TWI364631B - Methods of removing photoresist from substrates - Google Patents
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Description
1364631 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 一種在疊加無機層之有機光阻劑上蝕刻富碳層之方法。 【先前技術】 電漿加工裝置用於包括電漿蝕刻、物理氣相沉積、化學 氣相沉積（CVD)、離子植入及光刻劑移除之方法。 光阻劑材料用於電漿加工操作以造型材料。商用光阻劑 為聚合材料與其他有機與無機材料之摻合物。光阻劑施加 在基質上，輻射通過造型罩以轉移圖型進入光刻劑層内。 二種廣泛分類之光阻劑為負性光刻劑與正性光刻劑其分 別產生負與正影像。在顯像後，圖型存在於光阻劑内。造 里光阻劑可藉蝕刻用以界定基質外形，以及沉積材料或植 入材料於基質内。 【發明内容】 提供在基質上蝕刻有機光阻劑之方法。該等方法可相對 於基質選擇性蝕刻光阻劑。 在基質上蝕刻有機光阻劑之方法之較佳具體例包括將包 3 ,…機層與疊加無機層之有機光阻劑之基質定位於電漿加 工室内，光阻劑包含疊加塊狀光阻劑之富碳層；將包含
CxHyFz(其而zg0)’及不同於CxHyFz之⑴含氧氣體 與⑼含氫氣體中至少-種氣體之加卫氣體供應至加工室 内；自加工氣體產生電漿；及相對於無機層選擇性蝕刻富 碳層。 塊狀元r且劑在用以餘刻富碳層之相同電漿加工室内触 94034-960615.doc -6 - 1364631 刻》或者’塊狀光阻劑可在灰磨室内蝕刻。塊狀光阻劑較 佳使用較用以移除富碳層之不同化學性钱刻。 在基質上蝕刻有機光阻劑之方法之另一較佳具體例包括 將包含CHsF，及不同於CHSF之（i)含氧氣體與（丨卩含氫氣體 中至少一種氣體之加工氣體供應至電漿加工室内；自加工 氣體產生電漿；及相對於在基質上之無機層選擇性蝕刻富 碳層在基質上而施加外部RF偏壓至基質。 在利用離子植入之積體電路（IC)製造方法中，收縮的裝 置之幾何形狀、增加的離子植入能量及劑量以及新穎材料 會增加製造不具殘餘物之裝置困難性。自银刻及灰磨法留 下之殘餘物會產生不適宜電功效及腐蝕性，其會降低產物 產率。參照E.Pavel，"餘刻與清潔應用之組合微波向下液流
與 RF 電漿技術（Combing Microwave Downstream and R_F
Plasma Technology for Etch and Clean Applications)"，196th Meeting of the Electrochemical Society，(1999，l〇)。 在電漿加工技術如電漿儀刻及反應性離子飯刻（RIE)及 離子植入中，光阻劑塗敷基質上以保護基質之選定區不會 暴露至離子其游離基。調配有機聚合物組合物供該光刻應 用。 在基質藉钱刻、離子植入等加工後，自疊加基質移除或" 剝離"光阻劑。希望光阻劑剝離法留下盡可能乾淨之基質表 面而無任何殘餘聚合物膜或光刻物質。濕或與乾式剝離技 術可用以移除光阻劑。濕式剝離技術使用含有有機溶劑或 酸之溶液。乾式剝離（或"灰磨"）技術使用光阻劑移除之氧電 94034-960615.doc 1364631 漿。 離子植入製造技術用以用雜質穆雜基質之區以改變基f 之電性。離子植入可用作摻雜原子之源，或導引基質内不 同組合物之區。在離子植人期間，離子係在充分高電壓下 加速以穿透基質表面至所欲深度。增加加速電壓可增加雜 質之濃度尖峰之深度。 不希望植入之基質區係用光阻劑保護。然而，光阻劑在 植入期間改質，而在植入後較普通（非植入的）光阻劑更難移 除。