TWI358073B - Technique for improving the performance and extend - Google Patents

Description

丄现073 26923pif 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本揭露案大體上是關於半導體製造裝備，且〜 之’疋關於具氣體稀釋之離子源的改善效能與延 = 的技術。 ' 咋4 【先前技術】 離子植入為藉由使用受激雜子直接轟擊基板而將化與 物質沈積至基板中之製程。在半導體製造中，離子植入= 主要用於變更目標材料之類型以及電導率位準的換雜制 程。積體電路⑽基板以及其薄膜結構中之精確換雜= =於適當1C魏通常為至關重要的。為了達成所要捧雜 分佈，可能以不同劑量且在不同能級植入一或多種離子物 質。 +圖1繪示先前技術離子植入機系統100。如對於多數 子植入;糸統為典型的，系統1 〇〇收容於高度真空環境 =。離子植入機系統100可能包含離子源1〇2以及一系列 複雜組件，離子束10通過系列複雜組件。系列組件可能包 括（例如）萃取操控器104、過濾磁鐵106、加速或減速塔 ^08、分析器磁鐵110、旋轉塊狭縫（rotating mass slit)112、 =描儀114似及校正器磁鐵116。與操控光束之一系列光 f透鏡極其類似，離子植入機組件在朝向末端台1.20導引 離子束10之前可過濾並聚焦離子束1〇。 末端台120在離子束1〇之路徑上支撐諸如工件122 之一或多個工件，使得所要物質之離子被植入工件122 6

/J 26923pif 或二件122可能為（例如）需要離子植人之半導體晶圓 :二類似目^物件。末端台120亦可能包括平台！24以 ^ 122。平纟124可能使用靜電力或其他類似力來 1 122 °末端台120亦可能包括用於在所要方向上 額外* 1 之掃描儀（未緣示）。末端台120亦可能包括 中S ^ ^如用於將工件122狀至離子植人機系統100 件雜^在離子植入之後移除工件122的自動工件處置元 植人機系統1GG亦可能包括控制器（未緣示）.以 二:機系統1GG之各種子系統以及組件。離子植 亦可能包括若干量測器件，諸如劑量控制法 ay cup)118、行進法拉第杯128以及設置法 ===此等11件可用以監視並控制離子束條件。熟 =項f射應瞭解，藉由離子束10橫越之整個路徑在離 子植入期間被抽空。 =源1G2為軒植人機系統⑽關鍵組件。要求 定之對各種不同離子物質以及萃取電壓而產生穩 離子束1G。因此，需要在無_^_ =咖子源10.2歷時長期的時間週期。因此，離子 二，生命期或平均無故障時間（mean time between faiIures，MTBF)為離子源、102的-效能準則。 圖2緣示離子植入機系統1〇〇中之離子源⑽的典型 。^子源、102可為感應加熱陰極a— cathode, IHC)離子源，立、s a m 巾。原一通吊用於高電流離子植入裝備 '此1 ”他各種離子源。離子源10.2包括界定電 1358073 26923pif 弧腔室206之電弧腔室外殼202 ^電弧腔室外殼202亦包 括用於離子束10之萃取孔204。陰極2〇8以及斥拒電極 (repeiler electrode) 210 (或陽極）可定位於電弧腔室2〇6 内。斥拒電極210可經電絕緣。陰極絕緣體212可相對於 陰極208來定位以使陰極2〇8與電弧腔室外殼2〇2電絕緣 亚熱^邑緣。陰極208亦可藉由真空間隙與絕緣體212隔開 以控市彳熱傳導。