TWI393152B - Transparent conductive laminated body and touch panel - Google Patents
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Description
本發明係關於一種在可見光線區域內透明且在薄膜基材上具有導電性薄膜之透明導電性積層體。本發明之透明導電性積層體除了應用於液晶顯示器、電致發光顯示器等新穎之顯示器方式或觸控式面板等中之透明電極以外,還應用於防止透明物品帶電或隔絕電磁波等。
先前,作為透明導電性薄膜,熟知的是在玻璃上形成有氧化銦薄膜之所謂導電性玻璃,但有時因導電性玻璃之基材為玻璃,故可撓性、加工性較差,在用途方面不佳。因此,近年來,除了可撓性、加工性以外,還因具有耐衝擊性優異、輕量等優點,從而將以聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜為首之各種塑料薄膜作為基材的透明導電性薄膜正在為人們所喜用。
然而,對於使用有薄膜基材之透明導電性薄膜而言,由於薄膜表面之光線反射率大,因此具有透明性差之問題,除此以外,透明導電性薄膜之耐擦傷性差,因此具有在使用中受到損傷而使電阻增大或者產生斷線之問題。尤其對於觸控式面板用之透明導電性薄膜而言,0003經由間隔件而對向之一對薄膜彼此因在來自其中一個面板側之按壓觸碰而被強力地接觸,故較理想的是具有可與之抗衡之良好耐久特性,亦即觸碰特性,但使用有上述薄膜基材之透明導電性薄膜中,觸碰特性差,故作為觸控式面板具有壽命
變短之問題。
針對上述問題,提出以如下方式形成之透明導電性積層體:使用特定膜厚之材料作為薄膜基材,在其一個面上依次形成光之折射率小於薄膜基材之光之折射率的透明介電體薄膜、再於其上形成之透明導電性薄膜,並且在薄膜基材之另一個面上經由透明黏著劑層而貼合其他透明基體(專利文獻1)。根據該透明導電性積層體,可改善透明性及導電性薄膜之耐擦傷性,並且可改善觸控式面板用之觸碰特性。
又提出如下方案:一種透明導電性積層體,其係在透明薄膜基材之一個面上,從上述薄膜基材側開始依次形成第一透明介電體薄膜、第二透明介電體薄膜及透明導電性薄膜,上述薄膜基材、兩層透明介電體薄膜、透明導電性薄膜各自之光折射率之關係為,第二透明介電體薄膜<薄膜基材≦第一透明介電體薄膜<透明導電性薄膜(專利文獻2)。根據該透明導電性積層體,可實現在彎曲狀態下使用觸控式面板時之觸碰特性之改善。然而,專利文獻2中,在形成於透明薄膜基材上之第一透明介電體薄膜中,使用有機物與無機物之混合體,故不易進行透明性等光學調整。又提出如下方案:一種透明導電性積層體,其係在透明薄膜基材之一個面上,從上述薄膜基材側開始依次形成第一透明介電體薄膜、第二透明介電體薄膜及透明導電性薄膜,且具有第二透明介電體薄膜<透明導電性薄膜≦第一透明介電體薄膜之關係(專利文獻3),並記載有根據該透
明導電性積層體可抑制透射光之著色。然而,專利文獻3中雖記載有形成於透明薄膜基材上之第一透明介電體薄膜形成時之各種方法,但採用任一方法時之形成速度均不充分。
另一方面,在觸控式面板中,位置檢測之方法具有光學方式、超音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等。其中,電阻膜方式之構造簡單,故性價比(cost performance)優異,近年來正在急速普及。電阻膜方式觸控式面板被應用於例如銀行之現金自動存取款機(ATM)或交通機構之售票機等之顯示板中。
該電阻膜方式之觸控式面板係將透明導電性積層體與附有透明導電性薄膜之玻璃經由間隔件而對向配置,形成在透明導電性積層體中流過電流並測量附有透明導電性薄膜之玻璃中之電壓的構造。若經由手指或筆等之按壓操作而使透明導電性積層體接觸到附有透明導電性薄膜之玻璃,則利用對該接觸部分通電來檢測該接觸部分之位置。
