TWI352410B - Cdim package structure with pre-setting fan out st - Google Patents

Description

1352410 2011年6月30曰修正替換頁 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種半導體結構之封裝方法，特別是利將晶粒上 的焊塾重新配置於基板上時’與基板上之金屬線段形成電性連接之封 裝結構及其方法。 【先前技術】 半導體的技術已經發展的相當的迅速，因此微型化的半導體晶粒 (Dice)必須具有多樣化的功能的需求’使得半導體晶粒必須要在很小的 區域中配置更多的輸入/輸出墊(I/O pads)，因而使得金屬接腳(pins)的 密度也快速的提高了。因此，早期的導線架封装技術已經不適合高密 度之金屬接腳；故發展出一種球陣列(BaU Grid An^: BGA)的封裝技 術，球陣列封裝除了有比導線架封裝更高密度之優點外，其錫球也比 較不容易損害與變形。 隨著3C產品的流行，例如：行動電話（CeU ph〇ne)、個人數位助 理（PDA)或是iP〇d等，都必須要將許多複雜的系統晶片放入一個非 常小的空間中，因此為解決此一問題，一種稱為「晶圓級封裝卜命 level package ; WLP)」之封裝技術已經發展出來，其可以在切割晶圓 成為-顆顆的晶粒之前’就先對晶圓進行封裝。美國第5,323，G5l號專 利即揭露了這種「晶圓級封裝」技術。然而，這種「晶圓級封裝」技 術隨著晶粒主動面上的焊塾(pads)數目的增加，使得焊塾㈣也)之間距 過小，除了會導致訊號麵合或訊號干擾的問題外，也會因為焊塾間距 過小而造成封裝之可靠度降低等問題。因此，當晶粒再更進一步的縮 小後’使得前述的封裝技術都無法滿足。 ’ 為解決此一問題，美國第7，196,408號專利已揭露了 一種將完成半 導體製程之晶圓，經過測試及切雛，將戦結果為良好的晶粒（g⑽d 5 1352410 2011年6月30曰修正替換頁 die)重新放置於另一個基板之上，然後再進行封裝製程，如此，使得 這些被重新放置的晶粒間具有較寬的間距，故可以將晶粒上的焊塾適 當的分配，例如使用橫向延伸（fanout)技術，因此可以有效解決因間 距過小，除了會導致訊號耦合或訊號干擾的問題β 然而，為使半導體晶片能夠有較小及較薄的封裝結構，在進行晶 圓切割前’會先對晶圓進行薄化處理，例如以背磨（backsidelapping) 方式將晶III薄化至2〜2〇mi卜雜再切纖-麵的晶粒。此—經過薄 化處理之晶粒，經過重聽置在p基板上，再以注财式將複數個 晶粒形成-娜體；由於晶粒㈣’使得娜體也是非f的薄，故卷 封膠體脫離基板之後，郷體本赖應力會使得封職產生魅曲，^ 加後續進行切割製程的困難。 曰 另外，在晶圓切割之後，重新配置在另-個基板時，由於新的基 板的尺寸較絲的尺寸為大，因此在賴植球製財，會轉 其封裝結構可靠度降低。 … ^ ⑽曰日孤里_己置〜—時間較長，會造成㈣ 本的增加，轴，本發戦供—_由晶粒與基板上之 連接之晶粒重新配置權方法，其關 而達到降低製造成本。 4舰㈣製造的時間， 【發明内容】 本 有鑒於發明背景中所述之製栌砗門 發明之主要咐触-種:=2==本高的問題， 屬線段職電性連接之晶粒重新配置 ★墊與基板上之金 間，進而降低製造成本。 、法，來節省製造的時 本發明之^ -主要目的在提供_種 金屬線段形成電性連接之晶粒重新配=配置之晶粒與基板上之 封裝方法，係在封膠體之表 6 2011年6月30曰修正替換頁 面上形成複數條溝渠，可防止封膠體在脫模後，產生翹曲的現象，而 影響切割晶粒時的良率。 