TWI323805B - Pixel structure - Google Patents

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TWI323805B
TWI323805B TW094142320A TW94142320A TWI323805B TW I323805 B TWI323805 B TW I323805B TW 094142320 A TW094142320 A TW 094142320A TW 94142320 A TW94142320 A TW 94142320A TW I323805 B TWI323805 B TW I323805B
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Description

1323805 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於多重區塊垂直排歹彳型（multi_d〇main vertical alignment， ' 胃八）液晶顯示器，特別是有關於一種能改善晝素品質之廣視角液晶顯示 器畫素結構。 【先前技術】 目刖對於溥膜電晶體液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal • Display ’ TFT-LCD)技術是朝向於高對比(high contrast ration)、高亮度(high luminance)、色偏差小(little c〇i〇r shift)、無灰階反轉(n〇 gray scale inversi〇n)、 無影像殘留(no image retention)、反應速度快(fast response time)及廣視角 (wide viewing angle)等特性發展。 其中，視角問題一直存在於液晶顯示器中。為了增加其視角，目前採 • 用的技術之一是將液晶區分隔成多重區塊，使得位於不同區塊的液晶分子 能夠呈現出多種的傾倒方向，進而達到增進視角的目的。為了使液晶分子 呈現不同的傾倒方向，一般的做法係使用突起部（pr〇trusi〇n)及或具有狹 缝（slit)的導電電極之組合，例如多重區塊垂直排列型（MVA)液晶顯示 ® 器。其中，突起結構或具有狹縫（slit)的導電電極設置於液晶顯示器上下 基板内並朝向液晶層，使液晶分子產生預傾角，而在施加電壓後，呈現出 不同傾倒方向。 第1圖顯示一種習知多重區塊垂直排列型液晶顯示器畫素結構平面示 意圖。請參照第1圖，習知技術之多重區塊垂直排列犁液晶顯示器子畫素 200包括:突起部(protmsion)l〇〇配置於彩色濾光片基板、具有狹縫的導電電 極104配置於陣列基板’藉由突起部1〇〇與狹縫的交錯配置，可使液晶分 子102成四種不同的傾倒方向，造成四種不同方位角區塊(azimmhai domain) ’以達到廣視角的效用；然而，由於第1圖的習知設計中第一方位 Client's Docket No.; AU0508016 5 TT’s Docket No: 0632-A50599TWf(送件版本yesmondm/30/2005 .角區塊202之寬度洲，等於第二方位角204之寬度P0，造成子畫素中方位 .角區塊内’突起部100之左側及右側區塊面積不相等，而產生缺，點，例如： 帛一方位角區塊202面積及第二方位㈣鬼2〇4面積之比例不對稱當使 • 时在獨姻觀看時，會錢到色顧自MOTWashm_及灰階反轉等 現象而降低面板整體的影像品質；如第2圖所示，為傳統多重區塊垂直排 列型液晶顯示器的γ曲線隨視角而變化之關係曲線圖，曲線A、b、C分別 為視角為0。、右視肖及左础々輯，可以發現左右視㈣γ曲線相差 甚遠。 為了改善此種缺點，另一習知技術，請參考第3圖，子畫素，係採 用移動彩色遽光片基板的突起部·位置，來調整子畫素中方位角區塊的 面積，使子畫素中各方位角區塊面積相等，但此時第一方位角區塊2〇2,之 寬度Ρ2’不等於第二方位角2〇4,之寬度ρ2;同理，第三方位角區塊，之 •寬度P1不等於第二方位角継之寬度Ρ1，，雖然已藉由移動凸起部100,之 • 位置來彌補前一項之缺失，卻也帶來其他的缺點，例如：當Pl9tpi，、p2笑p2, 時，因液晶在子畫素左右兩邊傾倒推擠的力量不相等，容易造成不穩定的不 連續線(disconnection line)，進而在切換灰階時發生影像殘留(image retenti〇n) 的現象，另外，當P1與P2’過長，並遠大於現有產品之長度時，因液晶傾 • 倒推擠的力量變得很弱，將造成反應時間大幅變慢，使產品無法符合現有 規格；還有，當P1與P2過短時，容易因為對組或對位誤差造成某一方位 角區塊(azimuthal angle domain)的面積變的非常的小，甚至於是完全消失， 因此便會在此方位角(azimuthal angie)出現灰階反轉的現象，更嚴重的影響 其影像品質。 ' 【發明内容】 • 本發明的目就是提供一種具鏡像設置之多重區塊垂直排列型畫素結 構，解決單一子畫素内因方位角面積比例不相等，使得左右視角影像品質