細絲214可在電孤腔室2恥外部且緊密接 近陰極208而定位以加熱陰極谓。支樓桿.216可支i陰 極规以及細絲214。—或多個源磁鐵22〇亦可經提供以 在朝向陰極208之方向（參見圖2之箭頭 孤 室206内產生磁場万。 。腔 諸如接地電極240 .以及抑制電極（⑶ =她)242之萃取電極組態可定位於萃取孔.204前方。 接地電極施以及抑制電極撕中之每.-者具有盥萃 ，對準以歸自電弧腔室2Q6萃取良好界定^子^取 來用於離子植入機系統1〇〇中之孔。 果10 自電向接地電極240提供萃取·以用於 f 子束ig。可根據離子束W之所要 犯罝而調整卒取電屋。抑制電源.246 ^要 以禁正離子束W内之電子的運動一或多==42 提供至離子植入機系統】〇〇，諸如細 、亦可 細絲電源謙)可向細絲214提供電流:二：。 絲.214自身’其又產生朝 用於加熱細 ㈣電子。電弧電源於加熱陰極 原（未繪不）可麵接至電弧腔室外殼 8 1358073 26923pif 由触，㈣射之電子加速私軸於電弧腔 一 2〇6内的電漿2〇中。 > 源控制器250提供對離子源102之控制。舉例而 Ϊ控⑽可能控制離子源之各種電源及域亦 動ϋ。^風體自換雜氣體源㈣至電弧腔室206中的流 1哭α，控制器250可為可程式化控制器或專用控 實施例中，離子源控制器250被併入離子植人 機系，4 100之主控電腦内。 室2〇!t氣體源260可經由氣體流動控制器266向電弧腔 /主入預定量的接雜氣體。摻雜氣體源26〇可提供 =斤要摻雜元素之特定摻雜氣^舉例而言，摻雜元素 人1Γ、錯⑽、錄）或梦⑻，且可經 二為s亂乳脸，諸如三氟化^^ (b〇r〇n爾财他叫、 四氟化鍺（germanium如础⑽咖，邮）、三氣化 =_0職tr涵〇ride，％ )或四氣化矽（础⑽ F4)。亦可彻其他她 1 魏财/或摻雜 兀素=如包括氬氣㈤、氤氣（Xe)等之惰性氣體。 料源轉之普遍仙在於：在仙轉子植入 期間某些材料積聚於陰極表面上。所積聚之材料傾向ς降 低源離子自陰極表面之熱離子發射速率。@此，不妒师 所要電弧電流，且離子源皿可能必須被替代以維心 :縣’離子源102之效能降級以及短的生命 d大大降低綠子植入機系統1〇〇之生產力。 上述問題對於c但不限於）鍺離子植入為尤其顯著的。 9 1358073 26923pif 鍺離子植入已廣泛地使用於半導體工業中以預先非晶化矽 晶圓，從而防止通道效應。預先非晶化之鍺離子植入之需 求預期在將來半導體器件製造中大大增加。歸因於四氟: ，（GeF4)的穩定化學性質及成本效果，用於鍺離子東之 最晋及源氣體中之一者為四氟化鍺（GeF4)。然而，在以

GeF4摻雜氣體操作時，已觀測到離子源之極短生命期。 、鍺雞子植入中使用之離子源之短生命期可能歸因於作 =GeF*分子之化學分解之結果而在電弧腔室中存在過 1由既原子。具體言之，電弧腔室外殼2Q2材料由於與 此等自由氟原子之化學反應而可能被蝕刻掉。電弧腔宮^ 最終沈積於陰極208 <表面上，從而i致 陰極208之表面之電子發射的降級。 八，f瞭解’雖然以上論述了錯離子植人之問題，但苴他

