TWI384503B

TWI384503B - 具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料及其製作方法

Info

Publication number: TWI384503B
Application number: TW098100347A
Authority: TW
Inventors: Chih Huang Lai; Yun Chung Wu; Liang Wei Wang; Rong Zhi Chen; Chen Sheng Lee
Original assignee: Nat Univ Tsing Hua
Priority date: 2009-01-07
Filing date: 2009-01-07
Publication date: 2013-02-01
Also published as: TW201027570A

Description

具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料及其製作方法

本發明是有關於一種磁性材料(magnetic material)，特別是指一種具序化相(ordered phase，以下簡稱L1₀ 序化相)之鐵鉑合金奈米粒子(FePt alloyed nano-particles)的磁性材料及其製作方法。

為了追求更高記錄密度的磁記錄媒體，減小磁性記錄層的晶粒大小是必然的趨勢。當磁性晶粒縮小的同時，磁性記錄材料便需具備有足夠的磁異向性能(magnetic anisotropic energy，Ku)以提供良好的熱穩定性(KuV/kT)。然而，此技術領域所熟知的是，當磁性物質的體積太小時將致使磁異向性能與體積的乘積(KuV)不足以克服外界溫度所造成的熱擾動。因此，磁性記錄材料的記錄功能亦將因超順磁現象(superparamagnetism)而散失。

呈垂直異向性(perpendicular anisotropy)之磁性材料因其本身的磁矩方向垂直於磁記錄層的層面方向，而使得其在更小的記錄位元體積下不致於影響到穩定性。以現階段具備有垂直異向性的磁性材料觀之，常見者則有摻有氧化矽的鈷基鉑鉻合金(CoPtCr-SiO₂ )膜或FePt合金膜等高記錄密度的磁性材料。

CoPtCr-SiO₂ 膜主要的特點，除了在於其本身的垂直異向性之外，亦可因析出於CoPt磁性晶粒(grain)間的SiO₂ 而抑制磁性晶粒間因交互耦合作用(intergranular coupling)所致的雜訊干擾。然而，礙於CoPtCr-SiO₂ 膜一般是由濺鍍法(sputtering)所製得，以致於其磁性晶粒無法均勻地分散；因此，磁性晶粒間仍存在有此技術領域所不欲見的雜訊干擾等問題。此外，CoPtCr-SiO₂ 膜在應用於垂直磁記錄媒體(perpendicular magnetic recording media，簡稱PMR)的磁性記錄層時，仍需額外地在其下方引入多層膜來改善其CoPt磁性晶體的優選取向(orientation)。因此，即使CoPtCr-SiO₂ 膜本身具有優異的記錄密度；然而，對於PMR的應用，仍是有其不便之處。

同樣地，為了得到具有磁垂直異向性的FePt合金膜以使其得以被應用於PMR中，亦必須於其下方引入特定的底層材料來輔助其磁性晶粒得以在退火(annealing)時沿著[001]方向(即，c軸)成長，並反應成L1₀ 序化相的面心正方晶(face-centered tetragonal crystal，簡稱FCT)結構。因此，對於PMR的應用不僅是有其不便之處；此外，所使用的底層材料亦限制了FePt合金膜於PMR中的應用。

除此之外，不論是CoPtCr-SiO₂ 膜亦或是FePt合金膜，在作為PMR的磁記錄層使用時，尚需於磁記錄層的上方形成一潤滑層(lubricating layer)或對磁記錄層施予平坦化(planarization)處理；因此，應用於PMR上，實有許多不便的缺點。

經上述說明可知，維持磁性材料的高記錄密度亦同時增加其被應用於垂直磁記錄媒體(PMR)的方便性，是此技術領域者所需突破的重要課題。

因此，本發明之目的，即在提供一種具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料。

本發明之另一目的，即在提供另一種具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料。

本發明之又一目的，即在提供一種具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之製作方法。

於是，本發明具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，包含：一磁性材料層。該磁性材料層具有一具有一表面的基質，及複數分散於該基質的FePt合金奈米粒子。該基質的表面能(surface energy)是小於該等FePt合金奈米粒子。該等FePt合金奈米粒子是呈面心正方晶結構之序化相，且部分該等FePt合金奈米粒子的一第一側實質上是與該基質的表面相互切齊。

