JP2018113547A - ローパスフィルタ - Google Patents

ローパスフィルタ Download PDF

Info

Publication number
JP2018113547A
JP2018113547A JP2017002013A JP2017002013A JP2018113547A JP 2018113547 A JP2018113547 A JP 2018113547A JP 2017002013 A JP2017002013 A JP 2017002013A JP 2017002013 A JP2017002013 A JP 2017002013A JP 2018113547 A JP2018113547 A JP 2018113547A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
low
pass filter
switch
switch element
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017002013A
Other languages
English (en)
Inventor
美紀子 深澤
Mikiko Fukazawa
美紀子 深澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2017002013A priority Critical patent/JP2018113547A/ja
Priority to TW106130916A priority patent/TWI633752B/zh
Priority to KR1020170132271A priority patent/KR101961227B1/ko
Priority to CN201710990338.XA priority patent/CN108288958B/zh
Priority to CN201721363554.3U priority patent/CN207490882U/zh
Priority to US15/866,794 priority patent/US10044084B2/en
Priority to US16/031,112 priority patent/US10297892B2/en
Publication of JP2018113547A publication Critical patent/JP2018113547A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/52One-way transmission networks, i.e. unilines
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/202Coaxial filters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3241Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
    • H03F1/3247Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits using feedback acting on predistortion circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0153Electrical filters; Controlling thereof
    • H03H7/0161Bandpass filters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/12Bandpass or bandstop filters with adjustable bandwidth and fixed centre frequency
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1758Series LC in shunt or branch path
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1766Parallel LC in series path
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02Transmitters
    • H04B1/04Circuits
    • H04B1/0475Circuits with means for limiting noise, interference or distortion
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06Receivers
    • H04B1/16Circuits
    • H04B1/18Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/401Circuits for selecting or indicating operating mode
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04WWIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W72/00Local resource management
    • H04W72/50Allocation or scheduling criteria for wireless resources
    • H04W72/54Allocation or scheduling criteria for wireless resources based on quality criteria
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2210/00Indexing scheme relating to details of tunable filters
    • H03H2210/02Variable filter component
    • H03H2210/025Capacitor
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2210/00Indexing scheme relating to details of tunable filters
    • H03H2210/03Type of tuning
    • H03H2210/036Stepwise

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

【課題】ローパスフィルタの挿入損失の低減を図る。
【解決手段】キャリアアグリゲーションにより周波数帯域の異なる複数のRF信号が同時に出力されるときに、ローパスフィルタ80が、キャリアアグリゲーションにより生じる相互変調歪み信号の周波数よりも低い第1の遮断周波数を有するように、スイッチ素子SW1は、二つの容量素子C21,C22を並列接続する。一つの周波数帯域のRF信号が出力されるときに、ローパスフィルタ80が、第1の遮断周波数よりも高い第2の遮断周波数を有するように、スイッチ素子SW1は、二つの容量素子C21,C22の間の並列接続を解除する。
【選択図】図2