It雜Γ (諸如’三氟化卿3)、三氟化儀) 極208:之：lSlF4))可能顯現類似問題:作為沈積於陰 及决人s .寺材料的結果而不利地影響離子源10.2之效 :摻雜:然可使用諸如氬氣、氙氣等之惰性氣體作 免^導致降^f用惰性氣體（即使其並不含氣）不可避 及生命期 電流。結果，仍大大降低離子源效能 濺鍍)而引、遍f因藉由陰極材料之剝離(或 如，鶴（vn、//而厂來自陰極208之金屬材料（例 之來自雷弧F室目20^)等）傾向於與朝向陰極208加速 」瓜月：至206中的電漿2〇之離子反應。因為麟藉 1358073 26923pif 由電聚20中之乘重雜子來支配’所以隨著離子質吾姆力 濺鍍效應可能惡化。實際上，材料之繼續濺鍍使陴 观“變薄，’，且可能最終導致陰極内之孔或開口^ 此，當利用含有諸如鍺（Ge)、坤（As)、氣（Xe)等之# 重元素（與諸如领⑻或碳（C)之較輕元素相對）的^ 雜氣體時，大大降低離子源1G2的效能及生命期。少 氯化物（例如’ ash3、ra3、ch4等）、惰性氣體（、☆ 等）、或其混合物作為所要植入物質之源時，此等不利影塑 為尤其顯著的。 ys 述:容，將需要提供一種用於改善離子源之效 =、/、生°卩期以克服上述不足及缺點的技術。 【發明内容】 期之技術 知路-私具乳體稀釋之離子源的改善效能與延長生命 中。二及將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室 崎體』2=::二技術可被實現為-命期的古本+、袓機中之離子源之改善效能以及生 -- 法可能包含：將預定量之摻雜氣體釋放至 :稀釋氣體可包含用於_摻 释氣體釋放至離子 能 並延具. 雜氣體以改善離子源之效 根“此特定:二::體與含風氣體的混合物。 含氟氣體或含齒素氣^ 其他方面，摻雜氣體可為 氫氣體實施例之其他方面’含氙氣體與含 合。 t入離子源腔室之前於管道中經預混 1358073 26923pif 氫氣體的L合:施=額外方面，含氤氣體與含 中經預混合。 源腔室之前於稀釋氣體源 =據此特定例示性實施狀其他方面 風氣體的混合物可在離子源腔室中經混合。亂體與3 根據此特定例示性實施例之 ^體的混合物可包含大致雇的氤氣以及 離子=:=::::=1之其他方面’稀釋氣體包含 主丁〈'，'心虱體之大致10〇/〇至40〇/〇。 離子外方面，稀釋氣體包含 源腔室中之總氣體之=致8、0=0/° ’且摻雜氣體包含離子 •善離子::機效ί術可被實現為-種用於改 裝置可包含用於將延長其生命斯的裝置。 離子源腔室中之摻雜氣體控制Ϊ轧:】:雜氣體源釋放至 一稀釋氣體自第一稀釋氣體源釋放至離子=1 頁定量之第 以改善離子源之效之含::於稀釋摻雜氣體 體的混合物。 4之含成氧體與含氫氣 根據另一例示性實施例， 善離子植入機中之離子源之二=現為一種用於改 裝置可包含用於將預定量命期的裳置。 虱版自摻雜氣體源釋放至 12 1358073 26923pif 釋中之接雜氣體控制器、用於將預定量之第-稀 拜孔體自弟—稀釋氣體源釋放里之弟稀 氣體控制器，以及用於將預定量之第=至中的第-稀釋 釋氣體源釋放至離子源腔室中的第體自第二稀 體可包含用於稀釋摻雜 弟 釋摻雜氣體以改善離子源之效 包含用於稀 體。此！延長其生命期之含氫氣 根據另一例示性貫施例，技術 每 善離子植入媸由夕銼工、、E T J破男、現為—種用於改 系統可勺人 之效能並延長其生命期的系統。 '、、_匕3離子源，離子源包含摻雜氣體\、 個稀釋氣體控制器以及離子源腔室 控=、一我多 箱中旦丄主子夕雜氣體控吿丨丨哭可脾 '里之_氣體自摻純體轉放 ;， 或多個稀釋氣體控制器 中。一 铥链> 獅 又^<稀樺軋體自一或吝個 稀釋虱租源釋放至離子源腔室中。.. 於稀釋摻雜翕栌以拎1邙工、E 歸样乳脰可至少包含用 花體以改善離子源之效能並延長其生命期之含 矾軋肢以及含氫氣體。 ^參看如隨賴式中所示之本揭露案之例示 田描述本揭露案。