另，本發明另一種具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，包含：一磁性材料層。該磁性材料層具有一基質及複數分散於該基質的FePt合金奈米粒子。該基質的表面能是小於該等FePt合金奈米粒子。該等FePt合金奈米粒子是呈面心正方晶結構之序化相，且於該磁性材料層中的密度是至少大於10¹² dots/in² 。

又，本發明具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之製作方法，包含以下步驟：

(a)於一基材上形成一具有(Fe/Pt/X)n之膜層結構的多層膜；及

(b)對該多層膜施予退火處理；其中，該等X層是表面能低於該等Fe層與該等Pt層的非晶質材料；且1≦n≦8。

本發明之功效在於：可維持磁性材料的高記錄密度之外，同時亦增加其被應用於垂直磁記錄媒體(PMR)的方便性。

<發明詳細說明>

有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之三個較佳實施例與兩個具體例的詳細說明中，將可清楚的呈現。

在本發明被詳細描述之前，要注意的是，在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

參閱圖1，本發明具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料的一第一較佳實施例，包含：一磁性材料層。該磁性材料層具有一具有一表面211的基質21，及複數分散於該基質21的FePt合金奈米粒子31。該基質21的表面能是小於該等FePt合金奈米粒子31。該等FePt合金奈米粒子31是呈面心正方晶結構之序化相，且部分該等FePt合金奈米粒子31的一第一側311實質上是與該基質21的表面211相互切齊。

較佳地，部分該等FePt合金奈米粒子31具有一相反於該第一側311的第二側312，且每一第二側312實質上是平行於該等第一側311；部分該等FePt合金奈米粒子31是呈(001)優選取向；部分該等FePt合金奈米粒子31是單晶結構。更佳地，該等部分FePt合金奈米粒子31的一俯視粒徑是介於30nm~120nm之間。

此處值得一提的是，本發明主要是利用表面能低於該等FePt合金奈米粒子31的材料來包圍住該等FePt合金奈米粒子31，以抑制該等FePt合金奈米粒子31產生聚結(aggregation)。因此，適用於本發明該第一較佳實施例之基質21是選自氧化矽(SiO₂ )、氧化鋁(Al₂ O₃ )、氧化硼(B₂ O₃ )，或此等之一組合。

參閱圖2，本發明具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料的一第二較佳實施例，包含：一磁性材料層。該磁性材料層具有一基質22及複數分散於該基質22的FePt合金奈米粒子32。該基質22的表面能是小於該等FePt合金奈米粒子32。該等FePt合金奈米粒子32是呈面心正方晶結構之序化相，且於該磁性材料層中的密度是至少大於10¹² dots/in² 。

較佳地，該等FePt合金奈米粒子32於該磁性材料層中的密度是介於10¹² dots/in² ~2×10¹³ dots/in² 之間；部分該等FePt合金奈米粒子32是呈(001)優選取向；部分該等FePt合金奈米粒子32是單晶結構；該等FePt合金奈米粒子32是嵌置於該基質22。更佳地，該基質22具有一表面221，部分該等FePt合金奈米粒子32之一第一側321實質上是與該基質22的表面221相互切齊。

適用於本發明該第二較佳實施例中的基質22大致上是相同於該第一較佳實施例，於此不再多加贅述之。

參閱圖3，較佳地，本發明該第二較佳實施例之該磁性材料層是經由對一形成於一基材200之多層膜20施予退火處理(annealing treatment)所製得，該多層膜20具有一(Fe/Pt/X)n之膜層結構。每一Fe層201的厚度是介於0.15nm~0.2nm之間；每一Pt層202的厚度是介於0.15nm~0.2nm之間；該等X層203是選自SiO₂ 、Al₂ O₃ 、B₂ O₃ ，或此等之一組合的非晶質(amorphous)材料，且每一X層203的厚度是介於0.1nm~2.0nm之間；1≦n≦8。在本發明該第二較佳實施例中，該多層膜20是被放置於一真空退火系統9中施予熱退火處理。

