TWI385797B

TWI385797B - Active matrix display device

Info

Publication number: TWI385797B
Application number: TW097138802A
Authority: TW
Inventors: Hiroshi Sagawa; Takayuki Taneda; Tetsuro Yamamoto; Junichi Yamashita; Katsuhide Uchino; Yukihito Iida; Mitsuru Asano
Original assignee: Sony Corp
Priority date: 2007-11-01
Filing date: 2008-10-08
Publication date: 2013-02-11
Also published as: TW200933884A; JP4466755B2; CN101425530A; CN101425530B; JP2009134233A

Description

主動矩陣型顯示裝置

本發明係關於一種具備呈矩陣狀排列之發光元件並藉由針對每個發光元件而設置之驅動機構來進行驅動之主動矩陣型顯示裝置。更詳細而言，本發明係關於一種於主動矩陣型顯示裝置中能夠實現良率之提高之技術。

先前以來，於自發光之主動矩陣型顯示裝置中有機EL顯示器廣為人知，該有機EL顯示器使用有機電致發光元件(以下，稱為「有機EL元件」)作為其發光元件。亦即，有機EL顯示器係將有機EL元件排列成矩陣狀，並且針對每個有機EL元件而設有驅動機構者，有機EL元件係如下之電流發光元件，即，於陽極電極與陰極電極之間，配置將有機物之電洞輸送層或有機物之發光層層積而成之有機物層，藉由對有機物層注入電子與電洞注入而使其發光。因此，有機EL顯示器係藉由驅動機構來控制有機EL元件中流動之電流值，藉此獲得發色之色調。

圖17係表示有機EL顯示器110之佈線構造之參考例之平面圖。

又，圖18係圖17所示之有機EL顯示器110中之列方向(圖17中為橫向)之剖面圖。

如圖17所示，有機EL顯示器110係有機EL元件120排列成m列×n行(圖17中為為簡化圖式而表示為2列×3行)之矩陣狀者。

於此，有機EL顯示器110係於基板111(參照圖18)之上設置有TFT(thin-film transistor)(薄膜電晶體)130(TFT 130a、TFT 130b)或電容器(電容元件)140等作為驅動有機EL元件120之驅動機構者。繼而，TFT 130如圖18所示，於閘極電極131之上，分別層積閘極絕緣膜132、a-Si(非晶矽)層133、保護膜134，並於a-Si層133之左側配置源極電極135，於a-Si層133之右側配置汲極電極136。再者，設置適量含有n型雜質之n+型a-Si層137，以使a-si層133與源極電極135或者汲極電極136之歐姆接觸良好。

又，於閘極絕緣膜132之上，佈設有作為用以驅動有機EL元件120之驅動用佈線之一的信號線151。繼而，於TFT 130以及信號線151之上，層積有由絕緣保護膜161與絕緣平坦化膜162構成之絕緣膜160，絕緣平坦化膜162之表面為無凹凸之平坦面。再者，於驅動用佈線中，除了信號線151以外，還有圖17所示之掃描線152以及電源線153，但該等驅動用佈線佈設於絕緣膜160內。

進而，又於圖18所示之絕緣平坦化膜162之上排列著有機EL元件120。該有機EL元件120係於陽極電極121與陰極電極122之間配置著有機物層123者。繼而，陽極電極121經由於絕緣膜160上開口之連接孔(未圖示)而與TFT 130連接。再者，有機物層123係由藉由所注入之電子與電洞之再結合而進行發光之有機物構成。

進而，陰極電極122為透明電極。因此，有機物層123所發出之光可從自覆蓋陽極電極121周圍之開口限定絕緣膜124露出之中央部被取出。亦即，圖17以及圖18所示之有機EL顯示器110係成為自與基板111之相反側取出光之頂部發光方式者。

然而，於頂部發光方式之有機EL顯示器110之情形時，如上所述，係使用可取出有機物層123所發出之光之透明電極來作為陰極電極122，但透光率較高之導電性材料電阻值較高。另一方面，對於基板111側之陽極電極121係使用反射率較高之金屬等。因此，藉由於陽極電極121之周圍佈設輔助佈線154，並使之與陰極電極122連接，從而實現陰極電極122之低電阻化。

該輔助佈線154如圖18所示，與陽極電極121設於同一層，並與針對呈矩陣狀排列之有機EL元件120之各行之每一行而佈設之信號線151上下重合。又，如圖17所示，輔助佈線154亦與針對有機EL元件120之各列之每一列而佈設之掃描線152及電源線153重合。並且，輔助佈線154與信號線151、掃描線152及電源線153藉由絕緣膜160(參照圖18)而絕緣。進而，信號線151於與掃描線152及電源線153交叉之位置上分別上下重合，但信號線151與掃描線152及電源線153藉由絕緣膜160而絕緣。

然而，若於製造步驟中混入異物等，則會因該異物而產生短路，從而導致良率下降。亦即，當因TFT 130之製作步驟上之蝕刻差錯等而產生同層間之短路，或者因塵埃等原因而產生異層間之短路，從而引起佈線間之短路時，會造成點缺陷或導致有機EL元件120之橫一行或者縱一行全部成為線缺陷，從而導致良率變差。於該情形時，亦可考慮使輔助佈線154之佈線寬度變窄，或者使設置面積減小，藉此不與信號線151等重合，但如此一來會導致輔助佈線154之電壓下降，產生串擾，故較為困難。又，如圖17所示，所布局之信號線151與掃描線152及電源線153交叉。

因此，眾所周知有一種在產生短路時能夠進行其修復作業之矩陣型佈線基板。亦即，該矩陣型佈線基板之技術如下：針對覆蓋閘極線上交叉之汲極線之層間絕緣膜，以夾持兩線之交點之方式預先形成一對開口部，於該開口部中使汲極線露出。繼而，當因層間絕緣膜之缺陷而於兩線之交點處產生短路，並於檢查步驟中偵測到該短路時，破壞夾持該短路部分之一對開口部各自內側(短路側)之層間絕緣膜，將其下方之汲極線切斷。其後，經由一對開口部以繞過短路部分之方式形成旁路線，將切斷之汲極線再次連接(例如，參照專利文獻1)。

[專利文獻1]日本專利特開2000-241833號公報

然而，上述專利文獻1之技術僅於有可能產生短路之交點兩側預先形成一對開口部，並於短路產生之後形成旁路線。因此，需要重新形成旁路線之步驟，於短路產生時之修復作業較為費時費力。