雖然以下參看例示性實施例描 =本揭路”但應瞭解’本揭露案並不限於此。能 文中之教不之-般熟習此項技術者將認識到在如本 所述之本揭露案的範如之額外實施、修改以及 及其他使用領域，且’本揭露案相對於額外實施、^改 及實施例以及其他使用領域可能具有顯著效用。> 13 1358073 26923pif .【實施方式】 本揭露案之實施例改善具氣體稀釋之 延長其生命期。 圖3A-3C繪示根據本揭露案之實施例之例*性離子源 組態2〇2a-2〇2C。熟習此項技術者應瞭解，圖2之所有元件 中。結果，應關於圖2中之元 3A-3C中之所有元件。 麥看圖3A，離子源施可包含一或多個 以將·：或多種稀釋氣體釋放至電弧腔室高中稀 來自摻雜氣體源.260的摻雜氣體。舉例而言， 以相關聯氣體流動控制器、268可經由管道2δ〇向雷弧腔 it提供預定量之氤氣以稀釋來自摻雜氣體源細的摻 肢/而氫氣源264及相關聯氣體流動控制器2几可經 氣=稀連！111氣向電弧腔室施提供财量之工 括含^來自姆氣體源260的掺雜氣體。摻雜氣體可包 軋軋體，諸如三氟化硼（BF)、四氣 :匕⑽，推雜氣體亦可包括含 種穆雜气辦:孔（Xe)等。亦可考慮其他級合以及各 氣氣體^例而言.，稀釋氣體可包含氬氣（&)或含 氣氣人Xe)或合机氣體、氫氣㈤或含氫氣體、 其他叙人以鼠氣體或其、组合中的至少—者。亦可利用 及各種稀釋氣體。 〜或ίι實施例令，如圖3A中所繪示的，摻雜氣體以及 _重稀釋氣體可經由同―管道而提供至電弧腔室 14 1358073 26923pif 之前於其、首期Λ曰稀釋氣體可在進入電弧腔室206 中所給雖孕Vi心預犯合。在另一實施例中，如圖3β 子源遍中之摻雜氣體以及 釋 道篇、觀、職⑽健祕㈣ 中經混合下，一或多種稀釋氣體在電弧腔室施 離子夢看圖3A ’當藉由相關聯電源加熱細絲214至熱 此L 214n子4擊_枷以藉 之^極識1熱離子發射溫度。藉由陰極施發射 速且在電弧腔室206内離子化藉南摻雜氣體源 it 體之氣體分子以羞生電裝2〇。電弧腔室 _的數rm磁場5 222之螺旋執跡以增加離子化 ^的數目。斥拒電極210累積負電荷以斥拒電子返回穿 體rUt206而產生額外離子化碰撞。當以含敗摻雜氣 之决=人，F3、Ge3p4、PF3以及SiI?4)操作時，離子源202a =殘可能受到暴露至電漿2〇之電弧腔室組件上之金 降搞H勤’鶴（W)沈積）的限制。此等組件可包括 2 ° .以及斥拒電極210。具體言之，經濺鍍或蒸鍍之 弧可能與氟組合以形成WF6，除非暴露至高於電 r I至外敗壁之溫度的溫度以及低於萃取孔204、陰極208 電極210之溫度的温度’否則啊保持氣體形 ^。結果’在最熱表面上之WF6分子分解可能導致鎢累積 體=表面上。因此，藉由釋放預定量之一或多種稀釋氣 ^堵如，氣氣以及氫氣）連同預定量之摻雜氣體至電弧 15 26923pif 憋室2〇6 舉 可此降低金屬生長或鶴累積的速率。 數2〇 <^。，氙氣可能剝離（或藏鐘）累積於暴露至電 上的轉电狐腔至組件（諸如’陰極208以及斥拒電極21〇) 分子漘除另外，氫氣可能使電弧腔室206中之過量自由氟 體之挺=降低聊6之形成。結果，氣氣以及氯氣稀釋氣 〜實施♦可起有显於改善離子源的效能以及生命期。在 比率，釋放至電弧腔室2〇6中之氙氣與氫氣之預定 另一實^ ,大約70〇/〇比30%。亦可提供其他各種比率。在 中之禅2中’―或多種稀釋氣體可能包括電弧腔室施 種稀釋氣至4〇%°在又一實施例中’ 一或多 大约80%。 治總氣體的大約2〇%且摻雜氣體可能為 可導，源的i善鹵素氣體亦 "熟r麵技術者應瞭解…❹種稀釋紐亦可包括 風孤（r。難然並不如氛氣般相當有效，但氬氣亦可有 陰極通以及斥拒電極別'、（即使氨 生“成氣多的稀釋），以改善離子源的效能並 r二π: ί:根據本揭露案之實施例之例示性離子源組 轉_ (㈣，、_262以及星 風源2 )釋放一或多種稀釋氣體之圖从以及圖犯，圖 16 1358073 26923pif