參閱圖2與圖3，此處值得一提的是，在呈L1₀ 序化相之FCT晶系結構中的Fe原子與Pt原子，主要是沿著FCT晶系結構的[001]方向依序以一層Fe原子與一層Pt原子相互地交錯排列。因此，該多層膜20中呈近距離交錯排列的Fe層201與Pt層202，主要是藉由熱能的驅動以近距離地擴散到L1₀ 序化相的晶格(lattice)位置；而Fe、Pt本身與X(如，SiO₂ )兩者間的表面能差，則是促使呈L1₀ 序化相的FePt合金被分隔開以形成該等被嵌置於該基質22中的FePt合金奈米粒子32之主要因素。因此，本發明該多層膜20之膜層結構自該基材200向遠離該基材200的方向可以是(Fe/Pt/X)n、(Pt/Fe/X)n，或(X/Pt/Fe)n。

另，再參閱圖3，本發明具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之製作方法的一較佳實施例，包含以下步驟：

(a)於該基材200上形成該具有(Fe/Pt/X)n之膜層結構的多層膜20；及

(b)對該多層膜20施予退火處理；

其中，該等X層203是表面能低於該等Fe層201與該等Pt層202的非晶質材料；且1≦n≦8。

適用於本發明之該等X層203是選自SiO₂ 、Al₂ O₃ 、B₂ O₃ ，或此等之一組合。

較佳地，該步驟(a)之每一Fe層201的厚度是介於0.15nm~0.2nm之間；該步驟(a)之每一Pt層202的厚度是介於0.15nm~0.2nm之間；該步驟(a)之每一X層203的厚度是介於0.1nm~2.0nm之間。更佳地，該步驟(a)之每一X層203的厚度是介於0.1nm~0.5nm之間；且1≦n≦8。又更佳地，該步驟(a)之多層膜20的總厚度是小於3nm。

較佳地，該步驟(b)之退火溫度是介於600℃~1400℃之間；該步驟(b)之退火時間是介於48小時~3小時之間。更佳地，該步驟(b)之退火溫度是介於700℃~1000℃之間；該步驟(b)之退火時間是介於40小時~10小時之間。

<具體例>

再參閱圖1，在本發明具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之一具體例1中，該基質21是SiO₂ ；該等FePt合金奈米粒子31的第一側311與該基質21的表面211是相互切齊，且該等FePt合金奈米粒子31的第二側312是平行於其第一側311。

再參閱圖3，本發明該具體例1的製作方法，是雷同於前述第二較佳實施例，茲簡單地說明於下。

首先，利用濺鍍法於該基材(玻璃基材；SiO₂ )200上形成該多層膜20，該多層膜20自該基材200的膜層結構依序為：(Fe/Pt/SiO₂ )₁₈ 。在本發明該具體例1中，濺鍍法所使用的工作壓力為3mTorr；Fe靶材、Pt靶材與SiO₂ 靶材的輸出功率分別為50W、30W與75W；每一Fe層201、每一Pt層202與每一SiO₂ 層203的厚度分別是0.18nm、0.16nm與0.28nm。進一步地，於該真空退火系統9中對該多層膜20施予700℃持溫2秒鐘的快速熱退火處理(RTA)。在本發明該具體例1中，該等SiO₂ 層203是呈非晶態；該多層膜20自該基材200的膜層結構依序是：(Fe/Pt/SiO₂ )₁₈ ，但亦可以是(Fe/Pt)₁₈ 。

