KR20160100281A - 향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마 챔버 - Google Patents

향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마 챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR20160100281A
KR20160100281A KR1020160100705A KR20160100705A KR20160100281A KR 20160100281 A KR20160100281 A KR 20160100281A KR 1020160100705 A KR1020160100705 A KR 1020160100705A KR 20160100705 A KR20160100705 A KR 20160100705A KR 20160100281 A KR20160100281 A KR 20160100281A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma source
bushing
region
frame
variable capacitor
Prior art date
Application number
KR1020160100705A
Other languages
English (en)
Inventor
김남헌
장휘곤
이상우
Original Assignee
에이피티씨 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이피티씨 주식회사 filed Critical 에이피티씨 주식회사
Priority to KR1020160100705A priority Critical patent/KR20160100281A/ko
Publication of KR20160100281A publication Critical patent/KR20160100281A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

적응형 플라즈마 소스는, 내부영역에 배치되며, 이너 부싱과, 이너 부싱으로부터 분지되어 이너 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 이너 코일들을 포함하는 이너 플라즈마 소스와, 외부영역에 배치되며, 아우터 부싱과, 아우터 부싱으로부터 분지되어 아우터 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 아우터 코일들을 포함하는 아우터 플라즈마 소스와, 이너 플라즈마 소스 및 아우터 플라즈마 소스를 둘러싸도록 배치되는 평판 구조의 프레임와, 수직 방향으로 이동되도록 프레임에 장착되되, 수직 방향으로의 이동에 연동되어 프레임이 일정 기울기로 기울어지도록 하는 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버와, 그리고 프레임의 중심 하단부에서 고정되게 배치되는 기준 레버를 포함한다.

Description

향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마 챔버{Adaptively plasma source having improved CD uniformity, and plasma chamber using the same}
본 개시의 여러 실시예들은 반도체 제조설비에 관한 것으로서, 특히 향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마챔버에 관한 것이다.
초고집적(ULSI; Ultra-Large Scale Integrate) 회로소자들의 제조기술은 지난 20여년간 눈부신 발전을 거듭하였다. 이는 극한의 기술이 요구되는 공정기술들을 수행할 수 있는 반도체 제조설비들이 뒷받침되었기 때문에 가능한 것이었다. 이들 반도체 제조설비들 중 하나인 플라즈마 챔버는, 주로 사용되던 식각(etching) 공정 이외에도, 적층(deposition) 공정, 불순물이온 도핑(doping) 공정 등에서 사용되는 등 그 적용범위를 점점 넓혀가고 있다.
플라즈마 챔버는, 그 내부의 반응공간 내에 플라즈마를 형성시키고, 이 플라즈마를 이용하여 식각, 적층 등의 공정들을 수행하기 위한 반도체 제조설비이다. 이와 같은 프라즈마 챔버는, 그 내부의 반응공간 내에 플라즈마를 형성시키기 위한 플라즈마 소스를 구비한다. 플라즈마 소스의 대표적인 예로서, 용량성 결합 플라즈마(CCP; Capacitively Coupled Plasma) 소스 및 유도성 결합 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 소스가 있다. 용량성 결합 플라즈마(CCP) 소스는 전기장을 이용하는 것이며, 선택비 특성과 공정 재현성이 우수한 것으로 알려져 있다. 그러나 웨이퍼 중앙부분에서의 플라즈마 밀도가 웨이퍼의 가장자리에서의 플라즈마 밀도에 비하여 상대적으로 높게 나타나는 플라즈마 밀도 불균일 특성이 나타나며, 전체 플라즈마 밀도가 낮은 편이어서 플라즈마 밀도를 증가시키기 위해 높은 RF 파워를 인가하여야 한다는 단점이 있다. 유도성 결합 플라즈마(ICP)는 유도자기장을 이용하여, 용량성 결합 플라즈마(CCP) 소스에 비하여 전체 플라즈마 밀도가 높다는 장점을 나타낸다. 그러나 웨이퍼의 중앙 부분에서의 플라즈마 밀도가 웨이퍼의 가장자리 부분에서의 플라즈마 밀도에 비하여 상대적으로 높으며, 선택비가 낮고 공정 재현성이 우수하지 못하다는 단점을 갖는다.
최근에는 용량성 결합 플라즈마(CCP) 소스와 유도성 결합 플라즈마(ICP) 소스의 장점들을 모두 갖는 적응형 플라즈마 소스(APS; Apdaptively Plasma Source)가 제안된 바 있다. 이와 같은 적응형 플라즈마 소스는 대한민국 공개특허 제2005-0005717호에 상세하게 기재되어 있다. 적응형 플라즈마 소스는, 중앙에 배치되는 부싱(busing)과, 그리고 부싱의 가장자리로부터 연장되어 부싱 둘레를 나선형으로 감는 복수개의 단위코일들로 이루어진다. 이와 같은 적응형 플라즈마 소스는, 부싱에 의해 용량성 결합 플라즈마(CCP) 소스의 장점을 나타내는 동시에, 단위코일들에 의해 유도성 결합 플라즈마(ICP) 소스의 장점도 함께 나타낸다.
플라즈마 챔버에서 플라즈마 소스의 성능이 중요한 이유는, 플라즈마 소스에 의해 플라즈마 챔버 내의 플라즈마 밀도 분포가 결정되고, 이 플라즈마 밀도 분포에 의해 공정 결과가 좌우될 수 있기 때문이다. 즉 웨이퍼 중심부에서의 플라즈마 밀도와 웨이퍼 가장자리에서의 플라즈마 밀도의 편차가 크게 나타날 수록 웨이퍼 중심부와 웨이퍼 가장자리에서의 공정 결과가 다르게 나타난다. 특히 패턴의 선폭을 나타내는 시디(CD; Critical Dimension)의 경우 플라즈마 밀도 분포에 의해 가장 큰 영향을 받는 것으로 알려져 있다. 일 예로 웨이퍼 중심부와 가장자리에서의 플라즈마 밀도가 불균일하게 형성되는 경우, 웨이퍼 중심부에서의 패턴 시디와 웨이퍼 가장자리에서의 패턴 시디도 불균일하게 형성되고, 이는 결국 소자의 신뢰성을 열화시키는 원인으로 작용한다. 따라서 최근에는 시디의 균일도 확보를 위해 플라즈마 챔버 내에서의 플라즈마 밀도가 균일하게 분포될 수 있도록 플라즈마 밀도를 정밀하게 제어할 수 있는 기술에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
본 출원이 해결하고자 하는 과제는, 플라즈마 밀도가 균일하게 분포되도록 하여 향상된 시디 균일도를 갖도록 할 수 있는 적응형 플라즈마 소스를 제공하는 것이다.
본 출원이 해결하고자 하는 다른 과제는, 위와 같은 적응형 플라즈마 소스를 이용한 적응형 플라즈마 챔버를 제공하는 것이다.
일 예에 따른 적응형 플라즈마 소스는, 내부영역에 배치되며, 이너 부싱과, 이너 부싱으로부터 분지되어 이너 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 이너 코일들을 포함하는 이너 플라즈마 소스와, 외부영역에 배치되며, 아우터 부싱과, 아우터 부싱으로부터 분지되어 아우터 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 아우터 코일들을 포함하는 아우터 플라즈마 소스와, 이너 플라즈마 소스 및 아우터 플라즈마 소스를 둘러싸도록 배치되는 평판 구조의 프레임와, 수직 방향으로 이동되도록 프레임에 장착되되, 수직 방향으로의 이동에 연동되어 프레임이 일정 기울기로 기울어지도록 하는 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버와, 그리고 프레임의 중심 하단부에서 고정되게 배치되는 기준 레버를 포함한다.
다른 예에 따른 적응형 플라즈마 소스는, 내부영역에 배치되며, 부싱과, 부싱으로부터 분지되어 상기 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 복수개의 이너 코일들을 포함하는 이너 플라즈마 소스와, 외부영역에 배치되며, 이너 플라즈마 소스를 둘러싸는 원형으로 배치되는 단일의 아우터 코일을 포함하는 아우터 플라즈마 소스와, 이너 플라즈마 소스 및 아우터 플라즈마 소스를 둘러싸도록 배치되는 평판 구조의 프레임과, 수직 방향으로 이동되도록 프레임에 장착되되, 수직 방향으로의 이동에 연동되어 프레임이 일정 기울기로 기울어지도록 하는 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버와, 그리고 프레임의 중심 하단부에서 고정되게 배치되는 기준 레버를 포함한다.
