TWI356844B

TWI356844B - Electron injection composition for light emitting

Info

Publication number: TWI356844B
Application number: TW093116756A
Authority: TW
Inventors: Yasuo Nakamura
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2003-06-13
Filing date: 2004-06-10
Publication date: 2012-01-21
Also published as: CN1575069A; US7514159B2; US20040251467A1; EP1487029A2; CN100530748C; TW200502350A; EP1487029B1; EP1487029A3; KR20040107398A; KR101039056B1

Description

1356844 玖、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明涉及用於發光構件的電子注入性組成物、使用該電子注入性組成物而形成的發光構件、以及包含該發光構件的發光裝置。【先前技術】使用具有以下特徵的材料作爲發光體的發光構件已被期望應用於下一代平板顯示器中，該材料的特徵在於厚度薄、重量輕、回應快、低電壓直流驅動等。此外，由於寬視角和優良的能見度，其內發光構件排列成矩陣構形的發光裝置被認爲比習知的液晶顯示裝置更有優勢。據稱發光構件通過下面的機制發光：也就是，在夾著包含發光材料的層的一對電極之間施加電壓，從陰極注入的電子和從陽極注入的電洞在包含發光材料的層的發光中心再組合從而形成分子激子，當分子激子返回到基態時，同時釋放能量使發光構件發光。衆所周知的激發態是單重激發態和三重激發態，可以認爲在兩種類型的任何一種狀態中都可以實現發光。像這樣的發光構件，在提高構件特性上，有很多依賴材料的問題，爲克服這些問題，改善構件的結構或開發材料的工作一直在進行。材料上問題之一爲適合形成透明導電膜的材料很少。已知如ITO ( indium tin oxide，氧化銦錫）、氧化銦與2- 1356844 20%氧化粹（ZnO)混合的 IZO( indium zinc oxide、氧化銦鋅）等功函數大（具體地說，功函數是4.OeV或更多）的材料是適合形成透明導電膜的材料。由於用這些透明導電膜作爲獲取從發光構件發出的光的透明電極，因此一般來說，透明電極係作爲發光構件的陽極。與此相反，已記載當形成用於改良從電極來的電子的注入性的層（下文中稱爲電子注入層），並使其和透明電 •極連接，則可以改良來自透明電極的電子的注入性，並可以使得由如ITO之功函數大的材料形成的透明電極可作爲陰極（例如，參考非專利文件1、2 )。在這種情況下，在有電子傳輸性的材料（例如三（8 -喹啉酸）鋁（以下稱爲Alq3) 、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉（也稱爲浴銅靈（bathocuproin )(以下稱爲BCP ))、銅酞花青（以下稱爲Cu-Pc)中摻雜鹼金屬來形成電子注入層。另外’還有報告說即使在電子注入層中，如在聞名的肇僅對電子有優越傳輸性的材料BCP中摻雜Li，則可以顯著提高來自電極的電子注入性。但是，BCP有一個問題是其在形成膜時很難維持非晶狀態，有隨著時間的遷移容易晶化的缺點，所以在用其形成構件時，不僅會導致因發光效率變化的如亮度不均勻等的構件特性降低’而且還會因亮度的降低而使構件的壽命縮短。非專利文件1 -6- 1356844

Junji Kido, Toshio Matsumoto, Applied Physics Letters, Vol. 73, No. 20 (16 November 1 998), 2866-2868 非專利文件2 G. Parthasarathy, C. Adachi, P. E. Burrows, S. R. Forrest, Applied Physics Letters, Vol. 76, No. 15 (10

April 2 0 00), 2128-2130 【發明內容】鑒於上述問題，本發明的目的是提供一種用於發光構件的電子注入性組成物，該電子注入性組成物具有優越的電子注λ性，並且在形成膜時不容易隨著時間的遷移而結晶。而且，本發明通過使用這樣的電子注入性組成物，提供一種發光構件，該發光構件具有比習知的發光構件優越的電子特性，且構件壽命長。本發明還提供使用該發光構件的發光裝置。本發明的發明人發現苯並噁唑衍生物（benzoxazole derivative )是具有優越的電子注入性且在形成膜時不容易結晶的材料，該苯並n惡哩衍生物如包含驗金屬、鹼土金屬' 以及過渡金屬中的至少一種，則可以形成在電子傳輸性上優越的層。因此，本發明的發明人提出了在包含發光材料的層被夾在一對電極的發光構件中，使用苯並噁唑衍 &物作爲包含發光材料的層的一部分。換言之，本發明提供一種用於發光構件的電子注入性組成物，其包括通式（！）表示的材料；以及鹼金屬、鹼 1356844 土金屬和過渡金屬中的至少其中，所述通式（1)表示的材料和所述鹼金屬、鹼土金屬和過渡金屬中之一的莫耳：tt 爲 1: 0.1 至 1: 10，更佳爲 1: 0.5 至 1: 2。

