TWI327238B - Conductive substrate of liquid crystal display and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

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三達編號：TW2469PA " 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種液晶顯示器之導電基板及其製 . 造方法，且特別是有關於一種利用曝光、顯影、#刻或光 . 反應等方式使配向膜形成高低起伏之立體結構之液晶顯 示器之導電基板及其製造方法。

【先前技術】 液晶顯示器（1 iquid crystal display ; LCD)因具 有低輻射性以及體積輕薄短小之優點，故於使用上日漸廣 泛。而薄膜電晶體（thin f i lm transistor ; TFT)液晶 顯示器因為其高亮度與大視角的特性，在高階電子產品上 更是廣受歡迎。 傳統之液晶顯示器係由一薄膜電晶體基板及一彩色 慮光片基板透過一框膠（sea 1 ant)夾置一液晶層後所構 成，彩色濾光片基板至少包括上基板、共同電極、彩色濾 光片（color fi Iter ; CF )、黑色矩陣（black matrix ; BM)及上配向膜，而薄膜電晶體基板至少包括下基板、多 條掃描線（scan 1 ine)、多條資料線（data 1 ine)、多個 TFT、多個晝素電極及下配向膜。其中，彩色濾光片及黑 色矩陣亦可形成於薄膜電晶體基板中。液晶顯示器必須具 有多個間隔物，如光間隔物（photo spacer )，設置於薄 膜電晶體基板與彩色濾光片基板之間，以調整液晶層的夾 厚(cell gap)° 5 1327238

三達編號：TW2469PA 傳統之液晶顯示器中，配向膜為一塗佈於基板之電極 表面上之薄膜，其利用本身化學結構之力量配向液晶。在 垂直配向型（vertical al ignment ; VA)液晶顯示器中為 達到多顯示域（multi-domain)的垂直配向，需在基板電 極上預先製作凸塊（protrusion)或狹縫（slit)等立體 結構。接著，在電極及凸塊上形成垂直配向膜，如聚醯亞 胺（polyimide ; PI)膜。

然而，在基板之電極上依序形成凸塊或狹縫及配向膜 而達到液晶之多顯示域配向的設計，將會增加製程的繁複 度。並且，在有凸塊高度差處容易有配向膜印刷不良的情 形發生，進而影響液晶配向的效果。 【發明内容】 有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種液晶顯示器 之導電基板及其製造方法。其利用曝光、顯影、蝕刻或光 反應等方式使配向膜形成高低起伏之立體結構的設計，可 以取代傳統上在基板之電極上依序製作凸塊或狹縫及配 向膜等之繁複製程。此外，本發明所生產之凸塊本身即具 有配向能力，可以避免傳統上由於凸塊高度差所容易造成 的配向膜印刷不良問題，進而維持液晶之良好配向的效 果。 根據本發明的目的’提出一種液晶顯不器之導電基 板，包括一基板、一電極及一配向凸塊膜。電極設置於基 板之上，配向凸塊膜設置於電極上，具有一底部及至少一 6 山/238

為 號：TW2469PA 為之導電基板的製程。 . 實施例二 • 曰參照第3圖’其繪示乃依照本發明之實施例二之液 = 頁不☆之導電基板的結構剖面圖。本實施例之液晶顯示 °。=導電基板20與實施例—之液晶顯示器之導電基板10 酉5 “崦在於I己向凸塊膜23為感光性（ph〇t〇sensitive) •=向膜材料。其餘相同之構成要件繼續沿用標號’並不再 . 贅述。 • 士第3圖所示，配向凸魂膜23設置於電極12上，並 ‘ ^有底4 23a及至少一凸塊孤，例如3個凸塊23b。 塊=之γ p2+B2係大於底部心之厚度β2。 法在此附^^之導電基板2G的製造方 請參·昭穿“ “但本實施例之技術並不侷限在此。 …、弟4A〜4D圖， 9 二之液晶顯示器之導電 具繪示乃依照本發明之實施例 • 圖所示，提供—基板“基板的製程剖面圖。首先，如第4A - 接著’如第4B圖所厂基被11上具有一電極12。 • 極12上’感光性配向蜞不，形成一感光性配向膜24於電 • 在進行預烤後，如^4例如是一負型感光性配向膜。 (hal f-t〇ne )光罩2β ^ 化圖所示，提供一灰階 一第二透光區26a，第〜光罩26具有一第一透光區26b及 光區26a之透光性。然後透光區26b之透光性大於第二透 然後’如第4D圖所八’曝光感光性配向膜24。 示’顯影該曝光後之感光性配向 1327238 f

