TWI381601B - 外腔雷射調諧元件顫動伺服控制技術 - Google Patents

外腔雷射調諧元件顫動伺服控制技術 Download PDF

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Douglas A Sprock
William B Chapman
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Description

外腔雷射調諧元件顫動伺服控制技術 發明領域
本發明的實施例是關於光學裝置，且尤其是關於外腔雷射。
 發明背景
一般而言，可調諧的光學裝置，如可調諧的外腔雷射，可被用於各種電信應用中以利用光纖及高密度分波長多工(DWDM)技術所提供的頻寬。然而，傳統的可調諧外腔雷射有限制。
 發明概要
本發明的一目的，即在提供一種雷射調諧裝置，其包含：具有至少一雷射波長的一外腔雷射，該雷射進一步具有：界定一空腔的一增益介質及一端面鏡；配置在該空腔中的至少一調諧元件，該調諧元件具有至少一傳輸峰值波長；以及操作式地耦接到該調諧元件的一致動器；以及將一顫動信號施加於該調諧元件並自該顫動信號產生一控制信號的邏輯組件，該控制信號表示該傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一誤差，其中該致動器利用該控制信號將該雷射波長與該傳輸峰值波長對齊。
本發明的另一目的，即在提供一種雷射調諧裝置，其包含：一外腔雷射，其具有至少一雷射波長、界定一空腔 的一增益介質及一端面鏡、以及配置在該空腔中的至少一調諧元件，該調諧元件具有至少一傳輸峰值波長；以及用以產生一已調變電壓信號、自該已調變電壓信號產生一控制信號的邏輯組件，該控制信號表示該傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一誤差，該邏輯組件進一步自該控制信號產生一偏壓電壓信號、由該偏壓電壓信號的一倒數以縮放該已調變電壓信號、及施加該已縮放調變電壓信號於該調諧元件以將該雷射波長與該傳輸峰值波長對齊。
本發明的再一目的，即在提供一種用以調諧一雷射的方法，其包含以下步驟：為一外腔雷射產生雷射模式，該外腔雷射具有至少一雷射波長、界定一空腔的一增益介質及一端面鏡、以及配置在該空腔中的至少一調諧元件，該調諧元件具有至少一傳輸峰值波長；將一顫動信號施加於該調諧元件；自該顫動信號產生一控制信號，該控制信號表示該傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一誤差；以及利用該控制信號將該雷射波長與該傳輸峰值波長對齊。
本發明的又一目的，即在提供一種用於調諧一雷射的系統，其包含：用以發射一光學信號的一外腔雷射，該雷射具有至少一雷射波長、界定一空腔的一增益介質及一端面鏡、配置在該空腔中的至少一調諧元件，以及操作式地耦接到該調諧元件的一致動器，該調諧元件具有至少一傳輸峰值波長；用以施加一顫動信號於該調諧元件並自該顫動信號產生一控制信號的邏輯組件，該控制信號表示該傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一誤差，其中該致動器要 利用該控制信號將該雷射波長與該傳輸峰值波長對齊；以及具有用以接收來自該外腔雷射的該光學信號之一光檢測器的一接收器。
圖式簡單說明
在該等附圖中，相似的參考符號一般表示相同的、功能上類似的，及/或結構上等效的元件。一元件第一次出現在其中的附圖由該參考符號中最左邊的數字指示，其中：第1圖是根據本發明之一實施例的一可調諧外腔雷射的一簡化示意圖；第2圖是根據本發明之一實施例的第1圖所描述的該可調諧外腔雷射的一較詳細的示意圖；第3圖是說明根據本發明之一實施例的適於縮放一控制信號的邏輯的一示意圖；第4圖是說明根據本發明之一實施例的第1圖所描述之該可調諧外腔雷射的兩濾波器與外腔的通帶關係的一圖式；第5圖是說明根據本發明之一實施例的一濾波器選擇一雷射模式的一圖式；第6圖是說明根據本發明之一實施例的一雷射腔中的一濾波器自該雷射腔中的另一濾波器所產生的一通帶選擇一傳輸峰值的一圖式；第7圖是說明根據本發明之一實施例的用以顫動被置於第1圖所描述之該可調諧外腔雷射中的單個調諧元件的一方法的一流程圖； 第8圖是說明根據本發明之一實施例的用以維持一調諧元件之實質上固定的一傳輸峰值同時顫動一第二調諧元件及該外腔的光學路徑長度的一方法的一流程圖；第9圖是說明根據本發明之一實施例的用以顫動一濾波器元件的一傳輸峰值、顫動位於與該第一濾波器元件正交的一頻率或相位處的一第二濾波器元件，以及顫動該外腔的光學路徑長度的一方法的一流程圖；第10圖是說明根據本發明之一實施例的可被用於一或多個濾波器的一示範顫動信號的一圖式；第11圖是根據本發明之一實施例的一光學系統的一高階方塊圖。
 較佳實施例之詳細說明
第1圖是根據本發明之一實施例的一可調諧外腔雷射100的一簡化示意圖。在該被說明的實施例中，該雷射100包括一增益介質102及一反射元件104(在下文中為端面鏡104)。該增益介質102可以是一習知的法布立－培若(Fabry－Perot)二極體發射器晶片，該晶片具有一防反射(AR)鍍膜前腔面106及一部分反射後腔面108。該後腔面108與該端面鏡104可界定該雷射100的一外腔110。
該增益介質102可以自該前腔面106發射具有一波長λ(PB1)的一同調光束，該光束被一透鏡112準直以限定與該外腔110之光軸共線性的一光學路徑114。該增益介質102的前腔面106及後腔面108也可以分別與該外腔110之光軸對 齊。自該端面鏡104被反射的光可以沿著該光學路徑114被回授到該增益介質102中。
