JP2006337832A - 光周波数コム発生方法及び光周波数コム発生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 共振器長を安定化したい点に確実に固定して、極めて安定に光周波数コムを発生する。
【解決手段】
光変調を行うレーザー光を通過させる電気光学結晶からなる光変調器を光共振器１３内に備える光周波数コム発生器１５において、レーザー光に周回当たりπラジアン以上の変調指数の光変調を行うことにより光周波数コムを生成し、上記光周波数コム発生器１５から透過光又は反射光として取り出される光周波数コム出力のパワーの直流成分を光検出器１８により検出し、その検出電圧と上記光周波数コム発生器１５の共振器長の変動に対する上記検出電圧の変化の傾きを指定して、上記検出電圧により上記共振器長を一定に制御する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、広い周波数範囲に亘って安定した光周波数コムを発生する光周波数コム発生方法及び光周波数コム発生装置に関する。

従来より、被測定光の周波数測定やスペクトル解析、あるいは、被測定光に乗せられた測定対象物の情報などを被測定光の位相や振幅を利用して観測する場合などに、測定分解能や感度を上げるためにヘテロダイン検波法が用いられる。ヘテロダイン検波法は、基準となる光源と被測定光の波面を重ねて干渉させてから光検出器に入射し、２台のレーザーの周波数差で振動するビート信号を観測する方法である。

ヘテロダイン検波法は、極めて高い周波数の電磁波であるレーザー光の情報を周波数の低い電気信号に置き換え、感度や分解能の高い計測器で解析することを可能にする。しかし、基準光源と被測定光の周波数差の上限は、光検出器で検出し信号処理できる帯域に制限される。現在、比較的安価で一般的に使用される光検出器や電気信号処理装置の帯域は高々数ＧＨｚでしかなく、数百ＴＨｚから数ＰＨｚに及ぶ光周波数の帯域幅と比較してはるかに狭い。

このようなヘテロダイン検波システムに光周波数コム発生器（Optical Frequency Comb Generator）を応用すると、光検出器の帯域をはるかに越える周波数差を持つ２台のレーザーであってもヘテロダイン検波することが可能となる。

光周波数コム発生器は、ファブリ・ペロー型の電気光学変調器であり、入射したレーザー光のサイドバンド（光周波数コム）を等周波数間隔毎に数百本発生させるもので、発生されるサイドバンドの周波数安定度はもとのレーザー光のそれとほぼ同等である。

光周波数コム発生器を用いた光の差周波数測定では、光検出器の帯域よりもはるかに大きな差周波数であっても、サイドバンドとのビート信号によって差周波数を正確に測ることができる。すなわち、サイドバンドと被測定レーザー光をヘテロダイン検波することにより、数ＴＨｚに亘る広帯域なヘテロダイン検波系を構築することができる。２つのレーザー光をヘテロダイン検波してその差周波数を測定する場合、その帯域は受光素子の帯域で制限され、おおむね数十ＧＨｚ程度であるので、光周波数コム発生器を用いて広帯域なヘテロダイン検波系を構築するようにしている。

図５は、従来の光導波路型光変調器を備える導波路型の光周波数コム発生装置１００の構成を示している。

この光周波数コム発生装置１００は、入射されるレーザー光Ｌ_ｉｎをマイクロ波変調信号発生器１１１により与えられる変調周波数ｆｍの変調信号で変調して光周波数コムＯＦＣを生成するものであって、電界を印加することによって屈折率が変化する電気光学効果を有する光学材料基板に形成した光共振を起こさせるレーザー光を通す光導波路の両端部の相対向する２つの端面に上記ファブリ・ペロー共振器１１３を構成する反射膜１１３Ａ，１１３Ｂを設けてなる光導波路型光変調器１１４を備え、マイクロ波変調信号発生器１１１からバイアスＴ１１２を介して変調周波数ｆｍの変調信号が光導波路型光変調器１１４に供給されるようになっている。

上記導波路型光変調器１１４は、上記ファブリ・ペロー共振器１１３に入射されたレーザー光Ｌ_ｉｎを、上記バイアスＴ１１２を介して供給される変調周波数ｆｍの変調信号で変調して光周波数コムＯＦＣを生成する。上記マイクロ波変調信号発生器１１１により与えられる変調周波数ｆｍの変調信号によるレーザー光に対する上記導波路型光変調器１１４における周回当たりの変調指数はπラジアンよりも小さい。

