TWI331387B - Embedded passive device and methods for manufacturing the same - Google Patents

Embedded passive device and methods for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
TWI331387B
TWI331387B TW096100976A TW96100976A TWI331387B TW I331387 B TWI331387 B TW I331387B TW 096100976 A TW096100976 A TW 096100976A TW 96100976 A TW96100976 A TW 96100976A TW I331387 B TWI331387 B TW I331387B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
passive component
layer
buried
dielectric layer
Prior art date
Application number
TW096100976A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200830510A (en
Inventor
Yung Hui Wang
In De Ou
Chih Pin Hung
Original Assignee
Advanced Semiconductor Eng
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Semiconductor Eng filed Critical Advanced Semiconductor Eng
Priority to TW096100976A priority Critical patent/TWI331387B/zh
Priority to US11/939,797 priority patent/US20080164562A1/en
Publication of TW200830510A publication Critical patent/TW200830510A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI331387B publication Critical patent/TWI331387B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822Multilayer substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09218Conductive traces
    • H05K2201/09236Parallel layout
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/107Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4652Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

1331387 、 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種封裝結構及其製造方法,特別是有 關於一種具有埋入被動元件之基板及其製造方法。 【先前技術】 内埋電容元件結構為一種依照模組的電路特性與需求, 採用多層線路板封裝(Multiple Stacked Package ; MSp)技術將 鲁電容以介電材料内埋於基板的中,實際應用時可以依照電路 特性與需求,而採用具有不同介電係數及電阻的基板材料來 應用在内埋電容、電阻或高頻傳輸線等設計上。透過内埋元 件基板技術的構裝整合,來縮短電路佈局並減少訊號傳輸距 離來提升整體s件的工作性能,藉以取代傳統離散式被動元 件例如電容器、電阻及電感等,其優點為減少離散式被動元 件的使用數量,it而降低產品的相關製作與檢測成本,縮減 基板厚度,並減少元件的銲點數目,提高模組的電氣高頻響 鲁應以提昇產品構裝密度與可靠度。 以内埋式電容元件為例,習知的内埋式電容元件主要有 - 金屬/絕緣體/金屬(Mental-Insulator-Mental ; MIM)電容與垂直 中金屬/絕緣體/金屬電容器是利用位於多層線路板1〇〇之間的 上下兩片金屬平板101a和1〇lb來構成的電容結構(請參照第 1圖)。