CN102804036B - 液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供实现了显示品质的改善的液晶显示装置。本发明的实施方式的液晶显示装置(100)具有多个像素(P)，各像素(P)具有子像素(SPa、SPb)，子像素(SPa、SPb)分别由子像素电极(124a、124b)规定。在像素(P)，在TFT(130a、130b)从断开(不导通)状态变化为导通状态后，子像素电极(124a)的平均电位从与TFT(130a、130b)为导通状态时被供给至源极配线(Ls)的源极信号的电压对应的电位发生变化，子像素电极(124b)的平均电位与TFT(130a、130b)为导通状态时被供给至源极配线(Ls)的源极信号的电压对应。

Description

液晶显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示装置，更详细而言，涉及包括具有多个子像素的像素的液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置不仅被用作便携式电话的显示部等小型显示装置，而且也被用作大型电视。以往经常使用的TN(Twisted Nematic：扭转向列型)模式的液晶显示装置的视野角比较窄，近年来制作出IPS(In-plane-Switching：面内开关型)模式和VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式这样的宽视野角的液晶显示装置。在这些宽视野角的模式之中，VA模式由于能够实现高的对比度而在很多的液晶显示装置中被采用。

但是，作为VA模式的缺点，已知从正面方向看时的显示品质与从斜方向看时的显示品质之间的差显著这一点。特别是在中间灰度显示中，如果以从正面方向看时成为适当的显示特性的方式进行调整，则从斜方向看时的色感和伽马特性等显示特性与正面方向的显示特性大不相同。液晶分子的光学轴方向是分子长轴方向，在进行中间灰度显示时，液晶分子的光学轴方向成为相对于基板的主面倾斜一定程度的状态，在该状态下使视野角(观看的方向)变化，从与液晶分子的光学轴方向平行的斜方向看时的显示特性与正面方向的显示特性大为不同。具体而言，从斜方向看的显示图像，与从正面方向看的显示图像相比，整体看起来发白。这样的现象被称为“泛白”。为了改善这样的泛白，已知通过将一个像素分割为多个(典型的是两个)子像素、使子像素的有效电压不同来谋求泛白的改善的方式(例如，参照专利文献1、2)。

在图26表示专利文献1中公开的液晶显示装置800。在液晶显示装置800，两个子像素电极824a、824b经不同的TFT830a、830b与不同的源极配线Ls连接，被驱动成两个子像素电极824a、824b的电位不同。在图26，将子像素电极的电位比对置电极的电位高的子像素表示为“+”，将子像素电极的电位比对置电极的电位低的子像素表示为“-”。子像素电极的电位与对置电极的电位的关系也被称为极性。

像这样子像素电极824a、824b的电位不同，由此子像素Spa、Spb的液晶层的施加电压不同，因而子像素Spa、Spb的亮度彼此不同，从而实现泛白的改善。但是，在液晶显示装置800，需要对一列像素设置两个源极配线，因此开口率下降并且源极驱动器的耗电增大。

在图27表示专利文献2中公开的液晶显示装置900。在图27表示一个像素P的示意图。在液晶显示装置900，子像素电极924a、924b沿列方向(y方向)排列。两个子像素电极924a、924b经不同的TFT930a、930b与同一源极配线Ls连接，根据被供给至辅助电容配线Lcsa、Lcsb的辅助电容信号被驱动成两个子像素电极924a、924b的平均电位不同。例如，在两个子像素电极924a、924b中的一个子像素电极的平均电位比与被供给至源极配线Ls的源极信号电压对应的电位高的情况下，两个子像素电极924a、924b中的另一个子像素电极的平均电位比与被供给至源极配线Ls的源极信号电压对应的电位低。像这样子像素电极924a、924b的平均电位不同，由此子像素的液晶层的施加电压不同，因而子像素Spa、Spb的亮度彼此不同，从而实现泛白的改善。在液晶显示装置900，对一列像素设置有一个源极配线，开口率下降和耗电增大得到抑制。

在图28表示液晶显示装置900的多个像素P的示意图。在图28，将与第m列、第m+1列的像素对应的源极配线表示为Lsm、Lsm+1，将与第n行～第n+3行的像素对应的栅极配线表示为Lgn～Lgn+3。在图28，将液晶层的有效电压根据被供给至辅助电容配线Lcsa的辅助电容信号电压的变化而变化的子像素表示为“A”，将液晶层的有效电压根据被供给至辅助电容配线Lcsb的辅助电容信号电压的变化而变化的子像素表示为“B”。此外，在图28，“+”和“-”表示子像素的极性。此外，在图28，在同一像素P内将亮度高的子像素表示为“H”，将亮度低的子像素表示为“L”。另外，在本说明书的以下说明中，在同一像素P内将亮度高的子像素称为亮子像素，将亮度低的子像素称为暗子像素。

在液晶显示装置900，在行方向上和列方向上相邻的像素的极性彼此不同，在斜方向上相邻的像素的极性彼此相等。例如，第n行第m列、第n+1行第m+1列的像素的极性为正，第n+1行第m列、第n行第m+1列的像素的极性为负。这样的驱动被称为点反转驱动，由此，显示的残影得到抑制。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-209135号公报

专利文献2：日本特开2005-189804号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在液晶显示装置900，通过点反转驱动，在图28表示为“H”的亮子像素斜向地配置。因此，在被输入在显示画面显示沿横方向延伸的一行的线的输入信号的情况下，排列在行方向的像素的子像素中的亮子像素斜向地排列，因此，当从近处看液晶显示装置900的显示画面时，存在看到直线洇出的情况，显示品质下降。此外，在专利文献2中记载有，当亮子像素的面积比暗子像素的面积小时、能够有效地改善低灰度等级显示的视野角特性，在液晶显示装置900，在亮子像素与暗子像素的面积比不同的情况下，子像素不再呈矩阵状排列并且容易看见直线洇出。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供实现了显示品质的改善的液晶显示装置。

用于解决问题的方案

本发明的液晶显示装置包括：有源矩阵基板；对置基板；和设置在上述有源矩阵基板与上述对置基板之间的液晶层，

上述液晶显示装置具有呈多行和多列的矩阵状排列的多个像素，

上述多个像素中的各个像素包括第一子像素和第二子像素，

上述像素的沿列方向的长度由上述第一子像素和上述第二子像素中的至少一个子像素规定，

上述有源矩阵基板具有：

多个像素电极，该多个像素电极分别具有规定上述第一子像素的第一子像素电极和规定上述第二子像素的第二子像素电极；

多个第一薄膜晶体管，该多个第一薄膜晶体管分别具有栅极、源极和与上述第一子像素电极电连接的漏极；

多个第二薄膜晶体管，该多个第二薄膜晶体管分别具有栅极、源极和与上述第二子像素电极电连接的漏极；

多个栅极配线，该多个栅极配线分别与上述第一薄膜晶体管的栅极和上述第二薄膜晶体管的栅极电连接；

多个源极配线，该多个源极配线分别与上述第一薄膜晶体管的源极和上述第二薄膜晶体管的源极电连接；

多个辅助电容电极，该多个辅助电容电极分别与上述第一子像素电极和上述第一薄膜晶体管的漏极电连接；和

多个辅助电容配线，该多个辅助电容配线分别与多个辅助电容对置电极中的至少一个辅助电容对置电极电连接，该多个辅助电容对置电极与所上述多个辅助电容电极分别形成辅助电容，

上述对置基板具有对置电极，

在任意的像素，在上述第一薄膜晶体管和上述第二薄膜晶体管从断开状态变化为导通状态后，上述第一子像素电极的平均电位从与在上述第一薄膜晶体管和上述第二薄膜晶体管为导通状态时被供给至上述源极配线的源极信号的电压对应的电位发生变化，上述第二子像素电极的平均电位与在上述第一薄膜晶体管和上述第二薄膜晶体管为导通状态时被供给至上述源极配线的源极信号的电压对应。

在某实施方式中，上述多个辅助电容配线包括：与上述多个像素中的在行方向上相邻的两个像素中的一个像素的上述第一子像素对应的第一辅助电容配线；和与该两个像素中的另一个像素的上述第一子像素对应的第二辅助电容配线。

在某实施方式中，上述一个像素的极性与上述另一个像素的极性不同。

在某实施方式中，在上述相邻的两个像素各自的上述第一薄膜晶体管和上述第二薄膜晶体管从导通状态变化为断开状态后，被供给至上述第一辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向与被供给至上述第二辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向不同。

在某实施方式中，在被供给至与上述相邻的两个像素各自的上述第一薄膜晶体管和上述第二薄膜晶体管的栅极电连接的栅极配线的栅极信号的电压变化为断开电压后，被供给至上述第一辅助电容配线和上述第二辅助电容配线的辅助电容信号的电压发生变化。

在某实施方式中，上述多个像素的上述第一子像素中的、上述第一子像素电极的电位比上述对置电极的电位高的上述第一子像素的上述第一子像素电极的电位的变化方向，与上述多个像素的上述第一子像素中的、上述第一子像素电极的电位比上述对置电极的电位低的上述第一子像素的上述第一子像素电极的电位的变化方向不同。

在某实施方式中，上述第一子像素和上述第二子像素中的一个子像素的面积比上述第一子像素和上述第二子像素中的另一个子像素的面积大。

在某实施方式中，上述一个子像素的面积为上述另一个子像素的面积的1.5倍以上4倍以下。

在某实施方式中，上述一个子像素的亮度比上述另一个子像素的亮度低。

在某实施方式中，上述一个子像素是上述第一子像素，在任意的像素，在上述第一薄膜晶体管和上述第二薄膜晶体管从导通状态变化为断开状态后，被供给至与上述第一子像素电极的电位比上述对置电极的电位低的上述第一子像素对应的辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向为增加，被供给至与上述第一子像素电极的电位比上述对置电极的电位高的上述第一子像素对应的辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向为减少。

在某实施方式中，上述一个子像素是上述第二子像素，在任意的像素，在上述第一薄膜晶体管和上述第二薄膜晶体管从导通状态变化为断开状态后，被供给至与上述第一子像素电极的电位比上述对置电极的电位高的上述第一子像素对应的辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向为增加，被供给至与上述第一子像素电极的电位比上述对置电极的电位低的上述第一子像素对应的辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向为减少。

在某实施方式中，上述第一子像素具有上述辅助电容。

在某实施方式中，上述第二子像素不具有辅助电容。

在某实施方式中，上述有源矩阵基板还具有多对辅助电容电极，该多对辅助电容电极中的每一对辅助电容电极与上述第二子像素电极和上述第二薄膜晶体管的上述漏极分别电连接，上述多对辅助电容电极中的每一对辅助电容电极中的一个电极与辅助电容对置电极形成辅助电容，该辅助电容对置电极与和任意像素的上述第一子像素对应的辅助电容配线电连接，上述多对辅助电容电极中的每一对辅助电容电极中的另一个电极与辅助电容对置电极形成辅助电容，该辅助电容对置电极与和在行方向上与上述任意像素相邻的像素的上述第一子像素对应的辅助电容配线电连接。

在某实施方式中，在上述第一薄膜晶体管和上述第二薄膜晶体管变化为断开状态后，被供给至与上述一对辅助电容电极中的一个电极对应的辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向，和被供给至与上述一对辅助电容电极中的另一个辅助电容电极对应的辅助电容配线的电压的最初的变化方向不同。