そして、上記ファブリ・ペロー共振器１１３から出射側光カプラ１１６を介して取り出される光周波数コムＯＦＣの一部が上記出射側光カプラ１１６により分割されて入射される光検出器１１９による検出出力に、乗算器１２０において上記マイクロ波変調信号発生器１１１により与えられる変調周波数ｆｍの変調信号を乗算することにより得られる乗算出力、すなわち、上記光検出器１１９の検出出力に含まれる上記変調周波数ｆｍの変調成分を同期検波した共振長制御信号を上記バイアスＴ１１２を介して上記光導波路型光変調器１１４に供給することにより、上記ファブリ・ペロー共振器１１３の光共振長さが帰還制御される。光検出器１１９は、出力効率に比例した電圧を発生する。この光検出器１１９には、変調信号と同じ程度の帯域幅を持つ高価な高速検出器が用いられる。

ここで、上記光周波数コム発生装置１００において、周回当たりの変調指数が０〜πラジアンの場合について、透過モードの形状を計算した結果を図６に示す。

図６において、横軸は周回当たりの位相シフト又は光共振器１１３の光学距離の変化を示し、縦軸は入力光パワーに対する出力光パワーの効率を示している。

変調指数が０の場合、一般的な光共振器の透過モードと同じであり、光共振器１１３の光学長を１ＦＳＲ(FSR:Free spectral range)分変化させる間のピークは１個であるが、変調を行うと、光共振器１１３の透過モードのピークが２つに分裂する。無変調時のピークは、変調時の２つのピークの中間点の谷間に位置し、光周波数コム発生装置１００における光共振器長は、通常、２つのピークの中間付近に安定化される。

ここで、周回当たりの変調指数がπラジアンよりの小さい場合の例として、変調指数が０．５πラジアンの場合における透過光平均パワーと誤差信号の形状の計算例を図７の（Ａ），（Ｂ）に示す。この図７の（Ａ），（Ｂ）において、横軸は光共振器の位相である。この場合における誤差信号は、図７の（Ｂ）に示すように、光共振器の位相−π〜πの中で、右肩下がりで０を横切る点が１箇所ある。この誤差信号を用いて、０を横切る点に光共振器の共振器長を制御する可能である。ロック点が１ＦＳＲ中に１箇所しかないので、共振器の位相を掃引して０点を探して自動ロックすることは、比較的に簡単な回路で実現することができる。

特開平１５−０４３５３９号公報

ところで、従来の光周波数コム発生装置１００では、周回当たりの変調指数がπラジアンを越えたときに誤差信号の形状が複雑になり、単純な制御回路で制御点を見つけて共振器長さを制御することは困難であった。

周回当たりの変調指数がπラジアン以上の例として、変調指数が１．１πラジアンの場合における透過光平均パワーと誤差信号の形状の計算例を図８の（Ａ），（Ｂ）に示す。この図８の（Ａ），（Ｂ）において、横軸は光共振器の位相である。この場合における誤差信号は、図８の（Ｂ）に示すように、光共振器の位相−π〜πの中で、右肩下がりで０を横切る点が２箇所ある。この誤差信号におけるこれらの２箇所の０を横切る点を区別するためには複雑な回路が必要である。単純に光共振器の位相を掃引して０点を探しても、２つの点の違いを区別することは難しい。

また、従来の光周波数コム発生装置は、変調指数の大きさによらず、誤差信号を得るために変調信号と同じ程度の帯域幅を持つ高価な高速光検出器を用いるために、システムが複雑で高価なものになるという問題もあった。

さらに、高速光検出器が出力する高周波信号と変調信号をダブルバランスドミキサのような乗算器に入力して低周波数の誤差信号を出力するときに、光検出器の出力信号に変調信号が混入することがあり、それが誤差信号の直流成分にオフセットを与えることになり、共振器長の制御が不安定になってしまうという問題があった。

また、従来の光コム発生器でも、高速光検出器を使用しない方法として、マイクロ波帯の変調信号と比べてずっと低い周波数で共振器に僅かな変調を加える方法がすでに行われている。これは例えば、光をマイクロ波で変調するのとは別に数KHzの変調周波数で共振器長に変調を与えておき、帯域数KHz以上の低速な光検出器で受光された透過光強度信号のなかの変調周波数成分をロックインアンプで同期検波して誤差信号を得る方法である。この方法は、検出・制御系の帯域が低いため、高速検出器を使用する方法に比べて装置が簡便で安価にできる。しかし、この方法は、発生する光コムの各モードの位相にマイクロ波以外の低周波信号による位相変調が重畳されることになり、特に高次のサイドバンドに対してそのスペクトル線幅の拡大を引き起こすという問題がある。