일 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버는, 플라즈마가 형성되는 반응공간을 한정하는 외벽 및 상부의 돔과, 반응공간의 하부에 배치되어 처리될 웨이퍼를 안착하기 위한 지지대와, 돔 위에 배치되며 웨이퍼의 중심점으로부터 일정 거리까지의 영역에 대응되는 내부영역 및 내부영역을 둘러싸고 웨이퍼의 가장자리영역에 대응되는 외부영역을 갖는 적응형 플라즈마 소스를 포함한다. 플라즈마 소스는, 내부영역에 배치되며, 이너 부싱과, 이너 부싱으로부터 분지되어 이너 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 이너 코일들을 포함하는 이너 플라즈마 소스와, 외부영역에 배치되며, 아우터 부싱과, 아우터 부싱으로부터 분지되어 아우터 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 아우터 코일들을 포함하는 아우터 플라즈마 소스와, 이너 플라즈마 소스 및 아우터 플라즈마 소스를 둘러싸도록 배치되는 평판 구조의 프레임와, 수직 방향으로 이동되도록 프레임에 장착되되, 수직 방향으로의 이동에 연동되어 프레임이 일정 기울기로 기울어지도록 하는 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버와, 그리고 프레임의 중심 하단부에서 고정되게 배치되는 기준 레버를 포함한다.
다른 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버는, 플라즈마가 형성되는 반응공간을 한정하는 외벽 및 상부의 돔과, 반응공간의 하부에 배치되어 처리될 웨이퍼를 안착하기 위한 지지대와, 돔 위에 배치되며 웨이퍼의 중심점으로부터 일정 거리까지의 영역에 대응되는 내부영역 및 내부영역을 둘러싸고 웨이퍼의 가장자리영역에 대응되는 외부영역을 갖는 적응형 플라즈마 소스를 포함한다. 플라즈마 소스는, 내부영역에 배치되며, 부싱과, 부싱으로부터 분지되어 상기 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 복수개의 이너 코일들을 포함하는 이너 플라즈마 소스와, 외부영역에 배치되며, 이너 플라즈마 소스를 둘러싸는 원형으로 배치되는 단일의 아우터 코일을 포함하는 아우터 플라즈마 소스와, 이너 플라즈마 소스 및 아우터 플라즈마 소스를 둘러싸도록 배치되는 평판 구조의 프레임과, 수직 방향으로 이동되도록 프레임에 장착되되, 수직 방향으로의 이동에 연동되어 프레임이 일정 기울기로 기울어지도록 하는 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버와, 그리고 프레임의 중심 하단부에서 고정되게 배치되는 기준 레버를 포함한다.
여러 실시예들에 따르면, 적응형 플라즈마 소스를 이너 플라즈마 소스 및 아우터 플라즈마 소스로 구분하고 이너 플라즈마 소스를 구성하는 이너 코일과 아우터 플라즈마 소스를 구성하는 아우터 코일에 각각 가변 커패시터를 연결시킴으로써 이너 영역과 아우터 영역에서의 플라즈마 유도를 위한 전류량을 독립적으로 제어할 수 있으며, 이에 따라 이너 영역 및 아우터 영역 사이의 시디 균일도를 향상시킬 수 있다는 이점이 제공된다. 또한 플라즈마 소스의 위치를 좌표별로 제어함으로써 다양한 위치에서의 시디 균일도를 향상시킬 수 있다는 이점 또한 제공된다.
도 1은 일 예에 따른 적응형 플라즈마 소스를 나타내 보인 도면이다.
도 2는 도 1의 선 I-I'를 따라 절단하여 나타내 보인 도면이다.
도 3은 도 1의 적응형 플라즈마 소스의 등가회로도이다.
도 4는 다른 예에 다른 적응형 플라즈마 소스를 나타내 보인 도면이다.
도 5는 도 4의 선 II-II'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다.
도 6은 또 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 소스를 나타내 보인 단면도이다.
도 7은 또 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 소스를 나타내 보인 단면도이다.
도 8은 또 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 소스를 나타내 보인 단면도이다.
도 9는 일 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버를 나타내 보인 도면이다.
도 10은 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버를 나타내 보인 도면이다.
도 11은 또 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버를 나타내 보인 도면이다.
도 12는 또 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버를 나타내 보인 도면이다.
도 13은 또 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버를 나타내 보인 도면이다.
본 출원의 예의 기재에서 "제1" 및 "제2"와 같은 기재는 부재를 구분하기 위한 것이며, 부재 자체를 한정하거나 특정한 순서를 의미하는 것으로 사용된 것은 아니다. 또한, 어느 부재의 "상"에 위치하거나 "상부", "하부", 또는 "측면"에 위치한다는 기재는 상대적인 위치 관계를 의미하는 것이지 그 부재에 직접 접촉하거나 또는 사이 계면에 다른 부재가 더 도입되는 특정한 경우를 한정하는 것은 아니다. 또한, 어느 한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어 있다"거나 "접속되어 있다"의 기재는, 다른 구성 요소에 전기적 또는 기계적으로 직접 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수 있으며, 또는, 중간에 다른 별도의 구성 요소들이 개재되어 연결 관계 또는 접속 관계를 구성할 수도 있다.
도 1은 일 예에 따른 적응형 플라즈마 소스를 나타내 보인 도면이다. 그리고 도 2는 도 1의 선 I-I'를 따라 절단하여 나타내 보인 도면이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 예에 따른 적응형 플라즈마 소스(100)는, 내부영역(101)에 배치되는 이너 플라즈마 소스(inner plasma source)(110)와, 외부영역(102)에 배치되는 아우터 플라즈마 소스(outer plasma source)(120)를 포함하여 구성된다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 내부영역(101)과 외부영역(102)의 경계라인을 따라 접지코일이 배치될 수도 있다. 이너 플라즈마 소스(110)는 이너 부싱(111)과, 이너 부싱(111)으로부터 분지되어 이너 부싱(111) 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 복수개의 이너 코일들(112a, 112b, 112c)을 포함하여 구성된다. 이너 부싱(111)은, 도전성 재질로 이루어지며, 원형의 평면 형상을 가질 수 있다. 다른 예에서 이너 부싱(111)의 평면 형상은 원형 이외의 다른 다각형의 형상일 수도 있다. 또 다른 예에서 이너 부싱(111)의 평면 형상은 내부의 개구부를 갖는 도넛(donut) 형상일 수도 있다. 이너 부싱(111)은 일정 두께의 판(plate) 형태로 이루어질 수 있다.
이너 코일들(112a, 112b, 112c)은 이너 부싱(111)의 측면으로부터 분지된다. 이너 코일들(112a, 112b, 112c)이 분지되는 이너 부싱(111)의 측면 분지점들은 상호 일정 간격 이격되는 지점에 위치하도록 할 수 있다. 본 예에서 이너 코일들(112a, 112b, 112c)의 개수는 3개로 예시하였지만, 단지 이는 하나의 예로서 3개보다 적거나, 또는 더 많을 수도 있다. 이너 코일들(112a, 112b, 112c)의 개수(m)는 2 이상의 정수값일 수 있다. 이너 코일들(112a, 112b, 112c)의 각각은 일정한 회전수(n)를 가질 수 있다. 이 경우 회전수(n)는 양의 실수값일 수 있다. 일 예에서 회전수(n)는 aX(b/m) (여기서 a 및 b는 양의 정수)로 계산될 수 있다. 이너 코일들(112a, 112b, 112c)의 각각은 이너 부싱(111)과 나란한 동일 평면상에 배치될 수 있다.
아우터 플라즈마 소스(120)는 아우터 부싱(121)과, 아우터 부싱(121)으로부터 분지되어 아우터 부싱(121) 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 복수개의 아우터 코일들(122a, 122b, 122c)을 포함하여 구성된다. 아우터 부싱(121)은, 도전성 재질로 이루어지며, 원형의 도넛 형태의 평면 형상을 가질 수 있다. 아우터 부싱(121)은 일정 두께의 판(plate) 형태로 이루어질 수 있다. 일 예에서 아우터 부싱(121)은 이너 부싱(111)과 나란한 동일한 평면상에 배치될 수 있다. 아우터 부싱(121)에 의해 내부영역(101) 및 외부영역(102)이 한정된다. 즉 아우터 부싱(121)의 내부가 내부영역(101)으로 정의될 수 있고, 아우터 부싱(121)을 포함한 바깥쪽이 외부영역(102)으로 정의될 수 있다.