因此，本發明所欲解決之課題係於輔助佈線、信號線、掃描線或者電源線等各種佈線中，當產生同層間之短路或異層間之短路時，能簡單且迅速地修復該短路部分，而無需重新形成旁路線。

本發明係藉由以下解決手段來解決上述課題。

本發明之請求項1所揭示之發明係一種主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於包括：驅動機構，其係設於基板上；絕緣膜，其係層積於上述基板上；及發光元件，其係於上述絕緣膜上呈矩陣狀排列，且於上部電極與下部電極之間具有發光層；由設於每個上述發光元件之上述驅動機構所驅動，且包括：第1佈線，其係使上述發光元件發光所必需者；及第2佈線，其係經由上述絕緣膜而設於上述第1佈線之下層，且係使上述發光元件發光所必需者；於上述第1佈線與上述第2佈線交叉之位置上，上述第1佈線或者上述第2佈線分支為複數條。

(作用)

上述請求項1所揭示之發明包括：第1佈線，其係使發光元件發光所必需者；及第2佈線，其係經由絕緣膜而設於第1佈線之下層，且係使發光元件發光所必需者。並且，於第1佈線與第2佈線交叉之位置上，第1佈線或者第2佈線分支為複數條。因此，藉由第1佈線或者第2佈線之分支而成為預先形成有旁路線之狀態。

根據上述發明，於第1佈線與第2佈線交叉之位置上，第1佈線或者第2佈線分支為複數條，因此成為預先形成有旁路線之狀態。因此，當因製造步驟中之異物混入等而產生短路時，藉由避開短路而經由旁路線，能簡單且迅速地修復該短路部分。其結果，可謀求主動矩陣型顯示裝置之良率提高。

以下，參照圖式等，對本發明之各實施形態加以說明。

圖1係表示第1實施形態之有機EL顯示器10作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

又，圖2係圖1所示之有機EL顯示器10之等價電路圖。

如圖1所示，有機EL顯示器10具備有機EL元件20，該有機EL元件20由陽極電極21(相當於本發明之下部電極者)、陰極電極22(相當於本發明之上部電極者)以及有機物層23(相當於本發明之發光層者)構成。再者，陰極電極22為透明電極。

該有機EL元件20係藉由圖2所示之本發明之驅動機構即TFT 30(TFT 30a、TFT 30b)或電容器40來進行驅動。亦即，有機EL顯示器10例如具備：陰極電極22與GND(接地)連接之有機EL元件20；源極電極35a與有機EL元件20之陽極電極21連接且汲極電極36a與正電位(Vcc)之電源線53連接之TFT 30a；源極電極35b與TFT 30a之閘極電極31a連接，閘極電極31b與掃描線52連接且汲極電極36b與信號線51連接之TFT 30b；以及連接於TFT 30a之源極電極35a與TFT 30b之源極電極35b之間之電容器40。

如此之有機EL顯示器10中，TFT 30a為驅動電晶體，TFT 30b為開關電晶體。並且，當對掃描線52施加寫入信號，並控制TFT 30b之閘極電極31b之電位時，信號線51之信號電壓被施加至TFT 30a之閘極電極31a。此時，閘極電極31a之電位直至下次對掃描線52施加寫入信號為止之期間，由電容器40穩定地保持。於是，此期間內，與TFT 30a之閘極電極31a和源極電極35a之間的電壓相應之電流流入至有機EL元件20中，有機EL元件20以與該電流值相應之亮度持續發光。

如此，有機EL顯示器10對流入至有機EL元件20之電流值進行控制而發光。又，由於係藉由對電源線53進行脈衝驅動而驅動各有機EL元件20，因此電源線53並不共通，而於呈矩陣狀排列之有機EL元件20之各列中輸入各自之脈衝。並且，若電路動作準確進行，則有機EL元件20發光時之電壓中包含作為TFT 30a(驅動電晶體)之特性不均之臨限值電壓或遷移率之修正項，但不包含有機EL元件20之電流一電壓特性受到影響之項，因此能抑制有機EL元件20隨時間之劣化或TFT 30a之特性不均。

於此，自有機EL元件20產生之光係自圖1所示之開口限定絕緣膜24之露出部分(中央部)被取出。亦即，開口限定絕緣膜24係設於陽極電極21以及有機物層23之周圍者，且中央部開口。因此，有機EL元件20產生之光於開口限定絕緣膜24之露出之中央部通過透明之陰極電極22而射出至外部。再者，於開口限定絕緣膜24內，佈設有用以調節陰極電極22之電阻之輔助佈線24(相當於本發明之第1佈線者)。

圖3係表示第1實施形態之有機EL顯示器10之佈線構造來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

又，圖4係圖3所示之有機EL顯示器10之列方向(圖3中為橫向)之剖面圖。

如圖3所示，有機EL顯示器10係有機EL元件20排列成M列×N行(圖3中為簡化圖式而表示2列×3行)之矩陣狀者。

於此，有機EL顯示器10係於基板11(參照圖4)上，使用於驅動有機EL元件20之TFT 30(TFT 30a、TFT 30b)分別針對每個有機EL元件20而設之主動矩陣型顯示裝置。再者，於基板11之上，除了TFT 30(TFT 30a、TFT 30b)以外，還設置有電容器40等。

該TFT 30如圖4所示，於閘極電極31之上，分別層積有閘極絕緣膜32(相當於本發明之絕緣膜者)、a-Si層33、保護膜34，且於a-Si層33之左側配置有源極電極35，於a-Si層33之右側配置有汲極電極36。再者，設置有適量含有n型雜質之n+型a-Si層37，以使a-Si層33與源極電極35或者汲極電極36之歐姆接觸良好。

於製造如此之TFT 30時，最初於玻璃等之基板11之上，藉由Mo(鉬)等導電性材料而形成閘極電極31。其次，以覆蓋基板11以及閘極電極31之上方之方式，使閘極絕緣膜32成膜。繼而，於閘極電極31上方之閘極絕緣膜32之上形成a-Si層33，並於其中央部(閘極電極31之上方)形成保護膜34，並且於其兩側形成n+型a-Si層37。其後，於閘極絕緣膜32以及n+型a-Si層37之上形成Al(鋁)等金屬材料並將其圖案化，作為源極電極35以及汲極電極36。

