TWI383464B - 利用電動源線圈組件以校準基線偏斜之方法 - Google Patents

Description

利用電動源線圈組件以校準基線偏斜之方法

本發明之實施例大體上係關於處理半導體基板之方法及設備。更具體地，本發明之實施例提供用於校準一感應耦合電漿反應器中之基線偏斜之方法及設備。

用於製造半導體微電子電路之電漿反應器可使用RF(射頻)感應耦合場以保持由一製程氣體所形成之電漿。習用的感應耦合電漿反應器通常包含一真空腔室，其具有一側壁及一頂板、一位於該腔室內部且通常面對該頂板之工件支撐基座、一能夠供應一製程氣體至該腔室中的氣體入口，及位於該頂板上方之一或多個螺線管交錯平行導體線圈天線。該一或多個線圈天線一般係纏繞在通常垂直於該頂板之一對稱軸。一射頻電漿源電源係跨越各線圈天線連接。有時，該反應器可包含一內部線圈天線，其位於該頂板上方並由一外部線圈天線圍繞。

典型地，一高頻射頻源功率訊號係施加至該一或多個接近該反應器腔室頂板之線圈天線。配置在該腔室內部之一基座上之基板可具有施加至其上之一偏壓射頻訊號。施加至該線圈天線之訊號功率主要決定該腔室內部之電漿離子密度，而施加至基板之偏壓訊號功率則決定晶圓表面之離子能量。

「內部」及「外部」線圈天線之特點在於線圈係徑向或平行分佈(而非受限於個別不相關的半徑)，以使其徑向位置因而散佈。電漿離子分佈之徑向分佈係藉由改變該內部及外部天線間所施加之射頻功率之相對分配來變化。不過，隨著晶圓變得更大及裝置特徵結構(feature)變得更小，欲在整個晶圓表面各處保持均勻的電漿離子密度變得更為困難。

第1圖概略說明典型的感應耦合電漿反應器所遭遇之基線偏斜導致的不均勻性問題。第1圖顯示在一典型的感應耦合電漿反應器中執行氮化製程後，在基板各處之氮劑量之結果。該氮化製程係執行於形成在基板上之二氧化矽閘極介電薄膜。該基板係放置在能夠產生感應耦合電漿之真空腔室中。氮氣流入該電漿腔室，且當氣流繼續時係擊發(strike)電漿。在氮電漿中之氮基及/或氮離子接著擴散及/或轟擊至該二氧化矽閘極介電薄膜中。

第1圖顯示在感應耦合電漿反應器中執行氮化後，一300mm基板之整個表面各處之氮劑量之等值線圖(contour graph)。等值線圖中所示之氮劑量之不對稱分佈通常稱為「基線偏斜」。偏斜反映電漿之不對稱，並可為由該腔室所承接或由製程配方(recipe)貢獻之多個因素的結果，舉例來說：線圈不對稱、流速分佈、腔室結構、製程氣體中之物種、流速改變、所施加之射頻源之功率位準、及其他來自該製程腔室之外部因素。

因此，需要有具有在製程期間校準基線偏斜程度之能力的電漿反應器。

本發明大體上提供在感應耦合電漿腔室中調整電漿密度分佈之設備及方法。具體說來，本發明提供相對於感應耦合電漿反應器中之製程容積以調整線圈天線位置之方法及設備。

本發明之一實施例提供一配置用於處理基板之設備。該設備包含：一腔室主體，其界定一配置以在其中處理基板之製程容積；以及一線圈組件，其在該製程容積外側耦合至該腔室主體。其中該線圈組件包含：一線圈裝配板；一第一線圈天線，其裝配在該線圈裝配板上；以及一線圈調整構件，其配置為調整該第一線圈天線相對於該製程容積之對準。

本發明之另一實施例提供一用於處理半導體基板之設備。該設備包含：一腔室主體，其界定一配置以在其中處理半導體基板之製程容積；以及一線圈組件，其在該製程容積外側耦合至該腔室主體。其中該線圈組件包含：一線圈裝配板；一內部線圈，其裝配在該線圈裝配板上；一外部線圈，其裝配在該線圈裝配板上，其中該外部線圈係位於該內部線圈之同中心外側；以及一線圈調整構件，其配置為調整該內部線圈及該外部線圈之至少其中之一者相對於該製程容積之對準。