特定而言，植入的離子會損害光阻劑之區，藉此破壞 近表面C-Η鍵並形成碳-碳單鍵與雙鍵。所得交聯植入的光 阻劑之堅韌富碳或"碳化"層（或”表皮"或"外皮"）包裝個別 疊加塊狀光阻劑《富碳層之厚度為植入種類、電壓、劑量 及電流之函數。富碳層通常具有厚度為約2〇〇埃至約2〇〇〇 埃。參照A.Kirkpatrick等人’ ”消除重植入的光刻劑於次.0.25 微米裝置内（Eliminating heavily implanted resist in siib-0.25 μιη devices)"，MICRO,71(1998,7/8)。根據 E.Pave 卜 當植入劑量及能量增加時’植入的光阻劑可變成更加困難 地移除。 富碳層亦可在光阻劑之離子衝擊亦會發生之離子植入技 術以外之電漿加工技術期間形成於有機光阻劑内。 氧電漿灰磨技術可移除富碳層，但僅在緩慢速率為約5〇〇 埃/分鐘或以下。此等技術之蝕刻手法為氧原子與烴於光阻 劑内之游離基反應以產生H20與C02。 可知外偏塵可施加至基質以強化交聯層之移除速率。施 94034-9606I5.doc 1364631 加的偏壓提供能量至富碳層，其可破壞碳單鍵，藉此強化 與氧游離基之反應。 然而，亦可知施加外偏壓至基質以強化光阻劑移除亦可 產生不宜效率。圖1概略顯示一種自離子植入基質1〇移除有 機光阻劑之方法。基質10包括離子植入之矽u及薄疊加無 機層12(例如，含矽層如Si〇x：^塗敷在無機層12上之光阻 劑16包括塊狀光阻劑18及由離子植入法形成之疊加富碳層 鲁 20。光阻劑16空間在基質1〇上通常為約〇 微米或以下。 在一偏壓系統中，高能〇2+離子可造成無機層12之濺射。無 機層12之濺射不適合，因為對於典型加工規格最大量無機 物質（如氧化物）在移除富碳層20期間會損失而塊狀光阻劑 18低於約2埃。富碳層2〇通常可具有厚度為約2〇〇至約 埃，而塊狀光阻劑18通常可具有厚度為約幾千埃。此外， 經濺射無機物質可再沉積在基質及光阻劑上，導致有機與 無機殘餘物在清潔後呈現在基質上。圖2為掃描電子顯微鏡 _ (SEM)顯微照片，顯示在使用〖Q_2或蒸氣灰磨光阻劑 於RF-偏壓的電漿源内後’呈現在植人後晶圓之表面上之殘 餘物。 另-施加偏壓至基質供富碳層移除之不宜效果為電聚之 氧離子會具有充分高能量以穿透薄無機層並氧化疊加的 梦。 寥於上述發現，可知包含CxHyFz(其中yg_zg〇)之加 工氣體可用於有機光阻層蝕刻過程中，以控制，較佳為消 除錢射與再沉積以及無機物質之生長。無機物質可為，例 94034-960615.doc 1364631 如，含矽物質（例如，Si、SiOx[如 Si〇2]、SixNy[如 Si3N4]、 SixOyNz等）及HfO ^光阻劑可呈現在各種基材上，例如， 包括矽、Si02、Si3N4等。 明確而s，移除富碳疊加塊狀光阻劑之較佳加工氣體包 括 CxHyFz 氣體（其中 y2j^zg〇)，例如，ch2f2 及 CH3F， 較佳為CHJ ’及不同於CxHyFz之含氧氣體與含氫氣體中至 少一種氣體。加工氣體亦可包括一種或多種其他視需要氣 體如Ν2»此外，加工氣體亦可包括一種或多種惰性載體氣 體如Ar、1^等。 含氧氣體較佳為〇2、Ηζ〇蒸氣或其混合物。含氫氣體可 為％等。氣體混合物較佳包含約$至約3〇體積百分率 CxHyFz氣體（其中y2x而zg0)，及95至約7〇體積百分率含 氧氣體與含氫氣體中至少一種氣體，以及任何視需要氣 體。氣體混合物更佳包含至少約1〇體積百分率CxHyFz(其中 y&x而ζ^ο)，其餘為含氧氣體、含氫氣體或其混合物，以 及視需要氣體。 ^ ^知增加氣體混合物内之CxHyFz之體積百分率至特 定體積百分率以上可造成含碳薄膜在無機層上之沉積，而 非純粹移除無機層（即，減少的無機層厚度）。