TWI337783B - Through hole type led chip package structure using ceramic material as a substrate and method of the same - Google Patents

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TWI337783B TW096124778A TW96124778A TWI337783B TW I337783 B TWI337783 B TW I337783B TW 096124778 A TW096124778 A TW 096124778A TW 96124778 A TW96124778 A TW 96124778A TW I337783 B TWI337783 B TW I337783B
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Description

Φ Φ 1337783 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於—種發光 作方法，尤指-種以陶究為基穿^封裝結構及其製 type )發光二極體# w 44姑从以 牙札式（through hole 體日日片封裳結構及其製作方法。 【先前技術】 μ參閱第-圖所示，其麵習 :封裝結構之剖面示意圖。由圖令可知， ==裝結:冓係包括:， '光—極體晶片3 a及-螢光膠體4 a。 的二士料電架2 a係具有二個分別延該絕緣基底1 的兩相反側邊彎折二次之導電接腳2 Q a、 a 使得該等導電接腳2 〇 a、2 1 匕丄a之下鸲面可與一電路板 5 a產生電性接觸’並且該導電接腳2 〇 a2丄&分別 具有-正電極區域2 〇 〇 a及一負電極區域2丄〇 a。刀 再者，該發光二極體晶片3 a係具有一正電極端3 〇 0 a及一負電極端3 1 〇 a，並且該發光二極體晶片3 a 係直接設置在該導電接腳2 Q a上，以使得該正電極端3 〇 〇 a直接與該導電接腳2 〇 a之正電極區域2 〇 〇 a產 生電性接觸’而該發光二極體晶片3 a之負電極端3 1 〇 a係透過一導線6 a與該導電接腳2 1 a之負電極區域2 1 0 a產生電性連接。 最後，該螢光膠體4 a係覆蓋在該發光二極體晶片3 6 1337783 保護該發光二極體晶片3 a。藉此，習知之直立 :體晶片封裝結構係可產生向上投光（如箭頭所 不）之發光效果。 二極：一圖及第三圖所示’其分別為習知側式發光 :—B曰片封裝結構之立體示意圖及第二圖之3_3剖面 ^由圖t可知’習知之側式發光二極體晶片封裝結構係 ^ ^絕緣基底lb、-導電架2b、-發光二極體晶 片3 b及一螢光膠體4 b。 八中°亥‘包杀2 b係具有二個分別沿該絕緣基底1 彎折二次之導電接腳2 0 b、2 1 b，以使得 h導电接腳2 〇 b、2 1 b之側端面可與一電路板5 b 產生電性接觸，並且該導t接腳2 Q b、2丨b分別具有 一正電極區域2 〇 〇 b及-負電極區域2 1 〇 b。八 ^者’該發光二極體晶片3 b係具有—正電極端3 〇 俜直t:i:=〇b，並且該發光二極體晶片3b _接腳2 〇 bJl，以使得該正電極端3 該導電接腳20b之正電極區域2〇〇M 生電性接觸’而該發光二極體晶片3 b之負電極端Η 〇 一導線“與該導電接腳2 lb之負電極區域2 丄◦ b產生電性連接。 最後，該螢光膠體4 b係覆蓋在該發光二極體曰片3 ^以保護該發光二極體晶片3 b。藉此，習知:側式 發光一極體晶片封裝結構係可產生側向投光 箭頭所示）之發級果。 弟二圖之 7 1337783 然而’上述直立式及側式發光二極體晶片封裝結構之 該等導電接腳（2 ◦ a、2 1 a、2 0 b、2 1 b)必須 經過彎折才能與電路板（5 a、5b)產生接觸，因此增 加製程的複雜度。 是以，由上可知，目前習知之發光二極體封裝結構， 顯然具有不便與缺失存在，而待加以改善者。 緣疋’本發明人有感上述缺失之可改善，且依據多年 來從事此方面之相關經驗，悉心觀察且研究之，並配合學 理之運用’而提出一種設計合理且有效改善上述缺失之本 發明。 