在某实施方式中，上述多个源极配线分别沿列方向延伸，上述多个栅极配线分别沿行方向延伸。

在某实施方式中，上述第一子像素和上述第二子像素彼此沿行方向相邻。

在某实施方式中，在上述多个像素中的沿列方向排列的像素，上述第一子像素和上述第二子像素分别呈直线状排列。

在某实施方式中，在上述多个像素中的沿行方向排列的像素，上述第一子像素和上述第二子像素交替地排列。

在某实施方式中，上述第一子像素和上述第二子像素中的一个子像素以包围上述第一子像素和上述第二子像素中的另一个子像素的周围的方式设置。

在某实施方式中，上述多个像素中的在列方向上相邻的两行的像素的上述第一子像素电极的电位，根据被供给至同一辅助电容配线的辅助电容信号变化。

在某实施方式中，上述第一子像素电极和上述第二子像素电极分别具有：沿行方向和列方向延伸的主干部；和从上述主干部延伸的支部。

在某实施方式中，上述有源矩阵基板和上述对置基板中的至少一个基板还具有取向膜。

在某实施方式中，上述取向膜包括光取向膜。

在某实施方式中，上述液晶显示装置还包括取向维持层，该取向维持层分别设置在上述有源矩阵基板与上述液晶层之间以及上述对置基板与上述液晶层之间。

在某实施方式中，上述有源矩阵基板还具有多个漏极电极，该多个漏极电极分别与上述第一薄膜晶体管的上述漏极和上述辅助电容电极连接。

在某实施方式中，上述多个漏极电极中的各个漏极电极按照与上述第一子像素电极和上述第二子像素电极中的至少一个子像素电极的边缘重叠的方式设置。

在某实施方式中，上述多个漏极电极中的各个漏极电极与上述液晶层的至少一个液晶畴的液晶分子的基准取向方位与上述第一子像素电极和上述第二子像素电极中的至少一个子像素电极的边缘交叉的部分重叠。

在某实施方式中，上述第一子像素和上述第二子像素各自具有液晶分子的基准取向方位大致相差90°的整数倍的四个液晶畴。

在某实施方式中，在上述第一子像素和上述第二子像素中的各个子像素，与上述四个液晶畴对应的区域在列方向上呈直线状排列，上述四个液晶畴中的彼此相邻的两个液晶畴的液晶分子的基准取向方位大致相差90°。

发明的效果

本发明的液晶显示装置能够改善显示品质。

附图说明

图1(a)是本发明的液晶显示装置的第一实施方式的示意图，(b)是液晶显示装置的等效电路图。

图2是图1所示的液晶显示装置的示意图。

图3是图1所示的液晶显示装置的各种信号的电压波形图。

图4(a)和(b)分别是表示斜方向的亮度变化的图表。

图5是本发明的液晶显示装置的第二实施方式的等效电路图。

图6是图5所示的液晶显示装置的示意图。

图7是图5所示的液晶显示装置的等效电路图。

图8是图7所示的液晶显示装置的某一垂直扫描期间的各种信号的电压波形图。

图9是图7所示的液晶显示装置的另一垂直扫描期间的各种信号的电压波形图。

图10是本发明的液晶显示装置的第三实施方式的示意图。

图11本发明的液晶显示装置的第四实施方式的等效电路图。

图12是图11所示的液晶显示装置的示意图。

图13是本发明的液晶显示装置的第五实施方式的示意图。

图14是图13所示的液晶显示装置的等效电路图。

图15是图13所示的液晶显示装置的某一垂直扫描期间的各种信号的电压波形图。

图16是图13所示的液晶显示装置的另一垂直扫描期间的各种信号的电压波形图。

图17(a)和(b)是本发明的液晶显示装置的第六实施方式的示意图。

图18是图17所示的液晶显示装置的一个像素的放大示意图。

图19(a)和(b)是本发明的液晶显示装置的第七实施方式的示意图。

图20(a)是表示图19所示的液晶显示装置的有源矩阵基板的取向膜附近的液晶分子的倾斜方位的示意图，(b)是表示对置基板的取向膜附近的液晶分子的倾斜方位的示意图，(c)是表示第一子像素、第二子像素的液晶畴的取向方向的示意图。

图21是本发明的液晶显示装置的第八实施方式的示意图。

图22(a)是表示图21所示的液晶显示装置的有源矩阵基板的取向膜附近的液晶分子的倾斜方位的示意图，(b)是表示对置基板的取向膜附近的液晶分子的倾斜方位的示意图，(c)是表示第一子像素、第二子像素的液晶畴的取向方向的示意图。

图23是本发明的液晶显示装置的第九实施方式的示意图。

图24(a)是表示图23所示的液晶显示装置的有源矩阵基板的取向膜附近的液晶分子的倾斜方位的示意图，(b)是表示对置基板的取向膜附近的液晶分子的倾斜方位的示意图，(c)是表示第一子像素、第二子像素的液晶畴的取向方向的示意图。

图25是本发明的液晶显示装置的第十实施方式的示意图。

图26是现有的液晶显示装置的示意图。

图27是另一个现有液晶显示装置的示意图。

图28是表示图27所示的液晶显示装置的子像素的明暗关系和极性的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的液晶显示装置的实施方式。不过，本发明并不仅限于以下的实施方式。

(实施方式1)

以下，说明本发明的液晶显示装置的第一实施方式。在图1(a)表示本实施方式的液晶显示装置100的示意图。液晶显示装置100包括：有源矩阵基板120；对置基板140；和设置在有源矩阵基板120与对置基板140之间的液晶层160。有源矩阵基板120具有绝缘基板122和像素电极124，对置基板140具有透明绝缘基板142和对置电极144。另外，虽然在图1(a)未图示，但是典型的是在有源矩阵基板120还设置有栅极配线、辅助电容配线、绝缘层、源极配线、薄膜晶体管和取向膜等，在对置基板140还设置有彩色滤光片层、取向膜等。此外，在有源矩阵基板120和对置基板140的外侧设置有偏光板。

例如，取向膜是垂直取向膜，液晶层160是垂直取向型的液晶层。此处，“垂直取向型液晶层”是指，液晶分子轴(也称为“轴方位”)相对于垂直取向膜的表面以约85°以上的角度取向的液晶层。液晶层160包括具有负的介电常数各向异性的向列型液晶材料，与正交尼科尔配置的偏光板组合，以常黑模式进行显示。另外，在透过型或透过反射两用型的情况下，液晶显示装置100还包括背光源。

在液晶显示装置100设置有呈多行和多列的矩阵状排列的像素。各像素由像素电极124规定。各像素具有亮度能够不同的两个以上的子像素。典型的是使用红色像素、绿色像素和蓝色像素进行彩色显示。红色像素、绿色像素和蓝色像素通过在彩色滤光片层排列红色彩色滤光片、绿色彩色滤光片和蓝色彩色滤光片来实现。这样的包括红色像素、绿色像素和蓝色像素的彩色显示像素作为任意颜色的显示单位发挥作用。另外，彩色显示像素在红色像素、绿色像素和蓝色像素以外可以还具有其它像素(例如，黄色像素)。

在图1(b)表示液晶显示装置100的等效电路图。如上所述，在液晶显示装置100，多个像素P呈多行和多列的矩阵状排列，图1(b)表示一个像素P及其附近。

像素P具有子像素Spa和子像素Spb。至少在某个中间灰度，子像素Spa的亮度与子像素Spb的亮度不同。典型的是，在任意的帧或任意的场，一个子像素的亮度为另一个子像素的亮度以上。不过，在一部分灰度等级，子像素Spa、Spa的亮度也可以彼此大致相等。在任意的帧或任意的场，子像素Spa和子像素Spb中的亮度能够变低的子像素被称为暗子像素，亮度能够变高的子像素被称为亮子像素。像这样，通过在一个像素P内设置亮度不同的子像素Spa、Spb，能够改善γ特性的视野角依存性。

子像素Spa的面积也可以与子像素Spb不同。例如，既可以子像素Spa的面积比子像素Spb小，也可以子像素Spa的面积比子像素Spb大。例如，子像素Spa、Spb中的一个子像素的面积为另一个子像素的面积的1.5倍以上4倍以下。在将子像素Spa和子像素Spb的面积之和表示为100％的情况下，优选面积大的子像素的面积比为60％以上70％以下，面积小的子像素的面积比为30％以上40％以下。此外，优选子像素Spa、Spb中的亮度低的子像素的面积比亮度高的子像素的面积大。或者，也可以子像素Spa的面积与子像素Spb相等。

有源矩阵基板120具有像素电极124、薄膜晶体管(Thin FilmTransistor：TFT)130、源极配线Ls、栅极配线Lg、辅助电容电极EC和辅助电容配线Lcs。像素电极124具有与子像素Spa对应的子像素电极124a和与子像素Spb对应的子像素电极124b。栅极配线Lg和辅助电容电极EC沿行方向(x方向)延伸，源极配线Ls沿列方向(y方向)延伸。

TFT130分别具有栅极、源极和漏极。TFT130与子像素Spa、Spb对应地设置。在以下的说明中，将与子像素Spa对应的TFT130表示为TFT130a，将与子像素Spb对应的TFT130表示为TFT130b。

在像素P设置有与TFT130a的漏极和子像素电极124a电连接的辅助电容电极EC。此外，与辅助电容电极EC形成辅助电容的辅助电容对置电极EO与辅助电容配线Lcs电连接。另外，在以下的说明中，有时将辅助电容配线Lcs称为CS配线Lcs。

源极配线Ls与TFT130a的源极和TFT130b的源极电连接。栅极配线Lg与TFT130a的栅极和TFT130b的栅极电连接。

在图1(b)所示的等效电路，对置电极144与各子像素电极124a、124b对应地表示，但是典型的是，对置电极144与和设置在显示区域的多个像素P整体对应的像素电极124对应地设置。不过，对置电极144也可以分割为多个块地设置。

子像素Spa具有液晶电容CLa和辅助电容CC。液晶电容CLa包括子像素电极124a、对置电极144和设置在它们之间的液晶层160。辅助电容CC包括辅助电容电极EC、辅助电容对置电极EO和设置在它们之间的液晶层。

此外，子像素Spb具有液晶电容CLb。液晶电容CLb包括子像素电极124b、对置电极144和设置在它们之间的液晶层160。另外，此处，子像素Spb也可以具有辅助电容。

在本说明书中，有时将子像素Spa、Spb分别称为第一子像素Spa、第二子像素Spb，有时将子像素电极124a、124b分别称为第一子像素电极124a、第二子像素电极124b。此外，有时将TFT130a、130b称为第一薄膜晶体管130a、第二薄膜晶体管130b。

在图2表示液晶显示装置100的示意图。另外，在图2，为了避免附图过于复杂而省略对对置基板140的表示，图2与有源矩阵基板120的顶视图对应。

在液晶显示装置100，子像素Spa和子像素Spb在行方向(x方向)上相邻。子像素Spa和子像素Spb的沿行方向的长度不同，但是子像素Spa和子像素Spb的沿列方向的长度大致相等。因此，子像素Spa的面积与子像素Spb不同。像素P的沿列方向(y方向)的长度由子像素Spa和子像素Spb规定。此外，子像素Spa由子像素电极124a规定，子像素Spb由子像素电极124b规定。

TFT130a、130b的源极、沟道、漏极分别设置在半导体层。在半导体层中的成为TFT130a、130b的沟道的区域以外的区域，导入杂质，其载流子浓度增大。

TFT130a、130b的栅极与共用的栅极配线Lg电连接，TFT130a、130b根据被供给至栅极配线Lg的栅极信号电压而同样地变化。TFT130a、130b的源极经设置在液晶层的接触孔与源极配线Ls电连接。

TFT130a的漏极经漏极电极Ed与辅助电容电极EC电连接，子像素电极124a经设置在绝缘层的接触孔与辅助电容电极EC电连接。辅助电容电极EC以与CS配线Lcs重叠的方式设置，在辅助电容电极EC与CS配线Lcs之间形成辅助电容。此处，CS配线Lcs中的与辅助电容电极EC形成辅助电容的部分成为辅助电容对置电极EO。另外，此处，辅助电容对置电极EO与CS配线Lcs一体地设置，但是辅助电容对置电极EO也可以与CS配线Lcs分别设置。此外，子像素电极124b经设置在绝缘层的接触孔与TFT130b的漏极电连接。子像素电极124a、124b以跨越栅极配线Lg和CS配线Lcs的方式配置。

