1355676 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關工件之表面製備、清潔、洗滌及乾燥，該 工件諸如半導體晶圓、平板顯示器、硬碟或光學媒體、薄 膜讀寫頭或其他由基板所形成之工件，而微電子電路、資 料儲存元件或層、或微機械元件可形成在該基板上。這些 及類似物件係在此共同稱爲一“晶圓”或“工件”。特別 地是，本發明有關一用於處理半導體工件之工件處理器及 系統。 【先前技術】 半導體製造工業正不斷地尋求改善用於製造微電子電 路及零組件之製程及機器，諸如來自晶圓之積體電路的製 造。很多這些已改善製程及機器的目標包含：減少處理一 晶圓以形成想要積體電路所需之時間長短；增加每晶圓之 可用積體電路的產量，譬如藉著於處理期間減少晶圓之污 染：減少建立想要積體電路所需之步驟的數目；改善用於 建立想要積體電路之製程的一致性及效率；及減少成本之 製造。 因半導體工業改善微粒“加入物”之規格，於該半導 體晶圓製造中所允許之微粒狀污染物的數目及尺寸正持續 地減少》目前之機器不足以用在未來之微粒規格。 再者’於晶圓之處理中，其通常需要使該晶圓之一或 更多側邊遭受一呈液體、蒸氣或氣體形式之流體。此流體 -5- 1355676 係譬如用於蝕刻該晶圓表面、清潔該晶圓表面、乾燥該晶 圓表面、使該晶圓表面不易起化學變化、將薄膜沉積在該 晶圓表面上、由該晶圓表面移去薄膜或光罩材料等。控制 該製程用流體如何施加至該晶圓表面、減少該等製程用流 體之交叉污染的潛在可能性、及由處理室表面有效地清潔 或洗滌製程用流犛通常對於該處理操作之成功係重要的。 【發明內容】 吾人已發明一種新的晶圓處理系統，其於製造微電子 及類似裝置中提供顯著之改善。該新.的系統減少微粒污染 於I最|產品下有！―缺陷—7這—減_步—製I微—電子-裝— 置所需之原料、製程用流體、時間、勞動力及努力之總量 。據此，本發明之新的晶圓處理系統顯著地增加製造之產 量。 吾人已發明一種獨特之工件處理器設計，其顯著地減 少製程用流體之交叉污染。於一半導體晶圓之處理期間， 該獨特之設計亦大幅地增加由該處理室排出蒸氣或煙及排 洩製程用流體之能力。再者，本發明之處理器利用一相當 簡單、磁性之轉子嚙合機構，其減少藉著由一處理器至另 一處理器之製造技術中的變化所造成震動影響之變化性。 由於這些設計改善之結果’由一工件處理器至下—處理器 的晶圓處理之效果係更一致，且達成高製造品質標準及增 加之效率。 於一具體實施例中，本發明之晶圓處理系統提供複數 -6- 1355676 工件加工站，用於電鍍、蝕刻、清潔、鈍化、沈積及/或 由一工件表面移去薄膜及光罩材料。該系統包含一機器手 臂，其可於各工件加工站之間移動及由一加工站移動該工 件至另一加工站。至少一工件加工站包含一工件處理器， 其具有一上轉子及一下轉子，該二轉子可嚙合，以形成一 工件處理室。利用相斥磁鐵間之一磁力，以於處理器之操 作期間維持該轉子間之接觸。此獨特之處理室設計減少震 動，該震動已發現爲微粒狀污染之一主要促成因素；且亦 減少製程用流體滲漏至所處理晶圓表面上之機會，因這能 導致該微電子最終產品之缺陷或故障。於一具體實施例中 ，該上轉子係磁性地驅動進入以該下轉子接觸。於另一具 體實施例中，該下轉子係磁性地驅動至與該上轉子形成接 觸。於任一具體實施例中，一面密封件最好係提供於該上 及下轉子之間。 本發明之晶圓處理系統亦已設計成可於處理期間增加 流經該工件處理器之空氣。較佳之氣流管理減少微粒污染 及增加整個處理效率。其結果是，消耗較少之時間、材料 及能量。特別地是，本發明之處理器於該處理頭部中具有 氣流通道，其由環繞該處理器之極小環境將周圍空氣吸入 該處理頭部，及經過該處理器之底部送出。再者，該基座 之基底及上邊緣中所形成之環狀槽道釋放該處理室中所累 積之壓力。於操作期間期間，該基座之上邊緣中之開口承 接“吹漏”流體。該環狀槽道使該“吹漏”流體流出至一 排氣通口，釋放所累積之壓力。再者，一空氣吸氣機係連 1355676 接至一定位在該處理頭部中之馬達下方之環圈。該吸氣機 吸入任何氣體狀流體，該流體可來自該處理頭部中之氣流 通道或該基座中之環狀槽道。另外，於操作期間期間，該 處理頭部及上轉子中之一中心開口、及該基座中之一製程 用流體噴嘴允許空氣直接吸入該工件處理器，該噴嘴向上 地延伸經過該下轉子中之一開口及連接至一通氣管。由於 這些設計改善之結果，該處理室中之空流係大幅地增強， 且達成更均勻之處理及增加之效率。 於另一具體實施例中，本發明之新處理系統包含第一 轉子，其具有複數對齊栓銷；及第二轉子，其具有一或多 "個用於承接 一工件處理室。該轉子設計保持該第一轉子集中在該下轉 子上，及亦保持一工件集中在該處理室內。藉著減少該微 電子或其他最終產品中之缺陷、及藉著增加每晶圓所產生 之裝置晶片的數目，這改善該製造之產量或該系統之效率 〇 該新系統之一具體實施例的另一分開特色係其包含一 工件處理器，其環繞著該第一轉子中之一流體塗佈器之外 圍具有一大體上環狀開口。定位該流體塗佈器，以將一製 程用流體運送至該處理室中之一工件的中心區域。定位一 淨化氣體管線，用於運送一淨化氣體進入該環狀開口朝向 該工件。這提供淨化氣體之更均勻地運送進入、及分散遍 及該處理室。其結果是，製程用流體係更有效率地由該處 理室移去。因此，製造係更可靠，及工件缺陷係減少。 -8 - 1355676 於本發明之另一分開特色中，一新的系統包含 第二轉子中之流體塗佈器，用於運送一製程用流體 該處理室中之一工件的邊緣。一或多個流體排出開 係位於該第一轉子中，用於由該處理室移去該製程 。淨化氣體係有利地運送越過該工件之上表面。於 實施例中，一屏蔽板係位於該流體塗佈器上方，用 製程用流體引導至該工件之邊緣。於一分開之具體 中，一流體運送路徑由該流體塗佈器延伸，及終止 件之邊緣，用於直接運送該製程用流體至該工件之 這些設計提供該工件之改善邊緣處理，以及由該處 供改善之微粒移除。據此，該工件上之邊緣微粒沈 上係減少或消除。 本發明之一特色係一種包含上轉子之新的系統 轉子係可與一下轉子嚙合，以形成一工件處理室。 子具有一中心空氣進入開口。此轉子設計提供一經 理室之氣流路徑，並傾向於避免使汙染微粒接觸該 這藉著減少該微電子或其他最終產品中之缺陷改善 之產量或該系統之效率。 本發明之另一分開特色係一可在該中心空氣進 內移動之流體塗佈器或噴嘴，用於將一製程用流體 該處理室中之工件的不同部份。一通入該噴嘴之流 管線最好包含一收集區段，用於當至該噴嘴之流體 結束時收集製程用流體。這防止過多之製程用流體 工件上。因此，製造係更可靠，且缺陷係減少。該 一於該 至位於 口最好 用流體 一具體 於將該 實施例 在該工 邊緣。 理室提 積大體 ，該上 該上轉 過該處 工件。 該製造 入開口 分配至 體運送 運送係 滴至該 噴嘴最 -9- 1355676 好係可移動遠離該上轉子構件，以致該上轉子構件可升高 ，以有助於將一工件載入該處理室。 本發明之另一分開特色係一可移動之流體排出組件， 其具有複數流體排出路徑。每一流體排出路徑係可藉著移 動該流體排出組件與該處理室分開地對齊，以對齊單一流 體排出路徑與該處理室。其結果是，已用過之液體製程化 學品可分開地移去、收集、及再循環或處理供棄置。避免 已用過之液體製程化學藥品之混合。因此，處理係較不複 雜及更便宜。 本發明之其他特色及優點將在下文顯現。上述發明之 組合中，而沒有對本發明是必要之單一特色。本發明同樣 屬於所敘述各特色之附屬組合中。該處理室能獨自使用， 或於一設有機械手臂之自動化裝置及各種其他處理室之系 統中。 【實施方式】 參考圖1-3之敘述 如圖1-3所示，一處理系統10具有一外殼、一控制 /顯示器17、及一輸入/輸出站19及複數處理站14。工 件24係在該輸入/輸出站19由載具21移去及在該系統 內處理。 該處理系統10包含一支撐結構，其用於該外殻15內 之複數處理站14。至少一處理站14包含一工件處理器16 -10- 1355676 及一致動器13，用於打開及關閉處理器16。本發明之處 理器16係設計成可在一處理系統10中利用，譬如所 2003年六月 6日提出之美國專利申請案序號第 6 0/4 76,786號、2003年十月22日提出之第1 0/691,688號 、2003年十月21日提出之第1 0/6 90,864號揭示者。這些 美國專利申請案係以引用的方式併入本文中。系統10可 僅只包含複數處理器16，或除了一或多個處理器16以外 ’其可包含其他處理模組，諸如能架構成可施行各種功能 ’包含、但不限於電化學處理、鈾刻、洗滌、及/或乾燥 〇 圖2中之系統10係顯示具有十個處理站14，但任何 想荽數目之處理站14可包含在該外殼15中。