一應瞭解’雖然參看圖3A，3C描述僅兩種稀釋氣體 观此項技術者將認識到，可實施較大數目之 収、稀釋氣體源以及稀釋氣體流動控制器。

3C繪示具有一或多種稀釋氣體之一個源3〇2的離子源 202c。舉例而言，與繪示於圖3A以及圖3B中之兩個或兩 個以上獨立源262、264相比，稀釋氣體源3〇2可能已=括 氙氣以及氫氣之混合物。相關聯氣體流動控制器3〇4可护 制經預混合之氙氣以及氫氣稀釋氣體之流動。在一實施^ 中，稀釋氣體源3 02可能以大約7 〇 %氙氣以及3 〇 % ^ =之 預定比率而包括經預混合之氙氣以及氫氣。亦可考慮其他 f種比率。對於來自摻雜氣體源260與氙氣/氫氣源3〇2'之 氣體總里，筑氣/虱氣稀釋氣體可包含電弧腔室扣6中之雜 =的大約至4〇%。在—實施例中氫 可為總虱體之大約.20%且摻雜氣體可為大約8〇%。 離=4為纷根據本揭露案之實施例之在不同稀釋條 沈=之組件（例如，陰極208.以及斥拒電極加）i的 0積形成物之例示說明性圖形表示。 々 210 個^同ΐ件用圖解表示陰極2〇8以及斥拒電極 以及a克（g)為單位的增重。增重可為形成於 ，示。相對較高之增重可能直接與較 ^0之 降低的離子效能相關聯。 Μ " 6、生命期 长對於三個所說明之條件中之每一去 乳體。在第-條件4〇2中 ：eF4為摻雜 更用之稀釋氣體為氬氣。在 17 1358073 26923pif 預定時間週期上，.對於盔々 高達#纟、虱軋而言，所得增重針對陰極208 拒電植2W達到將近15克。在第1 :所使用之_氣_ 增重針對陰極^達用；氣體時，離子源組件之 大致8克。缺而，如第=克且針對斥拒電極210達到 氣以及氳氣中所說明的，當利用氣 種稀釋氣體且在類似ί第本實施例――致之一或多 ，的時 三個=之二\為^2:因此:在，中所軟 種稀釋氣體測得最低風乳稀釋就體混合物之一或多 離子之實施例之在可變稀釋條件下 二流中斷可能被稱為“故障，， =0 -或多種稀釋氣體為 3期。曲線502繪製在' 的故障之數目的圖表僅:':;=:^ 包括與揭露案之實施例_致 釋乳體 障數目的圖表。在此圖报矣_ 士 辽轧稀釋混合物時故 物之曲線:5〇4之故障數，具有说氣-氫氣稀釋混合 502之故障數目 大大低於具有僅氣氣稀釋的曲線 應瞭解，雖然本揭露案之實施例是針對引入—或多種 18 ^58073 26923pif 從而改善傳統離子植入機系統t之離子源的效能 以，生中期，但亦可提供其他實施。舉例而言，用於引入 -或多種稀職H之技财助至基於 ^ ^ «11 €## c glow discharge pla ,Tf##(radi0frequencyp,asma LAD)系統。亦可提供其他各種實施。 離子植人機系統中之離子源之效能以及生命期 雨之技入期間使用一或多種稀釋氣體的當前揭 路之技術可月b具有其他優點。舉例而言，可達成離子源之 此是因為歸因於輿傳統離子植入技術相 ;用;I二，^冗餘之步驟的過量時間以及成本可 :@路东之改舌的稀釋氣體技術而得以降低及/或 /巧「牙、 因此’本#露茱之實施例可使周氣體稀釋而提供離子 ，入機系統中之離子源的改善之效能以及延祕生 奴而擴展應用傳統離子植入方法及系統。' 