在液晶显示装置100，向像素P的写入如以下那样进行。首先，被供给至栅极配线Lg的栅极信号电压从断开电压变化为导通电压。当栅极配线Lg被施加导通电压、TFT130a、130b成为导通状态时，被供给至源极配线Ls的源极信号经TFT130a、130b被供给至子像素电极124a、124b。

然后，当被供给至栅极配线Lg的栅极信号电压变化为断开电压时，TFT130a、130b变化为断开状态。另外，严密而言，紧随TFT130a、130b变化为断开状态后，子像素电极124a、124b的电位因由TFT130a、130b所具有的寄生电容等的影响引起的馈通现象而下降大致相同的量，但是子像素电极124a、124b的电位彼此大致相等。

然后，被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号电压发生变化，由此，子像素电极124a的电位根据辅助电容信号电压的变化而变化。辅助电容信号电压在从栅极配线Lg被选择起至同一栅极配线Lg再次被选择为止的期间，以成为高电压和低电压的期间大致相等的方式变化。例如，辅助电容信号包含按每相等的期间向高电压和低电压变化的振荡波形。

在TFT130a、130b变化为断开状态后，在被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号电压的最初的变化为增加的情况下，子像素电极124a的平均电位增加。相反，在被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号电压的最初的变化为下降的情况下，子像素电极124a的平均电位下降。另外，辅助电容信号电压既可以在被供给至接下来被选择的栅极配线Lg(典型的是，与被选择的栅极配线相邻的栅极配线)的栅极信号电压从断开电压变化为导通电压的时刻之前变化，也可以在该时刻之后变化。这样，通过向CS配线Lcs供给辅助电容信号，能够使子像素Spa的有效电压与子像素Spb的有效电压不同。另外，严密而言，由于源极配线Ls与子像素电极124a、124b或漏极电极Ed之间存在静电电容，子像素电极124a、124b的平均电位会受到在对应的栅极配线Lg变化为断开状态后被供给至源极配线Ls的源极信号电压的变化的影响，但是该影响并不那么大。

这样，在液晶显示装置100，子像素Spa、Spb在行方向上相邻，子像素Spa、Spb均以与CS配线Lcs重叠的方式设置，但是子像素Spa具有与CS配线Lcs对应的辅助电容CC，而子像素Spb不具有与CS配线Lcs对应的辅助电容。因此，能够使被施加至子像素Spa的液晶层的有效电压相对于被施加至子像素Spb的液晶层的有效电压变化，利用这一点能够改善视野角特性。

另外，如果着眼于该像素P，则当在某一垂直扫描期间子像素电极124a、124b的电位比对置电极144高时，下一垂直扫描期间(下一场期间或下一帧期间)的子像素电极124a、124b比对置电极144的电位低。像这样，像素P的极性按每垂直扫描期间反转。在本说明书的以下的说明中，将子像素电极的电位比对置电极高的情况表示为+(正)，将子像素电极的电位比对置电极的电位低的情况表示为-(负)。极性表示被施加至液晶层的电场的朝向。

通过这样的极性反转，液晶层的DC成分的大部分得到抑制。不过，仅此并不能完全除去DC成分。如上所述，在TFT变化为断开状态后，子像素电极的电位由于馈通现象而下降，此外，由于馈通现象而引起的电压下降无论极性如何均在一定的方向产生。因此，仅极性反转，不能充分地除去由馈通现象引起的DC成分。因此，在进行同一灰度等级水平的显示的情况下，优选以使得按每垂直扫描期间反转的子像素电极的电位的中央值(也称为漏极电压的DC电平或漏极电压的有效电平。)与对置电极的电压大致一致的方式调整对置电极的电压。

液晶显示装置100例如像以下那样被驱动。在图3表示液晶显示装置100的电压波形图。在图3，VLs表示以由虚线表示的对置电极144的电位(COMMON)为基准的、被供给至源极配线Ls的源极信号的电压波形，VLcs表示被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号的电压波形，VLg表示被供给至栅极配线Lg的栅极信号的电压波形。此外，VCLa表示以对置电极144的电位(COMMON)为基准的子像素电极124a的电位，VCLb表示以对置电极144的电位(COMMON)为基准的子像素电极124b的电位。

首先，在时刻T1时被供给至栅极配线Lg的栅极信号电压VLg从断开电压变化为导通电压，由此，TFT130a、130b同时成为导通状态(ON状态)，源极配线Ls的电压VLs被传递至子像素Spa、Spb的子像素电极124a、124b，对液晶电容CLa、CLb进行充电。同样，对子像素Spa的辅助电容CC也进行来自源极配线Ls的充电。另外，在以下的说明中，将此时的子像素电极124a、124b的电位表示为Vs。

接着，在时刻T2时，栅极配线Lg的栅极信号电压VLg从导通电压变化为断开电压，由此，TFT130a、130b同时成为非导通状态(断开(OFF)状态)，液晶电容CLa、CLb、辅助电容CC均与源极配线Ls电绝缘。另外，在紧随栅极信号电压VLg变化为断开电压之后，因由TFT130a、TFT130b所具有的寄生电容等的影响引起的馈通现象，各自的子像素电极124a、124b的电位VCLa、VCLb分别下降电位Vda、Vdb，成为

VCLa＝Vs-Vda

VCLb＝Vs-Vdb。

另外，由于子像素的电容各自不同，电位Vda、Vdb严密而言不相同，但是大致相同，因此，在以下的说明中，表示为电位Vd。此时，CS配线Lcs的电压VLcs为

Vcs＝Vcom-Vad。

在时刻T3，CS配线Lcs的电压VLcs从Vcom-Vad变化为Vcom+Vad。伴随CS配线Lcs的这一电压变化，子像素电极124a的电位VCLa向

VCLa＝Vs-Vd+2×Kca×Vad

变化。其中，Kca＝CCS/(CLC(V)+CCS)。此处，CCS相当于辅助电容CC的电容值，CLC(V)相当于被赋予电位差V时的液晶电容CLa的电容值。

在时刻T4，CS配线Lcs的电压VLcs从Vcom+Vad向Vcom-Vad变化2倍的Vad，子像素电极124a的电位VCLa依然从

VCLa＝Vs-Vd+2×Kca×Vad

向

VCLa＝Vs-Vd

变化。

在时刻T5，CS配线Lcs的电压VLcs从Vcom-Vad向Vcom+Vad变化2倍的Vad，子像素电极124a的电位VCLa依然从

VCLa＝Vs-Vd

向

VCLa＝Vs-Vd+2×Kca×Vad

变化。

像这样，CS配线Lcs的电压VLcs和子像素电极124a的电位VCLa按每水平扫描期间(水平写入时间)1H的整数倍的间隔交替地重复上述T4、T5的变化。与此相对，子像素Spb不具有辅助电容，子像素电极124b的电位VCLb为Vs-Vd不变。因此，子像素电极124a、124b的电位VCLa、VCLb的平均成为

VCLa＝Vs-Vd+Kca×Vad

VCLb＝Vs-Vd。

由此，被施加至子像素Spa、Spb的液晶层的有效电压V1、V2成为

V1＝VCLa-Vcom

V2＝VCLb-Vcom，

即，

V1＝Vs-Vd+Kca×Vad-Vcom

V2＝Vs-Vd-Vcom。

从而，被施加至子像素Spa、Spb中的各个子像素的液晶层的有效电压之差ΔV(＝V1-V2)成为ΔV＝Kca×Vad(其中，Kca＝CCS/(CLC(V)+CCS)，能够施加彼此不同的电压，能够使子像素Spa和Spb的亮度不同。

另外，在专利文献2中公开的液晶显示装置900，不同的子像素Spa、Spb各自具有与不同的CS配线Lcsa、Lcsb对应的辅助电容，两个子像素电极924a、924b中的一个子像素电极的平均电位从与被供给至源极配线Ls的源极信号电压对应的电位增加，另一个子像素电极的平均电位从与被供给至源极配线Ls的源极信号电压对应的电位下降。相对于此，在本实施方式的液晶显示装置100，子像素电极124a的平均电位从与被供给至源极配线Ls的源极信号电压对应的电位变化，另一方面，子像素电极124b的平均电位不从与被供给至源极配线Ls的源极信号电压对应的电位变化。因此，在液晶显示装置100，通过使被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号电压的变化比液晶显示装置900大，能够实现与液晶显示装置900同等的子像素Spa、Spb间的电压差ΔV。

另外，此处，利用被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号电压的变化，使子像素电极124a的平均电位比与源极信号电压对应的电位高，但是本发明并不仅限于此。也可以利用被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号电压的变化使子像素电极124a的平均电位比与源极信号电压对应的电位低。

在利用被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号电压的变化使子像素电极124a的平均电位比与源极信号电压对应的电位高的情况下，可以对源极配线Ls供给以对置电极为基准的电位差的绝对值比液晶显示装置900大的源极信号电压。或者，在利用被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号电压的变化，使子像素电极124a的平均电位比与源极信号电压对应的电位低的情况下，可以对源极配线Ls供给以对置电极为基准的电位差的绝对值比液晶显示装置900小的源极信号电压。

此处，参照图4说明正面方向和斜方向的亮度变化。图4(a)和图4(b)是表示斜向归一化亮度相对于正面归一化亮度的变化的图表。在图4(a)，斜方向是使显示画面的法线向偏光轴方向倾斜60°的方向，在图4(b)，斜方向是使显示画面的法线向偏光轴方向的斜45°方向倾斜60°的方向。首先，参照图4(a)进行说明。

在图4(a)，横轴是正面归一化亮度^(1/2.2)。此处，正面归一化亮度是以使得显示最大灰度等级水平时的正面方向的亮度成为1.0的方式对正面方向的亮度进行归一化而得到的值。另外，通过取指数(1/2.2)的幂，正面归一化亮度^(1/2.2)相当于将正面方向的灰度等级水平归一化而得到的亮度。例如，横轴的0.5相当于正面归一化亮度0.22(≈0.5^2.2)，这在255灰度等级标记中相当于灰度等级水平127。通过取指数(1/2.2)的幂，能够充分地显示亮度比较低的区域的亮度变化。

在图4(a)，纵轴表示60°归一化亮度^(1/2.2)。此处，60°归一化亮度是以使得显示最大灰度等级水平时的亮度成为1.0的方式对从使显示画面的法线沿偏光轴方向倾斜60°的方向测定的亮度进行归一化而得到的值。通过取指数(1/2.2)的幂，60°归一化亮度^(1/2.2)相当于将斜方向的灰度等级水平归一化而得到的亮度。

在图4(a)，“无分割”表示不具有子像素的液晶显示装置的亮度变化，“1∶1”表示亮子像素和暗子像素的面积比为1∶1的液晶显示装置的亮度变化，“3.5∶6.5”表示亮子像素和暗子像素的面积比为3.5∶6.5的液晶显示装置的亮度变化。另外，为了参考，在图4(a)，“正面”表示与横轴成线性比例的正面方向的亮度变化。

在不具有子像素的液晶显示装置，斜方向的亮度变化与正面方向的亮度变化大不相同。特别是在低灰度等级水平斜方向的归一化亮度相对较大，因此，从斜方向看时的视频看起来相对地发白，不能得到充分的对比度，难以得到深度感。这样的现象也称为泛白。

与此相对，通过设置子像素，特别在低灰度等级水平，能够使正面方向的归一化亮度与斜方向的归一化亮度之差减小，能够使斜方向的亮度变化接近正面方向的亮度变化。此外，通过使暗子像素的面积比亮子像素的面积大，能够进一步使低灰度等级水平的斜方向的亮度变化接近正面方向的亮度变化。