本發明之另一主要目的在提供一種晶粒重新配置之封裝方法，其 可以將12叫·晶圓所切割出來的晶粒重新配置於8吋晶圓之基板上，如 此可以有效運用8他圓之即有之封裝設備，而無S重新設立12时晶 圓之封裝設備，可崎低12 μ圓之封裝成本。 本發明之還有一主要目的在提供一種晶粒重新配置之封裝方法， 使付進行封裝的晶片都是，，已知是功能正常之晶片，，（^嶋_ die) ’可以節省封裝材料，故也可以降低製程之成本。 根據以上所述，本發明提供一種晶粒重新配置之封裝方法，提供 基板’具有一上表面及一下表面，且於基板之上表面配置一黏著層； 形成複數侧餘並具有延長部份之金屬線段雜著層上，其中複數 個金I線段之-背面形成_著層之-上表面；提倾油晶粒，每 B曰粒具有一主動面及一下表面，於主動面上配置有複數個焊墊；貼 附複數個晶粒’係將每-晶粒之絲面上之複數個焊她覆晶方式與 複數個圖案化之金屬線段之—端的正面形成電性連接；形成一高分子 材料層在基板及部份晶粒之下表面上；提供一模具裝置，用以平坦化 高分子材料層，使得高分子材料層填滿在複數個晶粒之間，且包覆每 -晶粒以形成-娜體；脫離模具裝置，以曝露出部份娜體及每— 晶粒之下表面；脫離基板，以曝露出每—具有延長部份之複數個金屬 接點之背面；形成-圖案化之保護層於複數個金I線段上，並曝露出 複數個金屬線段之另一端之部份表面；形成複數個導電元件，將複數 個導電元件與已曝露之概_案化之金屬線段之部份表面電性連 接；及切割封膠體，以形成複數個各自獨立之完成封裝之晶粒，其中 每一該些晶粒之四個面均由該封膠體所包覆。 八 本發明還提供一種晶粒重新配置之封裝方法，包括：提供一美 1352410 2011年6月3〇日修正替換頁 板，具有一上表面及一下表面，且於基板之上表面配置一黏著層；形 成複數個圖案化之金屬線段於黏著層上’其中複數個圖案化之金屬線 段之一背面形成於黏著層之一上表面；提供複數個晶粒，每一晶粒具 有一主動面及一下表面，並於主動面上配置有複數個焊墊丨取放複數 個晶粒，係將每-晶粒之主動面上之複數個#塾以覆晶方式與複數個 圖案化之金屬線段之-端的正面形成電性連接；形成—高分子材料層 在基板及部份晶粒之下表面上；提供-模具裝置，其上配置有複數個 凸出肋，並使模具裝置之具有複數個凸出肋之一側與每一晶粒之下表 面接觸，以平坦化高分子材料，使高分子材料充滿於晶粒之間，以形 成-封膠體；脫離模具裝置，以曝露出由複數個凸出肋所構成之複數 條渠道於婦體之-表面上；_基板，以曝露出封職之—表面及 複數個圖案化之金屬線段之延長部份；形成—圖案化之保護層在複數 個圖案化之金屬線段上，麟露複油随化之金祕段之另一端之 部份表面；職複數辦電元倾已·之_化之金祕段電性連 接；及切割封膠體’以形成複數個各自獨立之完成封裝之晶粒，其中 每一該些晶粒之四個面均由該封膠體所包覆。 本發明另提m健聽置之封裝結構，包括晶粒，其具 有-主動面及-下表面，主動面上配置有複數個·;複數個金屬線 段，每-金屬線段具有延長部份且具有一正面及—背面，每—金屬線 段之^的#面形成在晶粒之主動面上並與複數個焊塾電性連接；^ 封膠體，係環覆住晶粒之四個面且曝露出·之主動面及背面·一保 ㈣’係覆a金屬線段之正面麟露出複數個金屬線段之延長部份的 另-端之-部份表面；複數辦f元件，健複數個導電元件與複數 個金屬線段之延長部份㈣—端之部份表面紐連接·以及—散 置’形成在晶粒之下表面。 