CN102183859A - 液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示面板，其包括第一、第二基板以及位于第一、第二基板之间的液晶层，液晶层由负型液晶分子构成，液晶显示面板还包括多个像素，每一个像素包括设置在第一基板上的第一电极和设置在第二基板上的第二电极，在第一基板上设置覆盖第一电极的第一配向膜，在第二基板上设置覆盖第二电极的第二配向膜，每一个像素包括多个不同配向的畴，第一配向膜和第二配向膜对应于多个畴的区域均分别具有多个不同的配向方向，并且，第一配向膜与第二配向膜的对应区域的配向方向相互垂直，第一电极在对应于多个畴中的每两个相邻畴之间的位置开设有狭缝结构，从而能够提高在高灰阶电压下穿透率的稳定性。

Description

液晶显示面板

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示面板。

背景技术

液晶显示装置（Liquid Crystal Display，LCD）由于其具有重量轻、体积小、厚度薄的特点，已广泛地被用在各种大中小尺寸的终端显示设备中。液晶显示面板是液晶显示装置的重要组成部件，其通常包括阵列基板、彩色滤光片基板以及夹于阵列基板与彩色滤光片基板之间的液晶层。其中，阵列基板上包括多条栅极线、多条数据线以及由多条栅极线和多条数据线交叉限定的多个像素区域，每个像素区域内具有像素电极。彩色滤光片基板上具有公共电极。通过控制施加于多个像素区域中的像素电极与公共电极之间的电场，来控制液晶层中液晶分子的排布，从而控制光线透过液晶显示面板的透过量以达到显示的目的。

目前，市场对于液晶显示装置的性能要求逐渐朝着高对比度、高亮度、低色偏、快速响应、宽视角等特性发展。一种多畴垂直配向（Multi-domain Vertical Alignment，MVA）型液晶显示装置由于在量产性和显示特性等方面的优越性在市场上应用较为广泛。

图1揭示了一种现有的扭曲配向VA型液晶显示面板在未施加电压时液晶分子排布示意图。如图1所示，扭曲配向VA型液晶显示面板包括上、下基板（未图示）、以及填充在上、下基板之间的由负型液晶分子（液晶介电系数⊿ε<0）构成的液晶层3。在上、下基板的靠近液晶层3的一侧分别设置有上、下配向膜（未图示），并且，上、下配向膜的配向方向相互垂直设置。在上、下基板的背离液晶层3的一侧分别贴附有上、下偏光片5、4，并且，上、下偏光片5、4相互正交偏贴，其透过轴相互垂直。图1所示的扭曲配向VA型液晶显示面板在未施加电压时液晶分子呈预倾89度排列，光线透过液晶分子后不发生旋光作用，另外，由于上、下基板上的上、下偏光片5、4的透过轴相互垂直偏贴，因此，光线无法透过液晶显示面板，液晶显示面板呈现暗态。

图2揭示了一种现有的扭曲配向VA型液晶显示面板在施加电压时液晶分子排布示意图。如图2所示，当在液晶显示面板的上、下基板之间施加电压时，此时液晶分子受到电场力的作用发生扭转，光线透过下偏光片4后，由于液晶分子的旋光作用而改变其偏振方向，使得经过液晶层3后光线的偏振方向正好与上偏光片5的透过轴相互平行，从而，光线可以透过上偏光片5，液晶显示面板呈现亮态。

通常，为了提高液晶显示面板的视角，现有的MVA型液晶显示面板中单个像素又划分为多个不同配向的畴（Domain），图3揭示了一种现有的MVA型液晶显示面板的单个像素中液晶分子排布模拟示意图。如图3所示，现有的MVA型液晶显示面板中单个像素划分为四个不同配向的畴，不同畴中的液晶分子会沿图3中不同的箭头方向倾倒。下基板对应于图3所示的四个不同的畴区域的配向方向各不相同，而上基板与四个不同的畴所对应的区域的配向均与下基板的对应区域的配向方向垂直。

