TWI378327B - Self-shading electrodes for debris suppression in an euv source - Google Patents

Description

1378327 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電力操作式放電源、一種微影裝 、及 一種用於借助於一電力操作式放電源而產生輻射的方法。 【先前技術】 w衫裝置係一種將所要之圖案施加至基板上，通常施加 至基板之一目標部分上的機器。微影裝置可用於（例如）積 體電路（ic)之製造中。在彼情況下，一圖案化元件或者稱 為光罩或主光罩之圖案化元件可用於產生待形成於扣之個 別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至一基板（例如，矽 晶圓）上之一目標部分（例如，包含一個晶粒或若干晶粒之 部分）上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之 輻射敏感材料（抗蝕劑）層上而達成。一般而言，單一基板 將含有被順次圖案化之相鄰目標部分的網路。已知的微影 裝置包括所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光 至目標部分上而照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其 中藉由在-給定方向(”掃描"方向)上經由輻射光束掃描圖 案同時平行或反平行於此方向同步地掃描基板而照射每一 目標部分。圖案化元件亦有可能藉由將圖案壓印至基板上 來將圖案自圖案化元件轉印至基板。 為了減小元件之臨界尺寸，微影投影裝置可配置有一極 紫外線（EUV)輻射源。該EUV輻鼾馮ότ也“， __ v铷射源可為（例如）放電電漿 輻射源纟中在陽極與陰極之間以一物質（例如，氣體或 )產生錢且其中可藉由流過該電漿之（脈衝巧流所引 127071.doc 1378327 起之歐姆加熱來產生向溫放電電漿。除帶内EUV輻射之 外，實際EUV源亦產生帶外輻射及碎屑，其中後者嚴重限 制靠近輻射源之反射光學器件的操作壽命。在以基輻射源 之狀況下’可區別三種類型之碎屑： 慢速原子碎屑：熱化原子，亦即，根據馬克士威分布 (Maxwell distribution)具有隨機方向及速凌； 快速原子碎屑：具有大體上與輻射源所發射之Euv輻射 平行之高彈道速度的離子、中性粒子（neutrals)及奈米叢 集； 微粒子：亦大體上平行於Euv輻射引導之微米大小之彈 道粒子及小液滴。 快速原子碎屑藉由蝕刻而減小後續光學器件之反射率， 而慢速原子碎屑及微粒子藉由污染表面而減小反射率。因 此應使用抗碎屑組件或碎屑減輕或清除策略以便維持EUV 微影術工具之充足的輸出功率。 PCT專利申請公開案W0 2005/025280描述一 EUV輻射 源，其中陽極及陰極由在一含有液態金屬（諸如Sn)之槽中 被潤濕之輪形成。一些碎屑由電極上之薄膜拾取且傳送回 至該槽。然而，大多數碎屑被引導向微影裝置之光學器 件此碎屑可能藉由被施加了幾千伏特之電壓的金屬薄片 之一額外電極配置進行偏轉。 【發明内容】 而要（例如）減少發源於一電漿輻射源之一電極的微粒子 或防止其到達EUV光學器件。 127071.doc 1378327 根據本發明之一能 作式放電源，該放:源」人供一種用於產生輻射之電力操 極以彼此相距―距離:、：：至少兩個電極，該至少兩個電 ^ ^ ^ _ 方式配置於一放電空間t,此允_ 在該等=之各別作用s域之間的一點處允： 二=之*學元件之，—下 ==區域中之至少-者對於該光學元件之至少- 续純：：=可見的’同時該特定部分確實自該點處之電 在一實施例中，該転射、.s 屈拉龍 射/原進一步包含一經組態以施加金 处β上土 之表面的凡件，及一經配置以將一 月b篁光束引導至該等作 加…… 中之至少一者上以蒸發所施 杜 U刀地產生氣態介質的能量光束元 仵0 在一實施例中，該等電極中之至少—者之 面為楔形。 |刀』杈戳 在一實施例中，該等電極中之每一者包含—凹口且該等 作用區域f該等凹口中，且該放電源進一步包含一經配置 以將一能量光束引導至該等中 束元件。 中…-者上的能量光 在一實施例中，該等電極中之每-者可環繞-旋轉軸線 可旋轉地安裝。 根據另一態樣，提供一種輻射系統，其包含： -一光學元件，其具有一光軸；及 --電力操作式放電源，其經組態以產生輕射，該放電 127071.doc 邊包含至少兩個電極，該至少兩個電極以彼此相距一距離 之方式配置於一放電空間t，此允許在該等電極之各別作 Z區域之間的-點中形成電裝，其中該光學元件之該光轴 與該點相父’且其中該等各別區域中之至少—者對於該光 予元件之至少-特定部分係不可見的，同時該料部分確 實自該點處之電漿接收到輻射。 一在-實施例中’該輻射系統包含一具有輻射透射率之第 一碎屑障壁’該第-碎屑障壁經建構及經配置以防止發源 :/等各別作用區域中之—第—者的碎屬到達該光學元 ，。該輕射系統可包含-第二碎肩障壁，該第二碎屬障壁 經建構及經配置以防止發源於該等各別作用區域中之一第 二者的碎屑到達該光學元件。 該輻射系統可包含一第二碎屑障壁，該第二碎肩障壁經 建構及經配置以防止發源於該等各別作用區域中之一第二 者的碎屑到達該光學元件。 較佳地，第-碎屑障壁及第二碎屑障壁中之—或兩者為 可旋轉箔陷阱（f0il tra 較佳地， 一 w权1也該專可旋轉箔陷阱配置 =電力操作式放電源之相對側上且中之每—者包含 =繞^線可旋轉地配置之複數個葉片，該等可旋轉羯陷 目=㈣力操作式放電源定位以使得該等可旋轉络陷 味中之每-者之橫截面的至多一半可被該轄射源照射。 根據另—態樣，提供一種微影裝置，其包含： 二=操作式放電源’其經組態以產生‘，該放電源 “至少兩個電極，該至少兩個電極以彼此相距一距離之 127071.doc 1378327 方式配置於一放電空間_，此允許在該等電極之各別作用 區域之間的一點處形成電漿； 一照明系統，其經組態以調節一輻射光束，該照明系統 包含一面向該放電源之光學元件，其中該光學元件之一光 轴與該點相交；

一支撐件，其經建構以支撐一圖案化元件，該圖案化元 件經組態以在該輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束一圖 案以形成一經圖案化之輻射光束； 一基板台，其經建構以固持一基板；及 :投影系統，其經组態以將該經圖案化之輻射光束投影 至該基板之一目標部分上， 其中該等各別區域中之至少__者對於該光學元件之至少 一特定部分係不可見的’同時該特定部分至少在使用中自 該點接收到輻射。 根據本發明之另一觫槐， 〜、樣k供一種用於借助於一電力操 作式放電源而產生輻射 —^ 耵之万去’其中電漿在配置於-放電 工間中之兩個電極之各別 ^ ^ ^ 匕砜之間的一點p中被點 l，其中在一待被輻射之 作姥 干70件之—光軸與該點ρ相交 的情况下，該等各別區域 一# 至夕一者對於該光學元件之 p接收到輕射。 门時該特定部分確實自該點 【實施方式】 之一實施例的微影裝 圖1示意性地描纷-根據本發明 置。該裝置包含： 127071.doc 1378327 -電漿輻射源s〇，其經配置以產生EUV輻射；

_ 一 /亏染物障壁CB，其經配置以阻斷來自 之邱八- 呵术目茲輻射源SO 之邵分染物； Β ； 照明系統（照明器）IL，其經組態以調節—輻射光束 --支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐一圖 :::件(例如，光罩)MAJ_連接至一第一定位器I : 疋位器PM經組態以根據特定參數而準確地定位該 案化元件； °x --基板台（例如，晶圓台）WT，其經建構以固持—基板 (例如’塗佈有抗蝕劑之晶圓）W且連接至一第二定位器 pw’該第二定位器pw經組態以根據特定參數而 位該基板；及 --投影系統(例如’透射型反射投影透鏡系統)ps，苴 :組態以將一由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投 至基板W之-目標部分c(例如，包含—或多個晶粒）上。 ‘、、、月系、”先可包括用於引導、成形或控制輻射的各種類型 之光學組件’諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他 類型之光學組件或其任何組合。 >該支撐結構以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設 。十及諸如圖案化元件是否固持於真空環境中之其他條件的 方式固持圖案化元件。支#結構可使用機械、真空、靜電 ㈣㈣㈣元件。支撐結構可為框架或 台，（例如)其可視需要為固定的或可移動的。支撐結構可 127071.doc 1378327 確保圖案化元件(例如)相對於投影系 可認為本文令對術語"主光罩"或，,光罩紅要位置處。 通用之術語"圖案化元件，，同義。 何使用均與更 術語”圖案化元件"廣義解釋為指代 •光束之橫截面中賦予該輻射光束-圖案以 -部分_產生—圖案㈣何元件。應注意， 二。’右被賦予至IS射光束之圖案包括相移特徵或所 •助特徵’則該圖案可能不會精確對應於基板之目標 所要圖案。大體而言，被賦予至韓射光束之圖案 將對應於元件(諸如積體電路)中正在目標 特定功能層。 . 目案化元件可為透射型或反射型的。圖案化元件之實例 .包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩 在微影術中係熟知的’且包括諸如二元交變相移及衰減相 移之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列 ，之-實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可 個別地傾斜以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡 面將-圖案賦予由鏡面矩陣反射之轄射光束中。 本文中所使用之術語"投影系統"應廣義解釋為涵蓋任何 . 類型之投影系統’包括折射、反射、反射折射、磁性、電 磁及靜電光干系統’或其任何組合，只要其適用於所使用 之曝光輻4適合於諸如浸液之使用 < 真空之使用的其 他因素可〜為本文中對術語”投影透鏡"之任何使用與更 通用之術語"投影系統"同義。 127071.doc •12- 1378327 如此處所描繪，該裝置為反射型（例如，採用反射光 罩）。或者’該裝置可為透射型（例如，採用透射光罩）。 微影裝置可為具有兩個（雙平臺）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上支撐結構）之類型。在該等"多平臺"機器 中，可並行使用額外台及/或支撐結構，或可在一或多個 台及/或支撐結構上執行預備步驟同時將一或多個其他台 及/或支撐結構用於曝光。

微影裝置亦可為如下類型；其中基板之至少一部分可被 具有相對較高之折射率的液體（例如，纟）所覆蓋以便填充 投影系統與基板之間的空fB卜亦可將浸液塗覆至微影裝置 中之其他空間’例如’在光罩與投影系統之間的空間。浸 λ技術在此項技術中係熟知的，以用於增加投影系統之數 值孔徑。如本文中所使用之術語"浸沒"並不意謂將諸如基 板之結構淹沒於液體中，而僅意謂在曝光期間液體位於投 影系統與基板之間。 顆射難經印 求奶|罕堡 接收帛射光束。舉例而言，當該ϋ射源為準分子雷射 時，該轄射源與微影较置可為獨立之實體。在該等狀況 下，不認為該輕射源形成微影裝置之部分，且轄 助於包含（例如）合適夕g丨.曾 週之引導鏡面及/或光束放大器的光 遞系統BD而自輻射 下與^ 心原吣傳遞至照明器IL。在其他狀況 下，舉例而言，當転私 史 射原為一水銀燈時，該輻射源可為微 衫裝置之一整體部八 ± 刀。輻射源SO及照明器IL與光束傳遽备 統BD-起被稱作輪射系統。 得遞糸 127071.doc -13 - ^78327 μ Γ明魏可包含—用於調節輻射光束之角強度分布的調 節器》大體而言，至少可調節照明器之瞳孔平面中之強度 分布的外部徑向範圍及/或内部徑向範圍(通常分別稱作… • 卜（σ 〇Uter)&a•内（cr-inner))。另外，照明器IL可包含諸如 * #光器及聚光11之各種其他組件。照明器可用以調節籍射 - 光束以在其橫截面中具有所要均—性及強度分布。 