TWI382444B - 射頻產生器 - Google Patents

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Description

射頻產生器
本發明係關於一種用於穩定電漿處理系統中的射頻(radio frequency；RF)功率放大器之系統及方法。
本段論述僅是提供本發明之相關背景資訊，並非構成習知技術。
電漿處理系統係用於半導體製造中。該系統使用電漿室改變原料(例如矽)的電特性以製造半導體元件。半導體元件的例子包括電晶體、媒體及大狀態電感器(large state inductor)、微處理器以及隨機存取記憶體。電漿室可完成實施製程中的噴濺、電漿蝕刻、電漿沈積和/或反應離子蝕刻。
作業中，電漿室容納半導體工作部件。然後，在低壓狀態下將氣體導入至電漿室內。射頻功率產生器應用射頻功率至電漿室。射頻功率將氣體從氣態改變為電漿。電漿包含與半導體工作部件之暴露區反應的帶電離子。這些作業之組合係在工作部件上完成以產生特定的半導體元件。
現在請參考「第1圖」，圖中顯示典型的電漿處理系統10的部件。射頻功率產生器包含一或多個輸出電晶體12。直流電(direct current；DC)電源供應器提供電力B＋至電晶體12。部份實施例中，直流電源供應器包括交換電源供應器或功率放大器(power amplifier；PA)。輸出電晶體12依照射頻驅動訊號14而放大射頻功率。射頻功率與阻抗匹配網路16交流。阻抗匹配網路16的輸出與電漿室20的輸入交流，其中電漿室20的輸入阻抗通常為50歐姆。如所示之電漿室20，部份設備中包含一或多個耗散式帶通濾波器22，其連接於電晶體12和負載之間的輸入線路中。
通常電晶體12在單一中心頻率f0 處產生射頻功率。作業期間，由於電漿的自然特性，電漿室20之輸入阻抗連續且自發地變化。這些輸入阻抗變化導致電晶體12和電漿室20之間的功率耦合效率下降。輸入阻抗變化亦可導致射頻能量從電漿室20反射回至電晶體12。反射的射頻能量可導致功率傳送系統不穩定並且損壞電晶體12。濾波器22可用於消除集中於中心頻率f0 的通帶之外之頻率處出現的反射能量。喬拉(Chawla)等人的標題為〞諧波和次諧波濾波器〞的美國專利No.5,187,457中揭露了濾波器22之範例，且指定給本發明之受讓人。
在交換電源供應器提供的B＋的應用中，反射的射頻功率還可導致電源供應變得不穩定。波特(Porter)等人在標題為〞交換模式供電之射頻電漿處理的穩定方法及裝置〞的美國專利No.5,747,935中揭露了濾波器22之範例，以解決這種狀況。
現在請參考「第2圖」，圖中係為測試量測之非限制範例，描繪電漿之阻抗變化對系統穩定性之影響。水平軸表示頻率，分佈範圍係以頻率f0 為中心及其周圍。垂直軸表示電漿室20之耦合功率。44處的尖峰表示所需之中心頻率f0 的耦合功率。電漿室輸出阻抗之變化有助於高於中心頻率f0 的頻率處的尖峰46以及低於中心頻率f0 的頻率處的尖峰48。尖峰46和48指示基本頻率44之外的頻率處的功率，這種頻率通常均為不期望的頻率。「第3圖」係為史密斯圖50，描繪電晶體12和電漿室20之間的阻抗匹配的變化性質。阻抗匹配的圖形51在點53和55處與史密斯圖50的實(水平)軸交叉。交叉點表示電漿室20內的共振。
現在請參考「第4圖」，圖中係為測試量測之非限制範例，描繪超出頻率範圍之諧波失真導致射頻功率的保真度損失之範例。通常保真度指射頻功率從電晶體12至電漿室20之輸入的無失真傳輸。水平軸表示頻率，垂直軸表示功率放大器之功率輸出。第一尖峰54出現在中心頻率f0 處。第二尖峰56、第三尖峰58以及第四尖峰60出現在中心頻率f0 之整數倍增加的位置。第二尖峰56、第三尖峰58以及第四尖峰60的振幅逐漸小於第一尖峰54的振幅。第二尖峰56、第三尖峰58以及第四尖峰60處的能量指示沒有額外濾波時射頻功率將會在電漿室20中出現失真。因此，保真度將低於理想情況。
用於供應射頻功率至電漿室的射頻產生器包含直流電源供應器。射頻電晶體產生中心頻率的射頻功率。低通耗散式終端網路連接於直流電源供應器和電晶體之間，並且包含低於中心頻率之第一截止頻率。
用於應用射頻功率至電漿室的射頻產生器還包括直流電源供應器、在中心頻率處產生射頻功率的射頻電晶體，以及與射頻功率串聯的高通濾波器。高通濾波器包括低於中心頻率的截止頻率。
經由本說明書的描述，其他的應用範圍將顯而易見。應理解的是，本發明之描述及具體範例僅出於說明之目的，而不希望限制本發明之申請專利範圍。