【發明内容】 本發明所要解決的技術問題，在於提供一種以陶瓷為 基板之穿孔式（through hole type)發光二極體晶片封裝結 構及其製作方法，其優點在於：可藉由任何成形的方式， 將導電層成形於陶瓷基板上，然後再透過陶瓷共燒技術 (Low-Temperature Cofired Ceramics，LTCC )，將中空陶究 殼體固定於該陶瓷基板上，因此本發明不像習知一樣需要 使用導電架並且還要經過彎折才能與電路板產生電性連 接。 為了解決上述技術問題，根據本發明之其中一種方 案’提供一種以陶瓷為基板之穿孔式（through hole type) 發光·一極體晶片封裝·結構’其包括：一陶究基板（ceramic substrate )、一導電單元（conductive unit )、一中空陶曼殼 8 1337783 體（hollow ceramic casing)、複數個發光二極體晶片（LED chip )、及一封裝膠體（package colloid )。其中，該陶究基 板係具有一本體（main body )、複數個彼此分開且分別從該 本體之頂面延伸出之凸塊（protrusion)、複數個分別貫穿該 等相對應凸塊之貫穿孔（through hole )、及複數個分別形成 於該本體側面及每兩個凸塊之間之半穿孔（half through hole) ° • 再者’該導電單元係具有複數個分別成形於該等凸塊 表面之第一導電層（first conductive layer )、複數個分別成 形於該等半穿孔的内表面及該本體的底面之第二導電層 (second conductive layer )、及複數個分別填充滿該等貫穿 孔之第二導電層（third conductive layer )，其中該第三導電 層係電性連接於該第一導電層與該第二導電層之間。 此外’該中空陶瓷殼體係固定於該陶瓷基板之本體的 頂面上以形成一容置空間（receiving space )，並且該容置空 鲁 間係曝露出該等第一導電層之頂面。該等發光二極體晶片 係分別設置於該容置空間内，並且每一個發光二極體晶片 之正、負電極端係分別電性連接於不同之第一導電層。該 封裂膠體係填充於該容置空間内，以覆蓋該等發光二極體 晶片。 為了解決上述技術問題，根據本發明之其中一種方 案’ 供一種以陶曼為基板之穿孔式（through hole type) 發光一極體晶片封裝結構之製作方法，其包括：首先，提 供陶曼基板（ceramic substrate )，其具有一本體（main 9 1337783 body)、複數個彼此分開且分別從該本體之頂面延伸出之凸 塊（protrusion )、複數個分別貫穿該等相對應凸塊之貫穿孔 (through hole )、及複數個分別形成於該本體側面及每兩個 凸塊之間之半穿孔（half through hole);然後，分別成形複 數個第一導電層（first conductive layer)於該等凸塊之表 面’並且为別成形複數個第二導電層（second conductive layer)於該等半穿孔的内表面及該本體的底面。 接下來’分別填充滿複數個第三導電層（third conductivelayer)於該等貫穿孔内，以電性連接於該第一導 電層及該第二導電層之間；緊接著，固定一中空陶瓷殼體 (hollow ceramic casing)於該陶瓷基板之本體的頂面上以 形成一容置空間（receiving space)，並且該容置空間係曝露 出該等第一導電層之頂面；然後，分別設置複數個發光二 極體晶片（LED chip)於該容置空間内，並且每一個發光 二極體晶片之正、負電極端係分別電性連接於不同之第一 導電層，最後，填充一封裝膠體（package c〇n〇id)於該容 置空間内’以覆蓋該等發光二極體晶片。 因此，本發明係透過該等貫穿孔及該等導電層（該第 一導電層、第二導電層、及第三導電層）的相互配合，以 使得本發明不需透過彎折導電架，即可與電路板產生電性 連接。亦即，本發明透過填充該第三導電層於該貫穿孔内， 以作為該第一導電層及該第二導電層之間（或該發光二極 體晶片與電路板之間）的導電橋樑。所以，本發明具有簡 化製程及降低製作成本的優點。 曰 10 1337783 為了能更進一步瞭解本發 技術、手段及功效，請參閱以目的所採取之 附圖，相信本發明之目μ # 胃本《明之$細說明與 批本U之目的、特徵與特點，當 一听 入且具體之瞭解，然而所附圖式 于冰 非用來對本發明加以限制者。考與明用’並 【實施方式】