本揭織並秘於本文巾所狀特定實_之 除本文中所述之彼等實施例外，本揭露案之其他 種以e例収對本揭露案的修改自前述描述以及隨 =對於-般熟習此項技術者將為顯而易見的。因此 =意欲在本揭露案之範，内。另外，雖 Ξ本文中已在特定用途之特定環境中之特定實施之情形下 =了本㈣案，但-般_此項技術者將 用有並不限於此且本揭露案可有觀實施於任何數目= 19 26923pif 26923pif 應鑒於如本文中所述之本 精神而理解以下闡述之申 途的任何數目之環境中。因此， 揭露案的完整範圍（bread出）及 請專利範圍。 【圖式簡單說明】 文於對本揭露案之較全面理解，現參看隨附圖 數字參考_元件。此等圖式不應理Ξ 為限刺岐意欲僅為例示性的。 圖1緣示習知離子植入機系統。 習=子植入機系統中之習知離子源。 態。圖A .曰不根據本揭露案之實施例之例示性離子源組 能。圖3B '%不根據本揭露案之實施例之例示性離子源紐

圖SC繪tf根據本揭露案之實施例之例示性離子源組 離 固，™豕本揭露案之實施例之在不同稀釋條W 子源之組件上的沈鄉絲之例摊說雜_表>，、。 圖5綠示根據本揭露案之實施例之在可變稀釋條件下 ，子束干擾的數目之例示性說雜_表示。 【主要元件符號說明】 10 :離子束 20 :電漿 100 :離子植入機系统 102 :離子源 20 1358073 26923pif 104 :萃取操控器 106 :過濾磁鐵 108 :加速或減速塔 110 :分析器磁鐵 112 :旋轉塊狭縫 114 :掃描儀 116 :校正器磁鐵 118 :劑量控制法拉第杯 120 :末端台 122 :工件 124 :平台 1.26 .設置法拉弟杯 128 :行進法拉第杯 202 :電弧腔室外殼 202a :例示性離子源組態 20.2b :例示性離子源組態 202c :例示性離子源組態 204 :萃取孔 206 :電孤腔室 208 :陰極 210 :斥拒電極 .212 :陰極絕緣體 214 :細絲 216 :支撐桿 21 1358073 26923pif 220 :源磁鐵

222 :箭頭/磁場B .240 :接地電極 242 :抑制電極 246 :抑制電源 248 :萃取電源 .250 :離子源控制器 260 :摻雜氣體源 262 ··氣氣源 264 :氫氣源 266 :氣體流動控制器 _268 :氣體流動控制器 270 :氣體流動控制器 280 :管道 280a :管道 280b :管道 280c :管道 302 :源 304 :氣體流動控制器 402 條件 404 :條件 406 :條件 .502 :曲線 504 :曲線 22 1358073 26923pif B ·磁場

Claims (1)

1358073 26923pif 修: 正日期:100年UH245 爲第97101780號中文專利範圍無劃線修正本. 十、申請專利範固： 1. 一種用於改善離子 其生命期的方法，所述方^包，中之離子源之效能並延長 述摻=¾¾離一，其中所 釋二 =，中，其 之效能並縣細处収銷述離子源 含氣氣體與含氫氣體的^物其中所述稀釋氣體為包含 2. 如申請專利範圍第 中之離子源之效能並延長发生入期改善離子植入機 氣體為含氟氣體。期的方法’其中所述摻雜 3. 如申請專利範圍第 中之離子源之效能並延長其生命期的η:子植入機 氣體與所述含氫氣咖所述、、θ ^ 巾所述含氣 中之前於管道中經…物在進人所述離子源腔室 =與所述含氫氣體的所述齡物在所述離子源腔室^ 24 1358073 26923pif 修正日期:1〇〇年11月24日 爲第97101780號中文_範圍無 6·如申請專利範圍第1項所述之用於改善離子植入機 中之離子源之效能並延長其生命細方法，立巾所述含氣 含氮氣體的所述混合物包含—氣以及 7.