TWI344702B - Multiple cell gaps transreflective lcd and fabricating method thereof - Google Patents

Description

1344702 v 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種液n曰翻_ _ 刖日古明 ㈣阳顯不器及其製造方法，且特 另J疋有關於一種半穿.类只& 法。 種+穿透反射式之液晶顯示器及其製造方 【先前技術】

習知之半穿透反射液晶顯示器為了解決顯示畫面色散 =了吻ersion)的問題，其中—個解決方法為利用在 乂胞=之上基板之一來製造一些厚度不等突塊來形成 夕曰曰胞間隙的液晶顯示器’以因應三原色光波長不同而造 成的色散問題。另外—個解決方法為在液晶顯示器上下基 板之外側各貼附兩層補償膜（1/4波長與1/2波長秋而， 不是製程太複雜，就是會減少液晶顯示器的亮度。’、’、 【發明内容】 因此本發明的目的之一銶县Λ . ΒΒ _ 就疋在知1供一種多間隙液晶顯 示面板之製造方法。 依據-實施例，提供具有第一畫素區、第二畫素區與 第三畫素區之第-基板。在基板上依序形成第一介電層與 第二介電層。然後移除位於第二畫素區與第三畫素區上之 第二介電層，再移除位於第三晝素區上之第一介電層。接 著’於第-基板上組立第二基板’使第一基板與第二基板 之間，於第一晝素d、第二晝素區與第三畫素區上分別形 1344702

成一第一間隙、一第二間隙與一第三間隙 第一基板與第二基板之間。 填入液晶層於

依據另一實施例，提供具有第一畫素區、第二晝素區 與第三畫素區之第一基板。在基板上形成可感光之有機 層。對有機層進行曝光的步驟，其中位於第一晝素區、第 一畫素區與第二畫素區之曝光深度分別為第一深度、第二 深度與第三深度。對有機層進行顯影的步驟，去除已經曝 光之有機層。接著，於第一基板上組立第二基板，使第一 基板與第二基板之間，於第一晝素區、第二畫素區與第三 旦素區上分別形成一第一間隙、一第二間隙與一第三間 隙。填入液晶層於第一基板與第二基板之間。 依據另一實施例，可組合上述二實施例的方法來形成 多間隙液晶顯示面板。 【實施方式】 依據本發明之實施例，利用不同顏色晝素區域上之不 同數目介電層之堆疊與或可感光之有機層的不同曝光深 度’讓不同顏色晝素可具有不同之晶胞間隙，形成多間隙 液晶顯示面板。 實施例一 請參照第1A圖，其繪示依照本發明一實施例之一種半 穿透反射液sa顯示器之晝素結構的剖面結構示意圖。在第 1A圖中，標示出紅（R)、綠（G)、藍（B)三色晝素之剖面結構 不意圖。由於三原色光之波長由大至小依序為紅、綠、藍， 因此紅色晝素（R)之穿透區11 〇a與反射區105之間的高度差 為最大的，至少為閘介電層12〇、介電層13〇、保護層=4〇 及有機平坦層15〇之厚度總和。其次為綠色畫素（G)之穿透 區110b與反射區105之間的高度差，至少為保護層及 有機平坦層150之厚度總和。最小者為藍色畫素（B)之穿透 區110c與反射區1〇5之間的高度差，主要為有機平坦層 之厚度。利用上述的高度差，在下基板1〇〇與上基板ι〇2 之間的紅（R)、綠（G)、藍（B)三色畫素中分別形成三種不同 的晶胞間隙GB、Gg與gr。 下面以紅色晝素為例，敘述依照本發明一實施例之一 種半穿透反射液晶顯示器之畫素結構的製造方法流程。請 參照第1B-1F圖，其係繪示第1A圖之一種半穿透反射液晶 顯示器之紅色晝素結構的製造方法流程剖面結構示意圖。 在第1B圖中’先提供具有至少一反射區ι〇5與至少一 穿透區110a之基板1〇〇。然後在反射區1〇5上形成圖案化 半導體層，例如是複晶矽（polysilicon)構成的矽島11$，接 著對矽島115之兩側區域進行離子摻雜，形成源極區丨丨5b 與沒極區115c以及位於中間之通道區ii5a。 在第1C圖中，先在基板1〇〇上依序形成閘介電層u〇 以及第—金屬層，然後圖案化第一金屬層，形成閘極125 於通道區115a之上。依照一實施例，上述之閘介電層12〇 的厚度約為100-1000埃。 在第1D圖中’在基板100上形成介電層13〇,介電層 1344702 • 130例如可由厚約l〇〇〇_3000埃之氧化矽層與厚約100-500 埃之氮化矽層所組成。接著，圖案化介電層13〇與閘介電 層120 ’形成源極開口 130a、没極開口 13 Ob以及第一穿透 開口 130c ’以分別暴露出源極區！丨5t)、汲極區1丨&以及 基板100上之穿透區l10a。 在第1E圖中’在基板1 〇〇上以及源極開口 13〇a、汲極 開口 130b與第一穿透開口 13〇c之中形成第二金屬層。然 φ 後圖案化第二金屬層，只留下源極開口 130a與汲極開口 130b中及其周遭之第二金屬層，以分別形成源極金屬 135a 與;及極金屬135b。第二金屬層例如可由鈦鈦之金屬複 層所組成。 接著在基板100之上形成保護層14〇，保護層14〇之材 料例如可為氮化梦，其厚度例如約為剛㈡議埃。然後 圖案化保護層140，力: 、 在保5蒦層140之中形成畫素開口 140a