其中，Ar表示芳基；RrR#分別獨立表示氫、鹵素、氣基 '包含1-10個碳原子的烷基、包含1-10個碳原子的國烷基、包含1 -1 〇個碳原子的烷氧基、經取代或非經取β 的芳基、經取代或非經取代的雜環基。而且，上述通式（1)的含量和合計鹼金屬量、鹼土金屬、過渡金屬的含量的比例爲1: 0.1至1: 10，更佳爲 1 : 0.5 至 1 : 10 。另外，由於上述電子注入性組成物具有優越的電子注入性，本發明還包括一種發光構件，該發光構件包含使用所述電子注入性組成物的電子注入層。 ‘ 也就是說，一種包括至少在一對電極之間包含發光材料的層的發光構件，其中，所述包含發光材料的層包括通式（1)表示的材料，以及鹼金屬、鹼土金屬和過渡金屬中至少其中之一的層。 -8- 1356844 發光構件中，在所述包括通式（1)表示的材料以及鹼金屬、鹼土金屬和過渡金屬中至少其中之一的層中，上 $通式（1)表示的物質和鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬中其中之一的莫耳比爲1:0.1至1:10，更佳爲1:0.5 至 1 : ίο 。另外，發光構件中，其中所述包含通式（1)表示的材料以及鹼金屬、鹼土金屬和過渡金屬中至少其中之一的電子注入層和所述一對電極中的一個電極連接而形成，並且，該一個電極作爲陰極，而另一個電極是作爲陽極。另外，當和所述作爲陰極的電極連接的所述層作爲電子注入層時，所述作爲陰極的電極相對於可見光有70%或更多的透過率。本發明還包括所述一對電極中的每一個電極相對於可見光有70%或更多的透過率的情況。而且，本發明遵包括將上述發光構件作爲其一部分的發光裝置。【實施方式】本發明的發光構件的結構如圖1所示，其基本結構是在一對電極（第一電極101和第二電極103)之間夾著包含發光材料的層102，該包含發光材料的層102至少包括發光層1 04和包含用於本發明發光構件的電子注入性組成物的電子注入層105，也可以適當組合電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層（hole blocking layer)、及電子傳 -9- 1356844 輸層以形成包含發光材料之層102。在此將說明 100上形成的第一電極101作爲陽極，第二電極陰極時的情況。在本發明中，在下面通式（1)所示的苯並物（BzOS )中摻雜鹼金屬、鹼土金屬、及過渡形成用於發光構件的電子注入性組成物，提供電 105並使其和發光構件的陰極連接。通式（1 ) 當在基板 103作爲噁唑衍生金屬從而子注入層

Ri

(其中’ Ar表示芳基；Ri_R4分別獨立表示氫、基、包含1-10個碳原子的烷基、包含i.iO個碳院基、包含1-1〇個碳原子的烷氧基、經取代或的芳基、經取代或非經取代的雜環基。）通式（1)所示的苯並噁唑衍生物（BzOS ) 料示於結構式（2)至（4)所示的材料。鹵素、氰原子的鹵非經取代的具體材 • 10- 1356844 結構式（2)

結構式（3 )

2- (4 -聯苯基）-6 -苯基苯並噁唑結構式（4 )