低速な光検出器で光出力の平均値を検出して共振器長制御に用いることができれば、装置構成が単純になり、コストが下がりばかりでなく、誤差信号のオフセット問題も解決することができる。しかしながら、周回当たりの変調指数がπラジアン以下である場合には、光検出器により得られる検出出力（電圧）の傾きが同じロック点が１ＦＳＲ中に２個あり、単純な回路で安定点を決定することはできない。

そこで、本発明の目的は、上述の如き従来の実情に鑑み、共振器長を安定化したい点に確実に固定して、極めて安定に光周波数コムを発生することができる光周波数コム発生器および光周波数コム発生方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的、本発明によって得られる具体的な利点は、以下に説明される実施の形態の説明から一層明らかにされる。

本発明に係る光周波数コム発生方法は、光変調を行うレーザー光を通過させる電気光学結晶からなる光変調器を光共振器内に備える光周波数コム発生器において、レーザー光に周回当たりπラジアン以上の変調指数の光変調を行うことにより光周波数コムを生成し、上記光周波数コム発生器から透過光又は反射光として取り出される光周波数コム出力のパワーの直流成分を検出し、その検出電圧と上記光周波数コム発生器の共振器長の変動に対する上記検出電圧の変化の傾きを指定して、上記検出電圧により上記共振器長を一定に制御することを特徴とする。

本発明に係る光周波数コム発生装置は、光変調を行うビーム光を通過させる電気光学結晶からなる光変調器を光共振器内に備える光周波数コム発生器と、上記光周波数コム発生器においてレーザー光に周回当たりπラジアン以上の変調指数の光変調を行う変調信号を当該光周波数コム発生器に与える変調信号発生器と、上記光周波数コム発生器から透過光又は反射光として取り出される光周波数コム出力のパワーの直流成分を検出する第１の光検出器と、上記第１の光検出器の検出電圧と上記光周波数コム発生器の共振器長の変動に対する上記検出電圧の変化の傾きを指定して、上記検出電圧に基づいて上記光共振器の光共振長を一定に帰還制御する光共振長制御手段とを備えることを特徴する。

本発明に係る光周波数コム発生装置において、上記光変調器は例えば光導波路型の光変調器であり、バイアスＴを介して上記光導波路型の光変調器に変調信号と光共振長制御信号を供給する。

また、本発明に係る光周波数コム発生装置は、例えば、上記光周波数コム発生器に入射されるレーザー光のパワーを検出する第２の光検出器と、上記第１の光検出器による検出出力と上記第２の光検出器による検出出力との差分を検出する減算手段をさらに備え、上記減算手段による減算出力を光共振長制御信号とする。

さらに、本発明に係る光周波数コム発生装置は、例えば、上記光周波数コム発生器に入射されるレーザー光のパワーを検出する第２の光検出器と、上記第１の光検出器による検出出力を上記第２の光検出器による検出出力で除算する除算手段をさらに備え、上記除算手段による除算出力を光共振長制御信号とする。

本発明では、共振器長を安定化したい点に確実に固定して、極めて安定に光周波数コムを発生することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、任意に変更可能であることは言うまでもない。

本発明は、例えば図１に示すような構成の光周波数コム発生装置１０に適用される。

この光周波数コム発生装置１０は、入射されるレーザー光Ｌ_ｉｎをマイクロ波変調信号発生器１１により与えられる変調周波数ｆｍの変調信号で変調して光周波数コムＯＦＣを生成するものであって、電界を印加することによって屈折率が変化する電気光学効果を有する光学材料基板に形成した光共振を起こさせるレーザー光を通す光導波路の両端部の相対向する２つの端面に上記ファブリ・ペロー共振器１３を構成する反射膜１３Ａ，１３Ｂを設けた光導波路型光変調器１４からなる光周波数コム発生器１５を備え、マイクロ波変調信号発生器１１からバイアスＴ１２を介して変調周波数ｆｍの変調信号が光周波数コム発生器１５に供給されるようになっている。

上記光周波数コム発生器１５は、上記ファブリ・ペロー共振器１３に入射されたレーザー光Ｌ_ｉｎを、上記バイアスＴ１２を介して供給される変調周波数ｆｍの変調信号で導波路型光変調器１４により変調して光周波数コムＯＦＣを生成する。上記マイクロ波変調信号発生器１１により与えられる変調周波数ｆｍの変調信号によるレーザー光に対する上記導波路型光変調器１４における周回当たりの変調指数はπラジアン以上である。