本發明尚有另一實施例提供一用於調整電漿反應器中之電漿密度分佈之方法。該方法包含：提供一腔室主體，其界定一製程容積；提供一或多個線圈天線，其配置為在該製程容積內擊發一感應耦合電漿；使一製程氣體流至該製程容積；藉由供應射頻功率給該一或多個線圈天線而擊發該製程氣體之電漿；以及調整該一或多個線圈天線與該製程容積之相對位置，以調整該製程容積中之電漿密度分佈。

本發明大體上提供使用感應耦合電漿處理半導體基板之設備及方法。本發明之實施例提供感應耦合電漿反應器，該反應器具有提供改善的均勻性之特徵結構。具體說來，本發明之感應耦合電漿反應器包含：可調整線圈，其降低偏斜形式之不均勻性；一基板組件，其能夠調整邊緣輪廓；及一氣體注入組件，其具有可獨立調整之氣體注入。

第2圖概略說明根據本發明之一實施例之電漿反應器100之剖面側視圖。電漿反應器100通常包含反應器腔室101及放置在反應器腔室101上方的天線組件102。天線組件102係配置為在反應器腔室101中產生感應耦合電漿。

反應器腔室101具有製程容積103，且該製程容積103係由圓柱形側壁105及平坦的頂板110所界定。基板支撐基座115係配置在反應器腔室101內部，且定向為面對平坦的頂板110之關係，及置中在腔室之對稱軸上。基板支撐基座115係配置為在其上支撐基板106。基板支撐基座115包含支撐主體117，該支撐主體117係配置為在製程期間承接及支撐基板106。在一實施例中，基板支撐基座115具有環繞於基板106之邊緣表面118。邊緣表面118及基板106間之相對高度係配置為調整接近基板106邊緣之處理結果。

複數個支撐銷116係可移動地配置在基板支撐基座115上，並配置為幫助基板傳送。真空幫浦120與反應器腔室101之真空埠121配合。狹縫閥埠104係形成在圓柱形側壁105上，以允許基板傳送進出製程容積103。

製程氣體供應器125透過氣體入口130供應製程氣體至製程容積103中。氣體入口130可置中設置在平坦的頂板110上，並具有複數個氣體注入埠，該些氣體注入埠係引導氣體至製程容積103之不同區域。在一實施例中，氣體入口130可配置為供應可個別調整之製程氣體流至製程容積103之不同區域，以在製程容積103內達到所需的製程氣體分佈。

天線組件102包含圓柱形側壁126，該側壁126係配置在反應器腔室之平坦的頂板110上。線圈裝配板127係可移動地配置在側壁126上。側壁126、線圈裝配板127、及平坦的頂板110係大致界定出線圈容積135。複數個線圈吊架132係在線圈容積135中由線圈裝配板127延伸。複數個線圈吊架132係配置為在線圈容積135中定位一或多個線圈天線。

在一實施例中，內部線圈131及外部線圈129係安排在線圈容積135中，以在製程期間保持整個基板表面各處之均勻的電漿離子密度。在一實施例中，內部線圈131具有約5英吋的直徑，而外部線圈129具有約20英吋的直徑。線圈天線之不同設計的詳細敘述可在發明名稱為「具有對稱平行導體線圈天線之電漿反應器(Plasma Reactor Having a Symmetric Parallel Conductor Coil Antenna)」之美國專利第6,685,798號中找到，其併入於此以供參照。