Client's Docket No.: AU0508016 6 TT’s Docket No: 0632-A50599TWf(送件版本)/esmond/l 1/30/2005 以及單一子畫素内方位角面積比例相等，但 不同或色偏程度不同的現象， 卻有影像殘留的問題》 為達上述與其他目的，本發明主要利用相鄰之兩鏡像配置子畫素中， 左右或上下互相鏡射之畫素配置，以及，相鄰之兩鏡像配置子晝素中相 同極角區塊内之每—種方位角區塊的總面積為實質相同的設計，使其具有 方位角區塊面積比自我補償之特性。 /〜、 依照本發明-較佳實施例為__種適用於多重區塊垂直排列型液晶顯示 »旦京結構，包含複數個相鄰排列之子畫素陣列，其彩色遽光片基板上且 有第-預傾角控制構造，陣列基板上具有第二預傾角控制構造，且藉由第 ，預傾角控制構造與第二預傾肖控制構造為交錯排列，來區隔該子畫素為 複數個方位角之區塊㈣咖脇如㈣纖⑹：其中子晝素中更包含不同 極角之區塊㈣^㈣刪叫’且子晝素與相鄰之子畫素具有鏡像配置之 極角區塊和鏡像配置之方位角之區塊。 依照本發明另_触實細之畫素結構為概個相嶋列之子畫素陣 列’其結構包含：絲元件，透過㈣線電性連接於_基板之第一極角 區塊、電雜合電極，配置於第二㈣區塊下，且電雜合餘透過該主 動元件電1±連接於該資料線、液晶層設置㈣㈣光絲板與陣列基板 間；且本實施例之子畫素包含不同電位之第-極肖區塊與第二極角區塊， 且第-極角區塊及第二極角之區塊上更區分為複數個方位角區塊，而至少 相鄰之子4素的極角區塊和方位角區塊為鏡像配置。 值得注意的是，本發明之實施例中，婦之兩鏡像配置子畫素中，相 同極角區塊内之每-種方位角區塊的總面積為實f相同，且相鄰之子畫素 之鏡像配置包括以三個該子晝素及三個子畫素的鏡像成週期性配置，或是 更包括以三個以上之子晝素及三個以上之子晝素的鏡像成週期性配置；並 且，三個子晝素可以是紅色、綠色、及藍色。 另外’本發明之實施例中，第-種預傾角控制構造與第二删角控制 Client^ Docket No.： AU0508016 7 TT S Docket No: 0632-A50599TWf(送件版本)/esm〇nd/l 1/30/2005 構造獨立擇自突起部或狹縫；且因本發明之一實施例中有採用電荷釋放元 件因此，可在每次資料寫入的同時，有效的釋放畫素結構中的殘留電荷， 且電荷釋放元件可為電容器或薄膜電晶體。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特 舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下： 【實施方式】 為了解決習知技術之影像偏白(c〇l〇r washout)的問題，本發明在第一實 施例中使用左右相鄰之子畫素麵與〇，具有鏡像配置之極角區塊ΓΙΓ 和鏡像配置之方位角區塊101，、20Γ 、30Γ 、40Γ 、50ΙΓ 、60ir 、 70ΙΓ 、80ΙΓ ，且在相鄰的兩互為鏡像之子畫素中，相同極角區塊之各方 位角區塊之面積總和皆實質上相等。 第一實施例 第5圖及第6圖繪示本發明第一實施例為一種多重區塊垂直排列型液 晶顯示器子畫素結構之示意圖，請同時參照第4圖。本實施例中，子畫素 1000包括彩色濾光片基板400與陣列基板5〇〇，液晶層600設置於彩=濾 光片基板400與陣列基板500之間；其中，彩色濾光片基板4〇〇上包含第 -預傾角控制構造410，陣列基板5〇〇上包含第二預傾角控制構造512，預 傾角控制構造可對液晶進行配向，而第一預傾角控制構造41〇與第二預傾 角控制構造512為交錯排列，以區隔子畫素為複數個方位角之區塊 (azimuthal angle domain) 101、201、301、401、5011、60II、70II、80II，其 中該方位角區塊之角度可以為45。、135。、225。、及315。。 請參照第4 ® ’本實施例之第一預傾角控制構造及第二預傾角控 制構造512可對液晶分子導轴進行控制，來形成各種不同的方位角區塊， 以達到廣視角的目的；值得注意的是，雖然第4圖所繪示的第一預傾角控 制構造410形狀為突起部，第二預傾角控制構造512為導電電極5川之間
