TWI330323B - Method, apparatus, article and system for adjusting a sampling protocol of processed workpieces - Google Patents
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Description
1330323 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種工業製程,更詳而言之’係關於 根據狀態估計結果調整經處理之工件之抽樣率的方法。 【先前技術】 半導體產業中有股不停驅動的力量驅動著譬如微處理 器、記憶體裝置等的積體電路裝置之品質、可靠度、及生 產率之增加。此股動力係由消費者對於更高品質並更可靠 運作之電腦與電子裝置之需求所推動。這些需求導致譬如 電晶體之半導體裝置製造,以及包括這些電晶體之積體電 路裝置之製造的不斷改良。並且,減少典型電晶體之組件 製造中的缺點亦可降低每個電晶體之整體成本,以及包括 這些電晶體之積體電路裝置之成本。 通常,係使用包括光刻微影步進器、蝕刻工具、沉積 工具、研磨工具、快速熱處理工具、佈植工具等等之各種 處理工具’於晶圓之群組通常稱為“批(lot)”上執行一系 列之處理步驟。支持半導體處理工具之技術於近年來已吸 引持續增加的注意力,造成更大的改進。 改良半導體處理路線之運作的一種技術包括使用全工 廠控制系統,以自動控制各種處理工具的運作。製造工具 舆製造架構或處理模組之網路溝通。各製造工具通常連接 至設備介面。該設備介面連接至機器介面,使製造工具盥 製造架構間得以溝通。該機器介面通f可為進階製程控制 (Advanced Process Control,APC、系絲·> w糸統之一部份。APC系 (修正本)92521 5 1330323 統根據製造模型啟動控制腳本,以作為自動獲取執行製程 所需資料之軟體程式。常常,半導體裝置係透過多個;: 用的夕個製造工具,而產生關於處理之半導體裝置。° 資料。 買的 於製程中,可能發生各種影響被製造之裝置之 吉从 丨王月b的 亦即,製程步驟的變化造成裝置性能的變化。例如 特徵關鍵尺寸(cntical dimensi〇ns)、摻雜程度、雜質污染 薄膜光特性、薄膜厚度、薄膜均勻度等因素,皆可能影響 裝置之最終性能。於處理路線中之各種工具係根據性Z模 型來控制’以減少製程變化。常被控制之卫具包括微影步 進器、研磨工具、蝕刻工具、以及沉積工具等等。前處理 與後處理度量資料係提供給工具之製程控制器。諸如處理 時間之操作製程配方(reeipe)參數,係由製程控制器根據性 月b核型與度$資料所計算,冑圖達到與目標值越接近越好 之後處理結果。依此方式來減少變化,將增加生產率、減 V成本i獲得更局褒置性能等,而這些全部等同增加 利。 半導體製造中之處理梯次(Run_to_Run)控制為一種批 次控制之類型,㈣次可少到只有一個晶圓那樣 少或者多到像有數批晶圓那樣多。處理梯次控制器之標準 輸出為一種製程配方。此配方定義建於處理工具中之“低 階”控制器的設定點。依此,處理梯次控制器藉由指明如 溫度、屋力、流動、以及製程時間之製程變數所需之值而 監督工具控制器。該工具控制器啟動作動需求,以將這些 (修正本)92521 6 變數維持在所需要之值上。 處理梯次控制設定可包括、 量測之批次特性可調整配方參=迴路,其中根據處理後 處理,希望能知道“製程能。通常,為了控制晶圓之 圓狀態)’以處理下一批晶圓。:,(例如處理工具狀態、晶 非直接量測而是根據先前處理 製程”狀態,通常並 因為時間與成本的問題,並不二旦的量測而做的估計。 例如,於-些實施例中,係“的每個晶圓。 -個晶圓的輸出特性。但是五個處理過的晶圓中之 前處理之晶圓所估計, ’’、、製程狀態係根據量測之 狀態之正確性。所料之斤^的抽樣數量可影響估計製程 制製程達到希望之目㈣ :、的正確性則可影響能控 整抽樣測量次數而要種調 的之方法。 77而的控制製程以達到所需之目 或更多個上述問題 本發明係用於克服或至少減少一個 之影響。 