Description

本発明はローパスフィルタに関わる。
移動通信端末における通信速度の向上を図る技術として、周波数帯域の異なる複数のCC(Component Carrier)を束ねてこれを一つの通信回線としてRF(Radio Frequency)信号を同時に送受信するキャリアアグリゲーションが知られている。特開2016−92699号公報によれば、アップリンクキャリアアグリゲーションにより、周波数帯域の異なる複数のRF信号を一つの電力増幅器で増幅すると、電力増幅器の歪み特性に応じた相互変調歪みが生じると報告されている。相互変調歪み信号は、アンテナから放射されるRF信号のスプリアス成分となり、CCが属する周波数帯やそれに近接する周波数帯における通信に干渉を与える。例えば、800MHz帯の信号と1.7GHz帯の信号とを同時に増幅すると、5次の相互変調歪み信号が1535〜1615MHz帯に発生する。このように、キャリアアグリゲーションの動作において、相互変調歪み及び高調波歪みの発生は、特性劣化の要因となる。
特開2016−92699号公報
例えば、アップリンク/ダウンリンクキャリアアグリゲーションにより生じる相互変調歪みを低減するための手法として、例えば、相互変調歪み信号を減衰するローパスフィルタをRF信号の伝送経路に実装する手法が考えられる。
しかし、このようなローパスフィルタは、アップリンク/ダウンリンクキャリアアグリゲーションが実施されないときには、RF信号の伝送経路に不必要な挿入損失をもたらしてしまうという欠点を有している。
そこで、本発明は、このような欠点を解消し、ローパスフィルタの挿入損失を低減することを課題とする。
上述の課題を解決するため、本発明に係るローパスフィルタは、RF信号を入出力するローパスフィルタであって、(i)第1のスイッチ素子と、(ii)一端がローパスフィルタの信号線に接続され且つ他端がローパスフィルタのグランドに接続する第1の容量素子と、(iii)一端が信号線に接続され且つ他端が第1のスイッチ素子を通じてグランドに接続する第2の容量素子と、を備える。ここで、キャリアアグリゲーションにより周波数帯域の異なる複数のRF信号が同時に出力されるときに、ローパスフィルタが、キャリアアグリゲーションにより生じる相互変調歪み信号の周波数よりも低い第1の遮断周波数を有するように、第1のスイッチ素子は、オン状態になることにより、第1の容量素子及び第2の容量素子を信号線とグランドとの間に並列接続する。一方、一つの周波数帯域のRF信号が出力されるときに、ローパスフィルタが、第1の遮断周波数よりも高い第2の遮断周波数を有するように、第1のスイッチ素子は、オフ状態になることにより、第1の容量素子及び第2の容量素子の間の並列接続を解除する。
本発明によれば、ローパスフィルタの挿入損失を低減することができる。
本発明の実施形態1に関わる無線通信回路の回路構成を示すブロック図である。 本発明の実施形態1に関わるローパスフィルタの回路構成例を示す回路図である。 本発明の実施形態1に関わるローパスフィルタの周波数特性を示すシミュレーション結果である。 本発明の実施形態2に関わるローパスフィルタの回路構成例を示す回路図である。 本発明の実施形態3に関わるローパスフィルタの回路構成例を示す回路図である。 本発明の実施形態4に関わるローパスフィルタの回路構成例を示す回路図である。 本発明の実施形態5に関わるローパスフィルタの回路構成例を示す回路図である。 本発明の実施形態6に関わるローパスフィルタの回路構成例を示す回路図である。 参考例に関わるローパスフィルタの回路構成例を示す回路図である。
以下、各図を参照しながら本発明の実施形態について説明する。ここで、同一符号は同一の回路素子を示すものとし、重複する説明は省略する。各実施形態では、アップリンクキャリアアグリゲーション動作が行われる場合を例に挙げて説明するが、ダウンリンクキャリアアグリゲーション動作が行われる場合にも、本発明を適用することができる。
図1は、本発明の実施形態1に関わる無線通信回路10の回路構成を示すブロック図である。無線通信回路10は、携帯電話などの移動通信機器において、基地局との間でRF信号を送受信するためのモジュールである。無線通信回路10は、キャリアアグリゲーションにより、周波数帯域の異なる複数のRF信号を同時に送受信することも可能である。無線通信回路10は、ベースバンドIC(Integrated Circuit)20と、RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)30と、高周波モジュール40と、アンテナ90とを備える。高周波モジュール40は、送信モジュール50と、受信モジュール60と、アンテナスイッチ(ANTSW)70と、ローパスフィルタ(LPF)80とを備える。
ベースバンドIC20は、予め定められた通信方式に応じて、通信情報の符号化及び変調を行い、デジタル信号処理によりベースバンド信号を生成する。RFIC30は、ベースバンド信号に重畳された情報に従って搬送波を変調することにより、送信信号としてのRF信号を生成する。送信モジュール50は、電力増幅器51と送信フィルタ52とを含み、送信信号の周波数帯域に応じたフィルタリングと送信信号の電力増幅とを行う。電力増幅器51は、一つ又は複数のトランジスタ素子を含む。
アンテナスイッチ70は、送信モジュールに50に接続するノード71と、受信モジュール60に接続するノード72と、アンテナ90に接続するノード73を備えている。アンテナスイッチ70とアンテナ90との間の信号経路には、電力増幅器51から出力されるRF信号を入出力するローパスフィルタ80が実装されている。アンテナスイッチ70は、送信信号の信号経路をノード71,73間に選択的に確立する。これにより、ローパスフィルタ80は、電力増幅器51の出力に接続する。キャリアアグリゲーションにより、周波数帯域の異なる複数のRF信号が電力増幅器51から同時に出力されるときに、ローパスフィルタ80は、キャリアアグリゲーションにより生じる相互変調歪み信号を減衰する。
