RU190887U1 - Солнечный элемент на основе пластинчатых нанокристаллов (al,ga)as с поперечными гетеропереходами - Google Patents
Солнечный элемент на основе пластинчатых нанокристаллов (al,ga)as с поперечными гетеропереходами Download PDFInfo
- Publication number
- RU190887U1 RU190887U1 RU2019116035U RU2019116035U RU190887U1 RU 190887 U1 RU190887 U1 RU 190887U1 RU 2019116035 U RU2019116035 U RU 2019116035U RU 2019116035 U RU2019116035 U RU 2019116035U RU 190887 U1 RU190887 U1 RU 190887U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nanocrystals
- layer
- plate
- substrate
- doping
- Prior art date
Links
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 abstract description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B17/00—Generation of oscillations using radiation source and detector, e.g. with interposed variable obturator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области изготовления оптоэлектронных устройств и, в частности фотоэлектронных элементов для применения в области солнечной энергетики. Технический результат полезной модели заключается в повышении коэффициента полезного действия солнечного элемента за счет повышения эффективности транспорта носителей заряда с сохранением высокой эффективности поглощения света. Заявленный технический результат достигается за счет конструкции солнечного элемента на основе пластинчатых нанокристаллов (Al,Ga)As с поперечным гетеропереходом, включающий подложку, отличающийся тем, что на подложке выращены многослойные пластинчатые нанокристаллы (Al,Ga)As с поперечными гетеропереходами, состоящие из широкозонного с легированием р-типа (Al,Ga)As внутреннего слоя, покрытого толстым обедненным слоем GaAs, и покрытого тонким слоем с легированием n-типа (Al,Ga)As, причем подложка вместе с ансамблем пластинчатых нанокристаллов кроме вершин пластинчатых нанокристаллов покрыта слоем прозрачного диэлектрика, и поверх слоя диэлектрика нанесен прозрачный контактный слой. 2 з.п. ф-лы; 2 ил.
Description
Полезная модель относится к области изготовления оптоэлектронных устройств и, в частности, фотоэлектронных элементов для применения в области солнечной энергетики.
В настоящее время известны технологии создания солнечных элементов как на основе планарных слоев, так и на основе поверхностей, структурированных в виде нитевидных нанокристаллов. В обоих случаях эффективность функционирования солнечного элемента зависит как от эффективности поглощения фотонов света, так и от эффективности транспорта носителей заряда.
Солнечные элементы на основе планарных слоев, как правило, представляют из себя многослойные структуры тонких пленок, включающие в себя слой материала с легированием n-типа, нанесенный поверх слоя с легированием р-типа, или наоборот. С одной стороны, толщина абсорбирующего слоя в таких структурах должна быть достаточна для достижения эффективного поглощения фотонов с энергиями выше ширины запрещенной зоны и, как правило, составляет несколько микрон и более. С другой стороны, при увеличении толщины слоя, она может превышать длину диффузии неосновных носителей, что снижает эффективность их транспорта. Таким образом, необходимый выбор оптимальной толщины абсорбирующего слоя ограничивает либо поглощение фотонов, либо разделение зарядов, что, в свою очередь, накладывает ограничение на эффективность солнечного элемента.
Альтернативой планарным абсорбирующим слоям могут служить слои на основе нитевидных нанокристаллов, формирующихся в направлении, перпендикулярном подложке. Как правило, толщина таких слоев также составляет несколько микрон. В нитевидных нанокристаллах возможно создание как радиальных, так и аксиальных гетероструктур. В случае аксиального р-n перехода проблема транспорта неосновных носителей не снимается, однако необходимое количество материала на единицу площади поверхности значительно ниже. При реализации радиальных гетеропереходов в нитевидных нанокристаллах, формируются ядро и оболочка с разными (р- и n-) типами легирования. В таких структурах сбор носителей заряда происходит в плоскости, перпендикулярной оси нитевидного нанокристалла. А значит, увеличение толщины слоя (длины нитевидного нанокристалла) не влияет на длину пробега носителей заряда. Таким образом возможно увеличение эффективности поглощения фотонов, без изменения эффективности разделения зарядов. Кроме того, известно, что для солнечных элементов на основе нитевидных нанокристаллов необходимость в дополнительных антиотражающих структурах гораздо ниже, чем для планарных аналогов. Было показано, что сами по себе массивы вертикальных нитевидных нанокристаллов представляют из себя антиотражающее покрытие, в несколько раз уменьшая коэффициент отражения (Л.И. Горай и др. Письма в ЖТФ том 41 вып. 13 стр. 16, 2015).