温度調整部１６は、上記光導波路型光変調器１４をペルチェ素子により温度制御することによって、入射レーザー光Ｌ_ｉｎの波長に合わせて上記ファブリ・ペロー共振器１３の共振器長さを制御して自由スペクトル域(FSR:Free spectral range)調整を行う。ここで、光導波路型光変調器１４を用いた光周波数コム発生器１５は、小型に形成することができ、熱容量が小さく温度制御を迅速に行うことができ、ペルチェ素子を用いた温度制御により共振器長さを制御してＦＳＲ調整を行うことができる。

そして、上記ファブリ・ペロー共振器１３から出射側光カプラ１７を介して取り出される光周波数コムＯＦＣの一部が上記出射側光カプラ１７により分割されて入射される光検出器１８による検出出力が増幅器１９により増幅され、周波数毎に位相と振幅を調整された後、共振長制御信号として上記バイアスＴ１２を介して上記光導波路型光変調器１４に供給することにより、上記ファブリ・ペロー共振器１３の光共振長さが帰還制御される。光検出器１８は、上記光周波数コム発生器１５の出力効率に比例した電圧を発生する。

ここで、上記光周波数コム発生装置１０において、周回当たりの変調指数が１．２πラジアンの場合について、透過モードの形状を計算した結果を図２に示す。

図２において、横軸は周回当たりの位相シフト又は光共振器１１３の光学距離の変化を示し、縦軸は入力光パワーに対する出力光パワーの効率を示している。

この図２に示すように、変調指数がπラジアン以上の場合、共振器長さの変動に対し、出力効率に比例した電圧を発生する光検出器１８の検出電圧の変化の傾斜と検出電圧値が同じ点は、１ＦＳＲ中に１箇所しかないので、ロック点の電圧と傾斜を指定することによって、１ＦＳＲ中に１箇所にロック点を決定して、光共振器長を一定に制御することができる。

このように、光変調を行うレーザー光を通過させる電気光学結晶からなる光変調器を光共振器内に備える光周波数コム発生装置１０において、レーザー光に周回当たりπラジアン以上の変調指数の光変調を行うことにより光周波数コムを生成し、上記光周波数コム発生器から透過光又は反射光として取り出される光周波数コム出力のパワーの直流成分を検出し、その検出電圧と上記光周波数コム発生器の共振器長の変動に対する上記検出電圧の変化の傾きを指定して、上記検出電圧により上記共振器長を一定に制御することができる。

この光周波数コム発生装置１０における光共振器長の帰還制御系は、誤差信号を検出するために共振器長さを変調する必要がないので光周波数コム発生器１５の出力のサイドバンドの位相に変調を与えることがなく、また、高速光検出器と乗算器を使用しないので変調信号が混入して帰還制御系にオフセットを与えることがなく、また、変調信号と同じ程度の帯域幅を持つ高速光検出を用いずに、周波数の帯域の狭い安価な光検出器１８を用いて構築することができる。さらに、ロック点が１箇所しかないので、ロック点を探して共振器長を一定に制御するまでの処理を完全に自動化することができる。

ここで、上述の図１に示した構成の光周波数コム発生装置１０では、入射光パワーの変動によるロック点の変動については考慮されていない。

上記入射光パワーの変動によるロック点の変動を防止するには、例えば、図３に示す光周波数コム発生装置２０のように、入射光パワーの変動をキャンセルする減算器２４を設けるようにすればよい。

この図３に示す光周波数コム発生装置２０は、光周波数コム発生器１５の入射端側に設けられた入射側光カプラ２１、この入射側光カプラ２１を介して上記光周波数コム発生器１５に入射されるレーザー光Ｌ_ｉｎの一部が上記入射側光カプラ２１により分割されて入射される入射光検出器２２、この入射光検出器２２の検出出力Ｐ_ｉｎが増幅器２３により増幅されて供給される減算器２４を備える。なお、この図３に示す光周波数コム発生装置２０は、上述の図１に示した光周波数コム発生装置１０の帰還制御系を改良したもので、同一の構成要素については図中に同一符号を付して詳細な説明を省略する。