아우터 코일들(122a, 122b, 122c)은 아우터 부싱(121)의 외측 측면으로부터 분지된다. 아우터 코일들(122a, 122b, 122c)이 분지되는 아우터 부싱(121)의 측면 분지점들은 상호 일정 간격 이격되는 지점에 위치하도록 할 수 있다. 본 예에서 아우터 코일들(122a, 122b, 122c)의 개수는 3개로 예시하였지만, 단지 이는 하나의 예로서 3개보다 적거나, 또는 더 많을 수도 있다. 아우터 코일들(122a, 122b, 122c)의 개수(m)는 2 이상의 정수값일 수 있다. 아우터 코일들(122a, 122b, 122c)의 각각은 일정한 회전수(n)를 가질 수 있다. 이 경우 회전수(n)는 양의 실수값일 수 있다. 일 예에서 회전수(n)는 aX(b/m) (여기서 a 및 b는 양의 정수)로 계산될 수 있다. 아우터 코일들(122a, 122b, 122c)의 각각은 아우터 부싱(121)과 나란한 동일 평면상에 배치될 수 있다.
이너 부싱(111)은 제1 가변 커패시터(131)의 일 단자에 연결된다. 이에 따라 이너 코일들(112a, 112b, 112c)은 이너 부싱(111)을 통해 제1 가변 커패시터(131)의 일 단자에 전기적으로 결합될 수 있다. 제1 가변 커패시터(131)이 반대 단자는 매칭박스(140)에 연결된다. 제1 가변 커패시터(131)는 가변하는 제1 커패시턴스(Ci)를 가질 수 있다. 아우터 부싱(121)은 제2 가변 커패시터(132)의 일 단자에 연결된다. 이에 따라 아우터 코일들(122a, 122b, 122c)은 아우터 부싱(121)을 통해 제2 가변 커패시터(132)의 일 단자에 전기적으로 결합될 수 있다. 제2 가변 커패시터(132)이 반대 단자는 매칭박스(140)의 출력단에 연결된다. 제2 가변 커패시터(132)는 가변하는 제2 커패시턴스(Co)를 가질 수 있다. 매칭박스(140)의 입력단에는 RF 전원(150)이 연결될 수 있다.
도 3은 도 1의 적응형 플라즈마 소스의 등가회로도이다. 도 3을 참조하면, 제1 인덕턴스(Li)를 갖는 제1 인덕터(112)는, 가변의 제1 커패시턴스(Ci)를 갖는 제1 가변 커패시터(131)에 직렬로 연결된다. 제1 인덕터(112)는 이너 코일들(112a, 112b, 112c)로 구성되는 인덕터 성분이다. 이너 코일들(112a, 112b, 112c)은 상호 병렬로 연결되며, 제1 인덕턴스(Li)는 이너 코일들(112a, 112b, 112c) 각각이 갖는 인덕턴스의 전체 등가 인덕턴스를 의미한다. 마찬가지로 제2 인덕턴스(Lo)를 갖는 제2 인덕터(222)는, 가변의 제2 커패시턴스(Co)를 갖는 제2 가변 커패시터(132)에 직렬로 연결된다. 제2 인덕터(122)는 아우터 코일들(122a, 122b, 122c)로 구성되는 인덕터 성분이다. 아우터 코일들(122a, 122b, 122c)은 상호 병렬로 연결되며, 제2 인덕턴스(Lo)는 아우터 코일들(122a, 122b, 122c) 각각이 갖는 인덕턴스의 전체 등가 인덕턴스를 의미한다. 제1 인덕터(112) 및 제1 가변 커패시터(131)는, 제2 인덕터(122) 및 제2 가변 커패시터(132)와 병렬로 연결된다.
RF 전원(150)으로부터 매칭박스(140)를 통해 일정 크기의 RF 파워가 인가되면, 매칭박스(140)는 임피던스 매칭을 수행하면서 제1 가변 커패시터(131)의 제1 커패시턴스(Ci)와 제2 가변 커패시터(132)의 제2 커패시턴스(Co)를 조절한다. 제1 인덕터(112)(즉 이너 코일들)에 유기되는 전류와 제2 인덕터(132)(즉 아우터 코일들)에 유기되는 전류는 제1 가변 커패시터(131)의 제1 커패시턴스(Ci)와 제2 가변 커패시터(132)의 제2 커패시턴스(Co)를 조절함으로써 서로 다르게 설정되도록 할 수 있다. 일 예로 제1 가변 커패시터(131)의 제1 커패시턴스(Ci)와 제2 가변 커패시터(132)의 제2 커패시턴스(Co)를 조절함으로써, 제1 인덕터(112)에 유기되는 전류를 증가시키고, 제2 인덕터(122)에 유기되는 전류를 감소시킬 수 있다. 또는 반대로 제1 가변 커패시터(131)의 제1 커패시턴스(Ci)와 제2 가변 커패시터(132)의 제2 커패시턴스(Co)를 조절함으로써, 제1 인덕터(112)에 유기되는 전류를 감소시키고, 제2 인덕터(122)에 유기되는 전류를 증가시킬 수 있다. 이와 같이 제1 가변 커패시터(131)의 제1 커패시턴스(Ci)와 제2 가변 커패시터(132)의 제2 커패시턴스(Co)를 적절하게 조절함으로써, 제1 인덕터(112)에 유기되는 전류와 제2 인덕터(122)에 유기되는 전류가 서로 다르게 가변되도록 할 수 있으며, 이에 따라, 내부영역(101) 및 외부영역(102)에서의 플라즈마 밀도 편차를 최소화시킬 수 있다.
도 4는 다른 예에 다른 적응형 플라즈마 소스를 나타내 보인 도면이다. 그리고 도 5는 도 4의 선 II-II'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 예에 따른 적응형 플라즈마 소스(200)는, 내부영역(201)에 배치되는 이너 플라즈마 소스(inner plasma source)(210)와, 외부영역(202)에 배치되는 아우터 플라즈마 소스(outer plasma source)(220)를 포함하여 구성된다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 내부영역(201)과 외부영역(202)의 경계라인을 따라 접지코일이 배치될 수도 있다. 내부영역(201)은 점선으로 표시한 원(I)의 안쪽 영역을 의미하며, 웨이퍼의 중심점으로부터 일정 거리까지의 영역에 대응될 수 있다. 외부영역(202)은 점선으로 표시한 원(I)의 바깥쪽 영역을 의미하며, 웨이퍼의 가장자리 영역에 대응될 수 있다. 이너 플라즈마 소스(210)는 부싱(211)과, 부싱(211)으로부터 분지되어 부싱(211) 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 복수개의 이너 코일들(212a, 212b, 212c, 212d)을 포함하여 구성된다. 부싱(211)은, 도전성 재질로 이루어지며, 원형의 평면 형상을 가질 수 있다. 다른 예에서 부싱(211)의 평면 형상은 원형 이외의 다른 다각형의 형상일 수도 있다. 또 다른 예에서 부싱(211)의 평면 형상은 내부의 개구부를 갖는 도넛(donut) 형상일 수도 있다. 부싱(211)은 일정 두께의 판(plate) 형태로 이루어질 수 있다.
이너 코일들(212a, 212b, 212c, 212d)은 부싱(211)의 측면으로부터 분지된다. 이너 코일들(212a, 212b, 212c, 212d)이 분지되는 부싱(211)의 측면 분지점들은 상호 일정 간격 이격되는 지점에 위치하도록 할 수 있다. 본 예에서 이너 코일들(212a, 212b, 212c, 212d)의 개수는 4개로 예시하였지만, 단지 이는 하나의 예로서 4개보다 적거나, 또는 더 많을 수도 있다. 이너 코일들(212a, 212b, 212c, 212d)의 개수(m)는 2 이상의 정수값일 수 있다. 이너 코일들(212a, 212b, 212c, 212d)의 각각은 일정한 회전수(n)를 가질 수 있다. 이 경우 회전수(n)는 양의 실수값일 수 있다. 일 예에서 회전수(n)는 aX(b/m) (여기서 a 및 b는 양의 정수)로 계산될 수 있다. 이너 코일들(212a, 212b, 212c, 212d)의 각각은 부싱(211)과 나란한 동일 평면상에 배치될 수 있다.
아우터 플라즈마 소스(220)는 이너 플라즈마 소스(210)와 일정 간격 이격되면서 이너 플라즈마 소스(210) 둘레를 복수회, 예컨대 3회의 회전수로 감는 단일의 아우터 코일(222)로 구성된다. 본 예에서 아우터 플라즈마 소스(220)를 구성하는 아우터 코일(222)의 회전수를 3으로 예시하였으나, 이는 단지 하나의 예로서 3보다 적거나, 또는 3보다 많을 수도 있다. 어느 경우이던지 아우터 코일(222)은 1회 이상의 회전수를 갖는다.