以下各實施例之描述本質上僅為範例，不希望限制本發明之技術、應用或使用。整個說明中所使用的相同的參考標號代表類似元件。
請參考「第5圖」，顯示電漿處理系統100之若干實施例之一。直流電壓B＋可由半橋和/或全橋切換電源供應器產生。與直流電饋送進線的低通終端直流電饋送網路101耦合B＋至射頻電晶體102的汲極或集極。低通終端直流電饋送網路101在頻帶內反應，並且消除出現在第一截止頻率fc1 以下的射頻功率。各種實施例中，第一截止頻率fc1 通常低於中心頻率f0 。以下更加詳細地描述低通終端直流電饋送網路101。
圖中所示之電晶體102為金氧矽場效電晶體(Metal－Oxide－silicon；MOSFET)，然而應理解的是可使用其他電晶體配置及類型。例如，電晶體102可為任意三個終端半導體裝置，其中終端之一控制通過之傳導性和/或跨過另外兩個終端之電壓。電晶體102還可被完成為單一晶片和/或單晶粒金氧矽場效電晶體。部份實施例中，電晶體102可被完成為多晶粒千瓦功率電晶體(kilowatt power transisitor；KPT)。電晶體102還可被完成為一或多個絕緣閘極雙極電晶體(insulated－gate bipolar transisitor；IGBT)。可根據例如所需射頻功率大小、電壓B＋、射頻功率之頻率範圍、消除反射能量之能力等，而選擇電晶體102之特定配置及類型。
電晶體102之閘極或基極接收中心頻率f0 的射頻驅動訊號103。當電漿處理系統100採用頻率調變時，驅動訊號103的頻率調變至中心頻率f0 之上及之下。部份實施例中，調變範圍係為中心頻率f0 的＋/－5%與＋/－10%之間，但是依照不同實施例可結合更大的範圍。電晶體102之源極或射極104耦合接地。汲極耦合至輸出網路106之輸入。部份實施例中，輸出網路106保持電晶體102之汲極處產生的射頻功率之保真度。以下提供輸出網路106之細節。輸出網路106與高通次諧波負載隔離濾波器(high－pass sub－harmonic load isolation filter；HPSH filter)108之輸入交流。高通次諧波負載隔離濾波器108通過的頻率分量大於第二預定截止頻率fc2 。各種實施例中，第二預定截止頻率fc2 通常低於中心頻率f0 並且約等於fc1 。以下提供高通次諧波負載隔離濾波器108之細節。
電晶體102之汲極亦與離線短路(offline short)112交流。通常，離線短路112的作業頻率低於中心頻率f0 ，部份實施例中於頻率f0 /2下作業。以下更加詳細地描述離線短路112。高通次諧波負載隔離濾波器108之輸出與電漿室110之輸入交流。部份實施例中，例如「第1圖」所示之阻抗匹配網路可與電漿室110之輸入串聯耦合。
通常，低通終端直流電饋送網路101和高通次諧波負載隔離濾波器108提供一對網路環繞電晶體102，共同作業以輔助提供一控制的帶外頻率響應，其不受負載電漿室110變化之影響。低通終端直流電饋送網路101提供離線於射頻路徑的低通結構，實現對電晶體102之低頻阻抗控制。低通終端直流電饋送網路101和高通次諧波負載隔離濾波器108共同作業。高通次諧波負載隔離濾波器108提供與射頻進線的高通電路，其在被控制的次諧波頻率處隔離負載。低通終端直流電饋送網路101和高通次諧波負載隔離濾波器108的組合使得電晶體102經受了低通終端直流電饋送網路101所提供的阻抗。這允許獨立於負載變化的次諧波阻抗之控制。因此，低通終端直流電饋送網路101和高通次諧波負載隔離濾波器108以餽贈的方式改善電漿處理系統100之穩定性。部份實施例中，無須透過低通終端直流電饋送網路101提供應用至電晶體102之直流電分量。此外，高通次諧波負載隔離濾波器108部份或完全地整合至輸出網路106之內以提供阻抗匹配功能。
當阻抗隨著頻率變化時，「第5圖」之組態使得電晶體102在次諧波區於可控制、負載獨立、實阻抗之下作業。這防止電漿室110之負載所產生的次諧波共振之高頻，被傳送至電晶體102之輸出節點。這可在作業頻率之下有效地隔離電漿室110之負載和電晶體102。因此，低通終端直流電饋送網路101和高通次諧波負載隔離濾波器108共同作業以改善電漿處理系統100之穩定性。離線短路112可進一步與低通終端直流電饋送網路101和高通次諧波負載隔離濾波器108共同作業以進一步調節電晶體102之次諧波頻率之阻抗，從而進一步改善電漿處理系統100之穩定性。