此處值得一提的是，在本發明該具體例1中，該等FePt合金奈米粒子是經由對濺鍍法所構成的多層膜施予快速熱退火處理所製得。但本發明該具體例1並非僅侷限於前述製法。本發明該具體例1之FePt合金奈米粒子，亦可以是經由對共濺鍍法(co-sputtering)所構成之含有Fe、Pt的單一膜層施予快速熱退火所製得。

參閱圖4，由穿透式電子顯微鏡(transmission electron microscope；以下簡稱TEM)的截面影像圖顯示可知，本發明該具體例1之FePt合金奈米粒子的俯視粒徑約介於100nm~120nm之間，且每一FePt合金奈米粒子的第一側是與SiO₂ 的表面相互切齊，而FePt合金奈米粒子的第二側是平行於其第一側。

參閱圖5，由TEM之電子繞射圖(electron diffraction pattern)顯示可知，本發明該具體例1由[100]晶帶軸(zone axis)所取得者為呈L1₀ 序化相的FCT晶體結構，且由電子繞射圖所顯示之(001)面的電子繞射點亦顯示本發明該具體例1之FePt合金奈米粒子是具有(001)的優選取向。

參閱圖6，由磁化強度對外加磁場的磁滯圈(hysteresis loop)曲線圖顯示可知，易軸(easy axis)與難軸(hard axis)分別是在垂直膜面的方向(out-of-plane)與平行膜面的方向(in-plane)。此外，於外加磁場趨近0處的磁滯曲線並未呈現出階梯狀；因此，證明本發明該具體例1之磁性材料中的FePt合金奈米粒子，是具有(001)優選取向之呈L1₀ 序化相的FCT晶系結構，且內部僅存在有硬磁相，並無軟磁相的存在。另，由圖6的磁性分析數據顯示可知，本發明該具體例1的矯頑磁場(即，Hc值)可達約60.2kOe；因此，當本發明該具體例1之磁性材料被應用於高密度的記錄媒體時，亦能維持有優異的讀寫品質。

此處值得一提的是，在本發明該具體例1之磁性材料中，由於該等FePt合金奈米粒子的第一側是與SiO₂ 的表面相互切齊，且該等FePt合金奈米粒子是呈L1₀ 序化相的FCT晶系結構並具有(001)之優選取向。因此，當本發明該具體例1之磁性材料被應用於垂直記錄媒體(PMR)時，不僅不需對該具體例1施予平坦化處理；此外，亦不需在該具體例1的下方額外地引入先前技術所述之特定底層材料。經前述簡單說明可知，本發明該具體例1相對先前技術所述之磁性材料更便於應用在垂直記錄媒體。

又值得一提的是，一般熱輔助記錄媒體(heat-assisted recording media)的操作模式是在寫入磁訊號的同時，利用雷射將欲寫入的磁團(magnetic cluster)升溫以降低其寫入所需的磁場。由於熱輔助記錄媒體的操作模式涉及升溫；因此，散熱效率的優劣便成為此種記錄方式的最大挑戰。然而，在本發明該具體例1之磁性材料中，該等FePt合金奈米粒子的第二側是平行於其第一側。因此，當本發明該具體例1是被應用於熱輔助記錄媒體時，可將(Fe/Pt/SiO2)_n 之多層膜直接鍍置於散熱層(如，Cu)上，同時藉由降低SiO2層的厚度來使得(Fe/Pt/SiO2)_n 於退火後所製得之FePt合金奈米粒子得以與散熱層接觸。因此，藉由呈平行設置的第一、二側可增加FePt合金奈米粒子與散熱層的接觸面積，並達到良好的散熱效果。

再參閱圖2，本發明具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之一具體例2，大致上是相同於該具體例1。其不同處是在於，該等FePt合金奈米粒子32是被嵌置於該基質22，且部分該等FePt合金奈米粒子32的第一側321是與該基質22的表面221相互切齊。

再參閱圖3，本發明該具體例2的製作方法，大致上是相同於該具體例1。其不同處是在於，該具體例2之多層膜20的膜層結構為：(Fe/Pt/SiO₂ )₃ ；且是實施12小時的退火處理。