【發明内容】 :本發明之一個實施例中,提供一種根據狀態估計結 _整抽樣率之方法。該方法包括接收有關工件處理之度 =貧料’根據該度量資料之至少部份估計下次之製程狀 U並決定有關所估計之下個製程狀態的錯誤值。該方法 復包括根據所估計之下個製程狀態處理複數個工件,並根 據所決定之錯誤值來調整待測量的經處理之工件之抽樣規 則(sampling protocol) 〇 (修正本)92521 7 1330323 於本發明之另一實施例中,提供一種根據狀態估計結 果調整抽樣率之裝置。該裝置包括溝通耦合至控制單元之 "面。該介面係調適成接收有關工件處理之度量資料 (metrology data)。控制單元係調適成根據該度量資料之至 夕邛伤估叶下次之製程狀態,並決定有關所估計之下個製 私狀態的錯誤值,以及根據所估計之下個製程狀態處理複 數個工件。控制單元復調適成根據決定之錯誤值來調整待 測量之經處理之工件之抽樣規則。 於本發明之又一實施例中,提供一種根據狀態估計結 果調正抽樣率之物件,該物件包括一個或多個機器可讀取 之儲存媒體,該儲存媒體包含指令。當執行該一項或多項 指令時,能使處理器接收有關工件處理之度量資料、根據 該度量資料之至少部份估計下次之製程狀態,並決定有關 :估計之下個製程狀態的錯誤值。當執行該-項或多項指 7時’復可使處理器根據所估計之下個製程狀態來處理複 數個工件’並根據決定之錯誤值來調整待^量經處理之工 件之數量。 ;本發明之再-貫施例中,提供—種根據狀態估計結 調整抽樣率之系統。該系統包括控制器與處理工具。該 =器係調適成接收有關卫件處理之度量資料、根據該度 :貝枓之至少部份估計下次之製程狀態,i決定有關所估 個:y固製程狀態的錯誤值。該處理工具根據所估計之下 ^狀_處理複數個卫件。該控制單元係調適成根據決 疋之錯誤值調整待測量之經處理之工件之數量。 (修正本)92521 8 1330323 藉由參照下列說明配合所附之圖式可更了解本發明, 圖示中類似元件標有類似的元件符號。 儘管本發明可具各種修飾以及其他型態,將藉由圖式 中之範例來揭露特定貫施例並於此進行詳細說明。但應了 解,在此說明之特定實施例並非意圖限定本發明於揭露之 特定形式中,相反的,本發明將包含所有不悖離如由所附 申請專利範圍所定義本發明之範疇與精神下所進行之修 改、等效者、以及代替者。 【實施方式】 以下係由圖說明本發明之實施方式。為使本說明書易 於明瞭,在此並未說明實際實施之所有特徵。當然,應了 ^ =任何真實實施例之研發時’必須針對研發者之特定 目標制定針對特定實施之各插沐 關之"…^ 系統相關與商業相 了::Γ 故而每個實施方式皆不同。再者,岸 二::雖然此種研發努力可能複雜且費時 : 事。4本發月揭路之好處後所施行者則為例行公 -個實施例之系統_之方塊圖。於說明=根據本發 統⑽可執行至少-個製程運作102…=例中’ 為工業製程(如半導體製 ^程運作102 或其他任何製程狀態與製程輪出會隨:改^^ 運糸統⑽中,可用—個或多 之以程。 4運作102。通常,所執行的特定種類之處具105執行 题之處理運作10 (修正本)92521 丄: 以及利用於製裎運 於特定實施。例如 中之處理工具105的種類係取決 包括聚合物之處理’於化學工業製程中,製程運作如可 包括例如薄膜之;理於微影製程中’則該製程運… 製程二圖=製程運作102至少為半導體 製程運作102之範例可2整體t導體製程之局部流^ 研磨(CMP)等。處理工1刻,'沉積製程 '化學機械 里工具105,於說明實施例中,可為任何 用於、如石夕日日圓之經處理之卫件的半導體製造設備之形 式可利用半導體製程來產生各種積體電路產品,包括但 不限於微處理器、記憶體裝置、數位訊號處理器、特定應 用積體電路(ASIC)、或其他類似裝置。範例的處理工具 可包括曝光工具、蝕刻工具、沉積工具、研磨工具、快速 熱退火處理工具、測試設備工具、離子佈植工具、以及封 裝工具等等。 於第1圖之系統100中,可使用一個或多個處理工具 105來執行製程運作102。系統1〇〇可包括一個或多個度量 工具112,以量測於製程運作丨〇2中經處理之一或多個工 件(例如晶圓)之各種態樣。