該處理站支 座最好包含一於該處理站14間之中心定位、縱長導向之 平臺18。具有一或多個末端效應器31之一或多支機器手 臂26在該外殻15內移動，用於運送工件24至及離開各 種處理站14，且將工件24裝載進入該處理站14及卸載 出該處理站14。於一較佳之具體實施例中，該機器手臂 26沿著該空間1 8中之一軌道23線性地移動。一製程用 流體源及相關之流體供給導管可在該平臺18下方設在外 殼15內，並與一工件處理器16(顯示於圖3 )及其他處 理站1 4流體相通。 參考圖3-21之敘述 圖3-11說明根據本發明之一工件處理器16。該處理 -11 - 1355676 器16包含一處理頭部組件28及一基座組件30。該頭部 組件28包含一處理頭部29、一頭環33、一上轉子34、 —流體塗佈器32、及一馬達38。該基座組件30包含一安 裝基座40、一下轉子36、及一碗形固定座43»該頭部組 件28可垂直移動，以與該基座組件30嚙合及由該基座組 件30分開。該頭部組件28及該基座組件30形成一處理 室37，該上轉子34及下轉子36係定位在該處理室內。 特別翻至圖5-11，一製程用流體塗佈器32由該頭部 組件2 8之一中心部份向上地延伸，且往下延伸經過一套 筒96進入該頭部組件。空氣入口 140及製程用流體入口 飞179厂係^&_瓦| 一套―筒―91丙—。一該空—氣一 ΙΕΓΤ4—『及-該—製— 程-用--流體塗佈器32往下延伸經過該處理頭部29中之中心開口 、該頭環33、及該上轉子34。製程用流體供給管線（未 示出）係連接至該製程用流體塗佈器32之向上延伸部份 ’用於運送製程用流體進入該工件處理室。該馬達38係 定位在該頭部29中，及係耦合至該上轉子34。於操作期 間藉著’該馬達38旋轉該上轉子34。該頭環33將該上 轉子34及該馬達38安裝在該頭部29內。一自動致動器 13係附接至該頭部組件28，及由一打開位置移動該處理 頭部組件28至一關閉位置，在該打開位置可藉著機器手 臂26將一工件載入該處理室37及由該處理室37移去， 而在該關閉位置將處理該工件。如將在下面更充分地說明 者’該頭部組件28具有複數有助於本發明之改善氣流管 理的空氣入口及通道。 -12- 1355676 該基座組件30之下轉子36具有一設有三垂片114之 嚙合環110，該垂片與一定位在該基座40底部之設有凹 槽的安裝構件144配合，以將該下轉子36附接至該基座 4〇。該嚙合環110之垂片114與該安裝構件M4之凹槽配 合，以建立一刺刀式連接。定位在該基座40內者係至少 一第一環狀磁鐵42。該下轉子36亦包含至少一第二磁鐵 44。應了解代替使用於該基座40及該下轉子36中之單一 環狀磁鐵，亦可使用複數非環狀之磁鐵。該第一磁鐵42 及第二磁鐵44係彼此毗連及具有一類似極性。藉著利用 具有一類似磁場或極性之磁鐵，該第一磁鐵42及第二磁 鐵44彼此相斥，造成該下轉子36被迫由該基座40藉著 —磁力往上。當該頭部及基座組件28及30係分開時，該 磁鐵42，44之磁力將該下轉子36推離基座40,造成該嚙 合環110之垂片114堅固地嚙合該基座之安裝構件144, 如此提供想要之刺刀式連接。 當該頭部及基座組件係已嚙合時，該致動器13降低 該頭部組件28，直至該上轉子34接觸該下轉子36。當由 該致動器13進一步強迫時，該上轉子34下推在該下轉子 36上及頂抗由該磁鐵4 2，44所建立之排斥力，直至該頭環 33安座在該基座上，如圖7A在33A所示。當該頭環33 安座在該基座上時，該嚙合環110之垂片114及該安裝構 件144間之接觸係分開，且該下轉子36係與該上轉子34 自由地迴轉。使該頭環33及基座40位於圖5-7A中所示 之位置，使該下轉子與該上轉子自由地迴轉，由該磁鐵 -13- 1355676 至 80 出 之 示 叉 顯 腔 IUL· 有 含 入 銷 件 工 離 件 複 端 環 彈 42,44所建立之排斥力維持該上及下轉子間之接觸，直 該頭部組件係升高供載入/卸載該處理器^ 翻至圖5-7及12-16，該基座40包含一環狀腔室 ’其具有數個（例如四個）流體排出管82。該流體排 管82係經由一提升閥84及致動器86氣壓地作動。每 流體排出管82係設有一配合之連接器88，以提供分開 路徑’用於引導不同型式之處理液體至適當之系統（未 出）供儲存、棄置、或再循環。據此，製程用流體之交 污染係減至最小。如在圖5-7、18A-C及20A-C所最佳 示’該下轉子36具有一裙部48，其往下延伸進入環狀 —製-程】-流-體--狀該-流 排出管82。 仍然參考圖5-7、18A-C及20A-C，該下轉子36具 複數由其表面向上延伸之栓銷。首先，該下轉子36包 複數支座隔絕（stand-off)栓銷50。當該工件24係載 該處理室37時，該工件24最初坐落在該支座隔絕栓 50上。該下轉子36亦包含複數對齊栓銷52，其當該工 24係載入該處理室37時於該x-y平面中對齊及集中該 件24。該對齊栓銷52比該支座隔絕栓銷50更延伸遠 該下轉子36之表面150，並於該處理室16中防止該工 24不對齊。最後，該下轉子36包含至少一支、及最好 數嚙合栓銷54。該嚙合栓銷54最好具有一形成斜面之 點，以增強與該上轉子34及一由可壓縮材料所形成之 狀墊圈或〇形環56之耦合，以建立與該上轉子34之 -14- 1355676 性接觸。 數 及 該 絕 內 支 代 件 內 較 隔 “ 工 栓 » 之 子 面 程 翻至圖5-7、17A-C及19A-C，該上轉子34包含複 支座隔絕栓銷120及埋頭鑽孔46。於操作期間期間， 在圖5-7所最佳顯示，該工件24(未示出）係包含於 上轉子34之支座隔絕栓銷120及該下轉子36之支座隔 栓銷50之間。工件處理室37係形成於該上轉子34之 部表面148及該下轉子36之一內部表面150之間。該 座隔絕栓銷50,1 20不會夾住在它們間之工件24，但取 在一想要之間隙內包含該工件，並於處理期間允許該工 24稍微“測定（clock ) ” 、亦即浮動在該想要之間隙 。這防止該工件24緊壓及意外地受損，且允許處理一 大表面積之工件24»於一較佳具體實施例中，於支座 絕栓銷50,1 20之間有0.02吋間隙，這允許於處理期間 測定（clock) ”該工件24。此配置大體上允許處理該 件24之整個表面，甚至將以別的方式藉著該支座隔絕 銷50，120所遮蓋之表面積。 特別參考圖5，當該上轉子34嚙合該下轉子36時 該嚙合栓銷54之形成斜面的端點係插入該上轉子34中 複數鑽孔46之一對應鑽孔（顯示於圖17C)。該環狀 可壓縮之墊圈或〇形環56增進該上轉子34及該下轉 36間之接觸，且當使用該處理室16時用作一減振器。 雖然該上轉子34及該下轉子36之一般架構係如上 所述，該特定架構依將在該處理室16中進行之想要製 而定可能有不同變化。譬如，圖17A-C及18A-C顯示 -15- 1355676 製程所利用之上轉子34及下轉子36，用於由一 移去聚合物或一罩幕材料》於此較佳具體實施例 子架構順應上面所提供之一般敘述。然而，如 所示’該上轉子34係已分割或設有刻槽160, 程用流體更自由地離開該處理室37。 然而，其可爲較佳的是對於一不同製程採用 架構之輕微變化。譬如，用於一般已知爲“背部 ”之製程的轉子架構係揭示於圖19A-C及20A-致上，於一“背部斜面蝕刻”製程中，提供一化 例如氫氟酸），以蝕刻、或由該晶圓之背部及/ 亦即該斜面邊緣選·擇性地移去金屬或氧化物層。 期間，雖然以化學溶液供給該背部及斜面，該晶 側邊係供給以一惰性氣體或以去離子水洗滌、或 之處理溶液》在蝕刻之後，該晶圓之已蝕刻側邊 側係供給以去離子水洗滌、迴轉以移去流體、及 氮氣乾燥。半導體蝕刻製程、包含該“背部斜面 程之一詳細說明係揭示於分派給本發明之受讓人 利第6,632,292號中，且以引用的方式倂入本文c 於一較佳具體實施例中，用於一“背部斜面 程之上轉子34係揭示於圖19A-C中。該上轉子 一製程用流體通道108，其與該上轉子34內部 中所形成之一環圈146相通。翻至圖20A-C，較 “背部斜面蝕刻”製程之下轉子3 6包含一密封 ，其圓周地延伸環繞著該下轉子36之外周邊。 晶圓表面 中，該轉 圖 17A-C 以允許製 上述轉子 斜面蝕刻 C中。大 學溶液（ 或周邊、 泛此製程_ 圓之頂部 另一選擇 及最好兩 以加熱之 蝕刻”製 的美國專 μ。 蝕刻”製 34包含 表面 148 佳用於該 構件1 1 8 最好，該 -16- 1355676 密封構件118係由一可壓縮之材料所形成。