图4(b)表示从使显示画面的法线沿偏光轴方向的斜45°方向倾斜60°的方向测定的亮度的变化。在图4(b)，横轴与图4(a)相同。在图4(b)，纵轴表示60°归一化亮度^(1/2.2)。此处，60°归一化亮度是以使得显示最大灰度等级水平时的亮度成为1.0的方式对从使显示画面的法线沿偏光轴方向的斜45°方向倾斜60°的方向测定的亮度进行归一化而得到的值。通过取指数(1/2.2)的幂，60°归一化亮度^(1/2.2)相当于将斜方向的灰度等级水平归一化而得到的亮度。

在不设置子像素的情况下，向与偏光轴交叉的方向倾斜的方向的亮度变化与正面方向的亮度变化大为不同，在沿偏光轴方向的斜45°方向在斜方向上进行测定的情况下，斜方向的亮度变化相对于正面方向的亮度变化的偏差更大。与此相对，通过设置子像素，特别是在低灰度等级水平，能够使斜方向的亮度变化接近正面方向的亮度变化。此外，在暗子像素的面积比亮子像素的面积大的情况下，能够使低灰度等级水平的斜方向的亮度变化进一步接近正面方向的亮度变化。

这样，通过设置亮度能够不同的子像素Spa、Spb，能够改善视野角特性。特别优选子像素Spa、Spb中的暗子像素的面积比亮子像素大。

液晶显示装置100例如按以下方式制作。

有源矩阵基板120的制作如以下那样进行。首先，在绝缘基板122上形成栅极配线Lg、CS配线Lcs和辅助电容对置电极EO。例如，绝缘基板122是玻璃基板。此处，栅极配线Lg、CS配线Lcs和辅助电容对置电极EO在同一工序中形成，由同样的材料形成。

接着，在覆盖栅极配线Lg和CS配线Lcs的绝缘层上形成源极配线Ls、漏极电极Ed和辅助电容电极EC。该绝缘层的一部分作为TFT130的栅极绝缘膜发挥作用。源极配线Ls、漏极电极Ed和辅助电容电极EC在同一工序中由同样的材料形成。

接着，在该绝缘层上形成半导体层。半导体层例如是非晶半导体层(典型的是非晶硅层)。或者，半导体层也可以是多晶半导体层(典型的是多晶硅层)，还可以是氧化物半导体层。另外，如上所述，根据需要，也可以在半导体层的规定的区域导入杂质。

接着，形成覆盖半导体层的层间绝缘层，进一步，在该层间绝缘层上形成像素电极124。例如，像素电极124由透明导电膜(典型的是Indium Tin Oxide：ITO(铟锡氧化物))形成。之后，形成覆盖像素电极124的取向膜。

另外，栅极配线Lg、CS配线Lcs、辅助电容对置电极EO、源极配线Ls、漏极电极Ed、辅助电容电极EC和像素电极124分别通过在使导电材料沉积后利用光掩模、使用光致抗蚀剂进行曝光并进行蚀刻而形成。此外，半导体层通过在使半导体材料沉积后利用光掩模、使用光致抗蚀剂进行曝光并进行蚀刻而形成。通过以上这样，制成有源矩阵基板120。

此外，对置基板140的制作如以下那样进行。首先，在透明绝缘基板142上形成对置电极144。例如，透明绝缘基板142是玻璃基板。此外，在对置基板140的表面设置有取向膜。另外，在对置基板140，根据需要设置有彩色滤光片层。彩色滤光片层具有红色彩色滤光片、绿色彩色滤光片和蓝色彩色滤光片以及包围各彩色滤光片的黑矩阵。这样，制成对置基板140。

之后，进行有源矩阵基板120和对置基板140的粘合。例如，在有源矩阵基板120和对置基板140中的一个基板呈矩形框状施加密封剂，在由密封剂包围的区域内滴下液晶材料。之后，将有源矩阵基板120和对置基板140粘合，使密封剂固化。通过液晶材料的滴下，能够均匀且短时间地进行液晶材料的施加，此外，能够对母玻璃基板进行一并处理。进一步，能够减少液晶材料的废弃量，进行液晶材料的有效利用。

或者，也可以在有源矩阵基板120和对置基板140中的一个基板呈一部分开口的矩形框状施加密封剂，然后，形成将有源矩阵基板120和对置基板140粘合后得到的空单元，然后，在有源矩阵基板120与对置基板140之间注入液晶材料。然后，使密封剂固化。例如，该密封剂具有热固化性，通过加热处理，使密封剂固化。之后，在有源矩阵基板120和对置基板140各自的绝缘基板122、142，根据需要设置相位差板后，设置偏光板。通过以上这样，制成液晶显示装置100。

(实施方式2)

以下，对本发明的液晶显示装置的第二实施方式进行说明。在图5表示本实施方式的液晶显示装置100A的等效电路图。在图5表示第n行第m列、第n+1行第m列、第n行第m+1列、第n+1行第m+1列的四个像素。

在液晶显示装置100A，对各行的像素设置有两个CS配线。具体而言，与第n行的像素P对应地设置有CS配线Lcsa、Lcsb，与第n+1行像素P对应地设置有CS配线Lcsc、Lcsd。

首先，说明第n行的像素P的结构。在第n行第m列的像素P，子像素Spa具有液晶电容CLa和辅助电容CC。液晶电容CLa包括子像素电极124a、对置电极144和设置在它们之间的液晶层160。辅助电容CC包括辅助电容电极EC、辅助电容对置电极EO和设置在它们之间的绝缘层。与此相对，子像素Spb具有液晶电容CLb，但是不具有辅助电容。液晶电容CLb包括子像素电极124b、对置电极144和设置在它们之间的液晶层160。

在第n行第m+1列的像素P，子像素Spa具有液晶电容CLa和辅助电容CC。液晶电容CLa包括子像素电极124a、对置电极144和设置在它们之间的液晶层160。辅助电容CC包括辅助电容电极EC、辅助电容对置电极EO和设置在它们之间的绝缘层。与此相对，子像素Spb具有液晶电容CLb，但是不具有辅助电容。液晶电容CLb包括子像素电极124b、对置电极144和设置在它们之间的液晶层160。

像这样，在第n行第m列和第n行第m+1列的像素P中的任一像素P的子像素Spa均具有液晶电容CLa和辅助电容CC。具体而言，在第n行第m列的子像素Spa，与CS配线Lcsa对应地形成有辅助电容CC，在第n行第m+1列的子像素Spa，与CS配线Lcsb对应地形成有辅助电容CC。因此，子像素电极124a的电位以及被施加至子像素Spa的液晶层的有效电压根据被供给至CS配线Lcsa、Lcsb的辅助电容信号的电压变化而变化。与此相对，子像素Spb不具有辅助电容，即使被供给至CS配线Lcsa、Lcsb的辅助电容信号的电压变化，像素电极124b的电位也不变化，作为结果，被施加至子像素Spb的液晶层的有效电压也不变化。

另外，此处虽然不详述，但是在第n行第m+2列、第n行第m+4列、……的像素P的子像素Spa，与CS配线Lcsa对应地形成辅助电容CC，在第n行第m+3列、第n行第m+5列、……的像素P的子像素Spa，与CS配线Lcsb对应地形成有辅助电容CC。像这样，在行方向上相邻的像素的子像素Spa具有与不同的CS配线Lcsa、Lcsb对应地形成的辅助电容CC。

此外，此处虽然不详述，但是在第n+1行第m列、第n+1行第m+2列、第n+1行第m+4列、……的像素P的子像素Spa，与CS配线Lcsd对应地形成辅助电容CC，在第n行第m+1列、第n行第m+3列、第n行第m+5列、……的像素P的子像素Spa，与CS配线Lcsc对应地形成有辅助电容CC。像这样，在行方向上相邻的像素的子像素Spa具有与不同的CS配线对应地形成的辅助电容CC。

在图6表示液晶显示装置100A的示意图。在本实施方式的液晶显示装置100A，在各像素P，在行方向上排列有子像素Spa和子像素Spb。在排列于列方向上的像素P，子像素Spa呈直线状排列，子像素Spb呈直线状排列。

第n行第m列和第n行第m+1列的像素的子像素电极124a、124b跨越栅极配线Lg和CS配线Lcsa、Lcsb。此外，与相邻的两行像素之间对应地设置有线状的遮光部件BL。遮光部件BL与栅极配线Lg、CS配线Lcs和辅助电容对置电极EO在同一工序中由同样的材料形成。另外，遮光部件BL也可以作为对置基板的黑矩阵(BM)的一部分形成。

典型的是，子像素Spa、Spb各自具有液晶分子的平均的取向方向不同的四个液晶畴。例如，子像素Spa、Spb的四个液晶畴在列方向上排列。与一行像素对应的2个CS配线Lcs和栅极配线Lg以与子像素Spa、Spb的在列方向上排列的四个液晶畴各自的边界重叠的方式设置，子像素电极124a、124b由CS配线Lcs和栅极配线Lg四等分。不同的液晶畴也可以使用取向膜形成，该取向膜在未施加电压时使各液晶畴的至少中央附近的液晶分子向彼此不同的基准取向方向取向。或者，子像素电极124a、124b也可以具有向不同的方向延伸的细微狭缝。或者，也可以在子像素电极124a、124b设置向不同方向延伸的肋或狭缝。

在液晶显示装置100A，子像素电极124a的面积比子像素电极124b小。例如，在以100％表示子像素电极124a和子像素电极124b的面积之和的情况下，子像素电极124a的面积为30％以上40％以下，子像素电极124b的面积为60％以上70％以下。另外，子像素Spa、Spb的亮度可以为任何关系，但是参照图4如上所述的那样，令面积小的子像素Spa为亮子像素，令面积大的子像素Spb为暗子像素，能够有效地改善特别是低灰度等级水平的视野角特性。

在图7表示液晶显示装置100A的等效电路图。在图7表示多个像素P的等效电路。在图7，将与第m列～第m+2列的像素对应的源极配线表示为Lsm～Lsm+2，将与第n行～第n+4行像素对应的栅极配线表示为Lgn～Lgn+4。

在CS配线Lcsa～Lcsd分别从辅助电容主干线Ltcsa～Ltcsd被供给辅助电容信号。具体而言，分别从辅助电容主干线Ltcsa、Ltcsb对与第n行像素对应的CS配线Lcsa、Lcsb供给辅助电容信号，分别从辅助电容主干线Ltcsc、Ltcsd对与第n+1行像素对应的CS配线Lcsc、Lcsd供给辅助电容信号。

图7所示的液晶显示装置100A例如如以下所示那样被驱动。在图8表示液晶显示装置100A的电压波形图。在图8，VLsm表示以由虚线表示的对置电极144的电压为基准的、被供给至源极配线Lsm的源极信号的电压波形，VLgn～VLgn+4表示被供给至栅极配线Lgn～Lgn+4的栅极信号的电压波形，VLcsa～VLcsd表示被供给至CS配线Lcsa～Lcsd的辅助电容信号的电压波形。此外，VCLa_m、n～VCLa_m、n+4分别表示以对置电极144的电位为基准的第n行第m列～第n+4行第m列的像素P的子像素电极124a的电位，VCLb_m、n～VCLb_m、n+4分别表示以对置电极144的电位为基准的第n行第m列～第n+4行第m列的像素P的子像素电极124b的电位。另外，为了避免说明变得过于复杂，此处，令输入信号的所有像素的灰度等级水平相同。

此处，被供给至辅助电容主干线Ltcsa～Ltcsd的辅助电容信号电压VLcsa～VLcsd均为包含占空比为1∶1的矩形波的振荡电压，振荡的周期均为水平扫描期间的4倍时间(4H)。如果着眼于辅助电容信号电压VLcsa、VLcsb，则辅助电容信号电压VLcsb的相位比辅助电容信号电压VLcsa迟2H时间。如果着眼于辅助电容信号电压VLcsc、VLcsd，则辅助电容信号电压VLcsd的相位比辅助电容信号电压VLcsc迟2H时间。此外，如果着眼于辅助电容信号电压VLcsa、VLcsc，则辅助电容信号电压VLcsa的相位比辅助电容信号电压VLcsc迟1H时间。