而垂直指插式電容器(請參照第2圖)則是由位於於多層 線路板200間的多層金屬平板201a、201b、201c和20 Id互相 5 87 夂:疊而&為了改善内埋式電容元件的電容特性,此二種 電容元件以⑸m構⑷屬平板以及多層線路板)的疊 層 僅佔據了有限的基板空間,又會使基板的厚度陡 然增加。 【發明内容】 因此’非常需要—㈣進的内埋式電容元件結構及其製 造方法’可以不需要增加基板厚度即可增進内埋式電容元件 的電容特性’來解決習知内埋電容元件爲了增加電容特性而 導致基板厚度大幅增加的等問題。 本發月之目的係在於提供—種具有埋人被動元件之基 板,包含:具有第-導電電路的夾層電路板、介電層、第一 電 帛冑極以及第二導電電路。其中設於夹層電路板上 的介電層具有第-凹洞與第二凹洞。第-電極設於第一凹洞 中,第一電極6又於第二凹洞中,藉由第一與第二電極以及位 於第^ 一電極與第"'雷iS P, + yv «fe ja '弗一電極間之介電層形成埋入被動元件。第二 導電電路電性連接第一電極與第二電極。 本發明之另一目的係在於提供一種製造具有埋入被動元 件之基板的製程’其包含下列步驟:首先提供具有第一導電 電路的夾層電路板(lntedayer b。叫。再形成介電層於 夹層電路板上。之後再於介電層中形成第一凹洞與第二凹 洞。然後將導電材料填入介電層之第—凹洞與第:凹洞中, 、刀别形成第一電極與第二電極,藉由第一電極 '第二電極 以及位於第-電極與第二電極之間的介電層來形成埋入被動 山 1387 疋件接著形成第二導電電路於第—電極與第二電極上。 本發明之又一目的係在於提供一種製造具有埋 件之基板的製程’其包含下列步驟:首先提供具 = 電路的夹層電路板,在提供表面具有一介電層的—導電 層壓於夾層電路板之上,使得絕緣層係與央 層電路板上之第一導電電路接觸。再於金屬片與介 =第-凹狗與第二凹洞。然後,將導電材料填人第—凹盘 第二凹洞中,以形成第-電極與第二電極,藉由第—電和/、 第一電極以及位於第一電極與第二電極間之介 :被動元件。再形成一第二導電電路於第一電極與第二: 根據上述較佳實施例,可4 私#於八雷思n 了知本發明的技術特徵係採用 嵌…丨電層之同一側的兩個電極、位於兩電極之間 層’以及導通兩電極的電路來構成一個埋入被動元件 減少基板的叠層數目,縮短電路佈局並減少訊號傳輸距:省 佈線空間’具有不會使基板的厚度增加的優點,解決習 埋被動7L件爲了增進卫作效能而必須大幅增加基板厚度的 題0 4 【實施方式】 本發明的實施例係在於提供一種具有埋入被動元件 板。為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優 : 易懂,特舉-内埋有埋入式電容元件3()之基板則作二 實施例來加以說明。 k 7 1331387 • 請參照第3圖’第3圖係'根據本發明的較佳實施例所緣 示的-種内埋有埋入式電容元件30之基板3〇〇的縱向結構别 面圖。此基板300包含:下壓合層313、具有第一導電電路 301的夾層電路板302、介電層3〇4、第一電極3〇6、第二電 極308以及第二導電電路310。 其中夾層電路板302係一核心層(3〇2)位於下壓合層3 1 3 上,且第一導電電路301形成於核心層(3〇2)之上。其中下壓 合層3 13係一介電層;另外,在本發明的一些較佳實施例之 • 中,還包含一第三導電電路303形成於下壓合層313與核心 層(302)之間。第一導電電路301和第三導電電路3〇3則係分 別形成於核心層(302)上下兩側的圖案化導電層。 設於夾層電路板302上的介電層304具有第一凹洞3〇4a 與第二凹洞304b,且第一凹洞304a與第二凹洞304b相距有 一段距離。第一電極306設於第一凹洞304a中;第二電極3〇8 設於第二凹洞304b中。 請參照第4A圖,第4A圖係根據本發明的較佳實施例所 • 繪示的一種内埋有埋入式電容元件之基板的橫向結構剖面 圖。在本實施例之中’第4A圖係沿著第3圖所繪示的切線s • 方向所作的橫向剖面圖。其中第一凹洞304a與第二凹洞304b : 係分別介由雷射鑽孔法或曝光顯影法所形成的溝槽或窄孔, 其中第一凹洞304a與第二凹洞304b所形成的溝槽或窄孔係 互相平行。導電材料則介由網板印刷法(screen printing)法或 電鍍法填入第一凹洞304a與第二凹洞304b中,藉以形成由 兩個彼此平行之板狀結構(plate structure)所構成的第一電極 8 1331387 306和第二電極308。 在本發明的另外一些實施例之中’第一凹洞3〇4a與第二 凹洞3〇4b係分別為梳子狀窄孔結構。請參照第4B圖,第4B 圖係根據本發明的較佳實施例所繪示的另一種内埋有埋入式 電容元件之基板的橫向結構剖面圖。在本實施例之中,第— .