然而，由于这种液晶显示面板的单个像素中的像素电极是整片设置的，因此，四个不同畴的相邻处的液晶分子会出现不稳定的排布状态，导致穿透率的不稳定，在高灰阶电压下易出现闪烁的问题。图4为图3所示的液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟图，由图4可以明显看出，在高灰阶电压保持200ms的时段内，液晶显示面板的穿透率很不稳定，其穿透率随保持时间急剧下降，导致响应时间变长，液晶显示面板出现闪烁现象。

因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。

发明内容

本发明要解决的主要技术问题是提供一种液晶显示面板，其能够提高在高灰阶电压下穿透率的稳定性。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种液晶显示面板，其包括第一基板、与所述第一基板对置的第二基板以及位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，所述液晶层由负型液晶分子构成，所述液晶显示面板还包括多个像素，每一个像素包括设置在所述第一基板上的第一电极和设置在所述第二基板上的第二电极，在所述第一基板上设置有覆盖所述第一电极的第一配向膜，在所述第二基板上设置有覆盖所述第二电极的第二配向膜，每一个像素包括多个不同配向的畴，所述第一配向膜对应于所述多个畴的区域分别具有多个不同的配向方向，所述第二配向膜对应于所述多个畴的区域分别具有多个不同的配向方向，并且，所述第一配向膜与所述第二配向膜的对应区域的配向方向相互垂直，所述第一电极在对应于所述多个畴中的每两个相邻畴之间的位置开设有狭缝结构。

本发明的液晶显示面板通过在第一电极的对应于每两个相邻畴之间的位置开设狭缝结构，从而来改变对应于每两个相邻畴之间位置的第一电极的形状，控制作用在液晶层上的电场，进而控制液晶分子的受力状态，由于狭缝结构的存在，每两个相邻畴处的液晶分子受到狭缝结构位置处的电场力的作用能够有效地保持稳定，从而产生较为规则的排布，避免了现有的液晶显示面板中相邻畴处的液晶分子出现的不稳定的排布状态而导致穿透率的不稳定问题，因而，本发明的液晶显示面板能够稳定在高灰阶电压下的穿透率，降低响应时间，有效改善在高灰阶电压下穿透率不稳定造成的高灰阶闪烁问题。

而且，本发明的液晶显示面板开设的狭缝结构并没有增加制程步骤（例如光罩制程），从而不会增加生产成本。

通过以下参考附图的详细说明，本发明的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本发明的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。

附图说明

下面将结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细的说明。

图1为现有的扭曲配向VA型液晶显示面板在未施加电压时液晶分子排布示意图。

图2为现有的扭曲配向VA型液晶显示面板在施加电压时液晶分子排布示意图。

图3为现有的MVA型液晶显示面板的单个像素中液晶分子排布模拟示意图。

图4为图3所示的液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟图。

图5为本发明第一实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板中单个像素的像素电极平面示意图。

图6为本发明第一实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板的单个像素中的液晶分子排布模拟示意图。

图7为本发明第一实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟图。

图8为本发明第二实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板中单个像素的像素电极平面示意图。

图9为本发明第二实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板的单个像素中的液晶分子排布模拟示意图。

图10为本发明第二实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟图。

图11为本发明第三实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板中单个像素的像素电极平面示意图。

图12为本发明第三实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板的单个像素中的液晶分子排布模拟示意图。

图13为本发明第三实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟图。

图14为本发明第四实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板中单个像素的像素电极平面示意图。

图15为本发明第四实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板的单个像素中的液晶分子排布模拟示意图。

图16为本发明第四实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟图。

图17为本发明第五实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板中单个像素的像素电极平面示意图。

图18为本发明第五实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板的单个像素中的液晶分子排布模拟示意图。

图19为本发明第五实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟图。

图20为本发明的第一实施方式和第五实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟对比图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

需要说明的是，为了重点突出本发明的创作特征，本发明的对于具体实施方式的描述仅提及与本发明的创作点密切相关的那些结构特征，同时，本发明的附图也仅显示与本发明的创作点相关的结构特征，而对于其他的结构特征则进行了省略说明和图示。例如，液晶显示面板中对于扫描线、数据线、薄膜晶体管等连接方式和设置均属于本领域技术人员所熟知，故在此不做具体阐述。