二達編戚· TW2469PA 美 膜24。接著，烘烤顯影後之感光性配向膜以，以形成配 向凸塊膜23，液晶顯示器之導電基板2〇在此完成。配向 -凸塊膜23具有一底部2如及至少一凸塊23b，凸塊23b之 •-厚度P2+B2係大於底部23a之厚度B2。 - 本實施例藉由提供灰階光罩、曝光、顯影及烘烤等方 式圖案化感光性配向膜24，以形成配向凸塊膜23，並藉 由灰階光罩26之透光度及一蝕刻製程來控制底部23a之 ^ 厚度B2與凸塊23b區域之厚度P2+B2。 • 在上述烘烤顯影後之感光性配向膜24之步驟中，更 包括數個子步驟，如下所述。首先，以溫度50〜1〇〇。〇預 烤（Pre-baking)感光性配向膜24，之後進行曝光顯影。 接著，以溫度大於201TC時固烤（post-baking)顯影後之 感光性配向膜24，以形成配向凸塊膜23。 在本實施例中，凸塊23b之位置與灰階光罩之不同透 光性之透光區的位置有對應關係。如第4C〜4D圖所示， ^若感光性配向膜24為一負型感光性配向膜，灰階光罩26 • 之第一透光區26b之位置對應於凸塊23b之位置。例如3 個凸塊23b之位置對應於灰階光罩26之3個第一透光區 • 26b之位置。若感光性配向膜24為一正型感光性配向膜， - 則需使用另一種具有一第三透光區及一第四透光區之灰 階光罩（未繪示）。其中，第三透光區之透光性大於第四 透光區之透光性，第四透光區之位置對應於凸塊23b之位 置。 此外，本貫細例藉由感光性配向膜，首先經過預烤 12 1327238

三達編號：TW2469PA 後，以灰階光罩方式進行曝光。接著，經由顯影過程在曝 光後之感光性配向膜的表面形成高低結構。然後，進行後 續之固烤，得到一兼具有配向膜與凸塊功能之配向凸塊 膜。由於，本實施例所生產之凸塊本身即具有配向能力， 可避免傳統上由於凸塊高差處所容易造成之配向膜印刷 不良的問題。

另外，本實施例使用感光性的配向膜材料，以灰階光 罩的方式將液晶顯示器之薄膜電晶體基板或彩色濾光片 基板側的配向膜與凸塊於同一製程完成。因此，本實施例 之液晶顯示器之導電基板製程可以取代傳統上需在基板 之電極上依序製作凸塊或狹缝及配向膜等之繁複製程。 本實施例亦可如實施例一所示之光罩16，以負型感 光性配向膜為例，光罩16之透光區16b對應於凸塊23b 之位置，非透光區16a則對應於底部23a，在此不在贅述， 其厚度則可藉由一蝕刻製程中之蝕刻速率與時間控制。若 感光性配向膜為一負型感光性配向膜，藉由一蝕刻製程之 控制，光罩之透光區對應於凸塊之位置。或者是，若感光 性配向膜為一正型感光性配向膜，藉由一蝕刻製程之控 制，光罩之非透光區對應於凸塊之位置。 實施例三 請參照第5圖，其繪示乃依照本發明之實施例三之液 晶顯示器之導電基板的結構剖面圖。本實施例之液晶顯示 器之導電基板30與實施例一之液晶顯示器之導電基板10 13 1327238 m.