又，於閘極絕緣膜32之上，佈設有用以驅動有機EL元件20之驅動用佈線之一的信號線51(相當於本發明之第1佈線者)。作為該驅動用佈線，除了信號線51以外，還有圖3所示之掃描線52(相當於本發明之第1佈線者)以及電源線53(相當於本發明之第1佈線者)，該等驅動用佈線係於絕緣膜60內進行圖案化而形成，且相互絕緣。亦即，於TFT 30或信號線51等之周圍層積絕緣保護膜61，並於該絕緣保護膜61之上層積絕緣平坦化膜62而構成絕緣膜60。再者，絕緣平坦化膜62係用以使絕緣膜60之表面成為無凹凸之平坦面者。

進而，又於絕緣平坦化膜62之上排列著有機EL元件20。該有機EL元件20係於陽極電極21與陰極電極22之間配置著有機物層23者。繼而，陽極電極21經由絕緣膜60上開口之連接孔63(參照圖1)而與TFT 30連接，有機物層23係由藉由所注入之電子與電洞之再結合而進行發光之有機物構成。

該有機物層23發出之光從自覆蓋陽極電極21周圍之開口限定絕緣膜24露出之中央部被取出。亦即，對於陽極電極21使用反射率較高之金屬等，另一方面，陰極電極22為透光率較高之導電性材料之透明電極。因此，有機物層23發出之光可自與基板11之相反側而取出。並且，如此之頂部發光方式之有機EL顯示器10於確保有機EL元件20之開口率方面較為有效。

於此，構成陰極電極22之透光率較高之導電性材料係電阻值較高者。因此，為調節陰極電極22之電阻，實現陰極電極22之低電阻化，而於陰極電極22上連接有輔助佈線54。該輔助佈線54佈設於陽極電極21之周圍，與陰極電極22電位相同，例如接地至GND(參照圖2)。

又，如圖3所示，有機EL顯示器10針對呈矩陣狀排列之有機EL元件20之各行之每一行佈設信號線51，針對有機EL元件20之各列之每一列(各列之上方)佈設掃描線52，針對有機EL元件20之各列之每一列(各列之下方)佈設電源線53。繼而，信號線51、掃描線52以及電源線53係佈設於與陽極電極21(參照圖4)同一層上設置之輔助佈線54之下層。因此，信號線51、掃描線52、電源線53以及輔助佈線54存在相互上下重合之部分。進而，信號線51還存在與掃描線52及電源線53交叉之部分。

以此方式佈設之信號線51、掃描線52、電源線53以及輔助佈線54例如於交叉部A處，2條信號線51與掃描線52相重合。亦即，針對有機EL元件20之各行之每一行而佈設之鄰接之2條信號線51與針對有機EL元件20之各列之每一列而佈設之掃描線52正交，2條信號線51通過掃描線52之下方(各信號線51於與掃描線52交叉之位置上斷開，斷開之各信號線51彼此藉由下述信號連接線51a(未圖示)而連接，信號連接線51a佈設於掃描線52之下層)。因此，交叉部A(信號連接線51a與掃描線52之交叉部)處於易因兩者間(信號線51與掃描線52之間)之電位差而產生短路之狀況。

又，於交叉部B處，2條信號線51與電源線53相重合。亦即，針對有機EL元件20之各行之每一行而佈設之鄰接之2條信號線51與針對有機EL元件20之各列之每一列而佈設之電源線53正交，2條信號線51通過電源線53之下方(各信號線51於與電源線53交叉之位置上斷開，斷開之各信號線51彼此藉由下述信號連接線51b(未圖示)而連接，信號連接線51b佈設於掃描線52之下層)。因此，交叉部B(信號連接線51b與電源線53之交叉部)亦處於易因兩者間(信號線51與電源線53之間)之電位差而產生短路之狀況。

尤其，若有機EL顯示器10大型化，則短路之產生頻率會增加而良率會下降，因此，需要對產生短路之處進行修正之雷射修復步驟。亦即，於有機EL顯示器10之生產步驟中，設有實施用以檢測短路之光學式檢查之檢查步驟，並設有藉由來自表面之雷射照射來修正所檢測出之短路部分之步驟。

因此，第1實施形態之有機EL顯示器10如圖3所示，於信號線51與掃描線52相互重合之位置(交叉部A)處使掃描線52分支為兩條。又，於信號線51與電源線53相互重合之位置(交叉部B)處使電源線53分支為三條。再者，信號線51以使幾乎不存在與輔助佈線54上下重合之部分之方式，繞過內側而佈設。

圖5係表示第1實施形態之有機EL顯示器10中的信號線51與掃描線52之交叉部A(圖3所示之交叉部A)來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

如圖5所示，交叉部A處，2條信號線51於與掃描線52交叉之位置上斷開，斷開之各信號線51彼此分別藉由信號連接線51a(相當於本發明中之第2佈線者)而連接，各信號連接線51a與掃描線52上下正交，2條信號連接線51a通過掃描線52之下方。又，由於掃描線52分支為兩條，因此，與各信號連接線51a重合之部分之掃描線52成為主佈線52a與自主佈線52a中分支之冗餘佈線52b這兩條，成為預先形成有旁路線之狀態。

於此，如圖5(a)所示，當左側之信號線51之信號連接線51a與掃描線52之主佈線52a短路(相當於第1佈線之上層掃描線52與經由閘極絕緣膜32(參照圖4)而設於掃描線52下層之信號連接線51a異層間短路)時，如圖5(b)所示，於短路部分之兩側將主佈線52a切斷即可。於是，主佈線52a不再發揮作用，而避開短路部分之冗餘佈線52b成為旁路線，因此短路得以修復。再者，當信號線51之信號連接線51a與掃描線52之冗餘佈線52b短路時，主佈線52a成為旁路線。

圖6係表示第1實施形態之有機EL顯示器10中信號線51與電源線53之交叉部B(圖3所示之交叉部B)來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

如圖6所示，於交叉部B處，2條信號線51於與電源線53交叉之位置上斷開，斷開之各信號線51彼此分別藉由信號連接線51b(相當於本發明中之第2佈線者)而連接，各信號連接線51b與電源線53上下正交，2條信號連接線51b通過電源線53之下方。又，電源線53藉由狹縫53a及狹縫53b而分支為3條，因此與各信號連接線51b相互重合之部分之電源線53為3條，成為預先形成有旁路線之狀態。