在此作爲和苯並噁唑衍生物一起被包含的金屬（鹼金屬、鹼土金屬、或過渡金屬）具體可以使用Li、Na、K、 Rb、Cs、Fr、Mg、Ca、Sr、Ce、或 Yb，使苯並噁唑衍生物和這些金屬的莫耳比爲1:0.1至1:10，更佳1:0.5 -11- 1356844 至1:2»另外’理想的是設定電子注入層1〇5的膜的厚度爲 5-50nm，更佳 10-30nm。另外’用於第一電極101的陽極材料，較佳使用功函數大（功函數爲4. OeV或更多）的金屬、合金、導電性化合物 '以及這些的混合物。除了 ITO( indium till oxide , 氧化銦錫）、氧化銦與2-20%氧化鋅（Zn〇 )混合的IZ〇 (indium zinc oxide，氧化銦鋅）以外、金（Au)、銷 φ ( Pt )、鈦（Ti ) ' 鎳（Ni )、鎢（W )、鉻（Cr )、鉬 (Mo)、鐵（Fe)、鈷（Co)、銅（Cu)、祀（Pd)的金屬或金屬材料的氮化物（TiN)可以作爲陽極材料的具體例子。另一方面，用於第二電極103的陰極材料，較佳使用功函數小（功函數爲3.8 eV或更少）的金屬 '合金、導電性化合物、以及這些的混合物。作爲陰極材料的具體例子，除了可以使用歸屬於元素周期表1族或2族的元素，馨也就是Li或Cs等鹼金屬，或Mg、Ca、Sr等鹼土金屬；以及包含這些的合金（Mg: Ag或Al: Li)或化合物（如 LiF、CsF、或CaF2 );以及包含稀土金屬的過渡金屬，還可以使用層疊如A卜Ag、或ITO金屬（包含合金）而形成的疊層。另外，在本發明中，由於提供和陰極連接的具有優越的電子注入性的電子注入層，所以可以使用如上述ITO及 IZO等功函數大的材料。上述陽極材料和陰極材料通過蒸發澱積、濺射法等形 -12- 1356844 成薄膜，從而分別形成陽極和陰極。其膜的厚度較佳爲 5 - 5 0 0 nm 〇本發明的發光構件是在包含發光材料的層102通$_ 流子的再組合而產生的光從第一電極101 (陽極）和第二電極103 (陰極）中的一方或雙方發射向外界的結構。換言之，從第一電極101發射光時，用透明材料形成第—電極101;從第二電極103 —側發射光時，用透明材料形成第二電極103;從兩個電極側發射光時，用透明材料形成兩個電極。包含發光材料的層102可以用衆所周知的材料形成，也可以使用低分子量材料和高分子量材料中的任何一個來形成。另外，形成包含發光材料的層102的材料不僅僅是只由有機化合物材料構成，還可以是包含一部分無機化合物的結構。形成在一對電極之間的包含發光材料的層1〇2的電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、或電子傳輸層所使用的具體材料將述於下文。作爲形成電洞注入層的電洞注入性材料，有機化合物中之卟啉系化合物是有效的。例如，可使用駄菁（以下稱作H2_Pc)、銅駄菁（以下稱作Cu-Pc)等。另外，通過對導電聚合化合物執行化學摻雜處理獲得的一些材料也是有效的，因此可使用摻雜有聚苯乙烯磺酸鹽（以下稱作 PSS )的聚乙嫌—氧基噻吩（polyethylene dioxythiophene)(以下稱作 PED0T)等。 -13- 1356844 芳族胺系化合物（即那些具有苯環氮鍵的化合物）可適用於形成電洞傳輸層的電洞傳輸材料。廣泛使用的材料，例如’除了 N，N’·雙（3 -甲基苯基）-N，N’-聯苯基-[1，1’-聯苯基]·4,4’-二胺（以下簡稱TPD)，其衍生物，如 4,4’-雙〔N-(l-萘基）-Ν-苯胺基〕聯苯（以下稱作α -NPD )，及星爆式（star burst)芳族胺化合物，如 4,4’，4’’-三（N-咔唑基）-三苯胺（以下稱作 TCTA); • 4,4’，4’’-三（N，N-二苯基胺基）三苯胺（以下稱作 TDATA)，以及4,4’，4’’-三〔心（3-甲基苯基）-：^苯胺〕-三苯胺（以下稱作MTDATA )。另外，作爲形成發光層的有效的發光材料除了金屬錯合物，例如：三（8-喹啉氧）鋁（以下稱作Alq3 )，三 (4-甲基-8·喹啉氧）鋁（以下稱作Almq3 )，二（10-羥基苯〔h〕-喹啉氧）鈹（以下稱作BeBq2)，二（2-甲基-8-喹啉氧）-(4-羥基-聯苯基）鋁（以下稱作BAlq )，二修〔2- ( 2-羥苯基）-苯並噁唑氧〕鋅（以下稱作Zn(BOX) 2 )，以及二〔2- ( 2-羥苯基）-苯並噻唑氧〕鋅（以下稱作Zn(BTZ) 2)，各種螢光顔料也是有效的。