために任意の適切なエッチング技術によって背高構造が形成されてもよい。これらの背高構造は、基板に対する境界において、同じ物質の層によって互いに接続されてもよいし、接続されなくてもよい。図２に示すように、ｐ-タイプの層４は、ｐ-タイプの層４が平面になるように、背高構造の上に堆積されてもよい。または、固有層３が、ｎ-タイプの層２およびｐ-タイプの層４の間に堆積されてもよい。例えば、固有層３は、図３に示すように、ｎ-タイプの層２に等角に堆積されてもよい。または、固有層３は、図４に示すようにその表面が平面になるように堆積されてもよい。または、固有層３は省略されてもよい。層２、３（もしあれば）、および４は、光電池装置の第１サブセルＡを形成する。トンネル接合層５は、第１サブセルの最上層４の上に堆積されてもよい。平面ｎ-タイプ層６は、トンネル接合層５の上に堆積されてもよい。平面固有層７は、ｎ-タイプの層６の上に堆積されてもよい。または、固有層７は省略されてもよい。平面ｐ-タイプ層８は、ｎ-タイプの層６またはもしあれば固有層７の上に堆積されてもよい。層６、７（もしあれば）、および８は、光電池装置の第２サブセルＢを形成する。背高構造または平面層を含むｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合からなるさらなるサブセルは、第２サブセルＢの上面に堆積されてもよい。ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合からなるさらなるサブセルは、層２の堆積の前に基板の上に堆積されてもよい。この場合、層２は基板の代りにサブセルの最上層の上に堆積される。基板はまた、光電池構造におけるさらなるサブセルを形成するために処理をされている場合もある。各サブセルは、最適なトンネル接合によって分離される。
または、図５に示すように、光電池装置の基板表面は、背高構造を有する第１層２からなってもよい。これらの背高構造２は、マスク、自己組織化、種付け基板、または他の適切な任意の方法を用いて基板の上に直接形成されてもよい。または、背高構造は、任意の適切なエッチング技術によって形成されてもよい。基板として機能する第１層２が追加サブセルとして機能するように形成された場合、背高構造は、図５に示すようにｎ-タイプ領域９を下にして、第１層２のｐ-タイプ最上層の一部を形成する。バッファ層１０は、基板の表面に等角に堆積されてもよい。または、バッファ層１０は省略されてもよい。トンネル接合層５は、バッファ層１０（もしあれば）または基板層２の上に等角に堆積されてもよい。サブセルＡの第１ｎ-タイプ層１１は、トンネル接合層５の上に等角に堆積されてもよい。サブセルＡの第２ｐ-タイプ層１２は、ｐ-タイプ層２の表面が平坦になるようにｎ-タイプ層１１の上に堆積されてもよい。または、図６に示すように、ｐ-タイプ層１２はｎ-タイプ層１１の上に等角に堆積されてもよい。トンネル接合層１３は、ｐ-タイプ層１２の上に等角に堆積されてもよく、サブセルＢの第１ｎ-タイプ層１４は、図６に示すようにｎ-タイプ層１４の表面が平坦になるようにトンネル接合層１３の上に堆積されてもよい。または、図５の実施形態では、平坦トンネル接合層１３および第１ｎ-タイプ層１４は、ｐ-タイプ層１２の平坦な表面の上に形成されてもよい。いずれの実施形態においても、固有層１４はｎ-タイプ層１４の上に堆積されてもよいし、省略されてもよい。サブセルＢの平坦ｐ-タイプ層１６は、ｎ-タイプ層１４または固有層１５（もしあれば）の上に堆積される。さらなるｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合が、背高構造を有する複数のｐ-ｎ接合を形成するために、サブセルＡの最後の層と、サブセルＢの第１層との間に等角に堆積されてもよい。ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合からなるさらなるサブセルは、サブセルＢの上に堆積されてもよく、これらの追加のサブセルは平坦であってもよく、または背高構造を含んでもよい。
または、上記構造はｎ-タイプ層１１とｐ-タイプ層１２との間に固有層１７を含んでもよい。図７に示すように、固有層１７は等角に積層されてもよく、この場合、ｐ-タイプ層１２は表面が平坦になるように等角に堆積されてもよい。図８に示すように、固有層１７は、その表面が平坦になるように堆積されてもよく、ｐ-タイプ層１２およびサブセルＢは、平坦層として堆積される。
図９に示すように、層２またはここで示す他の層における背高構造の好ましいピッチＸ１は、用いられる物質のキャリア拡散距離と、背高構造の上で等角に堆積される層の厚さとにもよるが、１０ｎｍから１０μｍである。背高構造の好ましい幅Ｘ２は、用いられる物質のキャリア拡散距離にもよるが、１０ｎｍから１０μｍである。背高構造の好ましい高さＹは、用いられる物質の吸収係数にもよるが、１０ｎｍから１０μｍである。ただし、上記構造が背高構造であるという条件を満たすためにＹ＞Ｘ２であり、隣接する背高構造の結合を避けるためにＸ１＞Ｘ２である。