請參考「第6圖」，顯示具有高通終端網路(high－pass terminated network；HPT network)120和低通諧波負載隔離濾波器(low－pass harmonic load－isolation filter；LPHI filter)122之電漿處理系統100的若干實施例之一，。高通終端網路120連接至輸出網路106之輸出。低通諧波負載隔離濾波器122連接至輸出網路106和高通次諧波負載隔離濾波器108之間。高通終端網路120消除高於第三預定截止頻率fc3 之頻率處出現的射頻功率。部份實施例中，第三預定截止頻率fc3 通常處於f0 至2 f0 的頻率範圍。低通諧波負載隔離濾波器122通過低於第四預定截止頻率fc4 出現的射頻能量。各種實施例中，第四預定截止頻率fc4 大於f0 並且通常約等於fc3 。低通終端直流電饋送網路101、輸出網路106、高通次諧波負載隔離濾波器108、高通終端網路120和低通諧波負載隔離濾波器122統稱為穩定網路。熟悉本技藝之人士應理解的是「第6圖」之元件可以不同的組態配置。亦將理解的是「第6圖」之元件配置可能導致個別元件的不同拓撲。
如上述，雖然低通終端直流電饋送網路101和高通次諧波負載隔離濾波器108為電晶體102提供次諧波隔離，高通終端網路120和低通諧波負載隔離濾波器122共同作業而為電晶體102提供作業頻率以上之隔離。這種共同作業改善電漿處理系統100之輸出之保真度，同時需要最少的額外的濾波器元件。部份實施例中，高通終端網路120和低通諧波負載隔離濾波器122以餽贈的方式作業以提供高頻率阻抗調節和終結。「第6圖」之系統在作業頻率以上及以下隔離負載和電晶體，並且在作業頻寬之內提供可控制的實阻抗至電晶體102。部份實施例中，進線電路低通諧波負載隔離濾波器122和高通次諧波負載隔離濾波器108可用於彼此補償，此允許放大器系統在作業頻率之上及以下獲得寬頻作業以及高度的負載隔離。然而，部份實施例中，進線元件低通諧波負載隔離濾波器122和高通次諧波負載隔離濾波器108可經設計而彼此補償，例如相位補償，使得作業頻帶的阻抗保持為頻率函數的常數。這種餽贈網路使得電漿處理系統100能夠在廣泛的頻率上保持不變的效率。
請參考「第7圖」，圖中描繪穩定網路之各式實施例。低通終端直流電饋送網路101包含串聯的電感L1、電感L2、電感L3和電感L4。B＋與電感L1之一端以及電容器C1之一端交流。電容器C1之另一端耦合接地。串連組合的電阻器R1和電容器C2耦合於接地和電感L1與電感L2的接合點之間。部份實施例中，電阻器R1可由以預選頻率作業的適當的耗散元件(dissipative element)代替。適當選擇低通終端直流電饋送網路101中的反應元件可提供這種耗散元件。電容器C3耦合於接地和電感L2與L3的接合點之間。電容器C4耦合於接地和電感L3與L4的接合點之間。電感L4的另一端係為低通終端直流電饋送網路101之輸出並且耦合於電晶體102之汲極。依照fc1 之選擇可決定電感L1、L2、L3和L4以及電容器C1、C2、C3和C4的值。
輸出網路106包括電容器C5，其耦合於接地和電晶體102之汲極之間。電感L6耦合於電晶體102之汲極、電容器C7之第一端以及電容器C8之間。電容器C7之第二端耦合接地。電容器C8之第二端耦合於電感L7之一端，並且提供輸出網路106之輸出。電感L7之另一端耦合接地。
離線短路112包括電感L5和電容器C6之間的串聯諧振組合，其中電容器C6耦合於接地和電晶體102之輸出之間。電感L5和電容器C6形成分流網路(shunt network)，以在次諧波頻帶例如次諧波0.5*f0 的特定頻率處轉移射頻功率接地。可依照各種設計考慮而選擇預定的頻率。例如，某些功率放大器系統在特定的預定頻率處出現不需要的結果，則需要排除這些頻率。因此部份實施例中，可選擇電感L5和電容器C6的值，從而電感L5和電容器C6共振於0.5*f0 處。「第8圖」描繪展現離線短路112之效果範例的史密斯圖114。圖形116表示離線短路112通常使諧波0.5*f0 短路接地。
請參考「第7圖」，高通終端網路120包括串聯的電容器C12、電容器C13和電容器C14。電阻器R2耦合於接地和電容器C14之另一端之間。電感L11耦合於接地和電容器C13與電容器C14的接合點之間。部份實施例中，電阻器R2可由作業於預選頻率處的適當耗散元件代替。適當選擇高通終端網路120中的反應元件可提供這些耗散元件。電感L10耦合於接地和電容器C12與電容器C13的接合點之間。電容器C12的另一端係為高通終端網路120之輸入。部份實施例中，可根據fc3 和電阻器R2判定電感L10、L11和L12以及電容器C12、C13和C14的值。