アンテナスイッチ70は、アンテナ90を経由して基地局から受信した受信信号としてのRF信号の信号経路をノード72,73間に選択的に確立する。これにより、ローパスフィルタ80は、低雑音増幅器61の入力に接続する。受信モジュール60は、低雑音増幅器61と受信フィルタ62とを含み、受信信号の周波数帯域に応じたフィルタリングと受信信号の低雑音増幅とを行う。RFIC30は、受信信号をベースバンド信号に変換する。ベースバンドIC20は、ベースバンド信号を復調及び復号して通信情報を抽出する。
図2は、本発明の実施形態1に関わるローパスフィルタ80の回路構成例を示す回路図である。ローパスフィルタ80は、入出力ノード81に入力されるRF信号の高周波成分を減衰してこれを入出力ノード82から出力する。入出力ノード81は、アンテナスイッチ70のノード73に接続し、入出力ノード82は、アンテナ90に接続している。入出力ノード81,82を結ぶ線路を信号線87と呼ぶ。ローパスフィルタ80は、楕円関数特性を有する公知のローパスフィルタの回路を一部変更したものであり、容量素子C1及びインダクタ素子L1の並列共振回路を備えている。この並列共振により、遮断数周波数付近での鋭い減衰特性を実現している。この並列共振回路は、信号線87に直列に接続されている。容量素子C1及びインダクタ素子L1が並列に接続するポイントである二つのノードのうち、一方をノード83と呼び、他方をノード84と呼ぶ。入出力ノード81とノード83との間には、インダクタ素子L2が接続されている。ノード83とグランドとの間(即ち、信号線87とグランドとの間)には、インダクタ素子L3と容量素子C21とが直列に接続されている。このように、容量素子C21の一端は、信号線87に接続され、容量素子C21の他端は、グランドに接続されている。インダクタ素子L3と容量素子C21とが接続するポイントをノード85と呼ぶ。ノード85とグランドとの間(即ち、信号線87とグランドとの間)には、容量素子C22とスイッチ素子SW1が直列に接続されている。このように、容量素子C22の一端は、信号線87に接続され、容量素子C22の他端は、スイッチ素子SW1を通じて、グランドに接続されている。ノード84とグランドとの間(即ち、信号線87とグランドとの間)には、インダクタ素子L4と容量素子C31とが直列に接続されている。このように、容量素子C31の一端は、信号線87に接続され、容量素子C31の他端は、グランドに接続されている。インダクタ素子L4と容量素子C31とが接続するポイントをノード86と呼ぶ。ノード86とグランドとの間(即ち、信号線87とグランドとの間)には、容量素子C32とスイッチ素子SW2が直列に接続されている。このように、容量素子C32の一端は、信号線87に接続され、容量素子C32の他端は、スイッチ素子SW2を通じて、グランドに接続されている。
ここで、スイッチ素子SW1,SW2は、SPST(Single Pole Single Throw)スイッチと呼ばれる、電界効果トランジスタなどの半導体スイッチである。スイッチ素子SW1は、オン状態になることにより、二つの容量素子C21,C22を信号線87とグランドとの間に並列に接続する。一方、スイッチ素子SW1は、オフ状態になることにより、二つの容量素子C21,C22の間の並列接続を解除する。このように、スイッチ素子SW1は、二つの容量素子C21,C22を選択的に並列接続する。本明細書では、二つの容量素子C21,C22を区別する場合、一方の容量素子C21を第1の容量素子と呼び、他方の容量素子C22を第2の容量素子と呼ぶ。同様に、スイッチ素子SW2は、オン状態になることにより、二つの容量素子C31,C32を信号線87とグランドとの間に並列に接続する。一方、スイッチ素子SW2は、オフ状態になることにより、二つの容量素子C31,C32の間の並列接続を解除する。このように、スイッチ素子SW2は、二つの容量素子C31,C32を選択的に並列接続する。本明細書では、二つの容量素子C31,C32を区別する場合、一方の容量素子C31を第1の容量素子と呼び、他方の容量素子C32を第2の容量素子と呼ぶ。このようなスイッチ素子SW1,SW2のオン/オフ動作を通じて、ローパスフィルタ80の周波数特性(減衰特性)を変化させることができる。より詳細には、スイッチ素子SW1,SW2をオン状態にすることにより、ローパスフィルタ80の遮断周波数を下げることができる。一方、スイッチ素子SW1,SW2をオフ状態にすることにより、ローパスフィルタ80の遮断周波数を上げることができる。なお、スイッチ素子SW1,SW2は、例えば、ベースバンドIC20又はRFIC30からの制御信号に応答してオン/オフ動作する。
ローパスフィルタ80は、二つの動作モードの中から選択された一つの動作モードで動作するように設計されている。キャリアアグリゲーションにより周波数帯域の異なる複数のRF信号が電力増幅器51から同時に出力されるときに選択される動作モードを第1の動作モードと呼ぶ。第1の動作モードでは、ローパスフィルタ80が、キャリアアグリゲーションにより生じる相互変調歪み信号の周波数よりも低い遮断周波数を有するように、スイッチ素子SW1,SW2は、オン状態となる。これにより、ローパスフィルタ80は、相互変調歪み信号を減衰させることができる。第1の動作モードにおけるローパスフィルタ80の遮断周波数を、説明の便宜上、第1の遮断周波数と呼ぶ。一つの周波数帯域のRF信号が電力増幅器51から出力されるとき(即ち、アップリンクキャリアアグリゲーションが実施されないとき)に選択される動作モードを第2の動作モードと呼ぶ。第2の動作モードでは、ローパスフィルタ80が、第1の遮断周波数よりも高い遮断周波数を有するように、スイッチ素子SW1,SW2は、オフ状態となる。これにより、ローパスフィルタ80の通過帯域が低周波域から低周波域と高周波域とを含む広帯域へ拡大するため、電力増幅器51から出力されるRF信号にもたらされるローパスフィルタ80による挿入損失を低減できる。第2の動作モードでは、ローパスフィルタ80は、キャリアアグリゲーションにより生じる相互変調歪み信号を減衰させる必要がないため、ローパスフィルタ80の遮断周波数は、できるだけ高い方が望ましい。第2の動作モードにおけるローパスフィルタ80の遮断周波数を、説明の便宜上、第2の遮断周波数と呼ぶ。