以下の実施形態の全てにおいて、第１層２の背高構造は、背高構造と同じ物質の平坦層によって互いに接続されていてもよく、その結果、図１０に示すように、平坦層はその下の層１と接触する。または、第１層２の背高構造は、図１１に示すように、同じ物質の層によって互いに接続されていなくてもよい。
発明の第１の特定の実施形態では、光電池装置構造は、１つ以上の追加平坦サブセルを有する背高構造サブセルを含み、そこでは構造化されたサブセルが基板に最も近く、少なくとも１つの平坦サブセルは、構造化されたものの上面に位置する。構造化されたサブセルは、フィンまたはピラーのセット等の背高構造のセットを含み、このようなフィンまたはピラーのセットは、略均一なピッチおよび高さを有する。フィンまたはピラーは伝導体、または半導体、または絶縁体からなる。構造化されたサブセルを含む各個別サブセルは、ｐ-ｎ／ｐ-ｉ-ｎ接合を有し、これはｐ-ドープ半導体、追加の非ドープ半導体、およびｎ-ドープ半導体からなる。
１つの特定の応用として、アモルファスシリコン／微結晶シリコン（以下、ａ-Ｓｉ/μｃ-Ｓｉと称す）タンデムセルが上げられるが、設計はこの物質の組み合わせに限定されない。この種類の光電池装置では、フィンまたはピラーの好ましいピッチＸ１は５００ｎｍから５μｍの範囲内であり、フィンまたはピラーの好ましい高さＹは１μｍから１０μｍの範囲内である。２つの構成が考え得る。構成１は、図１２に示すように、３Ｄ構造化μｃ-Ｓｉサブセルおよび平坦ａ-Ｓｉサブセルを有する。μｃ-Ｓｉ構造化サブセルは、基板の上に直接形成され、追加ａ-Ｓｉサブセルは、μｃ-Ｓｉの上面に形成される。入射光は基板から最も遠い側の構造に入る。構成２は、図１３に示すように、３Ｄ構造化ａ-Ｓｉサブセルおよび平坦μｃ-Ｓｉサブセルを有する。構成２では、ａ-Ｓｉサブセルは３Ｄ構造化され、基板に最も近いサブセルである。μｃ−Ｓｉサブセルは、ａ-Ｓｉサブセルの上面に形成される。入射光は基板側から上記構造に入る。本発明のこのような応用は潜在的に従来のａ-Ｓｉ／ｕｃ-Ｓｉ薄膜技術を向上させる。以前観察された１つの問題点は、低吸収率のため、μｃ-Ｓｉセルは、はるかに厚いｉ-層に日光を吸収させる必要があることである。しかしながら、吸収を向上するため単純にセルの厚さを増加するわけにはいかない。なぜなら、セルの厚さを増加すると、限定されたキャリア拡散距離のため、キャリア抽出係数が減少するからである。本発明の鍵となる概念は、キャリア拡散通路を光吸収される深さまで分離することである。このため、キャリア抽出率に影響を及ぼさずに、より厚いμｃ-Ｓｉセルを用いることができる。
ａ-Ｓｉ／μｃ-Ｓｉタンデムセルを組み立てる際の他の問題は、ＣＶＤ蒸着処理の間の、大きな基板にわたる薄膜の厚さの変化である。各サブセルの厚さは、吸収する光の量に影響を及ぼし、光生成電流に影響を及ぼす。したがって、より厚いサブセルにおいて生成される余剰の電流は抽出できずに熱として失われるので、膜厚の変化は、装置全体に対する隣接するサブセルの間の良好な電流整合を達成するためには不利である。これによって、光電池装置の全体的効率が低下する。構造化されたサブセルを用いるとき、構造化されたサブセルの厚さは、これらの垂直構造の周りに蒸着された膜の厚さよりもむしろ、初期垂直構造の高さによって主に制御される。したがって、垂直構造の高さが膜厚よりも大きく、膜厚および垂直構造が略均一な高さを有する場合、膜の均一さが向上される。
ａ-Ｓｉ／μｃ-Ｓｉタンデムセルはたいてい、化学蒸着（ＣＶＤ）技術で組み立てられ、これにより、略垂直の構造にセットを有する基板を形成し、このような構造化されたａ-Ｓｉ／μｃ-Ｓｉタンデムセルが後の略等角のＣＶＤ蒸着によって得られる。両構成において、フィンまたはピラーのセットは基板の一部となり、これらのフィンまたはピラーの周りにコーティングされる、後のドープＳｉ／非ドープＳｉ層は３次元接合を形成する。
任意のタンデム／マルチ接合光電池装置では、隣接するサブセルの間の電流整合が重要である。各サブセルの性能は、他のサブセルから抽出し得る最大可能電流について上限を設定し、したがって、光電池装置全体の出力電流を制限し得る。このような構造化サブセルを有する主な利点は、潜在的により乏しいサブセルの性能が、これらの３次元接合により増加され、これにより光吸収深度およびキャリア抽出長が分離されることである。キャリア抽出長を短く保ちつつ、より長い吸収深度をここで達成することが可能であり、そのため、光電池装置の全体的な電流生成を向上することができる。隣接するサブセルは、異なるバンドギャップエネルギーを有し得、背高構造は第１サブセルおよび第２サブセルの間の電流整合を向上させる。
基板における垂直または背高い構造は、加算または減算方法のいずれかによって形成することができ、上記加算および減算方法は以下のように定義し得る。
加算（例えば、堆積、転写）：
堆積方法は、直接または間接の熱蒸着、スパッタ堆積、化学蒸着、スピンコーティング、およびインクジェットプリンティングを含むがこれらに限定されない。