v 有關本發_舰與實作，舰合圖示作最佳實補詳細說明如 8 13524,10 下 Γ 么你料士& 2011^6^ 30 下。（為使對本發明的目的、構造、特徵、及其功能有進—步的 茲配合實施例詳細說明如下。） ” 【實施方式】 本發明在此所探討的方向為—種晶粒重新配置之封裝方法，將複 數個晶粒錄於另—基板上，紐進行封裝的方法。為了能徹底 地瞭解本Μ ’將在下述巾提出詳盡的步職其組成。顯然地， 本發明的騎並未限定晶片堆疊的方式之技藝者所熟f的特殊細節。 另-方面’眾所周知的晶片形成方式以及晶片薄化等後段製程之詳細 步驟並未描述於細節中，以避免造成本發明不必要之限制。然而，對 於本發明的紐實糊，則會詳蝴述如下，崎了這些詳細描述 之外’本發明還可以廣泛地施行在其他的實施例中，且本發明的範圍 不受限定，其以之後的專利範圍為準。 在現代的半_封裝製程中，均是將一個已經完成前段製程⑽故 EndProcess)之晶圓（wafer)先進行薄化處理（Thinningpr〇cess)，例 如將晶片的厚度研磨至2〜20mil之間；，然後，進行晶圓的切割（顯㈣ process)以形成一顆顆的晶粒；然後，使用取放裝置（麵如恤⑷ 將-顆顆的晶粒逐-放置於另一個基板1〇〇上，如第i圖所示。很明 顯地，於基板100的黏著層200上的晶粒間隔區域比晶粒丨1〇大因此， 可以使知這些被重新放置的晶粒110間具有較寬的間距，故可以將晶粒 110上的知塾適g的分配。此外，本實施例所使用的封裝方法，可以將 12吋晶圓所切割出來的晶粒11〇重新配置於8吋晶圓之基板上，如此 可以有效運用8㈣圓之即有之封裝設備，而無需重新設立12付晶圓 之封裝設備，可以降低12吋晶圓之封裝成本。然後要強調的是，本發 明之實鉍例並未限定使用8吋晶圓大小之基板，其只要能提供承載的 功能者’例如：玻璃、石英、陶瓷、電路板或金屬薄板（metal f〇il)等， 9 1352410 201丨年6月30日修正替換頁 均可作為本貫施例之基板’因此基板的形狀也未加以限制。 請參考第2A圖及帛2B ffl，係表示在晶圓的上表面形成複數個連 接元件之俯視圖。如第2A圖所示，係表示在晶圓2〇的上表面配置有 複數個晶粒210，且在每一個晶粒210之主動面上之複數個焊墊212上 形成複數個金屬凸塊(studbump)230,其目的是為了在晶圓2〇切割之後 所形成的複數個晶粒210可以與另一基板(未在圖中表示)形成電性連 接。在此，形成複數個金屬凸塊230的步驟包括：先在晶圓2〇上形成 一保護層220;形成一圖案化之光阻層(未在圖中表示)在晶圓2〇上；蝕 刻以移除部份保護層220並曝露出配置於晶圓2〇上之複數個焊墊 212 ;形成一金屬層(未在圖中表示)在保護層22〇上；形成另一圖案化 之光阻層(未在圖中表示)在金屬層上；蝕刻以移除部份金屬層並保留位 於晶圓20配置之複數個晶粒21〇之主動面的複數個焊墊212上之金屬 層以做為金屬凸塊230 ;接著’再於鄰近於金屬凸塊230之保護層22〇 上塗佈一層結合劑240，如第2B圖所示。由先前陳述得知，當晶圓2〇 經切割之後形成複數個晶粒210 ’再重新配置至基板時，由於新的基板 之間的晶粒間隔區域比晶粒210大，因此在取放晶粒21〇的過程中， 容易產生偏移，而在後續封裝製程的植球步驟(ball m〇um)會無法對 準，而造成封裝結構的可靠度降低。接著進行晶圓2〇之切割步驟，並 使每一顆晶粒210的背面朝上；再接著，使用取放裝置（未於圖中顯 不）將每一顆晶粒210吸起並放置於基板上；由於，新的基板的背面 已配置有複數個對準標誌'(未在圖中表示），因此，取放裝置可以直接辨 識出每一顆晶粒210其主動面上的焊墊212位置；當取放裝置要將晶 粒210放置於基板上時，可以再藉由基板上的對準標誌來計算出晶粒 210的相對位置，因此可以將晶粒21〇精確地放置於基板上。