古請參閱第四圖至第六圖所示’第四圖係為第—實施例 圖’第五Α圖至第五C圖係為第—實施例之製作流 知不意圖；第六圖係為第—實施例之前視示意圖。由第四 圖之流程财可知，本制係提供—種明£為基板之穿 孔式（through hole type)發光二極體晶片封裝結構之製作 方法’其包括H配合第五厶圖及第六圖所示，提供 一陶瓷基板1，其具有一本體1 〇、複數個彼此分開且分 別從該本體1 〇之頂面延伸出之凸塊丄丄 '複數個分別貫 穿δ亥等相對應凸塊1 1之貫穿孔（thr〇Ugh h〇】e) 1 2、及 複數個分別形成於該本體1〇側面及每兩個凸塊之間之半 穿孔（half through hole) 1 3 (S100)。其中，每一個貫穿 孔12係由每一個相對應之凸塊11傾斜至每一個相對應 之半穿孔1 3。亦即’每一個貫穿孔1 2係形成一傾斜通 道，以連通於每一個相對應之凸塊1 1及每一個相對應之 半穿孔13之間。 接下來，分別成形複數個第一導電層（first conductive layer) 2於該等凸塊1 1之表面，並且分別成形複數個第 1337783 二導電層（second conductive layer ) 3於該等半穿孔1 3的 内表面及該本體1 ◦的底面（S102)，以形成複數個底面接 腳3 0 ;然後，分別填充滿複數個第三導電層4於該等貫 穿孔1 2内，以電性連接於該第一導電層2及該第二導電 層3之間（S104)。
接著，配合第五B圖及第六圖所示，固定一中空陶瓷 殼體5於該陶瓷基板1之本體1 〇的頂面上以形成一容置 空間5 0，並且該容置空間5 〇係曝露出該等第一導電層 2之頂面（S106)，其中該陶瓷基板丄之本體i 〇與該中^ 陶瓷叙體5係為兩個相互配合之長方體，並且該中空陶瓷 忒體5係利用陶瓷共燒技術（Low_Temperature c〇fired
Ceramics ’ LTCC)，以固定於該陶究基板丄之本體丄 面上。 ' 接下來，配合第五C圖及第六圖所示，分別設置複數 個發光二極體晶片6於該容置空間5 〇内，並且每一個發 光二極體晶片6之正、負電極端係分別電性連接於不同^ 第-導電層2 (S108)’其中每一個發光二極體晶片6之 正、負電極端係可透過兩個導線7，以分別電性連接於不 同之第一導電層2 ;最後’填充—封裝膠體8於該容置空 間5 0内，以覆蓋該等發光二極體晶片6 (sug)。藉此， 透過4置空間5 0朝上的方式，讓該等第二導電層3之 底Z腳3 Μ翻於1路板（圖未示），以使得本發明 =二？體晶片封裝結構能以直立的方式向上投光（如 第六圖之箭頭所示）。 12 請參閱第七圖所示，其係為本發明第一 :核體晶叫種設置方式之側視示意圖。由圖= Λ專第‘電層2係分成複數個正極導電部2 〇及負 =電部2 並且該發光二極體晶片6之正、負電極端 二6 1係分別設置於每一個發光二極體晶片6之上表 ，错此，透過打線（wire_b〇unding)的方式，以使得每 :個發光二極體晶片6之正、負電極端6 Q、6丄分別透 T而電性連接於相鄰之正極導電部2 〇及負極導 請參閱第八圖所示，其係為本發明 :極體^的第二種設置方式之側視示意圖。由圖S °亥等第—導電層2 一係分成複數個正極導電部2 〇 一 f5極T %部2 1 ’並且該發光二極體晶片之正、 曰Η極R端6 Q、6 1係分別設置於每—個發光二極體 曰曰.6 <下表面與上表Φ ;藉此，透過打線 β ^ 的方式’以使得每—個發光二極體晶片 亟端6〇直接電性連接於相對應之正極導電
部20 ，並且每一個發并-朽栌曰^cA 1'則透過-導綠7 6之負電極端6 〕 、 而電性連接於相對應之負極導電部 ζ 1 ° 4種设置方式之側視示意圖。由圖中可 ° 導電層2々係分成複數個正極導電部20" 及負極導電部2”，並且該發光二極㈣片6"之正、負 13 1337783 電，端6 Ο "、6丄，，係分別設置於每—個發光二極體晶片 6 之下表面；藉此，透過覆晶（flip-chip)的方式，以使 得每一個發光二極體晶片6〃之正、負電極端6 〇,,、6丄" 分別透過複數個相對應之錫球7 〃而電性連接於相鄰之正 極導電部2 cr及負極導電部2 1。 請參閱第十圖所示，其係為本發明發光二極體晶片的 第四種設置方式之側視示意圖。由圖中可知，該發光二極 體晶片9之正、負電極端9 〇、9 1係分別設置於每一個 發光二極體晶片9之上表面，並且每一個發光二極體晶片 9係分別設置於每二個凸塊9 2之間；藉此，透過打線 (wire-bounding)的方式，以使得每一個發光二極體晶片 9之正、負電極端9 0、9 1分別透過兩導線9 3而電性 連接於相鄰之正極導電部9 4及負極導電部9 5。 