m第二穿透開σ 14Gb’以分別暴露出汲極金屬I祝與穿 透區11 〇a。 第1F圖中’形成透明電極145覆蓋在穿透區心 ==層I40之上並填入畫素開口 1術之中，讓透 素開口140a與沒極金屬⑽電性連接。 155，反射^ Η5上依序形成有機平坦層15G與反射電極 反射電極155與透明電極 緣處電性相連，完成紅色晝辛…在有機千坦層150之邊 之厚度例如約為㈠^；之製造。上述有機平坦層150 1344702 . 复座例二 請參照第2A圖，其係繪示依照本發明另一實施例之一 種半穿透反射液晶顯示器之晝素結構的剖面結構示意圖。 在第2A圖中，標示出紅（R)、綠（G)、藍（B)三色畫素之剖 - 面結構示意圖。類似地，由於三原色光之波長由大至小依 . 序為紅、綠、藍，因此紅色晝素（R)之穿透區21〇a與反射 區205之間的高度差為最大的，至少為閘介電層22〇、保護 φ 層245與有機平坦層260的總厚度。其次，在綠色畫素（G) 以及藍色晝素（B)之穿透區21〇b與反射區205之高度差至 少為有機平坦層260的厚度。 下面以紅色畫素為例，敘述依照本發明另一實施例之 一種半穿透反射液晶顯示器之畫素結構的製造方法流程。 請參照第2B-2D圖，其係繪示第2A圖之一種半穿透反射 液晶顯示器之紅色晝素結構的製造方法流程剖面結構示意 圖。 φ 在第2B圖中，提供具有至少一反射區2〇5與至少一穿 透區21〇a之基板2〇〇。先在反射區2〇5上形成閘極2丨5， 然後在基板200上形成閘介電層22〇，再於閘極215上方形 成表層具有離子摻雜的石夕島225。接著，在石夕島225兩側形 • 成源極金屬23如與汲極金屬23〇b，形成之方法例如可為沉 積與微影敍刻法。再來’對暴露出之石夕島225移除具有離 . 子摻雜的表層’形成通道區225a’通道區2仏之兩側分別 為源極區225b與沒極區225c。 在第沈时，先在基板200上形成保護層如，然後 1344702 ,圖案化保護層245，形成晝素開口 250a與穿透開口 25〇b， 以分別暴露出汲極金屬230b與穿透區21〇ae —在第2D圖中，接著在基板2〇〇上形成透明電極255 覆盍穿透區210以及填入畫素開口 25〇a之中以與没極金屬 -2通電性相接。再於反射區叫之上依序形成有機平坦層 • 260以及反射電極265，反射電極265與透明電極2乃在有 機平坦層ISO之邊緣處電性相連，完成紅色晝素之製造。 實施例三 實施例一與實施例二是先形成直接與汲極金屬電性相 接之透明電極，然後才形成直接與透明電極電性相接之反 射電極。依據其他實施例，也可以先形成直接與沒極金屬 電性相接之反射電極，再形成直接與反射電極電性相接之 透明電極。本發明亦可應用於穿透式液晶顯示器，形成透 明電極取代反射電極265。 • 請參照第3A-3B圖，其係繪示依照本發明另一實施例 之一種半穿透反射液晶顯示器之畫素結構的製造方法流程 剖面結構示意圖。由於第3A圖之前的製程與第ia_id圖 相同，在此不再贅述。在第3A_3B圖中與第1A_iF圖中之 • 元件相似者，皆以第1A-1F圖中之元件標號再加上2〇〇來 標示之。 接續第1D圖，在第3A圖中先形成保護層34〇並在保 濩層340中形成第一畫素開口 34〇a之後，在基板3〇〇上塗 佈一層可感光之有機平坦層35〇。 1344702 請同時參考第3A圖與第3B圖，然後利用灰階 (multitone或graytone)曝光法讓有機平坦層wo曝光再進而 顯影’而紅、綠、藍三色畫素之穿透區31〇a、31〇b、31〇c 的曝光深度可分別為第一深度370、第二深度38〇、第三深 度390,以造成不同顏色之畫素具有不同之反射區與穿透區 之同度差。