ところで、スイッチ素子SW1,SW2は、オン状態のときは、抵抗素子と等価な振る舞いをし、オフ状態のときは、容量素子と等価な振る舞いをする。このような事情に鑑み、ローパスフィルタ80の第1の遮断周波数は、ローパスフィルタ80を構成する各回路素子(容量素子C1,C21,C22,C31,C32,インダクタ素子L1,L2,L3,L4)の素子値(容量値、インダクタンス値)と、スイッチ素子SW1,SW2のオン抵抗とに基づいて決定される。同様に、ローパスフィルタ80の第2の遮断周波数は、ローパスフィルタ80を構成する各回路素子(容量素子C1,C21,C22,C31,C32,インダクタ素子L1,L2,L3,L4)の素子値(容量値、インダクタンス値)と、スイッチ素子SW1,SW2のオフ容量とに基づいて決定される。ここで、オン抵抗とは、オン状態のときのスイッチ素子の抵抗値を意味する。オフ容量とは、オフ状態のときのスイッチ素子の容量値を意味する。
図3はローパスフィルタ80の周波数特性を示すシミュレーション結果である。符号31は、第1の動作モードにおけるローパスフィルタ80の周波数特性を示す。符号32は、第2の動作モードにおけるローパスフィルタ80の周波数特性を示す。同図に示すように、ローパスフィルタ80の動作モードが第1の動作モードから第2の動作モードに変わると、減衰特性が緩やかになり、ローパスフィルタ80の通過帯域が低周波域から低周波域と高周波域とを含む広帯域へ拡大していることが分かる。これにより、第2の動作モード時に電力増幅器51から出力されるRF信号にもたらされるローパスフィルタ80による挿入損失を低減できる。
このように、実施形態1に関わるローパスフィルタ80によれば、スイッチ素子SW1,SW2のオン/オフ動作を通じて、第1の動作モードでは、相互変調歪み信号を減衰し、第2の動作モードでは、ローパスフィルタ80の挿入損失を低減できる。また、ローパスフィルタ80を構成する各回路素子の素子値と、スイッチ素子SW1,SW2のオン抵抗とに基づいて、ローパスフィルタ80の第1の遮断周波を決定することにより、設計精度を高めることができる。同様に、ローパスフィルタ80を構成する各回路素子の素子値と、スイッチ素子SW1,SW2のオフ容量とに基づいて、ローパスフィルタ80の第2の遮断周波を決定することにより、設計精度を高めることができる。
なお、ローパスフィルタ80は、必ずしも、アンテナスイッチ70とアンテナ90との間の信号経路に実装される必要はなく、例えば、アンテナスイッチ70の内部に組み込まれてもよい。或いは、無線通信回路10のフロントエンドモジュールの内部にローパスフィルタ80を組み込んでもよい。フロントエンドモジュールは、例えば、アンテナスイッチ70と、送信フィルタ52と、受信フィルタ62とを実装したモジュールである。
また、ローパスフィルタ80は、必ずしも、楕円関数特性を有するものに限られるものではなく、例えば、チェビシェフ特性、バターワース特性、ベッセル特性などを有するものでもよい。
次に、図4を参照しながら、本発明の実施形態2に関わるローパスフィルタ100の回路構成について、実施形態1に関わるローパスフィルタ80との相違点を中心に説明する。ローパスフィルタ100は、ローパスフィルタ80の二つのスイッチ素子SW1,SW2を一つのスイッチ素子SW3に置換するとともに、ローパスフィルタ80からインダクタ素子L2,L3,L4を取り除いた回路構成を有している。ここで、スイッチ素子SW3は、SPSTスイッチと呼ばれる、電界効果トランジスタなどの半導体スイッチであり、例えば、ベースバンドIC20又はRFIC30からの制御信号に応答してオン/オフ動作する。
第1の動作モードでは、二つの容量素子C21、C22が並列接続され、且つ、二つの容量素子C31、C32が並列接続さるように、スイッチ素子SW3は、オン状態となる。これにより、ローパスフィルタ100は、キャリアアグリゲーションにより生じる相互変調歪み信号の周波数よりも低い第1の遮断周波数を有する。よって、ローパスフィルタ100は、相互変調歪み信号を減衰させることができる。第2の動作モードでは、二つの容量素子C21、C22の間の並列接続が解除され、且つ、二つの容量素子C31、C32の間の並列接続が解除されるように、スイッチ素子SW3は、オフ状態となる。これにより、ローパスフィルタ100は、第1の遮断周波数よりも高い第2の遮断周波数を有する。ローパスフィルタ100の通過帯域が低周波域から低周波域と高周波域とを含む広帯域へ拡大するため、電力増幅器51から出力されるRF信号にもたらされるローパスフィルタ100による挿入損失を低減できる。
次に、図5を参照しながら、本発明の実施形態3に関わるローパスフィルタ110の回路構成について、実施形態2に関わるローパスフィルタ100との相違点を中心に説明する。ローパスフィルタ110は、ローパスフィルタ100から容量素子C32を取り除いた回路構成を有している。ローパスフィルタ110の動作及びその作用効果は、ローパスフィルタ100の動作及びその作用効果と同様である。
次に、図6を参照しながら、本発明の実施形態4に関わるローパスフィルタ120の回路構成について、実施形態2に関わるローパスフィルタ100との相違点を中心に説明する。ローパスフィルタ120は、整合回路として機能するインダクタ素子L2をローパスフィルタ100に追加した回路構成を有している。ローパスフィルタ120の動作及びその作用効果は、ローパスフィルタ100の動作及びその作用効果と同様である。
次に、図7を参照しながら、本発明の実施形態5に関わるローパスフィルタ130の回路構成について、実施形態2に関わるローパスフィルタ100との相違点を中心に説明する。ローパスフィルタ130は、容量素子C4及びインダクタ素子L4の並列共振回路をローパスフィルタ100に追加した回路構成を有している。ローパスフィルタ130の動作及びその作用効果は、ローパスフィルタ100の動作及びその作用効果と同様である。