內部線圈131及外部線圈129各自可為螺線管多導體交錯線圈天線，其定義一垂直的直圓柱或虛構的圓柱形表面或軌跡，其對稱軸實質上與反應器腔室101之對稱軸一致。吾人希望內部線圈131及外部線圈129之軸與欲在反應器腔室101中處理之基板106之對稱軸一致。不過，內部線圈131、外部線圈129、反應器腔室101、及基板106間之對準易受偏斜所導致之誤差的影響。線圈裝配板127係可移動地放置在側壁126上，以使內部線圈131及外部線圈129可共同或獨立地相對於反應器腔室101傾斜。在一實施例中，可以藉由旋轉放置在線圈裝配板127及側壁126間之傾斜環128而調整線圈裝配板127。傾斜環128具有可變厚度，其使得能夠進行線圈裝配板127之傾斜裝配。

電漿反應器100更包含功率組件134，其配置為提供電源給內部線圈131及外部線圈129。功率組件134通常包含射頻電源及匹配網路。在一實施例中，功率組件134可放置在線圈裝配板127上方。

電漿反應器100之更詳細的敘述可在2007年12月19日提出申請之發明名稱為「使用感應耦合電漿技術處理基板之設備及方法(Apparatus and Method for Processing a Substrate Using Inductively Coupled Plasma Technology)」之美國專利申請案第11/960,111號(代理人案號12087)中找到，其併入於此以供參照。

如上文所討論，線圈天線之不對稱的對準為導致基線偏斜的原因之一。本發明之實施例提供具有用於校準基線偏斜之可調整線圈組件之電漿反應器。在一實施例中，至少一個線圈天線可相對於電漿腔室之製程容積調整，以補償結構及流速之不對稱性。

第3A圖概略說明根據本發明之一實施例之具有線圈組件202之電漿反應器200之部分分解剖面圖。

線圈組件202係配置為在任何配置以處理圓形半導體基板之製程腔室中產生電漿。如第3A圖所示，線圈組件202可耦合至電漿腔室201之製程容積203外側之電漿腔室201。電漿腔室201包含圓柱形側壁205、蓋210(其具有氣體入口220)、及配置以支撐基板206的基板支撐件217。電漿腔室201可設計為實質上對稱於中心軸239。蓋210及基板支撐217係配置為對準中心軸239。

線圈組件202包含圓柱形側壁230，該圓柱形側壁230係耦合至電漿腔室201之蓋210。圓柱形側壁230係經對準以圍繞中心軸239而為對稱。傾斜環236、237係堆疊在圓柱形側壁230之凸緣230a上。線圈裝配板231經由傾斜環236、237而耦合至圓柱形側壁230。傾斜環236、237各自在厚度上變化。藉由相對於彼此而旋轉堆疊的傾斜環236、237，傾斜環236之頂表面236a可以不同程度及以不同方向傾斜。線圈裝配板231之角度可因而調整。堆疊的傾斜環236、237可共同旋轉以調整頂表面236a及線圈裝配板之傾斜角度。

線圈裝配板231可具有複數個吊架裝配孔235，該些吊架裝配孔235係配置為將線圈吊架232耦合至線圈裝配板231。複數個吊架裝配孔235係排置成複數個同心圓240，以裝配具有不同直徑之線圈天線。圓240以線圈裝配板231之中心軸238為中心。在一實施例中，內部線圈234及外部線圈233係配置在線圈吊架232中。內部線圈234及外部線圈233係配置為在製程容積203中保持實質上均勻的電漿。內部線圈234及/或外部線圈233之直徑可調整以達成不同情況下之均勻性。在一實施例中，內部線圈234具有約5英吋的直徑，而外部線圈233具有約15英吋的直徑。內部線圈234及外部線圈233係設置為圍繞中心軸238而為對稱。

傾斜環236、237提供線圈裝配板231擱放之可調整平面，從而提供中心軸238及中心軸239間之對準、內部及外部線圈234、233與中心軸238之對準的調整。傾斜環236、237亦提供用於補償系統的不對稱性之調整，舉例來說，由腔室主體中之狹縫閥與真空埠之位置所導致的不對稱。