另外，當和客體材料組合形成發光層時，除了喹吖啶酮（quinacridone)、二乙基哇 V 陡酮（diethyl quinacridone，以下簡稱爲（DEQD))、二甲基D奎吖陡酮 (dimethyl quinacridone，以下簡稱爲（DMQD))、紅螢嫌 (rubrene )、二萘嵌苯、香豆精、香豆精 5 4 5 T (C545T) ' DPT、Co-6、PMDFB、BTX、ABTX、DCM、以 -14- 1356844 及DC JT以外’三重發光材料，如三（2-苯基吡啶）銥（以下稱作 Ir(ppy)3) ' 2,3,7,8，12，13，17，18-ΛΖ*-21Η，23Η 卟啉鈾（以下稱作PtOEP )等也可以作爲客體材料來使用。諸如上述Alq3、Almq3以及BeBq2之類的具有喹啉骨架或者苯並哇啉骨架的金屬錯合物，或混合配位基的錯合物的BAlq等是合適的形成電子傳輸層的電子傳輸材料。具有諸如Zn(BOX)2和Zn(BTZ)2的噁唑系配位基或者噻唑系配位基的金屬錯合物也是適用的。而且，除了金屬錯合物之外，還可使用諸如2_ (4-聯苯基）-5-(4-第三丁基苯基）-1,3,4-噁二唑（以下稱作？80)和1,3-二〔5-(對-第三丁基苯基）-1,3,4-噁二唑-2-yl〕苯（以下稱作0XD-7)之類的噁二唑衍生物；諸如3- (4-第三丁基苯基）-4-苯基-5-(4-聯苯基）-1，2,4-三唑（以下稱作TAZ)和3-(4-第三丁基苯基）-4- ( 4-乙基苯基）-5-(4-聯苯基）-1,2，4·三唑 (以下稱作p-EtTAZ )之類的三唑衍生物。依據以上所述，可以獲得本發明的發光構件，其中，包含發光材料的層102的一部分包括由本發明的用於發光構件的電子注入性組成物構成的電子注入層1 05，並且，電子注入層105和陰極（本實施方式中爲第二電極103) 連接而形成。實施例下面介紹本發明的實施例 -15- 1356844 實施例1 本實施例將用圖2說明在從發光構件的第一電極和第二電極的兩側發射包含發光材料的層所產生的光的結構 (以下稱爲雙面發射結構）中，提供電子注入層作爲包含發光材料的層的一部分的本發明的發光構件。首先，在基板2 00上形成發光構件的第一電極20 1。 •注意’本實施例中第一電極201作爲陽極。使用透明導電膜ITO作爲材料，用濺射法形成厚1 i〇nm的第一電極 20卜其次，在第一電極（陽極）201上形成包含發光材料的層202。本實施例中包含發光材料的層202具有由電洞注入層211、電洞傳輸層212、發光層213、電子傳輸層 214、電子注入層215構成的疊層結構。將形成有第一電極201的基板固定到市售之具有第一修電極201的面朝下的真空澱積系統的基板夾持物 (holder )上，接著在真空澱積系統的內部的蒸發源放入 Cu-Pc，藉由電阻加熱進行的蒸發，形成厚20nm的電洞注入層211。形成電洞注入層211的材料可以使用熟知的電洞注入性材料。接著，用有優越電洞傳輸性的材料形成電洞傳輸層 212。形成電洞傳輸層212的材料可以使用熟知的電洞傳輸材料。在本實施例中，藉由相同的方法澱積，使用α-NPD形成膜厚度40nm。 -16- 1356844 然後’形成發光層213。在發光層213中，電洞和電子再組合，從而產生發光。在本實施例中，在形成發光層 213的材料中，使用作爲主體材料的Aiq3，以及作爲客體材料的香豆精545T(C545T)，並使C545T成爲lwt%，通過共同蒸發澱積法，從而形成膜厚度4 0nm的發光層。接著，形成電子傳輸層214。形成電子傳輸層214的材料可以使用熟知的電子傳輸性材料。在本實施例中，使用Alq3通過蒸發法形成厚2 0nm的電子傳輸層。然後，形成電子注入層215。電子注入層215使用本發明的電子注入性組成物。電子注入性組成物包括通式 (1)所示的苯並噁唑衍生物；以及鹼金屬、鹼土金屬和適渡金屬中的一種，其中，所述通式（1)所示的材料和所述鹼金屬、鹼土金屬和過渡金屬中的一種的莫耳比爲 0.1至1: 10。在本實施例中，通過共同蒸發法，形成摩2 〇nm的電子注入層215，並使以下所示結構式（2)所 $的苯並噁唑衍生物和鹼金屬的Li的莫耳比爲1 : 2。結構式（2 )