同時，亦讓位於第一畫素開口 34〇a内及其上方 之有機平坦層350完全曝光，形成第二畫素開口 35〇a。 在第3B圖中，接著在反射區3〇5之上形成反射電極 355 ,並填入第二畫素開口 35〇a之中，讓反射電極355經 由第二畫素開口 35〇a與汲極335b電性連接。而在紅⑴）、 綠（G)、藍（B)二色晝素之穿透區31 〇a、310b、310c之有機 平坦層350之殘餘高度不同，而形成不同之反射區3〇5與 穿透區310a、310b、310c的高度差。再於穿透區31〇a、31〇b、 310c之上分別形成與反射電極355直接電性接觸之透明電 極 345 〇 雖然上面只敘述了頂閘極的例子，底閘極結構亦可利 用可感光之有機平坦層以及灰階曝光法來調整不同顏色畫 素之反射區與穿透區的高度差。 — 實施例四 可將實施例一之利用閘介電層、介電層與保護層之不 同組合，搭配上實施例三之利用可感光有機平坦層之不同 曝光深度來調整不同顏色畫素之晶胞間隙（ceU 。 請參考第4A-4D圖，其係繪示依照本發明另一實施例 1344702 a ’穿透反射液晶顯示器之不同畫素結構的剖面結構 不思圖。在第4A-4D圖中與第1Α·1ρ圖中之元件相似者， 皆以第1A-1F圖t之元件標號再加上來標示之。 請參考第从圖，完成第4A圖之製程大致與完成第3B 圖的紅色畫素（R)之製程相同，只是在形成源極開口伽 與汲極開口 43Gb之同時，並沒有去除位在穿透區德之 閘介電層420與介電層請。因此穿透區杨與反射區他 之高度差至少為保護層44G及有機平坦層彻之厚度總和。 ，請參考第4B圖，完成第4B圖之製程大致與第4a圖 之製耘相同，只是在形成畫素開口 44〇a之同時，並沒有去 除位在穿透區410b上之保護層44〇β因此穿透區41沘與反 射區405之高度差至少為有機平坦層45〇之厚度。 明參考第4C圖，完成第4C圖之製程大致與第4八圖 之製程相同，只是利用灰階曝光法，讓位在穿透區41〜之 有機平坦層450部分曝光，以殘留一定厚度之有機平坦層 450在穿透區410c上。因此穿透區41〇b與反射區4〇5之高 度差至少為保護層440的厚度及有機平坦層45〇之部分厚 度的總和。 凊參考第4D圖，完成第4D圖之製程大致與第46圖 之製程相同，只是利用灰階曝光法，讓位在穿透區41〇(1之 有機平坦層450部分曝光，以殘留一定厚度之有機平坦層 450在穿透區410d上。因此穿透區41 〇b與反射區405之高 度差至少為有機平坦層450之部分厚度。 雖然上面只敘述了頂閘極的例子，實施例二之不同顏 12 1344702 色晝素的結構亦可搭配可感光有機平坦層之不同曝光深度 來調整不同顏色晝素之晶胞間隙（cell gap)。 上述提供之各種具有不同晶胞間隙之不同晝素結構及 其形成方法，讓製造者可以依照所需使用的光學波段來調 整不同顏色畫素的晶胞間隙，改善光色散與藍位移的問 題’並且能增加不同色光之光穿透率（請參照第7圖）。 請參考第5A-5C圖，其係繪示分別具有一種、兩種與 二種晶胞間隙之半穿透反射液晶顯示器在不同施加電壓 下，不同色光之光穿透率。第5A-5C圖皆以波長45〇〇111之 藍光、波長550 nm之綠光以及波長630 nm之紅光為例， 顯示不同色光在不同施加電壓下之光穿透率。 在第5A圖中，三色畫素之晶胞間隙皆為3.6 μιη，不同 色光之穿透率並不十分一致。在第5Β圖中，藍色畫素與綠 色畫素之晶胞間隙皆為3.6 μπ1，而紅色晝素之晶胞間隙為 4 μηι。