Client’s Docket No·: AU0508016 3 TT’S DocketNo: 0632-A50599TWf(剧牛版本)/esmond/11/30/2005 叫3805 的狹縫，但熟悉此技藝者應可了解，第—與第二預·控制構造·、5i2 亦可互換，或者兩者同時為狹縫，朗時為突起部。 具體而言’請參照第5圖 〇 卞旦常1000更具有形狀為不對稱的不同極 之區塊(p〇lar angIe domain)!、π，且其利用間隔L來區隔成第一極角之區 塊I及第二極角之區塊Π，使得第—極角區塊！及第二極角之區塊^之 電極係為不連叙結構。值躲意的是，此_ L之構造可由第二預 控制構造512來構成。
另外，本實施例中，請參照第5圖，相鄰之子畫素聊，盘子畫素職 具有鏡像的㈣區塊！，、Π’，及鏡像的方位角區塊的配置，以達成視角補 償的功效，例如：子畫素1000，中，位角區塊1〇1，及鑛，為方位角衫。、 方位角區塊20Γ及耐為方位角135。、方位角區塊3〇ι，及丽，為方 位角225。、方位角區塊4〇1，及8011，為方位角315。。 另外，在相鄰的兩互為鏡像配置之子畫素中，相_角區塊之各方位 角區塊之總面積皆實質相等，舉例來說：互為鏡像配置之子畫素酬 晝素1000’中，相同極角且相同方位角之區塊，例如1〇1^1〇1,區塊， 其兩者面積相加’例如：腑m，，其總面積實質等於黯肌，也實質 5於301傷，亦實質等於401砸，’使其具有方位角區塊面積比自我補 償之特性。此時面板之左右與上下視角之影像品f相同，並不影響原先畫 素之特性，並且進而避免如先前技術中，因顧慮到單一子畫素内方位角面 積比例問題，而移起部所帶來對組或是對健差所造成例如反應時間 變慢、影像殘留及灰階反轉等問題。 综合來說，請參照第5圖，因一極角區塊！及第二極角區❹可以分 別維持在兩種;電壓位準而使得液晶分子產生兩種不同的極角區塊， 又因為彩色遽光片基板4〇〇上有第-預傾角控制構造_及陣列基板5〇〇 具有第二麵肖控觸造之子畫素電極5丨2,崎驗晶分子產生^種不同 的方位角區塊，例如：方位角區塊1GI、5GII為方位角45。、方位角區塊
Client’s Docket No.: AU0508016 9 TT’s Docket No: 0632-A50599TWf(送件版本yesmond/11/3〇/2()()5 ^23805 201、麵為方位角135。、方位角區塊3()Ι、7()Π為方位角225<>、方位角 區境40 I、80 II為方位角315。；更進一步來說，此兩種極角區塊及四種方 位角區塊，相互搭配後共可轉成八種不同的光學雜的區塊m 3(H、40 ί、篇、削、則，π，且其相鄰子畫素為左右相互映射，因 此，綜合兩相互映射之子晝素，便仍具有兩種極角區塊，且每—極角區塊 均具有面積相等的四個方位角區塊，可達到左右視角影像品質相同之功效。 以下’將說明子畫素麵之元件配置及如何形成極角區塊！、 式。
請參照第6圖，子畫素1000包含主動元件臓，例如為薄膜電晶體， 配置於陣列基版5〇〇上’且此薄膜電晶體具有閘極義、通道層聰、源 極1004、汲極祕以及儲存電容器㈣贈，且儲存電容器_順配 置於子畫素麵中間’而金料電層獅配置於儲存電频c_22上， 且閘極麵係電性連接於或直接整合於掃描線(圖未標示)中，源極議電 性連接於或直接整合於⑽線醜巾，峨極臟透轉-接觸窗聊 電性電性連接於第一極角區塊I。 具體而言，金屬導電層1020分成三個部分，其中，第一部份為第一電 容輕合電極1〇15、第二部份為金屬導線麵及第三部份為第二電容搞合電 極1016 ’且第-電容麵合電極1〇15和第二電容輕合電極⑼6配置於金屬 導線1018相對的兩邊，並且可和第—極角區以上的第—預傾角控制構造 的相對位置重疊；聽屬導線麵係透過第二接_腦電性連結於 第極角區塊I’且第一電谷輕合電極1〇15及第二電容耗合電極祕分別 和第極角區塊π之晝素電極電性輕接，產生耗合效應(細心職 Coupling(C.C))，以維持良好的顯示品質。 具體來說，如第6圖所示，若提供高壓％將影像資料經由掃描線(圖 未不)寫入子晝素結構画中時，此高壓％經由閘極麵冑主動元件臓 開啟，再由資料線1〇01將影像資料I)經由主動元件臓七及極藝