然而，氣體混 合物内之CxHyFz之體積百分率最好是足夠低以防氟進入 疊加基質内。 亦可知當&用作含氫氣體時，富碳層會軟化，使得此層 更易於藉餘刻移除。 亦可知包含CHJ之加工氣體可用以在通當高蝕刻速率及 94034-960615.doc 10 1364631 相對於無機層適當高钱刻速率選擇率之下移除富碳層。例 如，含有卿及〇2之加工氣體混合物可在約輝或以下 (即’在蝕刻速率為至少約4〇〇〇埃/分鐘)，較佳在約秒或 以下（即’在㈣速率為至少約6〇〇〇埃/分鐘）内用以移除 具有厚度為2_埃之富碳層。在移除具有厚度為約2〇〇至約 2〇〇〇埃之富碳層期間’電漿較佳移除低於約$埃，更佳低於 約2埃之經暴露無機層。 _、
其他可移除富碳層之氣體包括…及CHF3。然而，此等 氣體對無機層(例如，Si0x層)並非選擇性。因此，此等氣 體對用於希望對無機層有選擇性之光阻劑移除法中則不 佳’因為此等氣體在移除富碳層期間會移除一多於可接受 量之無機層。 光阻劑可為任何適當有機聚合物組合物❶例如，光阻劑 組合物可包括祕清漆類型之樹脂、聚苯乙稀成分等。 為了移除有機光阻劑，包含CxHyFz(其中y^x而G〇)及 亦較佳地為不同於CxHyFz2含氧氣體與含氫氣體中之至 少一種之加工氣體被提供能量以產生電漿。 電漿較佳藉施加射頻（RF)至電漿加工室外側之導電線圈 而自加工氣體產生。晶圓較佳放入電漿產生區内。 電漿反應器較佳為誘導耦合式電漿反應器。自基質移除 光阻劑之方法之具體實施例可在誘導耦合式電漿反應器内 進行，如圖3所示之反應器100。反應器1〇〇包括藉連接出口 104之真空泵保持在所欲真空壓力下之内部102。加工氣體 可藉自氣體供應處106供應氣體至環繞電介質窗11〇下側延 94034-960615.doc 1364631 伸之充氣腔108而被供應至喷頭配置。高密度電漿可藉自rF · 源112供應RF能量至外部RF天線114而產生在内部102内， 該外部RF天線例如具有一或多圈配置在反應器1 〇〇頂部上 之電介質窗110外側之線匝之平面螺旋線圈。 基質116’如半導體晶圓，.支持在基質支架118上之反應 器100之内部102内。基質支架118可包括一夾持裝置，如靜 電夾具120,基質116可由電介質聚焦環122環繞。夾具120 可包括RF偏壓電極供在基質116之電漿處理期間施加rf偏 鲁 壓至基質。由氣體供應處106供應之加工氣體可流過電介質 窗110與疊加氣體分配板124間之通道，並透過板124内之氣 體出口進入内部102内。該反應器亦可包括一自板124延伸 之線路126。 · 可用於產生電漿之典型電漿反應器為23 00 TCP反應器， 獲自Lam Research Corp.。電漿反應器之典型操作條件如 下：約500至約1000瓦感應式電力施加至上電極（線圈）、反 應室壓力為約15至約60毫托及全部加工氣體流速為2〇〇至 籲 約 600 seem。 自基質移除光阻劑之方法之具體例亦可在平行板式電漿 反應器内進行’如圖4所示之反應器20(^反應器200包括藉 連接至反應器壁之出口 2〇5之真空泵204保持在所欲真空壓 力下之内部202。加工氣體可藉自氣體供應處2〇6供應氣體 供應至噴頭電極212。中密度電漿可藉自rf源208、210及 RF源214、216供應RF能量至喷頭電極212以及至基質支架 218之夾具220之底部電極。或者’喷頭電極212可電接地， 94034-960615.doc -12- 1364631 而在一種不同頻率下2RF能量可供應至底部電極。亦可使 用其他電容輕合式钱刻反應器，如該等具有僅供應至喷頭 或上電極或僅供應至底部電極之RF電力者。 ^移除田 < 層期間’基質較佳在基質支架上保持在充分 低’皿度下以防層之破裂。例如，當光阻劑組合物内之溶劑 藉熱蒸發時’富碳層會破裂，產生會沉積在基質上之粒子。 為：避免該富碳層之破裂，基質較佳保持在溫度低於約