Во многих высокоэффективных солнечных элементах в качестве материалов используются тройные соединения элементов III и V группы, такие как GaAsP, AlGaAs, InGaP, AlInP и AlInAs с различными соотношениями состава (R.R. LaPierre и др. Phys. Status Solidi RRL том 7 стр. 815, 2013). Данные материалы обладают оптимальной конфигурацией запрещенной зоны, но плохо совместимы с кремниевой или другими распространенными подложками. Предпочтительным материалам для данного вида изделий выступает Арсенид алюминия-галлия AlGaAs.
Проблема совмещения с кремниевыми подложками полупроводниковых III-V материалов была решена в солнечных элементах на основе нитевидных нанокристаллов с р-n переходом (RU 2009144623 А). Кроме того, нитевидные нанокристаллы с радиальным p-i-n гетеропереходом позволяют независимо оптимизировать ключевые для солнечных элементов условия для поглощения света и разделения заряда.
В качестве известных аналогов могут быть рассмотрены солнечные элемент на основе нитевидных нанокристаллов, предложенный С.G. LIM и Н. Weman в заявке США US 20160197206 А1 или солнечный элемент, модель которого была исследована в работе LaPierre (R.R. LaPierre J. Appl. Phys. том 110 стр. 014310, 2011). К недостаткам использования нитевидных наннокристаллов в солнечных элементах относится проблема невысокой подвижности носителей заряда в процессе транспорта и технологическая сложность изготовления контактов с низким сопротивлением.
В достаточно тонких нитевидных нанокристаллах свойства поверхности вносят определяющий вклад в проводящие свойства структуры. Высокая плотность поверхностных состояний на боковых стенках нитевидных нанокристаллов приводит к снижению подвижности носителей заряда и усилению процессов рекомбинации. Частичное решение данной проблемы возможно за счет пассивации поверхности с помощью нанесения оболочки широкозонного полупроводникового материала.
Еще одним недостатком аналогов является сложность изготовления контактов с низким сопротивлением. Существующее решение данной проблемы подразумевает нанесение слоев с высокой степенью легирования. В то же время, задача обеспечения стабильности и равномерности состава таких слоев остается нерешенной.
В отличие от аналогов, в данной полезной модели предлагается вместо нитевидных нанокристаллов использовать пластинчатые нанокристаллы, возможность формирования которых с поперечными гетеропереходами системе AlGaAs была изучена недавно (М. Friedl et al. Nano Letters том 18 вып. 4 стр. 2666-2671, 2018).
Настоящая полезная модель предлагает решение задачи по созданию солнечного элемента на основе многослойного пластинчатого нанокристалла AlGaAs с p-i-n структурой. Подобная структура позволяет эффективное разделение функций поглощения света и транспорта носителей заряда между разными слоями внутри устройства.
Основным отличием предлагаемого устройства от аналогов и прототипа на основе нитевидных нанокристаллов (US 20160197206 A1) является его реализация на основе пластинчатых нанокристаллов AlGaAs. При использовании в солнечных элементах пластинчатые нанокристаллы обладают рядом общих с нитевидными нанокристаллами преимуществ, и не имеют некоторых недостатков последних.
Пластинчатые нанокристаллы, представляют из себя наноструктуры, имеющие ширину от нескольких десятков до нескольких сотен нанометров, и длину и высоту от единиц до десятков микрон. Как и нитевидные нанокристаллы, такие объекты имеют развитую боковую поверхность и, в то же время малую площадь контакта с подложкой. А значит в случае рассогласования решеток используемых материалов (например, GaAs или AlGaAs на подложке кремния), обеспечивают эффективную релаксацию упругих напряжений за счет боковых стенок и позволяют полностью устранить основное препятствие на пути интеграции опто- и микроэлектронике на едином чипе - образование дислокаций несоответствия.