부싱(211)은 제1 가변 커패시터(231)의 일 단자에 연결된다. 이에 따라 이너 코일들(212a, 212b, 212c, 212d)은 부싱(211)을 통해 제1 가변 커패시터(231)의 일 단자에 전기적으로 결합될 수 있다. 제1 가변 커패시터(231)이 반대 단자는 매칭박스(240)에 연결된다. 제1 가변 커패시터(231)는 가변하는 제1 커패시턴스(Ci)를 가질 수 있다. 아우터 코일(222)은 제2 가변 커패시터(232)의 일 단자에 연결된다. 제2 가변 커패시터(232)이 반대 단자는 매칭박스(240)의 출력단에 연결된다. 제2 가변 커패시터(232)는 가변하는 제2 커패시턴스(Co)를 가질 수 있다. 매칭박스(240)의 입력단에는 RF 전원(250)이 연결될 수 있다.
이와 같은 적응형 플라즈마 소스(200)의 등가회로도는 도 3을 참조하여 설명한 바와 동일하다. RF 전원(250)으로부터 매칭박스(240)를 통해 일정 크기의 RF 파워가 인가되면, 매칭박스(240)는 임피던스 매칭을 수행하면서 제1 가변 커패시터(231)의 제1 커패시턴스(Ci)와 제2 가변 커패시터(232)의 제2 커패시턴스(Co)를 조절한다. 이너 코일들(212a, 212b, 212c, 212d)에 의해 구성되는 제1 인덕터에 유기되는 전류와, 아우터 코일(222)에 의해 구성되는 제2 인덕터에 유기되는 전류는 제1 커패시턴스(Ci) 및 제2 커패시턴스(Co)의 조절에 의해 서로 다른 값을 가질 수 있으며, 이에 따라 내부영역(201) 및 외부영역(202)에서의 플라즈마 밀도 편차를 최소화시킬 수 있다.
도 6은 또 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 소스를 나타내 보인 단면도이다. 도 6을 참조하면, 본 예에 따른 적응형 플라즈마 소스(300)는 틸팅(tilting) 기능을 가짐으로써 중심점을 기준으로 상호 대칭인 지점에서의 시디 균일도를 향상시킬 수 있다. 구체적으로 적응형 플라즈마 소스(300)는, 내부영역(101)에 배치되는 이너 플라즈마 소스와, 외부영역(102)에 배치되는 아우터 플라즈마 소스를 포함한다는 점에서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 적응형 플라즈마 소스(100)와 유사하지만, 이 구조체가 프레임(310) 내에 배치된다는 점에서 차이가 있다. 프레임(310) 내에 배치되는 적응형 플라즈마 소스 구조체는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 바와 동일하므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 프레임(310) 내에 배치되는 적응형 플라즈마 소스 구조체로는 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 적응형 플라즈마 소스 구조가 채용되거나, 또는 이너 플라즈마 소스만으로 구성되는 적응형 플라즈마 소스 구조가 채용될 수도 있다.
프레임(310)은 절연성 재질의 평판 구조를 가질 수 있다. 프레임(310)의 양 측면에는 각각 제1 틸팅 레버(321) 및 제2 틸팅 레버(322)가 배치된다. 제1 틸팅 레버(321) 및 제2 틸팅 레버(322)는, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 수직 방향으로 이동 가능하다. 프레임(310)의 중심부 하부에는 기준 레버(323)가 배치된다. 기준레버(323)는 고정되어 있다. 제1 틸팅 레버(321) 및 제2 틸팅 레버(322)는 독립적으로 제어되지 않고 상호 연동되도록 제어된다. 예컨대 도면에서 점선으로 나타낸 바와 같이, 제1 틸팅 레버(321)가 수직인 아래 방향으로 제1 거리(D1)만큼 하강하는 경우, 이에 연동되어 제2 틸팅 레버(322)는 수직인 위 방향으로 동일한 제1 거리(D1)만큼 상승한다. 반대로 제1 틸팅 레버(321)가 수직인 위 방향으로 일정 거리만큼 상승하는 경우, 이에 연동되어 제2 틸팅 레버(322)는 수직인 아래 방향으로 동일한 거리만큼 하강한다. 제1 틸팅 레버(321) 및 제2 틸팅 레버(322)가 반대 방향으로 이동하도록 연동된 상태에서 수직 방향으로 이동함에 따라 프레임(310)은 일정 기울기로 기울어질 수 있다. 이에 따라 기준 레버(333)가 위치하는 중심점을 기준으로 한쪽 가장자리는 상대적으로 아래 방향으로 치우지는 반면, 반대쪽 가장자리는 상대적으로 위 방향으로 치우친다. 따라서 중심점으로 기준으로 상호 대칭이 되는 지점에서의 플라즈마 밀도가 다르게 분포하도록 조절될 수 있으며, 적절한 조절을 통해 플라즈마 밀도의 불균일도를 제거할 수 있다.
도 7은 또 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 소스를 나타내 보인 단면도이다. 도 7을 참조하면, 본 예에 따른 적응형 플라즈마 소스(400)는 회전(rotating) 기능을 가짐으로써 방위각상의 시디 균일도를 향상시킬 수 있다. 구체적으로 적응형 플라즈마 소스(400)는, 내부영역(101)에 배치되는 이너 플라즈마 소스와, 외부영역(102)에 배치되는 아우터 플라즈마 소스를 포함한다는 점에서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 적응형 플라즈마 소스(100)와 유사하지만, 이 구조체가 프레임(410) 내에 배치되고, 프레임(410) 하부에 회전 레버(420)가 배치된다는 점에서 차이가 있다. 프레임(410) 내에 배치되는 적응형 플라즈마 소스 구조체는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 바와 동일하므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 프레임(410) 내에 배치되는 적응형 플라즈마 소스 구조체로는 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 적응형 플라즈마 소스 구조가 채용되거나, 또는 이너 플라즈마 소스만으로 구성되는 적응형 플라즈마 소스 구조가 채용될 수도 있다.
프레임(410)은 절연성 재질의 평판 구조를 가질 수 있다. 프레임(410)의 하부에는 회전 레버(420)가 배치된다. 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 회전 레버(420)는 양 방향으로 회전 가능하도록 배치된다. 이를 위해, 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 회전 레버(420)는 모터와 같은 동력장치에 연결될 수 있다. 회전 레버(420)가 회전함에 따라 프레임(410)도 함께 회전한다. 일 예에서 회전 레버(420)는 시계 방향으로 180도 회전한 후 다시 반시계 방향으로 180도 회전을 반복적으로 수행할 수 있다. 다른 예에서 회전 레버(420)는 일 방향으로 지속적으로 회전하도록 할 수도 있다. 반도체 제조공정, 예컨대 식각공정이 이루어지는 동안 이와 같은 회전을 반복적으로 수행함에 따라 중심점으로부터 동일한 거리로 이격되는 모든 위치들에서 플라즈마 밀도는 균일하게 형성되며, 이에 따라 식각공정의 방위각에 무관하게 중심점으로부터 동일 거리만큼 이격되는 위치들에서 시디 균일도는 향상될 수 있다.
도 8은 또 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 소스를 나타내 보인 단면도이다. 도 8을 참조하면, 본 예에 따른 적응형 플라즈마 소스(500)는 리프팅(lifting) 기능을 가짐으로써 중심부와 가장자리부 사이의 시디 균일도를 향상시킬 수 있다. 구체적으로 적응형 플라즈마 소스(500)는, 내부영역(101)에 배치되는 이너 플라즈마 소스와, 외부영역(102)에 배치되는 아우터 플라즈마 소스를 포함한다는 점에서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 적응형 플라즈마 소스(100)와 유사하지만, 이너 플라즈마 소스는 이너 프레임(510) 내에 배치되고 아우터 플라즈마 소스는 아우터 프레임(520) 내에 배치된다는 점에서 차이가 있다. 이너 프레임(510) 내에 배치되는 이너 플라즈마 소스와 아우터 프레임(520) 내에 배치되는 아우터 플라즈마 소스는, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 바와 동일하므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이너 프레임(510) 내에 배치되는 이너 플라즈마 소스 구조체와 아우터 프레임(520) 내에 배치되는 아우터 플라즈마 소스 구조체로는 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 적응형 플라즈마 소스 구조가 채용되거나, 또는 이너 플라즈마 소스만으로 구성되는 적응형 플라즈마 소스 구조가 채용될 수도 있다.