第3B圖概略說明用在第3A圖之電漿反應器中之傾斜環。第3C圖概略說明第3B圖之傾斜環之放大剖面圖。傾斜環236、237之各者沿著圓周逐漸改變厚度。傾斜環236、237為可堆疊以形成一具有不同程度之厚度變異的環。當堆疊最薄的部分至最薄的部分而最厚的部分至最厚的部分時，堆疊環可具有傾斜環236及傾斜環237之結合變異的厚度變異。堆疊環亦可為一具有平均厚度的環。在一實施例中，傾斜環236、237兩者可具有複數個鎖定孔250a、250b，該些鎖定孔250a、250b係配置為形成鎖定孔250以容納鎖定螺栓241，以在一旦選定傾斜角度時，鎖定傾斜環236、237之相對位置。在一實施例中，傾斜環236、237可具有約15英吋的直徑，而堆疊環之厚度變異可由0至1英吋。

第3D圖概略說明根據本發明之一實施例之電動線圈組件202a之分解剖面圖。電動線圈組件202a類似於第3A圖之線圈組件202，除了線圈裝配板231係經由三或多個舉升器(lift)243耦合至圓柱形側壁230。各舉升器243係藉由馬達242而電動化。在一實施例中，三個舉升器243以相隔120度平均地分佈。各馬達242係配置為獨立改變各與其耦接之舉升器243的高度。三個舉升器243以連續方式調整線圈裝配板231之傾斜角度。

在一實施例中，馬達242係耦合至控制器245。控制器245可包含軟體，其協調馬達242以將線圈裝配板231放置在所需位置。控制器245可根據製程腔室中之電漿密度分佈之量測來調整馬達242。在一實施例中，控制器245可配置為根據不同配方來調整馬達242。

電動線圈組件202a更包含風箱(bellow)244，其連接在圓柱形側壁230及線圈裝配板231之間。風箱244由導電材料製成並將線圈裝配板231電性連接至典型接地之側壁230。風箱244亦提供射頻屏蔽。

如上文所述，線圈天線相對於製程腔室之位置可藉由調整裝配板而調整。吾人預期線圈天線彼此間之相對位置可藉由個別調整各線圈天線而調整。

第3E圖概略說明根據本發明之另一實施例之線圈組件202b之分解剖面圖。電動線圈組件202b類似於第3A圖之線圈組件202，除了線圈裝配板246更包含可調整地耦合至其上之內部線圈裝配板249。內部傾斜環247、248係用於調整內部線圈234與外部線圈233之相對傾斜角度。內部傾斜環247、248類似於傾斜環236、237。

第4A至4C圖為在具有可調整的線圈組件之電漿反應器中執行氮化製程後，基板各處之氮劑量之等值線圖。氮化製程通常對形成在基板上之二氧化矽閘極介電薄膜執行。基板係放置在電漿反應器中，舉例來說，第2圖之電漿反應器100。氮氣係流至電漿腔室，且當氮氣流繼續時，藉由線圈組件而擊發電漿，線圈組件係例如為第3A圖之線圈組件202及第3D圖之線圈組件202a。電漿使氮被離子化，且經過離子化之氮接著擴散進入二氧化矽閘極介電薄膜。

第4A圖說明在高劑量氮化製程後之氮劑量之等值線圖，其中線圈位置未經調整。第4A圖之結果顯示典型的基線偏斜。氮劑量通常由左(3點鐘方向)至右(9點鐘方向)減少。

欲校準第4A圖所示之偏斜，用於產生電漿之線圈可在接近高劑量之3點鐘方向之末端傾斜約0.6英吋。第4B圖說明在接近3點鐘位置將線圈組件提升0.6英吋後，於類似第4A圖所示之製程之高劑量氮化製程後之氮劑量之等值線圖。如第4B圖所示，偏斜程度與第4A圖所示之結果相比已降低。

第4C圖說明在接近9點鐘位置將線圈組件提升0.6英吋後，於類似第4A圖所示之製程之高劑量氮化製程後之氮劑量之等值線圖。如第4C圖所示，偏斜程度與第4A圖所示之結果相比已增加。