凹洞304a與第二凹洞3〇4b係藉由雷射鑽孔法或曝光顯影法 所分別形成的一種梳狀溝槽結構,其中第一凹洞3〇乜與第二 凹洞304b的梳狀溝槽結構係彼此叉合(interdigitated)。導電材 •料則藉由網板印刷法法或電鍍法填入第一凹洞304a與第二凹 洞304b中,藉以分別形成由兩個彼此又合之薄板梳狀結構 (plate comb structure)所構成的第一電極3〇6和第二電極3如。 請再參照第3圖,第一電極3〇6與第二電極3〇8則藉由 第二導電電路310電性導通至其他線路層;而第一電極3〇6、 第二電極308以及位於第一電極3〇6與第二電極3〇8間之介 ,層304三者即可形成埋人式電容元件3()。在本發明的較佳 實轭例之中,第二導電電路3 1 〇係形成於介電層304上,且 籲具^一導通迴路的圖案化金屬層,用以電性導通第一電極则 和第二電極308至其他線路,並且可以與基板3〇〇外部之其 -他電子π件(未繪示),例如晶粒、電子元件或其它離散式被動 元件,藉由打線(未纟會示)電性連結。 值得注意的是,基板3〇〇還具有一第二電容元件^ 成在下壓合層313之中。在本實施例之中,埋入式被動 31々係由第三電極305、第四電極3〇7以及位於第三電極 與第四電極307間的下壓合層313三者所構成。其令第三電 9 1331387 極305係形成於下壓合層313中的第三凹洞3〇3a中,第四電 極307則係形成於下壓合層313中的第四凹洞3〇3b中。 第三凹洞303a和第四凹洞3〇3b係分別形成於下壓合 層313與核心層(302)接觸的相對一表面上,且第三凹洞3〇3a 與第四凹洞303b相距有_段距離。其中第三電極3〇5和第四 電極307則係藉由電鍍或沉積的方式將導電材質分別填充於 第一凹洞303a中和第二凹洞3〇3b之中所形成並藉由第四 導電電路3 12彼此電性連結。在本實施例之中,帛四導電電 路312係俱有-導通迴路的圖案化金屬f,形成於下壓合層 3 13,形成有第二凹洞3〇3a與第四凹洞3〇3b的表面上可用 來導通第二電極305和第四電極3〇7。 另外基板300還包含有防銲層(s〇lder mask)3〇9和 311 ’分別覆蓋於第二導電電路31〇及第四導電電路3i2上, 使得第二導電電路310及第四^電電路312帛以與外部之電 子元件(未繪示)電性連接之區域分別由防銲層3〇9和311裸露 出來。且第二導電電路3 1〇及第四導電電路312裸露的部分 上方還分別覆蓋有-層金屬覆蓋層314和316作為後續打線 或覆晶製程的鲜塾(Pad)。 請參照第5圖。帛5圖係根據本發明的一個較佳實施例 所繪示之,製造如第3圖之具有埋入被動元件基板的製造流 程圖。其包含下列步驟: 首先請參照步驟S51,提供至少一個具有第一導電電路 3CU的夾層電路板302。在本發明的較佳實施例之令,夹層電 路板302包括下壓合層313以及核心層⑽),可用來做為多 1331387 層線路板封裝結構中的核心基材(c〇re Layer),但在其他實施 例之中,失層電路板302係用來做為多層線路板封裝結構中 的層壓板(Laminated Layer)。 請參照步驟S52,再於夹層電路板302上形成介電層 3 04。在本發明的較佳實施例之中,介電層3〇4係藉由熱壓合 所形成的上壓合層。 之後再參照步驟S53,藉由例如藉由雷射鑽孔法或曝光顯 法於;I電層304中形成第一凹洞304a與第二凹洞304b。其 中第一凹洞304a與第二凹洞3〇4b並不限形狀與尺寸,較佳 係兩條互相平行的溝槽或窄孔,或是兩個彼此叉合的梳狀溝 槽結構。 …後π再參照步驟S 5 4 ’藉由網板印刷法或電鑛法將導電 材料填入介電層304之第一凹洞3〇4a與第二凹洞3〇外中, 以分別形成第一電極3〇6與第二電極3〇8,藉由第一電極 306、第二電極308以及位於第一電極300與第二電極308之
間的介電層304來形成埋入被動元件。在本發明的較佳實施 例中,第一電極306和第二電極3〇8分別由兩個互相平行的 板狀結構,或兩個彼此叉合之薄板梳狀結構所構成。 接著請再參照步驟S55,形成第二導電電路31〇於第一電 極306與第二電極3〇8 i。形成第二導電電路電31〇的步驟 包括在介電層304形成有第一凹洞304a和3〇4b之一側上沉 積-導電層,接著圖案化此一導電層以形成具有導通迴路的 圖案化金屬層,介以電性連結第一電㉟3〇6以及第二電極 3〇8 °在本發明較佳實施例之中,導電層與第-電極306和第 11 1331387 二電極308同時形成。 請再參照第6 ® ’第6圖貝系根據本發明的另一個較佳 -實施例m繪示之製造如帛3以具有埋入被動元件基板的製 造流程圖。其包含下列步驟: 首先請參照步驟S61,提供具有第一導電電路3〇1的夾層 •電路板302’以及表面具有一介電層3〇4的一金屬片。