高通次諧波負載隔離濾波器108包括由串聯的電容器C10和電容器C11形成的T型網路。串聯的中央分接頭與電感L9的一端耦合。電感L9的另一端耦合接地。電容器C10的另一端係為高通次諧波負載隔離濾波器108之輸入。電容器C11的另一端係為高通次諧波負載隔離濾波器108之輸出。
低通諧波負載隔離濾波器122包括電感L8、電容器C9、電感L7以及電容器C12。因此，電感L7係為低通諧波負載隔離濾波器122和高通次諧波負載隔離濾波器108之元件。類似地，電容器C12係為低通諧波負載隔離濾波器122和高通終端網路120之元件。電感L8的第一端與電感L7交流，並且係為低通諧波負載隔離濾波器122之輸入。電感L8的第二端連接於電容器C9的一端及高通次諧波負載隔離濾波器108之輸入。電容器C9的另一端耦合接地。
模擬結果展現如電晶體102所見本說明書描述之系統對穩定網路之輸入阻抗(Z)的有效性。模擬可包括用對應的具有0 λ、1/8 λ、1/4 λ、1/2 λ和3/4 λ之長度的無終端饋送線分別地代替電漿室110。λ係為中心頻率f0 的波長。某些模擬中，第一和第二截止頻率fc1 和fc2 被設定為0.6* f0 ，第三和第四截止頻率fc3 和fc4 被設定為1.66* f0 。移除電漿室110在高通次諧波負載隔離濾波器108的輸出處提供無限至一的電壓駐波比(voltage standing wave ratio；VSWR)。因為無終端饋送線完全地反應且反射所有的射頻功率，所以無限至一的電壓駐波比表現出具最差負載情況的穩定網路。
依照各種模擬，在最低頻率處，由於低通終端直流電饋送網路101提供的耗散負載，阻抗Z保持相對不變。高通次諧波負載隔離濾波器108還在最低頻率處幫助隔離無終端負載(unterminated load)與電晶體102。由於離線短路112的影響，阻抗Z在0.5f0 處迅速下降。由於低通終端直流電饋送網路101和高通次諧波負載隔離濾波器108，阻抗Z在0.5*f0 和0.6*f0 處之間又再一次上升。在0.6*f0 和1.66*f0 處之間，阻抗Z隨著頻率和無終端饋送線的長度而變化。這個頻率範圍中的變化阻抗Z顯示射頻功率與負載耦合。
由於高通終端網路120提供的耗散負載，阻抗Z在1.66*f0 以上的頻率再一次穩定。低通諧波負載隔離濾波器122還在1.66*f0 以上的頻率幫助隔離無終端負載和電晶體102。因此，各種模擬展現在fc1 以下和fc3 以上的頻率範圍內穩定網路為電晶體102提供無條件的穩定負載。在fc1 和fc3 之間的頻率，穩定網路耦合電晶體102至電漿室110。
請參考「第9圖」，圖中係為非限制之範例，各種實施例之測試量測描繪缺乏寄生(spurious)失真可導致射頻功率之保真度之損失。水平軸表示頻率。垂直軸表示耦合至電漿室20之功率。第一尖峰156出現在中心頻率f0 。不同於f0 的頻率處的能量表示射頻功率在電漿室20中失真。「第9圖」之保真度表示對「第4圖」之測試量測之保真度之改善。
請參考「第10圖」，圖中係為非限制之範例，各種實施例之測試量測描繪伴隨進線負載隔離和離線諧波終端之匹配負載諧波失真。水平軸表示頻率。垂直軸表示耦合至電漿室20之功率。從「第10圖」可看出，第一尖峰162出現於中心頻率f0 。第二尖峰164出現於f0 的諧波頻率處，第三尖峰166出現於中心頻率f0 的另一諧波處。因此，「第10圖」展現組合進線負載隔離和離線諧波終端之有效性。所以「第10圖」表現出組合匹配負載諧波失真與進線負載隔離和離線諧波終端之改善。
請參考「第11圖」，圖中顯示一對穩定網路被應用至推挽式配置的射頻電漿處理系統。第一電晶體102－1提供射頻功率並且與穩定網路中的第一個連接。第二電晶體102－2提供與第一電晶體102－1達180度異相的射頻功率。第二電晶體102－2與穩定網路中的第二個連接。平衡－不平衡變壓器(balun)160組合穩定網路之輸出處出現的射頻功率，並且應用此組合射頻功率至電漿室110。部份實施例中，平衡－不平衡變壓器160可包括變壓器。
請參考「第12圖」，圖中顯示穩定網路被應用至第二推挽式配置的射頻電漿處理系統。第一電晶體102－1與第一輸出網路106－1連接。第二電晶體102－2與第二輸出網路106－2連接。第一輸出網路106－1和第二輸出網路106－2之各自輸出被應用至平衡－不平衡變壓器160的輸入。平衡－不平衡變壓器160的輸出與高通終端網路120和低通諧波負載隔離濾波器122二者的輸入交流。低通諧波負載隔離濾波器122的輸出與高通次諧波負載隔離濾波器108的輸入交流。高通次諧波負載隔離濾波器108的輸出與電漿室110的輸入交流。第一電晶體102－1和第二電晶體102－2的汲極分別透過低通終端直流電饋送網路101－1和101－2接收B＋。