度量工具丨丨2,於一個實施例 中’能於線上 '離線、或同時於線上及離線時測量工件之 態樣。於所述實施例中,發送模組丨丨4指示提供給度量工 具112做測量之工件數量。 依照本發明之一個或多個實施例,並且將於下更詳細 說明者’該發送模組114根據製程狀態估計結果而調整經 ]〇 (修正本)92521 處理之工件之,、目丨丨县^^ ^ j置頻率。依照製程狀態估計結果,發送模 _ 可s加抽樣頻率、減少抽樣頻率、或不改變抽樣頻 2如在此使用者,“抽樣頻率,’之調整包括增加/減少測 =輸出特徵之工件(例如晶圓)數量或可包括增加/減少對 、。疋=件或數個工件所做之測量次數,亦或調整前述兩者。 製造系統100可包括製造執行系統(MES)115,該製造 執仃系統115係耦合至APC架構12〇。製造執行系統115 例如決定由處理工具丨〇5所進行的製程、何時執行這些 製程、如何執行這些製程等等。於所述實施例中,製造執 行系統115透過APC架構12〇管理並控制整個系統。 適用於製造系統1 00之範例Apc架構丨2〇可使用由 KLA_Tencor公司所提供之催化(Catalyst)系統來實施。催 化系統使用半導體設備以及材料國際(Semic〇nduct〇r and Matenals International ; SEMI)電腦整合製造(c〇mputer Integrated Manufacturing ; cim)架構相容之系統技術,並 且係根據APC架構。CIM(SEMI E81-0699-CIM架構領域構 造之臨時說明書)以及APC(SEMI E93_〇999_CIM架構進階 製程控制組件之臨時說明書)說明書可公開的由Semi獲 得,其總部設於加州山景城(Mountain View)。 APC架構120包括至少一個製程控制器155,透過回 饋和/或後饋製程,該製程控制器155幫助處理工具1〇5執 行達到所希望之製程,藉此達成所希望之結果。於所述實 施例中’製程控制器1 55包括控制單元1 56、儲存單元丨57、 以及可儲存於儲存單元157中之製程模型ι58。製程控制 (修正本)92521 11 1330323 155根據自估计器模組18〇來之輸入,使用製程模型I” 以決疋製紅工具105之下個控制(c〇ntr〇1 m〇ve)。由處理控 制器1 5 5決疋之特定控制措施係根據處理工具】〇 $執行之 特定製程以及來自估計器模組i 8〇之輸出而定。 可使用習知線性或非線性技術憑經驗地發展出製程模 型1 5 8。衣耘模型! 5 8可為頗簡單並以方程式為主的模型 (例如,線性、指數、加權平均者等等)或譬如類神經網路 杈型、主要構件分析(Principal c〇mp〇nent ; pcA) 模型、部分最小平方預測/潛在結構(partial以“ pr〇jecti〇n/latent structure ; pLS)模型或類似之更複雜的模 型。製程模型158之特定實施可根據選擇之模型技術以及 所控制之製程而改變。製程控制器155,於一個實施例中, 維持與製程運作102有關之接踵而來的“狀態,,資訊,其 中狀心負訊可至少部分根據選擇用來收集對經控制的 處理工具105所知道的度量資料和/或狀態資訊(亦即工具 狀態資料)之晶圓的特徵(亦即晶圓狀態資料)。“處理,,狀 態一詞在此係指“工件”狀態和/或“處理,,工具狀態。 根據本發明之一個實施例,製程控制器155包括抽樣 杈組1 82。如以下將詳述者,抽樣模組i 82提供指示到發 运核組114以調整經處理的晶圓之抽樣頻率,至少根據估 計器模組1 80之製程狀態估計結果。 ▲估汁盗杈組1 80根據先前處理之工件以及先前估計狀 逋相關之度量資料,而估計處理工具105之下個工具狀態 (或下個製私狀態)。在此使用之“下個工具狀態,,一詞係 (修正本)92521 12 1330323 指處理下批工件之前,處理工具1〇5之狀態。根據估計之 下個處理工具狀態,製程控制器〗55產生下個配方,或控 制處理工具〗05之移動。例如,於姓刻製程之情況中,根 據接收到之度量資料(例如飯刻深度),估計器模組⑽估 计處理工具105之蝕刻率,以及依照估計蝕刻率而由該製 程控制器155接著決定虛理丁曰,AC & " 疋处理工具1 〇 5應姓刻下個工件(如晶 圓)之飯刻時間(亦即配方)。 