結果顯示在施加電壓小於i伏特的情況下，不同色 光之色散情況已經有明顯改善。在第5C圖中，藍色畫素之 晶胞間隙為3.6 μιη，綠色畫素之晶胞間隙為4μηι，而紅色 畫素之晶胞間隙為4·3 μιη。結果顯示在施加電壓大於i伏 特的情況下，不同色光之穿透率已經趨於一致。 請參考第6A圖’其係繪示只有單一晶胞間隙之半穿透 反射液晶顯示器在不同單一晶胞間隙的情況下，不同色光 之穿透率。由第6A圖可知，若半穿透反射液晶顯示器之晶 胞間隙在只有-種的情況下’很難找到某個單—晶胞間隙 13 1344702 •能讓三種不同色光皆具有高穿透率。 月/考第6B ® ’其係繚示有三種不同晶胞間隙之半穿 透反射液晶顯示器，對於每種晶胞間隙對不同波長色光的 穿透率。第6B圖係以3.6㈣、4.〇μΓΠ以及4·4μιη三種不 同晶胞間隙為例，對波長分佈在彻至775㈣之不同色光 分別經過不同晶胞間隙所得之穿透率。由第犯圖可知，由 於不同波長之色光對不同的晶胞間隙各自有不同的穿透 率’因此可針對例如波長45〇 之藍光、》皮長55〇 之 綠光以及波長630 nm之紅光來分別獨立設計藍、綠、紅晝 素之最佳晶胞間隙為何。 實施例五 一般來說，廣視角液晶顯示器是以扭轉向列（Twisted Nematic; TN)型液晶顯示器再加上位在上下基板外側各貼 附兩層補償膜以及偏光膜所達成。這兩層補償膜分別為四 分之一（1/4)波長與二分之一（1/2)波長之補償膜，用來增廣 顯示的視角，但是容易有色散的問題。 但是當上述之各實施例之具有多種晶胞間隙的晝素結 構應用在電控雙折射（electrically controlled birefringence; ECB)型或電控寶曲（electrically controlled bend; ECB)型之 半穿透反射液晶顯示器時’發現即使將1 /2波長之補償膜 去掉，仍然不會增加色散的嚴重性。 第7圖係繪示ECB半穿透反射液晶顯示器之剖面結構 示意圖。在第7圖中，液晶層700上下兩側分別為上基板 1344702 705以及下基板710。在上基板705外側之光學薄膜依次為 1/4波長之第一補償膜715與第一偏光膜725，而在下基板 710外側依次為1/4波長之第二補償膜720與第二偏光膜 730。 依據上述設計之ECB半穿透反射液晶顯示器，其在施 加不同電壓之下不同色光的色散情形，結果如第8圖所示。 在此’ ECB半穿透反射液晶顯示器之藍、綠、紅三色晝素 之晶胞間隙分別為3.6 μιη、4.0 μπι以及4.3 μιη。從第8圖 可知，在大於1伏特之施加電壓下，不同色光之穿透率還 疋相當一致，仍可達到廣視角的效果，並沒有嚴重的色散 問題。 雖本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明’任何熟習此技藝者’在不脫離本發明之精神和範 圍内’當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍 虽視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例 能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下： 第1Α圖係繪示依照本發明一實施例之一種半穿透反 射液晶顯示器之晝素結構的剖面結構示意圖。 。。第1B-1F圖係緣示第以圖之—種半穿透反射液晶顯示 态之紅色晝素結構的製造方法流程剖面結構示意圖。 15