三達編號：TW2469PA 不同之處在於配向凸塊膜33更包含聚合物37。其餘相同 之構成要件繼續沿用標號，並不再贅述。

如第5圖所示，配向凸塊膜33設置於電極12上，具 有一底部33a及至少一凸塊33b，例如3個凸塊33b。凸 塊33b之厚度P3+B3係大於底部33a之厚度B3。其中，聚 合物37於凸塊33b中與電極12鍵結，聚合物37之親水 端或親油端與電極12鍵結。此外，聚合物37除了在所覆 蓋之電極12上與電極12鍵結之外，聚合物37更可於所 覆蓋之基板11上與基板11鍵結。聚合物37之親水端或 親油端與基板Π鍵結。但為了說明起見，本實施例只在 凸塊33b中繪示聚合物37。 至於本實施例之液晶顯示器之導電基板30的製造方 法在此附圖說明如下，但本實施例之技術並不偈限在此。 請參照第6A〜6D圖，其繪示乃依照本發明之實施例 三之液晶顯示器之導電基板的製程剖面圖。首先，如第6A 圖所示，提供一基板11，基板11上具有一電極12。 接著，如第6B圖所示，形成一配向膜34於電極12 上。配向膜34包含許多感光性單體（monomer ) 36。若感 光性單體（monomer) 36遇光，感光性單體（monomer ) 36 將在電極12上進行光反應，而聚合成聚合物37，聚合物 37將與電極12或基板11鍵結。 然後，如第6C圖所示，提供一光罩16，光罩16具 有一透光區16b及一非透光區16a。然後，曝光配向膜34， 使感光性單體36在對應於透光區16b之部分之配向膜34 14 1327238

三達編號：TW2469PA 中進行光反應，而聚合為聚合物37。聚合物37於透光區 16b下之部分的配向膜34中與電極12鍵結。 然後，如第6D圖所示，烘烤曝光後之含有聚合物37 之配向膜34，以形成配向凸塊膜33，液晶顯示器之導電 基板30在此完成。配向凸塊膜33具有一底部33a及至少 一凸塊33b，聚合物37位於凸塊33b中。凸塊33b之厚度 P3+B3係大於底部33a之厚度B3。

本實施例藉由添加感光性單體、提供光罩、曝光及烘 烤等方式圖案化含有感光性單體36之配向膜34，以形成 配向凸塊膜33。 其中，在上述烘烤曝光後之含有聚合物37之配向膜 34的步驟中，更包括數個子步驟，如下所述。首先，於一 較低溫度下進行溫度50〜100°C時預烤（pre-baking)曝 光後之含有聚合物37的配向膜34。接著，於較高之溫度 大於200°C時下進行固烤（post-baking)曝光後之含有聚 合物37之配向膜34，以形成配向凸塊膜33。 在本實施例中，凸塊33b之位置與光罩16之透光區 16b之位置有對應關係。如第6C〜6D圖所示，光罩16之 透光區16b之位置對應於凸塊33b之位置。例如3個凸塊 33b之位置對應於光罩16之3個透光區16b之位置。 此外，本實施例在配向膜溶液中混入可遇光聚合之感 光性單體，並在其液態下利用光罩進行圖案化之曝光。在 曝光區形成具有結構之聚合物沉積。進一步烤乾及固烤 後，形成具有立體結構之配向凸起膜，達成多域分割之配 15 1327238

三達編號：TW2469PA 向。因此，本實施例之液晶顯示器之導電基板製程可以取 代傳統上需在基板之電極上依序製作凸塊或狹縫及配向 膜等之繁複製程。

另外，本實施例於配向膜溶液中混入具可遇光聚合之 感光性單體物質，利用光罩方式於特定位置形成較厚之凸 塊，同時兼具配向膜與凸塊之功能。由於，本實施例所生 產之凸塊本身即具有配向能力，可避免傳統上由於凸塊高 差處所容易造成之配向膜印刷不良的問題。 實施例四 請參照第7圖，其繪示乃依照本發明之實施例四之液 晶顯不之導電基板的結構剖面圖。本貫施例之液晶顯不 器之導電基板40與實施例三之液晶顯示器之導電基板30 不同之處在於配向膜43中聚合物37係與圖案化介面活性 層（surfactant layer ) 45鍵結。其餘相同之構成要件繼 續沿用標號，並不再贅述。 如第7圖所示，配向凸塊膜43設置於電極12上，並 覆蓋圖案化介面活性層45。配向凸塊膜43具有一底部43a 及至少一凸塊43b，例如3個凸塊43b。凸塊43b之厚度 P4+B4係大於底部43a之厚度B4。圖案化介面活性層45 設置於凸塊43b及電極12之間，用以與聚合物37之親水 端或親油端鍵結。聚合物37除了在所覆蓋之圖案化介面 活性層45上與圖案化介面活性層45鍵結之外，聚合物37 更可於分別所覆蓋之電極12上與電極12鍵結。聚合物37 16 1327238

三達編號：TW2469PA 又可於所覆蓋之基板11與基板11鍵結。聚合物37之親 水端或親油端與基板11或電極12鍵結。 至於本實施例之液晶顯示器之導電基板40的製造方 法在此附圖說明如下，但本實施例之技術並不侷限在此。