次に、図8を参照しながら、本発明の実施形態6に関わるローパスフィルタ140の回路構成について、実施形態2に関わるローパスフィルタ100との相違点を中心に説明する。ローパスフィルタ140は、ローパスフィルタ100の容量素子C1をスイッチ素子SW4に置換した回路構成を有している。スイッチ素子SW4は、SPSTスイッチと呼ばれる、電界効果トランジスタなどの半導体スイッチであり、例えば、ベースバンドIC20又はRFIC30からの制御信号に応答してオン/オフ動作する。スイッチ素子SW4は、インダクタ素子L1に並列接続している。インダクタ素子L1は、ローパスフィルタ140の信号線に直列に接続している。
第1の動作モードでは、ローパスフィルタ140が、キャリアアグリゲーションにより生じる相互変調歪み信号の周波数よりも低い第1の遮断周波数を有するように、スイッチ素子SW3は、オン状態となり、スイッチ素子SW4は、オフ状態となる。スイッチ素子SW4は、オフ状態となることにより、容量素子と等価な振る舞いをし、インダクタ素子L1と共に並列共振回路を形成する。並列共振による第1の遮断数周波数付近での鋭い減衰特性により、ローパスフィルタ140は、相互変調歪み信号を減衰させることができる。第2の動作モードでは、ローパスフィルタ140が、第1の遮断周波数よりも高い第2の遮断周波数を有するように、スイッチ素子SW3は、オフ状態となり、スイッチ素子SW4は、オン状態となる。スイッチ素子SW4は、オン状態となることにより、抵抗素子と等価な振る舞いをし、インダクタ素子L1との間で並列共振回路を形成しなくなる。これにより、ローパスフィルタ140の減衰特性が緩やかになり、通過帯域が低周波域から低周波域と高周波域とを含む広帯域へ拡大するため、電力増幅器51から出力されるRF信号にもたらされるローパスフィルタ140による挿入損失を低減できる。
ローパスフィルタ140の第1の遮断周波数は、ローパスフィルタ140を構成する各回路素子(容量素子C21,C22,C31,C32,インダクタ素子L1)の素子値(容量値、インダクタンス値)と、スイッチ素子SW3のオン抵抗と、スイッチ素子SW4のオフ容量とに基づいて決定される。ローパスフィルタ140の第2の遮断周波数は、ローパスフィルタ140を構成する各回路素子(容量素子C21,C22,C31,C32,インダクタ素子L1)の素子値(容量値、インダクタンス値)と、スイッチ素子SW3のオフ容量と、スイッチ素子SW4のオン抵抗とに基づいて決定される。
このように、実施形態6に関わるローパスフィルタ140によれば、スイッチ素子SW3,SW4のオン/オフ動作を通じて、第1の動作モードでは、相互変調歪み信号を減衰し、第2の動作モードでは、ローパスフィルタ140の挿入損失を低減できる。また、ローパスフィルタ140を構成する各回路素子の素子値と、スイッチ素子SW3のオン抵抗と、スイッチ素子SW4のオフ容量とに基づいて、ローパスフィルタ140の第1の遮断周波を決定することにより、設計精度を高めることができる。同様に、ローパスフィルタ140を構成する各回路素子の素子値と、スイッチ素子SW3のオフ容量と、スイッチ素子SW4のオン抵抗とに基づいて、ローパスフィルタ140の第2の遮断周波を決定することにより、設計精度を高めることができる。
なお、スイッチ素子SW4は、上述のスイッチ素子SW1,SW2,SW3とは機能が異なるため、スイッチ素子SW1,SW2,SW3を第1のスイッチ素子と呼んでもよく、スイッチ素子SW4を第2のスイッチ素子と呼んでもよい。
次に、図9を参照しながら、参考例に関わるローパスフィルタ150の回路構成について、実施形態6に関わるローパスフィルタ140との相違点を中心に説明する。ローパスフィルタ150は、ローパスフィルタ140から容量素子C22,C32と、スイッチ素子SW3を取り除いた回路構成を有している。
第1の動作モードでは、ローパスフィルタ150が、キャリアアグリゲーションにより生じる相互変調歪み信号の周波数よりも低い第1の遮断周波数を有するように、スイッチ素子SW4は、オフ状態となる。スイッチ素子SW4は、オフ状態となることにより、容量素子と等価な振る舞いをし、インダクタ素子L1と共に並列共振回路を形成する。並列共振による第1の遮断数周波数付近での鋭い減衰特性により、ローパスフィルタ150は、相互変調歪み信号を減衰させることができる。第2の動作モードでは、ローパスフィルタ150が、第1の遮断周波数よりも高い第2の遮断周波数を有するように、スイッチ素子SW4は、オン状態となる。スイッチ素子SW4は、オン状態となることにより、抵抗素子と等価な振る舞いをし、インダクタ素子L1との間で並列共振回路を形成しなくなる。これにより、ローパスフィルタ140の減衰特性が緩やかになり、通過帯域が低周波域から低周波域と高周波域とを含む広帯域へ拡大するため、電力増幅器51から出力されるRF信号にもたらされるローパスフィルタ150による挿入損失を低減できる。
ローパスフィルタ150の第1の遮断周波数は、ローパスフィルタ140を構成する各回路素子(容量素子C21,C31,インダクタ素子L1)の素子値(容量値、インダクタンス値)と、スイッチ素子SW4のオフ容量とに基づいて決定される。ローパスフィルタ150の第2の遮断周波数は、ローパスフィルタ150を構成する各回路素子(容量素子C21,C31,インダクタ素子L1)の素子値(容量値、インダクタンス値)と、スイッチ素子SW4のオン抵抗とに基づいて決定される。
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更又は改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。実施形態が備える各回路素子及びその配置などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、「回路素子Aが回路素子Bに接続する」とは、回路素子Aが回路素子Bに直接接続している場合のみならず、回路素子Aと回路素子Bとの間に回路素子C(例えば、スイッチ素子)を経由して信号経路が選択的に確立され得る場合も含まれるものとする。また、実施形態が備える各回路素子は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
10…無線通信回路 20…ベースバンドIC 30…RFIC 40…高周波モジュール 50…送信モジュール 60…受信モジュール 70…アンテナスイッチ 80…ローパスフィルタ 90…アンテナ