如申請專利範圍第丨項所述之料改善離子植入機 源之效⑨亚延長其生命期的方法，其巾所述稀釋 礼體L 3所_子源腔室巾之總氣體的10%至40%。 中之8雜t請專？範圍第7項所述之用於改善離子植入機 氣體包含所' =ί並延Ϊ其生命期的方法，其中所述稀釋 ㈣J J ⑧腔室中之所述總氣體之2G%，且所述 9 I㈣離子源腔室巾之所述總氣體的80%。 其生命期的裝中之離子源之效能並延長 雜氣源==摻雜氣體自摻 齒素氣體；以及 巾-中所述摻雜氣體為含 第一稀釋氣體控制器，1 =第稀:釋氣體源釋放至所述第 斤这第-稀釋氣體稀釋所述至中 以=延長其所述生命期且離; 那T w專利乾圍第9項所沖4 m 機中之離子源之效能並延長其生期：改善離子植入 雜氣體為含氟氣體。 的裝置，其中所述摻 25 26923pif 修正日期:1〇〇年11月24曰 爲第97101780號中文專利範圍無劃線修正本 11.如申請專利範圍第9項所述之用於改善離子植入機 中之離子源之效能並延長其生命期的裝置，其中所述含氙 氣體與所述含氫氣體的所述混合物在進入所述離子源腔室 中之前於所述稀釋氣體源中經預混合。 12·如申請專利範圍第9項所述之用於改善離子植入 機中之離子源之效能並延長其生命期的裝置，其中所述含 氤氣體與職含氫氣體的所述混合物包含70%之氣氣以及 3〇0/。之氫氣。 ,祀固乐7峭尸之用於改善離子植入 源之效能並延長其生命期的裝置，其中所述稀 釋乳體包3所述離子源腔室中之總氣體的·至40%。 機中13項所叙驗改⑽子植入 包:所述離子源腔室中之所述總氣體之：： 述含所述離子源腔室中之所述總氣體的80%。 長其生命_=，^=谢敎效能並延 摻雜氣體控制器，其用於將褐旦 釋放至離子源腔室中，其心述摻雜 氣體匕稀：:=放;:=f之第-稀釋 所述第—/ f中 源之所述效能並延長1 人、 。所述離子 八所述生命期，且其中所述第一稀 1358073 26923pif 修正日期:100年U月24曰 爲第97101780號中文專利範圍無劃線修正本 釋氣體包含含氣氣體；以及 第二稀釋氣體控制器’其用於將預定量之 氣體自第二稀釋氣體源釋放至所述離子源腔室中，其 所述第二稀釋氣體稀釋所述摻雜氣體離 ==其所述生命期，且其中所述= 機二==4==:: = :稀釋氣體在進入所述離子源腔室 Π·Μ請專職圍第15項所述之祕改善離子植入 機中之離子源之效能並延長其生命期的襄置，^ 2釋氣體錢所述第二稀釋㈣在所述離子馳室中= 料職_ 15·敎用純善離子植入 機=之離子狀錄歧長其生相 第二稀釋氣體形成包含7。;：= 及30/。之虱氣的稀釋氣體組合。 料機圍第18項所叙胁改善離子植入 之^能並延長其生命期的裝置，其中所述稀 2體組合包含所述離子源腔室中之總氣體的1〇%至 機中料纖㈣19 私祕改善離子植入 機中之離子狀效能觀長其生命_裝置，其中所述稀 27 26923pif 爲第卿_號中文專利範圍無劃線修正本 修正日期:轉㈣日 編之屬， 80〇/〃 離子源腔室中之所述總氣體的 個,氣體控氣體控制器、-或多 摻雜氣體源斤二制：，定量之摻雜氣體自 含鹵素氣體； 源腔至中，所述摻雜氣體為 釋氣體器將預定量之稀 中；且 样孔體源釋放至所述離子源腔室 體二二氣體體氣氣體以及含氫氣 能並延長其所述生H〗杨改善所卿子源之所述致 28