於此，如圖6(a)所示，當左側之信號線51之信號連接線51b與電源線53之狹縫53a之上之部分短路(相當於第1佈線之上層電源線53與經由閘極絕緣膜32(參照圖4)而設於電源線53下層之信號連接線51b異層間短路)時，如圖6(b)所示，於短路部分之兩側將電源線53切斷即可。於是，於狹縫53a之上之部分，電源線53不再發揮作用，而避開短路部分之狹縫53a與狹縫53b之間的部分或狹縫53b之下之部分成為旁路線，因此短路得以修復。

如此，第1實施形態之有機EL顯示器10於信號線51之信號連接線51a與掃描線52交叉之位置(交叉部A)處掃描線52分支為兩條，於信號線51之信號連接線51b與電源線53交叉之位置(交叉部B)處電源線53分支為三條。因此成為預先形成有旁路線之狀態。因而，當因製造步驟中之異物之混入等而產生短路(異層間短路)時，藉由避開短路而經由旁路線，能簡單且迅速地修復該短路部分，因此可改善良率。

圖7係表示第2實施形態之有機EL顯示器70之佈線構造來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

如圖7所示，有機EL顯示器70係使有機EL元件(未圖示)排列成M列×N行(圖7為簡化圖式而表示2列×4行)之矩陣狀者。

於此，有機EL顯示器70針對呈矩陣狀排列之有機EL元件之各行之每一行而佈設有信號線71(相當於本發明之第1佈線者)，針對有機EL元件之各列之每一列(各列之下方)而佈設有掃描線72(相當於本發明之第1佈線者)，針對有機EL元件之各列之每一列(各列之上方)而佈設有電源線73(相當於本發明之第1佈線者)。因此，信號線71存在與掃描線72及電源線73交叉之部分。又，掃描線72與電源線73相互接近而存在。

以此方式佈設之信號線71、掃描線72及電源線73例如於交叉部C處，信號線71與掃描線72及電源線73相互重合。亦即，針對有機EL元件之各行之每一行而佈設之信號線71與針對有機EL元件之各列之每一列而佈設之掃描線72及電源線73正交，且信號線71通過掃描線72及電源線73之下方(信號線71於與掃描線72及電源線73交叉之位置處斷開，斷開之信號線71彼此藉由信號連接線71a(相當於本發明之第2佈線者)而連接，信號連接線71a佈設於掃描線72以及電源線73之下層)。因此，於交叉部C處，如圖7所示，信號線71與電源線73之間有時會產生短路(斷開之信號線71之端部與電源線73之側部之間的同層間短路)。

又，於交叉部D處，掃描線72與電源線73相接近。亦即，針對有機EL元件之各列之每一列(各列之下方)而佈設之掃描線72與針對有機EL元件之各列之每一列(各列之上方)而佈設之電源線73以狹窄之間隔於同層中平行佈設，信號線71之信號連接線71a佈設於掃描線72以及電源線73之下層。因此，於交叉部D處，如圖7所示，掃描線72與電源線73之間有時會產生短路(掃描線72之側部與電源線73之側部之間的同層間短路)。

因此，第2實施形態之有機EL顯示器70如圖7所示，於信號線71之信號連接線71a與掃描線72以及電源線73相互重合之位置(交叉部C以及交叉部D)處，藉由長方形之狹縫73a以及狹縫73b將電源線73分支為三條，當在有機EL顯示器70之生產步驟(檢查步驟)中檢測出蝕刻差錯等造成之短路時，藉由來自表面之雷射照射將所檢測出之短路部分切斷，對短路進行修復而防止線缺陷等(交叉部C以及交叉部D之粗線部分)。

圖8係表示第2實施形態之有機EL顯示器70中的信號線71與電源線73之交叉部C(圖7所示之交叉部C)之短路修復前之狀態來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖9係表示第2實施形態之有機EL顯示器70中的信號線71與掃描線72以及電源線73之交叉部C以及交叉部D(圖7所示之交叉部C以及交叉部D)之短路修復後之狀態來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

如圖8以及圖9所示，於交叉部C以及交叉部D處，信號線71於與掃描線72以及電源線73交叉之位置上斷開，斷開之信號線71彼此藉由信號連接線71a而連接，信號連接線71a與掃描線72以及電源線73上下正交，且信號連接線71a通過掃描線72以及電源線73之下方。又，電源線73藉由長方形之狹縫73a以及狹縫73b而分支為三條，因此，與信號連接線71a相互重合之部分之電源線73為3條，成為預先形成有旁路線之狀態。

於此，如圖8(a)所示之交叉部C般，於相當於第2佈線之信號連接線71a上，相當於第1佈線之信號線71與電源線73之狹縫73b之下之部分有時會產生短路(斷開之信號線71之端部與電源線73之側部之間同層間短路)。亦即，如圖8(b)所示，形成於閘極絕緣膜32上之同層中之信號線71與電源線73隔開固定之間隔(間隙)而佈設，但當該間隙中混入異物等時，會產生同層間短路。再者，如此之同層間短路由圖8(b)可明確，亦可能產生於信號線71與掃描線72之間、掃描線72與電源線73之間。另一方面，當閘極絕緣膜32中混入異物等時，上層之掃描線72或者電源線73(於該情形時相當於第1佈線)與下層之信號連接線71a(於該情形時相當於第2佈線)之間，可能會產生經由閘極絕緣膜32之異層間短路。進而，於佈設有輔助佈線54之情形時，當絕緣膜60中混入異物等時，上層之輔助佈線54(於該情形時相當於第1佈線)與下層之信號線71、掃描線72或者電源線73(於該情形時相當於第2佈線)之間，有可能會產生經由絕緣膜60之異層間短路。

如此，於有機EL顯示器70中，有時會產生同層間短路或異層間短路，但如圖8所示之交叉部C般，當信號線71與電源線73產生同層間短路時，如圖9(a)所示，於短路部分之兩側將電源線73切斷即可。於是，於狹縫73b之下之部分，電源線73將不再發揮作用，而避開短路部分之狹縫73a與狹縫73b之間的部分或狹縫73a之上之部分成為旁路線，因此可修復同層間短路。

又，如圖9(b)所示之交叉部D般，當於信號連接線71a上，掃描線72與電源線73之狹縫73a之上之部分產生同層間短路時，於短路部分之兩側將電源線73斷開即可。於是，於狹縫73a之上之部分，電源線73將不再發揮作用，而避開短路部分之狹縫73a與狹縫73b之間的部分或狹縫73b之下之部分成為旁路線，因此可修復同層間短路。