이너 프레임(510) 및 아우터 프레임(520)은 절연성 재질의 평판 구조를 가질 수 있다. 이너 프레임(510)의 하부에는 이너 리프팅 레버(530)가 배치된다. 이너 리프팅 레버(530)는, 수직 방향으로의 이동이 가능하며, 이너 프레임(510)에 고정되도록 배치된다. 이에 따라 이너 리프팅 레버(530)가 수직 방향으로 이동하면 그에 연동되어 이너 프레임(510) 또한 수직 방향으로 이동될 수 있다. 아우터 프레임(520)의 하부에는 제1 아우터 리프팅 레버(541) 및 제2 아우터 리프팅 레버(542)가 배치된다. 일 예에서 제1 아우터 리프팅 레버(541) 및 제2 아우터 리프팅 레버(542)는 일체형으로 이루어질 수 있으며, 이 경우 동일한 높이만큼 수직 방향으로의 이동이 이루어진다.
이너 리프팅 레버(530)에 수직 방향으로의 이동력을 제공하는 동력제공장치와, 제1 및 제2 아우터 리프팅 레버(541, 54)에 수직 방향으로의 이동력을 제공하는 동력제공장치는 별개로 배치될 수 있다. 이에 따라 이너 프레임(510) 내의 이너 플라즈마 소스는 아우터 플라즈마 소스와 무관하게 수직 방향으로 이동할 수 있다. 마찬가지로 아우터 프레임(520) 내의 아우터 플라즈마 소스는 이너 플라즈마 소스와 무관하게 수직 방향으로 이동할 수 있다. 이너 프레임(510)과 아우터 프레임(520)의 독립적인 수직 방향으로의 이동을 통해, 웨이퍼에 대한 반응공간과의 간격을 내부 영역(101)과 외부 영역(102)에서 다르게 할 수 있다. 이는 내부 영역(101), 예컨대 웨이퍼의 중심 영역과, 외부 영역(102), 예컨대 웨이퍼의 가장자리 영역에서의 플라즈마 밀도를 독립적으로 제어할 수 있다는 것을 의미한다. 따라서 본 예에 따른 적응형 플라즈마 소스(500)에 의하면, 내부 영역(101) 및 외부 영역(102) 사이의 플라즈마 밀도 편차를 조절하여 시디 균일도는 향상시킬 수 있다.
일 예로, 웨이퍼의 중심 영역에 대응되는 내부 영역(101)에서의 식각율이 상대적으로 높고, 웨이퍼의 가장자리 영역에 대응되는 외부 영역(102)에서의 식각율이 상대적으로 낮은 경우를 예로 들기로 한다. 이 경우 내부 영역(101)에서의 플라즈마 밀도가 외부 영역(102)에서의 플라즈마 밀도보다 상대적으로 높은 경우일 수 있다. 따라서 도면에서 화살표(551)로 나타낸 바와 같이, 이너 리프팅 레버(530)를 이용하여 이너 프레임(510)을 수직 방향의 위 방향으로 이동시킨다. 이와 함께 도면에서 화살표(552)로 나타낸 바와 같이, 제1 및 제2 아우터 리프팅 레버(541, 542)를 이용하여 아우터 프레임(520)을 수직 방향의 아래 방향으로 이동시킨다. 그러면 내부 영역(101)에서 이너 프레임(510) 내의 이너 플라즈마 소스와 웨이퍼 사이의 간격은 멀어지는 반면에, 외부 영역(102)에서 아우터 프레임(520) 내의 아우터 플라즈마 소스와 웨이퍼 사이의 간격은 가까워진다. 즉 내부 영역(101)에서의 플라즈마 밀도는 감소되는 반면, 외부 영역(102)에서의 플라즈마 밀도는 증가된다. 이와 같이 내부 영역(101)에서의 플라즈마 밀도의 감소분과 외부 영역(102)에서의 플라즈마 밀도의 증가분을 조절함으로써 두 영역에서의 시디 불균일도를 해소할 수 있다.
도 9는 일 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버를 나타내 보인 도면이다. 도 9를 참조하면, 본 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버(610)는, 챔버 외벽(611)과 상부의 돔(615)에 의해 한정되는 내부의 반응공간(612)을 갖는다. 이 반응공간(612)의 일정 영역에는 일정 조건하에서 플라즈마(614)가 형성된다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 챔버 외벽(611)에는 웨이퍼(800)를 적응형 플라즈마 챔버(610) 내로 로딩하거나 언로딩하기 위한 도어(door)(미도시)가 배치될 수 있다. 적응형 플라즈마 챔버(610)의 바닥에는 챔버 내부로 로딩된 웨이퍼(800)를 지지하는 지지대(613)가 배치된다. 지지대(613)는 통상의 정전척을 포함할 수 있다. 지지대(613)는 외부의 RF 전원(616)과 연결된다. 돔(615)은 유전체막으로 이루어져 있으며, 그 상부에는 적응형 플라즈마 소스(100)가 배치된다.
돔(615) 상부에 배치되는 적응형 플라즈마 소스(100)는 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 바와 동일하며, 따라서 그 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 적응형 플라즈마 소스(100)의 이너 플라즈마 소스가 배치되는 내부영역(101)은, 웨이퍼(800)의 중심점(c)으로부터 일정 거리(r)까지의 중심영역(101')에 수직 방향으로 중첩되는 영역이다. 적응형 플라즈마 소스(100)의 아우터 플라즈마 소스가 배치되는 외부영역(102)은, 웨이퍼(800)의 중심영역(101')을 둘러싸는 가장자리 영역(102')에 수직 방향으로 중첩되는 영역이다.
이상적인 경우, 이너 플라즈마 소스와 아우터 플라즈마 소스에 동일한 전류가 공급될 경우 웨이퍼(800)의 중심영역(101')과 가장자리 영역(102') 사이의 시디는 균일하여야 한다. 그러나 공정상 및 설비상의 여러 변수들에 의해 웨이퍼(800)의 중심영역(101')과 가장자리 영역(102') 사이에는 시디 편차가 발생된다. 이와 같은 시디 불균일도를 억제하기 위해, 본 예에서는 이너 플라즈마 소스에 공급되는 전류와 아우터 플라즈마 소스에 공급되는 전류가 서로 다른 값을 갖도록 제어한다. 즉 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 가변 커패시터(131)의 제1 커패시턴스(Ci)와 제2 가변 커패시터(132)의 제2 커패시턴스(Co)를 제어함으로써, 내부 영역(101) 및 외부영역(102)에 대응되는 반응공간(612) 내의 영역에서 플라즈마 밀도가 균일하게 형성되도록 할 수 있다.
웨이퍼(800)의 중심영역(101')에서의 식각율이 높고, 웨이퍼(800)의 가장자리 영역(102')에서의 식각율이 낮은 경우를 예로 들기로 한다. 이 경우, 내부영역(101)의 이너 플라즈마 소스에 공급되는 전류는 감소되고, 외부영역(102)의 아우터 플라즈마 소스에 공급되는 전류는 증가되도록 제1 가변 커패시터(131)의 제1 커패시턴스(Ci) 및 제2 가변 커패시턴스(Co)를 조절함으로써 웨이퍼(800)의 중심영역(101')과 가장자리 영역(102') 사이의 시디 균일도를 향상시킬 수 있다.
도 10은 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버를 나타내 보인 도면이다. 도 10을 참조하면, 본 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버(620)는, 챔버 외벽(621)과 상부의 돔(625)에 의해 한정되는 내부의 반응공간(622)을 갖는다. 이 반응공간(622)의 일정 영역에는 일정 조건하에서 플라즈마(624)가 형성된다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 챔버 외벽(621)에는 웨이퍼(800)를 적응형 플라즈마 챔버(620) 내로 로딩하거나 언로딩하기 위한 도어(door)(미도시)가 배치될 수 있다. 적응형 플라즈마 챔버(620)의 바닥에는 챔버 내부로 로딩된 웨이퍼(800)를 지지하는 지지대(623)가 배치된다. 지지대(623)는 통상의 정전척을 포함할 수 있다. 지지대(623)는 외부의 RF 전원(626)과 연결된다. 돔(625)은 유전체막으로 이루어져 있으며, 그 상부에는 적응형 플라즈마 소스(200)가 배치된다.