「第13圖」描繪功率產生系統170，其使用複數個功率放大器172a、172b和172c提供功率至電漿室110。通常，功率放大器172a、172b和172c可使用「第5圖」和/或「第6圖」的參考標號100和/或「第11圖」和/或「第12圖」之組態加以體現。輸入電壓/電流模組174提供輸入電壓/電流至每一功率放大器172a、172b和172c。每一功率放大器172a、172b和172c分別接收此輸入電壓/電流，並且放大此輸入以產生應用至組合器176之放大輸出。組合器176組合功率放大器172a、172b和172c之各自功率輸出，並且產生驅動輸入至電漿室110。系統控制器178產生控制訊號以控制至少功率放大器172a、172b和172c，並於部份實施例中提供控制輸出和/或接收來自各功率放大器172a、172b和172c、輸入電壓/電流模組174以及組合器176之每一的監視訊號。本技藝之技術人員應理解，通常「第13圖」的目的在於顯示「第5圖」、「第6圖」、「第11圖」和/或「第12圖」所示各種電路之組合，以提供產生功率至電漿室110之額外選擇。
本說明書之描述實質上僅僅揭示本發明之實施例，因此，任何不脫離本發明主旨要點之變化均應屬於本發明之專利保護範圍之內，這些變化不應當被認為偏離本發明之精神和申請專利範圍。
10．．．電漿處理系統
12．．．電晶體
14．．．射頻驅動訊號
16．．．阻抗匹配網路
20．．．電漿室
22．．．帶通濾波器
44、46、48．．．尖峰
50．．．史密斯圖
51．．．圖形
53、55．．．點
54、56、58、60．．．尖峰
100．．．電漿處理系統
101、101－1、101－2．．．低通終端直流電饋送網路
102、102－1、102－2．．．電晶體
103、103－1、103－2．．．驅動訊號
104、104－1、104－2．．．源極或射極
106、106－1、106－2．．．輸出網路
108、108－1、108－2．．．高通次諧波負載隔離濾波器
110．．．電漿室
112、112－1、112－2．．．離線短路
114．．．史密斯圖
116．．．圖形
120、120－1、120－2．．．高通終端網路
122、122－1、122－2．．．低通諧波負載隔離濾波器
156．．．尖峰
160．．．平衡－不平衡變壓器
162、164、166．．．尖峰
170．．．功率產生系統
172a、172b、172c．．．功率放大器
174．．．輸入電壓/電流模組
176．．．組合器
178．．．系統控制器
C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14．．．電容器
L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10、L11、L12．．．電感
R1、R2．．．電阻器
第1圖所示為習知技術之電漿處理系統之功能方塊圖；第2圖所示為輸出電晶體和負載之間的帶外交互作用所引起的功率擾動之測試量測；第3圖所示為電漿處理系統之功率反射範例之史密斯圖；第4圖所示為諧波失真所引起的功率耦合之測試量測；第5圖所示為包括穩定網路之電漿處理系統之功能方塊圖；第6圖所示為第5圖之電漿處理系統之功能方塊圖，其中穩定網路包括高通終端網路和低通諧波負載隔離濾波器；第7圖所示為穩定網路之示意圖；第8圖所示為具有穩定網路之電漿處理系統中功率反射之史密斯圖；第9圖所示為具有穩定網路之電漿室中的寄生輸入阻抗變化所導致的功率擾動之測試量測；第10圖所示為具有進線模式隔離以及離線諧波終端的質量負載諧波失真之測試量測；第11圖所示為推挽式電漿處理系統之功能方塊圖；第12圖所示為第二推挽式電漿處理系統之功能方塊圖；以及第13圖所示為具有多個功率放大器之電漿處理系統之方塊圖。
100．．．電漿處理系統
101．．．低通終端直流電饋送網路
102．．．電晶體
103．．．驅動訊號
104．．．源極或射極
106．．．輸出網路
108．．．高通次諧波負載隔離濾波器
110．．．電漿室
112．．．離線短路

Claims (71)