細上所述，本發明之優點在於：可藉由任何成形的方 式，將該等第一、第二及第三導電層（2、3、4)成形 於該陶瓷基板1上；然後再透過陶瓷共燒技術 (Low-Temperature Cofired Ceramics，LTCC )，將中空陶曼 殼體5固定於該陶曼基板1上，因此本發明不像習知一樣 需要使用導電架並且還要經過彎折才能與電路板產生電性 連接。 因此，本發明係透過該等貫穿孔1 2及該等導電層（該 第一導電層2、第二導電層3、及第三導電層4)的相互 配合，以使得本發明不需透過彎折導電架，即可與電路板 產生電性連接。亦即’本發明透過填充該第 三 導電層4於 14 ^貝穿孔1 2内，以作為該第一導電層2及該第二導電層 之間（或該發光二極體晶片6與電路板之間）的導電橋 “。所以，本發明具有簡化製程及降低製作成本的優點。 令、，准以上所述，僅為本發明最佳之一的具體實施例之 ^說明與圖式，惟本發明之特徵並g限於此，、並非用 2制本發明，本發明之所有範龍以下述之申請專利範 巧準，凡合於本發明中請專利範圍之精神與其類似變化 2¼例’皆應包含於本發明之範_中，任何熟悉該項技 ，者在本發明之領域内，可輕易思及之變化或修飾皆可涵 盍在以下本案之專利範圍。 【圖式簡單說明】 第一圖係為習知直立式發光二極體晶片封裝結構之剖面示 意圖； 第二圖係為習知側式發光二極體晶片封裝結構之立體示意 圖； 第三圖係為第二圖之3-3剖面圖； 第四圖係為本發明以陶瓷為基板之穿孔式（thr〇ugh h〇le type )發光二極體晶片封裝結構之製作方法的第一實 施例之流程圖； 第五A圖至第五C圖係為本發明以陶曼為基板之穿孔式 (through hole type)發光二極體晶片封裝結構之製 作方法的第一實施例之製作流程示意圖； 第六圖係為本發明以陶瓷為基板之穿孔式（through hole 15 1337783 t y Pp發光二極體晶片封裝結第 示意圖； 』义剐视 第七圖係為本發明筮 ^ 弟—貫施例之發光二極體晶片的第一種 5又置方式之側视示意圖； 種 第八圖係為本發料—實施例 二 設置方式之側視示意圖； ’弟-種
弟九圖明第—實施例之發光二極體晶片的第三種 m 叹置方式之側視示意圖；以及 θ ^為本發明發光二極體晶片的第四種設置方式之側 視示意圖。 【主要元件符號說明】 [習知] 絕緣基底 η ^
發光二極體晶片3 a 骜光膠體 電路板導線 絕緣基底 導電架 4 a 5 a 6 a lb 2 b 導電接腳 2 0 a、2 1 a 正電極區域 200a 負電極區域 210a 正電極端 300a 負電極端 3 10a 導電接腳 2 0 b、2 1 b 16 1337783 發光二極體晶片 3b 正電極區土或 負電極區域 正電極端 負電極端 螢光膠體 電路板 導線 [本發明] 4 b 5 b 6 b 陶瓷基板 1 本體 凸塊 貫穿孔 半穿孔 第一導電層 2 正極導電部 負極導電部 第一導電層 2 ^ 正極導電部 負極導電部 第一導電層 2" 正極導電部 負極導電部 第二導電層 3 底面接腳 第三導電層 4 中空陶瓷殼體 5 容置空間 發光二極體晶片 6 正電極端 負電極端 發光二極體晶片 6 / 正電極端 b b b b ο ο ο ο - - ^ ^ ' ο 1 ο 1 01230101010 ο ο 1 ο 2 2 3 3 11112222223 5 6 6 6 17 1337783 負電極端 6 1 發光二極體晶片 6" 正電極端 6 0 負電極端 6 1 導線 7、7 錫球 7" 封裝膠體 8 發光二極體晶片 9 正電極端 9 0 負電極端 9 1 凸塊 9 2 導線 9 3 正極導電部 9 4 負極導電部 9 5 18

Claims (1)

1337783 十、申請專利範圍： 1、一種以陶瓷為基板之穿孔式（through hole type)發光 二極體晶片封裝結構，其包括： 一陶究基板（ceramic substrate)，其具有一本體（main b 〇 d y )、複數個彼此分開且分別從該本體之頂面延伸 出之凸塊（protrusion )、複數個分別貫穿該等相對應 凸塊之貫穿孔（through hole)、及複數個分別形成於 該本體側面及每兩個凸塊之間之半穿孔（half through hole)； 一導電單元（conductive unit) ’其具有複數個分別成形 於該等凸塊表面之第一導電層（first