この光周波数コム発生装置２０において、上記減算器２４には、光周波数コム発生器１５の入射端側に設けた出射側光カプラ１７を介して取り出される光周波数コムＯＦＣの一部が上記出射側光カプラ１７により分割されて入射される光検出器１８による検出出力Ｐ_ｏｕｔが供給されている。

すなわち、この光周波数コム発生装置２０では、光周波数コム発生器１５の入射端側に設けた入射側光カプラ２１を介して上記光周波数コム発生器１５に入射されるレーザー光Ｌ_ｉｎの一部が上記入射側光カプラ２１により分割されて入射される光検出器２２による検出出力Ｐ_ｉｎを利得Ａの増幅器２３により増幅し、光周波数コム発生器１５の入射端側に設けた出射側光カプラ１７を介して取り出される光周波数コムＯＦＣの一部が上記出射側光カプラ１７により分割されて入射される光検出器１８による検出出力Ｐ_ｏｕｔと、上記増幅器２３により増幅された上記光検出器２２による検出出力Ａ・Ｐ_ｉｎの差分を減算器により検出し、この減算器２４による減算出力（Ｐ_ｏｕｔ−Ａ・Ｐ_ｉｎ）を利得Ｇの増幅器１９により増幅して共振長制御信号Ｓ＝Ｇ・（Ｐ_ｏｕｔ−Ａ・Ｐ_ｉｎ）として上記バイアスＴ１２を介して上記光導波路型光変調器１４に供給することにより、上記ファブリ・ペロー共振器１３の光共振長さを帰還制御するようになっている。

ここで、この帰還制御系において、共振長制御信号ＳがＳ＝０となる点をロック点とすると、入射光パワーの変動に伴い、入射光検出器２２の検出出力Ｐ_ｉｎがＰ_ｉｎ’に変化し、出射光検出器１８による検出出力Ｐ_ｏｕｔがＰ_ｏｕｔ’に変化しても、
Ｓ’＝Ｇ・（Ｐ_ｏｕｔ’−Ａ・Ｐ_ｉｎ’）
＝Ｇ・（Ｐ_ｏｕｔ’・Ｐ_ｉｎ’／Ｐ_ｉｎ−Ａ・Ｐ_ｉｎ・Ｐ_ｉｎ’／Ｐ_ｉｎ）
＝Ｇ・（Ｐ_ｏｕｔ−Ａ・Ｐ_ｉｎ）・Ｐ_ｉｎ’／Ｐ_ｉｎ
＝Ｓ・Ｐ_ｉｎ’／Ｐ_ｉｎ
＝０
なので、ロック点は変化しない。なお、この帰還制御系におけるフィードバックゲインは変化する。

また、上記入射光パワーの変動によるロック点の変動を防止するには、例えば、図４に示す光周波数コム発生装置３０のように、入射光パワーの変動をキャンセルする除算器３４を設けるようにしてもよい。

この図４に示す光周波数コム発生装置３０は、光周波数コム発生器１５の入射端側に設けられた入射側光カプラ３１、この入射側光カプラ３１を介して上記光周波数コム発生器１５に入射されるレーザー光Ｌ_ｉｎの一部が上記入射側光カプラ３１により分割されて入射される入射光検出器３２、この入射光検出器３２の検出出力Ｐ_ｉｎが供給される除算器３３を備える。なお、この図４に示す光周波数コム発生装置3０は、上述の図１に示した光周波数コム発生装置１０の帰還制御系を改良したもので、同一の構成要素については図中に同一符号を付して詳細な説明を省略する。

この光周波数コム発生装置3０において、上記除算器３４には、光周波数コム発生器１５の入射端側に設けた出射側光カプラ１７を介して取り出される光周波数コムＯＦＣの一部が上記出射側光カプラ１７により分割されて入射される光検出器１８による検出出力Ｐ_ｏｕｔが供給されている。

すなわち、この光周波数コム発生装置３０では、除算器３３において入射光検出器３２による検出出力Ｐ_ｉｎを出射光検出器１８による検出出力Ｐ_ｏｕｔで徐算し、その除算出力（Ｐ_ｏｕｔ／Ｐ_ｉｎ）を利得Ｇの増幅器１９により増幅して共振長制御信号Ｓ＝Ｇ・（Ｐ_ｏｕｔ／Ｐ_ｉｎ−Ｖ）として上記バイアスＴ１２を介して上記光導波路型光変調器１４に供給することにより、上記ファブリ・ペロー共振器１３の光共振長さを帰還制御するようになっている。