転写方法は、所望の構造の転写が溶液から行われる湿式転写方法に加えて、スタンプ転写および装置接着等の乾式転写方法を含む。
減算（例えば、エッチング、スパッタリング、および溶解）：
エッチングは、湿式化学エッチングおよび乾式エッチング（例えば、反応性イオンエッチング）を含む。乾式エッチング技術は、スパッタリング技術と組み合わせてもよい。
スパッタリングはイオンミリングを含む。
基板における垂直または背高い構造は、それらが減算方法で形成される場合、基板と同じ材料組成を有し、それらが加算方法で形成される場合、絶縁体（ガラス、ポリマー）、伝導体（伝導金属酸化物、金属）または半導体（ドープまたは非ドープＳｉ）からなり得る。
構成２（図１３）では、背高構造のピッチは、１００ｎｍから１μｍの範囲内であることが好ましい。背高構造の高さは５μｍより小さくてもよく、２μｍよりも小さいことが好ましい。構成１（図１２）では、背高構造のピッチは１０μｍより小さくてもよく、５μｍより小さいことが好ましい。背高構造の高さは２０μｍより小さくてもよく、１０μｍより小さいことが好ましい。上記２つの構成のうちのいずれかにおいて、垂直または背高い構造は１Ｄピラーまたは２Ｄリブのセットであってもよく、それらの最小寸法は１００ｎｍよりも小さいことが好ましい。ｐ-ｎ／ｐ-ｉ-ｎ接合を形成するためにこれらの垂直構造の周りに何らかの半導体フィルムを堆積させる前に、伝導層（金属または伝導金属酸化物）がこの構造化基板の表面に貼り付けられる。
これらの背高構造の周りにコーティングされる連続する複数のフィルムは、化学蒸着（ＣＶＤ）、分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）、気相エピタキシ（ＶＰＥ）、原子層堆積（ＡＬＤ），スパッタリング、電着、熱蒸着等の方法で堆積される。第１サブセルを形成するこれらのフィルムの全体的な厚さは、隣接する垂直な構造の間のギャップを完全に埋めるだけのものである必要がある。平坦である第２サブセルは、ｐ-ｎ／ｐ-ｉ-ｎ接合を実現するための複数のフィルムをさらに堆積させることによって、第１構造化サブセルの上面に形成される。
本発明のその他の側面では、ＩＩＩ-Ｖマルチ接合太陽技術に対する電位の向上が検討される。図１４に示すように、０．７ｅＶ Ｇｅ（Ｄ）、１ｅＶ ＧａＩｎＮＡｓ（Ａ）、１．４ｅＶＩｎＧａＡｓ（Ｂ）、および１．９ｅＶ ＧａＩｎＰ（Ｃ）のサブセルからなる光電池は、本発明で示すようにＧａＩｎＮＡｓサブセル（Ａ）において背高構造を有する。平坦バッファ層４０は、ＧｅサブセルＤの最上位層４１に堆積されてもよい。平坦トンネル接合層（図示せず）が、平坦バッファ層４０に堆積されてもよい。ｎ-タイプＧａＩｎＮＡｓの背高構造の層４２は、平坦トンネル接合層の上に形成されてもよい。上記背高構造は、上述したように、マスク、自己組織化、種付け基板、または他の任意の適切な方法を用いて、基板の上に直接形成され得る。または、平坦層が堆積されてもよく、上述したように任意の適切なエッチング技術によって背高構造が形成されてもよい。好ましくは、背高構造がエッチングで形成される。材質を向上するために、ヒ素による過圧のもとで、背高構造がアニールされてもよい。ｐ-タイプＧａＩｎＮＡｓ４３の層は、層の表面が略平坦になるように層４２の背高構造に堆積されてもよい。残っている平面サブセル（ＢおよびＣ）および適切なトンネル接合は、ＧａＩｎＮＡｓサブセルＡに堆積されてもよい。
上記背高構造は、略均一なピッチ、高さ、および幅を有している。キャリアの低い移動性および短いキャリア寿命のため、ＧａＩｎＮＡｓにおけるキャリア拡散距離は短すぎ、他のサブセル（Ｄ，Ｂ，およびＣ）において生成される電流と整合するための十分な電流がＧａＩｎＮＡｓサブセルＡに与えられない。それゆえ、光電池装置の効率を限定してしまう。本発明では、サブセルの吸収深度は、背高構造（Ｙ）の高さによって制御される。Ｙを増加させると、ＧａＩｎＮＡｓサブセルＡにおいて生成される電流が増加する。ＧａＩｎＮＡｓにおけるキャリア拡散距離が短いことは、背高構造の幅Ｘ２およびピッチＸ１の適切な数値を制限するのみであり、これらは高さｙとは別に最適化し得る。これによって、他のサブセル（Ｃ，ＢおよびＣ）からの電流を制限することなく、マルチ接合構造における１ｅＶサブセルＡを使用することを可能とし、これによって、装置効率における全体的な改善が予測される。背高構造の高さは、好ましくは０．５μｍから５μｍの範囲内であり、背高構造の幅は、好ましくは５０ｎｍから５００ｎｍの範囲内であり、背高構造のピッチは、好ましくは５００ｎｍから５μｍの範囲内である。