在本發 明的較佳實施例之中,夾層電路板3〇2包括下壓合層313以 及核心層(302) ’彳用來做為多層線路板封裝結構中的核心基 •材’但在其他實施例之中,夹層電路板302係用來做為多層 線路板封裝結構中的層壓板。介電層3〇4係由一預浸潰體 (prepreg)所形成用來彼覆金屬層的覆蓋層。 、又' 接著請參照步驟S62,將金屬片層壓於夾層電路板3〇2之 上,使得介電層304係與夹層電路板3〇2之第一導電電路%工 接觸。 請再參照步驟S63,藉由例如藉由雷射鑽孔法或曝光顯影 法於金屬片與介電層304中形成第一凹洞3〇鈍與第二凹洞 • 3〇4b。其中第一凹洞304a與第二凹洞304b並不限形狀與尺 寸,較佳係兩條互相平行的溝槽或窄孔,或是兩個彼此叉合 • 的梳狀溝槽結構。 σ 然後請再參照步驟S 6 4,藉由網板印刷法或電鍍法將導電 材料填入介電層304之第一凹洞3〇4a與第二凹洞3〇仆中, 以分別形成第一電極306與第二電極3〇8,藉由第一電極 306、第二電極3〇8以及位於第一電極3〇6與第二電極之 間的介電層304來形成埋入被動元件。在本發明的較佳實施 12 1331387 例中’第一電極3〇6和第二電極3〇8分別由兩個互相平行的 板狀結構’或兩個彼此叉合之薄板梳狀結構所構成。 接著請再參照步驟S65,形成第二導電電路3 10以電性連 接第一電極306與第二電極.308<)形成第二導電電路電31〇的 步驟包括圖案化金屬層以形成一導通迴路使第一電極306與 第二電極3 0 8電性連結。 另外开> 成如第3圖所繪示的基板300還包括:形成一防 銲層309覆蓋在第二導電電路3 1〇上,並使得第二導電電路 • 上310用來與外部電子元件(未繪示)電性連的區域由該防銲 層309裸露出來。並在第二導電電路31〇之裸露部分形成— 金屬覆蓋層3 14於其上,作為後續打線或覆晶製程的銲墊。 根據上述較佳實施例,可知本發明的技術特徵係採用 形成於夾層電路板上之至少一個介電層中的二個凹洞來填充 導電材料,藉以形成兩個彼此分離的電極;並藉由兩電極和 位於兩電極之間的介電層,以及導通兩電極的電路來直接構 成一個埋入被動元件。由於兩個電極係直接嵌設於單一介電 φ層之中,因此即使爲了增進内埋電容元件的電容特性,而增 加導電電極數量或密度,也不需要增加夾層電路板的疊層數 . 量’造成夾層電路板厚度大幅增加。 應用上述之實施例,不僅可縮短封裝基板的電路佈局並 減少訊號傳輸距節省佈線空間,具有不會使基板的厚度增加 的優點,可以解決習知内埋被動元件爲了增進工作效能而必 須大幅增加基板厚度的問題。另外由於形成埋入被動元件的 電極皆形成於介電層之同一側,因此相較於習知内埋被動元 13 1331387 % 主要元件符號說明
100 :多層線路板 l〇la :金屬片 l〇lb :金屬片 200 :多層線路板 201a :金屬平板 201b :金屬平板 201c :金屬平板 201d :金屬平板 30 :電容元件 3 1 :電容元件 300 :基板 301 :第一導電電路 302 :夾層電路板 3〇3a:第三凹洞 303b :第四凹洞 304 :介電層 304a :第一凹洞 304b :第二凹洞 305 :第三電極 306 :第一電極 307 :第四電極 308 :第二電極 309 :防銲層 310:第二導電電路 311 :防銲層 313 :下壓合層 314 :金屬覆蓋層 316 :金屬覆蓋層 S :切線 S51 :提供至少一個具有第 一導電電路的夹層 S52 :於夾層電路板上形成介電層。 S 53 :於介電層中形成第一 凹洞與第二凹洞。 S54 :將導電材料填入第一 凹洞斑笛-nn A 一雷炻命铉-而 一从刀奶肜取示 -電極二:.極’糟由第一電極、第二電極以及位於第 “5.带成第:電極之間的介電層來形成埋入被動元件。 ::=Γ電路於第一電極與第二電極上。 •介St一屬=電路的夾層電路板,以及表面具 15 1331387 % .S62:將金屬片層壓於夾層電路板之上,使 電路板之第一導電電路接觸。 曰’、與失層 S63,藉由例如藉由雷射鑽孔法或 芦中拟Λ势 〜 元,居衫法於金屬片與介雪 層肀形成第一凹洞與第二凹洞。 '"電 S64 :將導電材料填入介 別m 層之第—凹洞與第二凹洞中,以八 另J形成第一電極與第二電極, 乂刀 及位於第一電極與第_ 9 一電極、第二電極以 動元件。 第-電極之間的介電層來形成埋入被 形成第二導電電路 於第一電極與第二電極上。 16

Claims (1)