為了說明之目的,係在該製程運作102為蝕刻製程以 及處理工具i 0 5為姓刻工具之情況下說明估計器模組 1 8 0。但應注意到,估蚪哭 。十咨板組1 80之應用並非限於此說 明,亦可應用於其他所希望夕 他尸/Γ布望之工業製程。於說明之實施例, 估計器模組1 80使用妝能Λ „ π 使用狀態工間換型,以說明由第丨圖描述 之製程運作10 2之银刻劍法口认么μ ▲ 裹〗I私的糸統動態。為說明之目的, 在此假設處理工具i 05蝕刻率 手的動態订為可由方程式(J ) 和(2)中所示之線性偏流模型說明: x{k +1) = Ax{k) + V(k), 0) y(.k)=Cx(k)+w{k), (2) 且 C = [l 0]。 其中A和C之範例值可為A: A (々) χ2(Λ) 因此包括兩個狀態,一個 於範例中,X(A;): 蝕刻车狀態X〆幻以及另一個 ,-+· ^ , 疋徇移狀態之坡度X〆幻。 上述方程式中,代表輸出 山里剧值(例如,實 刻率),«)代表製程雜訊項, ' 、以及代表量測雜訊, (修正本)92521 13 1330323 於所述實施例中之估計器模組18〇包括用於預測處理 工具1G5之下個狀態或預測下個製程狀態Kahnan遽波 器。於代替性實施例中,可使用其他滤波器或過遽技術來 預測下個製程或ji具狀態。因為估計器模组⑽包括卡爾 曼(Μ·搶波器,遽波器之料狀態之-般型態係說明 於方程式(3)中(根據顯示於方程式⑴與⑺之狀態空間模 型): ψ+η=Α^[η+⑶ 其中W為xW之估計值,以及JW為KaIman遽器 增益》如方程式(3)所示,下個估計製程狀態戟々+7),通常 係根據先前之狀態估計值釺幻以及量測值y(幻所計算而來。 方程式(3)中Kalman遽波器增益係定義於方程式 (4): J[k\ = APlk]Cr {R + CP[k}CT)1 (4)
Kalman濾波器增益j[灸]可由解出p之代數型雷卡笛方 程式(Algebraic Riccati Equation)計算而得,其中代表錯誤 變異數之P係定義於方程式(5): p[k +1] = ^ |p[/:] - P[k]Cr [R + CP[k]CT)"' CP[k^AT + Q (5) 於所述實施例中’ 0與灭分別為w㈨以及之共變 異矩陣’其中β與7?描述與製程或製程運作1〇2相關之雜 訊項。 當沒有(或無法取得)工件量測值時,通常僅能使用局 4衣程模型來更新製程狀態(亦即X[&+1 ] = jX[Α:]及少[幻=C:C (修正本)92521 14 w)’其中對應之下個狀態及估計錯誤變q =歸]以及雜]因此,當無法得到工件+i] 測值時,將持續增加估計錯誤變異並當時間接近無限大= 增加至接近無限大。輸出雜訊變異 , 又,'知響户增加之速度。 當估計處理工具105的下個狀 .^ , ,办丄 7 1古°卞益杈組180 之KaIman處波器會使用2與及共變異矩陣而將該㈣項 (·#如製程雜訊與度量雜訊)納人考量之中。於說明的實例 中,Q矩陣係有關量測雜訊(例如’因為度量工具以及人為 因素等造成之量測錯誤)以及R矩陣係有關製程雜訊⑽ 如,步階干擾、功率不穩定等等)。Q與R矩陣大小可取決 於給定製程中監控多少輸人與輸出而加以改細如,2乘 2、4乘4'刚乘100矩陣)。於矩陣中,可 理輸入=同優先數(或值)以考慮到與該輸入相關之雜。訊。 於實%例中’製程控制器i 55係以軟體程式化之電腦 以執行所述之功能。但是,熟悉該項技藝者應了解,亦可 使=設計成執行該特定功能之硬體控制器。再者,製程控 制益1 5 5在此說明勃4 订之力旎可由散佈於系統之多個控制 器裝置所執行X ’製程控制器1 5 5可為獨立控制器,駐 於處理工具105中’或於積體電路製造設施中之局部系統 控制運作。在此所用“ ,, ^ 听用权組 一 s司係可於軟體、硬體、或 任何軟體與硬體之結合中實施。 “例如“處理”或“電腦”或“計算”或“決定”或 員示之類的s司除非特別說明或於討論中顯而易見的, 似之電子電腦裝置之動作與處理,該裝 (修正本)92521 15 置操作及轉換電腦系統之 電子數量的資料至其他_1及記憶體中代表實際、 类員似代表電月潘彡Μ + 4 # Μ斗、+ 哭的杳祖-¾甘Λ1*次·*« μ· 糸’’先之5己憶體或暫存 的資料。 專达或顯示裝置中之實際數量 應了解到第1圖中系姑彳ΛΛ 信& Υ >、 、、 之方塊圖所述之說明組件 明:'ll °兄明’在其他代替實施例中,可不脫離本發 月之㈣與精神下使用類外的組件或減少組件。例如。於 I個實施例中’例之各種組件可互相溝通而不 而APC木構β 120。如另一範例,於一個實施例中,處理工 具1〇5、度量工具112、以及/或卿ιΐ5可分別透過相關 之設備介面(未圖示)與Apc架構12〇接介