同樣地，第5A至5C圖為等值線圖，其顯示在中劑量製程期間藉由傾斜線圈組件以校準基線偏斜。第5A圖說明在中劑量氮化製程後之氮劑量之等值線圖，其中線圈位置未經調整。

雖然線圈設定在兩製程(第4A圖及第5A圖)中相同，但第5A圖所示之結果顯示其基線偏斜係異於第4A圖之基線偏斜。因此，明顯地，除了線圈一腔室定位外，製程參數會影響基線偏斜。

第5B圖顯示在接近高劑量之3點鐘位置末端將用於產生電漿之線圈組件傾斜約0.6英吋後之產生的氮劑量。如第5B圖所示，偏斜程度及方向與第5A圖所示之結果相比已降低。

第5C圖說明在接近9點鐘位置將線圈組件提升0.6英吋後，於類似第5A圖所示之製程之中劑量氮化製程後之氮劑量之等值線圖。如第5C圖所示，偏斜程度與第5A圖所示之結果相比已增加。

如第4A至4C圖及第5A至5C圖所說明，基線偏斜可為製程配方及線圈位置組合之結果。吾人希望具有如本發明之實施例中所述之可調整的線圈組件以針對不同的製程配方校準基線偏斜。

雖然前文係引導至本發明之實施例，本發明之其他及進一步的實施例可在不偏離其基本範圍之情況下想出，且其範圍係由後方之申請專利範圍決定。

100．．．電漿反應器

101．．．反應器腔室

102．．．天線組件

103．．．製程容積

104．．．狹縫閥埠

105．．．圓柱形側壁

106．．．基板

110．．．頂板

115．．．基板支撐基座

116．．．支撐銷

117．．．支撐主體

118．．．邊緣表面

120．．．真空幫浦

121．．．真空埠

125．．．氣體供應器

126．．．圓柱形側壁

127．．．線圈裝配板

128．．．傾斜環

129．．．外部線圈

130．．．氣體入口

131．．．內部線圈

132．．．線圈吊架

134．．．功率組件

135．．．線圈容積

200．．．電漿反應器

201．．．電漿腔室

202．．．線圈組件

202a,202b．．．線圈組件

203．．．製程容積

205．．．圓柱形側壁

206．．．基板

210．．．蓋

217．．．基板支撐件

220．．．氣體入口

230．．．圓柱形側壁

230a．．．凸緣

231．．．線圈裝配板

232．．．線圈吊架

233．．．外部線圈

234．．．內部線圈

235．．．孔

236．．．傾斜環

236a．．．頂表面

237．．．傾斜環

238．．．中心軸

239．．．中心軸

240．．．同心圓

241．．．鎖定螺栓

242．．．馬達

243．．．舉升器

244．．．風箱

245．．．控制器

246．．．線圈裝配板

247,248．．．內部傾斜環

249．．．線圈裝配板

250,250a,250b．．．鎖定孔

為讓本發明之上述特徵更明顯易懂，可配合參考實施例說明，其部分乃繪示如附圖式。須注意的是，雖然所附圖式揭露本發明特定實施例，但其並非用以限定本發明之精神與範圍，任何熟習此技藝者，當可作各種之更動與潤飾而得等效實施例。

第1圖概略說明典型的感應耦合電漿反應器所遭遇之基線偏斜。

第2圖概略說明根據本發明之一實施例之電漿反應器之剖面側視圖。

第3A圖概略說明根據本發明之一實施例之線圈組件之分解剖面圖。

第3B圖概略說明可施加至第3A圖之線圈組件之傾斜環。

第3C圖概略說明第3B圖之傾斜環之放大剖面圖。

第3D圖概略說明根據本發明之一實施例之電動線圈組件之分解剖面圖。

第3E圖概略說明根據本發明之另一實施例之線圈組件之分解剖面圖。

第4A至4C圖為等值線圖，其顯示在高劑量製程期間藉由傾斜線圈組件以調整基線偏斜。

第5A至5C圖為等值線圖，其顯示在中劑量製程期間藉由傾斜線圈組件以調整基線偏斜。

為便於了解，圖式中相同的元件符號表示相同的元件。某一實施例採用的元件當不需特別詳述而可應用到其他實施例。

200．．．電漿反應器

201．．．電漿腔室

202．．．線圈組件

203．．．製程容積

205．．．圓柱形側壁

206．．．基板

210．．．蓋

217．．．基板支撐件

220．．．氣體入口

230．．．圓柱形側壁

230a．．．凸緣

231．．．線圈裝配板

232．．．線圈吊架

233．．．外部線圈

234．．．內部線圈

235．．．孔

236．．．傾斜環

236a．．．頂表面

237．．．傾斜環

238．．．中心軸

239．．．中心軸

240．．．同心圓

241．．．鎖定螺栓

250．．．鎖定孔

Claims (19)