図１５に示すように、本発明の第４実施形態では、光電池は０．７eＶ Ｇｅ（Ｄ）、１ｅＶ ＧａＩｎＮＡｓ（Ａ）、１．４ｅＶ ＩｎＧａＡｓ（ｂ）、および１．９ｅＶ ＧａＩｎＰ（Ｃ）のサブセルからなる。ＧｅサブセルＤのｎ−タイプ層５０は平坦であり、Ｇｅサブセルのｐ-タイプ層５１は、背高構造を含む。背高構造は、略均一なピッチ、高さ、および幅を有する。背高構造の高さＹは、好ましくは０．５μｍから５μｍの範囲内であり、背高構造の幅Ｘ２は、好ましくは５０ｎｍから５００ｎｍの範囲内であり、背高構造のピッチＸ１は、好ましくは５００ｎｍから５μｍの範囲内である。バッファ層５２は、Ｇｅサブセルｐ-タイプ層５１の上に等角に堆積されてもよく、またはバッファ層５２は省略されてもよい。トンネル接合層５３は、バッファ層５２またはｐ-タイプＧｅ層５１の上に等角に堆積されてもよい。ＧａＩｎＮＡｓ ｎ-タイプ層５４は、トンネル接合層５３の上に等角に堆積されてもよい。ＧａＩｎＮＡｓ ｐ-タイプ層５７は、ＧａＩｎＮＡｓ ｎ-タイプ層５４の上に等角に堆積されてもよく、ｐ-タイプ層５７は、その表面が略平坦になるように平坦化されてもよい。残りの平坦サブセル（ＢおよびＣ）は適切なトンネル接合である（例えば、５５および５６は、ＧａＩｎＮＡｓサブセル（２）の上に堆積されてもよい）。第３実施形態において説明されるものと同様に、この構造によって、背高構造の高さＹを、物質におけるキャリア拡散距離に依存するパラメータ（ピッチＸ１および幅Ｘ２）とは独立した吸収深度について最適化することができる。この構造は、より難しいＧａＩｎＮＡｓ物質ではなくＧｅ基板において背高構造を形成できるという追加的な長所を有している。また、この構造は、より低質のｎ-タイプＧａＩｎＮＡｓ層５４ではなく高質のｐ-タイプＧｅ層５１において、キャリアにより多くの距離を進ませることによって、キャリア抽出が改善されるという利益をもたらす。
本発明の概念を示すために、第４実施形態（図１５）で示したようなＧａＩｎＮＡｓサブセルの単純化された構造をシミュレートし、平坦ＧａＩｎＡｓサブセルと比較した。平坦セルに用いられるユニットセルを図１６に示す。背高構造を含むサブセルＡに用いられるユニットセルを図１７に示す。用いられるソフトウェアはセンタウルスＴＣＡＤｖ２００８．０９である。セルは２Ｄ構造としてかたどられ、（より高いバンドギャップ１．４ｅＶ ＩｎＧａＡｓ（Ｂ）および１．９ｅＶ ＧａＩｎＰ（Ｃ）サブセルを通過する光をシミュレートするため）７５０〜１３００ｎｍの間のＡＭ１．５Ｇスペクトラムで照射され、光については光線追跡を行うことによってセルを伝搬させた。光発生プロフィールはこの光追跡から生成され、このために、Ｖ＝０からＶ＝Ｖｏｃまでセルの上面および底面における接触を偏らせることによってＩ-Ｖシミュレーションが行われた。その結果得られたＩ-Ｖ曲線から、最大パワーおよび％効率が抽出された。用いられた電子の移動度は３００ｃｍ ２ ／Ｖｓであり、用いられた正孔移動度は３０ｃｍ ２ ／Ｖｓであった。用いられる吸収スペクトラムの詳細は、Ｇ．Ｌｅｉｂｉｇｅｒ ｅｔ ａｌ、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．９０（１２）５９５１（２００１）に見ることができる。平坦なセル（図１６）は、平坦なｐ-タイプゲルマニウムＧｅに堆積されるｐ-タイプＧａＩｎＮＡｓの０．９μｍ平坦層と、ｎ-タイプＧａＩｎＮＡｓに堆積されるｐ-タイプＧａＩｎＮＡｓの０．９μｍ平坦層とを有していた。３Ｄ構造化セル（図１７）は、高さ（ｙ）が３μｍ、ピッチ（ｘ１）が１．８μｍ、および幅（Ｘ２）が０．１μｍの背高構造を有するｐ-タイプゲルマニウムＧｅ層と、背高ゲルマニウム構造の上に等角に堆積されたｎ-タイプＧａＩｎＮＡｓの０．４μｍ層と、ｐ-タイプＧａＩｎＮＡｓ層が略平坦になるようにｎ-タイプＧａＩｎＮＡｓの上に等角に堆積されるｐ-タイプＧａＩｎＮＡｓの０．４μｍ層とを有していた。平坦ＧａＩｎＮＡｓセル（図１６）の効率は２．１６％であった。３Ｄ構造化セル（図１７）の効率は３．１２％であった。２Ｄシミュレーションにおける、平坦セル(図１６)と３Ｄ構造化セル（図１７）の間の効率の全体的増加は４４％であった。
第３および第４実施形態では、光電池装置は、シリコンをｎ-タイプドーパントとして、ベリリウムをｐ-タイプドーパントとして用いる分子ビームエピタキシによって成長させることが好ましい。ガリウム、インジウム、シリコン、ベリリウムについて固形ソースを用いるのが好ましく、ヒ素およびリンについてクラッカーセルを用いることが好ましく、窒素についてＲＦプラズマソースを用いることが好ましい。ＧａＩｎＮＡｓ層は、４００〜５５０℃の温度範囲で成長させることが好ましく、ＩｎＧａＡｓ層は、６００〜７５０℃の温度範囲で成長させることが好ましく、ＧａＩｎＰ層は、５００〜６００℃の温度範囲で成長させることが好ましい。しかしながら、他の物質ソースおよび成長条件を用いてもよい。他の成長方法が用いられてもよい。これは、化学蒸着、気相エピタキシ、および化学ビームエピタキシを含むがこれに限定されない。
上記方法はまた、背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合、または平坦ｐ-ｎまたはｐ-Ｉ-ｎ接合を備える第１サブセルと並行する少なくとも１つの追加のサブセル（第２サブセル）を有し得る。第１サブセルはμｃ-Ｓｉサブセルとａ-Ｓｉサブセルのうちの一方であり得、第２サブセルはμｃ-Ｓｉサブセルおよびａ-Ｓｉサブセルのうちの他方であり得る。第１サブセルはまた、ＧａＩｎＮＡｓサブセルであり得、背高構造はリブとピラーのうちの少なくとも１つを含み得る。