돔(625) 상부에 배치되는 적응형 플라즈마 소스(200)는 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 바와 동일하며, 따라서 그 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 적응형 플라즈마 소스(200)의 이너 플라즈마 소스가 배치되는 내부영역(201)은, 웨이퍼(800)의 중심점(c)으로부터 일정 거리(r)까지의 중심영역(201')에 수직 방향으로 중첩되는 영역이다. 적응형 플라즈마 소스(200)의 아우터 플라즈마 소스가 배치되는 외부영역(202)은, 웨이퍼(800)의 중심영역(201')을 둘러싸는 가장자리 영역(202')에 수직 방향으로 중첩되는 영역이다.
이상적인 경우, 이너 플라즈마 소스와 아우터 플라즈마 소스에 동일한 전류가 공급될 경우 웨이퍼(800)의 중심영역(201')과 가장자리 영역(202') 사이의 시디는 균일하여야 한다. 그러나 공정상 및 설비상의 여러 변수들에 의해 웨이퍼(800)의 중심영역(201')과 가장자리 영역(202') 사이에는 시디 편차가 발생된다. 이와 같은 시디 불균일도를 억제하기 위해, 본 예에서는 이너 플라즈마 소스에 공급되는 전류와 아우터 플라즈마 소스에 공급되는 전류가 서로 다른 값을 갖도록 제어한다. 즉 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 가변 커패시터(231)의 제1 커패시턴스(Ci)와 제2 가변 커패시터(232)의 제2 커패시턴스(Co)를 제어함으로써, 내부 영역(201) 및 외부영역(202)에 대응되는 반응공간(612) 내의 영역에서 플라즈마 밀도 분포가 균일하게 되도록 있다.
웨이퍼(800)의 중심영역(201')에서의 식각율이 높고, 웨이퍼(800)의 가장자리 영역(202')에서의 식가율이 낮은 경우를 예로 들기로 한다. 이 경우, 내부영역(201)의 이너 플라즈마 소스에 공급되는 전류는 감소되고, 외부영역(202)의 아우터 플라즈마 소스에 공급되는 전류는 증가되도록 제1 가변 커패시터(231)의 제1 커패시턴스(Ci) 및 제2 가변 커패시터(232)의 제2 커패시턴스(Co)를 조절함으로써 웨이퍼(800)의 중심영역(201')과 가장자리 영역(202') 사이의 시디 균일도를 향상시킬 수 있다.
도 11은 또 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버를 나타내 보인 도면이다. 도 11을 참조하면, 본 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버(630)는, 챔버 외벽(631)과 상부의 돔(635)에 의해 한정되는 내부의 반응공간(632)을 갖는다. 이 반응공간(632)의 일정 영역에는 일정 조건하에서 플라즈마(634)가 형성된다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 챔버 외벽(631)에는 웨이퍼(800)를 적응형 플라즈마 챔버(630) 내로 로딩하거나 언로딩하기 위한 도어(door)(미도시)가 배치될 수 있다. 적응형 플라즈마 챔버(630)의 바닥에는 챔버 내부로 로딩된 웨이퍼(800)를 지지하는 지지대(633)가 배치된다. 지지대(633)는 통상의 정전척을 포함할 수 있다. 지지대(633)는 외부의 RF 전원(636)과 연결된다. 돔(635)은 유전체막으로 이루어져 있으며, 그 상부에는 적응형 플라즈마 소스(300)가 배치된다.
돔(635) 상부에 배치되는 적응형 플라즈마 소스(300)는 도 6을 참조하여 설명한 바와 동일하며, 따라서 그 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 적응형 플라즈마 소스(300)의 이너 플라즈마 소스가 배치되는 내부영역(101)은, 웨이퍼(800)의 중심점(c)으로부터 일정 거리(r)까지의 중심영역(101')에 수직 방향으로 중첩되는 영역이다. 적응형 플라즈마 소스(300)의 아우터 플라즈마 소스가 배치되는 외부영역(102)은, 웨이퍼(800)의 중심영역(101')을 둘러싸는 가장자리 영역(102')에 수직 방향으로 중첩되는 영역이다. 비록 본 예에서는 프레임(310) 내에 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 적응형 플라즈마 소스(100)가 내장되는 경우를 예로 들었지만, 프레임(310) 내에 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 적응형 플라즈마 소스(200)가 내장되는 경우에도 동일하게 적용할 수 있다.
이상적인 경우, 이너 플라즈마 소스와 아우터 플라즈마 소스에 동일한 전류가 공급될 경우 웨이퍼(800)의 중심영역(101')과 가장자리 영역(102') 사이의 시디는 균일하여야 한다. 그러나 공정상 및 설비상의 여러 변수들에 의해 웨이퍼(800)의 중심영역(101')과 가장자리 영역(102') 사이에는 시디 편차가 발생된다. 이와 같은 시디 불균일도를 억제하기 위해, 본 예에서는 이너 플라즈마 소스에 공급되는 전류와 아우터 플라즈마 소스에 공급되는 전류가 서로 다른 값이 되도록 제어한다. 즉 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 가변 커패시터(131)의 제1 커패시턴스(Ci)와 제2 가변 커패시터(132)의 제2 커패시턴스(Co)를 제어함으로써, 내부 영역(101) 및 외부영역(102)에 대응되는 반응공간(612) 내의 영역에서 플라즈마 밀도 분포가 균일해 지도록 할 수 있다.
더욱이 본 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버(630)에 따르면, 웨이퍼(800)의 중심점(c)을 기준으로 방사 방향으로 상호 대칭이 되는 영역들(801, 802) 사이의 시디 균일도를 향상시킬 수 있다. 도 6을 참조하여 설명한 바와 같이, 적응형 플라즈마 소스(300)는, 제1 틸팅 레버(321) 및 제2 틸팅 레버(322)가 반대 방향으로 이동하도록 연동된 상태에서 수직 방향으로 이동함에 따라 프레임(310)을 일정 기울기로 기울일 수 있다. 이에 따라 기준 레버(333)가 위치하는 중심점을 기준으로 한쪽 가장자리는 상대적으로 아래 방향으로 치우지는 반면, 반대쪽 가장자리는 상대적으로 위 방향으로 치우친다. 따라서 중심점(c)으로 기준으로 상호 대칭이 되는 지점에서의 플라즈마 밀도가 다르게 분포하도록 조절될 수 있으며, 적절한 조절을 통해 플라즈마 밀도의 불균일도를 제거할 수 있다.
일 예로, 웨이퍼(800)의 중심점(c)을 기준으로 방사 방향으로 서로 대칭인 제1 영역(801) 및 제2 영역(802) 중, 제1 영역(801)에서의 식각율이 상대적으로 높고 제2 영역(802)에서의 식각율이 상대적으로 낮은 경우를 예로 들기로 한다. 이 경우 제1 틸팅 레버(321) 및 제2 틸팅 레버(322)를, 도면에서 화살표 방향으로 이동시킴으로써, 프레임(310)이 기준 레버(333)를 기준으로 기울어지도록 한다. 이때 기준 레버(333)가 위치하는 지점을 기준으로 프레임식각율이 높은 제1 영역(801)에 대응되는 프레임(310) 영역은 돔(635)으로부터 상대적으로 멀어지고, 반면에 식각율이 낮은 제2 영역(802)에 대응되는 프레임(310) 영역은 돔(635)으로부터 상대적으로 가까워진다. 따라서 웨이퍼(800)의 제1 영역(801)에서의 식각율은 낮아지는 반면, 웨이퍼(800)의 제2 영역(802)에서의 식각율은 높아진다. 이와 같이 적응형 플라즈마 소스가 내장된 프레임(310)을 기울임으로써 웨이퍼(800)의 중심점(c)을 기준으로 방사 방향으로 서로 대칭인 제1 영역(801) 및 제2 영역(802)에서의 시디 균일도를 향상시킬 수 있다.
도 12는 또 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버를 나타내 보인 도면이다. 도 12를 참조하면, 본 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버(640)는, 챔버 외벽(641)과 상부의 돔(645)에 의해 한정되는 내부의 반응공간(642)을 갖는다. 이 반응공간(642)의 일정 영역에는 일정 조건하에서 플라즈마(644)가 형성된다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 챔버 외벽(641)에는 웨이퍼(800)를 적응형 플라즈마 챔버(640) 내로 로딩하거나 언로딩하기 위한 도어(door)(미도시)가 배치될 수 있다. 적응형 플라즈마 챔버(640)의 바닥에는 챔버 내부로 로딩된 웨이퍼(800)를 지지하는 지지대(643)가 배치된다. 지지대(643)는 통상의 정전척을 포함할 수 있다. 지지대(643)는 외부의 RF 전원(646)과 연결된다. 돔(645)은 유전체막으로 이루어져 있으며, 그 상부에는 적응형 플라즈마 소스(400)가 배치된다.