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反二二依照本發明另-實施例之-種半穿透 第2B_2 °息素結構的剖面結構示意圖。 + 51：^ έ # 13圖係繪示第2A圖之一種半穿透反射液晶顯 第晝素結構的製造方法流程剖 面結構不意圖。 弟 3A-3B F) /备 I _ 透反射液㈣依照本發明另-實施例之—種半穿 咅圖。 盗之晝素結構的製造方法流程剖面結構示

第4A-4D同总也一 令g w W糸繪示依照本發明另一實施例之一種半穿 迓反射液晶顯示哭 v、益之不同畫素結構的剖面結構示意圖。 第5A-5C fi及，人_ 隙之半穿、 ’、、·’θ示分別具有一種 '兩種與三種晶胞間 、反射液晶顯示器在不同施加電壓下，不同色光 之光穿透率。 」6Α圖係繪示只有單一晶胞間隙之半穿透反射液晶 丁器在不同單一晶胞間隙的情況下，不同色光之穿透率。 β第6Β圖係綠示有三種不同晶胞間隙之半穿透反射液

顯示器對於每種晶胞間隙對不同波長色光的穿透率。 第7圖係繪示ECB半穿透反射液晶顯示器之剖面結構 示意圖。 第8圖係繪示ECB半穿透反射液晶顯示器在施加不同 電壓之下，不同色光的色散情形。 【主要元件符號說明】 100、300、400 :基板 105、305、405 :反射區 16 1344702

110a、110b、110c、310a ' 310b、310c、410a、410b、 410c、410d :穿透區 115、 315、 415:矽島 115a、315a、415a :通道區 115b、315b、415b :源極區 115c、315c、415c :汲極區 120、320、420 :閘介電層 125 ' 325 ' 425 ：閘極

130、330、430 :介電層 130a、330a、430a :源極開口 130b、330b、430b :汲極開口 13 0c、33 0c、430c :第一穿透開口 135a、335a、335a :源極金屬 135b、335b、335b :汲極金屬 140、340、440 :保護層 140a、340a、440a :晝素開口

140b、340b ' 440b :第二穿透開口 145、345、445 :透明電極 150、350、450 :有機平坦層 155、355、455 :反射電極 200 :基板 205 :反射區 210a、210b :穿透區 215 :閘極 17 1344702 220 :閘介電層 225 :矽島 225a :通道區 2 2 5 b :源極區 225c :汲極區 2 3 0 a :源極金屬 230b :汲極金屬 245 :保護層

250a :畫素開口 250b :穿透開口 255 :透明電極 260 :有機平坦層 265 :反射電極

Claims (1)