本发明的液晶显示面板例如为一种扭曲配向VA型液晶显示面板，其包括第一基板（未图示）、与第一基板对置的第二基板（未图示）以及位于第一基板与第二基板之间的液晶层（未图示），其中，液晶层由负型液晶分子构成。液晶显示面板包括多个像素，每一个像素包括设置在第一基板上的第一电极和设置在第二基板上的第二电极。在第一基板上设置有覆盖第一电极的第一配向膜，在第二基板上设置有覆盖第二电极的第二配向膜。每一个像素包括多个不同配向的畴，第一配向膜对应于多个畴的区域分别具有多个不同的配向方向，第二配向膜对应于多个畴的区域分别具有多个不同的配向方向，并且，第一配向膜与第二配向膜的对应区域的配向方向相互垂直，第一电极在对应于多个畴中的每两个相邻畴之间的位置开设有狭缝结构。

本发明的液晶显示面板通过在第一电极的对应于每两个相邻畴之间的位置开设狭缝结构，从而来改变对应于每两个相邻畴之间位置的第一电极的形状，控制作用在液晶层上的电场，进而控制液晶分子的受力状态，由于狭缝结构的存在，每两个相邻畴处的液晶分子受到狭缝结构位置处的电场力的作用能够有效地保持稳定，从而产生较为规则的排布，避免了现有的液晶显示面板中相邻畴处的液晶分子出现的不稳定的排布状态而导致穿透率的不稳定问题，因而，本发明的液晶显示面板能够稳定在高灰阶电压下的穿透率，降低响应时间，有效改善在高灰阶电压下穿透率不稳定造成的高灰阶闪烁问题。

而且，本发明的液晶显示面板开设的狭缝结构并没有增加制程步骤（例如光罩制程），从而不会增加生产成本。

优选地，本发明的第一配向膜和第二配向膜的配向方向通过光配向方式形成。本发明的第一配向膜和第二配向膜的配向方向采用光配向的方式形成，相对于传统的摩擦配向（rubbing）来说，采用光配向能够避免传统摩擦配向带来的污染，并且可实现较大角度的配向。

在本发明以下的实施方式中，将以第一基板为阵列基板，第二基板为对置基板，第一电极为像素电极，第二电极为公共电极为例来进行详细说明，即以在像素电极上开设有狭缝结构来进行示例性描述。然而，本发明并不限于此，在本发明的其他实施方式中，第二基板也可以为阵列基板，相应地，第一基板为对置基板，第二电极为像素电极，第一电极为公共电极，也就是说，类似地，也可以通过在公共电极上开设狭缝结构来实现本发明的目的，而不脱离本发明的创作实质。对于在公共电极上开设狭缝结构，由于其与在像素电极上开设有狭缝结构相类似，故，以下不作赘述。

以下将对在像素电极上开设狭缝结构的设计方式及其带来的有益效果进行详细描述。

第一实施方式

图5是本发明第一实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板中单个像素的像素电极平面示意图。在本实施方式中，单个像素划分为四个不同配向的畴，可以通过采用光配向的方式对第一和第二配向膜实施配向来形成四个不同配向的畴。如图5所示，像素电极10上与四个畴中的每两个相邻畴处所对应的位置开设有狭缝结构100，即，在像素电极10上开设有四个狭缝结构100，四个狭缝结构100之间彼此不相连通。像素电极10被四个狭缝结构100划分为四个区块分别对应不同配向的畴，但不同畴所对应的四个区块的像素电极10仍彼此电性连接，并未被狭缝结构100完全切断。优选地，四个狭缝结构100具有相同的构型。在本实施方式中，四个狭缝结构100中的每一个狭缝结构100均呈纵长状，其包括多个交替排列并且彼此相连通的正八边形开口101和正方形开口102。在本实施方式中，正八边形开口101的相对边之间的宽度W11为6微米，正方形开口102的相对边之间的宽度W12为3微米。