請參照第8A〜8D圖，其繪示乃依照本發明之實施例 四之液晶顯示器之導電基板的製程剖面圖。首先，如第8 A 圖所示，提供一基板11，基板11上具有一電極12。接著， 形成一圖案化介面活性層45於電極12上，圖案化介面活 性層45暴露部分之電極12。 然後，如第8B圖所示，形成一配向膜44於電極12 上，並覆蓋圖案化介面活性層45。配向膜44包含許多感 光性單體（monomer ) 36。若感光性單體（monomer) 36遇 光，感光性單體36將在圖案化介面活性層45上之部分之 配向膜44中進行光反應，而聚合成聚合物3 7，且聚合物 37將與圖案化介面活性層45鍵結。 接著，如第8C圖所示，曝光配向膜44，使感光性單 體36聚合為聚合物37並與圖案化介面活性層45鍵結。 然後，如第8D圖所示，烘烤曝光後之含有聚合物37 之配向膜44，以形成配向凸塊膜43，液晶顯示器之導電 基板40在此完成。配向凸塊膜43具有一底部43a及至少 一凸塊43b，聚合物37位於凸塊43b中。凸塊43b之厚度 P4+B4係大於底部43a之厚度B4。 本實施例藉由形成圖案化介面活性層45、添加感光 性單體36、曝光及烘烤等方式圖案化含有感光性單體36 17 1327238

三達編號：TW2469PA 之配向膜44，以形成配向凸塊膜43。 其中，在上述烘烤曝光後之含有聚合物37之配向膜 44的步驟中，更包括數個子步驟，如下所述。首先，於溫 度50〜100°C時預烤（pre-baking)曝光後之含有聚合物 37的配向膜44。接著，於溫度大於200°C時固烤 (post-baking)曝光後之含有聚合物37之配向膜44，以 形成配向凸塊膜43。

凸塊43b之位置與圖案化介面活性層45之位置有對 應關係。如第8A〜8D圖所示，圖案化介面活性層45之位 置對應於凸塊43b之位置。例如3個凸塊43b之位置對應 於圖案化介面活性層45之位置。 此外，本實施例於配向膜溶液中混入具可遇光聚合之 感光性單體，在有圖案化介面活性層之表面上利用曝光方 式做出表面結構。由於，本實施例所生產之凸塊本身即具 有配向能力，可避免傳統上由於凸塊高差處所容易造成之 配向膜印刷不良的問題。 另外，本實施例在基板上預先印上一圖案化介面活性 層，圖案化介面活性層具有與特定類型之感光性單體進行 光聚合反應之功能。將混有此感光性單體之配向膜溶液塗 佈於基板上，並在液態下對配向膜溶液進行曝光。藉由所 發生之光聚合反應，感光性單體在最初圖案化介面活性層 之區域上聚合且形成聚合物之結構。接著烤乾配向膜，並 進行高溫固烤。因此，使基板上形成一具有立體結構之配 向膜，達成多域分割之配向。所以，本實施例之液晶顯示 18 1327238 磷

三達編號：TW2469PA 2 器之導電基板製程可以取代傳統上需在基板之電極上依 序製作凸塊或狹縫及配向膜等之繁複製程。 實施例五 請參照第9A〜9D圖，其繪示乃依照本發明之實施例 五之液晶顯示器之導電基板的製程剖面圖。首先，如第9A 圖所示，提供一基板11，基板11上具有一電極12。

接著，如第9B圖所示，藉由塗佈、預烤等步驟以形 成一感光性配向膜54於電極12上，該感光性配向膜54 在預烤前係為液體。感光性配向膜54例如是一負型感光 性配向膜。 然後，提供一灰階光罩5 6。灰階光罩5 6具有一第一 透光區56b、一第二透光區56a及一第三透光區56c，第 一透光區56b之透光性大於第二透光區56a之透光性，第 三透光區56c之透光性大於第一透光區56b之透光性。接 著，曝光感光性配向膜44。接著，顯影感光性配向膜56。 然後，如第9D圖所示，烘烤顯影後之感光性配向膜 54，以形成一具有一底部53a、至少一凸塊53b及至少一 立體結構5 3 c之配向凸塊膜 5 3 ’液晶顯不為之導電基板 50在此完成。立體結構53c之厚度T+B5大於凸塊53b之 厚度P5+B5，凸塊53b之厚度P5+B5大於底部53a之厚度 B5 ° 本實施例藉由塗佈、預烤、提供灰階光罩、曝光、移 除灰階光罩、顯影及固烤等方式圖案化感光性配向膜54， 19 1327238