當該上轉子 34及下轉子36係嚙合時，該密封構件118變形及於這些 轉子之間建立一接觸面密封。該接觸面密封不是一完整之 密封。亦即，甚至有該接觸面密封，仍有“漏洞”，以允 許該處理室37之流體排出。於處理期間，來自磁鐵42,44 之磁力保持該下轉子36及上轉子34嚙合及在適當位置中 之接觸密封。於該“背部斜面蝕刻”製程期間，塗至該晶 圓背部之酸性製程用流體環繞著該晶圓之外圍或斜面邊緣 包圍於該晶圓頂部側邊之一部份上。其結果是，藉著施加 至該晶圓頂部側邊之惰性氣體，該酸性之製程用流體係強 迫進入該上轉子34之內部表面148中所形成之環圈146 ，且經過該上轉子34中之製程用流體通道108排出。 翻至圖21A-C，及如圖7A所示，該頭環33包含一邊 緣162及一垂直之圓柱形對齊表面164。當該頭部組件28 及基座組件30係關上時，該垂直之圓柱形對齊表面164 對齊該頭環33與該基座40，且邊緣162停靠在該基座40 之邊緣，以確保該上轉子34及下轉子36間之適當對齊。 現在將討論圖1-21所說明之新晶圓處理系統的改善 氣流及製程用流體排放論點。 首先，該頭部組件28具有複數氣流通道，其由該製 造車間環境把周圍之空氣吸入該頭部組件28及經過該處 理室16之基座40排出。如圖6所示，一環圈136係定位 在該頭部29中，剛好在該馬達38下方。該環圈136係連 接至一空氣吸氣機（未示出），其由離開該頭部29之馬 -17- 1355676 達38吸入氣態蒸氣或微粒。一吸氣機管子（未示出）經 由一附接至支座130之維護導管離開該頭部29。由該吸 氣機132所建立之負壓亦起作用，以移去任何可能來自該 頭部組件28或該基座40中之其他空氣通道的氣態蒸氣或 煙。 第二’翻至圖5-7及21A-C，複數通氣孔60係形成 在該頭環33中。如在圖21A-C中特別地顯示，該通氣孔 60由外殼15內之極小環境吸入空氣，並經過空氣槽道 124進入一內部容積或氣隙134，該氣隙由該上轉子34之 傾斜外部表面及該頭環33所形成。該內部氣隙134與一 槽道137栢通，該槽道包圍環繞著該上轉子34及該下一轉一 子36兩者之外圍，且持續向下進入該基座40之壁凹中所 形成之環狀流體排出孔腔80。最後，製程用流體蒸氣係 經過該環狀流體排出孔腔80中所形成之排氣通口 82排出 〇 第三，本發明之處理室16係亦設計成可釋放藉著於 —封閉處理室16中歷經執行各項操作所累積之內在壓力 。參考圖12-14，複數開口 71係形成在該基座40之上邊 緣73。該開口 71係連接至基座40下方部份所形成之排 氣槽道142。一幫浦等（未示出）係經由至少一、及最好 二排氣通口 72連接至該排氣槽道142,並建立一負壓及 —用於經過該槽道142排出製程用流體之路徑（由圖14 中之虛線所代表）。現在翻至圖5，當該頭部組件28係 降低及嚙合該基座40時，該頭環33中所形成之一環狀腔 -18- 1355676 室70蓋住該基座40之上邊緣73。該頭環33中之環狀腔 室70允許該上邊緣73中之開口 71承接於操作期間期間 “吹漏”之製程用流體。這些"吹漏”之製程用流體係藉 著該排氣槽道142中之負壓流出離開。又此製程路徑係藉 著圖5中之虛線所代表。據此，於操作期間期間，在該處 理室37中所累積之不想要壓力係減至最小。 第四，空氣係經過該頭部組件28及該基座組件30中 之開口直接引導進入該工件處理室。翻至圖12-16，該基 座組件30包含一中心定位之製程用流體塗佈器62，其由 該基座40向上地延伸。大致上，該製程用流體可爲一液 體、蒸氣或氣體、或液體/蒸氣/氣體之一組合。該基座 組件30中之製程用流體塗佈器62包含一後側通氣孔口 64。於一較佳具體實施例中，製程用流體塗佈器62包含 複數後側通氣孔口 64。該後側通氣孔口 64經由空氣槽道 66與通氣管68相通。該通氣管68係通至該外殼15內側 之極小環境，並允許空氣直接運送至該工件之背部。翻至 該頭部組件28及圖3-7，一空氣入口 140係形成在該組 件28之一中心部份。該空氣入口 140之一端點係通至該 極小環境，且一端點經過該上轉子34中之開口 106通入 該工件處理室。據此，空氣係由該極小環境吸入該工件處 理室，以直接提供空氣至該工件之頂部及背部。 於操作期間，製程用流體係施加至該工件之頂部及背 部。本發明之製程用流體塗佈器現在將更詳細地討論。該 頭部組件2 8及該基座組件3 0兩者包含製程用流體塗佈器 -19- 1355676 ◊參考圖13，該基座組件30具有一於該基座40中之製 程用流體塗佈器62。該塗佈器62包含一連接器74，用於 連接該製程用流體塗佈器至各種製程用流體供給源。據此 ，該塗佈器62包含額外之通口：例如橫側凹槽式通口 76 及孔口 78。該製程用流體塗佈器62中之通口及孔口向上 引導製程用流體經過該下轉子36中之開口 112朝向該工 件背部表面。譬如，於一較佳具體實施例中，空氣係經過 通氣孔口 64供給，一蝕刻劑（例如氫氟酸、硫酸、或一 混合之酸/氧化劑）係經過橫側凹槽式通口 76供給，去 離子水係經過第一孔口 78供給，及氮與及異丙醇係經過 用於引導一道淨化之氣體、諸如氮氣越過該工件表面。 現在參考圖5-11，及如上述，該頭部組件28亦包含 —製程用流體塗佈器32。該塗佈器32具有一噴嘴35，用 於引導製程用流體之液流經過入口 92,94及分別經過該頭 部29中之開口 100及該上轉子34中之開口 106流出進入 該工件處理室。經過噴嘴35及入口 9 2，94所提供之製程 用流體可爲相同或不同之流體。此製程用流體之例子包含 空氣中之氮、異丙醇、去離子水、過氧化氫、ST-250( — 種後灰燼去除劑溶液）、蝕刻劑（例如氫氟酸、硫酸）、 或其任何組合。該噴嘴35及入口 92,94軸向地往下延伸 經過該頭部29中之一套筒96(包括空氣入口 140)，以 便不會妨礙該耦合至馬達38之上轉子34的旋轉。 現在將說明圖1-21所說明新的晶圓處理系統之操作 -20- 1355676 。使該處理頭部組件位於一打開位置中，機器手臂26將 一工件24載入該處理室37，在此其坐落在由該下轉子36 延伸之支座隔絕栓銷50上。致動器13開始降低該頭部組 件28，直至其嚙合基座組件30。該頭環33之軸向中心延 伸部份122首先接觸該室組件，確保該頭部組件28及該 基座組件30係軸向地對齊。該頭部組件28繼續移動往下 ，直至該上轉子34與該下轉子36造成接觸。最後，施加 至該下轉子36之力量（由該致動器13經由上轉子34) 將克服該碗形基座40中之磁鐵42及該下轉子36中之磁 鐵44間之排斥磁力，並由（該基座40之）設有凹槽的安 裝構件144釋放（該下轉子36之）嚙合環110。該下轉 子36之嚙合栓銷54係插入該上轉子34中之對應孔46。 其可能需要稍微轉動該轉子34,36，以便對齊該嚙合栓銷 54與該孔46。 在處理器16之操作中之此時刻，該處理室37係於一 完全關閉、處理位置中。於此位置中，該工件24之裝置 或頂部側邊及上轉子34之內表面148形成第一處理室 102。該工件24之底部側邊或背部及該下轉子46之內表 面150形成第二處理室104。如上述討論者，流體塗佈器 32引導製程用流體至該第一處理室1〇2，而流體塗佈器 62引導製程用流體至該第二處理室1〇4。於一較佳具體實 施例中，該馬達38轉動該上轉子34或該下轉子36之一 。因爲該轉子34,3 6係嚙合，該工件24係迴轉，而製程 用流體係塗佈至該工件24之頂部及背部。液體經由離心 -21 - 1355676 力向外流動於該工件24上方。這以一相當薄之液體層塗 覆該工件24»該上及下轉子34,36與該工件24間之緊密 容差有助於提供一控制下及均勻之液體流動。假如使用， 氣體能淨化或局限各種液體之蒸氣，或同樣提供該工件 24之化學處理。該轉子34,36之迴轉移動驅動該流體在該 工件24上方徑向地朝外，且進入該基座40中所形成之環 狀腔室80。由此，該製程用流體經由流體排出管82離開 該基座40。該閥門84控制該製程用流體經過配件88之 釋放· 在處理完成之後，該致動器13藉著致動一馬達將該 頭部組件^ 2 8舉離該基座組件_ 3 0。於圖_ 2所示系統1 0中 ，該機器手臂26沿著該軌道23移動及使用末端效應器 31，以由該打開之處理室16移去該工件24。該機器手臂 26然後沿著該線性軌道23行進，用於在該輸入/輸出站 19進一步處理該工件24或執行一運送操作。 雖然本發明已以同時發生地提供不同製程用流體至該 裝置及工件之底部側邊之觀點作敘述，亦可使用經過單一 入口連續地提供之二或更多製程用流體施行單一工件之複 數連續式製程。