В отличие от нитевидных нанокристаллов, пластинчатые нанокристаллы имеют большую площадь верхней и нижней граней, что облегчает формирование контактов с низким сопротивлением. Помимо этого, в сравнении с квазиодномерными нитевидными нанокристаллами, квазидвумерные пластинчатые нанокристаллы предполагают более высокую мобильность носителей заряда. Таким образом, солнечные элементы на основе пластинчатых нанокристаллов более эффективны в сравнении с солнечными элементами на основе нитевидных нанокристаллов благодаря более низкому сопротивлению контактов и более высокой мобильности носителей заряда.
Технический результат полезной модели заключается в повышении коэффициента полезного действия солнечного элемента за счет повышения эффективности транспорта носителей заряда с сохранением высокой эффективности поглощения света.
Заявленный технический результат достигается за счет конструкции солнечного элемента на основе пластинчатых нанокристаллов (Al,Ga)As с поперечным гетеропереходом, включающий подложку, отличающийся тем, что на подложке выращены многослойные пластинчатые нанокристаллы (Al,Ga)As с поперечными гетеропереходами, состоящие из широкозонного с легированием р-типа (Al,Ga)As внутреннего слоя, покрытого толстым обедненным слоем GaAs, и покрытого тонким слоем с легированием n-типа (Al,Ga)As, причем подложка вместе с ансамблем пластинчатых нанокристаллов кроме вершин пластинчатых нанокристаллов покрыта слоем прозрачного диэлектрика, и поверх слоя диэлектрика нанесен прозрачный контактный слой.
В одном из частных вариантов осуществления заявленного решения нижний омический контакт осуществляется через подложку кремния с легированием р-типа, а верхний контакт осуществляется через открытые, вскрытые вершины пластинчатых нанокристаллов.
В другом частном варианте осуществления заявленного решения подложка выполняется из GaAs(111).
Фиг. 1 иллюстрирует общий вид солнечного элемента на основе массива пластинчатых нанокристаллов.
Фиг. 2 иллюстрирует вид в поперечном сечении пластинчатого нанокристалла.
Общий вид устройства (100) приведен на Фиг. 1. Нижний контакт (102) осуществляется через подложку (140), которая изготавливается из GaAs с ориентацией (111)В или кремния с р-типом легирования. Подложка (140) изготавливается в виде пластины и покрывается естественным оксидным слоем (120). Нижний контакт (102) может выполняться омическим.
Поглощение света и преобразование энергии фотонов в электрическую происходит внутри многослойных пластинчатых нанокристаллов (150), содержащих p-i-n структуру. Верхний (101) и нижний (140) контактные слои объединяют массив пластинчатых нанокристаллов (150) в единую сеть. Пространство между пластинчатыми нанокристаллами (150) заполняется диэлектрическим полимером (130) SU8, образуя, таким образом, планаризирующий слой. Проводящий прозрачный верхний контактный слой (101) из оксида индия-олова (ITO), находится в контакте со вскрытыми вершинами пластинчатых нанокристаллов (150).
На Фиг. 2 представлена схема устройства (100) солнечного элемента в поперечном сечении пластинчатого нанокристалла (150). Внутренний слой (154) AlGaAs с р-типом легирования находится в контакте с подложкой (140), в то время как остальные слои пластинчатого нанокристалла (150) изолированы от подложки (140) слоем оксида кремния (120). В роле i-слоя выступает толстый слой (153) GaAs. Данный материал обладает оптимальной конфигурацией запрещенной зоны для поглощения вблизи максимума интенсивности солнечного света. Поверх слоя (153) GaAs наносится слой (152) широкозонного AlGaAs, прозрачного в области максимума интенсивности солнечного спектра, с высокой степенью легирования n-типа атомами Si. Далее наносится пассивирующий внешний слой (151) AlAs.
Данная схема реализации позволяет совмещать эффективное поглощение света в промежуточном слое (153) GaAs и эффективный транспорт носителей в легированных слоях (152, 154) AlGaAs.