然而，於有機EL元件之類之電流發光元件中，由於必須使電流流入至有機EL元件中，故而電源線73中流動有發光所需之電流。因此，隨著遠離電源，會逐漸產生電源之電壓下降。於該情形時，會產生隨著電壓變低而亮度逐漸減弱之遮光(shading)。又，除了遮光以外，有時亦會產生串擾。

圖10係表示圖9所示之有機EL顯示器70中之亮度減弱之圖表。

如圖10所示，相對於靠近有機EL顯示器70之電源之左端部側之電壓VL，遠離電源之右端部側之電壓VR變得較低。因此，產生隨著自有機EL顯示器70之左端部側朝向右端部側而亮度逐漸減弱之遮光。

又，於放映黑顯示窗之圖像之情形時，即便打算於右端部側顯示相同亮度之白色，但由於一部分顯示黑色之線與全部顯示白色之線之電壓下降不同(一部分黑色之電壓為VB，全部白色之電壓為VW)，因此會產生電壓下降劇烈之全部白色之線之亮度減弱之串擾。

因此，有機EL元件之類之電流發光元件之電源線73(參照圖7)為防止產生遮光或串擾(電壓下降)，而必須預先降低電阻。另一方面，若為修復短路而形成圖7所示之狹縫73a以及狹縫73b，則會導致電源線73高電阻化。因此，防止遮光或串擾之產生與形成狹縫73a及狹縫73b存在相反之關係。

因此，其次對既能簡單且迅速地修復短路，又能防止遮光或串擾之產生之第3實施形態之有機EL顯示器80加以說明。

圖11係表示第3實施形態之有機EL顯示器80之佈線構造來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

如圖11所示，有機EL顯示器80係使有機EL元件(未圖示)排列成M列×N行(圖11中為簡化圖式而表示2列×4行)之矩陣狀者。

於此，有機EL顯示器80中，針對有機EL元件之各行之每一行而佈設之信號線81(相當於本發明之第1佈線者)與針對有機EL元件之各列之每一列而佈設之掃描線82(相當於本發明之第1佈線者)以及電源線83(相當於本發明之第1佈線者)正交，且信號線81通過掃描線82以及電源線83之下方(信號線81於與掃描線82以及電源線83交叉之位置上斷開，斷開之信號線81彼此藉由信號連接線81a(相當於本發明之第2佈線者)而連接，信號連接線81a佈設於掃描線82以及電源線83之下層)。因此，於交叉部E處，如圖11所示，有時會於信號線81與電源線83之間產生短路(斷開之信號線81之端部與電源線83之側部之間的同層間短路)。

又，於交叉部F處，針對有機EL元件之各列之每一列(各列之下方)而佈設之掃描線82與針對有機EL元件之各列之每一列(各列之上方)而佈設之電源線83以狹窄之間隔於同層中平行佈設，信號線81之信號連接線81a佈設於掃描線82以及電源線83之下層。因此，於交叉部F處，如圖11所示，有時會於掃描線82與電源線83之間產生短路(掃描線82之側部與電源線83之側部之間的同層間短路)。

因此，第3實施形態之有機EL顯示器80如圖11所示，於信號線81之信號連接線81a與掃描線82以及電源線83相互重合之位置(交叉部E以及交叉部F)處，藉由狹縫83a以及狹縫83b而使電源線83分支為三條，當在有機EL顯示器80之生產步驟(檢查步驟)中檢測到蝕刻差錯等造成之短路時，藉由來自表面之雷射照射將所檢測出之短路部分切斷，修復短路以防止線缺陷等(交叉部E以及交叉部F之粗線部分)。再者，第3實施形態之有機EL顯示器80中之電源線83之狹縫83a以及狹縫83b與圖7~圖9所示之第2實施形態之有機EL顯示器70中之電源線73之長方形狹縫73a以及狹縫73b不同，其端部側較與信號連接線81a之交叉部形成得更寬。

圖12係表示第3實施形態之有機EL顯示器80中之信號線81與掃描線82以及電源線83之交叉部E以及交叉部F(圖11所示之交叉部E以及交叉部F)之狹縫83a以及狹縫83b來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

如圖12所示，於交叉部E以及交叉部F處，電源線83藉由狹縫83a以及狹縫83b而分支為三條，於與信號線81之信號連接線81a相互重合之部分，電源線83為3條，成為預先形成有旁路線之狀態。

於此，如圖12(a)所示之交叉部E般，在相當於第2佈線之信號連接線81a上，相當於第1佈線之信號線81與電源線83之狹縫83b之下之部分短路(斷開之信號線81之端部與電源線83之側部之間同層間短路)時，於短路部分之兩側將電源線83切斷。於是，於狹縫83b之下之部分，電源線83將不再發揮作用，而避開短路部分之狹縫83a與狹縫83b之間的部分或狹縫83a之上之部分成為旁路線，因此可修復同層間短路。

又，如圖12(b)所示之交叉部F般，在信號連接線81a上，掃描線82與電源線83之狹縫83a之上之部分同層間短路時，於短路部分之兩側將電源線83切斷。於是，於狹縫83a之上之部分，電源線83將不再發揮作用，而避開短路部分之狹縫83a與狹縫83b之間的部分或狹縫83b之下之部分成為旁路線，因此可修復同層間短路。

於該情形時，電源線83之切斷係藉由雷射切割而進行，狹縫83a以及狹縫83b之端部側較與信號連接線81a之交叉部形成得更寬。亦即，由於進行雷射切割之端部側開口較寬，因此短路之修復(雷射切割)變得容易進行。再者，狹縫83a以及狹縫83b之端部側之狹縫寬度設為雷射切割所需之最小線間寬度即可，但適當的是3um(依存於雷射裝置等)~100μm(依存於像素之大小等)左右，第3實施形態之有機EL顯示器80中係設為6μm。

另一方面，狹縫83a以及狹縫83b之與信號連接線81a之交叉部之狹縫寬度窄於端部側，為最小線間寬度。具體而言為1um(依存於圖案化裝置等)~98um(依存於曝光裝置等)左右，較端部側形成得更窄，第3實施形態之有機EL顯示器80中係設為3.5um。

如此，將狹縫83a以及狹縫83b之端部側形成得較寬既能簡單且迅速地修復短路，又能防止遮光或串擾之產生。亦即，若形成狹縫83a以及狹縫83b，則會導致電源線83高電阻化，但將修復短路(雷射切割)所需之端部側形成得較寬，並使與信號連接線81a之交叉部之狹縫寬度較窄，藉此，使電源線83之高電阻化為最小限度。因此，能夠抑制隨著遠離電源而產生之電壓下降，使遮光或串擾之問題得以解決。其結果，可實現高良率，使得有機EL顯示器80之畫質變得良好。