在層疊電洞注入層_211、電洞傳輸層212、發光層 -17- 1356844 213、電子傳輸層214、以及電子注入層215以形成包含發光材料的層2 02後，用濺射法或蒸發法形成作爲陰極的第二電極203。第二電極203由於是和有優越電子注入性的電子注入層215連接形成，所以在本實施例中，在包含發光材料的層202上用濺射法形成IT〇(厚度爲ll〇nm)，從而獲得第二電極203。根據以上步驟，形成雙面發射結構的發光構件。另外’本實施例所示的用於發光構件的電子注入層的電子注入性組成物包含的苯並噁唑衍生物由於具有優越的電子注入性，並在形成膜時不容易結晶，所以可以形成構件特性優越且構件壽命長的發光構件。比較例1 爲了和實施例1所示的發光構件進行比較，製造習知 •的用BCP作爲電子注入層的發光構件。和實施例1所示的發光構件用相同方法完成一直到形成電子傳輸層的步驟。然後，使用BCP和鹼金屬的Li並使其莫耳比比爲1:2，藉由共同蒸發法，從而形成膜厚度20nm的電子注入層。之後，用濺射法或蒸發法在電子注入層上形成作爲陰極的第二電極。在本比較例中用濺射法形成IT〇(厚度爲ll〇nm)。圖7是一個曲線圖，表示本比較例製造的發光構件 [比較例1]和實施例1製作的發光構件[實施例丨]的標準化 • 18- 1356844 亮度（normalized luminance)的時間變化。另外，標準化亮度的時間變化意指在設定起始亮度爲1 00%，且設定電流密度爲一定的値時測定隨時間變化的標準化亮度。根據圖7，可以得知[實施例1]的發光構件跟[比較例1 ]的發光構件相比，其亮度更不容易隨時間降低，也就是說[實施例1]的發光構件的壽命更長。更具體地說， [比較例1]的發光構件的標準化亮度轉變爲58%的壽命是 5 60小時，相對與此，[實施例1]的發光構件的標準化亮度轉變爲60%的壽命是1 800小時。由此可知，本發明使用包含苯並噁唑衍生物以及鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬中的至少一種的用於發光構件的電子注入性組成物來形成電子注入層，從而可以形成特性優越，且壽命長的發光構件。實施例2 本實施例將用圖3說明從發光構件的單側發射包含發光材料的層所產生的光的情況，說明從形成在包含發光材料的層上的第二電極一側發射光的具體結構（以下稱爲頂面發射結構）。在此只說明和實施例1不同的部分，本實施例並且將省略第一電極以外的和實施例1相同結構的說明。本實施例的第一電極301作爲陽極，是不使包含發光材料的層3 02所產生的光發射過去的電極。換言之，第一電極可以使用功函數大且有遮光性的元素周期表的第4 -19- 1356844 族、第5族或第6族的氮化物或碳化物，具體地說，可以使用如氮化鈦、氮化鉻、碳化鈦、碳化锆、氮化鉬、碳化鉅、氮化鉬、及碳化鉬。另外，層疊功函數大的透明導電膜和有反射性（包括有遮光性的情況）的導電膜（反射性導電膜）而組成的疊層也可以形成第一電極301。本實施例將說明層疊反射性導電膜和功函數大的透明導電膜以形成第一電極301的情況^ φ 具體來說，在基板300上形成厚300nm的Al-Si轉，然後層疊l〇〇nm的Ti膜，從而形成反射性導電膜304, 隨後在該反射性導電膜3G4上形成厚20nm的ITO作爲透明導電膜3 05 » 在形成第一電極30 1後，和實施例1同樣，按順序形成電洞注入層311、電洞傳輸層312、發光層313、電子傳輸層314、電子注入層315、以及第二電極303。按照上述步驟，可以形成只從第二電極一側發光的頂 g面發射結構的發光構件。另外，本實施例的情況和實施例1相同，其所示的用於發光構件的電子注入層的電子注入性組成物包含的苯並噁唑衍生物由於具有優越的電子注入性，並在形成膜時不容易結晶，所以可以形成特性優越且壽命長的發光構件。實施例3 本實施例將說明和實施例2同樣從發光構件的單側發射包含發光材料的層所產生的光的情況，如圖4所示，本 -20- 1356844 發明也可以是從包含發光材料的層502所包括的電子注入層515 —側發射光的結構（以下稱爲頂面發射結構）。和實施例2同樣，在基板5 00上形成反射性導電膜 5 04’並在其上形成透明導電膜5 05，將這樣的疊層作爲第一電極5 01 ’然後，和實施例〗以及實施例2同樣，按順序形成電洞注入層511、電洞傳輸層512、發光層 513、電子傳輸層514、電子注入層515、以及第二電極 5 03 ° 在本實施例中’由於在包含發光材料的層5 02的—部分之上形成作爲輔助電極的第二電極（陰極）503，所以是包含發光材料的層502所產生的光從沒有形成第二電極 5〇3的部分發射出去的結構。另外，在本實施例中，第二電極5 03所使用的材料只要是功函數小的陰極材料，不— 定必須是透明的材料，也可以是遮光性的材料。實施例4 本實施例將參考圖5A和5B描述在像素部分具有本發明發光構件的發光裝置。