Для селективного роста пластинчатых нанокристаллов (150) методом электронной литографии или наноимпринт литографии в оксидном слое (120) создаются отверстия, задающие размеры нижней грани наноструктуры. Для формирования ансамблей пластинчатых нанокристаллов (150) AlGaAs используется метод молекулярно-пучковой эпитаксии с твердотельными источниками. При росте слоев легирование р-типа получается при встраивании атомов Be, а легирование n-типа при добавлении атомов Si. Характерные температуры эпитаксии лежат в диапазоне 480-600 градусов Цельсия.
Для создания верхнего контактного слоя (101) осаждается слой (130) полимера SU8, заполняющего пространство между пластинчатыми нанокристаллами (150). После этого, методом плазменного кислородного травления осуществляется вскрытие верхнего участка пластинчатых нанокристаллов (150) от планаризующего слоя диэлектрика (130). После вскрытия, на массив пластинчатых нанокристаллов (150) методом магнетронного осаждения наносится прозрачный и электропроводящий слой (101) ITO методом магнетронного осаждения. Толщина слоя ITO определяется двумя конкурирующими факторами: увеличение толщины с одной стороны приводит к увеличению проводимости слоя, с другой стороны - к снижению его прозрачности (А.Р. Amalathas, et al. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, том 27, стр. 11064-11071, 2016). В случае магнетронного напыления тонких пленок ITO оптимальной является толщина от 100 до 300 нм.
На завершающем этапе производится формирование контактных металлизированных площадок верхнего (103) и нижнего (102) контактов. Для формирования верхнего контактного слоя (101) поверх слоя ITO наносится подслой никеля толщиной 5 нм путем испарения из электроннолучевого испарителя и слоя золота толщиной 100 нм путем испарения материала из резистивного испарителя Над образцом при этом располагается специальная маска, ограничивающая область напыления металлов. Для формирования нижнего контактного слоя, также с использованием маски, на участок подложки (140) наносится подслой германия толщиной 5 нм путем испарения из электроннолучевого испарителя, на который нанесен слой золота толщиной 100 нм путем испарения материала из резистивного испарителя.
Созданная конструкция изделия обеспечивает достижение повышенного коэффициента полезного действия солнечного элемента за счет повышения эффективности транспорта носителей заряда с сохранением высокой эффективности поглощения света, что обеспечивается за счет предложенной конструкции, основанной на ансамбле пластинчатых нанокристаллов.
Представленные описание заявленного решения раскрывает лишь предпочтительные примеры его реализации и не должно трактоваться как ограничивающее иные, частные примеры его осуществления, не выходящие за рамки объема правовой охраны, которые являются очевидными для специалиста соответствующей области техники.
Claims (3)
1. Солнечный элемент на основе пластинчатых нанокристаллов (Al,Ga)As с поперечным гетеропереходом, включающий подложку, верхний и нижний контакты, отличающийся тем, что на подложке выращены многослойные пластинчатые нанокристаллы (Al,Ga)As с поперечными гетеропереходами, состоящие из широкозонного с легированием р-типа (Al,Ga)As внутреннего слоя, покрытого толстым обедненным слоем GaAs, и покрытого тонким слоем с легированием n-типа (Al,Ga)As, причем подложка вместе с ансамблем пластинчатых нанокристаллов кроме вершин пластинчатых нанокристаллов покрыта слоем прозрачного диэлектрика, и поверх слоя диэлектрика нанесен прозрачный контактный слой.
2. Элемент по п. 1, в котором нижний контакт является омическим и осуществляется через подложку кремния с легированием р-типа, а верхний контакт осуществляется через открытые, вскрытые вершины пластинчатых нанокристаллов.