參閱圖7，由TEM之表面形貌的影像圖顯示可知，本發明該具體例2之FePt合金奈米粒子的粒徑與平均粒徑分別介於4nm~8nm之間與約5.5nm；該等FePt合金奈米粒子的密度約高達10¹³ dots/in² 。

參閱圖8，由TEM之截面影像圖顯示可知，本發明該具體例2之FePt合金奈米粒子是被嵌置於SiO₂ 中，且部分的FePt合金奈米粒子的第一側是與SiO₂ 的表面相互切齊。

參閱圖9，由磁化強度對外加磁場的磁滯圈曲線圖顯示可知，易軸與難軸分別是在垂直膜面的方向與平行膜面的方向。此外，於外加磁場趨近0處的磁滯曲線並未呈現出階梯狀，且難軸在磁場強度為7T的狀態下仍無法飽和。因此，相對證明該具體例2之磁性材料中的FePt合金奈米粒子的磁矩方向是垂直於膜面的方向，同時也說明了此等FePt合金奈米粒子是具有(001)優選取向之呈L1₀ 序化相的FCT晶系結構，且內部僅存在有硬磁相，並無軟磁相的存在。另，由圖9的磁性分析數據顯示可知，本發明該具體例2的Hc值可達31kOe；因此，當本發明該具體例2之磁性材料被應用於高密度的記錄媒體時，可維持有優異的讀寫品質。

經前述圖7~圖9的分析說明可知，本發明該具體例2之磁性材料中的FePt合金奈米粒子，不僅因具備有(001)優選取向之FCT晶系結構而附有優異的垂直異向性；此外，FePt合金奈米粒子的密度亦高達約10¹³ dots/in² ；再者，部分FePt合金奈米粒子的第一側是與SiO₂ 的表面相互切齊。當本發明該具體例2之磁性材料被拿來作為超高密度垂直記錄媒體之磁記錄層使用時，不僅不需在其下方額外地引入特殊底層材料來優化FePt合金的(001)優選取向；此外，亦僅需在其上方簡單地施予平坦化處理。因此，本發明該具體例2之磁性材料於垂直記錄媒體(PMR)應用上的方便性相對先前技術增加許多。

綜上所述，本發明具序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料及其製作方法，除了符合高記錄密度之垂直記錄媒體(PMR)的要求之外，同時亦增加其被應用於垂直磁記錄媒體的方便性，故確實能達成本發明之目的。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例與具體例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

20．．．多層膜

200．．．基材

201．．．Fe層

202．．．Pt層

203．．．SiO₂ 層

21．．．基質

211．．．表面

22．．．基質

221．．．表面

31．．．FePt合金奈米粒子

311．．．第一側

312．．．第二側

32．．．FePt合金奈米粒子

321．．．第一側

9．．．真空退火系統

圖1是一正視示意圖，說明本發明具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之一第一較佳實施例；

圖2是一正視示意圖，說明本發明具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之一第二較佳實施例；

圖3是一製作流程示意圖，說明本發明具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之製作方法的一較佳實施例；

圖4是一TEM截面影像圖，說明本發明具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之一具體例1的FePt合金奈米粒子的截面形貌；

圖5是一TEM之電子繞射圖，說明本發明該具體例1之晶體結構；

圖6是一磁化強度對外加磁場之磁滯圈曲線圖，說明本發明該具體例1之磁性；

圖7是一TEM表面形貌之影像圖，說明本發明具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之一具體例2的FePt合金奈米粒子的密度；