進—步，_ 5A是表示發光裝置的俯視圖，而圖5 B是沿A _ a，線切割圖5 A而得到的截面圖。用虛線表示的4G1表示驅動電路部分（源極側驅動電路）；402表示像素部分；以及403表示驅動電路部分（概極側驅動電路卜另外，404冑示密封基板、4〇5 表示密封材料’並且由密封材料4〇5包圍的內側構成了空間 4 07 〇 -21- 1356844 此外，引出線路408是用於傳送輸入到源極側驅動電路401和柵極側驅動電路403的信號的佈線，並且從用於構成外部輸入末端的FPC (撓性印刷電路）409接收視頻信號、時鐘信號、起始信號以及重定信號β注意’雖然此處只表示了 FPC，但FPC可附帶印刷線路板（PW0 )。本說明書的發光裝置不僅包括發光裝置的主體，還包括其上附帶FPC或PWB狀態的發光裝置。 φ 其次，將參考圖5Β說明截面結構。在裝置基板41〇上形成驅動電路部分和像素部分，但此處表示出的是作爲驅動電路部分的源極側驅動電路4〇 1，以及像素部分 402 〇此外，源極側驅動電路401由η-溝道型TFT 423和 P-溝道型TFT 424組合的CMOS電路而形成。此外，用於形成驅動電路的TFT可由已知的CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。此外，雖然本實施例描述的是在基板 φ上形成驅動電路的集成型驅動器，但集成型驅動器不是必需的，驅動器電路可不在基板上而在基板外形成。此外，像素部分402由多個像素組成，每個像素包括開關TFT 411、電流控制TFT 412和電連接到電流控制 TFT 412的汲極的第一電極413。另外，形成絕緣物414 並使其覆蓋第一電極413的邊沿部分，這裏的絕緣物414 使用正型的光敏性丙烯酸系樹脂膜而形成。在第一電極413上先後形成包含發光材料的層416以及第二電極417。這裏，用於作爲陽極的第一電極413的 -22- 1356844 材料較佳爲功函數大的材料。例如，ITO (氧化銦錫）膜、氧化銦鋅（ΙΖΟ )膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Ζη 膜、及Pt膜的單層膜，此外，還可以採用氮化鈦膜和以鋁爲主要成分的膜構成的疊層；氮化鈦膜和以鋁爲主要成分的膜和氮化鈦膜構成的3層結構的膜。如果採用疊層結構，可使用具有低電阻，優良的歐姆接觸之線路，而且，還可以使該疊層作爲陽極。包含發光材料的層416是藉由使用蒸發罩的蒸發法，或者噴墨法而形成。由本發明的用於發光構件的電子注入性組成物組成的電子往入層包括在包含發光材料的層416 之內。此外，發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、及電子傳輸層也包括在包含發光材料的層416之內。在形成這些層時’可以使用低分子量材料、中分子量材料（包括低聚物、樹枝狀聚合物（dendrimer ))、或高分子量材料。另外在形成包含發光材料的層時，一般使用有機化合物的單層或疊層的情況較多，但本發明中還包括在由有機化合物構成的膜的一部分中包含無機化合物的結構。第二電極（陰極）417形成於包含發光材料的層416 之上’其材料採用透明導電膜的ΙΤ〇β 然後進一步用密封材料405將密封基板404和構件基板410黏合在一起’這樣，發光構件418提供在構件基板 410 ’密封基板404，以及密封材料4〇5圍成的空間407 中。另外’空間407中可以塡充惰性氣體（氮或氬等），也可以塡充密封材料4〇5。 -23- 1356844 另外’密封材料405較佳使用環氧樹脂。還有，這些材料儘量不透濕氣和氧氣的材料較佳。作爲構成密封基板 4 04的材料，除了玻璃基板或石英基板之外，還可以使用由FRP (玻璃纖維增強之塑膠）、PVF (聚氟乙烯）、邁拉（Mylar)、聚酯、或丙烯酸製成的塑膠基板。通過以上步驟，可以獲得包括根據本發明形成的發光構件的發光裝置。 φ 此外，本實施例說明的發光裝置可自由與實施例1、實施例2、實施例3描述的發光構件的結構組合而使用。實施例5 本實施例將說明將例如根據實施例4形成的發光裝置作爲其一部分的各種各樣的電子裝置。根據本發明製造的上述電子裝置包括攝像機、數位照相機、護目鏡型顯示器（頭戴顯示器）、導航系統、聲音鲁重放裝置（汽車音響裝置 '或音響設備）'筆記型個·人電腦、遊戲機、個人數位工具（行動電腦、手機、攜帶型遊戲機、或電子書）、具有記錄介質（更具體地說，配備可再現記錄介質如數位影音光碟（DVD )及顯示影像的顯示裝置之裝置）的影像再現裝置等。圖6A至6G示出了這些電子裝置的具體例子。圖6A表示顯示裝置，其包括框架2001、支撐台 2002、顯示部分2003、揚聲器部分2004、視頻輸入終端 2005等。由本發明製造的發光裝置可用於顯示部分 -24- 1356844 2 003。