Wlth)」另外,應注意到雖然各種組件(如第1圖系統100 之發送柄’组114)係顯不為獨立組件’於另一代替實施例 中此組件可與系統1 〇 0之其他組件結合。 錄 >,’、、弟2圖,係說明根據本發明之實施例,可於第 1圖之製造系,统100中實施之方法之流程圖。為說明之目 勺第2圖之方法係以蝕刻製程之情況來說明。特別是第 2圖之方法說明以給定製程所進行之示範步驟。這些步驟 可針對各製程運行所需者而重複之。 於製造系統1〇〇中,在由處理工具1〇5處理完或正在 處理第—批工件時,度量工具112(或在原位置(in-situ)之 度置工具)測量(於步驟212)經處理之工件之一個或多個輸 出特性。於钱刻製程之情況中,度量資料可譬如包括形成 於經處理晶圓上之特徵的關鍵尺寸、輪廓、以及/或蝕刻深 16 (修正本)92521 1330323 度。度量資料係提供給以及由製程控制器i55之估計器模 組180所接收(於步驟215)。 估計器模組180估計(於步驟22〇)下個製程狀態。於所 述之餘刻製程的情況中,下個製程狀態為姓刻率。於一個 實施例中’估計器模組180可使用上述方程式(3)估計下個 製程狀態利k+l)。根據估計钱刻率,製程控制器⑴決定 處理工具1 05之控制措施(例如蝕刻時間)。通常,估計製 程狀態之正確性影響能控制製程達到所希望之目°的 之程度》 、 估計器模組180決定(於步驟225)有關下個製程狀離 之估計(於步驟22〇)的錯誤值。該錯誤值,於-個實㈣ 中,可指示所估計之製程狀態接近處理工具ι〇5之 態的程度。亦即,較高的錯誤值可指示所估計的製程㈣ 值’但所估汁的製程狀態值係由處理控制器利用來決定下 =制措施’並不代表實際的製程狀態,目此可於製程結 果中產生比原預期更大之偏差。相對的,較小的錯誤值可 指不所估計的製程狀態值接近實際的製程狀態值。可決定 夕種錯誤值之任-個錯誤值(於步驟225)。例如,估計值模 組180可決定預測錯誤值(於步驟23〇),該錯誤 …件之測量輸出特性與意圖達到的目標值間之= δ十异超過一個以上之預測錯誤值(例如,每個測量工件之一 個預測錯誤值),則於-個實施例中,可結她,平均) 2個經計算的錯誤值而導出綜合錯誤值。接著可決定綜 誤值與目標值之間的差,以確定預測錯誤值(於步驟 (修正本)92521 17 1330323 230) 〇 於—個實施例中,估舛 之估計(於步驟220)相關/扭^180可決定與製程狀態 υ)相闕之錯誤變I # 估計器模组1肋使用方之〃、值(於步驟235)。假設 程式(3 )來估計下個势 由使用方程式⑺解出P而計算與下 ^大:,可藉 誤變異值。 i耘狀態相關之錯 根據決定之錯誤值(於 第1 ί!Μ,敕/ 驟25) ’抽樣模组1 82(參昭 幻圖)調整(於步驟24〇)待 (一 則。調敕拙详ϋ曰丨, ,,Α處理之工件的抽樣規 ^ ^正抽仏規則(於步驟24〇)可包括調 之工件的抽樣頻率、形成於待測量之經處理之::= 徵數、以及/或測量之特徵種類。 , :-個實施例中’可藉由指示發送模組u 樣規,,以增加或減少所希望之經處理之工件之抽樣 的數置(或種類)。若不希望改 ,里、 ^ 又變抽樣頻率,則抽樣模組182 了心不此希望給發送模組114,或代替的 發送模組114,因此表干不杀诠4丄從 把供才日不,..口 U此表不不希望抽樣頻率有所改變。 抽樣規則(於步驟240)之耔;^沾 加— )之仃為的一個實施例係顯示於第3 圖中,容後說明。 '乐 於第2圖中’處理工具1〇5根據所估計之 態來處理(於步驟250)下—批工件。