故當複數 個晶粒210重新配置在新的基板上時，就不會因為無法對準而且準確 度以及可靠度的問題。在此，形成對準標誌的方式可以利用光蝕刻 10 13524,10 201丨年6月30日修正替換頁 (photo-etching)製程’在基板的背面形成複數個對準標誌，且其形狀可 以為任何幾何形狀，而在一較佳實施例中，此一何幾何形狀為十字之 標諸。另外’形成對準標諸的方式還包括利用雷射標籤(丨站打①虹幻製程。 接著，請參考第3A圖至第3C圖，係表示於一基板3〇上具有複 數個圖案化之金舰段之俯棚。首先，在基板3G之上表面形成黏著 層40。接著，於黏著層40上，先形成一金屬層，然後再將具有圖案化 之光阻層(未在圖上表示)形成於金屬層上，接著，進行一蝕刻步驟，以 移除部份的金屬層，織再糊餘的光崎移雜，即可形成複數個 圖案化之金屬線段50，如第3C圖所示。在此，第3C圖係為第狃 圖之AA線段之剖面示意圖。於黏著層4G財間區域形成以陣列排列 且複數個圖案化之金屬線段％。此外，在本實施例中，基板之材料 可以是透明材料或者是不透明材料’其巾透明獅可以是玻璃或是光 學玻璃；而當基板30是不透明材料時，其可以是一晶圓。 接著，如第4圖所示，使用一個取放裝置（未顯示於圖中）將每 -個好的半導體晶粒21〇之主動面上之複數個焊塾212以覆晶的方式 貼附在相對應的複數個圖案化之金屬線段50之上，使得配置於每一晶 粒210之複數個焊塾212上的複數個金屬凸塊(未在圖中表示)與金屬線 段5〇之—卿成紐連接’麟由晶®之倾層上的結合劑與基板3〇 '° &如第2B圖所示。接著，請參考第5圖所示，於基板3〇及部份 晶，210上形成—高分子材料層60，並且使用-模具裝置500以平坦 化高分子材料層6〇,其中，模具裝置5⑻歧每―顆晶粒2ig之背面 接觸在一起’如第6晴示，使得高分子材料層6G形成-平坦化的表 面並且填滿於每_顆晶粒21〇之間，以形成一封膠體此高分子材料 層60可以疋石夕膠、環氧樹脂、丙稀酸、及苯環丁稀（bcb) 等材料。 接著，可以選擇性地對平坦化的高分子材料層60進行一烘烤程 11 1352410 2〇11年6月30曰修正替換頁 序’使高分子材料層60固化。再接著，進行脫模程序將模具裝置· 與固化後的高分子·層60分離，以裸露出部份平坦之高分子材料層 60之表面以及複數個晶粒210之背面，如第7圖所示。此時，可以選 擇性地使卜種切彻(未在圖中表示），在高分子材料層6()的表面上 形成複數條切割道220，其t每一條切割道咖的深度為㈤密爾 _，而切割道602的寬度則為5至25微米。在一較佳實施例中，切 割道6〇2可以是相互垂直交錯，並且可以作為實際切割晶粒時的參考 緊接者，將基板30與高分子材料層6〇分離，例如將基板3〇盘高 分子材料層60 -起放入去離子水的射，使基板3〇與高分子材料層 60分離，以形成一個封膠體。此封膠體環覆每一顆晶粒⑽的四個面， 並，曝露出每-顆晶粒21G的主動面上複數個圖案化之金屬線段％以 及每-晶粒21G的下表面。在本實施例中，由_膠體之相對於晶粒 210之主動面的表面上有複數條_道6〇2，因此，當高分子材料層6〇 與基板3〇剝離後，封膠體上的應力會被這些切割道船所形成的區域 所抵消，故可有效地解決封膠體翹曲的問題。 ^著’轉考第8圖’形成-保護層7〇於封賴之上表面，用以 覆盍顆晶粒21G的主動面上之已曝露的焊塾M2及複數個圖案化 之金屬線段50 ;職，再使用半導體製程，例如：顯影及綱， 部份紐層70，將複數個圖案化之金屬線段％的另—端之表面曝露出 來接著將複數個導電元件8〇與已曝露出來之複數個圖案化之 線段5口0的=1之表面形成電性連接，如第9 _示，其中此導電元 件80可以是金屬凸塊(metal bump)或是錫球(solderbali)。块後， 行最後的晶㈣割，以完成封裝製程，如㈣I 、'後即可進 糾^ ^ U騎心在本實施例巾，為了增加整個封裝結構之 放,.·、效革’因此，在晶粒21〇的背面係形成一散熱裝置％，如散熱韓 12 13524.10 2〇11年6月30日修正替換頁 片（fm)，而在晶粒210的背面與散熱裝置9〇之間更包含—導電膠92用 以電性連接及固定散熱裝置9〇在晶粒21〇的背面上。 在上述實施例中，形成平坦化的高分子材料層60的方式可以選擇 使用注模方式(molding process)來形成。此時，將一模具裝置5〇〇先覆 蓋至基板30上，並且使模具裝置5〇〇與晶粒21〇之保持接觸在一起， 然後將一種模流材料60，例如環氧樹脂之模封材料(Ep〇xy 叩

Compound; EMC)，注入模具裝置5〇〇中，使得高分子材料層6〇形成 -平坦化的表面’且高分子材料層6G填滿於晶粒21G之間並環覆每 -顆晶粒21G。由於使用賴方式讀的製造過程與前述方式相同，故 不再賛述之。 接著’本發明揭露另一實施例，在本實施例中，係使用一種具有 複數個凸出肋_ 610賴具裝置_，以平坦化戰在基板3〇騎 份晶粒210上之高分子材料層6〇，如第12圖所示。當此具有複數個凸 出肋㈣⑽的模具裝置_與每一顆晶粒21〇之背面接觸在一起後， :以使得高分子材料層6G填滿於晶粒21G之間，如第12圓所示。接 著，在完成填滿高分子材料層6〇的程序後，可以選擇性地對平坦化的 两分子材料層60進行-烘烤程序，以使高分子材料層6〇固化。再接 f ’進行脫模程序，將具有魏個凸出肋61〇的模具裝置_與固化 2间分子㈣層6G分離，在高分子材觸6g的表面上裸露出複數 條由凸出肋610卿成的複數條渠道62〇，如第14圖所示。 基板30與黏著層似高分子材料層㈣離，其分離的 ，式以及之後封裝結構的製造過程與前述方式相同，故不再費述之。 =強Γ是，於此具體實施例中’封膠體環覆每-顆晶粒21〇之 ^固面^且曝露出每-顆晶粒训之主動面上複 複數個圖案化之金屬線段5G，而在 1 上的 的封膠體的表面上則有複數條渠道動面的背蝴 如第14圖所示。由於封膠體 13 1352410 2〇11年6月30日修正替換頁 上的應力會被複數渠道620所抵消，故可有效地解決封膠體麵曲的問 題。接著，碱-保護層7G於封膠體之上表面，用以覆蓋每一顆晶粒 210的主動面上之已曝露的複數個焊塾212及複數個圖案化之金屬線段 50 ;然後’再使科導體製程’例如：顯影及侧，移除部份保護層 70，將複數個圖案化之金屬線段50的另一端之表面曝露出來，再接著， 將複數個導電元件80與已《之複數_案化之金屬線段％的另一 端之表面形成電性連接，如第15圖所示。 最後，進行封膠體的切割，以完成晶粒21〇之封裝製程，如同前 述第10圖所示。同樣地，為了增加整個封裝結構之散熱效率，因此， 在晶粒210的背面係形成一散熱裝置9〇，如散熱縛片㈣，特別要強 調的是，本實施例中的每-晶粒之背面雖被高分子材料所包覆，但其 背面可以控制在非常薄的厚度，例如：小於lmm :甚至可以將模且斑 每-晶粒的背面接觸在-起，使縣—晶粒之背面曝露、然而，無論 母-晶粒之背面是碰高分子材料包覆，本發明均可而在晶粒⑽的 背面與散熱裝置90之間更包含一導電膠92用以電性連接及固定散熱 裝置90在晶粒210的背面上，如同前述第11圖所示。 ’、 同時，在本實施例中，形成平坦化的高分子材料層6〇的方式，” 可以選擇使用注模方式__ pr。⑽)來形成。此時，將一具有複』 個，出肋610之模具裝置_先覆蓋至基板30上，並且使模具裝置^ 與曰曰粒210之保持接觸在一起，然後將模流材料注入模具裝置6〇 中’使侍拉流材料6〇填滿於晶粒训之間並形成一平坦化的表面。^ 於使用物方式之後㈣造過程，例如形祕護層％ 元件8〇電性連接至每—圖案化之金屬線段5()之另—端上2害= 开成1 复數顆完成封裝之晶粒的過程，還有於每-封裝之晶鮮 再域—散熱裝置90等，均與前述之實施例相同，故不再費述 14 13524.10 2011年6月30日修正替換頁 雖然树㈣減讀佳實_财如上，離並_以限定本 ，明’任何熟f相像技藝者，在不麟本發明之精神和細内，者可 作^之更動細飾，因此本發明之專娜護範_視本說明書^ 之申凊專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示先前技術之示意圖； 第2A圖及第2B圖係根據本發明所揭露之技術，在晶 形成複數個金屬凸塊之俯視圖； 第3A圖至第3C在另-日日日圓上形成__化 線段之示意圖； 胃 第4圖至第9圖係根據本發明所揭露之技術，表示形成晶粒重新 配置之封裝結構之各步驟示意圖； 意圖； 第10圖係根據本發明所揭露之技術，表示完成封裝 之晶粒結構示 形 第11圖係根據本發明所揭露之技術，表示於完成封裝之 成散熱裝置之示意圖；及 、aa 4 第12圖至第15圖係根據本發明所揭露之技術， 夜不另一種形成 晶粒重新配置之封裝結構之各步驟示意圖。 【主要元件符號說明】 100基板 110晶粒 200高分子材料層 2〇晶圓 210晶粒 15 1352410 2011年6月30日修正替換頁 212 焊墊 220 保護層 230 金屬凸塊 240 結合劑 30 基板 40 黏著層 50 金屬線段 60 高分子材料層 70 保護層 80 導電元件 90 散熱裝置 92 導電膠 500 模具裝置 600 模具裝置 602 切割道 610 凸出肋 620 渠道 16

Claims (1)

1352410 2011年6月30日修正替換頁 十、申請專利範圍： 1. 一種晶粒重新配置之封裝方法，包括： 提供-基板’具有-上表面及_下表面，且於該基板之該上表面配置一 黏著層； 形成複數侧案化具有延長部份之金屬線段麟轉層上，其中該些金 屬線段之一背面形成於該黏著層之一上表面； 提供複數個晶粒，每-該晶粒具有—主動面及—下表面並於該主動面上 配置有複數個焊墊； 複數個金屬凸塊’係絲—該晶粒之触動面上之該些焊塾電性連接； 貼附該些晶粒’储每—該金私塊與該些_化之金屬線段之一端的 正面形成電性連接； 形成-高分子材料層在該基板及部份該些晶粒之該下表面上； 提供-模具裝置，肋平坦化該高分子材㈣，使得該高分子材料層填 滿在该些晶粒之間且包覆每一該些晶粒以形成一封膠體； 雌雜具裝置’轉㈣賊冑分子㈣騎形叙雜膠體； 脫離該基板，以曝露出每-該具有延長部份之金屬線段； 形成-圖案化之保護層於該些具有延長部份之金屬線段上，並曝露該些 金屬線段之一端之部份表面； Z成複數鱗電元件，龍⑽電元件與㈣露之該蝴案化之金屬線 丰又之部份表面電性連接；及 2. 3. 切割該封雜，以職複數個各自败之完朗裝之晶粒。 