  1. 一種射頻產生器，用於供應射頻功率至一負載，該射頻產生器包含：一直流電源供應器；至少一個開關，其產生中心頻率處的該射頻功率；一低通終端網路，連接於該直流電源供應器和該開關之間，並具有低於該中心頻率之一第一截止頻率，該低通終端網路提供低於該中心頻率之頻率處的離線阻抗控制；以及一高通濾波器，置於該開關之輸出和該負載之間，該高通濾波器具有低於該中心頻率之一第二截止頻率，該高通濾波器在低於該中心頻率之頻率處提供該開關和該負載之進線隔離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之射頻產生器，其中該低通終端網路和該高通濾波器用於使得該射頻產生器於該中心頻率或者低於該中心頻率之頻帶處作業。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之射頻產生器，進一步包含一與該高通濾波器串聯的輸出網路。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之射頻產生器，其中該輸出網路係插入於該開關和該高通濾波器之間。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之射頻產生器，其中該輸出網路和該高通濾波器包括共同元件。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之射頻產生器，其中該低通終端網路包括一耗散元件。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之射頻產生器，其中該低通終端網路提供一電感負載至該電晶體。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之射頻產生器，其中該第一截止頻率等於該中心頻率的0.6倍。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之射頻產生器，其中該第二截止頻率等於該中心頻率的0.6倍。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之射頻產生器，進一步包含一高通終端網路，離線連接於該射頻產生器，並具有高於該中心頻率之一第三截止頻率，該高通終端網路在高於該中心頻率之頻率處為該開關提供離線阻抗控制。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之射頻產生器，其中該高通終端網路包括一耗散元件。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之射頻產生器，其中該高通終端網路在一預定頻率範圍內提供一電抗。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之射頻產生器，其中該第三截止頻率等於該中心頻率的1.66倍。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之射頻產生器，進一步包含一插入於該負載和該開關之間的低通濾波器，，該低通濾波器具有高於該中心頻率之一第四截止頻率，該低通濾波器在大於該中心頻率之頻率處提供該開關和該負載之進線隔離。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之射頻產生器，其中該第四截止 頻率等於該中心頻率的1.66倍。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之射頻產生器，進一步包含一分流網路，與該射頻功率離線並且包括一帶通頻率。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之射頻產生器，其中該帶通頻率等於該中心頻率的0.5倍。