图6为本发明第一实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板中单个像素中的液晶分子排布模拟示意图。当液晶显示面板工作时，在阵列基板上的像素电极10与位于对置基板上的公共电极之间施加电场，由图6的模拟图可以看出，位于狭缝结构100位置处，即两个相邻畴处的液晶分子由于受到像素电极10与公共电极（未图示）间电场力的作用，呈现较为规则的排布，因而避免了现有技术中多个畴的相邻处液晶分子出现的不稳定的排布状态而导致穿透率的不稳定，从而避免了在高灰阶电压下液晶显示面板出现闪烁现象。图7为本发明第一实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟图，由图7可以看出，本发明第一实施方式的液晶显示面板的穿透率相对于现有的液晶显示面板的穿透率在高灰阶电压保持200ms时，其穿透率变化幅度较小，基本保持平稳，从而，本发明第一实施方式的液晶显示面板可以有效地改善高灰阶电压下出现的闪烁问题。

第二实施方式

第二实施方式与第一实施方式的相同之处在此不再赘述，其主要不同之处在于，在第二实施方式中，如图8所示，四个狭缝结构200中的每一个狭缝结构200均包括多个交替排列并且彼此相连通的细长八边形开口201和细长矩形202。在本实施方式中，细长八边形开口201的相对较长边之间的宽度W21为6微米，并且，细长八边形开口201的相对较长边的长度L21为25微米，细长矩形202的相对较长边之间的宽度W22为4微米，并且，细长矩形202的相对较长边的长度L22为25微米。

图9为本发明第二实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板的单个像素中的液晶分子排布模拟示意图。当液晶显示面板工作时，在阵列基板上的像素电极10与位于对置基板上的公共电极之间施加电场，由图9的模拟图可以看出，位于狭缝结构200位置处，即两个相邻畴处的液晶分子由于受到像素电极10与公共电极间电场力的作用，呈现较为规则的排布，因而避免了现有技术中多个畴的相邻处液晶分子出现的不稳定的排布状态而导致穿透率的不稳定，从而避免了在高灰阶电压下液晶显示面板出现闪烁现象。图10为本发明第二实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟图，由图10可以看出，本发明第二实施方式的液晶显示面板的穿透率相对于现有的液晶显示面板的穿透率在高灰阶电压保持200ms时，其穿透率变化幅度较小，基本保持平稳，从而，本发明第二实施方式的液晶显示面板可以有效地改善高灰阶电压下出现的闪烁问题。

虽然第二实施方式的液晶显示面板相对于现有的液晶显示面板来说具有较好的穿透率改善效果，但是，从图9-10所示的模拟图和图6-7所示的模拟图（其中，图9-10所示的模拟图和图6-7所示的模拟图均是在相同的模拟条件下进行的）的对比可以明显看出，图6-7所示的第一实施方式明显优于图9-10所示的第二实施方式，图6-7所示的第一实施方式相对于图9-10所示的第二实施方式来说，其穿透率相对更加平稳，而且穿透率较高。

本发明的狭缝结构并不限于第一实施方式和第二实施方式所示，实际上，本发明的对应于两个相邻畴之间的位置开设的狭缝结构可以包括彼此相通的多个任意多边形开口。

第三实施方式

第三实施方式与第一、第二实施方式的相同之处在此不再赘述，其主要不同之处在于，在第三实施方式中，如图11所示，四个狭缝结构300中的每一个狭缝结构300均包括多个间隔排列并且彼此不相连通的细长的六边形开口301。在本实施方式中，细长六边形开口301的相对较长边之间的宽度W3为6微米，细长六边形开口301的相对较长边的长度L3为20微米，并且，相邻两个细长六边形开口301之间的间隔D3为10微米。

图12为本发明第三实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板的单个像素中的液晶分子排布模拟示意图。当液晶显示面板工作时，在阵列基板上的像素电极10与位于对置基板上的公共电极之间施加电场，由图12的模拟图可以看出，位于狭缝结构300位置处，即两个相邻畴处的液晶分子由于受到像素电极10与公共电极间电场力的作用，呈现较为规则的排布，因而避免了现有技术中多个畴的相邻处液晶分子出现的不稳定的排布状态而导致穿透率的不稳定，从而避免了在高灰阶电压下液晶显示面板出现闪烁现象。图13为本发明第三实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟图，由图13可以看出，本发明第三实施方式的液晶显示面板的穿透率相对于现有的液晶显示面板的穿透率在高灰阶电压保持200ms时，其穿透率变化幅度较小，基本保持平稳，从而，本发明第三实施方式的液晶显示面板可以有效地改善高灰阶电压下出现的闪烁问题。