輻射光束B人射於固持在支樓結構（例如，光罩台）附上 _ 目案化70件（例如，光罩）MA上，J·由圖案化元件圖案 化。穿越圖案化元件MA後，輕射光束B穿過投影系統ps， 投影系統PS將該光束聚焦至基板w之一目標部分[上。借 助於第二定位器pw及位置感測器奶（例如，干涉量測元 • 件、線性編碼器或電容式感測器），基板台WT可準確地移 (例如）以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分 類似地，（例如）在自光罩庫以機械方式獲取之後或在 掃描期間，第一定位器PM及另一位置感測器m可用以相 • ^於輻射光束8之路徑準確地定位圖案化元件MA。一般而 :’支樓結構MT之移動可借助於形成第—定位器pM之部 • 77的一長衝程模組（粗定位）及一短衝程模組（精定位）而實 現。類似地，基板台资之移動可使用形成第二定位器― . t部分的-長衝程模組及-短衝程模組而實現。在步進器 (與掃瞄器相對)之狀況下’支撐結構Μτ可僅連接至一短衝 程致動器，或可為固定的。可使用圖案化元件對準標記 Ml、M2及基板對準標記P1、？2來使圖案化元件ma及基板 W對準。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分， 127071.doc 1378327 但其可位於目標部分之間的空間（此等已知為劃道對準標 記）中。類似地，當在圖案化元件μα上提供一個以上晶粒 的情況下，圖案化元件對準標記可位於晶粒之間。 所描繪之裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，當將一被賦予至輻射光束之整個圖案 一次性投影至一目標部分C上時，使支撐結構Μτ&基板台 WT保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光）。接著使基板台 WT在X及/或γ方向上移位以使得可曝光一不$目標部分 C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制了在單次靜態 曝光中成像之目標部分C的大小。 2. 在掃描模式中，當將一被賦予至輻射光束之圖案投影 至目私部分C上時，同步地掃描支撐結構河丁及基板台 WT(亦即，單次動態曝光）。可藉由投影系統PS之放大率 (縮小率）及影像反轉特徵來判定基板台WT相對於支撐結構 Μτ(速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限 制了在早次動態曝光中之目標部分的寬度（在非掃描方向 上）而掃描運動之長度決定了目標部分之高度（在掃描方 向上）。 另模式中，當將一被賦予至輕射光束之圖案投影 心。P 77 C上時使支撐結構MT基本上保持靜止以固持 、2案化元件，並移動或掃描基板台WT^在此模式中， :。吊採用一脈衝式輻射源，且在基板台WT之每次移動之 " 掃十田期間之連續輻射脈衝之間視需要更新可程式化 圖案化元杜 -re 干。可易於將此操作模式應用至利用可程式化圖 12707l.d〇i •15· 1378327 案化元件（諸如為以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列） 的無光罩微影術。 亦可採用以上所述使用模式之組合及/或變體或完全不 同之使用模式。 圖2圖解地展示一根據目前技術狀態之euv源2〇之部 刀。該EUV源20包含由（例如）m〇製成之一陽極21及一陰極 22 °如PCT專利申請公開案WO 20〇5/025280中所述，陽極 21及陰極22(亦稱作電極21、22)可為與金屬熔融物（未圖 不）接觸之可轉動輪，該案全部以引用的方式併入本文 中。在彼狀況下，電極21、22具有如圖2中所示形成角„之 各別旋轉軸線。一雷射束29用以衝擊陰極22以便產生電漿 (例如’ Sn電襞）及-EUV自束（pinch)23。 除帶内EUV輻射之外，EUV源20亦產生帶外輻射及碎 屑’其中後者嚴重限制靠近EUV源20之反射光學器件的操 作壽命。如以上所述，在Sn基輻射源之狀況下，可區別三 種類型之碎屑’亦即’慢速原子碎屑、快速原子碎屑及微 粒子。