Client's Docket No.： AU0508016 ,n TT’s Docket No: 0632-A50599TWA：送件版本)/esm〇nd/11/3〇/2〇〇5 使得第-極角區塊I，維 極角區塊彡像資料寫人第—極㈣塊〗_時，第二 且此時第二極透過第二接觸f 1024電性連結於金屬導電層1020, 容叙人雷2 之晝素電極分別和第"電容齡電極1G15及第二電 且電壓位s 1G16電絲合’產生輕合峨CC)而被輕合至她辑Vcc， =位準Vdata >電壓位準Vee，此時，因為第—極角區塊τ和第二極角區 、電錄料同’使得在這兩區塊騎晶分子細有獨的傾導方向 k成㈣極角區塊，所以形成第-種極角I及第二極角區塊ΙΙβ 第二實施例 第7圖繪示依照本發明第三實施例子畫素結構纖之上視圖。本實施 例之子畫素結構2_鱗—實_之子畫素結構刪_，惟兩者控制 極角區塊的方式不同，其主要差異在於：本實施例之子畫素結構2_增加 了第二薄膜電晶體1〇〇3，’所以子晝素2〇〇〇是由第一薄膜電晶體讀，及第 二薄膜電晶體麵，所其巾，第二薄縣晶體聰，包括第二間極 1008’、第二源極1023’、第二沒極1〇25,及第二通道層丨_，丨第二薄膜電 aa體1003透過第一接觸窗1〇11，電性連接於第二極角區塊h’，第一薄膜電 晶體之源極1GG4’電性連結於第二薄難晶體之祕應，，其巾，第二間 極1008’可以等同於第一薄膜電晶體之閘極。 具體而言’第-薄膜電晶體臟，之狐值大於第二義電晶體1〇〇3, 之WH值躲意的是，本實施例之第二_電晶體画，可視為一種 電荷釋放元件，例如一儲存電容器；並且，電荷釋放元件1〇〇3,在子畫素結 構2000中扮演非常重要的角色’具體而言，電荷釋放元件1〇〇3，可以有效 的避免被滯留在子畫素中，若該電荷釋就件為電容器，則將可藉由 電谷搞合效應來抑制正、負電荷不平衡的現象，進而避免長時間驅動下影 像殘留(imagesticking)的問題。 第三實施例
Client’s Docket No.: AU0508016 jj TT’s DocketNo: 0632-A50599TWf(送件版本)/esmond/1"3〇,2〇〇5 丄扣805 請參照第8圖與第9圖，本發明第三實施例之子晝素具有形狀為 土:對稱的不同極角之區塊(p〇lar angle d〇main) 1、H，且其利用閘極舰或 ，存電容器(C_4隨子畫素7_第—極角之區則及第二極角之區塊 且第-極角之區塊ί及第二極角之區塊Π之畫素電極係為不連續之結構。 本實施例中，請參考第8圖，上下相鄰之子畫素蕭與子畫素具 :鏡像的極角區塊Γ、II’，及鏡像的方位角區塊的配置，以達成視角補償 的功效’例如’子畫素700’中：方位角區塊贿，及肅為方位角枚、 方位角區塊20’Π’及40，Π’為方位角135。、方位角區塊5〇ι，及塊7〇ι，為 方位角225。、方位角區塊601，及8〇1，為方位角315。。 另外’在上下她的兩互為鏡像配置之子晝料，_極角區塊之各 =位角區塊其總面積皆實質婦，使具有方位龍塊面航自我補償之特 ’舉例來說.互為鏡像配置之子畫素及子畫素彻，巾，相同極角且 才目同方位角之區境，例如101和3〇1區塊，兩者面積相加，例如：则〇ι， =面積實質等於驗肌也實質等於聊鹰，亦實質等於· +801以達成視角補償的功效。 综合來說，本實施例中，請參照第8圖，第—極角區塊丨及第二極角區 =可以分獅持在兩種不同的電壓鱗，而使得液晶分子產生兩種不同 =極角區塊，又因為彩色咖基板姻，包含第—預傾角控制構造仙及 陣列基板500具有帛二預傾角控制構造512，而使得液晶分子產生四種不同 的方位角區塊，例如··方位角區塊1〇1及方位角區塊3〇ι為方位角杪、 方位角區塊2(Π及方㈣區塊织為方位角135'方 =塊7〇1:為方位角225。、方位角區塊—角咖^ 步來說，此兩種㈣區塊及四種方位角區塊，相互搭配 後，、可以構成八種不同的光學特性的區塊1〇I、2〇I、3〇 j、術、 、 70η、80Π，且其相鄰子畫素為左右相互映射，因此，综合兩相互映射 車素，便仍具有兩種極角區塊，且每一極角區塊均具有面積相等的四個方
Client’s Docket No.: AU0508016 TT's Docket No: 〇632-A50599TWf|：^«)/esmond/ll/3〇/2〇〇5 1323805 位角區塊，可達到左右視角影像品質相同之功效β 以下’將說明子畫素1_之元件配置及如何形成極角區塊Γ、π的方 式。 請參照第 I，子晝素7GG t，包括主統件_，例如為薄膜電晶體， 配置於陣列基版500上，此薄膜電晶體具有閘極8〇8、通道層8〇1、源極8〇3、