conductive layer)、複數個分別成形於該等半穿孔的内表面及該 本體的底面之第二導電層（second conductive layer)、及複數個分別填充滿該等貫穿孔之第三導電 層（third conductive layer )，其中該第三導電層係電 性連接於該第一導電層與該第二導電層之間； 一中空陶瓷殼體（hollow ceramic casing )，其固定於該 陶瓷基板之本體的頂面上以形成一容置空間 (receiving space )’並且該容置空間係曝露出該等第 一導電層之頂面； 複數個發光二極體晶片（LED chip)，其分別設置於該 容置空間内’並且每一個發光二極體晶片之正、負 電極端係分別電性連接於不同之第一導電層；以及 一封裝膠體（package colloid)，其填充於該容置空間 19 21337783 内 以覆蓋該等發光二極體晶片。 、如申請專利範圍第1項所述之以陶竟為基板 (through hole type)發光二極體晶片封裝結 士 每一個貫穿孔係由每-個相對應之第一導電層傾斜: 每一個相對應之第二導電層。 斜至 3
、如中請專利範1S第1項所述之以_為基板之 (through h0丨e type)發光二極體晶片封裝結構，苴^ 該本體與該令空陶瓷殼體係為兩個相互配合之^十 4、 如申請專利範圍第丄項所述之以陶瓷為基板之穿孔 (through hole type)發光二極體晶片封裝結構，苴式 該第-導電層、該第二導電層、及該第三導電層皆: 銀膏層（silver paste layer)。 、 5、 如申請專利範圍第1項所述之以陶瓷為基板之穿孔式
(through hole type)發光二極體晶片封裝結構，其; 該容置空間係朝向上方，以使得該本體底面之第二 電層接觸於一電路板。 6、 如申請專利範圍第1項所述之以陶瓷為基板之穿孔式 (through hole type)發光二極體晶片封裝結構，其中 該等第一導電層係分成複數個正極導電部及負極導t 部。 7、 如申請專利範圍第6項所述之以陶瓷為基板之穿孔式 (through hole type)發光二極體晶片封裝結構，其中 該發光二極體晶片之正、負電極端係分別設置於每一 20 1337783 個發光二極體晶片之上表面；藉此，透過打線 (一〇unding)的方式，以使得每一個發光二極體 晶片之正、負f極端分別透過兩導線而電性連接於相 鄰之正極導電部及負極導電部。 8、 如申料圍第6項所述之以料為基板之穿孔式 (A_gh hole type)發光二極體晶片封裝結構，其中 該發光二極體晶片之正、負電極端係分別設置於每一 個發光二極體晶片之下表面與上表面；藉此，透過打 線（職-b_ding)的方式，以使得每一個發光二極 體晶片之正電極端直接電性連接於相對應之正極導電 部，並且每-個發光二極體晶片之負電極端則透過一 導線而電性連接於相對應之負極導電部。 9、 如申請專利範圍第6項所述之以陶曼為基板之穿孔式 二（through hole type)發光二極體晶片封裝結構，其^ 該發光二極體晶片之正、負電極端係分別設置於每一 個發光二極體晶片之下表面；藉此，透過覆晶 (flip-chip)的方式，以使得每一個發光二極體曰片之 正、負電極端分別透過複數個相對應之锡球而電性連 接於相鄰之正極導電部及負極導電部。 1 0、如申請專利範圍第6項所述之以陶瓷為基板之穿孔 式（through hole type)發光二極體晶片封裝結構，其 中該發光二極體晶片之正、負電極端係分別設置於^ 一個發光二極體晶片之上表面，並且每一個發光二極 體晶片係分別設置於每二個凸塊之間；藉此]透過打 21 1337783 線（wire-bounding)的方式，以使得每一個發光二極 體晶片之正、負電極端分別透過兩導線而電性連接於 相鄰之正極導電部及負極導電部。 