由該前腔面106發射的光可以被一輸出準直透鏡115收集並透過部分反射器117被發射。該部分反射器117所反射的光可以被一光二極體119檢.測到。該部分反射器117所發射的光可以遇到額外的光學元件(未被顯示)以將光耦合到一光纖(未被顯示)內。
一熱電冷卻器(TEC)109被可操作地耦接到該增益介質102。
同樣在該被說明的實施例中，一濾波器120被配置在該增益介質102與該端面鏡104之間的外腔110中。在一實施例中，該濾波器120可以是像產生該雷射100之傳播帶內的傳輸最大值多重性的一干擾濾波器一樣進行操作的一柵格產生器元件。該濾波器120可包括一Fabry－Perot干涉儀或標準具、透過與一外施電壓成正比的電光效應進行回應的一液晶層，或其他適當的可調諧濾波器。被可操作地耦接到該濾波器120的是一致動器及一溫度感測器124。該致動器121可以是一電阻式加熱器、一電光致動器，或其他適當的轉換器及/或致動器。該溫度感測器124可以是一電阻式溫度檢測器(RTD)、一熱阻器、一熱電冷卻器(TEC)，或其他適當的溫度感測器。該濾波器120的實際溫度可以在該雷射100的操作期間被利用自該溫度感測器124被提供的溫度來決定。
一濾波器122也被配置在該增益介質102與該端面鏡 104之間的外腔110中。該濾波器122可以界定一或多個通帶以從多個傳播通道之中選擇一雷射操作通道。該濾波器122的自由光譜範圍可對應於該濾波器122的全波長範圍，藉此該傳播帶內的單個損耗最小值可以被穿過波長柵格調諧。
在一可選擇的實施例中，例如，在一游標尺(Vernier)組態中，濾波器122的自由光譜範圍可被選擇，藉此濾波器122在該等濾波器之波長調諧範圍中具有比濾波器120小的傳輸峰值。該等濾波器120及122的被選擇的通道或傳輸峰值可以是具有最大聯合傳輸(或傳輸產品)傳輸峰值對。自該等濾波器120及122到該增益介質102的組合回授可支援在該被選擇的通道內以單個波長產生雷射。該濾波器122可包括一Fabry－Perot干涉儀或標準具、一液晶層，或其他適當的可調諧濾波器。
一溫度感測器125及一致動器127被可操作地耦接到該濾波器122。該溫度感測器125可以是一電阻式溫度檢測器(RTD)、一熱阻器、一熱電冷卻器(TEC)，或其他適當的溫度感測器。該致動器127可以是一電阻式加熱器、一電光致動器，或其他適當的轉換器及/或致動器。
在該被說明的實施例中，該光二極體119被耦接到一控制器123且該溫度感測器124被耦接到該控制器123。該控制器123被耦接到該熱電冷卻器109、該控制器123被耦接到該致動器121，以及該控制器123被耦接到該致動器127。在此實施例中，該控制器123可以根據該等濾波器120及122的傳輸峰值、濾波器120對於該被選擇的通道的傳輸峰值的波 長，以及濾波器122對於該被選擇的通道的傳輸峰值的波長來控制該雷射100的雷射波長的位置。該控制器123可以相對於該三個波長彼此之間的關係，以及關於一計量器的長度來控制該三個波長。
該控制器123可以將控制邏輯應用於來自該溫度感測器124及該光二極體119的信號中以產生該等致動器121及127，以及該熱電冷卻器109的激勵信號。例如，該致動器121被可操作地耦接到該濾波器120，藉此將來自該致動器121的激勵信號應用到該濾波器120中可以改變該濾波器120的特性，藉此該濾波器120的傳輸峰值的波長會偏移。同樣地，該致動器127被可操作地耦接到該濾波器122，藉此將一激勵信號應用到該濾波器122中可以改變該濾波器122的特性，藉此該濾波器122的傳輸峰值的波長會偏移。該熱電冷卻器109被熱耦接到該增益介質102，藉此將熱施加到該增益介質102中或從中減去熱可以改變該雷射腔110的特性，藉此該雷射的可操作波長改變。
第2圖是根據本發明之一實施例的該可調諧外腔雷射100的一較詳細的示意圖。在該被說明的實施例中，該控制器123包括濾波器120的被耦接到該溫度感測器124及該致動器121的一致動控制器202。一激勵詢查表(LUT)204也被耦接到該致動控制器202及該致動器121。在一實施例中，該致動控制器202可以是一比例－積分－微分(PID)控制器。
該控制器123也包括該濾波器122的被耦接到該致動器127的一致動控制器206。一激勵詢查表(LUT)208也被耦接 到該致動控制器206及該致動器127。
該被說明的控制器123進一步包括被耦接到該激勵詢查表(LUT)208及該光檢測器119的解調邏輯210。對於一些實施例，該致動控制器206可以是一比例－積分－微分(PID)控制器，但其他控制器可以是適合的。
該示範的激勵詢查表(LUT)204也可以被耦接到解調邏輯212，該解調邏輯212被耦接到該光檢測器119及溫度控制器124。該致動控制器202可以實現與該致動控制器206相同或不同的技術。
該濾波器120可以被控制到一預定的溫度，以及該增益介質102的溫度與該濾波器122的溫度可以被控制，藉此該雷射波長及該濾波器122的傳輸峰值與該濾波器120的傳輸峰值重疊。濾波器120的溫度可以在，例如，已決定出將該濾波器120之一傳輸峰值置於該等濾波器120及122所處理的調諧範圍中的每一波長處的該濾波器120之溫度的一之前執行的校準程序中被預先決定。給定此調諧範圍中的一波長，則將一濾波器120的傳輸峰值置於該給定波長處的一溫度可被決定。
藉由控制該濾波器122的傳輸峰值以使其與該濾波器120的傳輸峰值一致，穿過濾波器120及122的該聯合傳輸峰值可以與該濾波器120的傳輸峰值對齊。藉由同時控制該雷射波長以使其與該濾波器120的傳輸峰值一致，該雷射波長可以被控制為該給定的波長。由於該雷射100操作在光學模式中時該光腔110中的損耗最低，所以將產生雷射的光學模 式的波長與該聯合傳輸峰值對齊偏好在該光腔110中損耗最低的光學模式多於其他可能的雷射模式。因此，該雷射100的穩定性可以被改善。