沒極7〇6以及儲存電容器(Cs_。其中，閘極8〇8或储存電容器❺卿 區隔子畫素700為第-極角之區塊Γ及第二極角之區塊π，且第一極角之區 塊！及第二極角之區塊Π之畫素電極係為不連續之結構，而難電線 連接於或直接整合於掃描線(圖未標示)中，而源極8〇3電性連接於或直接整 合於資料線708中。此外’祕7〇6分成二個部分，沒極的第一部分7〇2 透過接觸窗806電性電性連接於第一極角區塊〗，汲極的第二部分7⑽電性 連接於第二極角區塊π畫素電極下之電容搞合電極8〇2，且該電容搞人電 極802和第二極角區塊„之畫素電極電_合，產轉合效應(C C)，此口時， 因為第-極角區塊！和第二極角區塊π_壓位準不同，使得在這兩區塊 的液晶分子_有相的解方向造成不_㈣崎 極角I及第二極角區塊Π。 钱弟裡 (圖未具;^Γ示，若提供-高壓Vgh將—影像諸經由掃描線 (圖未不)寫入子畫素結構中，此高壓Vgh經由閘極卿將 開啟’再由資料線708將影像資料(、)經由主動元件_之沒極的第% 伤702透過接觸窗8G6電性連接於第_㈣陳 壓為準w然而，在將影像資料寫入第一極角區㈣及 極的第二部^04電性連接於第二極角區塊π畫素電極下之電容輕合極 802 ’且該電_合電極8〇2和第二極角區塊π之畫素電極電 耦合效應(CC)·耦合至電驗準m壓位準n墨位。 此時，因為第—極角區塊1和第· 的電壓位準不同，使得^ 兩區塊的瓣子料細的解响細的峨塊所以= Clienfs Docket No.: AU0508016 ❿取 1323805 第一種極角i及第二極角區塊π。 第四實施例
性連結於第二薄膜電晶體之源極803,，並且，第一
807’，其中，第二閘極8〇8,可 且第二薄膜電晶體809,透過第 第—薄臈電晶體之源極803電 ’第一薄膜電晶體800’之W/L 值大於第二薄膜電晶體809’之魏值。本實施例之第二薄膜電晶體8〇9,可 視為一種電荷釋放元件，例如一儲存電容器。 值知注意的是，該電荷釋放元件8G9,在子畫素結構_中扮演非常重 要的角色’具體而言，電荷釋放元件可以有效的避免電荷被滯留在子 畫素中，若該電荷釋放元件為電容器，則將可藉由電容麵合效應來抑制正、 負電荷不平衡的現象，進而避免影像殘留(imageretenti〇n)的問題。 第五實施例 本實施例為刖四種實施例之應用，為一種多重區塊垂直排列型液晶顯示 益子畫素結構中，子畫素及其鏡像子畫素排列方式。舉例來說，請參考第5 圖及第11圖，若第一實施例及第二實施例所述之第一種子晝素結構1〇〇〇 為正版(P)子畫素’第一種子畫素結構之鏡像配置1000,為負版(N)子畫素； 同理，請參考第8圖及第12圖，如第三實施例及第四實施例之第二種子晝 素結構700為正版(P)子畫素，第二種子畫素結構之鏡像配置7〇〇，為負版⑼ 子畫素，則本實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯示器畫素中，子畫素之 排列配置方式可如第13圖，其排列的方式為：相鄰子晝素皆互為鏡像
1323805 (sub-pkd inversion)之週期性配置，且可為±下子畫素互域像或左右子 畫素互為鏡像’·更具體而言，相鄰之三麵子畫素可分職表紅色、綠色 及藍色，且和正版(P)相鄰之子畫素為負版⑼子畫素；和負版⑻相鄰之子 畫素為正版(P)子畫素。 第六實施例 第14’示本實_之多重區塊垂直排列型液晶顯示器畫素中，子畫 素排列之配置《本實施例和第五實施例類似，惟者 施例以嫩繼_職之密，崎，㈣ 負版⑼之子畫素為-個小單位A，和其左右或上下相_另—個其鏡像配 置子畫素小單位做ϋ雛之排_otNline inversi〇n);更具體而言，例如和 正版(P)子畫素小單位⑽的為貞版子畫素(N)小單位；和貞肝畫素⑼小 單位相鄰的為正版子畫素(P)小單位；且此子畫素小單位中，連續三個相同 正版(P)或相同負版(N)子畫素可分別代表紅色、綠色及藍色。 第七實施例 請參照第15圖，本實施例和第六實施例類似，惟兩者之主要差異在 於，本實施例以左右相鄰之連續三的倍數的相同正版(p)子畫素或相同負版 (N)子晝素為一個小單位b和其左右或上下相鄰的另一個子畫素小單位做週 期性之鏡像配置方式(two dot-line inversion)，三的倍數個同版子畫素可為六 個、九個子晝素·_·等；例如第15 ®繪示連續六個相同版子晝素為一個子畫 素單位和其左右或上下相鄰的另一個子畫素單位做週期性之鏡像配置；更 具體而言，三的倍數個相鄰之同方向子畫素皆為正版(p)子畫素，而以該三 的倍數個子畫素為-個子晝素小單位，和上下或左右相鄰之三的倍數個相 鄰子晝素之另一子畫素小單位做鏡像之週期性配置；例如和正版(p)子畫素 小單位相鄰的為負版(N)子畫素小單位；和負版(N)子畫素小單位相鄰的為正 版(P)子畫素小單位；且該三個祕之賊子4素可分別代表紅色、綠色及 藍色。