1. 一種經配置以用於處理一基板之設備，包含：一腔室主體，該腔室主體界定一製程容積(process volume)，該製程容積係配置為在該製程容積中處理該基板，其中該腔室主體包含一腔室蓋；以及一線圈組件，該線圈組件在該製程容積外側耦合至該腔室主體，其中該線圈組件包含：一圓柱形側壁，該圓柱形側壁耦合至該腔室蓋，其中該圓柱形側壁具有一凸緣；一傾斜環，該傾斜環具有可變厚度，且該傾斜環係可旋轉地配置在該圓柱形側壁的該凸緣上；一線圈裝配板，該線圈裝配板係耦合至該傾斜環；一第一線圈天線，該第一線圈天線係裝配在該線圈裝配板上，且該第一線圈天線位於一內部容積中，該內部容積係由該圓柱形側壁、該線圈裝配板與該腔室蓋界定，其中可藉由旋轉該傾斜環，來調整該線圈裝配板的一傾斜角度以及該第一線圈天線相對於該製程容積的對準。
2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該傾斜環包含：一上部環，具有一可變厚度；以及 一下部環，具有一可變厚度，且該下部環可堆疊在該上部環的下方，其中該上部環係耦合至該線圈裝配板，且該下部環係耦合至該圓柱形側壁的該凸緣，可藉由將該上部環及該下部環相對於彼此旋轉來調整該堆疊環之厚度變異，且可藉由將該上部環及該下部環相對於彼此旋轉來調整該線圈裝配板的裝配角度。
3. 如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該上部環及該下部環具有複數個形成於其中之鎖定孔，且該複數個鎖定孔係用於固定該上部環及該下部環之相對位置。
4. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該第一線圈天線包含複數個交錯(interleaved)導體，該複數個交錯導體界定一垂直直圓柱或一虛構圓柱形表面或軌跡，該垂直直圓柱或該虛構圓柱形表面或該軌跡具有一對稱軸，該對稱軸實質上與該製程容積的對稱軸一致。
5. 如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該線圈組件更包含一第二線圈天線，該第二線圈天線係裝配在該線圈裝配板上，其中該第二線圈天線係位於該第一線圈天線之徑向內側。
6. 如申請專利範圍第5項所述之設備，其中該線圈組件更包含一第一複數個線圈吊架，該等第一複數個線圈吊 架係耦合至該線圈裝配板，且該等第一複數個線圈吊架向下朝向該腔室蓋延伸，該等第一複數個線圈吊架形成一第一圓，且該第一線圈天線捲繞該等第一複數個線圈吊架周圍。
7. 如申請專利範圍第6項所述之設備，其中該線圈裝配板包含複數個線圈裝配孔，該等複數個線圈裝配孔係排置成實質上為同心的複數個同心圓，且該等第一複數個線圈吊架各者係耦合至一線圈裝配孔。
8. 如申請專利範圍第7項所述之設備，其中該線圈組件進一步包含一第二複數個線圈吊架，該等第二複數個線圈吊架係耦合至該線圈裝配板，且該等第二複數個線圈吊架向下朝向該腔室蓋延伸，該等第二複數個線圈吊架形成實質上同心於該第一圓的一第二圓，且該第二線圈天線捲繞該第二複數個線圈吊架周圍。
9. 如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該上部環與該下部環之各者的一厚度沿著圓周逐漸改變。
10. 如申請專利範圍第9項所述之設備，其中該堆疊環的一直徑約為15英吋，且該堆疊環的厚度變異可由0英吋至約1英吋。