三達編號：TW2469PA 以形成配向凸塊膜53。立體結構53c係為一柱體，可於液 晶顯不裔之導電基板50與另 一液晶顯不為之導電基板爽 置且密封一液晶層時，當作光間隔物（photo spacer)使 用。

其中，在上述烘烤顯影後之感光性配向膜54之步驟 中，更包括數個子步驟，如下所述。首先，於溫度50〜100 °C時預烤（pre-baking)感光性配向膜54成為一固體薄 膜，接著進行曝光顯影。之後於溫度大於200°C時固烤 (post-baking)顯影後之感光性配向膜54，以形成配向 凸塊膜5 3。 在本實施例中，立體結構53c及凸塊53b之位置與光 罩之不同透光性之透光區的位置有對應關係。又如第9B 〜9D圖所示，若感光性配向膜54為一負型感光性配向膜， 第一透光區56b之位置對應於凸塊53b之位置，第三透光 區56c之位置對應於立體結構53c之位置。若感光性配向 膜54為一正型感光性配向膜，則需使用另一種具有一第 四透光區、一第五透光區及一第六透光區之灰階光罩（未 繪示）。其中，第四透光區之透光性大於第五透光區之透 光性，第六透光區之透光性大於第四透光區之透光性。因 此，第四透光區之位置對應於凸塊53b之位置，第五透光 區之位置對應於立體結構53c之位置。 在本實施例中，藉由灰階光罩之透光區可分為三種或 三種以上之透光性，可以在基板上對應地形成具有三種或 三種以上不同厚度之配向凸塊膜。 20 1327238

三達編號：TW2469PA 此外，本實施例藉由感光性配向膜，首先經過預烤 後，以灰階光罩方式進行曝光。接著，經由顯影過程在曝 光後之感光性配向膜的表面形成高低結構。然後，進行後 續之固烤，得到一兼具有配向膜、凸塊及立體結構功能之 配向凸塊膜。由於，本實施例所生產之凸塊本身即具有配 向能力，可避免傳統上由於凸塊高差處所容易造成之配向 膜印刷不良的問題。

另外，本實施例使用感光性的配向膜材料，以灰階光 罩的方式將液晶顯示器之薄膜電晶體基板或彩色濾光片 基板側的配向膜、凸塊及光間隔物於同一製程完成。因 此，本實施例之液晶顯示器之導電基板製程可以取代傳統 上需先在基板之電極上製作光間隔物、凸塊或狹缝及配向 膜等之繁複製程。 本發明上述實施例所揭露之液晶顯示器之導電基板 及其製造方法，其利用曝光、顯影、蝕刻或光反應等方式 使配向膜形成高低起伏之立體結構的設計，可以取代傳統 上在基板之電極上依序製作凸塊或狹缝及配向膜等之繁 複製程。此外，本實施例所生產之凸塊本身即具有配向能 力，可以避免傳統上由於凸塊高差所容易造成的配向膜印 刷不良問題，進而維持液晶之良好配向的效果。因此，本 實施例即利用配向膜之製程加上曝光、顯影、蝕刻或光反 應等方式，在基板表面一次形成具立體結構且有多顯示域 化功能之配向膜材料，以簡化現有之製程。 綜上所述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上， 21 1327238

三達編號：TW2469PA 然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中任何具 有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作 各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之 . 申請專利範圍所界定者為準。 22 1327238

三達編號：TW2469PA 【圖式簡單說明】 第1圖繪示乃依照本發明之實施例一之液晶顯示器 之導電基板的結構剖面圖， 第2A〜2E圖繪示乃依照本發明之實施例一之液晶顯 示器之導電基板的製程剖面圖； 第3圖繪示乃依照本發明之實施例二之液晶顯示器 之導電基板的結構剖面圖，

第4A〜4D圖繪示乃依照本發明之實施例二之液晶顯 不器之導電基板的製程剖面圖， 第5圖繪示乃依照本發明之實施例三之液晶顯示器 之導電基板的結構剖面圖； 第6A〜6D圖繪示乃依照本發明之實施例三之液晶顯 不杰之導電基板的製程剖面圖， 第7圖繪示乃依照本發明之實施例四之液晶顯示器 之導電基板的結構剖面圖， 第8A〜8D圖繪示乃依照本發明之實施例四之液晶顯 不裔之導電基板的製程剖面圖，以及 第9A〜9D圖繪示乃依照本發明之實施例五之液晶顯 不之導電基板的製程剖面圖。 【主要元件符號說明】 10、20、30、40、50 .液晶顯不為之導電基板 11 :基板 12 :電極 23 1327238