該濾波器120平均溫度可以由該致動控制器202控制。該溫度感測器124可以感測該濾波器120的溫度的一信號指示值。在該致動控制器202可能是一PID控制器的一實施例中，該致動控制器202可以接收來自該溫度感測器124的信號、將該信號轉換為一溫度、將該感測到的溫度與為該濾波器120預定的溫度做比較，以及產生為該濾波器120感測到的溫度與為該濾波器120預定的溫度之間的一溫度誤差。該致動控制器202可以透過一PID伺服控制演算法運行該溫度誤差並輸出被轉換為一驅動電壓203的一控制值。
該激勵LUT 204輸出一顫動信號205。該顫動信號205的頻率可以在該致動控制器202之閉迴路頻寬以外且因此，如前所述，可能實質上不影響該控制器202的操作。該顫動信號205可以被轉換為由方程式V Dither ．sin(ωt )表示的一電壓207，及被交流耦合到該致動控制器202的輸出電壓203，從而產生V PID ＋V Dither ．sin(ωt )，其中V Dither 是該顫動信號205的振幅，ω 是被施加於該致動器121的已調變信號的頻率，以及V PID 是被施加於該致動器121的偏壓信號的振幅。在該致動器121為一電阻式致動器的實施例中，該溫度顫動振幅可能與加熱顫動振幅成正比，而該加熱顫動振幅本身與被施加於該致動器121的電壓V的平方成正比。因此，該溫度顫動振幅與成正 比。
對於其中每一濾波器120及122具有其自己的外施顫動的一些實施例而言，一顫動是在一頻率下而另一顫動是在另一頻率下。可選擇地，一顫動與另一顫動正交或無關。例如，一顫動可能是一正弦而另一顫動可能是一餘弦。
當該顫動被施加於該致動器121且該致動器121可能是一電阻式加熱器時，一調變溫度△T可被施加於該濾波器120。該調變溫度△T可以具有以下特性：、V ＝V DC ＋V AC ．sin(ωt )及，其中VAC 是 被施加於該致動器121的已調變電壓的振幅，VDC 是被施加於該致動器121的偏置電壓的振幅，Rth 是該濾波器120的熱阻，Re 是該致動器121的電阻，以及△T是該致動器121的調變溫度。調變該濾波器120上的溫度會調變該濾波器120的傳輸峰值以使該濾波器120的傳輸峰值鎖定在該濾波器122的傳輸峰值上，同時該濾波器122的傳輸峰值保持實質上恆定。
該控制器123可以控制該雷射波長以使其與該濾波器120的傳輸峰值平均波長一致。被施加於濾波器120的該溫度顫動205顫動濾波器120的峰值傳輸波長。當該雷射波長對應於濾波器120的峰值傳輸波長時該雷射100輸出功率是一最大值，且該輸出功率幾乎與濾波器120之峰值傳輸波長每一側的傳輸減少量成正比地被減少。此輸出功率調變由 該光二極體(PD)119檢測。該解調邏輯212利用該激勵LUT 204來解調該光二極體119的信號以產生和該雷射波長與該濾波器120之峰值傳輸波長的波長差值成正比的一誤差信號213。該解調邏輯212計算激勵LUT 204與被取樣的光二極體119的輸出的內積。該誤差信號213被饋送到TEC控制器214中，該TEC控制器214可以把該誤差信號213減少到零並輸出一TEC驅動電壓220以調整該雷射波長與該濾波器120之峰值傳輸波長之間的波長差值實質上為零。
該控制器123可以控制該濾波器122的傳輸峰值以使其與該濾波器120的峰值傳輸平均波長一致。對於一些實施例而言，該激勵LUT 208可以輸出一顫動信號207，該顫動信號207被施加於濾波器122。在一實施例中，該顫動信號207可以顫動該濾波器122的溫度。
該激勵LUT 208可以在算術上於該激勵LUT 204正交，意指該LUT 204與該LUT 208的內積等於零。正弦信號是正交的，如果它們具有不同的頻率。相同頻率的正弦信號也是正交的，如果它們的相位相差90度(正弦與餘弦信號是正交的)。該濾波器122的顫動可以產生一光能調變，該光能調變被重疊於出自該濾波器120之顫動的光能調變之上並被該光二極體119檢測。該兩個信號實質上彼此無關的狀況允許用於該濾波器122的解調器邏輯210只回應激勵LUT 208所產生的調變而不回應在該濾波器120的激勵LUT 204之頻率或相位正交情況下所產生的調變。
由解調器邏輯210產生的誤差信號211和該雷射波長與 濾波器122的峰值傳輸之間的差值成正比。該致動控制器206可以將此誤差減少到零，使得該濾波器122的峰值傳輸波長實質上等於該雷射波長。由解調器邏輯212產生的該誤差信號213和該雷射波長與濾波器120的峰值傳輸之間的差值成正比。該致動控制器202可以將此誤差減少到零，使得該雷射波長實質上等於該濾波器120的峰值傳輸波長。考慮到TEC控制器109的同時動作，該等濾波器120及122的峰值傳輸波長與該雷射波長可以實質上一致。
此發明之可選擇的實施例可包括以一第三激勵詢查表驅動的一第三濾波器元件，該第三激勵詢查表與該前面兩個正交。則此第三濾波器的峰值傳輸波長可以與該等濾波器120及122的那些峰值傳輸波長以及該雷射波長對齊。透過擴展，N個濾波器可以利用這些方法被對齊。這些濾波器中的一些可以在該雷射腔110內而在該雷射腔110外的其他濾波器被置於在該光二極體119或其他光能感測器處被檢測到之前的該光束114中。
對於一些實施例而言，為了獲得一恆定的溫度顫動－各種驅動條件下的振幅，該顫動信號在被轉變為一電壓及與該致動控制器電壓交流耦合之前可以被該致動控制器輸出的倒數(inverse)來縮放，V Ditehr 1/V PID 。第3圖是說明根據本發明之一實施例的適於由該致動控制器206輸出的倒數以縮放該控制信號211的邏輯的一示意圖。在該被說明的實施例中，該激勵LUT 208及該致動器控制206被耦接到邏輯302及304，該等邏輯302及304由該致動控制器206的輸出209的 倒數以縮放該顫動信號207以補償該致動器127對該偏置電壓209的非線性回應。