於韻刻製程之情二中, ^理工具1〇5根據依所估計的姓刻率產生之配方(或控制 措施)而钮刻晶圓。 度量工具U2依照經調整之抽樣規則(於步驟 測量(於步驟255)選擇數量之經處理之卫件。因此,例如, (修正本)92521 18 右抽樣杈組182增加抽樣頻率(於步驟240),度量工具112 可比於一個或多個先前的製程運作期間所進行的量測而進 订更多之量測。度量工具112可進行更多量測,例如,藉 由增加所抽樣之經處理之工件數量、增加測量之經處理之 特徵數1、或其增加結合前述兩種數量者。於其他例 士上述’度量工具112可測量比之前較少之經處理 之工件。應了解經處理之工件之量測可包括經處理之工件 之個或多個特徵或輸出特性(例如,沉積厚度、钱刻 度、關鍵尺寸)之量測^ 於第3圖中,抽樣模組182決定(於步驟31〇)是否錯誤 係於步驟225中決定)大於第一預選之臨限值,以3及 ^則抽樣模組1 82指示發送模組以增加(於步驟3 1 5) 抽樣頻率。因為錯誤值大於第—預選之臨限值而希望抽樣 頻:增加者,表示所估計之製程狀態值並無法代表實際的 狀匕、,該估计的製程狀態值係由製程控制器1 w用來 :定下個控制措施,並且因此需要更多量測來改善製程狀 態估計。於一個實施例中,抽樣模組M2根據錯誤值大小 ^示發送模Μ 114希望之新抽樣頻率。應了解到指定紙 第一預選臨限值之特定值取決於特定實施。 若錯誤值不大於第一預選臨限值(於步驟31 =組则定(於步驟犧否錯誤值小於第:預選= 二若錯誤值小於第二預選臨限值,則於一個實施例中, H組182指示(於步驟33〇)發送模组114減 丰。可能因為錯誤值小於第4選之臨限值而希望抽樣頻
(修正本)9252J 19 1330323 率減少者,表示所估 態,因此可減少戶卜之曰2狀態值頗接近實際的製程狀 ^ ,, ^ x . 而篁'、數置而不致於顯著的對穿』程狀 態估计有不好的影響。 』耵i紅狀 於代替貫施例中 不提供減少抽樣頻率之 樣杈組182可 無超過第二預選臨㈣Γ 定出複數個錯誤值並 誤值(盥數個心 抽樣頻率只在數個連續錯 個戈:作有關)係小於第二預選臨限值。於-個貫施例中,抽樣模組18 值於 々民像錯誤值大小可扣一 & 組U4希望之新抽樣頻率。 大】了心不發达杈 值t m玉 、%、了解到指定給第二預選臨限 值之特疋值取決於特定實施。 若錯誤值不大於第一預 限值,則於4日 、' '"值且不小於第二預選臨 限值貝!於說明的實施例中,__1821 組114不改變希望之抽樣頻率。於 & - l吴 不希望改變抽樣頻率,❹ 只紅例中’若決定 送模组11… 182可不提供指示至發 . 藉此指不抽樣模組182應繼續照先前抽樣頻 率(或其他預定抽樣頻率)進行抽樣。 ’’' 按需==二多個實施例根據製程狀態估計結果’ =:=二特別是取決於有關製程狀態估計 若決定有顧:t决疋有頗大的錯誤可增加抽樣率,或 ^疋有頗小之錯誤可減少抽樣率。在其他情況中,若所 、疋之錯誤值不會太大或過小, Μ . ^ 、了不改變該抽樣規則。 藉由按茜要調整抽樣規則,可提供— 製程以達到所希望之目的之方法。效率尚且有效控制 可藉由控制單元156(參照第!圖 々 行程序、成模組。在此所使用之> \種系統層、例 徑制早兀一詞可包括 (修正本)92521 20 1330323 微處理it、微控制器、數位訊號處理器、處理器卡(包括_ 個或更多微處理器或控制器)、或者其他控制或電腦裝置。 在此討論中提及之儲存單元157(參照第i圖)可包括一個 s、。夕機器可靖之儲存媒體,以儲存資料與指令。儲存媒 f可包括.不同形式之記憶體’包括譬如動態或靜態隨機 存取記憶體⑽鹰或SRAM)之可抹除可程式唯讀記憶體 M)包子可抹除可程式唯讀記憶體(EEpR〇M)、以 及快閃記憶體、半導體記憶體裝置;譬如固定、軟碟、或 可移除之磁碟機;其他包括磁帶之磁性媒體;以及壁如光 电(1)或數位視訊光碟(DVD)之光學媒體。於各種系統中 存裝置中。這二!;模組之指令可儲存於個職 系統執行程式2藉由個別控制單元執行,以令對應 蔹之ί!::定實施例僅例示性說明者,任何熟習此項技 :同㈣=本發明教示之好處後,均可對本發明做出 顯二:::ΓΓ再者,本發明並不限於在此所 所列所定。