本發明之一實施例主要集中在微粒子上。 大多數微粒子發源於EUV源20之陽極21及陰極22,詳言 之發源於如圖2中所示的之間發生放電之區域24及25。在 本文件中，將區域24、25稱為"作用區域，^作用區域為電 極21、22之被放電電流穿過之彼等區域。如以箭頭27及28 所指示’碎屑粒子將離開EUV源2〇且將朝向一光學組件 10(在此實例中，為鏡面1〇)行進。參考數字12指示：在此 狀況下鏡面10之整個表面將因此被污染。 127071.doc •16· 圖3展示-根據本發明之一實施例之電漿輻射源s〇之一 部分的橫截面圖’其中歸因於電漿輻射源SO之特定組態， 鏡面10之一特定部分11大體上不被微粒子污染。圖3亦展 示鏡面10之一與電漿23之點p相交的光軸13。圖3展示兩個 電極31、32,其分別具有具備楔形橫截面之輪的形式且可 環繞以虛線3Γ及32,指示之旋轉軸線旋轉。輻射源SO進一 步包含一用以施加金屬熔融物至電極31、32之表面的元 件。如公開案PCT專利申請公開案W0 2005/025280中所 述，該το件可為含有液態金屬之槽。該液態金屬可為（例 如）Sn。電極31、32可包含M〇。 一能量光東元件33經配置以將一能量光束3〇引導至電極 32之一表面上。在操作期間，產生電漿23，且歸因於電場 該電漿在電極31、32之間的一點”自束，從而產生離開 輕射源S Ο之轄射。 如參考數字34、35所指示，歸因於發生於此等作用區域 之間的放電，此等區域產生微粒子及/或其他碎屑且該等 微粒子及/或其他碎屑自此傳播。根據本發明之一實施 例，電極3卜32具有以下此組態：電極31、32之作用區域 對於光學元件H)之至少一特定部分n係不可見的同時該特 定部分11確實自點P接收到輻射。 歸因於圖3中所示之電極31、32之組態，產生（例如）微 粒子之總電極表面面積顯著減小。以數字39及4〇指示之輪 緣之表面現大體上不會產生微粒子，因為其在Euv自束幻 之照明區域之外側。電極31、32自内部將輪緣外、仂與 12707 丨.doc 1378327 EUV自束23遮蔽開》 仍可產生微粒子之部分以數字34及35指示。然而，來自 區域34、35之微粒子被電極31、32自内部阻斷，歸因於 此，大體上僅鏡面10之外部部分被微粒子污染，如被遮蔽 之部分12所指示β大體上無微粒子之區域由圖3中之線7及 8界定。 旋轉轴線之間的角CC確定鏡面10上之阻斷微粒子的區 域。因此，藉由減小角（X，吾人可阻斷愈來愈多之微粒 子。在一實施例中，角等於照明器虬之收集角，以 致在電極處產生之大體上所有微粒子被電極31、32自内部 阻斷而可能無需污染物障壁CB〇然而，當角α減小以便阻 斷更多微粒子時，被電漿輻射源之放電電路封閉之面積增 加，此又增加了放電電路之自感。應注意’使此自感保持 足夠小以允許快速電壓脈衝。通常，需要小於丨5 〇11之 值。在圖3之組態中，並非整個收集角可藉由自我遮蔽加 以保護’而是留下了鏡面10之部分（以被遮蔽之區域12指 不）不受保護。如將參看圖6加以論述，此不受保護之區域 可藉由一污染物障壁（例如，箔陷阱）加以保護。 在圖3中所示之實施例中，自我遮蔽之範圍取決於電極 31、32之邊緣的銳度，該等邊緣分別由電極31、32之面向 彼此之内表面及輪緣39、40界定。此等邊緣特別易受如由 電極31、32之間的放電所引起之電極濺鍍的損害，且因此 可能在操作期間變為圓形。此導致自此等圓形部分產生一 些非吾人所樂見之微粒子。然而，即使在圓形電極的情況 127071.doc -18 - 下與目則技術狀態相比仍存在大量碎屑抑制，因為僅圓 形。卩分將產生碎屑且輪緣39及40之其餘部分仍受遮蔽。 圖4為一根據本發明之另一實施例之電漿輻射源之一部 刀的橫截面圖。在圖4中，電漿輻射源s〇包含電極31、 32，其為有凹口 44、45的《將雷射束30朝向電極32中之凹 口 45而引導’電極32係藉由使電極32旋轉過一液態金屬 (例如，Sn)槽而被一液態金屬膜覆蓋，以該方式產生金屬 蒸氣且金屬蒸氣朝向與電極32中之凹口 45相對的在電極3 i 中之另一凹口 44行進。此幫助確保如圖4中所示將EUV自 束23建立於凹口 44、45之間。