  18. 一種射頻產生器，用於供應射頻功率至一電漿室，該射頻產生器包含：一直流電源供應器；一射頻電晶體，其產生中心頻率處的該射頻功率；以及一穩定網路，包括：一低通終端網路，與該直流電電源供應器和該電晶體進線連接，該低通終端網路具有低於該中心頻率之一第一截止頻率；以及一高通濾波器，與該射頻功率進線，該高通濾波器具有低於該中心頻率之一第二截止頻率，該低通終端網路和該高通濾波器共同作業，以控制低於該中心頻率之預定作業頻率上的該電晶體之阻抗。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之射頻產生器，其中該第二截止頻率等於該中心頻率的0.6倍。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之射頻產生器，其中該低通終端網路包括一耗散元件。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之射頻產生器，進一步包含一保真度網路，該保真度網路網路包括：一高通終端網路，與該射頻功率離線連接，並具有高於該中心頻率之一第三截止頻率；以及一低通濾波器，與該射頻功率進線，該低通濾波器具有高於該中心頻率之一第四截止頻率，該高通終端網路和該低通濾波器共同作業，以控制該中心頻率以上的預定作業頻率上的該電晶體之阻抗。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之射頻產生器，其中該高通耗散終端網路在一預定作業頻率範圍中提供一電抗。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之射頻產生器，其中該第三截止頻率等於該中心頻率的1.66倍。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之射頻產生器，其中該第四截止頻率等於該中心頻率的1.66倍。
  25. 如申請專利範圍第21項所述之射頻產生器，進一步包含一帶通濾波器，與該射頻功率相連，並且包括低於該中心頻率的一帶通中心頻率。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之射頻產生器，其中該帶通中心頻率為該中心頻率的0.5倍。
  27. 一種射頻產生器，用於供應射頻功率至一電漿室，該射頻產生器包含： 射頻電晶體，產生中心頻率處的射頻功率；低通耗散終端網路，連接於各該電晶體和相關直流電源之間；以及一組合器，根據該射頻電晶體之該射頻功率產生一射頻功率訊號，其中該射頻功率訊號被應用至該負載；及其中該低通耗散終端網路具有低於該中心頻率的一第一截止頻率。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之射頻產生器，其中該低通耗散終端網路分別包括一耗散元件。
  29. 如申請專利範圍第27項所述之射頻產生器，其中該低通耗散終端網路在一預定頻率範圍內提供一電抗。
  30. 如申請專利範圍第27項所述之射頻產生器，其中該第一截止頻率等於該中心頻率的0.6倍。
  31. 如申請專利範圍第27項所述之射頻產生器，進一步包含高通濾波器，與該電晶體之各射頻功率串聯，並具有低於該中心頻率之一第二截止頻率。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之射頻產生器，其中該第二截止頻率等於該中心頻率的0.6倍。
  33. 如申請專利範圍第27項所述之射頻產生器，進一步包含高通耗散終端網路，與該電晶體之各射頻功率串聯，並具有高於該中心頻率之一第三截止頻率。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之射頻產生器，其中該高通耗散終端網路包含各自的耗散元件。
  35. 如申請專利範圍第33項所述之射頻產生器，其中該高通耗散終端網路在一預定頻率範圍內提供一電抗。
  36. 如申請專利範圍第33項所述之射頻產生器，其中該第三截止頻率等於該中心頻率的1.66倍。
  37. 如申請專利範圍第27項所述之射頻產生器，進一步包含一低通濾波器，與該電晶體之各射頻功率串聯，並包括高於該中心頻率之一第四截止頻率。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之射頻產生器，其中該第四截止頻率等於該中心頻率的1.66倍。
  39. 如申請專利範圍第27項所述之射頻產生器，進一步包含帶通濾波器，與該電晶體之各射頻功率相連，並包括低於該中心頻率之一帶通中心頻率。
  40. 如申請專利範圍第39項所述之射頻產生器，其中該帶通中心頻率為該中心頻率的0.5倍。
  41. 如申請專利範圍第27項所述之射頻產生器，進一步包含一高通濾波器，與該射頻功率訊號串聯，並包括低於該中心頻率之一第二截止頻率。
  42. 如申請專利範圍第41項所述之射頻產生器，其中該第二截止頻率等於該中心頻率的0.6倍。
  43. 如申請專利範圍第27項所述之射頻產生器，進一步包含一高通耗散終端網路，與該射頻功率訊號相連，並包括高於該中心頻率之一第三截止頻率。