C下更佳為約20至約75它，而在蝕刻富碳層期間室壓 力為低於約500毫托。 在儀刻富碳層期間，RF偏壓較佳施加至基質及偏壓電 極’ 5又置於基質支架，其上支持基質。RF偏壓較佳為電容 性。施加的”偏壓及電漿之產生較佳可獨立控制以分別獨 立控制離子能量及離子通f。RF錢可加速電漿内之離子 並將能量加入基質，其可增加富碳層之移除速率。施加至 基質之RF偏壓較佳低於約1〇〇伏（對地面），更佳低於約 伏。意外可知加工氣體内之氟與施加RF偏壓至基質之組合 用途可在充分高速率下有效移除富碳層，亦可對基質上之 無機物質（如氧化物）提供高選擇率。進一步可知在包含於加 工氣體内之指定體積百分率CxHyFz下，RF偏壓可保持在低 準位下，其在蝕刻富碳層期間可自基質減少無機物質移除 速率。 參照圖5，可知較佳以小量氟加入包括含氧氣體，較佳為 〇2、H2〇蒸氣或其混合物之加工氣體内可降低無機層12(如 氧化物層）之濺射及漱射過無機物質，若存在時，在基質上 94034-960615.doc •13- 1364631 之再沉積。氟亦可促進無機物質之移除，其可在後離子植 入光阻劑内或在後離子植入光阻劑上。 氫加入用以㈣f礙層之加工氣體内可藉與交聯碳之反 應增加钮刻速率。據信氟亦可增強富碳層㈣速率。 ,CHX類加人用以㈣富碳層之加工氣體内造成純化層η 形成在氧化層12及光阻劑16(參照圖5)上，其會降低離子誘 導的氧化物生長及氧化物濺射之量。 在敍亥]過程時可藉使用端點谓測技術來偵測富碳層2 〇之 完全移除’其可測定暴露疊加塊狀光阻劑之時間。富碳層 移除之端點較佳由光發射技術測定。例如，光發射技術可 監視在波長為約520毫微米下自一氧化碳（c〇)之發射。在移 除富碳層期間’由於低餘刻速率，產生小c〇信號。一旦打 開昌碳層時’經曝光疊力口塊狀光阻劑係在較富碳層更快速 率下蝕刻，因此，C0濃度及對應c〇信號增加。 在移除富碳層後’疊加塊狀光阻劑較佳使用不同光阻劑 钮刻法移除。例如’塊狀光阻劑可於一較在富碳層餘刻步 驟期間所用之溫度更高之溫度下藉氧氣灰磨移除。例如， 在塊狀光阻劑蝕刻步驟期間，基質溫度可為約2〇〇t>c至約 28〇°C。在塊狀光阻劑移除期間，室壓力較佳為大於約5〇〇 毫托。氧氣灰磨亦可達成高塊狀光阻劑之移除速率。例如， 〇Ζ/Ν2電漿可在速率為約4至約6微米/分鐘下移除塊狀光阻 劑。亦可視需要使用過灰磨步驟。當灰磨光阻劑時，光阻 劑之揮發性溶劑可自電漿加工室消耗。 塊狀光阻劑較佳使用一電漿產生向上液流而自基質中被 94034-960615.doc •14- 1364631 移除。塊狀光阻劑移除步驟可在用以蝕刻富碳層之相同加 工至内進行。或者，塊狀光阻劑可藉蝕刻而於不同加工室 内被移除。即，基質可在蝕刻富碳層後自加工室移除並 放入不同加工室内以蝕刻塊狀光阻劑。使用不同加工室可 在移除富碳層及灰磨期間避免改變氣體化學性及/或基質 溫度。 移除富碳層之典型加工條件如下：室壓力為約9〇毫托、 約1000瓦電力施加至上電極（線圈）、約5瓦電力施加至偏壓 電極全。卩加工氣體流速為約400 seem及基質溫度為約 75°C。移除塊狀光阻劑之典型加工條件如下··室壓力為約 1000毫托、約2500瓦電力施加至電漿源、全部加工氣體流 速為約4400 seem及基質溫度為約22(rc。 圖6顯不在根據較佳具體例進行光阻劑移除過程後所取 基質表面之SEM顯微照片。基質係用砷在劑量為約2χΐ〇ΐ5 原子/平方厘米及植入能量為4〇 keV下進行離子植入。蝕刻 φ 過程包括使用〇2/CH3F加工氣體與施加至基質之RF偏壓以 移除形成在塊狀光阻劑上之富碳層，然後使用AM加工氣 體移除疊加塊狀光阻劑。