如果着眼于被供给至CS配线Lcsa～Lcsd的辅助电容信号电压VLcsa～VLcsd和栅极配线Lg的栅极信号电压VLg的变化，则与各CS配线Lcsa～Lcsd对应的栅极配线Lg的栅极信号电压VLg从导通电压变化为断开电压的时刻与辅助电容信号电压VLcsa～VLcsd成为一定的期间的中央的时刻一致，栅极信号电压VLg变化为断开电压的时刻与辅助电容信号电压VLcsa～VLcsd变化的时刻之差Td为1H时间。不过，Td并不仅限于此，Td的值为比0H大且比辅助电容信号电压VLcsa、VLcsb反转的周期(此处，为2H时间)短的范围即可。

参照图7和图8，说明液晶显示装置100A的向像素P的写入。首先，说明向第n行像素P的写入。此处，特别着眼于第n行第m列和第n行第m+1列的像素P。被供给至栅极配线Lgn的栅极信号电压从断开电压变化为导通电压，由此，第n行第m列、第n行第m+1列的TFT130a、130b成为导通状态。这样一来第n行的像素被选择时，被供给至源极配线Lsm的源极信号电压被施加至第n行第m列的子像素电极124a、124b，被供给至源极配线Lsm+1的源极信号电压被施加至第n行第m+1列的子像素电极124a、124b。

此处，第n行第m列的子像素电极124a、124b的电位比对置电极144的电位高，此外，虽然图8中未图示，但是第n行第m+1列的子像素电极124a、124b的电位比对置电极144的电位低。这样，第n行第m列的子像素电极124a、124b的电位与对置电极144的电位的关系和第n行第m+1列的子像素电极124a、124b的电位与对置电极144的电位的关系不同。

然后，被供给至栅极配线Lgn的栅极信号电压从导通电压变化为断开电压，由此，第n行第m列、第n行第m+1列的TFT130a、130b变化为断开状态。严密而言，在紧随TFT130a、130b变化为断开状态之后，子像素电极124a、124b的电位因由TFT130a、130b所具有的寄生电容等的影响引起的馈通现象而大致下降相同的量。此时，第n行第m列的子像素电极124a、124b的电位彼此相等，此外，第n行第m+1列的子像素电极124a、124b的电位彼此相等。

然后，被供给至CS配线Lcsa、Lcsb的辅助电容信号电压发生变化，由此，子像素电极124a的平均电位从与被供给至源极配线Sm、Sm+1的源极信号的电压对应的电位变化。与此相对，子像素Spb不具有辅助电容，因此无论被供给至CS配线Lcsa、Lcsb的辅助电容信号的电压是否变化，子像素电极124b的电位均不变化，子像素电极124b的电位与被供给至源极配线Sm、Sm+1的源极信号的电压对应。

在第n行第m列的像素P，TFT130a变化为断开状态后的辅助电容信号电压VLcsa的最初的变化为增加，子像素电极124a的平均电位根据辅助电容信号电压VLcsa增加。在正极性子像素电极124a的平均电位增加，因此子像素Spa的亮度比子像素Spb高。

此外，在第n行第m+1列的像素P，TFT130a变化为断开状态后的辅助电容信号电压VLcsb的最初的变化为下降，子像素电极124a的平均电位根据辅助电容信号电压VLcsb而下降。由于在负极性子像素电极124a的平均电位下降，因此子像素Spa的亮度比子像素Spb高。

这样，进行向第n行像素P的写入。如上所述，第n行第m+1列的像素P的极性与第n行第m列的像素P的极性反转，此处，虽然未详述，但是第n行的在行方向上相邻的像素的极性彼此反转。此外，如上所述，在第n行第m列的像素P，与CS配线Lcsa对应的子像素Spa为亮子像素，在第n行第m+1列的像素P，与CS配线Lcsb对应的子像素Spa为亮子像素。像这样，与CS配线Lcs对应的子像素Spa成为亮子像素，不与CS配线Lcs对应的子像素Spb成为暗子像素。

接着，说明向第n+1行像素P的写入。此处，特别着眼于第n+1行第m列和第n+1行第m+1列的像素P。

被供给至栅极配线Lgn+1的栅极信号电压从断开电压变化为导通电压，由此，第n+1行第m列、第n+1行第m+1列的TFT130a、130b成为导通状态。这样一来第n+1行像素被选择时，被供给至源极配线Lsm的源极信号电压被施加至第n+1行第m列的子像素电极124a、124b，被供给至源极配线Lsm+1的源极信号电压被施加至第n+1行第m+1列的子像素电极124a、124b。此处，第n+1行第m列的子像素电极124a、124b的电位比对置电极144的电位低，此外，虽然在图8未图示，但是第n+1行第m+1列的子像素电极124a、124b的电位比对置电极144的电位高。这样，第n+1行第m列的子像素电极124a、124b的电位与对置电极144的电位的关系和第n+1行第m+1列的子像素电极124a、124b的电位与对置电极144的电位的关系不同。

接着，被供给至栅极配线Lgn+1的栅极信号电压从导通电压变化为断开电压，由此，第n+1行第m列、第n+1行第m+1列的TFT130a、130b变化为断开状态。此处，也如上述那样产生馈通现象。

之后，被供给至CS配线Lcsc、Lcsd的辅助电容信号电压向不同的方向变化，由此，第n+1行第m列、第n+1行第m+1列的子像素电极124a的电位向不同的方向变化。在第n+1行第m列的像素P，TFT130a变化为断开状态后的辅助电容信号电压VLcsc的最初的变化为下降，在负极性子像素电极124a的平均电位下降，因此，子像素Spa的亮度比子像素Spb高。此外，在第n+1行第m+1列的像素P，TFT130a变化为断开状态后的辅助电容信号电压VLcsd的最初的变化为增加，在正极性子像素电极124a的平均电位增加，因此，子像素Spa的亮度比子像素Spb高。

这样一来，进行向第n+1行的像素P的写入。第n+1行的在行方向上相邻的像素的极性彼此反转，此外，在第n+1行的像素P，也为如下情形：与CS配线Lcs对应的子像素Spa是亮子像素，不与CS配线Lcs对应的子像素Spb是暗子像素。同样地进行向第n+2行以后的像素P的写入。

像这样，在液晶显示装置100A，进行点反转驱动，在行方向上和列方向上相邻的像素的极性彼此不同，在斜方向上相邻的像素的极性彼此相等。例如，第n行第m列、第n+1行第m+1列的像素的极性为正，第n+1行第m列、第n行第m+1列的像素的极性为负。

在图9表示图8所示的垂直扫描期间的下一垂直扫描期间(场期间或帧期间)的电压波形图。由图8和图9的比较能够理解到，被供给至源极配线Ls的源极信号电压的极性与之前的垂直扫描期间相比反转，由此，能够抑制显示的残影。此外，被供给至CS配线Lcsa～Lcsd的辅助电容信号电压的相位与之前的垂直扫描期间相比反转。像这样，源极信号电压的极性和辅助电容信号电压的相位均反转，由此，在该垂直扫描期间也为如下情形：子像素Spa是亮子像素，子像素Spb是暗子像素。另外，在液晶显示装置100A，根据被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号电压的变化，被施加至子像素Spa的液晶层的有效电压的绝对值增加，因此能够使源极信号配线的振幅比较小，能够抑制源极驱动器的耗电的增大。

在参照图8和图9进行的说明中，向四个辅助电容主干线供给振荡周期4H不同的辅助电容信号，但是本发明并不仅限于此。也可以向两个辅助电容主干线供给振荡周期2H不同的辅助电容信号。在这种情况下，在图7所示的等效电路，辅助电容主干线Ltcsa、Ltcsc被供给等效的辅助电容信号，辅助电容主干线Ltcsb、Ltcsd被供给等效的辅助电容信号。这样，也可以向N个(N为2以上的偶数)辅助电容主干线供给振荡周期NH不同的辅助电容信号。

(实施方式3)

在上述液晶显示装置100A，与CS配线Lcs对应的子像素Spa的面积比不与CS配线Lcs对应的子像素Spb小，但是本发明并不仅限于此。与CS配线Lcs对应的子像素的面积也可以比不与CS配线Lcs对应的子像素大。此外，在上述液晶显示装置100A，与CS配线Lcs对应的子像素Spa为亮子像素，不与CS配线Lcs对应的子像素Spb为暗子像素，但是本发明并不仅限于此。也可以与CS配线Lcs对应的子像素为暗子像素，不与子像素Lcs对应的子像素为亮子像素。

以下，参照图10，说明本发明的液晶显示装置的第三实施方式。本实施方式的液晶显示装置100B，除了子像素Spa的面积比子像素Spb大且子像素Spa的亮度比子像素Spb低这方面以外，具有与上述液晶显示装置100A相同的结构，为了避免冗长而省略重复的说明。另外，液晶显示装置100B的等效电路与图5或图7相同。

在液晶显示装置100B，子像素电极124a、124b的沿列方向的长度彼此大致相等，子像素电极124a的沿行方向的长度比子像素电极124b的沿行方向的长度大，子像素电极124a(和由其规定的子像素Spa)的面积比子像素电极124b(和由其规定的子像素Spb)大。子像素Spa、Spb彼此在行方向上相邻，在沿列方向排列的像素P，子像素Spa、Spb分别呈直线状排列。

另外，虽然为了避免冗长而在此未图示，但是在向某一像素P的子像素电极124a、124b供给了正极性的源极信号电压的情况下，在被供给至选择该像素P的栅极配线Lg的栅极信号电压变化为断开电压后，被供给至与该像素P对应的CS配线Lcs的辅助电容信号电压的最初的变化为下降，由此，能够使该像素P的子像素电极124a的平均电位下降，子像素Spa的亮度变得比子像素Spb的亮度低。另一方面，在向另一像素P的子像素电极124a、124b供给负极性的源极信号电压的情况下，在被供给至选择该像素P的栅极配线Lg的栅极信号电压变化为断开电压后，被供给至与该像素P对应的CS配线Lcs的辅助电容信号电压的最初的变化为增加，由此，能够使该像素P的子像素电极124a的平均电位增加，子像素Spa的亮度变得比子像素Spb的亮度低。

例如，在某一垂直扫描期间，被供给至源极配线Lsm的源极信号电压如图8所示那样变化的情况下，被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号电压如图9所示那样变化。或者，在另一垂直扫描期间，被供给至源极配线Lsm的源极信号电压如图9所示那样变化的情况下，被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号电压如图8所示那样变化。

另外，在上述液晶显示装置100A、100B，子像素Spa、Spb中的面积小的子像素为亮子像素，但是本发明并不仅限于此。子像素Spa、Spb中的面积小的子像素也可以为暗子像素。

(实施方式4)

在上述的液晶显示装置，子像素Spb不具有辅助电容，但是本发明并不仅限于此。子像素Spb也可以具有辅助电容。

以下，参照图11和图12，说明本发明的液晶显示装置的第四实施方式。本实施方式的液晶显示装置100C除了子像素Spb具有辅助电容这方面以外，具有与上述液晶显示装置相同的结构，为了避免冗长而省略重复的说明。

在图11表示液晶显示装置100C的等效电路图。在液晶显示装置100C，有源矩阵基板120具有辅助电容电极ECb1、ECb2。此外，CS配线Lcsa和与辅助电容电极ECb1形成辅助电容CCb1的辅助电容对置电极EOb1电连接，CS配线Lcsb和与辅助电容电极ECb2形成辅助电容CCb2的辅助电容对置电极EOb2电连接。