  44. 如申請專利範圍第43項所述之射頻產生器，其中該高通耗散終端網路包括一耗散元件。
  45. 如申請專利範圍第43項所述之射頻產生器，其中該高通耗散終端網路在一預定頻率範圍內提供一電抗。
  46. 如申請專利範圍第43項所述之射頻產生器，其中該第三截止頻率等於該中心頻率的1.66倍。
  47. 如申請專利範圍第27項所述之射頻產生器，進一步包含一低通濾波器，與該射頻功率訊號串聯，並包括高於該中心頻率之一第四截止頻率。
  48. 如申請專利範圍第47項所述之射頻產生器，其中該第四截止頻率等於該中心頻率的1.66倍。
  49. 如申請專利範圍第27項所述之射頻產生器，進一步包含一帶通濾波器，與該射頻功率訊號相連，並包括低於該中心頻率之一帶通中心頻率。
  50. 如申請專利範圍第49項所述之射頻產生器，其中該帶通中心頻率為該中心頻率的0.5倍。
  51. 一種射頻產生器，用於供應射頻功率至一電漿室，該射頻產生器包含： 射頻電晶體，產生中心頻率處的射頻功率；高通濾波器，與該電晶體之各射頻功率串聯，並包括低於該中心頻率之一第一截止頻率；以及一組合器，根據該射頻電晶體之該射頻功率而產生一射頻功率訊號，其中該射頻功率訊號被應用至該電漿室。
  52. 如申請專利範圍第51項所述之射頻產生器，其中該第一截止頻率等於該中心頻率的0.6倍。
  53. 如申請專利範圍第51項所述之射頻產生器，進一步包含高通耗散終端網路，與各電晶體之該射頻功率相連，並包括高於該中心頻率之一第二截止頻率。
  54. 如申請專利範圍第53項所述之射頻產生器，其中該高通耗散終端網路包括一各自的耗散元件。
  55. 如申請專利範圍第53項所述之射頻產生器，其中該高通耗散終端網路在一預定頻率範圍內提供一電抗。
  56. 如申請專利範圍第53項所述之射頻產生器，其中該第二截止頻率等於該中心頻率的1.66倍。
  57. 如申請專利範圍第51項所述之射頻產生器，進一步包含低通濾波器，與各電晶體之該射頻功率串聯，並包括高於該中心頻率之一第三截止頻率。
  58. 如申請專利範圍第57項所述之射頻產生器，其中該第三截止頻率等於該中心頻率的1.66倍。
  59. 如申請專利範圍第51項所述之射頻產生器，進一步包含帶通濾波器，與各電晶體之該射頻功率相連，並包括低於該中心頻率之一帶通中心頻率。
  60. 如申請專利範圍第59項所述之射頻產生器，其中該帶通中心頻率為該中心頻率的0.5倍。
  61. 一種射頻產生器，用於供應射頻功率至一電漿室，該射頻產生器包含：射頻電晶體，產生中心頻率處的射頻功率；一組合器，根據該射頻電晶體之該射頻功率而產生一射頻功率訊號；以及一穩定網路，包括一高通濾波器，與該射頻功率進線且位置密切接近該射頻電晶體之一輸出，該高通濾波器具有低於該中心頻率之一第一截止頻率。
  62. 如申請專利範圍第61項所述之射頻產生器，進一步包含一低通終端網路，與該直流電源供應器和該電晶體進線連接，該低通終端網路具有低於該中心頻率之一第二截止頻率，該低通終端網路和該高通濾波器與該低通終端網路共同作業，以在低於該中心頻率的預定作業頻率上控制該電晶體之阻抗。
  63. 如申請專利範圍第61項所述之射頻產生器，其中該第一截止頻率等於該中心頻率的0.6倍。
  64. 如申請專利範圍第61項所述之射頻產生器，進一步包含一高 通耗散終端網路，與該射頻功率訊號離線連接，並包括高於該中心頻率之一第三截止頻率。
  65. 如申請專利範圍第64項所述之射頻產生器，其中該高通耗散終端網路包括一耗散元件。
  66. 如申請專利範圍第64項所述之射頻產生器，其中該高通耗散終端網路在一預定頻率範圍內提供一電抗。
  67. 如申請專利範圍第64項所述之射頻產生器，其中該第三載止頻率等於該中心頻率的1.66倍。
  68. 如申請專利範圍第62項所述之射頻產生器，進一步包含一低通濾波器，與該射頻功率訊號進線，並包括高於該中心頻率之一第四截止頻率。
  69. 如申請專利範圍第68項所述之射頻產生器，其中該第四截止頻率等於該中心頻率的1.66倍。
  70. 如申請專利範圍第62項所述之射頻產生器，進一步包含一帶通濾波器，與該射頻功率訊號相連，並包括低於該中心頻率之一帶通中心頻率。
  71. 如申請專利範圍第70項所述之射頻產生器，其中該帶通中心頻率為該中心頻率的0.5倍。
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