譬如，一製程用流體、諸如一處理酸可能 藉著該下製程用流體塗佈器62供給至該下處理室104, 用於處理該工件24之下表面，而一不活潑之流體、諸如 氮氣體可能提供至該上處理室102。如此，該處理酸係允 許與該工件24之下表面起反應，而該工件之上表面係有 效地由氫氟酸反應隔絕。 -22- 1355676 參考圖22-36之敘述 翻至圖22-24，在此說明根據本發明之晶圓處理系統 的另一具體實施例。該系統包含一設有頭部153及基座 163之處理器150。該基座163最好係附接至機架142及 不會移動。該.頭部153係支撐在一致動器支臂151上，該 支臂舉起及降低該整個頭部153，以嚙合及分開該頭部 153與該基座163。該頭部153包含一上機架環166，其 可與該基座上之一下機架環168嚙合。該上機架環166上 方之一蓋子152由外在環境隔絕該頭部153之內部零組件 。頭部153中之一上轉子156係可與該基座163中之一下 轉子158嚙合，以環繞著工件160形成一處理室165。當 該頭部153係移入與該基座163嚙合或接觸該基座163時 ，該上轉子156移入與該下轉子158嚙合。一密封件或〇 型環170最好係包含於該上轉子156之一凸緣178及該下 轉子1 5 8之間，以控制該處理器1 5 0中之流體流動。 仍然參考圖22-24，第一或上流體塗佈器157運送一 製程用流體經過該上轉子1 5 6中之一開口、最好至該工件 160之上表面之一中心區域。該下機架環168中之第二或 下流體塗佈器159運送一製程用流體經過該下轉子158中 之一開口 190、最好至該工件160之下表面之—中心區域 及/或至該工件160之一邊緣區域，如下文所述。該第— 及第二流體塗佈器1 5 7,1 59可包含噴嘴、孔口、刷子、墊 子或其他同等物，用於塗佈或運送製程用流體至該工件。 -23- 1355676 一或多個流體排出管出口 180最好係位在或接近該上 轉子156之周邊或外部邊緣，用於由該處理室165移去製 程用流體。另外，一或多個水平之排氣預留孔181延伸經 過該凸緣178。於一較佳具體實施例中，譬如圖28-29, 提供三個水平隔開導向之排氣預留孔（每一孔具有大約 0.018至0.024吋或〇_4572至0.6096毫米之直徑），用於 在該密封件170上方排出該凸緣178及該下轉子15 8間所 捕獲之製程用流體》 如圖22及23所示，該頭部153中之馬達154最好包 含一附接至該上轉子156之馬達平板164» —裙部176由 該馬達平板1 64 ~往下突岀，且由該上及下檄架環166,168 隔絕該處理室。該馬達154轉動該馬達平板164，及依序 經由一定位環繞著該第一流體塗佈器157之軸心棒184轉 動該上轉子156。當該上轉子156係與該下轉子158嚙合 時，該二轉子156，158 —起轉動。該第一流體塗佈器157 係支撐在該馬達外殼155上，且不會與該上轉子156 —起 轉動。該軸心棒184係支撐在軸承262上，以允許該軸心 棒184、該馬達平板164、及該上下轉子156，158繞著一 垂直迴轉軸175之旋轉。 翻至圖25-29，該上轉子156包含複數往下突出之對 齊栓銷200。每一對齊栓銷200最好包含一錐形之前導端 點。該對齊栓銷200係最好坐落成至少局部環繞著該上轉 子1 56之外圍，且係已定位，以致當該工件1 60係定位於 該處理室中時，每一對齊栓銷200接觸一工件160之邊緣 -24- 1355676 。該對齊栓銷係以緊密之尺寸容差坐落在一與該迴轉軸 175或該軸心棒184同中心之圓上。其結果是，該對齊栓 銷2 00將該工件160集中於該處理室中，以致該工件160 係與該迴轉軸175精確地同心。 翻至圖30-34’ 一對隔開之肩部192係定位在該下轉 子158之外部邊緣。該肩部192包含栓銷承接表面，諸如 一溝槽或凹槽194、或呈個別孔洞之形式，用於承接一對 齊栓銷200之錐形前導端點。該凹槽194最好係錐形，以 對應於該對齊栓銷200之錐形前導端點。 該下轉子158上之每一肩部192最好包含向上突出之 下工件支撐栓銷196，其用於支撐該工件160及用於由該 下轉子158之內面或表面195隔開該工件160。該肩部 192最好係隔開，以提於它們之間供一載入/卸載凹槽 198，用於承接一末端效應器或其他工件載入裝置。據此 ，一支撐工件160之末端效應器可經過該肩部192間之凹 槽198進入該下轉子158，且然後當該處理器150係於該 打開位置中時，將該工件160設定於該下支撐栓銷196上 。如圖22,30及32所示，該肩部192上之栓銷196在該 下轉子197之上表面上方於一平面P (在圖32中虛線所 示）中支撐該工件或晶圓160。因此，該工件或晶圓160 之下表面係由該表面197垂直地隔開達例如由2-10或4-6 毫米。這允許該機器手臂之末端效應器在該工件之下方移 動，用於載入該工件或將該工件卸載進入該處理器。於對 照之下，如圖24所示，該上轉子之較低內表面201 (圖 -25- 1355676 28 )間之間距係遠較小，典型1,2,3或4毫米（當該處理 器係關閉或於該處理位置時）。如在圖28中亦顯示，該 上轉子之表面201具有一稍微圓錐形地逐漸變細之區段 203，其延伸在2-8或4-6度之角度。 參考圖34，該上轉子156最好包含往下突出之上工 件支撐栓銷210，用於固持該工件160頂抗該下支撐栓銷 196。該上支撐栓銷210最好至少在由該工件160之外周 邊或邊緣徑向朝內達2，3,4,5或6毫米之位置定位至接觸 該工件160之上表面。藉著在離該工件160之一外周邊至 少4毫米處定位該上支撐栓銷210，於該工件160之邊緣 處理""期間，該上支撑_桂銷2 ΠΓ係坐落一於該主要~流體流動路 徑之外面，如下文所敘述。如此，避免剩餘金屬之焊縫（ 例如銅電鍍），其可源自定位較接近至該工件周邊之上支 撐栓銷，且因此於該主要流體路徑中。 此外，如圖24-27所示，該馬達154之軸桿或軸心棒 184經由一軸板173直接連接至該上轉子組件上之馬達平 板164。因此，如於界定該迴轉軸之軸心棒184及定位該 工件之栓銷200之間有一更直接之連接。對照於稍早之設 計，迴轉同心率係已改善（至大約±0.5毫米）。於該工件 係藉著栓銷或其他部件定位在該下轉子上之其他設計中， 尺寸容差之累積能在該迴轉軸及該工件之間導致顯著之偏 心率（例如±.9毫米）。 如圖24所示，該上轉子156具有一襯圈或室板177 ，其最好由一耐腐蝕之材料、諸如Teflon® (氟樹脂）製 -26- 1355676 成。該室板係附接至該馬達平板164。該頭部153中之馬 達平板164及其他零組件典型係金屬、諸如不銹鋼。如圖 30-32所示，該下轉子將典型亦係由一耐腐蝕之材料或塑 、諸如Teflon®製成。這允許該處理器150更佳地耐得住 由處理中所使用之高反應氣體或液體、諸如酸類所造成之 腐蝕。該栓銷20 0係固定進入該馬達平板164及通過該室 板177。八栓銷20 0典型係在該上轉子上平均地隔開，雖 然可使用更多或較少之栓銷。 參考圖22-25，在該頭部153上或於該頭部153中， 該蓋子152;馬達外殼155;馬達154、流體塗佈器157 ' 及上機架環166係固定在適當位置中，且不轉動（雖然它 - 們可垂直地舉升）。當打開該馬達154時，該軸桿或軸心 棒184 (連接至該馬達軸桿或形成該馬達軸桿之一部份） :軸板173;包含該凸緣178、該裙部176及該襯圈板 177之馬達平板164全部一起轉動》 於該基座16中或在該基座16上，該下機架環168; 流體排出管208;閥門206;凸輪致動器204;流體塗佈 器或噴嘴159最好係固定在適當位置，且不轉動。當該下 轉子係與該上轉子嚙合及藉著該上轉子驅動時，包含該密 封件170、凸輪172、閂扣環174之下轉子158及圖30-32所示其他附接零組件與該下轉子一起轉動。 翻至圖35及36，一環狀開口 220係提供環繞著形成 該第一流體塗佈器157之歧管，以及環繞著一引導至該第 —流體塗佈器157之液體運送路徑161。諸如氮氣之淨化 -27- 1355676 氣體係由一入口 221供給進入該環狀開口 220。該環狀開 口 22 0由該入口延伸進入該處理室。藉著經由該環狀開口 22 0運送一淨化氣體進入該處理室，達成該淨化氣體進入 該處理室之非常均勻運送，並提供更均勻及可靠之處理。 參考圖1-2及22-3 6，於使用中，一艙器、卡匣、載 具或容器21係移動至該輸入/輸出站19上。假如該容器 係已密封，諸如一FOUP或FOSBY容器，該容器之門係 已經由該系統10中之機械手臂式致動器移去。