Claims (5)

  1. RF信号を入出力するローパスフィルタであって、
    第1のスイッチ素子と、
    一端が前記ローパスフィルタの信号線に接続され且つ他端が前記ローパスフィルタのグランドに接続する第1の容量素子と、
    一端が前記信号線に接続され且つ他端が前記第1のスイッチ素子を通じて前記グランドに接続する第2の容量素子と、を備え、
    キャリアアグリゲーションにより周波数帯域の異なる複数のRF信号が同時に出力されるときに、前記ローパスフィルタが、前記キャリアアグリゲーションにより生じる相互変調歪み信号の周波数よりも低い第1の遮断周波数を有するように、前記第1のスイッチ素子は、オン状態になることにより、前記第1の容量素子及び前記第2の容量素子を前記信号線と前記グランドとの間に並列接続し、
    一つの周波数帯域のRF信号が出力されるときに、前記ローパスフィルタが、前記第1の遮断周波数よりも高い第2の遮断周波数を有するように、前記第1のスイッチ素子は、オフ状態になることにより、前記第1の容量素子及び前記第2の容量素子の間の並列接続を解除する、ローパスフィルタ。
  2. 請求項1に記載のローパスフィルタであって、
    前記信号線に直列に接続するインダクタ素子と、
    前記インダクタ素子に並列接続する第2のスイッチ素子と、を更に備え、
    前記キャリアアグリゲーションにより前記周波数帯域の異なる複数のRF信号が同時に出力されるときに、前記ローパスフィルタが、前記キャリアアグリゲーションにより生じる相互変調歪み信号の周波数よりも低い第1の遮断周波数を有するように、前記第2のスイッチ素子は、オフ状態になり、
    前記一つの周波数帯域のRF信号が出力されるときに、前記ローパスフィルタが、前記第1の遮断周波数よりも高い第2の遮断周波数を有するように、前記第2のスイッチ素子は、オン状態になる、ローパスフィルタ。
  3. 請求項1に記載のローパスフィルタであって、
    前記第1の遮断周波数は、前記二つの容量素子を含む、前記ローパスフィルタを構成する各回路素子の素子値と、前記第1のスイッチ素子のオン抵抗とに基づいて決定され、
    前記第2の遮断周波数は、前記二つの容量素子を含む、前記ローパスフィルタを構成する各回路素子の素子値と、前記第1のスイッチ素子のオフ容量とに基づいて決定される、ローパスフィルタ。
  4. 請求項2に記載のローパスフィルタであって、
    前記第1の遮断周波数は、前記二つの容量素子及び前記インダクタ素子を含む、前記ローパスフィルタを構成する各回路素子の素子値と、前記第1のスイッチ素子のオン抵抗と、前記第2のスイッチ素子のオフ容量とに基づいて決定され、
    前記第2の遮断周波数は、前記二つの容量素子及び前記インダクタ素子を含む、前記ローパスフィルタを構成する各回路素子の素子値と、前記第1のスイッチ素子のオフ容量と、前記第2のスイッチ素子のオン抵抗とに基づいて決定される、ローパスフィルタ。
  5. 請求項1から4のうち何れか1項に記載のローパスフィルタであって、
    前記ローパスフィルタは、電力増幅器の出力又は低雑音増幅器の入力に接続する、ローパスフィルタ。
JP2017002013A 2017-01-10 2017-01-10 ローパスフィルタ Pending JP2018113547A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017002013A JP2018113547A (ja) 2017-01-10 2017-01-10 ローパスフィルタ
TW106130916A TWI633752B (zh) 2017-01-10 2017-09-11 低通濾波器
KR1020170132271A KR101961227B1 (ko) 2017-01-10 2017-10-12 로우 패스 필터
CN201710990338.XA CN108288958B (zh) 2017-01-10 2017-10-20 低通滤波器
CN201721363554.3U CN207490882U (zh) 2017-01-10 2017-10-20 低通滤波器
US15/866,794 US10044084B2 (en) 2017-01-10 2018-01-10 Low pass filter
US16/031,112 US10297892B2 (en) 2017-01-10 2018-07-10 Low pass filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017002013A JP2018113547A (ja) 2017-01-10 2017-01-10 ローパスフィルタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018113547A true JP2018113547A (ja) 2018-07-19