一正規化信號308可以是搭載在一偏置電壓上的一已調變激勵信號。該正規化信號308被使用數位對類比控制器(DAC)310自一數位信號轉變為一類比信號並被施加於該致動器127。在此實施例中，該致動器127可以是一電阻式加熱器。
回憶上文可知，根據本發明之實施例，該雷射100中的可調諧元件的傳輸峰值彼此鎖定或對齊以及該增益介質102的波長鎖定在該等被鎖定的可調諧元件的傳輸峰值之上或與其等對齊。對於本發明的一些實施例而言，該濾波器120的傳輸峰值Pk1及該濾波器122的傳輸峰值Pk2彼此鎖定或對齊以及/或者該增益介質102的波長λ(雷射模式)鎖定該被鎖定的Pk1及Pk2或者與其等對齊。第4圖是說明根據本發明之一實施例的該濾波器120(PB2)、濾波器122(PB3)與該外腔110(PB1)的通帶關係的一圖式。相對傳輸被顯示在垂直軸上而波長被顯示在水平軸上。如可看出的，該濾波器122的自由光譜範圍大於該濾波器120的自由光譜範圍，而該濾波器120的自由光譜範圍大於該外腔110的自由光譜範圍。在該被說明的實施例中，PB1可以是表示該增益介質102的雷射模式的傳輸峰值、PB2可以是表示該濾波器120所產生的通道的傳輸峰值，而PB3可以是表示該濾波器122所產生的柵格的傳輸峰值。
第5圖是說明根據本發明之一實施例的該濾波器120選 擇該雷射100的一雷射模式的一圖式。也就是說，第5圖中的圖式說明顯示PB2選擇該等PB1雷射模式中的一個。
第6圖是說明根據本發明之一實施例的該濾波器122自該濾波器120所產生的PB2選擇一傳輸峰值(Pk2)的一圖式。也就是說，第6圖中的圖式說明顯示PB3選擇該等PB2傳輸峰值(Pk1)中的一個。
第7圖是說明根據本發明之一實施例的用以顫動被置於一雷射之一外腔中的單個調諧元件以將該濾波器的傳輸峰值鎖定在該雷射的雷射模式上的一方法700的一流程圖。在方塊702中，該雷射可以產生雷射模式。在方塊704中，一激勵被施加於該調諧元件以在最接近於該傳輸峰值的一雷射模式附近顫動該傳輸峰值。在方塊706中，該調諧元件上的顫動被解調。在方塊708中，該傳輸峰值的波長與最接近該傳輸峰值的雷射模式之間的一誤差被產生。在方塊710中，該雷射模式與該傳輸峰值之間的誤差被轉換為一控制信號。在方塊712中，該控制信號被用以將該傳輸峰值鎖定在該雷射模式上。
第8圖是說明根據本發明之一實施例的用以維持被置於一雷射之一外腔中的一調諧元件之實質上固定的一傳輸峰值同時顫動一第二調諧元件及該外腔的光學路徑長度的一方法800的一流程圖。在此實施例中，該第一及第二調諧元件的傳輸峰值以及該雷射模式利用兩個控制信號彼此鎖定。
在方塊802中，該雷射可以產生雷射模式。在方塊804 中，該第一調諧元件的傳輸峰值被固定在一預定的波長上。被用以固定該第一調諧元件波長的目標溫度可以在雷射100校準期間使用自該致動器124被提供的溫度來被決定。
在方塊806中，一激勵被施加於該第二調諧元件以在最接近於該第一調諧元件之傳輸峰值的一雷射模式附近顫動該傳輸峰值。
在方塊808中，該雷射的光學路徑長度被顫動。在一實施例中，該增益介質102的波長λ藉由自該激勵LUT 204的輸出端到該TEC 214施加顫動以使該端面鏡104的溫度進行調變而可以被調變。調變該端面鏡104的溫度改變了該外腔110的長度，而這改變了該增益介質102的波長λ。其他適當的波長鎖定技術可被使用。
在方塊810中，該第二調諧元件上的顫動被解調。在方塊812中，該光學路徑長度上的顫動被解調。
在方塊814中，該第一調諧元件之傳輸峰值的波長與最接近該第一調諧元件之傳輸峰值的雷射模式之間的一第一誤差被產生。在方塊816中，該第二調諧元件之傳輸峰值的波長與最接近該第二調諧元件之傳輸峰值的雷射模式之間的一第二誤差被產生。
在方塊818中，該第一及第二誤差被轉換為兩個控制信號。在方塊820中，該兩個控制信號被用以將該第一及第二調諧元件的傳輸峰值與該雷射模式彼此鎖定。
第9圖是說明根據本發明之一實施例的用以顫動被置 於一雷射的一外腔中的一濾波器元件的一傳輸峰值、顫動位於與該第一濾波器元件正交的一頻率或相位處的一第二濾波器元件，以及顫動該外腔的光學路徑長度的一方法900的一流程圖。在此實施例中，該第一及第二濾波器元件的傳輸峰值以及該雷射模式利用兩個控制信號彼此鎖定。
在方塊902中，該雷射可以產生雷射模式。在方塊904中，一激勵被施加於該第一濾波器元件以在最接近於該第一濾波器元件之傳輸峰值的一雷射模式附近顫動該傳輸峰值。在一實施例中，該激勵可以由被包括在一第一詢查表中的值提供。
在方塊906中，一激勵被施加於該第二濾波器元件以在最接近於該第一濾波器元件之傳輸峰值的一雷射模式附近顫動該傳輸峰值。在一實施例中，該激勵可以由被包括在一第二詢查表中的值提供。該第一詢查表中的值可以使被施加於該第一濾波器元件的顫動與被施加於該第二濾波器元件的顫動正交。
在方塊908中，該雷射的光學路徑長度例如，如上述被顫動。在一實施例中，該激勵可以由被包括在該第一詢查表、該第二詢查表或一第三詢查表中的值提供。在方塊920中，該第二濾波器元件上的顫動被解調。在方塊912中，該光學路徑長度上的顫動被解調。
在方塊914中，該第一濾波器元件之傳輸峰值的波長與最接近該第一濾波器元件之傳輸峰值的雷射模式之間的一第一誤差被產生。在方塊916中，該第二濾波器元件之傳輸 峰值的波長與最接近該第二濾波器元件之傳輸峰值的雷射模式之間的一第二誤差被產生。在方塊918中，該第一及第二誤差被轉換為兩個控制信號。在方塊920中，該兩個控制信號被用以將該第一及第二濾波器元件的傳輸峰值與該雷射模式彼此鎖定。