如圖6所示，光阻劑被完全移除而 無後截刻殘餘物呈現在晶圓上。加入CH3F之富碳層移除端 點時間亦顯著減少。雖不希望受到任何特定理論所限制， 惟據信此結果乃由於包含在增強富碳層钮刻速率之加工氣 體内之Η(且亦可能為F)。 、 【實施方式】 實例： 94034-960615.doc 15 1364631 矽晶圓係用砷在劑量為約2xl015原子/平方厘米及植入 能量為40 keV下離子植入以在疊加塊狀光阻劑上產生富碳 層。下表顯示在不同加入CHj(以體積百分率計）至甩以產 生電漿以除去富碳層之含〇2加工氣體下，對氧化矽、塊狀 光阻劑及富碳層測定之蝕刻速率。在剝離富碳層期間，在 電位為5瓦下之RF偏壓施加至基質。 塊狀光阻劑蝕刻速率係藉放置具有已知厚度之非植入有 機光阻劑於加工室内及局部剝離光阻劑而評估。由於塊狀 光阻劑亦為非植入的物質，經計算塊狀光阻劑蝕刻速率接 近疊加植入的富碳層之塊狀光阻劑之蝕刻速率。富碳層厚 度係在剝離前使用SEM測定》富碳層之蝕刻速率係藉測定 银刻之端點時間及測定富碳層之厚度減少而計算。 表 %ch3f (體積％) 氧化物钮刻速 率（埃/分鐘） 塊狀光阻劑蝕刻 速率（埃/分鐘） 富碳層飯刻速 率（埃/分鐘） 0.0 1 4174 1300 一~~ 2.5 ΓοΤο _5__ _1L42 5642 -2400- 15.0 -1 5004 30 -8 >6000 試驗結果顯示氧化物钮刻速率隨著之小量加入增 加，但隨著CHJ之增加加入而降低。氧化物移除速率係藉 加入超過2.5體積CHsF至加工氣體内而降低。塊狀光阻劑蝕 刻速率係藉增加CHsF之體積百分率而增加。富碳層蝕刻速 率亦係藉加入CH3F而增加》 試驗結果證實加工狀態之存在，其中ch3f鈍化並保護 SiOx表面受到化學及/或物理侵襲。氧化物蝕刻速率隨著加 94034-960615.doc •16- 1364631 入CHJ增加’最多至盔播爲 ’、’、機e之純化充分大停 蝕刻之CHJ百分比。雖 知止…機層之 惟據信增強的絲_刻速率w -所限制’ 漿内„ 】速革乃由於Η與F游離基存在於電 為了比較起見，含有r甘π & CF4(其餘為 〇2)與 1〇%chf3(a 餘 為〇2)之氣體混合物用以產生 座生電漿並自離子植入的矽晶
移除在塊狀光阻劑上之富碳層。含有CF4之氣體混合物之氧 化物㈣速率為27埃/分鐘，而含有咖3之氣體混合物之氧 化物㈣速率為15埃/分鐘。此等氧化物飯刻速率對光阻劑 移除法太高，其具有嚴格最大氧化物移除規格，如該等具 有最大氧化物蝕刻速率為約5埃/分鐘者，尤其是該等具有 最大氧化物蝕刻速率為低於約2埃/分鐘者。 雖然本發明已參照其特定具體例詳述，惟熟習此技藝者 當可明白，在不脫離所附申請專利範圍之範圍以外，可對 其作各種改變及改良以及使用相等物。
【圖式簡單說明】 圖1概略例示一種使用自100%〇2或H2〇蒸氣產生之電漿 及施加至基質之RF偏壓移除疊加矽基質之光阻劑上形成之 離子植入的富碳層之方法。 圖2為掃描電子顯微鏡（Sem)顯微照片，顯示在使用 100%〇2或印0蒸氣蝕刻有機光阻劑於RF-偏壓的電漿源内 後’呈現在植入後基質之表面上之典型殘餘物。 圖3顯示一種典型誘導耦合式電漿反應器，其可用以進行 自基質移除光阻劑之方法之具體例。 94034-960615.doc 17 1364631 圖4顯示一種典型平行板式電漿反應器，其可用以進行自 基質移除光阻劑之方法之具體例。 圖5概略例示一種使用自含有CH3F及〇2或H20蒸氣之加 工氣體產生之電漿及施加至基質之RF偏壓移除疊加矽基質 之光阻劑上形成之離子植入的富碳層之方法。 