この発明を、ＧａＩｎＮＡｓ、ａ-Ｓｉまたはμｃ-Ｓｉからなる３次元サブセルを有する光電池装置の実施形態を参照して説明してきた。しかしながら、本発明はこれらの物質に限定されず、本発明の使用により利益が得られるいかなる物質にも当業者によって応用されてもよい。
本発明は、必要な吸収深度に基づく要件と、サブセルの材料における可能な少数キャリア拡散長とを分離することによって、マルチ接合光電池装置の効率における利得を得ることができ、かつ／または、現在の技術と比べてより速くより簡便に組み立てることが可能な構造を提供する。

Claims (12)

  1. 長さおよび幅のうちの少なくとも１つよりも大きい高さを有する背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第１サブセルと、
    上記第１サブセルに対して縦に並んで配置され、平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第２サブセルとを備え、
    上記第１サブセルの上記背高構造のピッチは１０ｎｍから１０μｍであり、
    上記第１サブセルの上記背高構造の幅は１０ｎｍから１０μｍであり、
    上記第１サブセルの上記背高構造の高さは１０ｎｍから１０μｍであり、
    上記第１サブセルの背高構造を有するｐ-ｎ接合は、当該ｐ-ｎ接合において３次元構造が形成されるｐ-タイプまたはｎ-タイプ層を有し、上記ｐ-タイプまたはｎ-タイプ層の片方は、その上面に堆積され、
    上記ｐ-タイプまたはｎ-タイプ層の他方は平坦化されることを特徴とするマルチ接合光電池構造。
  2. 長さおよび幅のうちの少なくとも１つよりも大きい高さを有する背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第１サブセルと、
    上記第１サブセルに対して縦に並んで配置され、平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第２サブセルとを備え、
    上記第１サブセルの上記背高構造のピッチは１０ｎｍから１０μｍであり、
    上記第１サブセルの上記背高構造の幅は１０ｎｍから１０μｍであり、
    上記第１サブセルの上記背高構造の高さは１０ｎｍから１０μｍであり、
    上記第１サブセルの背高構造を有するｐ-ｉ-ｎ接合は、当該ｐ-ｉ-ｎ接合において３次元構造が形成されるｐ-タイプまたはｎ-タイプ層を有し、固有層がその上面に堆積され、上記ｐ-タイプまたはｎ-タイプ層の片方は、上記固有層の上面に形成され、
    上記固有層は平坦化されることを特徴とするマルチ接合光電池構造。
  3. 上記第１サブセルの背高構造は、当該背高構造と対応する３次元構造を有する基板または下層の上面に等角に堆積される上記ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合の各層を有する請求項１または２に記載のマルチ接合光電池構造。
  4. 上記第１サブセルおよび第２サブセルは、異なるバンドギャップエネルギーを有し、
    上記背高構造は、上記第１サブセルと上記第２サブセルとの間の電流整合を改善する請求項１から３のうちのいずれかに１項に記載のマルチ接合光電池構造。
  5. 上記第１サブセルは、μｃ-Ｓサブセルとａ-Ｓｉサブセルのうちの一方であり、
    上記第２サブセルは、μｃ-Ｓサブセルとａ-Ｓｉサブセルのうちの他方である請求項１から４のうちのいずれか１項に記載のマルチ接合光電池構造。
  6. 上記第１サブセルは、ＧａＩｎＮＡｓサブセルである請求項１から５のうちのいずれか１項に記載のマルチ接合光電池構造。
  7. 上記第１サブセルと上記第２サブセルとを分離するトンネル接合をさらに備える請求項１から６のうちのいずれか１項に記載のマルチ接合光電池構造。
  8. 上記第１サブセルに対して縦に並び、背高構造を有し、ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合、もしくは平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む少なくとも１つの追加サブセルをさらに備える請求項１から７のうちのいずれか１項に記載のマルチ接合光電池構造。
  9. 上記背高構造は、リブまたはピラーの少なくとも１つを含む請求項１から８のうちのいずれか１項に記載のマルチ接合光電池構造。
  10. マルチ接合光電池構造を形成する方法であって、
    長さおよび幅のうちの少なくとも１つよりも大きい高さを有する背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第１サブセルを形成する工程と、