第10圖是說明根據本發明之一實施例的可被用於該濾波器120及/或122的一示範顫動信號1000的一圖式。要注意的是該示範顫動信號1000包括位於被說明的1伏DC處的一偏壓部分1002以及搭載在該偏壓部分1002上的一已調變部分1004。如果該偏置電壓針對溫度，如依據功率、周圍溫度或波長漂移來被調整，則該已調變電壓相應地調整。例如，要注意的是如果該示範偏壓部分1002自該被說明的1VDC處移到2V DC處的示範偏壓部分1006，則該示範已調變部分1004移到示範已調變部分1008。要注意的是相對應的已調變部分被減少。這是該已調變部分與該偏置電壓的倒數成正比的結果，且因此隨著該偏置電壓增加，該已調變部分會減少。
第11圖是根據本發明之一實施例的一光學系統1100的一高階方塊圖。在該被說明的實施例中，該系統1100包括被耦接到用以接收一光信號的電路的發射器1102。該被說明的發射器1102包括被耦接到一調變器1108的一資料源1104，而該調變器1108被耦接到一雷射1106。該雷射可以提供一連續波(CW)光源給該調變器1108。該資料源1104可以提供一資料信號給該調變器1108，該調變器1108可以將 來自該資料源1104的電資料信號轉換為該CW光上的一光信號。該光調變器1108可以調變該光信號以提供一載波給該光信號。對於一些實施例而言，該雷射1106可以包括該外腔雷射100，或者根據本發明之實施例被製造的其他外腔雷射。
該已調變光信號可被發射到一接收器1110，該接收器1110可以利用光檢測器1112將該光信號轉換回一電信號。該接收器1110可以處理該電信號。
該已調變的光信號可以被發射到一圖形控制器1114，該圖形控制器1114可以利用光檢測器1116將該光信號轉換回一電信號。該圖形控制器1114可以處理該電信號，該電信號可以是產生顯示信號(例如，RGB格式)的命令及資料。
該已調變的光信號可以被發射到一輸入/輸出(I/O)控制器1118，該I/O控制器1118可以利用光檢測器1120將該光信號轉換回一電信號。該I/O控制器1118可以處理該電信號，該電信號可以是控制周邊裝置(未被顯示)的命令及資料。
在一些實施例中，該發射器1102可以在與該接收器1110、該圖形控制器1114及/或該I/O控制器1118相同的晶片上。在其他實施例中，該發射器1102可以在與該接收器1110、該圖形控制器1114及/或該I/O控制器1118相同的板上但在一不同的晶片上。在又一些實施例中，該發射器1102可以在與該接收器1110、該圖形控制器1114及/或該I/O控制器1118不同的一板上。
本發明的一些實施例可以利用硬體、軟體或其組合來實現。在使用軟體的實施中，該軟體或機器可讀的資料可被儲存在一機器可存取的媒體上。該機器可讀資料可被用以使一機器，例如一處理器(未被顯示)執行在此所述之該等實施例。一機器可讀媒體包括可適於儲存及/或發送呈可被一機器(例如，電腦、網路裝置、個人數位助理、製造工具、具有一組一或多個處理器的任何裝置等等)存取的形式的資訊的任何機制。例如，一機器可讀媒體包括可刻錄或不可刻錄媒體(例如，唯讀(ROM)、隨機存取(RAM)、磁碟儲存媒體、光儲存媒體、快閃裝置等)，如電、光、聲或其他形式的傳播信號(例如載波、紅外線信號、數位信號等等)。
在上述中，許多特定細節，例如，特定的過程、材料、裝置等等被呈現以提供對本發明之實施例的一全面理解。然而，該相關領域中具有通常知識者將認識到本發明之實施例可以在沒有該等特定細節中的一或多個細節的情況下被實現，或者以其他方法、元件等來實現。在其他實例中，結構或操作未被詳細顯示或描述以避免混淆對此描述的理解。
此說明書全文中提到“一實施例”意味著結合一實施例所描述的一特定特徵、結構、過程、方塊或特性被包括在本發明的至少一實施例中。因此，在該說明書中出現片語“在一實施例中”未必表示該等片語都指相同的實施例。該等特定的特徵、結構或特性可以以任何適當的方式被組合在一或多個實施例中。
接下來的申請專利範圍中所使用的用語不應該被理解為是將本發明之實施例局限於該說明書及該等申請專利範圍中所揭露的該等特定實施例。相反，本發明之實施例的範圍完全由下列申請專利範圍決定，該等申請專利範圍要根據其釋義之已建立的教示被解釋。
100‧‧‧可調諧外腔雷射/雷射
102‧‧‧增益介質
104‧‧‧反射元件/端面鏡
106‧‧‧防反射鍍膜前腔面
108‧‧‧部分反射後腔面/後腔面
109‧‧‧熱電冷卻器
110‧‧‧外腔/雷射腔/光腔
112‧‧‧透鏡
114‧‧‧光學路徑/光束
115‧‧‧輸出準直透鏡
117‧‧‧部分反射器
119‧‧‧光二極體
120‧‧‧濾波器
121‧‧‧致動器
122‧‧‧濾波器
123‧‧‧控制器
124‧‧‧溫度感測器
125‧‧‧溫度感測器
127‧‧‧致動器
202‧‧‧致動控制器
203‧‧‧驅動電壓/輸出電壓
204‧‧‧激勵詢查表
205‧‧‧顫動信號
206‧‧‧致動控制器
207‧‧‧電壓
208‧‧‧激勵詢查表
209‧‧‧輸出/偏置電壓
210‧‧‧解調邏輯/解調器邏輯
211‧‧‧控制信號
212‧‧‧解調邏輯/解調器邏輯
213‧‧‧誤差信號
214‧‧‧TEC控制器
220‧‧‧TEC驅動電壓
302‧‧‧邏輯
304‧‧‧邏輯
308‧‧‧正規化信號
310‧‧‧數位對類比控制器
700‧‧‧方法
702~712‧‧‧步驟
800‧‧‧方法
802~820‧‧‧步驟
900‧‧‧方法
902~920‧‧‧步驟
1000‧‧‧示範顫動信號
1002‧‧‧偏壓部分
1004‧‧‧已調變部分
1006‧‧‧偏壓部分
1008‧‧‧已調變部分
1100‧‧‧光學系統
1102‧‧‧發射器
1104‧‧‧資料源
1106‧‧‧雷射
1108‧‧‧調變器
1110‧‧‧接收器
1112‧‧‧光檢測器
1114‧‧‧圖形控制器