ここで、この帰還制御系において、入射光パワーの変動に伴い、入射光検出器２２の検出出力Ｐ_ｉｎがＰ_ｉｎ’に変化し、入射光検出器１８による検出出力Ｐ_ｏｕｔがＰ_ｏｕｔ’に変化しても、
Ｓ’＝Ｇ・（Ｐ_ｏｕｔ’／Ｐ_ｉｎ’−Ｖ）
＝Ｇ・（（Ｐ_ｏｕｔ・Ｐ_ｉｎ’／Ｐ_ｉｎ）／Ｐ_ｉｎ’−Ｖ）
＝Ｇ・（Ｐ_ｏｕｔ・Ｐ_ｉｎ−Ｖ）
＝Ｓ
なので、ロック点及びフィードバックゲインは変化しない。

本発明を適用した光周波数コム発生装置の構成を示すブロック図である。 上記光周波数コム発生装置において、周回当たりの変調指数が１．２πラジアンの場合について、透過モードの形状を計算した結果を示す特性図である。 本発明を適用した光周波数コム発生装置の他の構成例を示すブロック図である。 本発明を適用した光周波数コム発生装置のさらに他の構成例を示すブロック図である。 従来の光導波路型光変調器を備える導波路型の光周波数コム発生装置の構成を示すブロック図である。 従来の光周波数コム発生装置において、周回当たりの変調指数が０〜πラジアンの場合について、透過モードの形状を計算した結果を示す特性図である。 変調指数が０．５πラジアンの場合における透過光平均パワーと誤差信号の形状の計算例を示す図である。 変調指数が１．１πラジアンの場合における透過光平均パワーと誤差信号の形状の計算例を示す図である。

符号の説明

１０，２０，３０ 光周波数コム発生装置、１１ マイクロ波変調信号発生器、１２ バイアスＴ、１３ ファブリ・ペロー共振器、１３Ａ，１３Ｂ 反射膜、１４ 光導波路型光変調器、１５ 光周波数コム発生器、１６ 温度調整部、１７ 出射側光カプラ、１８ 光検出器、１９ 増幅器、２１，３１ 入射側光カプラ、２２，３２ 入射光検出器、２３ 増幅器、２４ 減算器、３３ 増幅器、３４ 除算器

Claims (5)

1. 光変調を行うレーザー光を通過させる電気光学結晶からなる光変調器を光共振器内に備える光周波数コム発生器において、レーザー光に周回当たりπラジアン以上の変調指数の光変調を行うことにより光周波数コムを生成し、
   上記光周波数コム発生器から透過光又は反射光として取り出される光周波数コム出力のパワーの直流成分を検出し、
   その検出電圧と上記光周波数コム発生器の共振器長の変動に対する上記検出電圧の変化の傾きを指定して、上記検出電圧により上記共振器長を一定に制御することを特徴とする光周波数コム発生方法。
2. 光変調を行うビーム光を通過させる電気光学結晶からなる光変調器を光共振器内に備える光周波数コム発生器と、
   上記光周波数コム発生器においてレーザー光に周回当たりπラジアン以上の変調指数の光変調を行う変調信号を当該光周波数コム発生器に与える変調信号発生器と、
   上記光周波数コム発生器から透過光又は反射光として取り出される光周波数コム出力のパワーの直流成分を検出する第１の光検出器と、
   上記第１の光検出器の検出電圧と上記光周波数コム発生器の共振器長の変動に対する上記検出電圧の変化の傾きを指定して、上記検出電圧に基づいて上記光共振器の光共振長を一定に帰還制御する光共振長制御手段と
   を備えることを特徴する光周波数コム発生装置。
3. 上記光変調器は光導波路型の光変調器であり、バイアスＴを介して上記光導波路型の光変調器に変調信号と光共振長制御信号を供給することを特徴とする請求項２記載の光周波数コム発生器。
4. 上記光周波数コム発生器に入射されるレーザー光のパワーを検出する第２の光検出器と、
   上記第１の光検出器による検出出力と上記第２の光検出器による検出出力との差分を検出する減算手段を備え、
   上記減算手段による減算出力を光共振長制御信号とすることを特徴とする請求項３記載の光周波数コム発生器。
5. 上記光周波数コム発生器に入射されるレーザー光のパワーを検出する第２の光検出器と、
   上記第１の光検出器による検出出力を上記第２の光検出器による検出出力で除算する除算手段を備え、
   上記除算手段による除算出力を光共振長制御信号とすることを特徴とする請求項３記載の光周波数コム発生器。
   

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