一機器手 臂26然後由該容器21移去一工件160、將該工件160放 入一處理器150、及把該工件160固定於該下轉子158之 下支撐1T銷1 96上一。爲將該:T件1 60放飞於該下支擦栓銷 196上，該機器手臂26移動一支撐該工件160之末端效 應器31、或類似裝置、經過該下轉子158中之載入/卸 載凹槽198、及降低該工件160至該下支撐栓銷196上。 然後該機器手臂26由該處理器150退出該末端效應器31 。雖然另一選擇係能獨自提供該處理器150當作一手動載 入系統（無該輸入/輸出站19、機器手臂26、或該外殼 15)，圖1及2所示之自動化系統係較佳。 然後使得該上及下轉子156,158係彼此嚙合在一起， 最好藉著向下降低該頭部153進入與該基座163接觸。當 這發生時，該上轉子156係往下降低朝向該下轉子158。 該上轉子156上之對齊栓銷200之錐形前導端點移入該下 轉子158中之錐形開口或凹槽194，以將該上轉子156集 中在該下轉子上及環繞著該工件16〇形成該處理室 -28- 1355676 165。每一對齊栓銷200之錐形部份的內部邊緣最好接觸 該工件160之邊緣，以將該工件160集中在該處理室內。 其結果是，該工件160係與該處理室之垂直迴轉軸175同 心地定位。這有助於提供均勻及有效率之處理，特別是該 工件160之邊緣處理。 當該上轉子156係降低進入與該下轉子158嚙合時， 該上轉子156上之上支撐栓銷210緊緊接近或接觸該工件 160之上表面，以將該工件160固定或局限在該處理室內 。在使得該轉子靠在一起之後，該基座163中之凸輪致動 器2 04下移，造成凸輪172繞著樞軸旋轉及釋放一閂扣環 ' 174之各區段。然後該閂扣環區段徑向地向外移動及進入 - 該上轉子之凸緣178中之溝槽182。此操作係敘述在美國 專利第6,423,642號中，並以引用的方式倂入本文中。如 此，該下轉子158係固定至該上轉子156，以形成一組合 之轉子單元或組件185 (圖26及27)。 —旦該處理器150係於該關閉或處理位置中，一製程 用流體係經由該第一及第二流體塗佈器157，159之一或兩 者供給至該工件160之上及/或下表面。該轉子單元185 係藉著該馬達154所轉動。離心力建立流體越過該工件 160表面之連續式流動。製程用流體於一徑向朝外之方向 中由該工件160之中心至該工件160之邊緣移動越過該工 件表面》 在該處理室165之周邊’經過該上及/或下轉子 1 56,1 58中之流體排出管出口 180及/或其他排氣預留孔 -29- 1355676 181或流體排出管路徑，已用過之製程用流體由於該離心 力移出該處理室該已用過之流體收集於一流體排出管區域 208中，及可藉著打開一閥門206傳送至一再循環系統供 再利用、或至一棄置區供適當棄置。 當具有該第一製程用流體之處理步驟係完成時，諸如 氮氣之淨化氣體最好係送入該處理室165，以有助於由該 室移去任何剩餘之製程用流體。該淨化氣體最好係由該淨 化氣體入口 222送入環繞著該第一流體塗佈器157之環狀 開口 220。該淨化氣體持續經過該環狀開口 220進入該處 理室165。據此，該淨化氣體係以氣體之圓環形式送入該 處埋室「而有肋於淨化氣舊遍"及該~處理-室之芳勻^散布。其 結果是，製程用流體係更有力及有效率地由該處理室移去 〇 一旦該第一製程用流體由該處理室移去，可對於一或 更多額外之製程用流體施行類似處理及淨化步驟。一洗滌 步驟、最好使用一去離子（DI)洗滌水，可在每一處理步 驟之後施行，或可在完成所有處理步驟之後施行。可在該 最後處理或洗滌步驟之後施行一乾燥步驟，並以異丙醇（ IP A )蒸氣或另一乾燥流體施行。 —旦已完成處理，頭部153係舉起或由該基座163分 開，以允許接近至該工件160。於此打開位置中，該工件 160可由該處理室藉著該機器手臂26移去，且另一工件 160可藉著同一機器手臂26或藉著另一機器手臂放入該 處理室。 -30- 1355676 參考圖37及38之敘述 翻至圖37及38，其說明該處理器150之另二選擇具 體實施例，並可用於一工件160之邊緣處理。於這些具體 實施例中，一流體運送路徑係提供用於引導製程用流體至 該工件160之一邊緣，以致可施行邊緣處理。於這些具體 實施例中，製程用流體可經由該第二流體塗佈器159、或 經由一分開之流體運送裝置供給。 參考圖37，一下方之流體運送路徑230係形成於一 屏蔽板232及該下轉子158之內面之間。該屏蔽板232係 與該圓形工件160同軸，且具有一最好小於該工件之大約 2-12、4-10或5-8毫米之直徑。製程用流體係提供朝向該 屏蔽板之下表面的中心，且沿著該屏蔽板232經由離心力 徑向地向外引導。該流體流動離開該屏蔽板之圓周邊緣， 及流至該工件160之外部邊緣上。其結果是，僅只處理該 工件1 6 0之邊緣。 於圖38所說明之具體實施例中，由該第二流體塗佈 器159(或其它流體來源）至該工件160之邊緣直接提供 —流體運送路徑240。如此，製程用流體在該工件160之 邊緣直接進入該處理室，而與進入朝向該工件160之中心 及以一屏蔽板232導引朝向該工件之邊緣相反。該流體運 送路徑24 0可包含一流體運送管線242，或可僅只係該下 轉子158中之一或多條路徑或鑽孔。 假如於圖38所示具體實施例中亦想要該工件160之 -31 - 1355676 下表面的處理，一閥門或類似裝置可坐落在該第二流體塗 佈器159中，以選擇性地引導流體至該流體運送路徑240 、及至該工件160之中心。於一具體實施例中，該流體運 送路徑240可藉著一旋轉式中間接頭、或一類似裝置連接 至該第二流體塗佈器159，以致當該第二流體塗佈器159 保持固定不動時，可轉動該流體運送路徑2 40。 於圖37及38所說明之具體實施例中，該上轉子156 中之流體排出孔236及該下轉子158中之流體排出路徑 238允許該製程用流體由該處理室離開。諸如氮氣之淨化 氣體係最好於處理期間徑向朝外地引導在該工件160之上 方，以有助於引導該製程用流體出丟並_經過該流H撕出孔 23 6，以致該製程用流體不會接觸該工件160之內部或中 心表面。如圖38所示，一典型用於DI水之流體運送管 186往下延伸經過該歧管167中之開口或路徑161。該管 186終止至與該歧管167之下端齊平。如與使該管186由 該歧管167甚至稍微凹入或突出作比較，使該管186齊平 將減少滴下。 如圖37及38所示，該密封件170係環繞著該下轉子 158之外面定位在一溝槽或槽道171中。在該溝槽171邊 緣之一切面169有助於減少或防止流體之點滴於分開期間 黏住至該上轉子，及隨後掉落在該工件上且造成潛在之損 壞或污染。如圖32所示，該溝槽171之邊緣可另一選擇 爲圓形或設有半徑之圓弧。 仍然參考圖37及38,該處理器150使用改善之空氣 -32- 1355676 及氣流設計’並急劇地加速工件乾燥。這減少所需之處理 時間及增加製造效率或產量。於乾燥期間，由於環繞著該 處理器之中心經由該迴轉移動所建立之低壓區，清潔之乾 燥空氣（可能已過濾及/或加熱）向下流經該開口 167。 藉著圖36中箭頭所示，此空氣撞擊在該工件之頂部表面 上’且然後向外流動。假如於乾燥期間亦使用（氮）氣體 ’則該空氣與流自該環狀開口 22 0之氣體混合。然後該空 氣及氣體流出經過該流體排出孔。與需要例如60秒供乾 燥之稍早設計相較，圖35及36所示處理器於大約20秒 中乾燥一工件。 該處理系統10中之處理器零組件可由任何合適之材 料製成，諸如Teflon® (合成之含氟樹脂）或不銹鋼。典 型用於處理工件、諸如半導體晶圓之任何製程用流體可用 於該處理系統10中。譬如，含水或氣態臭氧、含水或氣 態HF或HCL、阿摩尼亞、氮氣、IPA蒸氣、DI洗滌水、 H2S04等可用來施行各種處理步驟。於使用強酸或溶劑之 應用中，諸如HF或H2S04，其較佳係使用Teflon®零組 件，以致該轉子零組件不會因該處理化學成份受損。最好 ，該第一及第二流體塗佈器1 5 7,1 59係與各出口連接，並 具有分開之出口，而用於DI水、清潔之乾燥空氣、氮、 及一或多種上列之液體製程化學藥品。可用一或多個閥門 以控制液體及氣體經過該第一及第二流體塗佈器157,159 之流動》 額外之系統零組件，諸如IPA蒸發器、DI供水源、 -33- 1355676 加熱元件、流量計、流動調節器/溫度感測器、閥門機構 等亦可包含在該處理系統10中，如於現存系統中所常見 者。該處理系統10之所有各種零組件可受一具有適當軟 體程式規劃之控制器單元所控制。 