1116‧‧‧光檢測器
1118‧‧‧輸入/輸出控制器或I/O控制器
1120‧‧‧光檢測器
第1圖是根據本發明之一實施例的一可調諧外腔雷射的一簡化示意圖；第2圖是根據本發明之一實施例的第1圖所描述的該可調諧外腔雷射的一較詳細的示意圖；第3圖是說明根據本發明之一實施例的適於縮放一控制信號的邏輯的一示意圖；第4圖是說明根據本發明之一實施例的第1圖所描述之該可調諧外腔雷射的兩濾波器與外腔的通帶關係的一圖式；第5圖是說明根據本發明之一實施例的一濾波器選擇一雷射模式的一圖式；第6圖是說明根據本發明之一實施例的一雷射腔中的一濾波器自該雷射腔中的另一濾波器所產生的一通帶選擇一傳輸峰值的一圖式；第7圖是說明根據本發明之一實施例的用以顫動被置於第1圖所描述之該可調諧外腔雷射中的單個調諧元件的一方法的一流程圖；第8圖是說明根據本發明之一實施例的用以維持一調 諧元件之實質上固定的一傳輸峰值同時顫動一第二調諧元件及該外腔的光學路徑長度的一方法的一流程圖；第9圖是說明根據本發明之一實施例的用以顫動一濾波器元件的一傳輸峰值、顫動位於與該第一濾波器元件正交的一頻率或相位處的一第二濾波器元件，以及顫動該外腔的光學路徑長度的一方法的一流程圖；第10圖是說明根據本發明之一實施例的可被用於一或多個濾波器的一示範顫動信號的一圖式；第11圖是根據本發明之一實施例的一光學系統的一高階方塊圖。
100‧‧‧可調諧外腔雷射/雷射
102‧‧‧增益介質
104‧‧‧反射元件/端面鏡
106‧‧‧防反射鍍膜前腔面
108‧‧‧部分反射後腔面/後腔面
109‧‧‧熱電冷卻器
110‧‧‧外腔/雷射腔/光腔
112‧‧‧透鏡
114‧‧‧光學路徑/光束
115‧‧‧輸出準直透鏡
117‧‧‧部分反射器
119‧‧‧光二極體
120‧‧‧濾波器
121‧‧‧致動器
122‧‧‧濾波器
123‧‧‧控制器
124‧‧‧溫度感測器
125‧‧‧溫度感測器
127‧‧‧致動器
202‧‧‧致動控制器
203‧‧‧驅動電壓/輸出電壓
204‧‧‧激勵詢查表
205‧‧‧顫動信號
206‧‧‧致動控制器
207‧‧‧電壓
208‧‧‧激勵詢查表
210‧‧‧解調邏輯/解調器邏輯
212‧‧‧解調邏輯/解調器邏輯
213‧‧‧誤差信號
214‧‧‧TEC控制器
220‧‧‧TEC驅動電壓

Claims (21)

  1. 一種雷射調諧裝置，包含：具有至少一雷射波長的一外腔雷射，該雷射進一步具有：界定一空腔的一增益介質及一端面鏡；配置在該空腔中的至少一調諧元件，該調諧元件具有至少一傳輸峰值波長；以及操作式地耦接到該調諧元件的一致動器；以及將一顫動信號施加於該調諧元件並自該顫動信號產生一控制信號的邏輯組件，該控制信號表示該傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一誤差，其中該致動器利用該控制信號將該雷射波長與該傳輸峰值波長對齊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中有用以儲存針對該顫動信號的值的詢查表包含：用以感測表示該調諧元件的一溫度的一溫度信號的一感測器；用以輸出針對至少一預定溫度的一顫動值的一詢查表；以及操作式地耦接到該致動器以執行以下步驟的一致動控制器：將該溫度信號轉換為一溫度；將該感測到的溫度信號與該預定溫度值做比較；以及產生該感測到的溫度與該預定溫度之間的一 溫度誤差信號。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其進一步包含用以檢測該外腔雷射的輸出功率調變及產生一功率調變信號的一光檢測器。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之裝置，其進一步包含用以利用該詢查表輸出值來解調該功率調變信號以產生該溫度誤差信號的解調邏輯組件，其中該溫度誤差信號和該傳輸峰值波長與該雷射波長之間的誤差成正比。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之裝置，其進一步包含用以將該溫度誤差信號調整到實質上為零以及輸出表示該實質上歸零的溫度誤差信號的一驅動電壓的一控制器。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之裝置，其進一步包含用以利用該驅動電壓調整該端面鏡的溫度的一熱電冷卻器，該端面鏡調整該雷射波長與該峰值傳輸波長之間的波長差到實質上為零，使該誤差信號減到實質上為零。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中該調諧元件包含：配置在該雷射空腔中的一第一濾波器，該第一濾波器具有一第一傳輸峰值波長；以及配置在該雷射空腔中的一第二濾波器，該第二濾波器具有一第二傳輸峰值波長，其中該邏輯組件要進一步將該顫動信號施加於該第一濾波器並自該顫動信號產生該控制信號，該控制信號表示該第一傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一誤差。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中該邏輯組件進一步將一第二顫動信號施加於該第二濾波器並自該第二顫動信號產生一第二控制信號，該第二控制信號表示該第二傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一第二誤差。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之裝置，其進一步包含：用以輸出針對一第二預定溫度的一第二顫動值的一第二詢查表；以及用以利用該第二詢查表輸出值來解調該功率調變信號以產生一第二溫度誤差信號的第二解調邏輯組件，其中該第二溫度誤差信號正比於該第二傳輸峰值波長與該雷射波長之間的誤差。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之裝置，其中該顫動信號與該第二顫動信號成正交。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之裝置，其中該顫動信號與該第二顫動信號成非正交。