圖13係表示第3實施形態之有機EL顯示器80中之信號線81與掃描線82以及電源線83之交叉部E以及交叉部F(圖11所示之交叉部E以及交叉部F)之其他形狀之狹縫83c(狹縫83d)以及狹縫83e(狹縫83f)來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

如圖13所示，於交叉部E以及交叉部F處，電源線83藉由狹縫83c(狹縫83d)以及狹縫83e(狹縫83f)而分支為三條，電源線83為3條，成為預先形成有旁路線之狀態。

於此，如圖13(a)所示，狹縫83c(狹縫83d)之端部側較與信號連接線81a之交叉部形成得更寬，但與圖11以及圖12所示之狹縫83a(狹縫83b)不同，端部側為圓形。如此之狹縫83c(狹縫83d)亦可於同層間短路部分之兩側簡單地將電源線83切斷(雷射切割)，且與信號連接線81a之交叉部之狹縫寬度較窄，因此可抑制電壓下降，防止遮光或串擾之產生。

又，如圖13(b)所示，狹縫83e(狹縫83f)之端部側較與信號連接線81a之交叉部形成得更寬，成為自交叉部朝向端部側而開口逐漸變寬之形狀。如此之狹縫83e(狹縫83f)亦可於同層間短路部分之兩側簡單地將電源線83切斷(雷射切割)，且與信號連接線81a之交叉部之狹縫寬度較窄，因此可抑制電壓下降，防止遮光或串擾之產生。

然而，佈線間之短路不僅為信號線81與電源線83之同層間短路(交叉部E)或掃描線82與電源線83之同層間短路(交叉部F)，而且有時亦會產生於信號線81與掃描線82之間。並且，對於信號線81與掃描線82之同層間短路而言，若對該短路處進行雷射切割，則會導致信號線81或者掃描線82斷線，故而修復較為困難。又，信號連接線81a與掃描線82有時亦會產生異層間短路，於該情形時，修復較為困難。

因此，其次就能對信號線81與掃描線82之同層間短路或者信號連接線81a與掃描線82之異層間短路進行修復之第4實施形態之有機EL顯示器90加以說明。

圖14係表示第4實施形態之有機EL顯示器90之佈線構造來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

如圖14所示，有機EL顯示器90係使有機EL元件(未圖示)排列成M列×N行(圖14中為簡化圖式而表示2列×4行)之矩陣狀者。

於此，有機EL顯示器90中，針對有機EL元件之各行之每一行而佈設之信號線91(相當於本發明之第1佈線者)與針對有機EL元件之各列之每一列而佈設之掃描線92(相當於本發明之第1佈線者)以及電源線93(相當於本發明之第1佈線者)正交，且信號線91通過掃描線92以及電源線93之下方(信號線91於與掃描線92以及電源線93交叉之位置上分支為兩條後斷開，斷開之信號線91彼此藉由信號連接線91a(相當於本發明之第2佈線者)以及信號連接線91b(相當於本發明之第2佈線者)而連接，信號連接線91a以及信號連接線91b佈設於掃描線92以及電源線93之下層)。

如此，第4實施形態之有機EL顯示器90使信號線91分支為兩條，且分別藉由信號連接線91a以及信號連接線91b而連接，因此信號線91變為2條(信號連接線91a以及信號連接線91b)，成為預先形成有旁路線之狀態。並且，當在有機EL顯示器80之生產步驟(檢查步驟)中檢測到信號線91之端部與掃描線92之同層間短路(交叉部G)或者信號連接線91b與掃描線92(對TFT之連接線)之同層間短路(交叉部H)時，藉由來自表面之雷射照射將所檢測出之短路部分切斷，修復同層間短路以防止線缺陷等(交叉部G以及交叉部H之粗線部分)。再者，於交叉部G處，形成於閘極絕緣膜32(參照圖8)之上層之佈線彼此同層間短路，於交叉部H處，形成於閘極絕緣膜32之下層之佈線彼此同層間短路。

圖15係表示第4實施形態之有機EL顯示器90中之信號線91與掃描線92之交叉部G以及交叉部H(圖14所示之交叉部G以及交叉部H)之信號連接線91a以及信號連接線91b來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

如圖15所示，於交叉部G以及交叉部H處，信號線91分支為兩條，且分別藉由信號連接線91a以及信號連接線91b而連接。再者，信號線91以及掃描線92形成於閘極絕緣膜32(參照圖8)之上層，信號連接線91a以及信號連接線91b形成於閘極絕緣膜32之下層。

於此，如圖15所示之交叉部G以及交叉部H般，當信號線91或者信號連接線91b與掃描線92同層間短路時，將分支為兩條之信號線91之信號連接線91b側切斷即可。於是，於短路部分之兩側被斷開之信號連接線91b將不再發揮作用，而信號連接線91a成為旁路線，因此可修復同層間短路。再者，當信號連接線91a側同層間短路時，信號連接線91b成為旁路線。

如此，可藉由變為兩條之信號連接線91a以及信號連接線91b來修復因蝕刻差錯等造成之信號線91與掃描線92之同層間短路。亦即，於圖15(a)所示之交叉部G處，形成於閘極絕緣膜32(參照圖8)之上層之佈線彼此同層間短路，但可藉由對信號連接線91b側之信號線91進行雷射切割而予以修復。又，於圖15(b)所示之交叉部H處，形成於閘極絕緣膜32之下層之佈線彼此同層間短路，於該情形時，可藉由對信號連接線91b側之信號線91進行雷射切割而予以修復。

並且，由於使信號線91分支為兩條，因此，信號線91與信號連接線91a以及信號連接線91b之連接孔存在有兩處。因此，即便於因蝕刻差錯等造成任一連接孔未能開啟而導致兩者無法連接時，亦可使用另一個連接孔進行連接，藉此可避免信號線91之連接不良。

圖16係表示第4實施形態之有機EL顯示器90中之信號線91與掃描線92之交叉部G以及交叉部H(圖14所示之交叉部G以及交叉部H)之其他信號連接線91c(相當於本發明之第2佈線者)以及信號連接線91d(相當於本發明之第2佈線者)來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