돔(645) 상부에 배치되는 적응형 플라즈마 소스(400)는 도 7을 참조하여 설명한 바와 동일하며, 따라서 그 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 적응형 플라즈마 소스(400)의 이너 플라즈마 소스가 배치되는 내부영역(101)은, 웨이퍼(800)의 중심점(c)으로부터 일정 거리(r)까지의 중심영역(101')에 수직 방향으로 중첩되는 영역이다. 적응형 플라즈마 소스(400)의 아우터 플라즈마 소스가 배치되는 외부영역(102)은, 웨이퍼(800)의 중심영역(101')을 둘러싸는 가장자리 영역(102')에 수직 방향으로 중첩되는 영역이다. 비록 본 예에서는 프레임(410) 내에 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 적응형 플라즈마 소스(100)가 내장되는 경우를 예로 들었지만, 프레임(410) 내에 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 적응형 플라즈마 소스(200)가 내장되는 경우에도 동일하게 적용할 수 있다.
이상적인 경우, 이너 플라즈마 소스와 아우터 플라즈마 소스에 동일한 전류가 공급될 경우 웨이퍼(800)의 중심영역(101')과 가장자리 영역(102') 사이의 시디는 균일하여야 한다. 그러나 공정상 및 설비상의 여러 변수들에 의해 웨이퍼(800)의 중심영역(101')과 가장자리 영역(102') 사이에는 시디 편차가 발생된다. 이와 같은 시디 불균일도를 억제하기 위해, 본 예에서는 이너 플라즈마 소스에 공급되는 전류와 아우터 플라즈마 소스에 공급되는 전류가 서로 다른 값을 갖도록 제어한다. 즉 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 가변 커패시터(131)의 제1 커패시턴스(Ci)와 제2 가변 커패시터(132)의 제2 커패시턴스(Co)를 제어함으로써, 내부 영역(101) 및 외부영역(102)에 대응되는 반응공간(612) 내의 영역에서각 플라즈마 밀도 분포가 균일해 지도록 할 수 있다.
더욱이 본 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버(640)에 따르면, 웨이퍼(800)의 중심점(c)을 기준으로 일정 거리(r)만큼 이격된 모든 위치들, 예컨대 도면에서 점선의 원(103')과 중첩되는 모든 위치들에서의 시디 균일도를 향상시킬 수 있다. 도 7을 참조하여 설명한 바와 같이, 반도체 제조공정, 예컨대 식각공정이 이루어지는 동안 회전 레버(420)를 회전시킴으로써 프레임(410)도 함게 연동되어 회전되도록 함으로써, 중심점으로부터 동일한 거리로 이격되는 모든 위치들에서 플라즈마 밀도는 균일하게 형성되며, 이에 따라 식각공정의 방위각에 무관하게 중심점으로부터 동일 거리만큼 이격되는 위치들에서의 시디 균일도를 향상시킬 수 있다.
도 13은 또 다른 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버를 나타내 보인 도면이다. 도 13을 참조하면, 본 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버(650)는, 챔버 외벽(651)과 상부의 돔(655)에 의해 한정되는 내부의 반응공간(652)을 갖는다. 이 반응공간(652)의 일정 영역에는 일정 조건하에서 플라즈마(654)가 형성된다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 챔버 외벽(651)에는 웨이퍼(800)를 적응형 플라즈마 챔버(650) 내로 로딩하거나 언로딩하기 위한 도어(door)(미도시)가 배치될 수 있다. 적응형 플라즈마 챔버(650)의 바닥에는 챔버 내부로 로딩된 웨이퍼(800)를 지지하는 지지대(653)가 배치된다. 지지대(653)는 통상의 정전척을 포함할 수 있다. 지지대(653)는 외부의 RF 전원(656)과 연결된다. 돔(655)은 유전체막으로 이루어져 있으며, 그 상부에는 적응형 플라즈마 소스(500)가 배치된다.
돔(655) 상부에 배치되는 적응형 플라즈마 소스(500)는 도 8을 참조하여 설명한 바와 동일하며, 따라서 그 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 적응형 플라즈마 소스(500)의 이너 플라즈마 소스가 배치되는 내부영역(101)은, 웨이퍼(800)의 중심점(c)으로부터 일정 거리(r)까지의 중심영역(101')에 수직 방향으로 중첩되는 영역이다. 적응형 플라즈마 소스(500)의 아우터 플라즈마 소스가 배치되는 외부영역(102)은, 웨이퍼(800)의 중심영역(101')을 둘러싸는 가장자리 영역(102')에 수직 방향으로 중첩되는 영역이다. 비록 본 예에서는 이너 프레임(510) 및 아우터 프레임(520) 내에 각각 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 이너 플라즈마 소스(110) 및 아우터 플라즈마 소스(120)가 내장되는 경우를 예로 들었지만, 이너 프레임(510) 및 아우터 프레임(520) 내에 각각 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 이너 플라즈마 소스(210) 및 아우터 플라즈마 소스(220)가 내장되는 경우에도 동일하게 적용할 수 있다.
이상적인 경우, 이너 플라즈마 소스와 아우터 플라즈마 소스에 동일한 전류가 공급될 경우 웨이퍼(800)의 중심영역(101')과 가장자리 영역(102') 사이의 시디는 균일하여야 한다. 그러나 공정상 및 설비상의 여러 변수들에 의해 웨이퍼(800)의 중심영역(101')과 가장자리 영역(102') 사이에는 시디 편차가 발생된다. 이와 같은 시디 불균일도를 억제하기 위해, 본 예에서는 이너 플라즈마 소스에 공급되는 전류와 아우터 플라즈마 소스에 공급되는 전류가 서로 다른 값을 갖도록 제어한다. 즉 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 가변 커패시터(131)의 제1 커패시턴스(Ci)와 제2 가변 커패시터(132)의 제2 커패시턴스(Co)를 제어함으로써, 내부 영역(101) 및 외부영역(102)에 대응되는 반응공간(612) 내의 영역에서 플라즈마 밀도 분포가 균일하게 형성되도록 할 수 있다.
더욱이 본 예에 따른 적응형 플라즈마 챔버(650)에 따르면, 도 8을 참조하여 설명한 바와 같이, 이너 프레임(510)과 아우터 프레임(520)의 독립적인 수직 방향으로의 이동을 통해, 웨이퍼(800)에 대한 반응공간과의 간격을 내부 영역(101)과 외부 영역(102)에서 다르게 할 수 있다. 이는 내부 영역(101), 예컨대 웨이퍼(800)의 중심 영역(101')과, 외부 영역(102), 예컨대 웨이퍼(800)의 가장자리 영역(102')에서의 플라즈마 밀도를 독립적으로 제어할 수 있다는 것을 의미한다. 따라서 내부 영역(101) 및 외부 영역(102) 사이의 플라즈마 밀도 편차를 보다 정밀하게 조절하여 시디 균일도는 더욱 더 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이 본 출원의 실시 형태들을 도면들을 예시하며 설명하지만, 이는 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 설명하기 위한 것이며, 세밀하게 제시된 형상으로 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 한정하고자 한 것은 아니다.
101...내부영역 102...외부영역
110...이너 플라즈마 소스 111...이너 부싱
112a, 112b, 112c...이너 코일들 120...아우터 플라즈마 소스
121...아우터 부싱 122a, 122b, 122c...아우터 코일들
131...제1 가변 커패시터 132...제2 가변 커패시터
140...매칭 박스 150...RF 전원

Claims (11)

  1. 내부영역에 배치되며, 이너 부싱과, 상기 이너 부싱으로부터 분지되어 상기 이너 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 이너 코일들을 포함하는 이너 플라즈마 소스;
    외부영역에 배치되며, 아우터 부싱과, 상기 아우터 부싱으로부터 분지되어 상기 아우터 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 아우터 코일들을 포함하는 아우터 플라즈마 소스;
    상기 이너 플라즈마 소스 및 아우터 플라즈마 소스를 둘러싸도록 배치되는 평판 구조의 프레임;
    수직 방향으로 이동되도록 상기 프레임에 장착되되, 상기 수직 방향으로의 이동에 연동되어 상기 프레임이 일정 기울기로 기울어지도록 하는 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버; 및
    상기 프레임의 중심 하단부에서 고정되게 배치되는 기준 레버를 포함하는 적응형 플라즈마 소스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이너 부싱에 연결되는 제1 가변 커패시터;
    상기 아우터 부싱에 연결되는 제2 가변 커패시터;
    상기 제1 가변 커패시터 및 제2 가변 커패시터에 연결되어 상기 제1 가변 커패시터의 제1 가변 커패시턴스 및 제2 가변 커패시터의 제2 가변 커패시턴스를 조절하는 매칭박스; 및
    상기 매칭박스에 연결되는 RF 전원을 더 포함하는 적응형 플라즈마 소스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버는 반대 방향으로 동일한 거리만큼 수직 방향으로 이동하도록 상호 연동되는 적응형 플라즈마 소스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버는 상기 프레임의 양 측면상에 각각 부착되는 적응형 플라즈마 소스.