    上記第１サブセルと縦に並んで配置され、平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第２サブセルを形成する工程とを含み、
    上記第１サブセルの上記背高構造のピッチは１０ｎｍから１０μｍであり、
    上記第１サブセルの上記背高構造の幅は１０ｎｍから１０μｍであり、
    上記第１サブセルの上記背高構造の高さは１０ｎｍから１０μｍであり、
    ３次元構造を有するｐ-ｎ接合を含む上記第１サブセルのｐ-タイプまたはｎ-タイプ層を形成する工程と、上記ｐ-タイプまたはｎ-タイプ層の他方をその上に堆積する工程とを含み、
    上記ｐ-タイプまたはｎ-タイプ層の他方を平坦化することを特徴とする方法。
  11. マルチ接合光電池構造を形成する方法であって、
    長さおよび幅のうちの少なくとも１つよりも大きい高さを有する背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第１サブセルを形成する工程と、
    上記第１サブセルと縦に並んで配置され、平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第２サブセルを形成する工程とを含み、
    上記第１サブセルの上記背高構造のピッチは１０ｎｍから１０μｍであり、
    ３次元構造を有するｐ-ｉ-ｎ接合を含む上記第１サブセルのｐ-タイプまたはｎ-タイプ層を形成する工程と、
    その上に固有層を堆積する工程と、
    上記固有層の上にｐ-タイプまたはｎ-タイプ層の他方を形成する工程とを含み、
    上記ｐ-タイプまたはｎ-タイプ層の他方を平坦化することを特徴とする方法。
  12. 上記背高構造に対応する３次元構造を有する基板または下層の上面に等角に上記ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合の各層を堆積することによって上記第１サブセルの上記背高構造を形成する工程を含む請求項１０または１１に記載の方法。
JP2010095287A 2009-04-27 2010-04-16 ３次元サブセルを有するマルチ接合光電池構造およびその方法 Expired - Fee Related JP5038459B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/430,308 US20100269895A1 (en) 2009-04-27 2009-04-27 Multijunction photovoltaic structure with three-dimensional subcell
US12/430,308 2009-04-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010258449A JP2010258449A (ja) 2010-11-11
JP5038459B2 true JP5038459B2 (ja) 2012-10-03

Family

ID=42575246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010095287A Expired - Fee Related JP5038459B2 (ja) 2009-04-27 2010-04-16 ３次元サブセルを有するマルチ接合光電池構造およびその方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20100269895A1 (ja)
EP (1) EP2246905A3 (ja)
JP (1) JP5038459B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10026860B2 (en) 2006-06-02 2018-07-17 Solaero Technologies Corp. Metamorphic layers in multijunction solar cells

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100206367A1 (en) * 2009-02-18 2010-08-19 Korea Institute Of Industrial Technology Method for fabricating silicon nano wire, solar cell including silicon nano wire and method for fabricating solar cell
ITMI20111559A1 (it) * 2011-08-30 2013-03-01 St Microelectronics Srl Strato tco di contatto frontale di un pannello solare a film sottile con strato barriera di metallo refrattario e processo di fabbricazione