如圖16所示，於交叉部G以及交叉部H處，藉由分支為兩條之信號連接線91c(信號連接線91d)來連接信號線91。

於此，如圖16所示之交叉部G般，信號連接線91d與掃描線92異層間短路之情形時，或者如交叉部H般，信號連接線91d與掃描線92(對TFT之連接線)同層間短路之情形時，將信號連接線91d側切斷即可。於是，於短路部分之兩側被切斷之信號連接線91d將不再發揮作用，而分支為兩條之另一條信號連接線91c成為旁路線，因此可對交叉部G之異層間短路或交叉部H之同層間短路進行修復。再者，當信號連接線91c側異層間短路或者同層間短路時，信號連接線91d成為旁路線。

如此，無需使所有信號線91變為兩條，藉由使用分支為兩條之信號連接線91c(信號連接線91d)，便能僅在與掃描線92以及電源線93之交叉部處形成旁路線。其結果，能防止有機EL顯示器90內之金屬面積之增加，使良率得以提昇，並且對其他零件之布局給予充裕之空間。

以上，就本發明之各實施形態進行了說明，但本發明不受上述實施形態限定，例如可進行以下各種變形。

(1)各實施形態中，係使掃描線52或信號線91分支為兩條，並使電源線53等分支為三條。然而，分支之數量並不限定於此。

(2)各實施形態中，例如係於與信號線51之交叉部處使掃描線52以及電源線53分支，但只要在與輔助佈線54交叉之位置處使信號線51、掃描線52、電源線53或者輔助佈線54中之任一條以上分支即可。亦即，只要預先形成與交叉部之佈線狀況等相應之旁路線即可。

(3)各實施形態中，就自與基板11相反側取出有機EL元件20(發光元件)所發出之光之頂部發光方式進行了說明，但亦可適用於自與基板11相同之側取出有機EL元件20(發光元件)所發出之光之底層閘極方式。

(4)各實施形態中，例如對於TFT 30(TFT 30a、TFT 30b)使用有a-Si(非晶矽)層33，但亦可使用低溫Poly-Si(低溫多晶矽)或氧化物半導體等。又，各實施形態中，對於發光元件使用了有機EL元件(有機電致發光元件)20，但只要是可於上部電極與下部電極之間形成發光層之發光元件即可廣泛適用，例如無機電致發光元件或發光二極體等。

10．．．有機EL顯示器(主動矩陣型顯示裝置)

11．．．基板

20．．．有機EL元件(發光元件)

21．．．陽極電極(下部電極)

22．．．陰極電極(上部電極)

23．．．有機物層

30、30a、30b．．．TFT(驅動機構)

32．．．閘極絕緣膜(絕緣膜)

51．．．信號線(第1佈線)

51a、51b．．．信號連接線(第2佈線)

52．．．掃描線(第1佈線)

52a．．．主佈線

52b．．．冗餘佈線(旁路線)

53．．．電源線(第1佈線)

53a、53b．．．狹縫

54．．．輔助佈線(第1佈線)

60．．．絕緣膜

70．．．有機EL顯示器(主動矩陣型顯示裝置)

71．．．信號線(第1佈線)

71a．．．信號連接線(第2佈線)

72．．．掃描線(第1佈線)

73．．．電源線(第1佈線)

73a、73b．．．狹縫

80．．．有機EL顯示器(主動矩陣型顯示裝置)

81．．．信號線(第1佈線)

81a．．．信號連接線(第2佈線)

82．．．掃描線(第1佈線)

83．．．電源線(第1佈線)

83a、83b、83c、83d、83e、83f．．．狹縫

90．．．有機EL顯示器(主動矩陣型顯示裝置)

91．．．信號線(第1佈線)

91a、91b、91c、91d．．．信號連接線(第2佈線、旁路線)

92．．．掃描線(第1佈線)

93．．．電源線(第1佈線)

93a、93b．．．狹縫

圖1係表示第1實施形態之有機EL顯示器來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖2係圖1所示之有機EL顯示器之等價電路圖。

圖3係表示第1實施形態之有機EL顯示器之佈線構造來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖4係圖3所示之有機EL顯示器之列方向(圖3中為橫向)之剖面圖。

圖5(a)、圖5(b)係表示第1實施形態之有機EL顯示器中之信號線與掃描線之交叉部來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖6(a)、圖6(b)係表示第1實施形態之有機EL顯示器中之信號線與電源線之交叉部來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖7係表示第2實施形態之有機EL顯示器之佈線構造來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖8(a)、圖8(b)係表示第2實施形態之有機EL顯示器中之信號線與電源線之交叉部之短路修復前之狀態來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖9(a)、圖9(b)係表示第2實施形態之有機EL顯示器中之信號線與掃描線以及電源線之交叉部之短路修復後之狀態來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖10係表示圖9所示之有機EL顯示器中之亮度降低之圖表。

圖11係表示第3實施形態之有機EL顯示器之佈線構造來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖12(a)、圖12(b)係表示第3實施形態之有機EL顯示器中之信號線與掃描線以及電源線之交叉部之狹縫來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖13(a)、圖13(b)係表示第3實施形態之有機EL顯示器中之信號線與掃描線以及電源線之交叉部之其他形狀之狹縫來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖14係表示第4實施形態之有機EL顯示器之佈線構造來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖15(a)、圖15(b)係表示第4實施形態之有機EL顯示器中之信號線與掃描線之交叉部之信號連接線來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖16(a)、圖16(b)係表示第4實施形態之有機EL顯示器中之信號線與掃描線之交叉部之其他信號連接線來作為本發明之主動矩陣型顯示裝置之一例的平面圖。

圖17係表示有機EL顯示器之佈線構造之參考例之平面圖。

圖18係圖17所示之有機EL顯示器之列方向(圖17中為橫向)之剖面圖。

10．．．有機EL顯示器

20．．．有機EL元件(發光元件)

30(30a、30b)．．．TFT(驅動機構)

40．．．電容器

51．．．信號線(第1佈線)

52．．．掃描線(第1佈線)

53．．．電源線(第1佈線)

54．．．輔助佈線(第1佈線)