  12. 一種雷射調諧裝置，包含：一外腔雷射，其具有至少一雷射波長、界定一空腔的一增益介質及一端面鏡、以及配置在該空腔中的至少一調諧元件，該調諧元件具有至少一傳輸峰值波長；以及用以產生一已調變電壓信號、自該已調變電壓信號產生一控制信號的邏輯組件，該控制信號表示該傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一誤差，該邏輯組件進一步自該控制信號產生一偏壓電壓信號、由該偏壓電壓信號 的一倒數以縮放該已調變電壓信號、及施加該已縮放調變電壓信號於該調諧元件以將該雷射波長與該傳輸峰值波長對齊。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中該邏輯組件進一步將該已縮放調變電壓信號與該偏壓電壓信號加總。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其中該邏輯組件進一步將該已加總的縮放調變電壓信號與偏壓電壓信號自一數位值轉換為一類比值。
  15. 一種用以調諧雷射的方法，包含以下步驟：為一外腔雷射產生雷射模式，該外腔雷射具有至少一雷射波長、界定一空腔的一增益介質及一端面鏡、以及配置在該空腔中的至少一調諧元件，該調諧元件具有至少一傳輸峰值波長；將一顫動信號施加於該調諧元件；自該顫動信號產生一控制信號，該控制信號表示該傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一誤差；以及利用該控制信號將該雷射波長與該傳輸峰值波長對齊。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其進一步包含以下步驟：將一第二顫動信號施加於配置在該雷射空腔中的一第二濾波器，該第二濾波器具有一第二傳輸峰值波長；以及自該第二顫動信號產生一第二控制信號，該第二控 制信號表示該第二傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一第二誤差。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其進一步包含以下步驟：將與該顫動信號成正交的一第二顫動信號施加於配置在該雷射空腔中的一第二濾波器，該第二濾波器具有一第二傳輸峰值波長；以及自該第二顫動信號產生一第二控制信號，該第二控制信號表示該第二傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一第二誤差。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其進一步包含以下步驟：產生一已調變電壓信號；自該已調變電壓信號產生該控制信號；自該控制信號產生一偏壓電壓信號；由該偏壓電壓信號的一倒數以縮放該已調變電壓信號；以及將該已縮放調變電壓信號施加於該調諧元件。
  19. 一種用於調諧雷射的系統，包含：用以發射一光學信號的一外腔雷射，該雷射具有至少一雷射波長、界定一空腔的一增益介質及一端面鏡、配置在該空腔中的至少一調諧元件，以及操作式地耦接到該調諧元件的一致動器，該調諧元件具有至少一傳輸峰值波長； 用以施加一顫動信號於該調諧元件並自該顫動信號產生一控制信號的邏輯組件，該控制信號表示該傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一誤差，其中該致動器要利用該控制信號將該雷射波長與該傳輸峰值波長對齊；以及具有用以接收來自該外腔雷射的該光學信號之一光檢測器的一接收器。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之系統，其中該調諧元件包含：配置在該雷射空腔中的一第一濾波器，該第一濾波器具有一第一傳輸峰值波長；以及配置在該雷射空腔中的一第二濾波器，該第二濾波器具有一第二傳輸峰值波長，其中該邏輯組件要進一步將該顫動信號施加於該第一濾波器並自該顫動信號產生該控制信號，該控制信號表示該第一傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一誤差。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之系統，其中該邏輯組件要進一步將一第二顫動信號施加於該第二濾波器並自該第二顫動信號產生一第二控制信號，該第二控制信號表示該第二傳輸峰值波長與該雷射波長之間的一第二誤差。
TW096146295A 2006-12-29 2007-12-05 外腔雷射調諧元件顫動伺服控制技術 TWI381601B (zh)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8611747B1 (en) * 2009-05-18 2013-12-17 Cirrex Systems, Llc Method and system for multiplexing optical communication signals
US20110150014A1 (en) * 2009-08-13 2011-06-23 Andrew Daiber Analog temperature control for tunable lasers