參考圖41-46之敘述 圖41說明於一向上、打開或工件載入/卸載位置中 之工件處理器316»當於該打開位置中時，一工件324可 載入該處理器316及由該處理器316卸載。該機器手臂支 臂320包含一末端效應器322，用於將一工件324載入該 處器3 Γ6及由該— 處理器3T6卸―載一工件3 Y4。— 於一— 較隹— 具體實施例中，該機器手臂3 20係支撐在一機器手臂基座 上，其沿著該空間18中之一軌道23線性地移動（如圖2 所示）。該機器手臂在該外殼內移動，用於運送工件至各 種處理站14及由各種處理站14運出該工件。該處理器 316(或16’如圖2所標示）最好係配置在第—及第二圓 柱中，如圖2所示’使得第一及第二機器手臂26僅只分 別載入及卸載工件進入該第一及第二圓柱中之處理器。然 而，亦可使用其他設計。譬如，可使用單一機器手臂，以 載入及卸載所有處理器16或316。另一選擇係，以轉線 操作’可使用二機器手臂’以致任一機器手臂能載入及卸 載任何處理器16或316。 翻至圖42’該處理器316包含一上轉子326，其可與 —下轉子328嚙合’以形成一處理室351。於所示具體實 -34- 1355676 施例中，該工件324係一具有平坦之上下表面的圓形晶圓 〇 該上轉子326最好係環狀，並具有一相當大之中心開 口或鑽孔332。該鑽孔332最好具有一直徑，其百分之 20-80、百分之30-70、或百分之40-60大於一工件324之 直徑。譬如，假如該處理器係架構成可處理200毫米直徑 之晶圓，該鑽孔332之直徑最好係於100及150毫米直徑 之間、更好大約125毫米直徑。 —或多個氣壓式氣缸338或其他致動器係附接至該支 撐板3 34，用以在圖4143所說明之打開位置及圖44-46 所說明之關閉位置之間升高及降低該上轉子326。 該下轉子328最好係固定在一基座340上之適當位置 中，以使該上轉子326係可降低至嚙合或接觸該下轉子 328，以形成該處理室351。於另一選擇具體實施例中， 該下轉子328可舉起，以嚙合一固定之上轉子3 26，或該 二轉子326,328可移動朝向彼此，以形成該處理室351。 該工件324最好係支撐在複數下支座327上之處理室 中，該下支座由該下轉子328向上地延伸。該上轉子326 上之上支撐栓銷329大致上傾向於限制離開該下支座327 之工件之向上移動，如圖43所示》該工件324可另一選 擇地固定，如在美國專利第6,423,642號中所敘，其揭示 內容以引用的方式倂入本文中。 參考圖42，一環狀外殻355係附接至該板334。該上 轉子326上之一環狀凸緣343延伸進入該外殼355中之一 -35- 1355676 環狀凹槽353。一下磁鐵環357係附接在該凸緣3 43之頂 部。該上轉子326、該凸緣343、及磁鐵環357形成一上 轉子組件359，其在該外殼355內當作一單元般迴轉。該 上轉子326最好具有一內部PVDF或Teflon® (氟樹脂） 襯圈361，其附接至一金屬、例如不銹鋼環3 63，並支撐 該凸緣351。該下轉子亦最好係PVDF或Teflon®。三支 栓銷352在該下轉子328之周邊向上延伸，用於嚙合或插 入該上轉子中之開口或插孔354。該栓銷352具有逐漸變 細之錐形尖端，以使該下轉子與該上轉子當它們靠近在一 起時對齊。於處理期間，當這些轉子如一轉子單元335般 —1E遯轉時，該栓If 3T2亦由1下-轉子傳送扭矩至_該上轉 —環板367係附接至該外殻355。該上轉子326之頂 部端點向上延伸經過該環板367。一上磁鐵環369係附接 至該環板367。該上磁鐵環369排斥該下磁鐵環3 57。該 環板367具有一錐形區段371，其壓在該板334上面及附 接至該板334。該板334、外殻355、環板367及錐形區 段371、及該上磁鐵環3 69形成一外殼組件373，其經由 該致動器338垂直地移動，但不會轉動。相反地，該上轉 子組件359在該固定不動之外殻組件3 73內轉動。如圖 42所示，使該處理器316位於該打開或向上位置中，該 上轉子組件359之凸緣343停靠在該外殼355之環狀唇部 或架子377上，而在該轉子組件359及該外殼組件373之 間無其他接觸。當該處理器係位於該打開或向上位置時， -36- 1355676 反測定（anti-clocking)栓銷358 (圖45)由該唇部377 向上延伸進入該凸緣343，以保持該上轉子與該下轉子呈 有角對齊。 如圖45所示’使該處理器316位於該往下或關閉位 置中，該上轉子組件359係浮動或懸浮在該外殼355內， 亦即於該上轉子組件359及該外殼355或外殼組件373之 任何部份之間無實質之接觸。該磁鐵環357及369之相斥 力驅動該上轉子組件359向下與下轉子328形成接觸，而 沒有實質之接觸。該磁鐵環357及369可藉著個別之磁鐵 、電磁鐵或其他磁性元件所更換。 既然該上轉子326係懸浮，且在該上轉子326或上轉 子組件359及周圍之結構、諸如該外殻355、板367或板 334之間無物理或機械式連接，當它們靠近在—起時，該 上轉子326本身可與該下轉子328自動地對齊。因此避免 該上轉子對該下轉子之精密對齊的需求。此外，因於處理 期間在該固定式外殼組件3 73及該轉動式轉子組件3 5 9之 間無物理接觸，產生汙染微粒之潛在可能性係大幅減少。 當該上及下轉子靠近在一起時，一面密封件或另一密 封元件331可用於在該上及下轉子326,328之間形成一密 封。對於一些應用，不需要密封件。該上及下轉子 3 2 6,328最好僅只在該密封件331彼此接觸。該密封件 331可位於該轉子326,32 8之一或兩者的內面上，且最好 係坐落環繞著該轉子之周邊。 當這些轉子326，328係靠近在一起時，它們形成一組 -37- 135-5676 合之轉子單元335，並可經由一支撐在基座3 40上之馬達 339旋轉。該馬達339係包含在附接至一基板340或該機 架312之馬達外殼337中。一馬達轉子375係接合至一背 撐板341，其附接至該下轉子328及支撐該下轉子328 « 如圖42-43所示，該馬達轉子375具有一直徑，其至少係 該工件直徑之百分之50,60,70,80,90或100。這允許用於 該系統之改善動態平衡、及更少之震動。一阻隔環378與 該背撐板341之底部形成一曲折路徑》這有助於減少任何 微粒由該馬達向外遷移及往上朝向該工件。在該下轉子之 中心，一錐形凹部形成貯槽381，其收集及排離雜散液體 。一流體排3Γ管出口 DO延7申經過該上轉子，姙圖ί2所充 〇 當該轉子單元335轉動時，空氣係經過該上轉子326 中之開口或鑽孔332被吸入該處理室351。該鑽孔332係 相當大，且該室出口係限制至一遠較小之剖面積。這在該 處理室內建立一低壓力差。此低壓力差導致空氣在一低速 率下流入該處理室。其結果是，相較於現存之設計，遠較 少之汙染微粒係極可能藉著該進來之氣流被吸入該處理室 。這減少該工件被污染之機會。 如在圖44-46所說明，一上噴嘴342或流體塗佈裝置 延伸進入該上轉子326中之鑽孔332。該噴嘴342供給一 或多種製程用流體至該工件3 24之一上表面。該上噴嘴 342係附接至一相當無彈性之上流體運送管或管線344的 —端點。該上流體運送管線344係附接至一動力化上昇及 -38- 1355676 轉動機構3 46，其能於一來回地交替移動中升高及降低、 以及繞著樞軸旋轉該上流體運送管線3 44及該上噴嘴或出 口 342。據此，該上噴嘴342係可在該上工件表面之上方 移動，用於分配製程用流體至該上工件表面之不同部份。 另外，該上噴嘴342可舉離該鑽孔3 32及繞著樞軸旋轉離 開該處理室，以致該上轉子3 26可升高進入該打開或工件 承接位置* 參考圖47-48之敘述 如在圖47所說明，該上噴嘴342之上流體運送管線 344可包含一流體收集區345、或“ Ζ形門瓣”，用於在 流體運送至該處理室係結束之後收集製程用流體。於現存 系統中，在流體運送已停止之後，有過多之流體由該上噴 嘴或管子滴在該工件上之潛在可能性。這可導致工件污染 或其他缺陷。已使用吸回及氣體淨化技術，以意圖完全排 空該流體運送管，但殘留之液滴仍常發生。如此，可採用 該收集區345,會同吸回或淨化操作，以收集該殘留之流 體，以致其不會滴入該處理室。 該流體收集區3 45最好係藉著第一管段347所形成， 其以一角度向上地延伸，並連接進入第二管段349，該第 二管段包含於該上流體運送管線3 44或上噴嘴3 42中，以 致製程用流體係引導朝向該處理室。該流體收集區345最 好係足夠大，以包含數滴淨化或吸回進入該收集區345之 流體。