以此方式，達成與以上所述 门之自我遮蔽效應’同時電極31、32較不易受賤鐘損 害。 λ 圖5為一根據本發明之另一實施例之電漿輻射源之一部 分的橫截面圖，其中兩個電極3丨、32位於一平面中，亦 尸α 〇且旋轉抽線大體上彼此平行。兩個電極31、32且 有樓形輪緣51、52，且有角的表面不面向光學器件（例 如照明器IL)。在此實施例中’如圖5中所示，無微粒子 之區域由角σ確定。σ之典型值介於4〇。與85。之間，且將取 決於接收輻射之光學器件的組態。 圖6示意性地展示具有自我遮蔽電極31 ' 32之euv源s〇 與在輕射源so之相對側上的兩個旋轉落陷牌（RFT)6〇、61 之組合的一實例。使用此組合，可保護EUV源之基本上整 個收集角（參見67)免受微粒子碎屑，且旋轉箔陷阱60、61 上之熱負載相對較低。收集角之中心部分受自我遮蔽電極 127071.doc -19· 1378327 31、32保護而免受微粒子，而外部部分受灯丁 6〇、“保 濩。由於RFT 60、61之橫截面之至多一半（通常3〇%至 40%)被照明，故其接收相對較低之熱負載且因此可能根據 生產工具規格而進行按比例調整。 圖6展示包含安裝於旋轉軸線65、66上之葉片63、64的 兩個旋轉箔陷阱60、6丨之一基本實施例。旋轉軸線Μ、託 經定位以致旋轉軸線65、66與自束23對準，且旋轉箔陷阱 、61各覆蓋收集角67之不受自我遮蔽電極3ι、32保護之 部分。應注意，如熟習此項技術者將瞭解，為得到良好結 果旋轉軸線65、66未必在同一線上。在圖6之實施例中， 該等可旋轉洛陷时之每一者之橫截面的i多一半可被該 輕射源照射。 自我遮蔽電極31、32及RFT 6G、61之幾何形狀可經設計 以致該組合保護整個收集角（圖6)。當該組態不可能（例 如由於6又汁空間限制）時，一較小區域可不受保護且因 此應加以封閉。即使在此狀況下，總光學透射率仍保持非 常高，亦即，通常>9〇%(不包括用於抑制原子碎屑之靜止 vl陷阱）》圖7為當在旋轉軸線65之方向上觀看時箔陷阱的 之前視圖，其展示發源於旋轉軸線65之葉片63。 儘管本文中可特定參考微影裝置在製造1C中之使用，但 應理解，本文中所述之微影裝置可具有其他冑用，諸如積 體光學系統之製造、用於磁疇記憶體之引導及偵測圖案、 平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項 技術者將瞭解，在該等替代應用之情境下，可認為本文中 127071.doc 1378327 對術語"晶圓"或”晶粒”之任何使用分別與更通用之術語"基 板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後，在（例如）一 軌道（通常將抗蝕劑層塗覆至基板且顯影所曝光之抗蝕劑 的工具）、_度量工具及/或一檢驗工具中處理本文中所提 及之基板。在適用時，可脾太- 町』將本文中之揭示内容應用至該等 及其他基板處理工具。另外，可對基板進行一次以上的處 理，（例如）以便產生多㈣，使得本文中所使用之術語基 板亦可指代已含有多個經處理層之基板。 儘管以上已特定參考在光學微影術之情境下對本發明之 實施例的使用’但將瞭解，本發明可用於其他應用（例 如，麼印微影術）中’且在情境允許時，本發明不限於光 學微影術。在壓印微影術中，圖案化元件中之構形界定產 生於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入一提供於 基板之上抗餘劑層中，在該基板上抗姓劑藉由施加電磁輻 射熱、壓力或其組合而固化。在抗钱劑固化之後將圖案 化7L件移出抗蝕劑，從而將圖案留在其中留下。 本文中所使用之術語"輕射"及"光束"涵蓋所有類型之電 磁輻射，包括紫外線（UV)輻射（例如，具有約365础、 nm、248 nm、ι ο ^ η 州 ,-- 93 nm、157 11111或120 nm之波長）及極紫外 線（EUV)輻射（例如’具有在5 nm至20 nm之範圍内的波 長）’以及諸如離子束或電子束之粒子束。注意，本文中 術語"EUV輻射"亦涵蓋軟χ射線輻射。 在隋蟯允許時，術語"透鏡"可指代各種類型之光學組件 中之任-者或其組合’包括折射、反射、磁性、電磁及靜 127071.doc •21- 1378327 電光學組件。 儘S以上已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以 不同於所述方式的方式實踐本發明。代替Sn，另一類型之 金屬可用於電漿源中。以上描述意欲為說明性而非限制性 '因此熟習此項技術者將顯而易見，在不脫離以下所 陳述之申請專利範圍之料的情況下，可對所述之本發明 作出修改。