近年來,搭載於智能手機(smart phone)或PDA(Personal Digital Assistance,個人數位助理器)、遊戲機等中之觸控式面板之市場正在擴大,觸控式面板之窄邊框化正在發展。因此,用手指按壓觸控式面板之機會變多,除需滿足筆輸入耐久性以外,亦需滿足表面壓力耐久性。然而,上述專利文獻中,即使可滿足筆輸入耐久性,終究亦無法滿足表面壓力耐久性。
[專利文獻1]日本專利特開平6-222352號公報
[專利文獻2]日本專利特開2002-326301號公報
[專利文獻3]日本專利特開2000-301648號公報
本發明之目的在於提供一種透明導電性積層體,其係在透明薄膜基材之一個面上,從上述薄膜基材側開始依次形成第一透明介電體薄膜、第二透明介電體薄膜及透明導電性薄膜,該透明導電性積層體之透射率高,且生產性良好,而且除了具有筆輸入耐久性以外,進而具有表面壓力耐久性。又,本發明之目的在於提供一種使用有該透明導電性積層體之觸控式面板。
本發明者等為了解決上述問題進行了銳意研究,結果發現,利用以下所示之透明導電性積層體可達成上述目的,從而完成本發明。
即,本發明係關於一種透明導電性積層體,其係在厚度2~200μm之透明薄膜基材之一個面上,從上述薄膜基材側開始依次形成第一透明介電體薄膜、第二透明介電體薄膜及透明導電性薄膜,並在透明薄膜基材之另一個面上,經由透明黏著劑層而貼合有透明基體,該透明導電性積層體之特徵在於:第一透明介電體薄膜係藉由真空蒸鍍法、濺鍍法或離子電鍍法而形成,且第一透明介電體薄膜係由在氧化銦100重量份中含有氧化錫0~20重量份、氧化鈰10~40重量份之
複合氧化物所構成,在將第一透明介電體薄膜之折射率設為n1,將第二透明介電體薄膜之折射率設為n2,將透明導電性薄膜之折射率設為n3時,滿足n2<n3≦n1之關係,透明基體係將至少2片透明基體薄膜經由透明黏著劑層而積層之積層透明基體。
在上述透明導電性積層體中,較好的是,第一透明介電體薄膜之厚度為10~200nm,且表面電阻值為1×106
(Ω/square)以上。
在上述透明導電性積層體中,較好的是,可在上述透明基體之外表面上設有樹脂層。
進而,本發明係關於一種觸控式面板,其係將具有透明導電性薄膜之一對面板以使透明導電性薄膜彼此對向之方式經由間隔件對向配置而形成,該觸控式面板之特徵在於,至少一個面板含有上述透明導電性積層體。
本發明中,利用氧化銦中含有特定量之氧化錫、氧化鈰之複合氧化物來形成第一透明介電體薄膜。該複合氧化物係在作為透明導電性材料之氧化銦與氧化錫之複合體中再添加有氧化鈰者,藉此可實現透明折射率為導電性薄膜之折射率以上之高折射率。其結果為,第一透明介電體薄膜與第二透明介電體薄膜之折射率之差變大,可容易進行光學調整,故可獲得透射率高、透明性等光學特性良好之透明導電性積層體。
又,利用上述本發明之複合氧化物所形成之第一透明介電體薄膜的表面電阻值高,可控制為不會對透明導電性薄膜之導電性造成影響之高電阻值。為了使第一透明介電體薄膜之表面電阻值不會對透明導電性薄膜之導電性造成影響,具有絕緣性(高電阻值)時較佳,較好的是1×106
(Ω/square)以上,更好的是1×108
(Ω/square)以上。
又,上述本發明之複合氧化物具有高折射率,而且在形成薄膜時,通常所採用之濺鍍法之生產性(製膜時之濺鍍速率)良好。先前,作為高折射率材料,使用TiO2
(2.35)、Nd2
O3
(2.15)、ZrO2
(2.05)、Ta2
O5
(2.2)、ZnO(2.1)、In2
O3
(2.0)、SnO2
(2.0)等[上述各材料之()內之數值為光之折射率]。然而,於上述材料中,TiO2
、Nd2
O3
、ZrO2
、Ta2
O5
、ZnO等在形成薄膜時,通常所採用之濺鍍法之生產性(製膜濺鍍速率)差。另一方面,In2
O3
、SnO2
等雖然薄膜之生產性良好,但該等之表面電阻值低,會對透明導電性薄膜之導電性造成影響,因此不適用於第一透明介電體薄膜。
本發明之透明導電性積層體在透明導電薄膜與薄膜基材之間,具有第一透明介電體薄膜及第二透明介電體薄膜該兩層透明介電體薄膜,且耐擦傷性、彎曲性亦良好,而且如上所述,在第一透明介電體薄膜中,使用以特定比例含有特定成分之具有高折射率、高電阻值之複合氧化物,且利用乾式製程形成第一透明介電體薄膜,因此可抑制透射光之著色,且生產性良好,故可容易進行光學調整。
進而,本發明中,透明導電性積層體之構造為,在透明薄膜基材之未設置有透明導電性薄膜之一側之面上,設置有將至少2片透明基體薄膜經由透明黏著劑層而積層之積層透明基體。利用該構造,可提高例如將透明導電性積層體應用於觸控式面板時之筆輸入耐久性,除此以外,進而可提高表面壓力耐久性。
在上述透明導電性積層體中,筆輸入耐久性進而表面壓力耐久性可藉由從薄膜基材側經由透明介電體薄膜來設置透明導電性薄膜而得到進一步提高。亦即,上述介電體薄膜尤其發揮出作為透明導電性薄膜之底塗層(under coat)之效果,從而使面內耐久性提高。
以下,將一面參照附圖,一面來說明本發明之透明導電性積層體。圖1係表示本發明之透明導電性積層體之一例,在透明薄膜基材F之一個面上,形成有第一透明介電體薄膜1及第二透明介電體薄膜2,進而在第二透明介電體薄膜2上形成有透明導電性薄膜3。
又,在透明導電性積層體之薄膜基材F之另一個面上,經由透明黏著劑層A而貼合有積層透明基體T。積層透明基體T係將透明基體薄膜t1與透明基體薄膜t2經由透明黏著劑層a而積層之積層體。圖1中,例示有積層2層透明基體薄膜之情形,但透明基體薄膜之積層只要為2層以上即可,可為3層、4層,進而為5層以上。藉由設為上述構造,可進一步提高面內耐久性。又,在圖1之積層透明基
體T之外表面上,可設置硬塗處理層(樹脂層)等(未圖示)。
作為本發明中所使用之薄膜基材F並無特別限制,可使用具有透明性之各種塑料薄膜。例如,作為其材料,可舉出:聚酯系樹脂、醋酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。該等之中,從成本角度考慮,較好的是聚酯系樹脂。較好的是使用薄膜基材F之光折射率通常為1.4~1.7左右者。
該等薄膜基材F之厚度為2~200μm之範圍。尤其為20~150μm之範圍。若厚度不足2μm,則作為基材之機械強度不足,故將該基材製成卷筒狀,並連續地形成第一透明介電體薄膜、第二透明介電體薄膜、透明導電性薄膜,進而黏著劑層之操作變得困難。另一方面,若厚度超過200μm,則在輕量、薄型化等市場要求方面不理想。
上述薄膜基材F可對表面預先實施濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子線照射、化學合成、氧化等蝕刻處理、硬塗層或底塗處理,由此可提高設置於其上之第一透明介電體薄膜1與上述透明基體T之密著性。又,在設置第一透明介電體薄膜1之前,亦可視需要,藉由溶劑清洗及或超音波清洗等進行除塵、清潔化。
在上述薄膜基材F上,依次設有第一透明介電體薄膜1、第二透明介電體薄膜2、及透明導電性薄膜3。第一透明介
電體薄膜1之光折射率n1、第二透明介電體薄膜2之光折射率n2、透明導電性薄膜3之光折射率n3滿足n2<n3≦n1之關係,通常,由於透明導電性薄膜3之光折射率n3約為2左右(通常為1.9~2.1),因此在上述情形時,第一透明介電體薄膜1之光折射率n1通常為1.9~2.3左右,更好的是2.0~2.2,第二透明介電體薄膜2之光折射率n2通常為1.3~1.7左右,更好的是1.4~1.6。
上述第一透明介電體薄膜1藉由在氧化銦100重量份中含有特定量之氧化錫及氧化鈰之複合氧化物所形成。作為形成材料,較好的是使用各氧化物成分之混合物之燒結體。在上述複合氧化物中,從光學特性角度考慮,氧化錫之比例相對於氧化銦100重量份為0~20重量份,更好的是3~15重量份。在氧化錫之比例超過20重量份之情形時,當使用燒結體作為形成材料時,由於其燒結密度降低,因而難以穩定地保持膜形成時之放電(放電穩定性差)。又,從高電阻值(絕緣性)及光學特性之角度考慮,氧化鈰之比例相對於氧化銦100重量份為10~40重量份,更好的是15~30重量份。在氧化鈰之比例不足10重量份時,第一透明介電體薄膜1之表面電阻值變低,因而具有導電性,故不理想。另一方面,在氧化鈰之比例超過40重量份時,生產性(製膜濺鍍速率)降低,故不理想。
上述第一透明介電體薄膜1之厚度並無特別限制,但較好的是10~200nm,更好的是15~60nm。在厚度不足10nm時,難以形成連續被膜。另一方面,在厚度為200nm以下
時,從光學調整角度而言較好。
作為第二透明介電體薄膜2之材料,可舉出例如:NaF(1.3)、Na3
AlF6
(1.35)、LiF(1.36)、MgF2
(1.38)、CaF2
(1.4)、BaF2
(1.3)、SiO2
(1.46)、LaF3
(1.55)、CeF3
(1.63)、Al2
O3
(1.63)等無機物[上述各材料之()內之數值為光之折射率],或者光之折射率為1.4~1.6左右之丙烯酸系樹脂、氨基甲酸酯系樹脂、矽氧烷系聚合物、醇酸樹脂、三聚氰胺樹脂等有機物。從該等之中適當地選擇材料,或者將其組合,以形成滿足上述折射率n2之第二透明介電體薄膜2。
第二透明介電體薄膜2之厚度並無特別限制,但為了形成連續被膜,提高透明性及耐擦傷性,較好的是10nm以上,更好的是10~300nm,特別好的是20~120nm。再者,將第一透明介電體薄膜1之厚度與第二透明介電體薄膜2之厚度相加之總厚度若過大,則無法期待透明性之提高,且可能會產生裂紋,因此上述總厚度較好的是150nm以下,更好的是100nm以下。
作為透明導電性薄膜3之材料並無特別限制,較好的是使用例如含有氧化錫之氧化銦、含有銻之氧化錫等。
透明導電性薄膜3之厚度並無特別限制,但為了形成其表面電阻為1×103
(Ω/square)以下之具有良好導電性之連續被膜,較好的是厚度為10nm以上。當膜厚過厚時,會造成透明性降低,因此厚度較好的是10~300nm左右。
在薄膜基材F上,通常依次形成第一透明介電體薄膜1、
第二透明介電體薄膜2及透明導電性薄膜3。作為第一透明介電體薄膜1及透明導電性薄膜3之形成方法,可舉出例如真空蒸鍍氣相蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法等,可視材料之種類及所需之膜厚而採用適當之方法,但該等方法中濺鍍法為最一般之方法。又,作為第二透明介電體薄膜2之形成方法,除上述方法以外,還可採用塗敷法等。
在上述依次形成有第一透明介電體薄膜1、第二透明介電體薄膜2及透明導電性薄膜3之薄膜基材F之另一個面上,經由透明黏著劑層A而貼合有積層透明基體T。積層透明基體T係將至少2片透明基體薄膜藉由透明黏著劑層而貼合之複合構造,由此可提高筆輸入耐久性,進而可提高表面壓力耐久性。
積層透明基體T之厚度通常較好的是控制為90~300μm,更好的是控制為100~250μm。又,形成積層透明基體T之各基體薄膜之厚度為10~200μm,更好的是20~150μm,且將在該等基體薄膜中含有透明黏著劑層之積層透明基體T之總厚度控制在上述範圍內。作為基體薄膜,可舉出與上述薄膜基材F相同者。
薄膜基材F與積層透明基體T之貼合方法為,可在積層透明基體T側設置上述之黏著劑層A,並在其上貼合上述薄膜基材F,亦可反過來,在薄膜基材F側設置上述之黏著劑層A,並在其上貼合積層透明基體T。後者之方法中,由於可將薄膜基材F製成卷筒狀而連續地形成黏著劑層A,因此在生產性方面更為有利。又,亦可在薄膜基材F上,依
次利用黏著劑層A、a來貼合基體薄膜t1、t2,以將積層透明基體T積層。再者,基體薄膜之積層中所使用之透明黏著劑層(圖1之黏著劑層a)可使用與下述透明黏著劑層A相同者。
作為黏著層A,只要具有透明性,則可不作特別限制而使用。具體而言,可適當地選擇使用丙烯酸系聚合物、矽系聚合物、聚酯、聚氨酯、聚醯胺、聚乙烯基醚、醋酸乙烯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴、環氧系、氟系、天然橡膠與合成橡膠等橡膠系等聚合物作為基礎聚合物者。特別是從光學透明性優異、顯示適當之潤濕性、凝聚性及黏接性等之黏著特性、耐候性及耐熱性等方面亦優異之角度考慮,較好的是使用丙烯酸系黏著劑。
根據作為黏著劑層A之構成材料的黏著劑之種類,有時可使用適當之黏著用底塗劑來提高固著力。因而,在使用上述黏著劑時,較好的是使用黏著用底塗劑。
作為上述黏著用底塗劑並無特別限制,只要係可提高黏著劑之固著力之層即可。具體而言,可使用例如在同一分子內具有氨基、乙烯基、環氧基、巰基、氯基等反應性官能團與水解性烷氧基矽烷基之矽烷系偶合劑;在同一分子內具有含鈦之水解性親水性基團與有機官能性基團之鈦酸酯系偶合劑;以及在同一分子內具有含鋁之水解性親水性基團與有機官能性基團之鋁酸酯系偶合劑等之所謂偶合劑;環氧系樹脂、異氰酸酯系樹脂、氨基甲酸酯系樹脂、酯型氨基甲酸酯系樹脂等具有有機反應性基團之樹脂。其
中,從易進行工業處理之觀點而言,較好的是含有矽烷系偶合劑之層。
又,可使上述黏著劑層A中含有對應基礎聚合物之交聯劑。又,亦可視需要在黏著劑層A中添加例如天然物或合成物之樹脂類、玻璃纖維或玻璃珠、金屬粉或其他無機粉末等所組成之填充劑、顏料、著色劑或防氧化劑等適當之添加劑。又,亦可為含有透明微粒且被賦予光漫射性之黏著劑層A。
再者,於上述透明微粒中,可使用如下1種或2種適當微粒:例如平均粒徑為0.5~20μm之二氧化矽、氧化鈣、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化錫、氧化銦、氧化鎘、氧化銻等具有導電性之無機系微粒,或者由類似聚甲基丙烯酸甲酯、聚氨酯之類的適當聚合物所組成之交聯或者未交聯之有機系微粒等。
上述黏著劑層A通常被用作將基礎聚合物或其組合物溶解或分散到溶劑中所形成之固體成分濃度為10~50重量%左右之黏著劑溶液。作為上述溶劑,可適當地選擇使用甲苯、醋酸乙酯等有機溶劑或水等與黏著劑之種類相對應之溶劑。
該黏著劑層A具有如下功能:在積層透明基體T黏著後,利用其緩衝效果而提高設置在薄膜基材F之一個面上的導電性薄膜之耐擦傷性以及作為觸控式面板用之觸碰特性,即所謂筆輸入耐久性及表面壓力耐久性。從更好地發揮該功能之觀點而言,較好的是將黏著劑層A之彈性係數
設定為1~100N/cm2
之範圍,將厚度設定為1μm以上,通常設定為5~100μm之範圍。
在上述彈性係數不足1N/cm2
時,黏著劑層A為非彈性,故因加壓而易變形,在薄膜基材F上,進而在導電性薄膜3上產生凹凸。又,易產生黏著劑自加工切斷面露出等現象,而且導電性薄膜3之耐擦傷性及作為觸控式面板用之觸碰特性之提高效果降低。另一方面,在彈性係數超過100N/cm2
時,黏著劑層A變硬,其緩衝效果無法期待,因此存在如下傾向:難以提高導電性薄膜3之耐擦傷性、作為觸控式面板用之筆輸入耐久性、以及表面壓力耐久性。
又,在黏著劑層A之厚度不足1μm時,由於其緩衝效果無法期待,因此存在如下傾向:難以提高導電性薄膜3之耐擦傷性、作為觸控式面板用之筆輸入耐久性、以及表面壓力耐久性。另一方面,若厚度過厚,則會損害透明性,或者在黏著劑層A之形成、積層透明基體T之貼合作業性、進而成本方面難以取得較佳結果。
經由上述黏著劑層A而貼合之積層透明基體T係對薄膜基材F賦予良好之機械強度,除了有助於筆輸入耐久性及表面壓力耐久性以外,尤其有助於防止捲曲等現象之產生。
在使用上述間隔件來轉印黏著劑層A時,作為上述間隔件,較好的是使用例如在聚酯薄膜之至少與黏著劑層A黏接之面上積層有移動防止層及/或離型層之聚酯薄膜等。
又,視需要,亦可在上述積層透明基體T之外表面(與黏
著劑層相反側之面)上,設置用以提高辨認性之防眩光處理層或防反射層,或者設置用以保護外表面之硬塗處理層。作為硬塗處理層,較好的是使用例如由三聚氰胺系樹脂、氨基甲酸酯系樹脂、醇酸系樹脂、丙烯酸系樹脂、矽系樹脂、環氧樹脂等硬化型樹脂所構成之硬化被膜。
圖2係表示使用有上述本發明之透明導電性積層體(圖1)之觸控式面板之例。即,一種觸控式面板,其係將具有透明導電性薄膜P1d、P2d之一對面板P1、P2經由間隔件S對向配置而形成,以便使形成為相互正交之條紋狀的透明導電性薄膜P1d、P2d彼此對向,作為其中一個面板P1,其使用有上述圖1所示之透明導電性積層體。
該觸控式面板作為如下之透明開關結構體而發揮功能:在從面板P1側使用輸入筆等來抵抗間隔件S之彈力而進行按壓觸碰時,導電性薄膜P1d、P2d彼此接觸,電路成為接通狀態,當解除上述按壓時,返回到原先之關閉狀態。此時,由於面板P1係由上述透明導電性積層體而構成,因此透明導電性薄膜在耐擦傷性、觸碰特性或筆輸入耐久性、表面壓力耐久性等方面優異,可經過長時間而穩定地維持上述作用。
再者,圖2中,面板P1亦可係圖1所示之透明導電性積層體。又,面板P2係在由塑料薄膜或玻璃板等所構成之透明基體F上設置有透明導電性薄膜P2d之板,但亦可使用與上述面板P1相同之圖1所示之透明導電性積層體。
以下,記載本發明之實施例來進行更具體之說明。再者,以下說明中,所謂份,係指重量份。
在與透明介電體薄膜及透明導電性薄膜之折射率不同之適當的熱可塑性薄膜基板上,於相同之塗敷條件下進行單層積層,並使用在該積層面之光反射光譜上根據光干涉效果而體現的反射率之極大峰或極小峰之波長與該峰反射率之值,利用光學擬合而計算出各層之折射率與膜厚。又,硬塗層之折射率係使用阿貝折射率計(測量波長590nm)來測量,並且厚度係使用與上述透明介電體薄膜相同之光干涉法來計算而求出。第一透明介電體薄膜之表面電阻值(Ω/square)係利用三菱化學公司製之高阻計來測量的。膜厚係利用日立製作所製之透過型電子顯微鏡H-7650來測量的。
在由厚度125μm之聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(以下稱作PET薄膜)所構成之薄膜基材(光之折射率nf=1.66)之一個面上,在氬氣95%與氧氣5%之混合氣體環境下,利用下述條件之反應濺鍍法,由氧化銦100份、氧化錫10份及氧化鈰25份之混合物之燒結體形成在氧化銦100份中含有氧化錫10份及氧化鈰25份之複合氧化物(光之折射率n1=2.1)之第一透明介電體薄膜。第一透明介電體薄膜之厚度為32nm,表面電阻值(Ω/square)為8.5×109
。
靶尺寸:200mm×500mm
輸出:3.0kw
電壓值:450V
放電時間:1min
真空度:0.5Pa
其次,在第一透明介電體薄膜上,利用電子束加熱法,以1×10-2
~3×10-2
Pa之真空度對SiO2
(光之折射率n2=1.46)進行真空蒸鍍,以形成厚度50nm之第二透明介電體薄膜。
繼而,在上述SiO2
薄膜上,使用氬氣95%與氧氣5%之混合氣體,在0.5Pa之環境中,利用反應濺鍍法,由氧化銦100份及氧化錫10份之混合物之燒結體來形成在氧化銦100份中含有氧化錫10份之複合氧化物(光之折射率n3=2.0)之透明導電性薄膜。
作為硬塗層之形成材料,在丙烯酸.氨基甲酸酯系樹脂(大日本油墨化學株式會社製之UNIDIC 17-806)100份中,添加作為光聚合引發劑之羥基環己基苯基酮(汽巴特殊化學品(Ciba Specialty Chemicals)公司製之Irgacure 184)5份,以調配濃度稀釋為30 wt%之甲苯溶液。
在由厚度為125μm之PET薄膜所構成之基體薄膜之一個面上,塗佈上述硬塗層之形成材料,並在100℃時乾燥3分鐘。其後,隨即以2個臭氧型高壓汞燈(能量密度80
W/cm2
,15cm聚光型)進行紫外線照射,形成厚度為5μm之硬塗層。
繼之,在上述基體薄膜之與硬塗層形成面相反側之面上,形成厚度約20μm、彈性係數10N/cm2
之透明的丙烯酸系黏著劑層。作為黏著劑層之組合物,使用在由丙烯酸丁酯、丙烯酸及醋酸乙烯酯之重量比為100:2:5之丙烯酸系共聚物100份中添加有1份異氰酸酯系交聯劑而成之組合物。在上述黏著劑層側貼合有由厚度25μm之PET薄膜所構成之基體薄膜,以製作具有兩片PET薄膜之積層透明基體。
在上述積層透明基體之與硬塗層形成面相反側之面上,以與上述相同之條件而形成黏著劑層,並使該黏著劑層面與薄膜基材(未形成有導電性薄膜之一側的面)貼合,以此製作本實施例之透明導電性積層體。
在實施例1(第一透明介電體薄膜之形成)中所獲得之第一透明介電體薄膜上,利用氧化矽塗敷法形成濕SiO2
膜。亦即,塗佈將矽膠(Colcoat公司製之「Colcoat P」)以乙醇稀釋而成之固體成分濃度為2%之材料,並在150℃時乾燥2分鐘,其後使其硬化,以形成厚度為30nm之濕SiO2
膜(相對折射率為1.46)。
在實施例1中,除了利用上述方法形成第二透明介電體薄膜以外,以與實施例1相同之方法形成透明導電性薄膜,以製作透明導電性積層體。
在厚度25μm之PET薄膜上,利用#16號製線條料來塗佈如下溶液:在紫外線硬化型樹脂(旭電化公司製,KRX571-76NL)100份中混合矽系勻化劑0.5份,並以溶劑稀釋成固體成分達20%之溶液,使得乾燥後之膜厚為3μm,在將溶劑以乾燥爐氣化後,利用高壓汞燈進行紫外線照射以使其硬化,從而形成透明硬塗層(光之折射率為1.54)。
於實施例1中,使用形成有上述硬塗層之PET薄膜作為薄膜基材,並在該硬塗層上,利用與實施例1相同之反應濺鍍法,由氧化銦100份、氧化錫5份及氧化鈰10份之混合物之燒結體形成在氧化銦100份中含有氧化錫5份及氧化鈰10份之複合氧化物(光之折射率n1=2.05)之第一透明介電體薄膜,除此以外,以與實施例1相同之方法形成第一透明介電體薄膜。第一透明介電體薄膜之厚度為35nm,表面電阻值(Ω/square)為5.7×107
。
其次,在第一透明介電體薄膜上,以與實施例1相同之方法形成第二透明介電體薄膜,進而以與實施例1相同之方法形成透明導電性薄膜。並且,將上述薄膜基材(未形成有透明導電性薄膜之一側的面)以與實施例1相同之方法
與積層透明基體貼合,由此獲得透明導電性積層體。
取代實施例1中之積層透明基體,作為本例之透明基體,使用在由厚125μm之PET薄膜所構成之基體薄膜上形成有硬塗層者(在實施例1之積層透明基體中,未貼合有由厚度25μm之PET薄膜所構成之基體薄膜者)除此以外,以與實施例1相同之方法而製作透明導電性積層體。
取代實施例2中之積層透明基體,作為本例之透明基體,使用在由厚125μm之PET薄膜所構成之基體薄膜上形成有硬塗層者(在實施例1之積層透明基體中,未貼合有由厚度25μm之PET薄膜所構成之基體薄膜者),除此以外,以與實施例2相同之方法製作透明導電性積層體。
對實施例及比較例中所獲得之透明導電性積層體進行下述評價,其結果顯示於表1中。
記載有在實施例1中所記載之濺鍍條件下的第一透明介電體薄膜之濺鍍速率。在實施例1中所記載之濺鍍條件下,較好的是均勻之濺鍍速率。
使用三菱化學公司製之低阻計來測量表面電阻值(Ω/square)。透明導電性薄膜之表面電阻值被設定為450(Ω/square),較好的是不會自450(Ω/square)改變。
使用島津製作所製造之分光分析裝置UV-240來測量光波長550nm時之可見光線透射率。
使用島津製作所製造之分光光度計UV3150來測量色相b*。色相b*表示透射光之著色,當色相b*之值向負側變大時,透射光之藍色感增加,當色相b*之值向正側變大時,透射光之黃色感增加。色相b*之值為-2~2之範圍內時可抑制著色,因此較佳。
如圖3所示,在以載荷2kg來擠壓表面壓力耐久性試驗用夾具(接地直徑Φ20mm)之狀態下(夾具在觸控式面板接地時之摩擦係數為0.7~1.3),使夾具相對於各觸控式面板而滑動,並在規定條件下測量滑動後之直線性(lineality),評價表面壓力耐久性。滑動動作係在如下區域內進行:在透明導電性積層體側,在與觸控式面板之周緣部相距5mm以上之範圍內。又,滑動條件為,將滑動次數設為100次,將觸控式面板之間距設為100μm。
直線性之測量如下所述。亦即,在透明導電性積層體中,施加5V電壓,並且將測量開始位置A之輸出電壓設為EA
,測量結束位置B之輸出電壓設為EB
,測量點之輸出電壓設為EX
,理論值設為EXX
,此時直線性可由以下方法而獲得。
即,在各觸控式面板滑動後,在透明導電性積層體中,施加5V之電壓,並將測量開始位置A之輸出電壓設為EA
、
測量結束位置B之輸出電壓設為EB
、測量點之輸出電壓設為EX
、理論值設為EXX
,則可利用以下數式來計算出直線性。圖4中顯示由實施例1獲得之觸控式面板中之電壓值與測量位置之間的關係之圖表。該圖所示之實線表示實測值,虛線表示理論值。根據所獲得之直線性之值來評價表面壓力耐久性,其結果顯示於下表1中。
[數1]EXX
(理論值)=X.(EB
-EA
)/(B-A)+EA
直線性(%)={(EXX
-EX
)/(EB
-EA
)}×100
如表1所示,實施例之透明導電性積層體之第一透明介電體薄膜為高折射率、高透射率,故容易進行光學調整。又,第一透明介電體薄膜具有高電阻值,故透明導電性積層體之導電性不會受損。又,濺鍍速率佳,生產性亦良好。而且,當為實施例之觸控式面板時,可知表面壓力耐久性優異。特別是可使用特定之薄膜作為實施例之第一透明介電體薄膜來提高表面壓力耐久性。
1‧‧‧第一透明介電體薄膜
2‧‧‧第二透明介電體薄膜
3‧‧‧透明導電性薄膜
A,a‧‧‧黏著劑層
F‧‧‧薄膜基材
t1,t2‧‧‧基體薄膜
T‧‧‧積層透明基體
圖1係表示本發明之透明導電性積層體之一例之剖面
圖。
圖2係表示本發明之觸控式面板之一例之剖面圖。
圖3係用以說明本發明之實施例的觸控式面板之表面壓力耐久性試驗之剖面示意圖。
圖4係表示實施例1中所獲得之觸控式面板的電壓值與測量位置之關係之圖表。
1‧‧‧第一透明介電體薄膜
2‧‧‧第二透明介電體薄膜
3‧‧‧透明導電性薄膜
A,a‧‧‧黏著劑層
F‧‧‧薄膜基材
t1,t2‧‧‧基體薄膜
T‧‧‧積層透明基體
Claims (4)
- 一種透明導電性積層體,其係在厚度2~200μm之透明薄膜基材之一面上,從上述薄膜基材側開始依次形成第一透明介電體薄膜、第二透明介電體薄膜及透明導電性薄膜,並在透明薄膜基材之另一個面上,經由透明黏著劑層而貼合有透明基體,該透明導電性積層體之特徵在於:第一透明介電體薄膜係藉由真空蒸鍍法、濺鍍法或離子電鍍法而形成,且第一透明介電體薄膜係由氧化銦100重量份中含有氧化錫0~20重量份、氧化鈰10~40重量份之複合氧化物所構成,在將第一透明介電體薄膜之折射率設為n1,將第二透明介電體薄膜之折射率設為n2,將透明導電性薄膜之折射率設為n3時,滿足n2<n3≦n1之關係,透明基體係將至少2片透明基體薄膜經由透明黏著劑層而積層之積層透明基體。
- 如請求項1之透明導電性積層體,其中第一透明介電體薄膜之厚度為10~200nm,且表面電阻值為1×106 (Ω/square)以上。
- 如請求項1之透明導電性積層體,其中在上述透明基體之外表面上設有樹脂層。
- 一種觸控式面板,其係將具有透明導電性薄膜之一對面板以使透明導電性薄膜彼此對向之方式經由間隔件對向配置而形成,該觸控式面板之特徵在於:至少一個面板含有如請求項1~3中任一項之透明導電性積層體。
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