US11538949B2 (en) 2013-02-03 2022-12-27 Mark R. Schroeder Sensor comprising a photovoltaic device
US10872988B1 (en) 2013-02-03 2020-12-22 Mark R. Schroeder Photovoltaic device
WO2016206050A1 (zh) * 2015-06-25 2016-12-29 华为技术有限公司 一种光电探测器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB813568A (en) 1954-05-10 1959-05-21 Roland Nicolas Payen Improvements in aircraft
US4272641A (en) * 1979-04-19 1981-06-09 Rca Corporation Tandem junction amorphous silicon solar cells
JPS6451671A (en) * 1987-08-24 1989-02-27 Canon Kk Solar cell
US5094697A (en) * 1989-06-16 1992-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device and method for producing the same
JP2692964B2 (ja) * 1989-07-14 1997-12-17 三洋電機株式会社 太陽電池
JPH03151672A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Sharp Corp 非晶質シリコン太陽電池
JPH04296060A (ja) * 1991-03-26 1992-10-20 Hitachi Ltd 太陽電池
JP3695950B2 (ja) * 1998-07-31 2005-09-14 三洋電機株式会社 光電変換素子の製造方法
US7605327B2 (en) * 2003-05-21 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices fabricated from nanostructured template
WO2008048233A2 (en) * 2005-08-22 2008-04-24 Q1 Nanosystems, Inc. Nanostructure and photovoltaic cell implementing same
TWI285436B (en) * 2005-12-30 2007-08-11 Ind Tech Res Inst Solar cell with superlattice structure and fabricating method thereof
US9105776B2 (en) * 2006-05-15 2015-08-11 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials
JP2007324324A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 太陽電池
JP2008028118A (ja) * 2006-07-20 2008-02-07 Honda Motor Co Ltd 多接合型太陽電池の製造方法
US7629532B2 (en) * 2006-12-29 2009-12-08 Sundiode, Inc. Solar cell having active region with nanostructures having energy wells
US7977568B2 (en) * 2007-01-11 2011-07-12 General Electric Company Multilayered film-nanowire composite, bifacial, and tandem solar cells
CN101627479B (zh) * 2007-01-30 2011-06-15 索拉斯特公司 光电池及其制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10026860B2 (en) 2006-06-02 2018-07-17 Solaero Technologies Corp. Metamorphic layers in multijunction solar cells