1 1、一種以陶究為基板之穿孔式（through hole type)發 光二極體晶片封裝結構之製作方法，其包括： 提供一陶曼基板（cerainic substrate)，其具有一本體 (main body )、複數個彼此分開且分別從該本體之頂 面延伸出之凸塊（protrusion)、複數個分別貫穿該等 相對應凸塊之貫穿孔（through hole )、及複數個分別 形成於該本體側面及每兩個凸塊之間之半穿孔（half through hole )； 分別成形複數個第一導電層（first conductive layer )於 該等凸塊之表面，並且分別成形複數個第二導電層 (second conductive layer)於該等半穿孔的内表面及 該本體的底面； 分別填充滿複數個第三導電層（third conductive layer ) 於該等貫穿孔内，以電性連接於該第一導電層及該 第二導電層之間； 固定一中空陶瓷殼體（hollow ceramic casing)於該陶 竟基板之本體的頂面上以形成一容置空間（receiving space)，並且該容置空間係曝露出該等第一導電層之 頂面； 分別設置複數個發光二極體晶片（LED chip)於該容 置空間内，並且每一個發光二極體晶片之正、負電 22 1337783 極端係分別電性連接於不同之第一導電層；以及 填充一封裝膠體（package colloid)於該容置空間内， 以覆蓋έ亥等發光二極體晶片。 1 2、如申請專利範圍第1 1項所述之以陶瓷為基板之穿 孔式（through hole type)發光二極體晶片封裝結構 之製作方法，其中每一個貫穿孔係由每一個相對應 之第一導電層傾斜至每一個相對應之第二導電層。 1 3、如申請專利範圍第1 1項所述之以陶瓷為基板之穿 孔式（through hole type)發光二極體晶片封裝結構之 製作方法，其中該本體與該中空陶瓷殼體係為兩個相 互配合之長方體。 1 4、如申請專利範圍第1 1項所述之以陶瓷為基板之穿 孔式（through hole type)發光二極體晶片封裝結構之 製作方法，其中該第一導電層、該第二導電層、及該 第三導電層皆為銀膏層（silverpastelayer)。 1 5、如申請專利範圍第1 1項所述之以陶瓷為基板之穿 孔式（through hole type)發光二極體晶片封裝結構之 製作方法’其中該容置空間係以朝上的方式，以使得 該本體底面之第二導電層接觸於一電路板。 1 6、如申請專利範圍第1 1項所述之以陶瓷為基板之穿 孔式（through hole type)發光二極體晶片封裝結構之 製作方法’其中該等第一導電層係分成複數個正極導 電部及負極導電部。 1 7、如申請專利範圍第1 5項所述之以陶瓷為基板之穿 23 1337783
孔式（through hole type)發光二極體晶片封 製作方法’其中該發光二極體晶片之正、負電= 分別設置於每一個發光二極體晶片之上表面.# ’、 透過打線（wire-bounding)的方式，以使得每路 光二極體晶片之正、負電極端分別透過兩導線 連接於相鄰之正極導電部及負極導電部。、、、電性 1 8、如中請專利範圍第！ 5項所述之以喊為基
孔式（through hole type)發光二極體晶片封: 製作方法，其中該發光二極體晶片之正、 分別，置於每一個發光二極體晶片之下表面與^ 面，藉此，透過打線（wire-bounding)的方弋，r 得每一個發光二極體晶片之正電極端直接電1連 相對應之正極導電部，並且每一個發光二極體晶片之 負電極端則透過一導線而電性連接於相對應之 電部。 、、不V
1 9、如申請專利範圍第1 5項所述之以陶瓷為基板之穿 孔式（through hole type)發光二極體晶片封裝結構之 製作方法’其中該發光二極體晶片之正、負電極端係 分別設置於每一個發光二極體晶片之下表面；藉此， 透過覆晶（flip-chip)的方式，以使得每一個發光二極 體晶片之正、負電極端分別透過複數個相對應之錫球 而電性連接於相鄰之正極導電部及負極導電部。 2 0、如申請專利範圍第丄5項所述之以陶瓷為基板之穿 孔式（through hole type)發光二極體晶片封裝結構之 24 1337783 製作方法，其中該發光二極體晶片之正、負電極端係 分別設置於每一個發光二極體晶片之上表面，並且每 一個發光二極體晶片係分別設置於每二個凸塊之間； 藉此，透過打線（wire-bounding)的方式，以使得每 一個發光二極體晶片之正、負電極端分別透過兩導線 而電性連接於相鄰之正極導電部及負極導電部。 2 1、如申請專利範圍第1 1項所述之以陶瓷為基板之穿 孔式（through hole type )發光二極體晶片封裝結構之 製作方法，其中該中空陶瓷殼體係利用陶瓷共燒技術 (Low-Temperature Cofired Ceramics，LTCC )，以固定 於該陶瓷基板之本體的頂面上。 25
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