在液晶显示装置100C，子像素Spb除了具有液晶电容CLb外，还具有辅助电容CCb1、CCb2。辅助电容CCb1包括辅助电容电极ECb1、辅助电容对置电极EOb1和设置在它们之间的绝缘层。此外，辅助电容CCb2包括辅助电容电极ECb2、辅助电容对置电极EOb2和设置在它们之间的绝缘层。辅助电容电极ECb1与辅助电容电极ECb2的面积彼此大致相等，辅助电容CCb1、CCb2彼此大致相等。像这样，在液晶显示装置100C，子像素Spb具有辅助电容CCb1、CCb2，因此能够抑制来自液晶电容CLb的电荷的泄漏。

此外，在液晶显示装置100C，子像素Spa具有液晶电容CLa和辅助电容CC。辅助电容CC包括辅助电容电极EC、辅助电容对置电极EO和设置在它们之间的绝缘层。像这样，在液晶显示装置100C，子像素Spa具有一个辅助电容CC，而子像素Spb具有两个辅助电容CCb1、CCb2，为此，在子像素Spb设置有一对辅助电容电极ECb1、ECb2。

在图12表示液晶显示装置100C的示意图。在液晶显示装置100C，与各行的像素P对应地设置有2根CS配线Lcs。如果着眼于第n行的像素P，则与第n行的像素P对应地设置有CS配线Lcsa、Lcsb。

TFT130a、130b的栅极与共用的栅极配线Lg电连接，TFT130a、130b根据与被供给至栅极配线Lg的栅极信号电压而同样地变化。TFT130a、130b的源极经设置在绝缘层的接触孔与源极配线Ls电连接。

TFT130a的漏极经漏极电极Ed与辅助电容电极EC电连接，子像素电极124a经设置在绝缘层的接触孔与辅助电容电极EC电连接。辅助电容电极EC以与CS配线Lcsa重叠的方式设置，在辅助电容电极EC与CS配线Lcsa之间形成辅助电容CC。

TFT130b的漏极经漏极电极Edb与辅助电容电极ECb1以及子像素电极124b电连接。辅助电容电极ECb1以与CS配线Lcsa重叠的方式设置，在辅助电容电极ECb1与CS配线Lcsa之间形成辅助电容CCb1。此外，隔着绝缘层与子像素电极124b电连接的辅助电容电极ECb2以与CS配线Lcsb重叠的方式设置，在辅助电容电极ECb2与CS配线Lcsb之间形成辅助电容CCb2。

此处，CS配线Lcsa中的与辅助电容电极ECb1形成辅助电容的部分成为辅助电容对置电极EOb1，CS配线Lcsb中的与辅助电容电极ECb2形成辅助电容的部分成为辅助电容对置电极EOb2。此外，此处，辅助电容对置电极EOb1、EOb2与CS配线Lcsa、Lcsb分别一体地设置，但是辅助电容对置电极EOb1、EOb2也可以与CS配线Lcsa、Lcsb分别设置。

在液晶显示装置100C，子像素电极124a、124b的沿列方向的长度彼此大致相等，子像素电极124a的沿行方向的长度比子像素电极124b的沿行方向的长度短，子像素电极124a的面积比子像素电极124b小。例如，液晶显示装置100C的各配线被供给图8和图9所示的电压波形的信号。

说明液晶显示装置100C的向像素P的写入。首先，说明向第n行的像素P的写入。此处，特别着眼于第n行第m列和第n行第m+1列的像素P。被供给至栅极配线Lgn的栅极信号电压从断开电压变化为导通电压，由此，第n行第m列、第n行第m+1列的TFT130a、130b成为导通状态。这样，当第n行的像素被选择时，被供给至源极配线Lsm的源极信号电压被施加至第n行第m列的子像素电极124a、124b，被供给至源极配线Lsm+1的源极信号电压被施加至第n行第m+1列的子像素电极124a、124b。此处，第n行第m列的子像素电极124a、124b的电位比对置电极144的电位高，第n行第m+1列的子像素电极124a、124b的电位比对置电极144的电位低。

然后，被供给至栅极配线Lgn的栅极信号电压从导通电压变化为断开电压，由此，第n行第m列、第n行第m+1列的TFT130a、130b变化为断开状态。严密而言，在紧随TFT130a、130b变化为断开状态之后，子像素电极124a、124b的电位因由TFT130a、130b所具有的寄生电容等的影响引起的馈通现象而大致下降相同的量。另外，在液晶显示装置100C，与上述液晶显示装置100～100B以及后述的液晶显示装置中的几个液晶显示装置不同，子像素Spa、Spb各自具有液晶电容和辅助电容两者，因此能够设计成子像素Spa、Spb具有大致相同的电容。因此，能够设计成使由馈通电压引起的电位下降大致相同的量，能够抑制闪烁的产生。

之后，被供给至CS配线Lcsa的辅助电容信号电压发生变化，由此，子像素电极124a的电位发生变化。此处，TFT130a变化为断开状态后的辅助电容信号电压VLcsa的最初的变化为增加，子像素电极124a的平均电位增加。

如上所述，子像素Spb具有与CS配线Lcsa对应的辅助电容CCb1和与CS配线Lcsb对应的辅助电容CCb2。在TFT130b变化为断开状态后，被供给至CS配线Lcsa、Lcsb的辅助电容信号电压向不同的方向变化。此时，由被供给至CS配线Lcsa的辅助电容信号电压的变化引起的子像素电极124b的平均电位的变化量，与由被供给至CS配线Lcsb的辅助电容信号电压的变化引起的子像素电极124b的平均电位的变化量大致相等，因此，由辅助电容CCb1、CCb2引起的子像素电极124b的平均电位的变化大致相抵，作为结果，子像素电极124b的平均电位成为与被供给至源极配线Ls的源极信号电压对应。像这样，无论被供给至CS配线Lcsa、Lcsb的辅助电容信号的电压是否变化，子像素电极124b的电位均不变化，子像素电极124b的平均电位与被供给至源极配线Sm、Sm+1的源极信号的电压对应。

在第n行第m列的像素P，在正极性子像素电极124a的平均电位根据辅助电容信号电压VLcsa而增加，因此子像素Spa的亮度比子像素Spb高。此外，在第n行第m+1列的像素P，由于在负极性子像素电极124a的平均电位根据辅助电容信号电压VLcsb而下降，子像素Spa的亮度比子像素Spb高。

这样，进行向第n行的像素P的写入。第n行的在行方向上相邻的像素的极性彼此反转。此外，仅与和第n行像素P对应的两个CS配线Lcsa、Lcsb中的一个CS配线对应的子像素Spa成为亮子像素，与该两个CS配线Lcsa、Lcsb均对应的子像素Spb成为暗子像素。

接着，说明向第n+1行像素P的写入。此处，特别着眼于第n+1行第m列和第n+1行第m+1列的像素P。

被供给至栅极配线Lgn+1的栅极信号电压从断开电压变化为导通电压，由此，第n+1行第m列、第n+1行第m+1列的TFT130a、130b成为导通状态。这样，当第n+1行的像素被选择时，被供给至源极配线Lsm的源极信号电压被施加至第n+1行第m列的子像素电极124a、124b，被供给至源极配线Lsm+1的源极信号电压被施加至第n+1行第m+1列的子像素电极124a、124b。此处，第n+1行第m列的子像素电极124a、124b的电位比对置电极144的电位低，第n+1行第m+1列的子像素电极124a、124b的电位比对置电极144的电位高。

接着，被供给至栅极配线Lgn+1的栅极信号电压从导通电压变化为断开电压，由此，第n+1行第m列、第n+1行第m+1列的TFT130a、130b变化为断开状态。

之后，被供给至CS配线Lcsc、Lcsd的辅助电容信号电压向不同的方向变化，由此，第n+1行第m列、第n+1行第m+1列的子像素电极124a的电位向不同的方向变化。在第n+1行第m列的像素P，TFT130a变化为断开状态后的辅助电容信号电压VLcsc的最初的变化为下降，子像素电极124a的平均电位下降。此外，被供给至CS配线Lcsc、Lcsd的辅助电容信号电压的不同的影响相抵，由此，与CS配线Lcsc、Lcsd两者均对应的子像素电极124b的平均电位与被供给至源极配线Lsm的源极信号电压对应。由于在负极性子像素电极124a的平均电位下降，子像素Spa的亮度比子像素Spb高。此外，在第n+1行第m+1列的像素P，TFT130a变化为断开状态后的辅助电容信号电压VLcsd的最初的变化为增加，在正极性子像素电极124a的平均电位增加，因此，子像素Spa的亮度比子像素Spb高。

这样，进行向第n+1行的像素P的写入。第n+1行的在行方向上相邻的像素的极性彼此反转，此外，仅与和第n+1行的像素P对应的两个CS配线Lcsc、Lcsd中的一个CS配线对应的子像素Spa成为亮子像素，与该两个CS配线Lcsc、Lcsd均对应的子像素Spb成为暗子像素。

另外，在上述的说明中，子像素Spap的面积比子像素Spb小，被供给至与正极性的子像素Spa对应的CS配线的辅助电容信号的电压的最初的变化为增加，被供给至与负极性的子像素Spa对应的CS配线的辅助电容信号的电压的最初的变化为下降，但是本发明并不仅限于此。例如，也可以子像素Spa的面积比子像素Spb大，被供给至与正极性的子像素Spa对应的CS配线的辅助电容信号的电压的最初的变化为下降，被供给至与负极性的子像素Spa对应的CS配线的辅助电容信号的电压的最初的变化为增加。

此外，在上述的说明中，子像素Spa、Spb中的面积小的子像素为亮子像素，但是本发明并不仅限于此。面积小的子像素也可以为暗子像素。

另外，在图12，第n行第m列和第n+1行第m列的像素的子像素Spa与辅助电容配线Lcsa、Lcsc对应，第n行第m+1列和第n+1行第m+1列的像素的子像素Spa与辅助电容配线Lcsb、Lcsd对应。这样，在图12，与在行方向上相邻的两个像素的子像素Spa对应的辅助电容配线的距离并非一定，但是在液晶显示装置100C，与图6和图10所示的结构相同，与在行方向上相邻的两个像素的子像素Spa对应的辅助电容配线间的距离也可以为大致一定。

(实施方式5)

在上述的液晶显示装置，对各行像素设置有两个CS配线，但是本发明并不仅限于此。

以下，参照图13说明本发明的液晶显示装置的第五实施方式。本实施方式的液晶显示装置100D除了在列方向上相邻的两行像素共有CS配线这方面以外，具有与上述液晶显示装置相同的结构，为了避免冗长而省略重复的说明。另外，在图13，为了避免附图过于复杂而省略对对置基板140的表示，图13与有源矩阵基板120的顶视图对应。

子像素电极124a、124b的沿列方向的长度彼此大致相等，子像素电极124a的沿行方向的长度比子像素电极124b的沿行方向的长度小，子像素Spa的面积比子像素Spb小。子像素Spa、Spb彼此在行方向上相邻，在沿列方向排列的像素P，子像素Spa、Spb分别呈直线状排列。

在液晶显示装置100D，CS配线Lcs设置于在列方向上相邻的两行的像素之间，CS配线Lcs与两行的像素的子像素Spa对应。例如，CS配线Lcsb与和第n+1行第m列的像素的第一子像素Spa对应的辅助电容对置电极EO以及和第n行第m+1列的像素的第一子像素Spa对应的辅助电容对置电极EO两者电连接。因此，两行的像素的子像素电极124a的平均电位根据被供给至CS配线Lcs的辅助电容信号而变化。如上所述，在液晶显示装置100D，在相邻的两行的像素共有一根CS配线，因此能够减少CS配线Lcs的根数，能够实现高开口率。

在液晶显示装置100D，辅助电容对置电极EO与CS配线Lcs连续地设置成一体，构成辅助电容对置电极EO和CS配线Lcs的导电部件的宽度局部变宽。另外，也可以辅助电容对置电极EO以被包括在CS配线Lcs中的方式设置，导电部件的宽度为一定。