第四实施方式

第四实施方式与第三实施方式的相同之处在此不再赘述，其主要不同之处在于，在第四实施方式中，如图14所示，四个狭缝结构400中的每一个狭缝结构400均包括多个间隔排列并且彼此不相连通的六边形开口401，但六边形开口401的数量比第三实施方式中的六边形开口301的数量多而且六边形开口401的长度比第三实施方式中的六边形开口301的长度小。在本实施方式中，六边形开口401的相对较长边之间的宽度W4为6微米，六边形开口401的相对较长边的长度L4为6微米，并且，相邻六边形开口401之间的间隔D4为6微米。

图15为本发明第四实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板中单个像素中的液晶分子排布模拟示意图。当液晶显示面板工作时，在阵列基板上的像素电极10与位于对置基板上的公共电极之间施加电场，由图15的模拟图可以看出，位于狭缝结构400位置处，即两个相邻畴处的液晶分子由于受到像素电极10与公共电极间电场力的作用，呈现较为规则的排布，因而避免了现有技术中多个畴的相邻处液晶分子出现的不稳定的排布状态而导致穿透率的不稳定，从而避免了在高灰阶电压下液晶显示面板出现闪烁现象。图16为本发明第四实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟图，由图16可以看出，本发明第四实施方式的液晶显示面板的穿透率相对于现有的液晶显示面板的穿透率在高灰阶电压保持200ms时，其穿透率变化幅度较小，基本保持平稳，从而，本发明第四实施方式的液晶显示面板可以有效地改善高灰阶电压下出现的闪烁问题。

本发明的狭缝结构并不限于第三实施方式和第四实施方式所示，实际上，本发明的对应于两个相邻畴之间的位置开设的狭缝结构可以包括多个间隔排列并且彼此不相连通的任意多边形开口。

图15-16所示的模拟图和图12-13所示的模拟图均是在相同的模拟条件下进行的，通过对比可以明显看出，图15-16所示的第四实施方式优于图12-13所示的第三实施方式，图15-16所示的第四实施方式相对于图12-13所示的第三实施方式来说，其穿透率相对更加平稳，而且穿透率较高。因此，对于狭缝结构包括多个间隔排列并且彼此不相连通的任意多边形开口的这种设计方式，狭缝结构中的开口越多，显示液晶分子被束缚的能力越强，液晶分子越稳定，相当于将不同畴之间的液晶绑定住，更进一步增加其稳定性。

图6-7、图9-10、图12-13以及图15-16所示的模拟图均是在相同的模拟条件下进行的，通过第一至第四实施方式的模拟图的对比可以明显看出，图6-7所示的第一实施方式均优于其他实施方式，在图6-7所示的第一实施方式中，液晶分子排布规律最为有序，像素电极10的狭缝结构100处的液晶分子排列方式最为细致，穿透率的稳定性最强，光学性质也最为稳定；而且，能够保持相对较高的穿透率。因此，第一实施方式的狭缝结构100对于改善穿透率的稳定性、缩短响应时间和消除高灰阶电压下液晶显示面板出现的闪烁问题等效果最为明显。

在以上第一至第四实施方式中，虽然狭缝结构的设计方式略有不同，但其均具有一个共同之处：即对应于两个相邻畴之间的位置开设的狭缝结构均满足在靠近其相邻的畴边上具有非直线型（或称之为多边形）的边，例如，狭缝结构的边可以为三角形曲线、圆弧形曲线、或任意多边形曲线等。然而，本发明并不限于此。

第五实施方式

第五实施方式与以上第一至第四实施方式的相同之处在此不再赘述，其主要不同之处在于，在第五实施方式中，如图17所示，四个狭缝结构500中的每一个狭缝结构500均为一个直缝，其是由宽度一致的狭长矩形开口构成。也就是说，对应于两个相邻畴之间的位置开设的狭缝结构500在靠近其相邻的畴的边上具有直边。在本实施方式中，狭长矩形开口的宽度W5为6微米。