  5. 내부영역에 배치되며, 부싱과, 상기 부싱으로부터 분지되어 상기 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 복수개의 이너 코일들을 포함하는 이너 플라즈마 소스;
    외부영역에 배치되며, 상기 이너 플라즈마 소스를 둘러싸는 원형으로 배치되는 단일의 아우터 코일을 포함하는 아우터 플라즈마 소스;
    상기 이너 플라즈마 소스 및 아우터 플라즈마 소스를 둘러싸도록 배치되는 평판 구조의 프레임;
    수직 방향으로 이동되도록 상기 프레임에 장착되되, 상기 수직 방향으로의 이동에 연동되어 상기 프레임이 일정 기울기로 기울어지도록 하는 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버; 및
    상기 프레임의 중심 하단부에서 고정되게 배치되는 기준 레버를 포함하는 적응형 플라즈마 소스.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 부싱에 연결되는 제1 가변 커패시터;
    상기 아우터 코일에 연결되는 제2 가변 커패시터;
    상기 제1 가변 커패시터 및 제2 가변 커패시터에 연결되어 상기 제1 가변 커패시터의 제1 가변 커패시턴스 및 제2 가변 커패시터의 제2 가변 커패시턴스를 조절하는 매칭박스; 및
    상기 매칭박스에 연결되는 RF 전원을 더 포함하는 적응형 플라즈마 소스.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버는 반대 방향으로 동일한 거리만큼 수직 방향으로 이동하도록 상호 연동되는 적응형 플라즈마 소스.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버는 상기 프레임의 양 측면상에 각각 부착되는 적응형 플라즈마 소스.
  9. 플라즈마가 형성되는 반응공간을 한정하는 외벽 및 상부의 돔;
    상기 반응공간의 하부에 배치되어 처리될 웨이퍼를 안착하기 위한 지지대;
    상기 돔 위에 배치되며 상기 웨이퍼의 중심점으로부터 일정 거리까지의 영역에 대응되는 내부영역 및 상기 내부영역을 둘러싸고 상기 웨이퍼의 가장자리영역에 대응되는 외부영역을 갖는 적응형 플라즈마 소스를 포함하되,
    상기 적응형 플라즈마 소스는,
    상기 내부영역에 배치되며, 이너 부싱과, 상기 이너 부싱으로부터 분지되어 상기 이너 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 이너 코일들을 포함하는 이너 플라즈마 소스;
    상기 외부영역에 배치되며, 아우터 부싱과, 상기 아우터 부싱으로부터 분지되어 상기 아우터 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 아우터 코일들을 포함하는 아우터 플라즈마 소스;
    상기 이너 플라즈마 소스 및 아우터 플라즈마 소스를 둘러싸도록 배치되는 평판 구조의 프레임;
    수직 방향으로 이동되도록 상기 프레임에 장착되되, 상기 수직 방향으로의 이동에 연동되어 상기 프레임이 일정 기울기로 기울어지도록 하는 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버; 및
    상기 프레임의 중심 하단부에서 고정되게 배치되는 기준 레버를 포함하는 적응형 플라즈마 챔버.
  10. 플라즈마가 형성되는 반응공간을 한정하는 외벽 및 상부의 돔;
    상기 반응공간의 하부에 배치되어 처리될 웨이퍼를 안착하기 위한 지지대;
    상기 돔 위에 배치되며 상기 웨이퍼의 중심점으로부터 일정 거리까지의 영역에 대응되는 내부영역 및 상기 내부영역을 둘러싸고 상기 웨이퍼의 가장자리영역에 대응되는 외부영역을 갖는 적응형 플라즈마 소스를 포함하되,
    상기 적응형 플라즈마 소스는,
    상기 내부영역에 배치되며, 부싱과, 상기 부싱으로부터 분지되어 상기 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 복수개의 이너 코일들을 포함하는 이너 플라즈마 소스;
    상기 외부영역에 배치되며, 상기 이너 플라즈마 소스를 둘러싸는 원형으로 배치되는 단일의 아우터 코일을 포함하는 아우터 플라즈마 소스;
    상기 이너 플라즈마 소스 및 아우터 플라즈마 소스를 둘러싸도록 배치되는 평판 구조의 프레임;
    수직 방향으로 이동되도록 상기 프레임에 장착되되, 상기 수직 방향으로의 이동에 연동되어 상기 프레임이 일정 기울기로 기울어지도록 하는 제1 틸팅 레버 및 제2 틸팅 레버; 및
    상기 프레임의 중심 하단부에서 고정되게 배치되는 기준 레버를 포함하는 적응형 플라즈마 챔버.
  11. 제9항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부싱에 연결되는 제1 가변 커패시터;
    상기 아우터 코일에 연결되는 제2 가변 커패시터;
    상기 제1 가변 커패시터 및 제2 가변 커패시터에 연결되어 상기 제1 가변 커패시터의 제1 가변 커패시턴스 및 제2 가변 커패시터의 제2 가변 커패시턴스를 조절하는 매칭박스; 및
    상기 매칭박스에 연결되는 RF 전원을 더 포함하는 적응형 플라즈마 챔버.
KR1020160100705A 2016-08-08 2016-08-08 향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마 챔버 KR20160100281A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160100705A KR20160100281A (ko) 2016-08-08 2016-08-08 향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마 챔버

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160100705A KR20160100281A (ko) 2016-08-08 2016-08-08 향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마 챔버

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150016341A Division KR20160095303A (ko) 2015-02-02 2015-02-02 향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마 챔버

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160100281A true KR20160100281A (ko) 2016-08-23

Family

ID=56875561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160100705A KR20160100281A (ko) 2016-08-08 2016-08-08 향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마 챔버

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20160100281A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI383464B (zh) 利用電動源線圈組件以校準基線偏斜之方法
US8413604B2 (en) Slotted electrostatic shield modification for improved etch and CVD process uniformity
US20150181684A1 (en) Extreme edge and skew control in icp plasma reactor
JP5208206B2 (ja) 容積可変型プラズマ処理チャンバ
US6248250B1 (en) RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling
JP4792185B2 (ja) エッチング速度の均一性を改良するプラズマ処理チャンバ
EP2027306B1 (en) Plasma reactor with a dynamically adjustable plasma source power applicator
KR20110046353A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US7419551B2 (en) Plasma reactor with apparatus for dynamically adjusting the plasma source power applicator and the workpiece relative to one another
KR20110084948A (ko) 스퍼터 타겟으로의 원형 대칭의 ｒｆ 공급원 및 ｄｃ 공급원을 갖는 물리 기상 증착 반응로
WO2011028312A1 (en) Plasma reactor with tiltable overhead rf inductive source
CN1689132A (zh) 用于产生均匀的处理速率的方法和设备
KR20160099074A (ko) 향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마 챔버
KR20160100281A (ko) 향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마 챔버
KR20160099073A (ko) 향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마 챔버
KR20160095303A (ko) 향상된 시디 균일도를 갖는 적응형 플라즈마 소스 및 이를 이용한 적응형 플라즈마 챔버
CN113994452A (zh) 半导体处理装置及方法
KR102041518B1 (ko) 분리형 플라즈마 소스 코일 및 이의 제어 방법
KR102148350B1 (ko) 구조 변형이 가능한 플라즈마 소스 코일 및 이의 조정 방법
KR100844027B1 (ko) 적응형 플라즈마 소스 및 적응형 플라즈마 반응챔버
KR20080004710A (ko) 안테나 승강수단을 포함하는 기판처리장치
KR20220103039A (ko) 안테나 및 플라스마 처리 장치
KR100528253B1 (ko) 낮은 이온 플럭스와 높은 임피던스를 갖는 플라즈마 소스및 이를 채용한 플라즈마 챔버
CN110828274B (zh) 下电极装置及反应腔室
KR101308687B1 (ko) 균일한 플라즈마 밀도를 위한 플라즈마 소스 및 이를 이용한 플라즈마 챔버

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application