如在圖48所說明，倂入一收集區345或Ζ形門瓣 -39- 1355676 之噴嘴3 42可藉著一分開之零組件所製成，該零組件可附 接至該上流體運送管或管線344之一端點。 如在圖42及45所說明，一下噴嘴348或另一流體運 送出口係最好中心定位在該工件324下方，用於運送一或 多種製程用流體至該工件3 24之一下表面。一下流體運送 管或管線350係附接至該下噴嘴348，用於供給流體至該 下噴嘴348»該下流體運送管線350可由相同或由不同流 體貯槽供給製程用流體，而由該貯槽供給該上流體運送管 線3 44。如此，該工件3 24之上及下表面能以相同或以不 同之製程用流體同時、或連續地處理。該噴嘴342及348 ~可爲任何形狀或式之噴灑噴嘴_或_塗~佈器，或它們_可飞簡 單之出口或開口，以於任何形式或狀態下供給一製程液體 或氣體或蒸氣至該工件。 該流體排出管出口 3 30係環繞著該上轉子3 26之周邊 隔開，如圖42所示。當該轉子單元335於處理期間迴轉 時’該流體排出管出口 330允許流體經由離心力離開該處 理室351。另一選擇係，該流體排出管出口 330可位於該 下轉子中或在該上及下轉子兩者上。亦可用其他形式提供 該流體排出管出口 33 0，諸如於這些轉子間之一凹槽或一 開口。如在圖4 1 -46所說明，一環狀流體排出管組件3 70 係定位環繞著該轉子單元3 3 5。該流體排出管組件3 70最 好係可經由一舉昇機構或起卸機372垂直地移動。該起卸 機3 72包含一附接至該流體排出管組件37〇之銜鐵3 74。 一馬達379轉動一螺旋千斤頂376，以升高及降低該銜鐵 •40- 1355676 3 74及該流體排出管組件370。 該流體排出管組件370包含複數流體排出路徑，其係 可與該處理室中之出口 330分開地對齊。三流體排出路徑 3 8 0,3 82，3 84係顯示在圖42及43中，但任何想要數目的 流體排出路徑可包含於該流體排出管組件3 70中。提供複 數流體排出路徑，以致不同處理化學品、以及去離子水可 由該處理室沿著分開之路徑移去，並消除該處理化學品及 該DI水間之交叉汙染。該流體排出路徑380,3 82,3 84引 導至一系統流體排出管386，其最好由該流體排出路徑 380,382,384下方延伸出該處理器316。 當該上轉子構件326係位於該打開或工件承接位置時 ，該流體排出管組件370最好係在其最低位置，毗連該基 座340，如圖41-43所說明。這允許一工件324載入該處 理器316及由該處理器316卸載，如圖41所示。當該上 轉子326係降低進入該關閉或處理位置時，該流體排出管 組件3 70係藉著該起卸機372所升高，以對齊該流體排出 路徑380,382或384之一與該處理室中之出口 330，如圖 44-46所說明。 製程用流體係由該處理室經過該出口 330經由該轉子 單元之旋轉所產生之離心力所移去。然後該流體沿著已與 該處理室出口對齊之流體排出路徑流動，及持續進入該管 376’並由該工件處理器316移去該流體。然後該製程用 流體可再循環或送至一棄置區。 參考圖2，於使用中，一艙器、卡匣、載具或容器21 -41 - 1355676 係移動至該輸入/輸出站19上。假如該容器係已密封， 諸如一 FOUP或FOSBY容器，該門係已經由該系統1〇中 之機械手臂式致動器移去。該機器手臂26(於圖41中稱 爲參考數字320)然後由該容器21移去一工件24 (於圖 22-40及41-46中亦分別稱爲224,324 )，及於一處理器 316中放置於該工件24,如圖41所示。該處理器316係 於該向上或打開位置中，且該流體排出管組件70係於該 向下位置中，如圖41所示。雖然該處理器316亦能獨自 提供當作一手動載入系統（無該輸入/輸出站19、機器 手臂26、或該外殻15)，圖1及2所示之自動化系統係 較厓》 一 — — — 一- 往回翻至圖41_46，該工件324係定位在該下轉子 3 28之工件支座327上。然後該上轉子326係經由該致動 器338往下降低，及與該下轉子構件3W嚙合，以環繞著 該工件3 24形成一處理室351。該磁鐵或磁鐵環357及 369之排斥迫使該上轉子頂抗該下轉子，使得該面密封件 在該周邊形成一密封。該上轉子構件3 26上之隔開構件或 支撐栓銷329緊密地接近或接觸該工件324之上表面，以 將該工件固定至或局限在適當位置。 —旦該轉子單元335係位於該關閉或處理位置中，該 流體排出管組件3 70係藉著該起卸機3 72所升高，以致其 係定位環繞著該轉子單元。一用以移去已用於處理該工件 3 24之第一製程用流體之流體排出路徑380係與該出口 330對齊。至該流體排出路徑380,382,3 84之入口及該出 -42- 1355676 口 3 3 0間之間距係減至最小，以致離開該出口 移入該流體排出路徑，而非往下延伸至該下轉 另一選擇係，可使用環狀環密封件，以有助 330移動液體進入該流體排出路徑，而不會滴] 在該流體排出路徑380係適當地對齊之後 流體係經由該上及下流體供給管344,3 50之一 至該上及下噴嘴或出口 342,328之一或兩者， 用流體運送至該工件324之上及/或下表面。 大致上係藉著該馬達339轉動，以經由離心力 3 24之表面產生流體之連續式流動。製程用流 —徑向朝外之方向中由該工件324之中心至該 邊緣驅動越過該工件表面。該上噴嘴3 42可藉 舉昇及轉動機構346在該鑽孔332內來回移動 地將製程用流體分佈至該上工件表面。 當該轉子單元轉動時，空氣係經過該上轉 中之鑽孔3 3 2及外殼組件3 73吸入該處理室 332係相當大，且該處理室351大體上係關上 出口 3 3 0以外，該空氣在一相當低速率下流經 如此減少捕獲能污染該工件之微粒的可能性。 在該室351之周邊，已用過之製程用流體 力經過該出口 330移出該處理室。然後該製程 流動至該流體排出路徑3 8 0及經過該流體排出: 。該用過之流體可傳送至一再循環系統供再利 棄置區供適當棄置。該流體排出管386可伸縮 33 0之液體 子之兩側。 於由該出口 落或滲漏。 ，一製程用 或兩者供給 並將該製程 該轉子單元 越過該工件 體係如此於 工件324之 著該動力化 ，以更平均 子組件35.9 。因該鑽孔 ，除了在該 該處理室， 由於該離心 用流體往下 管3 86流出 用，或至一 地延伸至隨 -43- 1355676 著該流體排出管組件3 70上下移動。 當完成該具有第一製程用流體之處理步驟時，一淨化 氣體、諸如氮氣最好係由該噴嘴3 24及/或30噴向該出 口 330，以有助於由該室移去任何剩餘之製程用流體。依 是否第二製程用流體或DI洗滌水將接下去使用而定，該 流體排出管組件3 70係藉著該舉升機構3 72進一步升高， 以對齊該適當之流體排出路徑382或384與該出口 330。 譬如，假如接下去施行一以DI洗滌水所作之洗滌步 驟，該起卸機372舉高該流體排出管組件370，直至流體 排出路徑3 84係與該處理室中之出口對齊。然後DI洗滌 求係噴在"該工I表面且經·由離;CT力移斬越過葭工伴表 面至該工件324之外周邊。該DI洗滌水流經該出口 330 進入該流體排出路徑3 84。然後該DI洗滌水沿著該流體 排出路徑384流動進入該管386，用於由該工件處理器 316移除。因分開之流體排出路徑係用於該第一製程用流 體及該DI洗滌水，當它們離開該處理室時，這些液體不 會混合，且不會發生交叉汙染。 可對於一或多種額外之製程用流體施行類似步驟。可 在每一處理步驟之後施行一洗滌步驟，或可在完成所有處 理步驟之後施行。以異丙醇酒精（IPA)蒸氣、或另一乾 燥流體施行之一乾燥步驟可在該最後之處理或洗滴步驟之 後施行。於一較佳具體實施例中，一流體排出路徑係分派 至所使用之每一種製程用流體，包含該DI洗滌水。如此 ，避免不同處理化學品、以及該DI洗滌水間之交叉汙染 -44 - 1355676 一旦已完成處理，該流體排出管組件3 70係降低及該 上轉子構件326係升高至允許移出/入該工件324，如圖 41-42所示。於此打開位置中，該工件324可由該處理室 移去，且另一工件可放入該處理室。 該處理系統10中之轉子及流體排出管零組件可由任 何合適之材料製成，諸如Teflon® (合成之含氟樹脂）或 不銹鋼。典型用於處理工件、諸如半導體晶圓之任何製程 用流體可用於該處理系統10中。譬如，含水或氣態臭氧 、含水或氣態HF或HCL、阿摩尼亞、氮氣、IPA蒸氣、 DI洗滌水、H2S04等可用來施行各種處理步驟。於使用強 酸或溶劑之應用中，諸如HF或H2S04，其較佳係使用 Teflon®處理零組件，以致該轉子零組件及流體排出管不 會因該處理化學品受損。