100年3月29日修正替換頁 十、申請專利範圍： 1 · 一種多間隙半穿透反射液晶顯示器之畫素結構的製 造方法，該製造方法包括： 提供一基板，該基板具有一第一晝素區、一第二晝素 區與一第二晝素區，每一該第一畫素區、該第二畫素區與 該第二晝素區分別具有一反射區與一穿透區； 依序形成一第一介電層與一第二介電層覆蓋於該第一 畫素區、該第二畫素區與該第三畫素區上； 移除位於該第二畫素區與該第三畫素區之該些穿透區 上的該第二介電層，且移除位於該第三畫素區之該穿透區 上的該第一介電層；以及 於每一該些反射區與每一該些穿透區上分別形成一反 射電極與一穿透電極。 2. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構的製造方 法，其中該第一介電層包括一閘介電層與一介電層，且該 第二介電層包括一保護層。 3. 如申請專利範圍第丨項所述之畫素結構的製造方 法，其中先移除位於該第二畫素區與該第三畫素區之該些 穿透區上的該第二介電層，然後再移除位於該第三畫素區 之該穿透區上的該第一介電層。 1344702 100年3月29日修正替換頁 4.如申請專利範圍第1項所述之畫素結構的製造方 法，其中該第一介電層包括一閘介電層，且該第二介電層 包括一保護層。 5·如申請專利範圍第1項所述之畫素結構的製造方 法，其中同時移除位於該第二畫素區與該第三畫素區之該 些穿透區上的該第二介電層，以及同時移除位於該第三畫 素^之該穿透區上的該第·—介電層。 6.如申請專利範圍第1項所述之畫素結構的製造方 法，在移除位於該第三畫素區之該穿透區上的該第一介電 層後，更包括形成一有機平坦層於該些反射區上。 7· —種多間隙半穿透反射液晶顯示面板之製造方法， 該製造方法包括： 提供一第一基板’該第一基板具有一第一畫素區、一 第二畫素區與一第三晝素區，每一該第—畫素區、該第二 畫素£與該第二晝素區分別具有一反射區與一穿透區； 依序形成一第一介電層與一第二介電層覆蓋於該第一 畫素區、該第二畫素區與該第三晝素區上； 移除位於該第一晝素區與該第三畫素區上之該些穿透 區的該第二介電層，且移除位於該第三畫素區上之該穿透 區的該第一介電層；以及 組立一第二基板於該第一基板上，且密封一液晶層於 20 1344702 ⑽年3月29日修正替換頁 _ ^ _ ----- 嗞第一基板與該第二基板之間，使該第一基板與該第二旯 板之間，於該第一畫素區、該第二畫素區與該第三晝素區 之該些穿透區上分別形成一第一間隙、一第二間隙與—第 三間隙。 8. —種多間隙半穿透反射液晶顯示器之畫素結構的製 造方法，該製造方法包括： 提供一基板’該第一基板具有一第一畫素區、一第二 畫素區與一第二畫素區’每一該第一畫素區、該第二晝素 區與該第三晝素區分別具有一反射區與一穿透區； 於每一該些反射區上形成一矽島，每一該些矽島具有 一通道區與兩側之一源極區與一汲極區； 對每一該些源極區與該汲極區進行離子摻雜； 形成一閘介電層於該基板上； 於每一該些通道區正上方之閘介電層上形成一閘極； 形成一介電層於該些閘極與該閘介電層之上； 形成複數源極開口與複數汲極開口於該介電層與該閘 介電層之中’以分別暴露出該些源極區與該些汲極區，並 且去除位於該第二晝素區與該第三畫素區之該些穿透區上 的該介電層與該閘介電層； 形成複數源極金屬與複數汲極金屬分別於該些源極開 口與該些汲極開口之中及其周圍之該介電層上； 形成一保護層於該些源極金屬、該些汲極金屬、該介 電層以及該基板之上； 21 1^44/02 100年3月29曰修正替換頁 * 一形成複數畫素開口於該保護層之中，並且去除位於該 第二畫素區之該穿透區上的該保護層； 於每-該些穿透區上形成一透明電極，且每一該些透 明電極與每一該些汲極金屬電性相接； 形成一有機平坦層於該些反射區上；以及 於每一該些反射區上形成一反射電極，且每一該些反 射電極與每一該些透明電極電性相接。 9.如申請專利範圍帛8項所述之畫素結構的製造方 法’其中該些透明電極透過該些晝素開口與該些汲極金屬 電性相接。 、10.如申請專利範圍帛8項所述之晝素結構的製造方 法’其中該閘介電層包括氧化矽層。 、、h如申请專利範圍第8項所述之晝素結構的製造方 法’其中該些閘極的材料包括鉬。 12·如申請專利範圍帛8項所述之晝素結構的製造方 其中該介電層為氧化矽層、氮化矽層或其組合。 