如申請專利細第i項所述之封裝方法，其中該基板為一透明材質。 如申請專利細第i項所述之封裝方法，其中該基板為玻璃。 1申請專利細第i樹述之封裝方法，其中該高分子材鬚為一光阻 5.2請專利範圍第i項所述之封裝方法，其中該些金屬線段係以陣列排 列方式形成在該高分子材料層之上。 17 1352410 6· 7. 如申請專利範圍第1項所述之封裝方法， 有複數個切割道。 如申請專利範圍第1項所述之封裝方法， 脂》 2011年6月3〇日修正替換頁 其中進一步於該封膠體上形成 其中該高分子材料層為環氧樹 &如申請專利範龄1猶述之封裝方法，其中該些導電元件為錫球。 9. 如申請專利範圍第丨項所述之雖方法，其中該些導電元件為金屬凸塊。 10. —種晶粒重新配置之封裝方法，包括： 提供-基板，具有—上表面及-下表面4於該基板之該上表面 黏著層； 形成複數侧魏並具有延長部份之金觀胁雜著層上，1中财 圖案化並具有延長雜之金祕段之―背面形成於雜著層之一上^ 提供複數個晶粒’每-該晶粒具有—主動面及—下表面並於該主動面上 配置有複數個焊墊； 複數個金屬凸塊，係與每-該晶歡該絲社找些焊麵性連接； 取放該些晶粒’係將每-該金屬凸塊與__化並具有延長部份之金 屬線段之一端的正面形成電性連接； 形成-1¾分子材料層在該基板及部份該些晶粒之該下表面上； 提供-模具裝置，其上配置有複數個凸出肋，並使該模具裝置之具有該 些Μ肋侧與每-該晶粒之下表面接觸，以平坦化該高分子材料 層’使如分子材料層充滿於該些晶粒之間，以形成—封膠體； 脫離雜具裝置’鱗4由該些凸丨酬構成之複數條渠道於該封膜 體之一表面上； / 脫離該基板’轉露峰封顧之-表面及該些_化並具有延長部份 之金屬線段； 形成化之保護層在該些_化並具有延長部份之金屬線段上並 18 1352410 曝露該些圖案化之金屬線段之另—端； 則年6月3。日修正替換頁 形成複數個導電元件，將該政導雷亓杜 倾已曝露之難·®案化並具有延 長邛伤之金屬線段之部份表面電性連接；及 切割該封賴，以形成複數個各自獨立之完成封裝之晶粒。 11.如申物_第丨〇概述之域方法，其中該基板為—透明材質。 1請專概圍第ίο賴叙域方法，財軸導電秘為錫球。 认如申請專利制第Η)顿述之域方法，其找些導電元件為金屬凸 掩。 H. —種晶粒重新配置之封裝方法，包括： 且於該基板之該上表面配置一 提供一基板，具有一上表面及一下表面 黏著層； 形成複數_減並具有延長部份之金騎段於雜著層上，盆中該些 圖案化並具有延長部份之金屬線段之_ f面形成於該黏著層之一上: 面； 提供複數個晶粒’每-該晶粒具有-主動面及—下表面並於該主動面上 配置有複數個焊墊； 複數個金屬凸塊，係與每-該晶粒之該絲面上之該些料雜連接； 取放該些晶粒’係將每，金屬凸塊無賴案化並具辆長部份之金 屬線段之一端的正面形成電性連接； 形成一高分子材料層在該基板及部份該些晶粒之該下表面上； 提供-模具裝置，使賴具裝置與每―該晶粒之下表面接觸，以平坦化 該高分子材繼’使該高分子㈣層充滿於該些晶粒之間，以形成一封 膠體； 脫離該模具裝置，以曝露出每一該晶粒之該下表面； 脫離該基板’以«出觸雜之—表面及該麵案化並具有延長部份 之金屬線段； 1352410 2011年6月30日修正替換頁 形成一圖案化之保護層在該些圖案化之金屬線段上，並曝露該些圖案化 之金屬線段之另一端； 形成複數個導電元件，將該些導電元件與已曝露之該些圖案化並具有延 長部份之金屬線段電性連接；及 切割該封膠體，以形成複數個各自獨立之完成封裝之晶粒，其中每一該 些晶粒之四個面均由該封膠體所包覆。 20