  1. 丄331387 、申請專利範圍 h —種具有埋入被動元件之基板製程,其包含下列步驟: 提供一失層電路板(interlayer circuh b〇ard),其上具有— 第一導電電路; 形成一介電層於該夾層電路板上; 形成一第一凹洞與一第二凹洞於該介電層; 填入-導電材料於該介電層之該第二洞與第二凹洞 該筮:形纟帛電極與一第二電極,藉由該第-電極與、 〇乂第—電極以及位於該第一雷 w ^ 東極與該第二電極其間之介電層 形成該埋入被動元件;及 电曰 形成-第二導電電路於該第-電極與第二電極上。 2.如申請專利範圍第丨項 板製程,其另包含: '斤边之具有埋入被動元件之基 形成一防銲層(s〇lder ma 得該第二導電電 )覆盍於该弟二導電電路上,使 至外部之區域由該防銲層 ^導電電路上用以電性連 裸露出來;以及 導電電路之裸露部分 形成一金屬覆蓋層於該第 3.如申請專利範圍第〗項 板製程,其中該凹洞#述之具有埋入被動元件之基 也成步驟係利用雷射鑽孔法達成。 埋入被動元件之基 4.如申請專利範圍第1項所述之具有 17 1331387 板製程’其中該凹洞形成步驟係利用曝光顯影法達成。 5.如申請專利範圍第1項所述之具有埋入被動元件之美 板製程,其中該導電材料填入步 動儿件之基 ㈣㈣法達成。料7驟係利用網板印刷法⑽咖
    6.如申請專利範圍第1 板製程,其中該導電材料填 項所述之具有埋入被動元件之基 入步驟係利用電鍍法。 7.如申請專利範 板製程,其中該第 structure)且彼此平行 圍第1項所述之具有埋入被動元件之基 一與第二電極具有一板狀結構(plate 8.如申明專利範圍帛i項$述之具有埋入被動元件之基 板製程’纟中該第-電極具有複數個第一薄板梳子結構⑻心 comb structure),該第二電極具有複數個第二薄板梳子結構, 並且s亥些第一薄板梳子結構係與該些第二薄板梳子結構彼此 又合(interdigitated)。 9. 一種具有埋入被動元件之基板,其包含: 一夾層電路板,其上具有一第一導電電路; 一介電層,設於該夾層電路板上,該介電層具有一第一 凹洞與一第二凹洞; 一第一電極設於該介電層之第一凹洞中; 18 1331387 . 一第二電極,設於該介電層之第二凹洞中,藉由該第一 .與第二電極以及位於該第一電極與第二電極間之該介電層形 成該埋入被動元件;及 一第二導電電路設置於該第一電極與第二電極上。 10.如申請專利範圍第9項所述之具有埋入被動元件之 基板’其另包含: 一防銲層(solder mask)覆蓋於該第二導電電路上,使得該 籲第二導電電路上用以電性連接至外部之區域由該防銲層裸露 出來;以及 一金屬覆蓋層位於該第二導電電路之裸露部分。 11 ·如申請專利範圍第9項所述之具有埋入被動元件之 基板,其中該第一與第二電極具有一板狀結構(plate structure) 且彼此平行。 • 12·如申請專利範圍第9項所述之具有埋入被動元件之 基板,其中該第一電極具有複數個第一薄板梳子結構(plate comb structure) ’該第二電極具有複數個第二薄板梳子結構, • 並且該些第一薄板梳子結構係與該些第二薄板梳子結構彼此 又合。 13. —種具有埋入被動元件之基板製程,其包含下列步 驟: 1331387 提供一夾層電路板,其具有-第-導電電路; 提供一金屬片其表面具有—介電層; 層壓將該金屬片於該夹層電蹊 帝“ 穴曰冤路板之上’使得該絕緣層係 與該夾層電路板上之該第一導電電路接觸; 形成一第一凹洞盘一坌t '、 一 洞於該金屬片與該介電層; 填入導電材料於該第一凹洞盘 第-電極與-第二電極,藉由3該,凹洞中,以形成- 於該第-電極與該第二電極間:::=、第二電極以及位 元件;以& ^極間之該介電層來形成該埋入被動 形成一第二導電電路於該第—電極與第二電極上。 14. 如申請專利範圍第13項 _ 基板製程,其胃# t & $ 、 八有里入被動兀件之 "電層係為—預浸潰體(prepreg)。 15. 如申請專利範圍第13項 基板製程,其另包含: 之/、有埋入破動7L件之 形成一防銲層覆蓋於該 電電路上用以電性連接 .路上,使得該第二導 來;以及 叩之&域由於該防銲層裸露出 形成一金屬覆蓋層於該第_ 乐一導電電路之裸露部分。 16. 如申請專利範圍第13 基板製程,J:中_ Μ、 α之八有埋入被動元件之 該凹洞形成步驟係利用雷射鑽孔法達成。 20 1331387 17. 如申請專利範圍第13 基板製程,其中該凹洞形成步所述之具有埋入被動元件之 騍係利用曝光顯影法達成。 18. 如申請專利範圍第13 基板製程,其中該導電材料填::迷之具有埋入被動元件之 成。 、v驟係利用網板印刷法法達 19.如申請專利範圍第u 甘上制 #丄 $所遂之具有埋入被動元件之 基板製程,其中該導電材料填入半 竹付具入步驟係利用電鍍法。 2〇.如申請專利範㈣13 $所述之具有埋人被動元件之 基板製程,其中該第-電極與第二電極具有—板狀結構⑻❿ structure)且彼此平行》 21.如申請專利範圍第13項所述之具有埋入被動元件之 基板製程’其中該第-電極具有複數個第_薄板梳子結構 • (pUte c〇mb structure),該第二電極具有複數個第二薄板梳子 結構,並且該些第一薄板梳子結構係與該些第二薄板梳子結 • 構彼此叉合》 21