液晶显示装置100D的向像素P的写入如以下那样进行。此处，着眼于第n行第m列、第n行第m+1列、第n+1行第m列、第n+1行第m+1列的像素P。

首先，被供给至第n行栅极配线Lgn的栅极信号电压变化为导通电压，由此，第n行第m列的TFT130a、130b成为导通状态。这样，当第n行的像素被选择时，被供给至源极配线Lsm、Lsm+1的源极信号电压被施加至第n行第m列、第n行第m+1列的子像素电极124a、124b。然后，被供给至栅极配线Lgn的栅极信号电压从导通电压变化为断开电压，由此，TFT130a、130b变化为断开状态。另外，如上所述，子像素电极124a、124b的电位由于馈通现象而彼此下降。

在第n行的TFT130a、130b变化为断开状态后，被供给至CS配线Lcsa、Lcsb的辅助电容信号电压发生变化，由此，子像素电极124a的电位发生变化。另外，被供给至CS配线Lcsa的辅助电容信号电压既可以在被供给至后述的第n+1行的栅极配线Lgn+1的栅极信号电压从断开电压变化为导通电压的时刻之前变化，也可以在该时刻之后变化。不过，被供给至CS配线Lcsb的辅助电容信号电压在被供给至后述的第n+1行的栅极配线Lgn+1的栅极信号电压从断开电压变化为导通电压后变化。

例如，在第n行第m列的子像素电极124a、124b的电位比对置电极144的电位高的情况下，在TFT130a、130b变化为断开状态后，如果被供给至CS配线Lcsa的辅助电容信号电压的最初的变化为增加，则子像素电极124a的平均电位增加，子像素Spa的亮度比子像素Spb高。相反，如果被供给至CS配线Lcsa的辅助电容信号电压的最初的变化为下降，则子像素电极124a的平均电位下降，子像素Spb的亮度比子像素Spa高。

此外，在第n行第m列的子像素电极124a、124b的电位比对置电极144的电位低的情况下，在TFT130a、130b变化为断开状态后，如果被供给至CS配线Lcsa的辅助电容信号电压的最初的变化为增加，则子像素电极124a的平均电位增加，子像素Spb的亮度比子像素Spa高。相反，如果被供给至CS配线Lcsa的辅助电容信号电压的最初的变化为下降，则子像素电极124a的平均电位下降，子像素Spa的亮度比子像素Spb高。

接着，被供给至第n+1行的栅极配线Lgn+1的栅极信号电压变化为导通电压，与该栅极配线Lgn+1对应的TFT130a、130b成为导通状态。这样当第n+1行的像素被选择时，被供给至源极配线Lsm、Lsm+1的源极信号电压被施加至第n+1行第m列、第n+1行第m+1列的子像素电极124a、124b。例如，在第n行第m列的子像素电极124a、124b的电位比对置电极144的电位高的情况下，在第n+1行第m列的子像素电极124a、124b被施加比对置电极144的电位低的源极信号电压。

然后，被供给至栅极配线Lgn+1的栅极信号电压从导通电压变化为断开电压，由此，第n+1行第m列的TFT130a、130b变化为断开状态。

之后，被供给至CS配线Lcsb、Lcsc的辅助电容信号电压发生变化，子像素电极124a、124b的电位根据辅助电容信号电压的变化而变化。被供给至CS配线Lcsb的辅助电容信号电压既可以在被供给至此处未图示的第n+2行的栅极配线Lgn+2的栅极信号电压从断开电压变化为导通电压的时刻之前变化，也可以在该时刻之后变化。不过，被供给至CS配线Lcsc的电压在被供给至第n+2行的栅极配线Lgn+2的栅极信号电压从断开电压变化为导通电压的时刻之后变化。

在图14表示液晶显示装置100D的等效电路图。在图14表示多个像素P的等效电路。在图14，将与第m列～第m+2列的像素对应的源极配线表示为Lsm～Lsm+2，将与第n行～第n+4行像素对应的栅极配线表示为Lgn～Lgn+4。此外，从辅助电容主干线Ltcsa、Ltcsb分别延伸的CS配线表示为CS配线Lcsa、Lcsb。

图14所示的液晶显示装置100D例如如以下那样被驱动。在图15表示液晶显示装置100D的电压波形图。在图15，VLsm表示以由虚线表示的对置电极144的电压为基准的、被供给至源极配线Lsm的源极信号的电压波形，VLgn～VLgn+4表示被供给至栅极配线Lgn～Lgn+4的栅极信号的电压波形，VLcsa、VLcsb表示被供给至CS配线Lcsa、Lcsb的辅助电容信号的电压波形。此外，VCLa_m、n～VCLa_m、n+4分别表示以对置电极144的电位为基准的第n行第m列～第n+4行第m列的像素P的子像素电极124a的电位，VCLb_m、n～VCLb_m、n+4分别表示以对置电极144的电位为基准的第n行第m列～第n+4行第m列的像素P的子像素电极124b的电位。另外，为了避免说明变得过于复杂，此处，令输入信号的所有像素的灰度等级水平相同。

此处，被供给至辅助电容主干线Ltcsa、Ltcsb的辅助电容信号电压VLcsa、VLcsb均为包含占空比为1∶1的矩形波的振荡电压，振荡的周期均为水平扫描期间的1倍时间(1H)。此外，如果着眼于辅助电容信号电压VLcsa、VLcsb，则辅助电容信号电压VLcsb的相位比辅助电容信号电压VLcsa迟0.5H时间。

以下，参照图14和图15，说明液晶显示装置100D的向像素P的写入。首先，说明向第n行像素P的写入。此处，特别着眼于第n行第m列和第n行第m+1列的像素P。

被供给至第n行的栅极配线Lgn的栅极信号电压从断开电压变化为导通电压，由此，第n行第m列、第n行第m+1列的TFT130a、130b成为导通状态。这样一来第n行的像素被选择时，被供给至源极配线Lsm的源极信号电压被施加至第n行第m列的子像素电极124a、124b，被供给至源极配线Lsm+1的源极信号电压被施加至第n行第m+1列的子像素电极124a、124b。被供给至源极配线Lsm的源极信号电压比对置电极144高，此外，虽然在图15中未图示，但是被供给至源极配线Lsm+1的源极信号电压比对置电极144低。这样，在行方向上相邻的像素P的极性彼此不同。

然后，被供给至栅极配线Lgn的栅极信号电压从导通电压变化为断开电压，由此，第n行第m列、第n行第m+1列的TFT130a、130b变化为断开状态。严密而言，在紧随TFT130a、130b变化为断开状态之后，子像素电极124a、124b的电位因由TFT130a、130b所具有的寄生电容等的影响引起的馈通现象而大致下降相同的量。

在TFT130a、130b变化为断开状态之后，被供给至CS配线Lcsa、Lcsb的辅助电容信号电压VLcsa、VLcsb向不同的方向变化，由此，子像素电极124a的电位发生变化。

在第n行第m列的像素P，TFT130a、130b变化为断开状态后的辅助电容信号电压VLcsa的最初的变化为增加，由于在正极性子像素电极124a的平均电位增加，子像素Spa的亮度比子像素Spb高。此外，在第n行第m+1列的像素P，TFT130a、130b变化为断开状态后的辅助电容信号电压VLcsb的最初的变化为下降，由于在负极性子像素电极124a的平均电位下降，子像素Spa的亮度比子像素Spb高。

这样，进行向第n行像素P的写入。第n行的在行方向上相邻的像素的极性彼此反转，第n行的在行方向上相邻的像素的子像素的明暗关系彼此反转。

接着，说明向第n+1行的像素P的写入。此处，特别着眼于第n+1行第m列和第n+1行第m+1列的像素P。被供给至第n+1行的栅极配线Lgn+1的栅极信号电压从断开电压变化为导通电压，由此，第n+1行第m列、第n+1行第m+1列的TFT130a、130b成为导通状态。这样一来第n+1行像素被选择时，被供给至源极配线Lsm的源极信号电压被施加至第n+1行第m列的子像素电极124a、124b，被供给至源极配线Lsm+1的源极信号电压被施加至第n+1行第m+1列的子像素电极124a、124b。另外，第n+1行第m列的像素P的极性与第n+1行第m+1列的像素P的极性不同。此外，第n+1行第m列的像素P的极性与第n行第m列的像素P的极性不同，第n+1行第m+1列的像素P的极性与第n行第m+1列的像素P的极性不同。

之后，被供给至栅极配线Lgn+1的栅极信号电压从导通电压变化为断开电压，由此，第n+1行第m列、第n+1行第m+1列的TFT130a、130b变化为断开状态。在TFT130a、130b变化为断开状态后，被供给至CS配线Lcsb、Lcsa的辅助电容信号电压VLcsb、VLcsa向不同的方向变化。

在第n+1行第m列的像素P，TFT130a、130b变化为断开状态后的辅助电容信号电压VLcsb的最初的变化为下降，子像素电极124a的平均电位下降。在负极性子像素电极124a的平均电位下降，因此子像素Spa的亮度比子像素Spb高。此外，在第n+1行第m+1列的像素P，TFT130a、130b变化为断开状态后的辅助电容信号电压VLcsa的最初的变化为增加，子像素电极124a的平均电位增加。在正极性子像素电极124a的平均电位增加，因此子像素Spa的亮度比子像素Spb高。

这样，进行向第n+1行的像素P的写入。第n+1行的在行方向上相邻的像素的极性彼此反转，此外，第n+1行的在行方向上相邻的像素的子像素的明暗关系彼此反转。同样地进行向第n+2行以后的像素P的写入。

这样，在液晶显示装置100D，在行方向上和列方向上相邻的像素的极性彼此不同，在斜方向上相邻的像素的极性彼此相等。例如，第n行第m列、第n+1行第m+1列的像素的极性为正，第n+1行第m列、第n行第m+1列的像素的极性为负。此外，在行方向和列方向上相邻的子像素的明暗关系彼此不同，亮子像素在斜方向上相邻。

在图16表示图15所示的垂直扫描期间的下一垂直扫描期间(场期间或帧期间)的电压波形图。

由图15和图16的比较能够理解到，被供给至源极配线Ls的源极信号电压的极性与之前的垂直扫描期间相比反转。因此，能够抑制显示的残影。此外，被供给至CS配线Lcsa、Lcsb的辅助电容信号电压的相位与之前的垂直扫描期间相比反转。这样，源极信号电压的极性和辅助电容信号电压的相位均反转，由此，在该垂直扫描期间也为如下情形：子像素Spa是亮子像素，子像素Spb是暗子像素。

另外，在上述的说明中，被供给至CS配线的辅助电容信号为包括占空比为1∶1的矩形波的振荡电压，但是本发明并不仅限于此。也可以使用占空比为1∶1以外的矩形波，甚至使用正弦波或三角波等振荡电压。在与多个子像素连接的TFT成为断开状态后，被供给至多个子像素中的各个子像素的辅助电容对置电极的电压发生变化，其变化量根据子像素的不同而不同即可。

另外，在参照图15和图16进行的说明中，向两个辅助电容主干线供给振荡周期1H不同的辅助电容信号，但是本发明并不仅限于此。也可以向四个辅助电容主干线供给振荡周期8H不同的辅助电容信号，或者，也可以向六个辅助电容主干线供给振荡周期12H不同的辅助电容信号。这样，也可以向N个(N为2以上的偶数)辅助电容主干线供给振荡周期(2×N)×K×H(K为正整数)不同的辅助电容信号。

(实施方式6)

以下，参照图17和图18，说明本发明的液晶显示装置的第六实施方式。

在图17(a)表示本实施方式的液晶显示装置100E的示意图。本实施方式的液晶显示装置100E除了设置有取向维持层并且子像素电极具有细微狭缝构造这方面以外，具有与上述的液晶显示装置相同的结构，为了避免冗长而省略重复的说明。