A、B．．交叉部

Claims

一種主動矩陣型顯示裝置，其包括：驅動機構，其係設於基板上；絕緣膜，其係層積於上述基板上；及發光元件，其係於上述絕緣膜上呈矩陣狀排列，且上述發光元件之各個於其上部電極與下部電極之間包含發光層；且上述主動矩陣型顯示裝置係藉由為上述發光元件之各個所設之上述驅動機構所驅動，上述主動矩陣型顯示裝置並包括：第1佈線，其係使上述發光元件發光所必需者；及第2佈線，其係經由上述絕緣膜而設於上述第1佈線之下層，上述第2佈線亦係使上述發光元件發光所必需者；其中，上述第1佈線或者上述第2佈線於上述第1佈線與上述第2佈線交叉之位置處分支為複數條；其中，上述第1佈線係為：佈設於呈上述矩陣狀排列之上述發光元件之各行之信號線、佈設於上述發光元件之各列之掃描線、或佈設於上述發光元件之各列之電源線；且上述第2佈線係用於連接在上述信號線與上述掃描線及上述電源線交叉之位置處斷開之上述信號線之斷開部分之信號連接線。
如請求項1之主動矩陣型顯示裝置，其中上述發光元件係包含有機物層之有機電致發光元件。
如請求項1之主動矩陣型顯示裝置，其中上述第1佈線係設於與上述發光元件之上述下部電極同一層，且係用以調節上述上部電極之電阻之輔助佈線。
如請求項1之主動矩陣型顯示裝置，其中上述第1佈線係設於與上述發光元件之上述下部電極同一層，且係用以調節上述上部電極之電阻之輔助佈線；上述輔助佈線佈設於上述發光元件之周圍，並與上述上部電極連接而使上述上部電極之電阻降低。
如請求項1之主動矩陣型顯示裝置，其中上述第1佈線或者上述第2佈線於上述第1佈線與上述第2佈線交叉之位置處由狹縫所分支。
如請求項1之主動矩陣型顯示裝置，其中上述第1佈線或者上述第2佈線於上述第1佈線與上述第2佈線交叉之位置處由狹縫所分支；上述狹縫之端部側較上述第1佈線與上述第2佈線之交叉部形成得更寬。
如請求項1之主動矩陣型顯示裝置，其中上述第1佈線係為上述發光元件之電源線；上述電源線於上述電源線與上述第2佈線交叉之位置處由狹縫所分支；上述狹縫之端部側較上述電源線與上述第2佈線之交叉部形成得更寬。
如請求項1之主動矩陣型顯示裝置，其中上述第1佈線或者上述第2佈線於上述第1佈線與上述第2佈線交叉之位置處由旁路線所分支。
如請求項1之主動矩陣型顯示裝置，其中上述第1佈線係為上述發光元件之掃描線；上述掃描線於上述掃描線與上述第2佈線交叉之位置處由旁路線所分支。
如請求項1之主動矩陣型顯示裝置，其中上述第1佈線係為上述發光元件之信號線；上述信號線於上述信號線與上述第2佈線交叉之位置處由旁路線所分支。
如請求項1之主動矩陣型顯示裝置，其中上述第1佈線係為：佈設於呈矩陣狀排列之上述發光元件之各行之信號線、佈設於上述發光元件之各列之掃描線、以及佈設於上述發光元件之各列之電源線；上述第2佈線係用於連接在上述信號線與上述掃描線及上述電源線交叉之位置處斷開之上述信號線之斷開部分之信號連接線；上述信號連接線於上述信號連接線與上述掃描線及上述電源線交叉之位置處由旁路線所分支。
一種有機電致發光(EL)顯示裝置，其包括：驅動機構，其係設於基板上；絕緣膜，其係層積於上述基板上；及發光元件，其係於上述絕緣膜上呈矩陣狀排列，且上述發光元件之各個於其上部電極與下部電極之間包含發光層；且上述有機EL顯示裝置係藉由為上述發光元件之各個所設之上述驅動機構所驅動，上述有機EL顯示裝置並包括：第1佈線，其係使上述發光元件發光所必需者；及第2佈線，其係經由上述絕緣膜而設於上述第1佈線之下層，上述第2佈線亦係使上述發光元件發光所必需者；其中，上述第1佈線或者上述第2佈線於上述第1佈線與上述第2佈線交叉之位置處分支為複數條；其中，上述第1佈線係為：佈設於呈矩陣狀排列之上述發光元件之各行之信號線、佈設於上述發光元件之各列之掃描線、或佈設於上述發光元件之各列之電源線；且上述第2佈線係用於連接在上述信號線與上述掃描線及上述電源線交叉之位置處斷開之上述信號線之斷開部分之信號連接線。
如請求項12之有機EL顯示裝置，其中上述發光元件係包含有機物層之有機電致發光元件。
如請求項12之有機EL顯示裝置，其中上述第1佈線係設於與上述發光元件之上述下部電極同一層，且係用以調節上述上部電極之電阻之輔助佈線。
如請求項12之有機EL顯示裝置，其中上述第1佈線係設於與上述發光元件之上述下部電極同一層，且係用以調節上述上部電極之電阻之輔助佈線；上述輔助佈線佈設於上述發光元件之周圍，並與上述上部電極連接而使上述上部電極之電阻降低。
如請求項12之有機EL顯示裝置，其中上述第1佈線或者上述第2佈線於上述第1佈線與上述第2佈線交叉之位置處由狹縫所分支。
如請求項12之有機EL顯示裝置，其中上述第1佈線或者上述第2佈線於上述第1佈線與上述第2佈線交叉之位置處由狹縫所分支；上述狹縫之端部側較上述第1佈線與上述第2佈線之交叉部形成得更寬。
如請求項12之有機EL顯示裝置，其中上述第1佈線係為上述發光元件之電源線；上述電源線於上述電源線與上述第2佈線交叉之位置處由狹縫所分支；上述狹縫之端部側較上述電源線與上述第2佈線之交叉部形成得更寬。
如請求項12之有機EL顯示裝置，其中上述第1佈線或者上述第2佈線於上述第1佈線與上述第2佈線交叉之位置處由旁路線所分支。
如請求項12之有機EL顯示裝置，其中上述第1佈線係為上述發光元件之掃描線；上述掃描線於上述掃描線與上述第2佈線交叉之位置處由旁路線所分支。
如請求項12之有機EL顯示裝置，其中上述第1佈線係為上述發光元件之信號線；上述信號線於上述信號線與上述第2佈線交叉之位置處由旁路線所分支。
如請求項12之有機EL顯示裝置，其中上述第1佈線係為：佈設於呈矩陣狀排列之上述發光元件之各行之信號線、佈設於上述發光元件之各列之掃描線、以及佈設於上述發光元件之各列之電源線；上述第2佈線係用於連接在上述信號線與上述掃描線及上述電源線交叉之位置處斷開之上述信號線之斷開部分之信號連接線；上述信號連接線於上述信號連接線與上述掃描線及上述電源線交叉之位置處由旁路線所分支。