TW096100976A 2007-01-10 2007-01-10 Embedded passive device and methods for manufacturing the same TWI331387B (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW096100976A TWI331387B (en) 2007-01-10 2007-01-10 Embedded passive device and methods for manufacturing the same
US11/939,797 US20080164562A1 (en) 2007-01-10 2007-11-14 Substrate with embedded passive element and methods for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW096100976A TWI331387B (en) 2007-01-10 2007-01-10 Embedded passive device and methods for manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200830510A TW200830510A (en) 2008-07-16
TWI331387B true TWI331387B (en) 2010-10-01

Family

ID=39593538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096100976A TWI331387B (en) 2007-01-10 2007-01-10 Embedded passive device and methods for manufacturing the same

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20080164562A1 (zh)
TW (1) TWI331387B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8330436B2 (en) 2008-06-30 2012-12-11 Intel Corporation Series and parallel hybrid switched capacitor networks for IC power delivery
US8582333B2 (en) * 2008-06-30 2013-11-12 Intel Corporation Integration of switched capacitor networks for power delivery
KR102015812B1 (ko) * 2012-10-05 2019-08-30 한국전자통신연구원 회로보드, 그 제조방법, 및 이를 포함하는 반도체 패키지
JP5754468B2 (ja) * 2013-06-13 2015-07-29 トヨタ自動車株式会社 キャパシタ配置構造及びキャパシタ実装方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223655A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2004297619A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Kyocera Corp 弾性表面波装置
US7626829B2 (en) * 2004-10-27 2009-12-01 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and manufacturing method of the multilayer printed wiring board
US20060228855A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Intel Corporation Capacitor with co-planar electrodes