另外，該顯示裝置包括用於顯示資訊的所置’如個人電腦、TV廣播的接收機、廣告顯示^ 圖6B表示筆記本型個人電腦，其包括主體殼2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部 2205、點擊滑鼠2206等。由本發明製造的發光於顯示部分2203。圖6C表示行動電腦，其包括主體2301、 2302、開關2303、操作鍵2304、紅外線埠2305 發明製造的發光裝置可用於顯示部分2302。圖6D表示包括記錄介質的影像再現裝置（說爲DVD再現裝置），其包括主體2401、外殼示部分A 2403、另一顯示部分B 2404、記錄介等）讀取部分2405、操作鍵2406、揚聲器部分顯示部分A 2403主要用於顯示影像資訊，而顯 24 04主要用於顯示文本資訊。由本發明製造的可用於顯示部分A 2403和顯示部分B 2404。注錄介質的影像再現裝置還包括家用遊戲機等。圖6E表示護目鏡型顯示器（頭戴顯示器）主體2501、顯示部分2502、臂部2503。由本發發光裝置可用於顯示部分2502。圖6F表示攝影機，其包括主體2601、 2602、外殼 2603、外部連結介面2604 '遙控 2605、影像接收部分 2606、電池 2607、聲音 2608、操作鍵2609、目鏡部分2610等。由本發 :有顯示裝器。 2201 、外連結介面 :裝置可用顯示部分等。由本更具體地 2402 、顯質(DVD 2407 等》示部分B 發光裝置^ 意包括記，其包括明製造的顯示部分接收部分輸入部分明製造的 -25- 1356844 發光裝置可用於顯示部分2602。圖6G表示手機，其包括主體2701、外殻2702、顯示部分2703、聲音輸入部分2704、聲音輸出部分2705、操作鍵2706、外部連結介面2707、天線2708等。由本發明製造的發光裝置可用於顯示部分27 03。如上所述，根據本發明形成的發光裝置的適用範圍極其廣泛，另外，發光裝置包括的發光構件的包含發光材料 φ的層的一部分包括提高來自電極的電子的注入性的電子注入層，該電子注入層由於使用不易結晶的材料而形成，所以有低驅動電壓，且長壽命的特點。因此，如將本發明的發光裝置應用於所有領域中的電子裝置，可以實現電子裝置的低功耗化和長壽命化。本發明使用一種用於發光構件的電子注入性組成物以形成電子注入層，該電子注入性組成物包括苯並噁唑衍生物；以及鹼金屬、鹼土金屬和過渡金屬中的至少一種，其 •結果是可以提高作爲陰極的電極的電子注入性。而且，由於苯並噁唑衍生物是在形成膜時不容易結晶的材料，所以可以提供一種具有比習知構件更優越的構件特性且壽命長的發光構件，本發明並且提供使用該發光構件的發光裝置。請注意，本發明可以參考附圖以多種不同形式被執行，並且只要是同一領域人士，就很容易瞭解一個事實， .即，可以將本發明的形式和內容更改而不脫離本發明的宗旨和範圍。所以，更改和修改的內容包括在本發明的申請 -26- 1356844 專利範圍之範疇。【圖式簡單說明】圖1是說明本發明的發光構件的示意圖；圖2是說明雙面發射結構的發光構件的示意圖；圖3是說明頂面發射結構的發光構件的示意圖；圖4是說明頂面發射結構的發光構件的示意圖；圖5A和5B是說明發光裝置的示意圖；圖6A至6G是說明電子裝置的示意圖；以及圖7是表示本發明的發光構件和習知發光構件的標準化亮度（normalized luminance)隨時間變化的圖。主要構件符號說明 100基板 1 0 1 第一電極 102 層 ‘ 1 03 第二電極 104發光層 1 0 5電子注入層 200基板 2 0 1 第一電極 202 層 203 第二電極 2 1 1電洞注入層 -27- 1356844 2 1 2電洞傳輸層 213發光層 2 1 4電子傳輸層 2 1 5電子注入層 300基板 3 0 1第一電極 302 層 3 03第二電極 304反射性導電膜 3 05透明導電膜 3 1 1電洞注入層 3 1 2電洞傳輸層 313發光層 3 1 4電子傳輸層 3 1 5電子注入層 500 S 板 5 0 1第一電極 502 層 5 03第二電極 504反射性導電膜 505透明導電膜 5 1 1電洞注入層 5 1 2電洞傳輸層 513發光層 -28- 1356844 5 1 4電子傳輸層 5 1 5電子注入層 40 1源極驅動電路 402像素部分 403珊極驅動電路 404密封基板 405密封材料 407 空間 408 電路 4 〇 9撓性印刷電路 410裝置基板 41 1 開關TFT 4 12 控帋 IJ T F T 4 1 3 第一電極 4 1 4 絕緣物 4 16 層 4 1 7 第二電極 4 1 8光發構件 2001 框架 2002支撐台 2003顯示部分 2004揚聲器部分 2005視頻輸入終端 220 1 主體 1356844 2202外殼 2203顯示部分 2204鍵盤 2205外部連結介面 2206點擊滑鼠 2301主體 2302顯示部分 2303開關 2304操作鍵 2 3 0 5紅外線埠 2401主體 2402外殼