三達編號：TW2469PA 13、 23、33、43、53 :配向凸塊膜 13a、23a、33a、43a、53a :底部 13b、23b、33b、43b、53b :凸塊 14、 34、44 :配向膜 15 :光阻層 15a :圖案化光阻層 16 :光罩

16a :非透光區 16b .透光區 24、54 :感光性配向膜 26、56 :灰階光罩 26a、56a :第二透光區 26b、56b :第一透光區 36 :感光性單體 37 :聚合物 45 :圖案化介面活性層 56c :第三透光區 B卜B2、B3、B4、B5 :底部之厚度 P1+B1、P2+B2、P3+B3、P4+B4、P5+B5 :凸塊之厚度 T+B5 :立體結構之厚度 24

Claims (1)

1327238 併㈣Lf日修正本 十、申請專利範圍：

1. 一種液晶顯示器之導電基板，包括： 一基板； 一電極，設置於該基板之上；以及 一配向凸塊膜，設置於該電極上，具有一底部及至少 一凸塊（protrusion )，該凸塊之厚度係大於該底部之厚度， 其中該配向凸塊膜係為一正型感光性配向膜或一負型感 光性配向膜。 2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器之導電 基板，其中該凸塊係為一梯形體。 3. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器之導電 基板，其中該電極為一透明電極。 4. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器之導電 基板，其中該凸塊之厚度為1微米（以m)至6微米。 5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器之導電 基板，其中該凸塊之厚度為2微米至5微米。 6. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器之導電 基板，其中該底部之厚度大於1〇〇埃（A)，但小於10000 埃（A)。 7. —種液晶顯示器之導電基板之製造方法，包括： 提供一基板，該基板上具有一電極； 形成一配向膜於該電極上，該配向膜係為一正型感光 性配向膜或一負型感光性配向膜； 提供一灰階(half-tone)光罩； 25 1327238 曝光該配向膜； 移除該灰階光罩； 顯影該配向膜；以及 固烤顯影後之該配向膜，以形成一具有一底部及至少 一凸塊之配向凸塊膜，該凸塊之厚度係大於該底部之厚 度。 8. 如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示器之導電 基板之製造方法，其中於該提供該灰階光罩之步驟後更包 •括： § 於溫度50〜100°C時預烤（pre_baking)該配向膜。 9. 如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示器之導電 基板之製造方法，其中該灰階光罩具有一第一透光區及一 · 第二透光區，該第一透光區之透光性大於該第二透光區之 _ 透光性，該配向膜為該負型感光性配向膜，該第一透光區 之位置對應於該凸塊之位置。 10. 如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示器之導電 ® 基板之製造方法，其中該灰階光罩具有一第一透光區及一參 • 第二透光區，該第一透光區之透光性大於該第二透光區之 透光性，該配向膜為該正型感光性配向膜，該第二透光區 之位置對應於該凸塊之位置。 11. 如專利申請範圍第7項之液晶顯示器導電基板之 製造方法，其中該配向膜為該負型感光性配向膜，藉由一 蝕刻製程之控制，該光罩之一透光區對應於凸塊之位置。 12. 如專利申請範圍第7項之液晶顯示器導電基板之 1S 1 26 1327238 製造方法，其中該配向膜為該正型感光性配向膜，藉由一 蝕刻製程之控制，該光罩之一非透光區對應於凸塊之位 置。 13. 如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示器之導電 基板之製造方法，其中該凸塊之厚度約為1微米至6微米。 14. 如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示器之導電 基板之製造方法，其中該凸塊之厚度約為2微米至5微米。 15. 如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示器之導電 φ 基板之製造方法，其中該底部之厚度大於100埃（人），但 小於10000埃（人）。 16. —種液晶顯示器之導電基板之製造方法，包括： 提供一基板，該基板上具有一電極； . 形成一配向膜於該電極上，該配向膜具有複數個感光 性單體； 提供一具有一非透光區及一透光區之光罩； 曝光該配向膜，使該些感光性單體聚合為一聚合物， Φ 該聚合物於該透光區下之部分的該配向膜中與該電極鍵 結， 移除該光罩；以及 固烤曝光後之該配向膜，以形成一具有一底部及至少 一凸塊之配向凸塊膜，該聚合物位於該凸塊中，且該凸塊 之厚度係大於該底部之厚度。 17. 如申請專利範圍第16項所述之液晶顯示器之導 電基板之製造方法，其中於該提供該光罩之步驟後更包 27 1327238 括： 於溫度50〜100°C時預烤（pre-baking)該配向膜。 18.如申請專利範圍第16項所述之液晶顯示器之導 電基板之製造方法，其中該凸塊之厚度約為1微米至6微 米。 19.如申請專利範圍第16項所述之液晶顯示器之導 電基板之製造方法，其中該凸塊之厚度約為2微米至5微 米。