固 内’而應由後述之申請專利範圍 下,對揭· 明顯的可在不違悖本發明之精神及範嘴 保1之概:之特定實施例進行修飾與改變。因此,在此所 /概心係如以下申請專利範圍中所提 【圖式簡單說明】 m有 圖;弟1圖顯示根據本發明一個實施例之工業系統之方塊 第2圖顯示根據本發明一個實施例而可實施於第工圖 (修正本)92521 21 1330323 之工業系統中之方法之流程圖;以及 第3圖顯示根據本發明一個實施例而可調整經處理之 工件之抽樣規則之方法之流程圖。 【主要元件符號說明】 100 糸統 102 製 程運 作 105 處理工 具 112 度 量工 具 114 發送模 組 115 執行系 統(MES) 120 APC架 構 155 製 程控 制器 156 控制單 元 157 儲 存單 元 158 製程模 型 180 估 計器 模組 182 取樣模 組 212、 215 ' 220 、 225 、 230 、 235 、 240 、250 丨、255、 310、 315' 320 ' 330 、 335 步 驟 22 (修正本)92521
Claims (1)
13 3 Ο3 2 n_.. 年3 y瘡正本 —附件3 第93103876號專利申請案 (99年6月1曰) 拾、申請專利範圍: 1. 一種用於調整經處理之工件之抽樣規則的方法,包括下 列步驟: 接收有關於一個或更多個先前經處理之工件的度 量資料; X 根據該度量資料之至少一部份估計下個製程狀熊; 決定有關於該估計之下個製程狀態的錯誤值; 根據該估計之下個製程狀態處理複數個工件;以及 根據該決定之錯誤值調整待測量之該等經處理之 工件之抽樣規則。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中,估計該下個製程 狀態包括根據先前狀態之估計以及狀態空間模型來估 計該下個製程狀態》 3. 如申請專利範園第2項之方法,其中,處理係包括姓刻 一批次的半導體晶圓。 4. 如申請專利範圍第〗項之方法,其中,調整該抽樣規則 包括調整該等待測量之經處理之工件之數量、在該等待 測里之經處理之工件上形成之特徵之數量、以及待:則旦 之特徵之種類之至少其中一者。 5. 如申請專利範圍第4項之方法’其中,決定該錯誤值包 括決定有關於該估計之下個製程狀態之錯誤變異。 6. 如申請專利範圍第5項之方法,其中’調整經處理之工 件之該數量包括若該錯誤變異大於預選之臨限值時,增 加待測量之經處理之工件之該數量。 23 (修正版)92521 1330323 第93103876號專利申請案 •7 , (效年6月1日') .申請專:範圍第5項之方法’其中,調整經處理之工 件之該數量包括若該錯誤變異小於預選之臨限值時,減 少待測量之經處理之工件之該數量。 8·"請專利範圍第7項之方法’復包括決定各複數個製 程運作之錯誤變異,以及其中,調整經處理之工件之該 數量包括若各該複數個製程運作之該錯誤變異小於該 預選之臨限值時,減少待測量之經處理之工件之該數 量。 ~ 9·如申請專利範圍第5項之方法,其中,調整待測量之經 處理之工件之該數量包括對各製程運作調整待測量之 經處理之工件之該數量。 10‘如申請專利範圍帛】項之方法,其中,估計該下個製程 狀態包括估計用於處理該複數個工件之處理工具的狀 態。 11 _ 一種用於調整經處理之工件之抽樣規則的裝置,包括: 介面,調適成接收有關於工件處理的度量資料;以及 •控制單元,溝通耦合至該介面,該控制單元係調適 成·· 根據該度量資料之至少部份估計下個製程狀態; 決定有關於該估計之下個製程狀態的錯誤值; 根據該估計之下個製程狀態處理複數個工件;以及 根據該決定之錯誤值調整待測量之該等經處理之 工件之抽樣規則。 12·如申請專利範圍第丨丨項之裝置,其中,該控制單元調 24 (修正版)92521 ^^0323 第93103876號專利申請案 (99年6月1曰) 適成處理複數個半導體晶圓以及使用卡_曼(1^丨11^11) 濾波器估計該下個製程狀態。 13·如申請專利範圍第n項之裝置,其中,該控制單元調 適成估計該下個製程狀態,包括根據先前狀態之估計來 估計該下個製程狀態。 14.