最好，該上噴嘴或出口 342及下 噴嘴3 48係與各出口連接，並具有分開之出口，而用於 DI水、清潔之乾燥空氣、氮、及一或多種上列之液體製 程化學藥品。接近該管3 5 0下端之一或多個閥門3 90控制 液體及氣體經過該下噴嘴3 4 8之流動。該下噴嘴3 48可包 含例如四個分開之子噴嘴，每一子噴嘴專用於單一液體或 氣體。 額外之系統零組件’諸如IPA蒸發器、DI供水源、 選擇性之加熱元件 '選擇性之流量計、選擇性之流動調節 器/溫度感測器、閥門機構等亦可包含在該處理系統中， 如於現存系統中所常見者。該處理系統10之所有各種零 -45- 1355676 組件可受一具有適當軟體程式規劃之控制器單元17所控 制。 雖然該處理頭部、處理頭部組件、室組件、轉子、工 件及其他零組件係已敘述爲具有直徑，它們亦可具有非圓 形之形狀。再者，本發明已關於一晶圓或工件作說明。然 而，其將認知本發明具有一更寬廣範圍之適用性。經由例 子，本發明係可應用於平板顯示器、微電子光罩、及其他 需要有效地及控制下之濕式化學處理之裝置的處理。 【圖式簡單說明】 圖一厂係-根-據I發-明件I理-系-統-的I視-圖一。 圖2係圖1所示工件處理系統之一頂部平面圖，並爲 說明之目的已移去一些零組件。 圖3係根據本發明一具體實施例之工件處理器的透視 圖。 圖4係圖3所示工件處理室之一頂部視圖。 圖5係圖4所示工件處理器之一橫截面視圖，並取自 沿者虛線Α-Α。 圖6係圖4所示工件處理器之一橫截面視圖，並取自 沿著虛線Β-Β » 圖7係圖4所示工件處理器之一橫截面視圖，並取自 沿著虛線C-C。 圖7Α係圖7中標以Α之處理器區域的一局部放大視 圖。 -46 - 1355676 圖8係根據本發明之處理頭部組件的一透視圖。 圖9係圖8所示處理頭部組件之一頂部視圖。 圖10係圖9所示處理頭部組件之一橫截面視圖，並 取自沿著虛線A-A。 圖11係根據本發明之處理頭部組件的底部部份之一 透視圖。 圖12係根據本發明之一基座組件的頂部部份之透視 圖。 圖1 3係圖1 2所示基座組件之一頂部視圖。 圖1 4係圖1 3所示基座組件之一橫截面視圖，並取自 沿著虛線A - A。 圖1 5係圖1 3所示基座組件之一橫截面視圖，並取自 沿著虛線B-B。 圖1 6係圖1 3所示基座組件之一橫截面視圖，並取自 沿著虛線C-C。 圖17A係根據本發明一具體實施例之上轉子的頂部 透視圖。 圖1 7B係圖1 7A所說明上轉子之一橫截面視圖。 圖17C係圖17A及17B所說明上轉子之一底部透視 圖。 圖18A係根據本發明一具體實施例之下轉子的頂部 透視圖。 圖1 8B係圖1 8A所說明之下轉子的一橫截面視圖。 圖18C係圖18A及18B所說明之下轉子的一底部透 -47- 1355676 視圖。 圖19A係根據本發明另一具體實施例之上轉子的頂 部透視圖。 圖19B係圖19A所說明之上轉子的一橫截面視圖。 圖19C係圖19A及19B所說明之上轉子的一底部透 視圖。 圖20Α係根據本發明另一具體實施例之下轉子的一 頂部透視圖。 圖2 0Β係圖20Α所說明之下轉子的一橫截面視圖。 圖2 0C係圖20 Α及20Β所說明之下轉子的一底部透 曹聲: 圖21A係根據本發明之處理頭部組件的頭環之一頂 部透視圖。 圖2 1 B係圖2 1 A所說明頭環之一橫截面視圖。 圖21C係圖21B中標以A之頭環區域的一局部放大 視圖。 圖22係圖2所示根據本發明一具體實施例的處理器 之一的切開透視圖。 圖23係圖22處理器之一剖視圖。 圖24係圖22處理器之一局部放大剖視圖。 圖25係圖22處理器之一分解透視圖。 圖26係取自圖25沿著剖線a-a之一剖視圖。 圖27係取自圖25沿著剖線b-b之一剖視圖。 圖28係取自圖25沿著剖線a-a之一剖視圖，且爲說 -48 - 1355676 明之目的僅只顯示該上轉子。 圖29係取自圖25沿著剖線b-b之一剖視圖，且爲說 明之目的僅只顯示該上轉子。 圖30係圖22之處理器的下轉子之頂部透視圖。 圖31係圖30之下轉子的底部透視圖。 圖32係圖30及31之下轉子的一剖視圖。 圖33係圖22處理器中之上轉子與下轉子嚙合的一局 部放大剖視圖，並顯示一工件對齊栓銷。 圖34係圖22處理器之上轉子與下轉子嚙合的一局部 放大剖視圖，並顯示一上工件支撐栓銷。 圖35係圖22所示處理器之頭部的一剖視圖，並爲說 明之目的已移去該上轉子。 圖3 6係圖3 5所示頭部中之淨化氣體歧管的放大剖視 ra*] 圖0 圖37係另一選擇具體實施例處理器之局部剖視圖， 並具有一屏蔽板，用於引導一製程用流體至該處理室中之 一工件的邊緣。 圖3 8係一處理器之局部剖視圖，並具有一流體運送 路徑，用於直接運送一製程用流體至該處理室中之一工件 的邊緣。 圖39係另一選擇處理器之基座的剖視圖，並具有一 下轉子之空氣入口》 圖40係圖25所示上轉子內側之一透視圖。 圖41係圖2所示根據本發明一具體實施例的處理器 -49- 1355676 於一載入/卸載位置中之透視圖^ 圖42係圖4 1處理器之一剖視圖。 圖43係圖41處理器之一剖視圖，並具有一引入該處 理室之可移動流體運送管。 圖44係圖41處理器之_透視圖，並顯示在一處理位 置中。 圖45係圖44處理器之一剖視圖。 圖46係圖44處理器之一橫截面視圖，並具有一引入 該處理室之可移動流體運送管。 圖47係一流體運送管線之橫截面視圖，並具有一流 麗收集區—域。… ------ — — —— _ 圖48係一噴嘴或液體供給出口之透視圖，並具有一 流體收集區域。 【主要元件符號說明】 10 處理系統 13 致動器 14 處理站 15 外殼 16 處理器 17 控制/顯示器 18 平臺 19 輸入/輸出站 21 載具 -50- 軌道 工件 機器手臂 處理頭部組件 處理頭部 基座組件 末端效應器 流體塗佈器 頭環 上轉子 噴嘴 下轉子 處理室 馬達 安裝基座 磁鐵 碗形固定座 磁鐵 埋頭鑽孔 裙部 栓銷 栓銷 栓銷 0形環 -51 - 通氣孔 塗佈器 孔口 槽道 通氣管 腔室 開口 通口 邊緣 連接器 通口 孔口 腔室 流體排出管 提升閥 致動器 連接器 入口 入口 套筒 開口 處理室 處.理室 開口 -52- 1355676 108通道 1 1 0嚙合環 1 12 開□ 1 1 4垂片 1 1 8密封構件 1 2 0栓銷 122延伸部份 124槽道 130支座 132吸氣機 1 3 4氣隙 1 36環圈 137槽道 140 入口 142槽道 144安裝構件 146環圈 148表面 1 5 0表面 151支臂 152蓋子 153頭部 1 5 4馬達 1 5 5馬達外殼 -53 上轉子 塗佈器 下轉子 塗佈器 刻槽 運送路徑 邊緣 基座 表面 處理室 機架環 歧管 機架環 切面 〇形環 溝槽 凸輪 軸板 閂扣環 迴轉軸 裙部 室板 凸緣 出口 -54- 1355676 1 8 1排氣預留孔 182溝槽 1 8 4軸心棒 185轉子單元 186運送管 1 9 0 開口 192肩部 194溝槽 195內面 196栓銷 197表面 198凹槽 2 0 0栓銷 201表面 2 0 3 區段 204致動器 206閥門 208流體排出管 210栓銷 220 開口 221 入口 222 入口 2 2 4工件 23 0運送路徑 1355676 232 236 238 240 242 262 3 12 3 16 320 322 3 24 326 327 328 329 330 33 1 332 334 335 337 338 339 屏蔽板 流體排出孔 流體排出路徑 運送路徑 運送管線 軸承 機架 處理器 機器手臂 末端效應器 工件 上轉子 支座 下轉子 支撐栓銷 流體排出管出口 密封件 鑽孔 支撐板 轉子單元 外殼 氣缸 馬達 340基座 1355676 3 4 1背撐板 342噴嘴 343凸緣 344運送管 345收集區 346轉動機構 347管段 348 噴嘴 349管段 3 5 0運送管線 351處理室 3 5 2栓銷 3 53 凹槽 354 開口 3 5 5外殼 3 5 7磁鐵環 3 5 8栓銷 359轉子組件 361襯圈 3 63 不銹鋼環 367環板 369磁鐵環 3 70流體排出管組件 3 7 1錐形區段 -57 1355676 3 72起卸機 3 73外殼組件 374銜鐵 3 75轉子 376螺旋千斤頂 3 77唇部 3 7 8阻隔環 379馬達 3 80流體排出路徑 3 8 1貯槽 3 82流體排出路徑 3 84流體排出路徑 3 8 6流體排出管 3 9 0閥門