圖6為SEM顯微照片，顯示在使用含有CH3i^〇2之加工氣 體移除RF-偏壓的電漿源内之光阻劑後，植入後晶圓之表 面。 【主要元件符號說明】 10 離子植入基質 11 矽 12 薄疊加無機層 16 光阻劑 18 塊狀光阻劑 20 疊加富碳層 100 反應器 102 内部 104 出口 106 氣體供應處 108 充氣腔 110 電介質窗 112 RF源 114 外部RF天線 116 基質 94034-960615.doc -18 1364631 118 120 122 124 126 200 202 204 φ 205 206 208 210 212 214 216 218 w 220 基質支架 靜電夾具 電介質聚焦環 疊加氣體分配板 線路 反應器 内部 真空泵 出σ 氣體供應處 RF源 RF源 喷頭電極 RF源 RF源 基質支架 夾具 94034-960615.doc -19*
Claims (1)
1364631 申請I利範圍： 第093117509號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(101年2月） L 一種在純上_有機光_之方法，包括： 將一基質定位於一雷將^ — 電漿反應器之一電漿加工室内，該 基質包含一無機層與一最 且…、機層之有機光阻劑，該光 阻劑包含-疊加塊狀光阻劑之富碳層，· 將—加工氣體供應至該雷 漿加工至内，該加工氣體由 CHsF及一含氧氣體組成； 自該加工氣體產生—電襞；及 相對於該無機層選擇性地姓刻該富碳層。 2.如。月求項！之方法，其令該加工氣體以體積計由⑴約5% 至約3〇%之該CH3F，及⑼約咖至約7〇%之該含氧氣體組 成。 3.如請求項1之方法，其中： 鐘至約6000埃/分 該富碳層之蝕刻速率為約4〇〇〇埃/分 鐘；及 在該富碳層之敍刻期間，該無機層之厚度被減少低於 約5埃或低於約2埃。 4.如清求項1項之方法，其中該含氧氣體為A或出〇蒸氣。 1如請求項！項之方法’進—步包括在該富碳層之钮刻期 間外部RF偏壓施加至該基質，其中該施加rf偏壓 及"亥電聚之產生係被獨立的控制以獨立控制離子能量及 離子通量。 94034-1010204.doc 1364631 .6.如咕求項1項之方法，進一步包括在該富碳層之蝕刻期 間’保持該基質在一低於約150它，或約2(rc至約75<>c之 溫度處。 .如。月求項1之方法，進一步包括使用光發射偵測該富碳層 之一移除端點。 8·如明求項1之方法，其中該富碳層為一離子植入層。 9.如明求項1之方法，其中該無機層為一含矽層。 • 10.如請求項1之方法，進一步包括： 在餘刻該富碳層後’自該電漿加工室移除該基質並將 該基質放入一灰磨室内； - 將一含氧之灰磨氣體供應至該灰磨室内； 自該灰磨氣體產生一電漿；及 钱刻該塊狀光阻劑。 Π.如明求項1〇之方法，其中該灰磨氣體包括或h2〇蒸氣， 及在邊塊狀光阻劑之蝕刻期間，該基質保持在一約為200 °C至約28(TC之溫度處。 12.如請求項1之方法，其中： 4電椠反應器為—誘導_合式電衆反應器； 一平面天線透過一電介質元件誘導地耦合RF能量進入 該電漿加工室内；及 s玄基質被定位於面向該電介質元件之該電漿加工室 94034-1010204.doc 1364631 内 13.如請求項}之方法，其中該加工氣體由⑴約ι〇%至約％% 之該CHaF以及（ii)約9〇%至約7〇%之該含氧氣體組成。 14·如μ求項丨之方法’其中該無機層係為被以一小於$埃/分 鐘之姓刻速率银刻之一含石夕層。 、、刀 1 5.如請求項〗之方 鐘之蝕刻速率蝕刻 法’其中該無機層係為被以 小於2埃/分 之 含矽層 94034-J010204.doc
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