法j3· Μ請專利範圍第8項所述之晝素結構的製造方 、、 /、中該i源極金屬與該些汲極金屬包括鈦/鋁/鈦金屬複 22 1344702 iOO年3月29日修正替換頁 14. 如申請專利範圍第8項所述之晝素結構的製造方 法’其中該保護層包括氮化石夕層。 15. 如申請專利範圍第8項所述之畫素結構的製造方 法，其t該些透明電極的材料包括氧化銦錫。 16. 如申請專利範圍第8項所述之畫素結構的製造方 法’其中該些反射電極的材料包括鋁。 1?' 一種多間隙半穿透反射液晶顯示器之晝素結構的 製造方法，該製造方法包括： 提供一基板，該第一基板具有一第一晝素區、一第二 畫素區與-第三畫素區’每一該第一晝素區、該第二晝素 區與該第三晝素區分別具有一反射區與一穿透區； 於每一該些反射區上形成一閘極； 形成一閘介電層於該些閘極與該基板上； 於每一該些閘極上方之該閘介電層上形成—矽島，且 每一該些矽島具有一通道區及其兩側之一源極區與一汲極 區； 對每一該些源極區與每一該些汲極區進行離子摻雜； 於每一該些源極區與每一該些汲極區上分別形成一源 極金屬與一汲極金屬； 形成一保護層於該基板上； 23 1344702 100年3月29日修正替換頁 ~" ------ 形成複數晝素開口於該保護層中以暴露出該些汲極金 屬，並且去除位於該第二畫素區之該穿透區上的該保護 層，以及去除該第三畫素區之該穿透區上的該保護層與該 閘介電層； 於每一該些穿透區上形成一透明電極，該些透明電極 透過該些畫素開口與該些汲極金屬電性相接； 形成一有機平坦層於該些反射區上；以及 形成複數反射電極於該有機平坦層之上，且每一該些 反射電極與每一該些透明電極電性相接。 18'如申請專利範圍第丨7項所述之畫素結構的製造 方法，其中該閘介電層包括氧化矽層。 、19.如申請專利範圍帛17項所述之畫素結構的製造 方法，其中該些閘極的材料包括鉬。 20. #申請專利範圍帛17賴述之畫素結構的製造 法’其切些雜金屬與該些錄金屬包括制g/欽金屬 2L Μ請專利範圍第π項所述之畫素結構的製造 万法，其中該保護層包括氮化矽層。 Μ·如申請專利範圍第17項所述之畫素結構的製邊 24 】00年3月29日修正替換頁 方法，其㈣些透明電極的材科包括氧化銦錫。 方法 24.-種多間隙半穿透反射液晶顯示器之畫素結構， 包括： -基板，該基板具有一第—畫素區、一第二晝素區與 一畫素區，每—該第—晝素區、該第二畫素區與該第 二畫素區分別具有一反射區與一穿透區； -第-介電層’覆蓋在位於該第一畫素區、該第二畫 素區與該第三晝素區的該基板上，且暴露出該第三畫素區 之該穿透區的該基板； 一第二介電層’覆蓋於該第—畫素區、該第二晝素區 與該第三畫素區的該第-介電層i，暴露出該第二畫素區 之該穿透區的該第-介電層，且暴露出該第三畫素區之該 穿透區的該基板； 一穿透電極，形成於該些穿透區上；以及 一反射電極’形成於該些反射區上。 25* 一種多間隙半穿透反射液晶顯示面板，包括： —第一基板，該第一基板具有一第—畫素區、一第二 畫素區與一第二畫素區，每一該第一畫素區、該第二晝素 區與該第二畫素區分別具有一反射區與—穿透區； 25 ^44702 100年3月29日修正替換頁 一第一介電層，覆蓋於該第一畫 輿哕坌-佥本广以 旦京區、该第二畫素區 之該穿透區的該第丄基板上且暴露出該第三畫素區 :第：：電層，覆蓋於該第一畫素區、該第二畫素區 ，、該第二畫素區的該第一介雷戶上 示；丨1層上，暴露出該第二晝素區 之該穿透區的該第一介電層，且具 π ;丨电赝且暴露出該第三晝素區之該 穿透區的該第一基板； 一穿透電極，形成於該些穿透區上； 一反射電極’形成於該些反射區上； 一第二基板，相對於該第一基板設置；以及 一液晶層，密封於該第一基板與該第二基板之間，其 中該第一基板與該第二基板之間，在該第一畫素區、該第 一晝素區與該第三畫素區之該些穿透區上分別具有一第一 間隙、一第二間隙與一第三間隙。 26·如申請專利範圍第25項所述之多間隙半穿透反射 液晶顯示面板，其中該液晶層包括一電控雙折射液晶層。 27.如申請專利範圍第26項所述之多間隙半穿透反射 液晶顯示面板，更包括： 一第一偏光膜，位於該第一基板之外側； 四分之一波長之一第一補償膜，位於該第一偏光膜與 該第一基板之間； 一第二偏光膜，位於該第二基板之外側；以及 26 1344702 _ -. 100年3月29日修正替換頁 四分之一波長之一第二補償膜，位於該第二偏光膜與 該第二基板之間。 27