US8559821B2 (en) * 2009-12-02 2013-10-15 Futurewei Technologies, Inc. Wavelength stabilization and locking for colorless dense wavelength division multiplexing transmitters
US9692207B2 (en) 2011-09-30 2017-06-27 Aurrion, Inc. Tunable laser with integrated wavelength reference
KR20130072697A (ko) * 2011-12-22 2013-07-02 한국전자통신연구원 외부공진 파장가변 레이저 모듈
CN107329507A (zh) * 2016-04-29 2017-11-07 广西师范大学 一种恒温控制系统
CN110888245B (zh) * 2018-09-10 2023-09-22 苏州旭创科技有限公司 可调谐激光器的波长选择方法及波长选择装置
PL3928444T3 (pl) * 2019-02-22 2023-12-27 Picadvanced S.A. Szybkie strojenie temperaturowe dla odbiorników optycznych
DE102022102272A1 (de) 2022-02-01 2023-08-03 Menlo Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Stabilisieren von elektromagnetischer Strahlung eines optischen Oszillators

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6600760B1 (en) * 1999-07-27 2003-07-29 Intel Corporation Method and apparatus for tuning a laser
US6631146B2 (en) * 2001-07-06 2003-10-07 Intel Corporation Tunable laser control system
US6661815B1 (en) * 2002-12-31 2003-12-09 Intel Corporation Servo technique for concurrent wavelength locking and stimulated brillouin scattering suppression
US6917632B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Intel Corporation Interrupt driven wavelength locking
US6927377B2 (en) * 2003-03-31 2005-08-09 Intel Corporation Wavelength locking channel monitor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020054614A1 (en) * 2000-11-07 2002-05-09 Hong Jin Wavelength discretely tunable semiconductor laser
US7257142B2 (en) * 2004-03-29 2007-08-14 Intel Corporation Semi-integrated designs for external cavity tunable lasers

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6600760B1 (en) * 1999-07-27 2003-07-29 Intel Corporation Method and apparatus for tuning a laser
US6631146B2 (en) * 2001-07-06 2003-10-07 Intel Corporation Tunable laser control system
US6940881B2 (en) * 2001-07-06 2005-09-06 Intel Corporation Tunable laser with wavelength locking
US6661815B1 (en) * 2002-12-31 2003-12-09 Intel Corporation Servo technique for concurrent wavelength locking and stimulated brillouin scattering suppression
US6917632B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Intel Corporation Interrupt driven wavelength locking
US6927377B2 (en) * 2003-03-31 2005-08-09 Intel Corporation Wavelength locking channel monitor

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