US10553740B2 (en) 2006-06-02 2020-02-04 Solaero Technologies Corp. Metamorphic layers in multijunction solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010258449A (ja) 2010-11-11
EP2246905A3 (en) 2013-09-11
EP2246905A2 (en) 2010-11-03
US20100269895A1 (en) 2010-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10439091B2 (en) Solar cell structures for improved current generation and collection
US9905714B2 (en) High efficiency photovoltaic cells
US8435825B2 (en) Methods for fabrication of nanowall solar cells and optoelectronic devices
TWI600173B (zh) 在中間電池中具有低能隙吸收層之多接面太陽能電池及其製造方法
US8895350B2 (en) Methods for forming nanostructures and photovoltaic cells implementing same
JP5215284B2 (ja) 多接合型化合物半導体太陽電池
US9018517B2 (en) Silicon heterojunction photovoltaic device with wide band gap emitter
JP2012004557A (ja) 高効率ＩｎＧａＡｓＮ太陽電池、およびその製造方法
JP2008053730A (ja) 単一コンフォーマル接合のナノワイヤ光起電力装置
TW201327875A (zh) 高效多接面太陽能電池
US20090314337A1 (en) Photovoltaic devices
JP5038459B2 (ja) ３次元サブセルを有するマルチ接合光電池構造およびその方法
Jia et al. Silicon nanowire solar cells with radial pn heterojunction on crystalline silicon thin films: Light trapping properties
US10141461B2 (en) Textured multi-junction solar cell and fabrication method
US20080163924A1 (en) Multijunction solar cell
Yin et al. 1064 nm InGaAsP multi-junction laser power converters
Makita et al. Mechanical stacked GaAs//CuIn1− yGaySe2 three‐junction solar cells with 30% efficiency via an improved bonding interface and area current‐matching technique
Yang et al. Investigation of room-temperature wafer bonded GaInP/GaAs/InGaAsP triple-junction solar cells
WO2020243998A1 (zh) 一种多结叠层激光光伏电池
US8940580B2 (en) Textured multi-junction solar cell and fabrication method
Goodnick et al. Solar cells
Mizuno et al. A “smart stack” triple-junction cell consisting of InGaP/GaAs and crystalline Si
Salama Quantum Dot Solar cells
RU190887U1 (ru) Солнечный элемент на основе пластинчатых нанокристаллов (al,ga)as с поперечными гетеропереходами

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110712

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110906

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120605

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120705

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees