TWI389623B - 殼體結構 - Google Patents

Description

殼體結構

本發明是有關於一種殼體結構，且特別是有關於一種能防止靜電放電與阻絕漏電流的殼體結構。

現今的電子裝置中，如何防止靜電放電成了產品安全的一個重要課題。為了避免靜電放電造成電子裝置內的電子元件損壞，習知一種作法便是在電子裝置內的兩個不同的接地端之間裝設二極體，例如美國專利US4,958,255中所示者。

再者，當使用者操作電子裝置時，人體所帶的靜電亦會沿著機殼上的縫隙進入機殼內部而放電。為了解決此問題，在另一習知技術中是在機殼內與電子元件之間配置一導電件或防止靜電的電路板，並將此導電件或電路板連接至接地端，藉以將靜電導引至接地端，以避開機殼內的電子元件，例如美國專利US20070121308與US20060266544中所示者。

惟上述這些技術僅解決由外而內的靜電放電導致內部電子元件損壞的問題，卻未考慮到電子裝置於使用時，其機殼內的主機板模組會產生漏電流，而此漏電流會傳導至電子裝置的機殼造成使用者觸電的情形發生。此外，上述這些技術仍須在機殼內增設構件，此舉亦會造成電子裝置的內的可利用空間減少，並會增加電子裝置的成本。

本發明提供一種殼體結構，其具有較佳的可靠度與安全性。

本發明的一實施例提出一種殼體結構，適用於一電子裝置。殼體結構包括一第一導體層、一第二導體層以及一第一表面處理層。第一導體層具有一錐形凸部。第二導體層配置於第一導體層的一側，且錐形凸部的一窄端朝向第二導體層。第一表面處理層位於錐形凸部與第二導體層之間。當該第二導體層接受一靜電時，該靜電將被該窄端之該第一導體層所吸引而跳躍至該第一導電層。當該電子裝置產生一漏電流且該漏電流傳遞至該第一導體層時，該漏電流將被該第一表面處理層阻擋而使該第二導體層表面不會有該漏電流。

基於上述，在本發明的上述實施例中，殼體結構藉由在第一導體層所形成的錐形凸部，其窄端朝向第二導體層，並在錐形凸部與第二導體層之間形成一第一表面處理層。此舉使電子裝置外部的靜電電荷藉由錐形凸部的尖端放電效應而傳導至第一導體層，以避免損害電子裝置內的元件。再者，此殼體結構更進一步使電子裝置內的元件所產生的漏電流被第一表面處理層所阻絕，而不會使漏電流傳導至電子裝置的殼體外而造成使用者觸電的情形。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是本發明一實施例的一種殼體結構的示意圖。請參考圖1，殼體結構100適用於一電子裝置(未繪示)。在本實施例中，殼體結構100包括一第一導體層110、一第二導體層120、一第一表面處理層130以及一絕緣層140。隨著產品設計之不同，第一導體層110與第二導體層120可為一金屬層、第一表面處理層130可為一金屬氧化物層、且絕緣層140可為一塑膠層。第一導體層110配置在絕緣層140上，而絕緣層140具有一凹槽142，因而第一導體層110在凹槽142內的部分形成一錐形凸部112。

再者，第二導體層120配置於第一導體層110的一側。第一表面處理層130位於絕緣層140與第二導體層120之間，而上述錐形凸部112的窄端朝向第二導體層120。換句話說，第一表面處理層130即位在錐形凸部112與第二導體層120之間。第一表面處理層130為針對第二導體層120進行表面處理後所生成之產物。當第二導體層120為金屬層時，第一表面處理層130為金屬氧化物層。

殼體結構100藉由第一導體層110、絕緣層140、第一表面處理層130與第二導體層120依序配置，其中第一導體層110並形成錐形凸部112，且此錐形凸部112的窄端朝向第二導體層120。因此，位在第二導體層120處的靜電電荷便能被錐形凸部112的電荷所吸引產生尖端放電效應而跳躍至第一導體層110，並可將第一導體層110接地而消除靜電電荷，以保護電子裝置內的元件。再者，此 殼體結構100更進一步地使第一表面處理層130阻擋由電子裝置內的元件所產生的漏電流，因而避免漏電流傳導至第二導體層120而造成使用者觸電的情形。由於靜電電荷的能量遠大於漏電流的能量，因此靜電電荷可透過第一導體層110內的錐形凸部112由第二導體層120穿過第一表面處理層130而傳遞至第一導體層110。漏電流將會被第一表面處理層130所阻擋而將無法透過第一導體層110內的錐形凸部112由第一導體層110傳遞至第二導體層120。

在本實施例中，第二導體層120具有一第一表面S1與一第二表面S2，其中第一表面處理層130配置在第一表面S1上。在此，第一表面處理層130可藉由對第二導體層120進行表面處理而形成，其厚度小於7微米(micrometer)。當第二導體層120形成於絕緣層140上且第一導體層110位於絕緣層140內之凹槽142而形成錐形凸部112時，第二導體層120即浮接(floating)在絕緣層140的一側，而位於錐形凸部112與第二導體層120之間的第一表面處理層130便能成為阻擋漏電流傳遞的結構。另一方面，正由於第一表面處理層130的厚度較小，因此帶有高電壓的靜電電荷仍能通過此第一表面處理層130而不受影響地傳遞至第一導體層110。

再者，殼體結構100更包括一第二表面處理層150，其配置在第二導體層120的第二表面S2上。第二表面處理層150亦是對第二導體層120進行表面處理而成。在此，相互背對的第一表面處理層130與第二表面處理層150能 作為保護第二導體層120的結構，以避免第二導體層120的表面發生鏽蝕的情形。

在此值得注意的是，為了讓靜電電荷在第二導體層120與第一導體層110的錐形凸部112之間順利地傳遞，因此錐形凸部112的側面與第一導體層110不具錐形凸部112處的平面之間的夾角T1，其較佳的角度範圍為10度至179度。此舉讓錐形凸部112的窄端能保持朝向第二導體層120的方向，進而確保第一導體層110與第二導體層120之間的尖端放電的進行。再者，為了形成容易進行尖端放電的錐形凸部112，因此絕緣層140的凹槽142形狀也以圓錐形或角錐形較佳。在本實施例中錐形凸部112為一正角錐形或一正圓錐形，而在其他未繪示的實施例中，錐形凸部亦可為一斜角錐形或一斜圓錐形，亦即錐形凸部的中心軸傾斜於第一表面處理層130所在的平面。

圖2是本發明另一實施例的一種殼體結構的示意圖。請參考圖2，與上述實施例不同的是，在殼體結構200中，凹槽242貫通絕緣層240而呈截錐狀。此時位於錐形凸部212處的第一導體層210直接接觸位於第二導體層120上的第一表面處理層130，此舉亦能達到與上述實施例相同的效果。

圖3是本發明又一實施例的一種殼體結構的示意圖。請參考圖3，與上述實施例不同的是，在本實施例的殼體結構300中，原殼體結構100中的第一導體層110是由一導電殼體310所形成。換句話說，此殼體結構300的主體 是由第二導體層120與導電殼體310所組合而成，而非上述實施例中以絕緣層140與第二導體層120為主體的殼體結構100。

在本實施例中，導電殼體310具有一錐形凸部312，其例如對導電殼體310進行沖壓製作而成。與上述利用絕緣層140的凹槽142所形成的錐形凸部112一樣，此錐形凸部312亦具有尖端放電的功能，再加上對導電殼體310進行接地，因此在與上述實施例類似的結構配置之下，殼體結構300同樣具有防止靜電與漏電流的效果。

此外，殼體結構300更包括一第三表面處理層360與一第四表面處理層370，分別配置在導電殼體310的相對兩表面。與第一表面處理層130與第二表面處理層150一般，第三表面處理層360與第四表面處理層370亦是對導電殼體310進行表面處理所形成，用以保護導電殼體310以避免其產生鏽蝕。

綜上所述，在本發明的上述實施例中，殼體結構藉由在第一導體層形成錐形凸部並使其窄端處朝向第二導體層，並在錐形凸部與第二導體層之間形成第一表面處理層因此殼體結構便能以第一表面處理層阻隔漏電流，並同時以錐形凸部的尖端放電將靜電電荷傳導至第一導體層。此舉讓殼體結構無須增設構件即能同時具有防止靜電與漏電流的效果，因而能有效地增進電子裝置的可靠度與安全性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧殼體結構

110‧‧‧第一導體層

112‧‧‧錐形凸部

120‧‧‧第二導體層

130‧‧‧第一表面處理層

140‧‧‧絕緣層

142‧‧‧凹槽

150‧‧‧第二表面處理層

200‧‧‧殼體結構

210‧‧‧第一導體層

212‧‧‧錐形凸部

240‧‧‧絕緣層

242‧‧‧凹槽

300‧‧‧殼體結構

310‧‧‧導電殼體

312‧‧‧錐形凸部

360‧‧‧第三表面處理層

370‧‧‧第四表面處理層

S1‧‧‧第一表面

S2‧‧‧第二表面

T1‧‧‧夾角

圖1是本發明一實施例的一種殼體結構的示意圖。

圖2是本發明另一實施例的一種殼體結構的示意圖。

圖3是本發明又一實施例的一種殼體結構的示意圖。

100‧‧‧殼體結構

110‧‧‧第一導體層

112‧‧‧錐形凸部

120‧‧‧第二導體層

130‧‧‧第一表面處理層

140‧‧‧絕緣層

142‧‧‧凹槽

150‧‧‧第二表面處理層

S1‧‧‧第一表面

S2‧‧‧第二表面

T1‧‧‧鈍角

Claims (9)

1. 一種殼體結構，適用於一電子裝置，該殼體結構包括：一第一導體層，具有一錐形凸部；一第二導體層，配置於該第一導體層的一側，且該錐形凸部的一窄端朝向該第二導體層；一第一表面處理層，位於該錐形凸部與該第二導體層之間；當該第二導體層接受一靜電時，該靜電將被該窄端之該第一導體層所吸引而跳躍至該第一導體層；以及當該電子裝置產生一漏電流且該漏電流傳遞至該第一導體層時，該漏電流將被該第一表面處理層阻擋而使該第二導體層表面不會有該漏電流。
2. 如申請專利範圍第1項所述的殼體結構，其中該錐形凸部的側面與該第一導體層不具該錐形凸部處的平面之夾角的範圍為10度至179度。
3. 如申請專利範圍第1項所述的殼體結構，其中該第一表面處理層配置在該第二導體層的一第一表面上。
4. 如申請專利範圍第3項所述的殼體結構，更包括：一第二表面處理層，配置在該第二導體層之一背對該第一表面的第二表面上。
5. 如申請專利範圍第1項所述的殼體結構，更包括：一絕緣層，位於該第一導體層與該第一表面處理層之間，該第一導體層配置在該絕緣層上，該絕緣層具有一凹 槽，且該第一導體層在該凹槽內的部分形成該錐形凸部。
6. 如申請專利範圍第5項所述的殼體結構，其中該凹槽呈圓錐形或角錐形。
7. 如申請專利範圍第5項所述的殼體結構，其中該凹槽貫通該絕緣層。
8. 如申請專利範圍第1項所述的殼體結構，其中該第一導體層是由一導電殼體所形成。
9. 如申請專利範圍第8項所述的殼體結構，更包括：一第三表面處理層與一第四表面處理層，分別配置在該導電殼體的相對兩表面。