2403顯示部分A

2404顯示部分B 2405記錄介質讀取部分 2406操作鍵 2407揚聲器部分 25 0 1主體 2502顯示部分 25 03臂部 2601主體 2602顯示部分 2603外殼 2604外部連結介面 -30- 1356844 2605遙控接收部分 2606影像接收部分 2607 電池 2608聲音輸入部分 2 6 0 9操作鍵 2610目鏡部分 2701主體 2702外殻 2703顯示部分 2704聲音輸入部分 2705聲音輸出部分 2706操作鍵 2707外部連接介面 2 7 0 8 天線

Claims

1356844 拾、申請專利範園 1.一種發光構件，其包括：第一電極；包括透明材料之第二電極；及電子注入層及發光層，形成於該第一電極與第二電極之間；其中該電子注入層與該第二電極接觸；其中該電子注入層包括：結構式（2)至（4)所示材料中之一者；及鹼金屬、鹼土金屬及過渡金屬中至少一者，其中該結構式（2)至（4)所示材料中之一者對該鹼金屬、鹼土金屬及過渡金屬中之一者之莫耳比爲1:0.1至 1:10，

-32- 1356844 2. 如申請專利範圍第1項之發光構件，其中，該結構式（2)至（4)所示材料中之一者對該鹼金屬、鹼土金屬及過渡金屬中之一者之莫耳比爲1:0.5至1:2。 3. —種發光構件，其包括：第一電極；包括透明材料之第二電極；及電子注入層及發光層，形成於該第一電極與第二電極之間；其中該電子注入層與該第二電極接觸；其中該電子注入層包括：結構式（2)至（4)所示材料中之一者；及鹼金屬、鹼土金屬及過渡金屬中至少一者，其中該結構式（2)至（4)所示材料中之一者的物質量對該鹼金屬、鹼土金屬及過渡金屬之物質總量之比例爲 1:0·1 至 1:10 ，

• · · (2)

-33- 1356844

4 ·如申請專利範圍第3項之發光構件’其中’該結構式（2)至（4)所示材料中之一者的物質量對該鹼金屬、鹼土 •金屬及過渡金屬之物質總量之比例爲1:0.5至1:2。 5.—種發光構件，其包括：第一電極；包括透明材料之第二電極；及於該第一電極與第二電極之間有至少·―曆知增包含發光材料；其中該層與該第二電極接觸；其中該層包括結構式（2)至（4)所示材料φ、 ^ ^、者丨、籲鹼金屬、鹼土金屬及過渡金屬中至少—％， $以及

-34- 1356844

6. 如申請專利範圍第5項之發光構件，其中，該結構式（2)至（4)所示材料中之一者對該鹼金屬、鹼土金屬及過渡金屬中一者之莫耳比爲1:0.1至1:10» 7. 如申請專利範圍第5項的發光構件，其中，該結構式（2)至（4)所示材料中之一者對該鹼金屬、鹼土金屬及過渡金屬中一者之莫耳比爲1:0.5至1:2。 8 .如申請專利範圍第5項的發光構件，其中，包含該結構式（2)至（4)所示材料中之一者以及該鹼金屬、鹼土金屬和過渡金屬中至少一者的該層和作爲陰電極之該對電極中之一個電極接觸而形成。_ 9. 如申請專利範圍第5項的發光構件，其中該對電極中之一個電極相對於可見光有70 %或更多的透過率。 10. 如申請專利範圍第5項的發光構件，其中該對電極中的每一個電極相對於可見光有70%或更多的透過率。 11. 一種包括如申請專利範圍第5項的發光構件的電子裝置’其中該電子裝置係選自：攝影機、數位照相機、護目鏡型顯示器、導航系統、聲音重現裝置、筆記型個人電腦、遊戲機、個人數位輔助工具、手機、攜帶型遊戲機、電子書、及影像再現裝置。 -35-