US7202548B2 (en) * 2005-09-13 2007-04-10 Via Technologies, Inc. Embedded capacitor with interdigitated structure

Also Published As

Publication number Publication date
TW200830510A (en) 2008-07-16
US20080164562A1 (en) 2008-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI305119B (en) Circuit board structure having capacitance array and embedded electronic component and method for fabricating the same
TWI466146B (zh) 共模濾波器及其製造方法
TWI316836B (en) Power core devices and methods of making thereof
TWI374535B (en) Electronic parts packaging structure and method of manufacturing the same
TWI283152B (en) Structure of circuit board and method for fabricating the same
TWI336226B (en) Circuit board structure with capacitor embedded therein and method for fabricating the same
CN107452694B (zh) 嵌入式封装结构
CN105376936A (zh) 具有集成的功率电子电路系统和逻辑电路系统的模块
TWI296492B (en) Un-symmetric circuit board and method for fabricating the same
JP3956851B2 (ja) 受動素子内蔵基板及びその製造方法
TW200833188A (en) Package structure with embedded capacitor and applications thereof
TW200917446A (en) Packaging substrate structure having electronic component embedded therein and fabricating method thereof
JP2008270532A (ja) インダクタ内蔵基板及びその製造方法
JP2010067916A (ja) 集積回路装置
JP3946578B2 (ja) 受動素子を備えた配線板の製造方法、受動素子を備えた配線板
TW200820865A (en) Circuit board structure having embedded compacitor and fabrication method thereof
CN106469705A (zh) 封装模块及其基板结构
JP4839824B2 (ja) コンデンサ内蔵基板およびその製造方法
TWI331387B (en) Embedded passive device and methods for manufacturing the same
TW466741B (en) System semiconductor device and method of manufacturing the same
TW201733010A (zh) 電路基板及電路基板之製造方法
TW200913811A (en) A circuit board structure with a capacitance element embedded therein and method for fabricating tme same
TW200847363A (en) Structure of pachaging substrate and package structure thereof having chip embedded therein
US9433108B2 (en) Method of fabricating a circuit board structure having an embedded electronic element
TWI357292B (en) Multilayer circuit board with embedded electronic