图18为本发明第五实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板的单个像素中的液晶分子排布模拟示意图，图19为本发明第五实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟图。由图18和图19可以看出，本发明第五实施方式的狭缝结构500的边为直边而没有做多边形处理，相对于现有技术来说，其液晶分子有被束缚，改变了原来的排列方式，对于穿透率也有一定的稳定效果。

但是，第五实施方式与第一至第四实施方式相比，因其狭缝结构500的边为直边，相对于第一至第四实施方式的狭缝结构100、200、300、400的非直边来说，第五实施方式的直边的狭缝结构500虽然相对于现有技术可以使得穿透率变化幅度有所减小，也对改善高灰阶电压下液晶显示面板出现的闪烁问题有所贡献，但其改善效果远不及第一至第四实施方式的非直边的狭缝结构效果明显。如图20所示，图20为本发明的第一实施方式和第五实施方式的扭曲配向VA型液晶显示面板在高灰阶电压下其穿透率随时间的变化模拟对比图，从对比图中可以明显看出，采用非直边的狭缝结构100的第一实施方式所具有的穿透率效果明显优于采用直边的狭缝结构500的第五实施方式，采用非直边的狭缝结构100的第一实施方式相对于采用直边的狭缝结构500的第五实施方式来说，其穿透率相对更加平稳，而且穿透率相对较高。因此，本发明的液晶显示面板优选地具有非直边的狭缝结构。

本发明以上实施方式均以单个像素划分为四个不同配向的畴为例进行阐述，但本发明不限于此，单个像素还可以划分为其他数量的不同配向的畴，类似地，多个畴的相邻处均可以采用类似的狭缝结构，同样可以实现使液晶显示面板穿透率变化幅度减小从而有效地改善高灰阶电压下液晶显示面板出现的闪烁问题。

以上对本发明所提供的液晶显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1. 液晶显示面板，其包括第一基板、与所述第一基板对置的第二基板以及位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，所述液晶层由负型液晶分子构成，所述液晶显示面板还包括多个像素，每一个像素包括设置在所述第一基板上的第一电极和设置在所述第二基板上的第二电极，其特征在于，在所述第一基板上设置有覆盖所述第一电极的第一配向膜，在所述第二基板上设置有覆盖所述第二电极的第二配向膜，每一个像素包括多个不同配向的畴，所述第一配向膜对应于所述多个畴的区域分别具有多个不同的配向方向，所述第二配向膜对应于所述多个畴的区域分别具有多个不同的配向方向，并且，所述第一配向膜与所述第二配向膜的对应区域的配向方向相互垂直，所述第一电极在对应于所述多个畴中的每两个相邻畴之间的位置开设有狭缝结构。

2. 如权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述狭缝结构在靠近其相邻的所述畴的边上具有非直线型的边。

3. 如权利要求2所述的液晶显示面板，其中，所有狭缝结构具有相同的构型。

4. 如权利要求2所述的液晶显示面板，其中，所述狭缝结构呈纵长状，其包括多个间隔排列并且彼此不相连通的多边形开口。

5. 如权利要求2所述的液晶显示面板，其中，所述狭缝结构呈纵长状，其包括彼此相通的多个多边形开口。

6. 如权利要求5所述的液晶显示面板，其中，每一个像素包括四个畴，相应地在所述第一电极上开设有四个狭缝结构，所述四个狭缝结构之间彼此不相连通，并且，所述四个狭缝结构中的每一个均包括多个交替排列并且彼此相连通的正八边形开口和正方形开口。

7. 如权利要求6所述的液晶显示面板，其中，所述正八边形开口的相对边之间的宽度为6微米，所述正方形开口的相对边之间的宽度为3微米。

8. 如权利要求1至7中任一项所述的液晶显示面板，其中，所述第一基板为阵列基板，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。

9. 如权利要求1至7中任一项所述的液晶显示面板，其中，所述第二基板为阵列基板，所述第二电极为像素电极，所述第一电极为公共电极。

10. 如权利要求1至7中任一项所述的液晶显示面板，其中，所述第一配向膜和所述第二配向膜的配向方向通过光配向方式形成。

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