20. 如申請專利範圍第16項所述之液晶顯示器之導 電基板之製造方法，其中該底部之厚度大於100埃（A)， 但小於10000埃（人）。 21. —種液晶顯示器之導電基板之製造方法，包括： 提供一基板，該基板上具有一電極； 形成一圖案化介面活性層於該電極上； 形成具有複數個感光性單體(monomers)之一配向膜 於該圖案化介面活性層上； 曝光該配向膜，使該些感光性單體聚合為一聚合物， 該聚合物於部分的該配向膜中與該圖案化介面活性層鍵 結；以及 固烤曝光後之該配向膜，以形成一具有一底部及至少 一凸塊之配向凸塊膜，該聚合物位於該凸塊中，且該凸塊 之厚度係大於該底部之厚部。 22.如申請專利範圍第21項所述之液晶顯示器之導 電基板之製造方法，其中於該提供該光罩之步驟後更包 28 1327238 括： 於溫度50〜100°C時預烤曝光後之該配向膜。 23. 如申請專利範圍第21項所述之液晶顯示器之導 電基板之製造方法，其中該凸塊之厚度約為1微米至6微 米。 24. 如申請專利範圍第21項所述之液晶顯示器之導 電基板之製造方法，其中該凸塊之厚度約為2微米至5微 米。 φ 25.如申請專利範圍第21項所述之液晶顯示器之導 電基板之製造方法，其中該底部之厚度大於100埃（A)， 但小於10000埃（人）。 26. —種液晶顯示器之導電基板之製造方法，包括： 提供一基板，該基板上具有一電極； 塗佈一感光性配向膜液體於該電極上； 預烤該感光性配向膜液體以形成一感光性配向膜於 該電極上； # 提供一灰階光罩； 曝光該感光性配向膜； 移除該灰階光罩； 顯影該感光性配向膜；以及 固烤顯影後之該感光性配向膜，以形成一具有至少一 凸塊及至少一立體結構之配向凸塊膜，該立體結構之厚度 大於該凸塊之厚度。 27. 如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示器之導 29 1327238 電基板之製造方法，其中該灰階光罩具有一第一透光區、 一第二透光區及一第三透光區，該第一透光區之透光性大 於該第二透光區之透光性，該第三透光區之透光性大於該 第一透光區之透光性，該感光性配向膜為一負型感光性配 向膜，該第一透光區及該第三透光區之位置分別對應於該 ' 凸塊及該立體結構之位置。 28. 如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示器之導 電基板之製造方法，其中該灰階光罩具有一第一透光區、 % 一第二透光區及一第三透光區，該第一透光區之透光性大 於該第二透光區之透光性，該第三透光區之透光性大於該 第一透光區之透光性，該感光性配向膜為一正型感光性配 向膜，該第一透光區及該第二透光區之位置分別對應於該 凸塊及該立體結構之位置。 29. 如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示器之導 電基板之製造方法，其中該立體結構係為一柱體。 30. 如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示器之導 ^ 電基板之製造方法，其中固烤該感光性配向膜之步驟包 括： 於溫度大於200°C時固烤顯影後之該感光性配向膜， 以形成該配向凸塊膜。 31. 如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示器之導 電基板之製造方法，其中該灰階光罩之一透光區可分為至 少三種之透光性，在該基板上對應地形成具有至少三種不 同厚度之該配向凸塊膜。 1327238

TW2460PA

第2B圖 1327238 專利申請案號第094147032號修正

16a 16 -16b 14 12 11

14 12 11 第2D圖

10 13b 13a

第2E圖 m 1327238

第8A圖

44 12 11 第8B圖 IS 1