Family

ID=62481090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017002013A Pending JP2018113547A (ja) 2017-01-10 2017-01-10 ローパスフィルタ

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10044084B2 (ja)
JP (1) JP2018113547A (ja)
KR (1) KR101961227B1 (ja)
CN (2) CN207490882U (ja)
TW (1) TWI633752B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020262126A1 (ja) * 2019-06-25 2020-12-30 京セラ株式会社 Rfidタグ

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018113547A (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 株式会社村田製作所 ローパスフィルタ
CN109302161A (zh) * 2018-08-31 2019-02-01 维沃移动通信有限公司 调谐滤波电路和终端设备
US11496970B2 (en) * 2019-03-06 2022-11-08 Qualcomm Incorporated Support of high pathloss mode
US11510071B2 (en) 2019-04-17 2022-11-22 Qualcomm Incorporated Beam direction selection for high pathloss mode operations
US11463964B2 (en) 2019-04-17 2022-10-04 Qualcomm Incorporated Communication configuration for high pathloss operations
US11438808B2 (en) 2019-04-17 2022-09-06 Qualcomm Incorporated Acknowledgment messaging for resource reservations
US11477747B2 (en) 2019-04-17 2022-10-18 Qualcomm Incorporated Synchronization signal periodicity adjustment
US11445408B2 (en) 2019-04-17 2022-09-13 Qualcomm Incorporated High pathloss mode multiplexing