【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2為根據目前技術狀態之電漿輻射源之一部分的橫戴 面圖； 圖3為根據本發明之一實施例之電漿輻射源之一部分的 橫截面圖； 圖4為根據本發明之另一實施例之電漿輻射源之一部分 的橫截面圊；及 圖5為根據本發明之另一實施例之電漿輻射源之一部分 的橫截面圖； 圖6示意性地展示-電聚輻射源與根據一實施例之兩個 旋轉箔陷阱之組合的一實例； 圖7為圖6之實施例之可旋轉落陷阱的前視圖。 【主要元件符號說明】 7 線 8 線 10 光學組件/鏡面 127071.doc -22- 1378327

11 鏡面之特定部分 12 被遮蔽之部分/被遮蔽之區域 13 光轴 20 EUV源 21 陽極/電極 22 陰極/電極 23 EUV自束/電漿 24 作用區域 25 作用區域 27 箭頭 28 箭頭 29 雷射束 30 能量光束/雷射束 31 電極 31’ 旋轉軸線 32 電極 32' 旋轉軸線 33 能量光束元件 34 作用區域 35 作用區域 39 輪緣 40 輪緣 44 凹口 45 凹口 127071.doc -23- 1378327

51 輪緣 52 輪緣 60 旋轉箔陷阱（RFT) 61 旋轉箔陷阱（RFT) 63 葉片 64 葉片 65 旋轉軸線 66 旋轉軸線 67 收集角 B 輻射光束 BD 光束傳遞系統 C 目標部分 CB 污染物障壁 IL 照明系統（照明器） IFi 位置感測器 IF2 位置感測器 Ml 圖案化元件對準標記 M2 圖案化元件對準標記 M.A 圖案化元件 MT 支撐結構 P 點 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一定位器 127071.doc •24- 1378327 PW 第二定位 PS 投影糸統 so 輻射源 w 基板 WT 基板台 a 角 σ 角 127071.doc -25-

Claims (1)

1378327 ——- 第096146375號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(101年8月） 月丨兮日修正本 十、申請專利範圍： 種用於產生轄射之電力操作式（electrically-operated)放 電源’該放電源包含至少兩個電極，該至少兩個電極以 彼此相距一距離之方式配置於一放電空間中，此允許在 該等電極之各別作用區域之間的一點處形成一電漿其 中該等電極中之每一者經建構及經配置以内部地阻擋由 該等個別作用區域之至少一者所產生的微顆粒與碎屑傳 遞至經組構以接收來自該點的輻射之一光學元件的一部 分，其中於中心具有一旋轉軸線之該等電極中之每一者 經設置使該等電極的該等軸之間的一角度判定位於該光 千元件上之一區域，該等微顆粒與碎屑於該光學元件上 之該區域内被阻擋。 2·如請求項1之電力操作式放電源，其巾該等電極係經建構 及經配置以内部地阻擋由該等個別作用區域所產生的微

顆粒與碎屑，且其中該等電極中之每一者具有經成形以 阻撞微顆粒與碎屑之一端。 3.如請求項1之電力操作式放電源，該等電極中.之每一者具 有一楔形框，該楔形框具有不面對該光學元件之一具角 度表面。 4·如請求項1之電力操作式放電源，其中該等電極的該等軸 之間的該角度係小於1 80度。 5. —種用於產生輻射之電力操作式放電源，其包含至少兩 個電極，該至少兩個電極以彼此相距一距離之方式^置 於一放電空間中，此允許在該等電極之各別作用：域之 12707M010817.doc 1378327 間的一點形成一電漿，其中該等電極中之每一者經建構 及經配置以内部地阻擋由該等個別作用區域之至少一者 所產生的微顆粒與碎屑傳遞至經組構以接收來自該點的 輻射之一光學元件的一部分該電力操作式放電源進一步 包含.