Client's Docket No.: AU0508016 15 TT’s DocketNo: 0632-A50599TWf(送件版本)/esmcmd/ll/30/2005 1323805 第八實施例 月參…、第16圖，本實施例和第七實施例類似，惟兩者之主要差異在 於本實施娜財右_之連續三數鮮畫絲—小單仙及盆上或 下抑，之同版且·量之子畫素小單位為—大單位子4素C，跟相鄰之 另-大單位做左右或上下週期性鏡像之配置(two dotrow in而ion)，且該三 的倍數個同版子畫素可為六個、九個子畫素等；例如第16崎示以連續 ^個相同正版(P)子畫素為—個小單位子畫素，和其τ方相鄰的另—個同數 量之正版(Ρ)小單奸4素料—疏(1>)大單奸4素，綠聊性之鏡像 配置方式；更具體而言，例如和大單位正版(ρ)子畫素相㈣為大單位負版 子畫素(Ν);和大單位負版⑼子畫素相鄰的為大單位正师)子畫素；且該 二個相鄰之同方向子晝素可分別代表紅色、綠色及藍色。 綜合來說，本發明主要係利用左右或上下互相鏡射之畫素設計，不必 考慮組或是對位誤差所造成之灰階反轉現象，使其具有方位角區塊面積比 自我補償之特性，因為本發明面板之左右與上下視角之影像品質相同，請 參考第17圖，為本發明第—實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯示器的丫 曲線隨視角而變化之關係曲線圖，曲線A、B、c分別為視角為〇。、右視 角及左視角之γ曲線，可以發現左右視角的γ曲線之差異明顯的縮小；且不 影響原先畫素之特性，例如反應時間、影像殘留及灰階反轉等問題。 雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發 明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作任意之 更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為 準。
Client's Docket No.: AU0508016 16 TT’s Docket Mo: 0632-A50599TWf(送件版本)/esmond/l 1/30/2005 1323805 【圖式簡單說明】 第1圖繪示為一習知多重區塊垂直排列型液晶顯示器畫素結構平面示 意圖； ' 第2圖繪示為傳統多重區塊垂直排列型液晶顯示器的r曲線隨視角而 變化之關係曲線圖。 第3圖纷示為一習知多重區塊垂直排列型液晶顯示器畫素結構平面示 意圖 。第4圖係繪示出一根據本發明實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯示 器之剖面示意圖。 一第5圖繪示為一根據本發明第一實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯 示器畫素結構平面示意圖； 第6圖繪示為一根據本發明第一實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯 不器晝素結構平面上視圖； 第7圖繪示為一根據本發明第二實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯 示器畫素結構平面上視圖； 第8圖繪示為一根據本發明第二實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯 示器畫素結構平面示意圖； 第9圖繪示為一根據本發明第三實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯 示器晝素結構平面上視圖； 第10圖續示為一根據本發明第四實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯 示器畫素結構平面上視圖； 第11圖繪示為一根據本發明實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯示器 畫素結構平面示意圖； 第12圖繪示為一根據本發明又一實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯 不器畫素結構平面示意圖； 第13圖繪示為一根據本發明第5實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯
Client's Docket No.： AU0508016 17 s Docket No： 〇632-A50599TWfl：^W)/esmond/ll/30/2005 示器晝素結構排列之方式 〜。第14圖繪示為-根據 示器畫素結構排列之方式 本發明第6實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯 _。第15圖繪不為一根據本發明第7實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯 不器畫素結構排列之方式； _胃16圖繪7^為―根據本發明第8實施例之多重區塊垂直排列型液晶顯 示器晝素結構排列之方式；
第17圖繪示根據本發明第1實施例之多重區塊垂直排列型 液晶顯示器的γ I 35 7曲線隨視角而變化之關係曲線圖。 【主要元件符號說明】 1〇Ι、20Ι、3〇Ι、4〇Ι、50ΙΙ、60ΙΙ、70ΙΙ、80ΙΙ1〇Γ、20Γ 、301，、 、50ΙΓ、嶋，、葡，、隱’、〜方位角之區塊； 議、議，、410、突起部； 104〜具有狹縫的導電電極； 102〜液晶分子； 200、200’ 、700、7〇〇’ 、900、1000、1000，、2000〜子晝素結構； 202、202’〜第-方位角區塊； 204、204，〜第二方位角區塊； 206〜第三方位角區塊； 208’ ~第四方位角區塊； 400〜彩色濾光片基板； 500〜陣列基板； 510〜導電電極； 512〜狹縫； 600~液晶層；
Client’s Docket No.: AU0508016 jg TT's Docket No: 〇632-A50599TWf(iiftfiS^)/esmond/l 1/30/2005 1323805 702、702’〜汲極的第一部分； 704、704’〜汲極的第二部分； 705’ 、706’〜第二汲極； 706、706’ 、1006、1006’ 〜汲極； 708、708’ 1001、1001’ 〜資料線； 800、1002〜主動元件； 800’ 、1002’〜第一薄膜電晶體； 8(Π、1005、1005’ 〜通道層； 802、 802’ ~電容耦合電極；
803、 1004、1004’ 〜源極； 803’ 、1023’〜第二源極； 804、 1022、1022’ 〜儲存電容器（Cst); 806〜接觸窗； 807’ 、1009’〜第二通道層； 808、1008~閘極； 808’ 、1008’〜第二閘極；
809’ 、804’〜第二薄膜電晶體； 809’ 、1003’〜第二薄膜電晶體； 806’ 、1010、1010’ 〜第一接觸窗； 1015、 1015’ ~第一電容耦合電極； 1016、 1016’〜第二電容耦合電極； 1018、1018’〜金屬導線； 1020、1020’〜第一金屬導電層； 1023’〜第二源極； 805’ 、1011’ 、1024、1024’ 〜第二接觸窗； 1025’〜第二汲極；
Client’s Docket No.: AU0508016 19 TT’s Docket No: 0632-A50599TWi(送件版本)/esmond/l 1/30/2005 1323805 - p〇’ ~第一方位角區塊之寬度； p〇〜第二方位角之寬度； • P1〜第三方位角區塊206’之寬度； ΡΓ〜第四方位角208’之寬度； P2〜第二方位角區塊204’之寬度； P2’〜第一方位角202’之寬度； I、II、Γ 、II’ ~極角之區塊； L〜間隔； A、B〜單位子畫素； • 〇大單位子晝素。
Client’s Docket No.: AU0508016 20 TT’s Docket No: 0632-A50599TWfi[送件版本)/esmond/l 1/30/2005

Claims (1)