3. Элемент по п. 1, в котором подложка выполняется из GaAs(111) или кремния с легированием р-типа.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019116035U RU190887U1 (ru) | 2019-05-24 | 2019-05-24 | Солнечный элемент на основе пластинчатых нанокристаллов (al,ga)as с поперечными гетеропереходами |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019116035U RU190887U1 (ru) | 2019-05-24 | 2019-05-24 | Солнечный элемент на основе пластинчатых нанокристаллов (al,ga)as с поперечными гетеропереходами |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU190887U1 true RU190887U1 (ru) | 2019-07-16 |
Family
ID=67309735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019116035U RU190887U1 (ru) | 2019-05-24 | 2019-05-24 | Солнечный элемент на основе пластинчатых нанокристаллов (al,ga)as с поперечными гетеропереходами |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU190887U1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2354003C1 (ru) * | 2007-07-23 | 2009-04-27 | Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" | Фотоэлемент с аккумуляцией энергии электромагнитного излучения |
| RU2384916C1 (ru) * | 2008-12-29 | 2010-03-20 | Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН | Фотоактивный элемент |
| RU2408954C1 (ru) * | 2009-11-20 | 2011-01-10 | Валерий Васильевич Лунин | Преобразователь солнечной энергии в электрическую и тепловую |
| RU2531768C1 (ru) * | 2013-05-06 | 2014-10-27 | Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" | Двусторонний солнечный фотопреобразователь (варианты) |
| US20160197206A1 (en) * | 2013-08-14 | 2016-07-07 | Norwegian University Of Science And Technology | Radial p-n junction nanowire solar cells |
-
2019
- 2019-05-24 RU RU2019116035U patent/RU190887U1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2354003C1 (ru) * | 2007-07-23 | 2009-04-27 | Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" | Фотоэлемент с аккумуляцией энергии электромагнитного излучения |
| RU2384916C1 (ru) * | 2008-12-29 | 2010-03-20 | Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН | Фотоактивный элемент |
| RU2408954C1 (ru) * | 2009-11-20 | 2011-01-10 | Валерий Васильевич Лунин | Преобразователь солнечной энергии в электрическую и тепловую |
| RU2531768C1 (ru) * | 2013-05-06 | 2014-10-27 | Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" | Двусторонний солнечный фотопреобразователь (варианты) |
| US20160197206A1 (en) * | 2013-08-14 | 2016-07-07 | Norwegian University Of Science And Technology | Radial p-n junction nanowire solar cells |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101132028B (zh) | 单个共形结纳米线光伏器件 | |
| US9117954B2 (en) | High efficiency nanostructured photovoltaic device manufacturing | |
| US9583656B2 (en) | Photoelectric conversion element | |
| US8912432B2 (en) | Photovoltaic device including an intermediate layer | |
| US20150280032A1 (en) | High efficiency photovoltaic cells | |
| US9064991B2 (en) | Photovoltaic devices with enhanced efficiencies using high-aspect ratio nanostructures | |
| US20090217972A1 (en) | Techniques for Enhancing Efficiency of Photovoltaic Devices Using High-Aspect-Ratio Nanostructures | |
| KR101957801B1 (ko) | 플렉서블 이중접합 태양전지 | |
| Raj et al. | Non-epitaxial carrier selective contacts for III-V solar cells: A review | |
| EP2253021B1 (en) | Photovoltaic devices with high-aspect-ratio nanostructures | |
| Mukherjee et al. | GaAs/AlGaAs nanowire array solar cell grown on Si with ultrahigh power-per-weight ratio | |
| US8994005B2 (en) | Vertically correlated clusters of charged quantum dots for optoelectronic devices, and methods of making same | |
| JP5038459B2 (ja) | ３次元サブセルを有するマルチ接合光電池構造およびその方法 | |
| KR20120012719A (ko) | Ⅲ-ⅴ족 화합물 반도체 양자점을 흡수층으로 이용한 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| RU190887U1 (ru) | Солнечный элемент на основе пластинчатых нанокристаллов (al,ga)as с поперечными гетеропереходами | |
| Goodnick et al. | Solar cells | |
| JPS6354777A (ja) | 共振トンネル装置 | |
| Fan et al. | Epitaxial GaAsP/Si tandem solar cells with integrated light trapping | |
| WO2010018490A2 (en) | A photovoltaic cell and a method of manufacturing the same | |
| KR102345237B1 (ko) | 다기능 다공성 박막을 갖는 태양광 실리콘 웨이퍼 및 이를 제조하는 방법 | |
| Ohshima et al. | Change in the electrical performance of InGaAs quantum dot solar cells due to irradiation | |
| Raffaelle et al. | InAs quantum dot development for enhanced InGaAs space solar cells | |
| LaPierre | Nanowires for next generation photovoltaics | |
| Chen et al. | Design principles of nanostructured window solar cells | |
| WO2014075060A1 (en) | Nanostructured window layer in solar cells |