一經級態以施加一金屬溶融物至該等電極之一表 面的兀件；及一能量光束元件，其經配置以將一能量光 束引導至該等作用區域中之至少一者上，以蒸發 (evaporqte)該所施加之金屬熔融物而至少部分地產生一 氣態介質。 6. 如請求項5之電力操作式放電源，其中該等電極中之至 少一者之一部分的一橫截面為楔形。 7. 如請求項5之電力操作式放電源，其中該等電極中之每 一者包含一凹口且該等作用區域在該等凹口中，且該輻 射系統進一步包含一經配置以將一能量光束引導至該等 凹口中之至少一者上的能量光束元件。 8·如請求項5之電力操作式放電源，，其中該等電極中之 每一者係環繞一各別旋轉軸線可旋轉地安裝。 9. 一種輻射系統，其包含： 一光學元件，其具有一光軸；及 一電力操作式放電源，其經組態以產生輻射，該放電源 包含至少兩個電極，該至少兩個電極以彼此相距一距離 之方式配置於一放電空間中，此允許在該等電極之各別 =用區域之間的一點中形成一電漿，其中該等電極中之 母—者經建構及經配置以内部地阻擋由該等個別作用區 127071-101〇8i7.d〇( -2 · 域之至少_ t 收來自h 生的微顆粒與料傳遞至經組構以接 自5亥點的輻射之_光學开 且右—& 尤学7件的一部分，其中於中心 ，、有夂轉軸線之該等電極中H 电愧r之母一者經設置使該箄雷 極的該等軸之間的一可 一 變角度判疋位於該光學元件上之 b域，該等微顆粒與碎屑於爷 被阻 该光學70件上之該區域内 10.如請求項9之輻射系統，其 六τ政等電極係經建構及經配 以内部地阻擋由該等個別作用區域所產生的微顆粒與 碎屑，且其中該等電極巾之每—者具有經成形以阻撐微 顆粒與碎肩之一端。 U. —種輻射系統，其包含： 一光學元件，其具有一光軸；及 -電力操作式放電源，其經組態以產生輻射，該放電源 〇 3至 >、兩個電極，該至少兩個電極以彼此相距一距離 之方式配置於一放電空間中，此允許在該等電極之各別 作用區域之間的-點中形成__電漿，其中該等電極中之 每一者經建構及經配置以内部地阻擋由該等個別作用區 域之至少一者所產生的微顆粒與碎屑傳遞至經組構以接 收來自該點的輻射之一光學元件的一部分，該輻射系統 進一步包含：一經組態以施加一金屬熔融物至該等電極 之一表面的元件；及一能量光束元件，其經配置以將一 能量光束引導至該等作用區域中之至少一者上，以蒸發 該所施加之金屬溶融物而至少部分地產生一氣態介質。 12.如請求項11之輕射系統，其中該等電極中之至少一者之 12707M010817.doc 1378327 一部分的一橫截面為楔形。 13_如請求項η之輻射系統，其中該等電極中之每一者包人 -凹口且該等作用區域在該等凹口，，且該輻射系統進 一步包含一經配置以將一能量光束引導至該等凹口申之 至少一者上的能量光束元件。 14. 如請求項丨丨之輻射系統，其中該等電極中之每一者係環 繞一各別旋轉軸線可旋轉地安裝。 义 所造成的微顆粒或其他碎屑 15. -種用於產生輻射之方法，包含：在配置於一電力操作 式放電源之-放電空間中之至少兩個電極之各別作用區 域之間的一點處形成一電m點朝肖—光學元件之 至少-特定部分發射輻射；及在一實質僅朝向該光電元 件不同於該料部分之另—部分之方向上傳遞由該電聚 a如請求項15之方法’其中該等個別作用區域❹該等微 顆粒或其他碎屬朝向該另一部分的傳遞方向上。 17.如請求項15之方法，其進-步包含；施加-金屬熔融物 至該等電極之一表面；及將一能量光束引導至該等作用 區域中之至少一者上’以蒸發該所施加之金屬熔融物而 至少部分地產生一氣態介質。 18·如請求項15之方法’其中該等電極令之至少一者之一部 分的一橫截面為楔形。 19·如請求項15之方法，其中該等電財之每—者包含一凹 口且該等作用區域在該等凹口中，且該方法進-步包含 將一能量光束引導至該等凹口中之至少一者上。 12707M010817.doc -4 - 1378327 20.如請求項15之方法，其中該等電極中之每一者係環繞一 各別旋轉轴線可旋轉地安裝。

127071-1010817.doc