  1. Ι323β05 .〆 第94142320號申請專利範圍修正本 十、申請專利範圍： 年月日修正本 修正日期：981^6,—_ 98. 6. 17 1.一種晝素結構，適用於多重區塊垂直排列型液晶顯示器，包 括： 一晝素陣列，包含複數個相鄰排列之子晝素； 一第一基板，具有一第一預傾角控制構造；以及 一第二基板，具有一第二預傾角控制構造； 其中，該第一預傾角控制構造與該第二預傾角控制構造為交 錯排列，以區隔該子畫素為複數個方位角之區塊（azimuthal angle domain); 其中，該子晝素包含不同極角之區塊（polar angle domain)，且 該子晝素與一相鄰之子晝素具有鏡像配置之極角區塊和鏡像配置 之方位角之區塊，且在相鄰之兩鏡像配置子畫素中，相同極角區 塊内之每一種方位角區塊的總面積為實質相同。 2. 如申請專利範圍第1項所述之晝素結構，其中該子晝素包含 四種方位角之區塊。 3. 如申請專利範圍第2項所述之晝素結構，其中該子畫素包含 45°、135°、225°、及315°方位角之區塊。 4. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該子晝素包含 兩種極角之區塊。 5. 如申請專利範圍第4項所述之晝素結構，其中該子晝素包含 兩種極角之區塊，且形狀對稱。 6. 如申請專利範圍第4項所述之畫素結構，其中該子畫素包含 兩種極角之區塊，且形狀不對稱。 7. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該相鄰子畫素 之鏡像配置更包括以三個或三個以上該子晝素及三個或三個以上 該子畫素的鏡像成週期性配置。 8. 如申請專利範圍第7項所述之晝素結構，其中該三個子晝 21 1323805 修正曰期：98年6月17日 素結構，其中該第一種預傾 獨立擇自一突起部或一狹 第94H2320號申請專利範圍修正本 素包括紅色、綠色、及藍色。 9.如申請專利範圍第1項所述之晝 角控制構造與第二預傾角控制構造係 縫。 1〇·如申請專利範圍第i項所述之晝素結構，其中該子畫素中 該不同極角之區塊的畫素電極係為不連續之結構。 11-種畫素結構’適用於多重區塊垂直排列型液晶顯示器， 一畫素陣列，包含複數個相鄰排列之子晝素； 一液晶層，係設置於該第一基板與該第二基板之間； 其中，該第二基板之-子畫素包含第—極角區塊及第二極角 區塊，且該第一區極角區塊與該第二極角區塊之電位不同，且該 第-極角區塊及該第二極角之區塊上更區分為複數個方位角區 塊，且在相鄰之兩鏡像配置子畫素中，相同極角區塊内之每一種 方位角區塊的總面積為實質相同； 其中，至少一相鄰之該子晝素之該極角區塊和方位角區塊為 鏡像配置； 一主動元件，係透過一資料線電性連接於該第二基板之該第 一極角區塊；以及 一電容耦合電極，係配置於該第二極角區塊下，且該電容耦 合電極係透過該主動元件電性連接於該資料線。 12. 如申請專利範圍第U項所述之畫素結構，其中該主動元件 為一"第一薄膜電晶體。 13. 如申請專利範圍第11項所述之畫素結構，其中該第一極角 區塊和該第二極角區塊之畫素電極係為不連續之結構。 14. 如申請專利範圍第11項所述之晝素結構，其中該子晝素包 含四種方位角之區塊。 22 1323805 第剛2320號申請專利範圍修正本 修正日期：98年6月17日 15. 如申請專利範圍第U項所述之晝素結構，其中該子畫素 包含45°、135°、225。、及315。方位角之區塊。 一' 其中該子畫素 16. 如申請專利範圍第U項所述之畫素結構 之兩種極角區塊係形狀對稱。 其中該子畫素 17. 如申請專利範圍第u項所述之畫素結構 之兩種極角區塊係形狀不對稱。 18·如申請專利範圍第U項所述之畫素結構，其中該相鄰子畫 素之鏡像配置更包括以三個或三個以上該子畫素及三個或三個以 上該子畫素的鏡像成週期性配置。 19.如申請專利範圍第18項所述之畫素結構，其中該三個子 畫素包括紅色、綠色、及藍色。 20‘如申請專利範圍第n項所述之畫素結構，其中該第一某 板上配置—第-種預則控制構造以及該第二基板上配置一笛t 種預傾角控制構造。 弟一 21·如申請專利範圍第20項所述之畫素結構，其中該第一 角控制構造與第二預傾角控制構造係獨立擇自—突起部或一 22.如申請專利範圍第U項所述之晝素結構，其一 =元件’係透過-資料線電性連接於該第二基板之該:二極 元件利範圍第22項所述之畫素結構，其中該電荷釋放 ^如巾請專職㈣22項所述之畫素結構，社動 ^薄：電晶體，且該電荷釋放元件為一第二薄膜電晶體，其 該第-相電晶體之W/L值小於該第—薄膜電晶體之觀值。甲 23
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