如申請專利範圍第11項之裝置,其中,該控制單元調 適成調整該等待測量之經處理之工件之數量、在該等待 /則量之經處理之工件上形成之特徵之數量、以及待進行 之測量之種類之至少其中一者。 15·如申請專利範圍第14項之裝置,其中,該控制單元調 適成決定該錯誤值,包括決定有關於該估計之下個製程 狀態之錯誤變異。 16.如申請專利範圍第14項之裝置,其中,該控制單元調 適成若該錯誤變異大於預選之臨限值時,增加待測量之 經處理之工件之該數量。 ^如申請專利範圍第14項之裝置,其中,該控制單元調 適成若該錯誤變異小於預選之臨限值時,減少待測量之 經處理之工件之該數量。 18·如申請專利範圍第14項之裝置,其中,該控制單元調 適成決定各複數個製程運作之錯誤變異,以及若各該複 數個製程運作之該錯誤變異小於該預選之臨限值時,減 少待測量之經處理之工件之該數量。 1 9·如申請專利範圍第! i項之裝置,其中,該控制單元調 適成估計該下個製程狀態,包括估計用於處理該複數個 (修正版)92521 25 1330323 第93103876號專利申請案 (99年6月I曰) 工件之處理工具的狀態。 20. 一種用於調整經處理之工件之抽樣規則的裝置,包括: 用於接收有關於工件處理的度量資料之機構; 用於根據該度量資料之至少部份估計下個製程狀 態之機構; 用於決定有關於該估計之下個製程狀態的錯誤值 之機構; 用於根據該估計之下個製程狀態處理複數個工件 之機構;以及 用於根據該決定之錯誤值調整待測量之該等經處 理之工件之抽樣規則的機構。 21.—種用於調整經處理之工件之抽樣規則的物件,包括一 個或更多個機器可讀取之儲存媒體,該儲存媒體包含指 令,當執行該等指令時,能使處理器: 接收有關於工件處理的度量資料; 根據該度量資料之至少部份估計下個製程狀態; 決定有關於該度量資料的錯誤值; 根據該估計之下個製程狀態處理複數個工件;以及 根據該決定之錯誤值調整待測量之該等經處理之 工件之數量》 22. 如申請專利範圍第21項之物件’其争,當執行該等指 令時能使該處自器㈣先前狀態之料來估言十該下個 製程狀態。 23. 如申請專利範圍第22項之物件,其中,當執行該等指 (修正版)92521 26 第93】〇3876號專利申請幸 入士 (卯年6月!日、) A能使該處理器決定有關於該估計之下個 之錯誤變異。 24.ί1請專利範圍第23項之物件,其中,當執行該等指 1時能使該處理器於若該錯誤變異大於預選之臨限值 犄,增加待测量之經處理之工件之該數量。 25:申::專利範圍第23項之物件,其中,當執行該等指 7時能使該處理器於若該錯誤變異小於預選之臨限值 時,減少待測量之經處理之工件之該數量。 =申請專利範圍第23項之物件,其中,當執行該等指 7時能使該處㊣器決$各複數個製程運作之錯誤變 異’且若各該複數個製程運作之該錯誤變異小於該預選 之臨限值時,減少待測量之經處理之工件之該數量。 7·-種用於調整經處理之工件之抽樣規則的系統,包括: 控制器,調適成: 接收有關於工件處理的度量資料; 根據該度量資料之至少部份估計下個製程狀態; 決定有關於該估計之下個製程狀態的錯誤值;以及 處理工具,根據該估計之下個製程狀態處理複數個 工件,以及 ^其中,該控制器調適成根據該決定之錯誤值而調整 待測量之該等經處理之工件之數量。 认如申請專利範圍第27項之系統,纟中,該控制器係實 施於進階控制製程架構(advanced c〇nUc>1 pi_Qcess framework) ψ 。 (修正版)92521 27 1330323 柒、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(2 )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明: 212、215、220、225、230、235、240 ' 250 ' 255 步驟 捌、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 4 (修正本)92521
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