11. 如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該上部環的一交叉點具有一垂直部分與一水平部分，該垂直部分自該水平部分的一內徑向下延伸，該下部環係配置以從該上部環的該垂直部分朝外側徑向地抵靠該上部環的該水平部分，且該上部環的該垂直部分屏蔽該下部環自該內部容積。
12. 如申請專利範圍第11項所述之設備，其中該上部環具有複數個上部鎖定孔，該等複數個上部鎖定孔經形成而穿透該水平部分，該下部環具有複數個下部鎖定孔，且該等上部鎖定孔之各者與該等下部鎖定孔之各對應者經配置以容納一鎖定螺栓於其中。
13. 一種用於處理一半導體基板之設備，包含：一腔室主體，該腔室主體界定一製程容積，該製程容積係配置為在該製程容積中處理該半導體基板；以及一線圈組件，在該製程容積外側耦合至該腔室主體，其中該線圈組件包含：一圓柱形側壁，該圓柱形側壁耦合至該腔室主體；一線圈裝配板；一傾斜環，該傾斜環具有逐漸可變厚度，且該傾斜環係可旋轉地配置在該線圈裝配板與該圓柱形側壁之間，其中該圓柱形側壁、該線圈裝配板與該 傾斜環在該腔室主體之上界定一線圈容積，且可藉由旋轉該傾斜環來調整該線圈裝配板的一傾斜角度；一內部線圈，該內部線圈於該線圈容積中裝配至該線圈裝配板；一外部線圈，該外部線圈於該線圈容積中裝配至該線圈裝配板，其中該外部線圈係位於該內部線圈的同中心外側，其中該線圈裝配板的該傾斜角度影響該內部線圈及該外部線圈之至少一者相對於該製程容積之對準。
14. 如申請專利範圍第13項所述之設備，其中該傾斜環包含：一上部環，該上部環具有一可變厚度；以及一下部環，該下部環具有一可變厚度，其中該上部環及該下部環係堆疊在一起以形成一堆疊環，且該堆疊環之厚度變異可藉由將該上部環及該下部環相對於彼此旋轉而調整。
15. 如申請專利範圍第13項所述之設備，其中該內部線圈及該外部線圈之各者包含複數個交錯導體，該等複數個交錯導體界定一垂直直圓柱或一虛構圓柱形表面或軌跡，該垂直直圓柱或該虛構圓柱形表面或該軌跡具有一對稱軸，該對稱軸實質上與該製程容積的對稱軸一致。
16. 如申請專利範圍第13項所述之設備，其中該內部線圈之直徑為約5英吋，且該外部線圈之直徑為約20英寸。
17. 如申請專利範圍第13項所述之設備，其中該線圈組件進一步包含：一第一複數個線圈吊架，該等第一複數個線圈吊架係耦合至該線圈裝配板，且該等第一複數個線圈吊架向下朝向該腔室主體延伸，該等第一複數個線圈吊架形成一第一圓，且該第一線圈天線捲繞該第一複數個線圈吊架周圍；以及一第二複數個線圈吊架，該等第二複數個線圈吊架係耦合至該線圈裝配板，且該等第二複數個線圈吊架向下朝向該腔室主體延伸，該等第二複數個線圈吊架形成實質上同心於該第一圓的一第二圓，且該第二線圈天線捲繞該第二複數個線圈吊架周圍。
18. 如申請專利範圍第13項所述之設備，其中該上部環的一交叉點具有一垂直部分與一水平部分，該垂直部分自該水平部分的一內徑向下延伸，該下部環係配置以從該上部環的該垂直部分朝外側徑向地抵靠該上部環的該水平部分，且該上部環的該垂直部分屏蔽該下部環自該內部容積。
19. 如申請專利範圍第18項所述之設備，其中該上部環具有複數個上部鎖定孔，該等複數個上部鎖定孔經形成而穿透該水平部分，該下部環具有複數個下部鎖定孔，且該等上部鎖定孔之各者與該等下部鎖定孔之各對應者經配置以容納一鎖定螺栓於其中。