圖8是一TEM截面影像圖，說明該具體例2之FePt合金奈米粒子的截面形貌；及

圖9是一磁化強度對外加磁場之磁滯圈曲線圖，說明本發明該具體例2之FePt合金奈米粒子的磁性所對應之序化相的程度。

21．．．基質

211．．．表面

31．．．FePt合金奈米粒子

311．．．第一側

312．．．第二側

Claims

一種具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，包含：一磁性材料層，具有一具有一表面的基質及複數分散於該基質的FePt合金奈米粒子，該基質的表面能是小於該等FePt合金奈米粒子，該等FePt合金奈米粒子是呈面心正方晶結構之序化相，且部分該等FePt合金奈米粒子的一第一側實質上是與該基質的表面相互切齊。
依據申請專利範圍第1項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，其中，部分該等FePt合金奈米粒子具有一相反於該第一側的第二側，且每一第二側實質上是平行於該等第一側。
依據申請專利範圍第2項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，其中，該等部分FePt合金奈米粒子的一俯視粒徑是介於30nm~120nm之間。
依據申請專利範圍第1項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，其中，部分該等FePt合金奈米粒子是呈(001)優選取向。
依據申請專利範圍第1項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，其中，部分該等FePt合金奈米粒子是單晶結構。
依據申請專利範圍第1項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，其中，該基質是選自氧化矽、氧化鋁、氧化硼，或此等之一組合。
一種具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，包含：一磁性材料層，具有一基質及複數分散於該基質的FePt合金奈米粒子，該基質的表面能是小於該等FePt合金奈米粒子，該等FePt合金奈米粒子是呈面心正方晶結構之序化相，且於該磁性材料層中的密度是至少大於10¹² dots/in² 。
依據申請專利範圍第7項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，其中，該等FePt合金奈米粒子於該磁性材料層中的密度是介於10¹² dots/in² ~2×10¹³ dots/in² 之間。
依據申請專利範圍第7項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，其中，部分該等FePt合金奈米粒子是呈(001)優選取向。
依據申請專利範圍第7項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，其中，部分該等FePt合金奈米粒子是單晶結構。
依據申請專利範圍第7項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，其中，該等FePt合金奈米粒子是嵌置於該基質。
依據申請專利範圍第11項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，其中，該基質具有一表面，部分該等FePt合金奈米粒子之一第一側實質上是與該基質的表面相互切齊。
依據申請專利範圍第7項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，其中，該基質是選自氧化矽、氧化鋁、氧化硼，或此等之一組合。
依據申請專利範圍第7項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料，其中，該磁性材料層是經由對一形成於一基材之多層膜施予退火處理所製得，該多層膜具有一(Fe/Pt/X)n之膜層結構，該等X層是選自SiO₂ 、Al₂ O₃ 、B₂ O₃ ，或此等之一組合的非晶質材料；每一Fe層的厚度是介於0.15nm~0.2nm之間；每一Pt層的厚度是介於0.15nm~0.2nm之間；每一X層的厚度是介於0.1nm~2.0nm之間；且1≦n≦8。
一種具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之製作方法，包含以下步驟：(a)於一基材上形成一具有(Fe/Pt/X)n之膜層結構的多層膜；及(b)對該多層膜施予退火處理；其中，該等X層是表面能低於該等Fe層與該等Pt層的非晶質材料；且1≦n≦8。
依據申請專利範圍第15項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之製作方法，其中，該等X層是選自SiO₂ 、Al₂ O₃ 、B₂ O₃ ，或此等之一組合。
依據申請專利範圍第15項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之製作方法，其中，該步驟(a)之每一Fe層的厚度是介於0.15nm~0.2nm之間；該步驟(a)之每一Pt層的厚度是介於0.15nm~0.2nm之間；該步驟(a)之每一X層的厚度是介於0.1nm~2.0nm之間。
依據申請專利範圍第17項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之製作方法，其中，該步驟(a)之每一X層的厚度是介於0.1nm~0.5nm之間；且1≦n≦5。
依據申請專利範圍第18項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之製作方法，其中，該步驟(a)之多層膜的總厚度是小於3nm。
依據申請專利範圍第15項所述之具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料之製作方法，其中，該步驟(b)之退火溫度是介於600℃~1400℃之間；該步驟(b)之退火時間是介於48小時~3小時之間。