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3101139B2 (ja) * 1993-12-24 2000-10-23 富士写真フイルム株式会社 インデックス写真,フイルムパッケージ及びパッケージ作成方法並びに作成機
JP2899210B2 (ja) * 1994-05-20 1999-06-02 国際電気株式会社 周波数帯域可変フィルタ
JP3568102B2 (ja) * 1998-07-24 2004-09-22 松下電器産業株式会社 直接変換受信機
JP2000059106A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Murata Mfg Co Ltd アンテナ共用器及び通信機装置
JP3300321B2 (ja) * 1999-12-10 2002-07-08 松下電器産業株式会社 低域通過フィルタ回路
CN1190964C (zh) * 2000-02-14 2005-02-23 夏普公司 电缆调制解调器的调谐器
KR100835966B1 (ko) * 2002-01-28 2008-06-09 엘지이노텍 주식회사 안테나 스위치
JP4421949B2 (ja) 2004-06-07 2010-02-24 アルパイン株式会社 デジタルアンプ
JP4182160B2 (ja) * 2005-04-28 2008-11-19 株式会社村田製作所 高周波スイッチングモジュール及び高周波回路の周波数特性調整方法
JP5225557B2 (ja) * 2005-05-20 2013-07-03 住友化学株式会社 芳香族エーテル化合物含有組成物及びそれを用いた高分子発光素子
JP4647486B2 (ja) 2005-12-27 2011-03-09 京セラ株式会社 送受信回路
US7777567B2 (en) * 2007-01-25 2010-08-17 Mks Instruments, Inc. RF power amplifier stability network
CN102148610B (zh) * 2010-02-04 2016-01-27 赫梯特微波公司 宽带模拟低通滤波器
US9118376B2 (en) * 2012-03-22 2015-08-25 Rf Micro Devices, Inc. Carrier aggregation front end architecture
CN105210291B (zh) * 2013-03-15 2018-10-02 维斯普瑞公司 可调滤波器系统、装置以及方法
CN105432017B (zh) * 2013-07-29 2018-12-14 维斯普瑞公司 自适应滤波器响应系统和方法
US9438196B2 (en) * 2014-02-14 2016-09-06 Peregrine Semiconductor Corporation Integrated tunable filter architecture
JP6442235B2 (ja) 2014-11-07 2018-12-19 株式会社Nttドコモ ユーザ装置及び基地局
JP2018113547A (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 株式会社村田製作所 ローパスフィルタ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020262126A1 (ja) * 2019-06-25 2020-12-30 京セラ株式会社 Rfidタグ

Also Published As

Publication number Publication date
TWI633752B (zh) 2018-08-21
KR20180082303A (ko) 2018-07-18
CN108288958B (zh) 2021-09-07
CN108288958A (zh) 2018-07-17
US20180316076A1 (en) 2018-11-01
US10044084B2 (en) 2018-08-07
US20180198181A1 (en) 2018-07-12
KR101961227B1 (ko) 2019-03-22
US10297892B2 (en) 2019-05-21
CN207490882U (zh) 2018-06-12
TW201826700A (zh) 2018-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101961227B1 (ko) 로우 패스 필터
US10230418B2 (en) Multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device
WO2012151322A1 (en) Power amplifier with co-existence filter
US10700659B2 (en) Multiplexer, radio-frequency front end circuit, and communication terminal
CN108233952B (zh) 通信模块
JP2014140115A (ja) モジュール
US9054653B2 (en) On-die harmonics filtering for radio frequency power amplifiers
JP2009530939A (ja) 送信器、電力増幅器、及び、フィルタリング方法
JP2018107502A (ja) 通信モジュール
JP2013516897A (ja) マルチ・モード・トランシーバ及び動作回路
US10069523B2 (en) Power amplification module
JP6673467B2 (ja) 周波数可変フィルタ、rfフロントエンド回路、および、通信端末
TWI654850B (zh) 送收訊模組
US10211879B2 (en) Front-end module
CN111373657B (zh) 放大电路、前端电路以及接收电路
JP6798521B2 (ja) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
US20150180467A1 (en) Switching circuit and high-frequency module
JP2018195937A (ja) 高周波フロントエンド回路
CN113196675A (zh) 高频模块和通信装置
WO2020202891A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2019193826A1 (ja) フィルタ回路および通信装置
US20220173765A1 (en) Radio-frequency circuit and communication device
KR101771745B1 (ko) 에스피디티 스위치
JP2013131825A (ja) 高周波電力増幅器モジュール
CN108270415B (zh) 利用baw谐振器的并联谐振的带通滤波器