液晶显示装置100E包括有源矩阵基板120、对置基板140和液晶层160。有源矩阵基板120具有绝缘基板122、像素电极124和取向膜126，对置电极140具有透明绝缘基板142、对置电极144和取向膜146。此外，液晶显示装置100E还包括设置在取向膜126与液晶层160之间的取向维持层162和设置在取向膜146与液晶层160之间的取向维持层164。另外，在图17(a)，取向维持层162、164表示成覆盖取向膜126、146的整个面的膜状，但是取向维持层162、164也可以不以覆盖取向膜126、146的整个面的方式设置，还可以设置成岛状。取向维持层162、164利用Polymer Sustained Alignment Technology(以下称为“PSA技术”)形成，这样的液晶显示装置100E也称为PSA模式。

另外，PSA技术例如在日本特开2002-357830号公报、日本特开2003-177418号公报、日本特开2006-78968号公报、K.Hanaoka et al.“A New MVA-LCD by Polymer Sustained Alignment Technology”，SID04 DIGEST 1200-1203(2004)中有所公开。将这四个文献的公开内容均引入本说明书以供参考。

PSA技术通过在液晶材料中混入少量的聚合性化合物(例如光聚合性单体或低聚体)、在组装成液晶面板后以向液晶层施加有规定的电压的状态对聚合性化合物照射活性能量线(活性能量射线)(例如紫外线)而生成聚合体，由此控制液晶分子的预倾方向的技术。生成聚合体时的液晶分子的取向状态在撤去(断开)电压后(不施加电压的状态)也被维持(存储)。此处，将以聚合体形成的层称为取向维持层。取向维持层在取向膜的表面(液晶层一侧)形成，但是并不必须为覆盖取向膜的表面的形状，也可以为分散地存在的聚合体微粒。

PSA技术能够通过控制在液晶层形成的电场等来调整液晶分子的预倾范围和预倾角度。此外，通过取向维持层，在与液晶层接触的几乎整个面显示出取向限制力，因此响应特性优异。

在图17(b)表示液晶显示装置100E的示意的顶视图。在图18表示液晶显示装置100E的一个像素的示意性放大图。另外，在图17(b)和图18，详细地表示具有细微狭缝构造的子像素电极124a、124b，如果省略子像素电极124a、124b，则该示意图与图12所示的图相同，液晶显示装置100E的等效电路与图11相同。

在液晶显示装置100E，在子像素Spa设置有与TFT130a的漏极以及子像素电极124a电连接的辅助电容电极EC。此外，与辅助电容电极EC形成辅助电容的辅助电容对置电极EO，与CS配线Lcs电连接。此外，在子像素Spb设置有与TFT130b的漏极以及子像素124b电连接的辅助电容电极ECb1，此外，设置有与子像素电极124b电连接的辅助电容电极ECb2。

TFT130a的漏极经漏极电极Ed与辅助电容电极EC电连接，子像素电极124a经设置在绝缘层的接触孔与辅助电容电极EC电连接。辅助电容电极EC以与CS配线Lcsa重叠的方式设置，在辅助电容电极EC与CS配线Lcsa之间形成辅助电容CC。

TFT130b的漏极经漏极电极Edb与辅助电容电极ECb1以及子像素电极124b电连接。辅助电容电极ECb1以与CS配线Lcsa重叠的方式设置，在辅助电容电极ECb1与CS配线Lcsa之间形成辅助电容CCb1。此外，隔着绝缘层与子像素电极124b电连接的辅助电容电极ECb2以与CS配线Lcsb重叠的方式设置，在辅助电容电极ECb2与CS配线Lcsb之间形成辅助电容CCb2。

如图17(b)和图18所示，在液晶显示装置100E，子像素电极124a具有：以向与一对偏光板的偏光轴平行的方向延伸的方式配置的主干部124s1～124s4；和从主干部124s1～124s4向斜方向延伸的多个支部124t1～124t4。此外，子像素电极124b具有：以向与一对偏光板的偏光轴平行的方向延伸的方式配置的主干部124u1～124u4；和从主干部124u1～124u4向斜方向延伸的多个支部124v1～124v4。

具体而言，主干部124s1、124s3、124u1、124u3沿列方向延伸，主干部124s2、124s2、124u2、124u4沿行方向延伸。支部124t1、124t2分别从主干部124s1、124s2向135°、225°方位延伸，支部124t3、124t4分别从主干部124s3、124s4向45°、315°方位延伸。此处，方位以显示画面(纸面)的水平方向(左右方向)为方位角方向的基准、以左旋为正(如果将显示面比喻为时钟的表盘则以三点钟方向为方位角0°，以逆时针旋转为正)来表示。此外，支部124v1、124v2分别从主干部124u1、124u2向45°、315°方位延伸，支部124v3、124v4分别从主干部124u3、124u4向135°、225°方位延伸。

主干部124s1经支部124t3与主干部124s3电连接，主干部124u1经支部124v2与主干部124u3电连接。主干部124s1、124u1彼此相邻地配置，主干部124s2、124u2分别与在行方向上相邻的另一像素的主干部124u3、124s3相邻。

垂直取向型的液晶层的液晶分子由于来自主干部124s～124u4和支部124t1～124v4的斜电场而向各自的支部124t1～124v4延伸的方位倾斜。这是因为，来自彼此平行地延伸的支部124t1～124v4的斜电场以使液晶分子向与支部124t1～124v4延伸的方向垂直的方位倾斜的方式发挥作用，来自主干部124s1～124u4的斜电场以使液晶分子向各自的支部124t1～124v4延伸的方位倾斜的方式发挥作用。如果使用PSA技术，则能够使在向液晶层施加电压时形成的、液晶分子的上述取向稳定。在液晶显示装置100E，CS配线Lcs以与不同的液晶畴的边界重叠的方式配置，由此，开口率的实质的下降得到抑制。

另外，如上所述，在细微狭缝构造的液晶显示装置100E，子像素Spb具有两个辅助电容CCb1、CCb2，但是本发明并不仅限于此。子像素Spb也可以不具有辅助电容，具有细微狭缝构造的液晶显示装置的等效电路也可以与图5或图7所示的等效电路相同。

(实施方式7)

以下，参照图19和图20说明本发明的液晶显示装置的第七实施方式。在本实施方式的液晶显示装置100F，除了取向膜赋予液晶分子以预倾(预倾斜)这方面以外，具有与上述的液晶显示装置相同的结构，为了避免冗长而省略重复的说明。例如，液晶显示装置100F的等效电路与图14相同。

在图19(a)表示液晶显示装置100F的示意图。在液晶显示装置100F，有源矩阵基板120具有覆盖设置在绝缘基板122上的像素电极124的取向膜126，对置基板140具有覆盖设置在透明绝缘基板142上的对置电极144的取向膜146。此处，取向膜126、146是相对于垂直取向膜的表面以使得液晶分子的预倾角成为不足90°的方式被处理而得到的取向膜。预倾角是取向膜126和取向膜146的主面与被规定在预倾方向的液晶分子的长轴所形成的角度。通过取向膜126和取向膜146，分别规定液晶分子的预倾方向。

作为形成这样的取向膜的方法，已知有进行摩擦处理的方法、进行光取向处理的方法、在取向膜的基底预先形成细微的结构使其细微结构反映在取向膜的表面的方法，或者通过斜向蒸镀SiO等无机物质形成在表面具有细微的结构的取向膜的方法等。不过，基于量产性的观点，优选摩擦处理或光取向膜处理。特别是光取向处理因为非接触地进行取向处理所以不会如摩擦处理那样产生由摩擦引起的静电，能够提高成品率。进一步，如国际公开第2006/121220号中记载的那样，通过使用含有感光性基的光取向膜，能够将预倾角的参差不齐控制在1°以下。作为感光性基，优选包括选自4-查耳酮基、4’-查耳酮基、香豆素基和肉桂酰基的至少一个感光性基。

液晶层160是垂直取向型，具有负的介电常数各向异性的液晶分子。由于取向膜126和取向膜146，其附近的液晶分子从取向膜主面的法线方向稍倾斜。另外，此处，液晶层160不具有手性剂，当对液晶层160施加电压时，液晶层160内的液晶分子遵从取向膜126、146的取向限制力取扭转取向。另外，也可以根据需要对液晶层160添加手性剂。

图19(b)是液晶显示装置100F的示意图。另外，图19(b)为了避免附图过于复杂而省略对对置基板140的表示，图19(b)与有源矩阵基板120的顶视图对应。

在液晶显示装置100F，典型的是，设置有具有使液晶分子的预倾方位反向平行地不同的区域的取向膜126、146，一对取向膜126、146以使得彼此相对的各区域的预倾方位大致正交的方式配置。取向膜126、146附近的液晶分子相对于取向膜126、146的主面的法线方向稍倾斜。此外，在液晶显示装置100F，栅极配线Lg以与不同的液晶畴的边界重叠的方式配置。

另外，在图19(b)，示意地表示从观察者一侧看时的液晶分子的取向方向。表示圆柱状的液晶分子的端部(大致圆形的部分)朝向观察者的方式倾斜的情况，液晶分子的相对于取向膜126、146的主面的法线方向的倾斜很小(即，倾斜角比较大)。如上所述，预倾角例如为85°以上不足90°。

在液晶显示装置100F，在子像素Spa，四个液晶畴在列方向上呈直线状排列。在以下的说明中，将四个液晶畴从+y方向向-y方向依次称为子像素Spa的第一液晶畴～第四液晶畴Spa1～Spa4。同样，子像素Spb在列方向上呈直线状形成四个液晶畴。在以下的说明中，将四个液晶畴从+y方向向-y方向依次称为子像素Spb的第一液晶畴～第四液晶畴Spb1～Spb4。

对于子像素Spa、Spb中的各个子像素，四个液晶畴Spa1～Spa4、Spb1～Spb4各自的中央的液晶分子的取向方向彼此不同。第一液晶畴～第四液晶畴Spa1～Spa4、Spb1～Spb4各自的中央的液晶分子的取向方向成为由取向膜126导致的液晶分子的预倾方向与由取向膜146导致的液晶分子的预倾方向的中间的方向。在本说明书中，将液晶畴的中央的液晶分子的取向方向称为基准取向方向，将基准取向方向中的沿液晶分子的长轴从背面朝向前面的方向的方位角成分(即，将基准取向方向投影在取向膜126或取向膜146的主面后的方位角成分)称为基准取向方位。基准取向方位赋予对应的液晶畴以特征，对各液晶畴的视野角特性施加支配性的影响。此处，如果以显示画面(纸面)的水平方向(左右方向)为方位角方向的基准、以左旋为正(如果将显示面比喻为时钟的表盘则以三点钟方向为方位角0°，以逆时针旋转为正)，则以第一液晶畴～第四液晶畴的基准取向方位成为任意两个方位的差大致等于90°的整数倍的四个方位的方式设定。具体而言，子像素Spa的第一液晶畴～第四液晶畴Spa1～Spa4的基准取向方位分别为315°、225°、135°、45°，子像素Spb的第一液晶畴～第四液晶畴Spb1～Spb4的基准取向方位分别为225°、315°、45°、135°。在液晶显示装置100F，在子像素Spa、Spb中的各个子像素，第一液晶畴～第四液晶畴中相邻的液晶畴的基准取向方位大致相差90°，由此，暗线的宽度比较小。

此处，以隔着液晶层彼此相对的方式配置的一对偏光板的偏光轴(透过轴)以彼此正交的方式设置，一个偏光板的偏光轴配置在水平方向，另一个偏光板的偏光轴配置在垂直方向。只要没有特别提示，偏光板的偏光轴的配置就与此相同。上述四个液晶畴的四个基准取向方位均为与一对偏光板的偏光轴的方位成大致45°的角的方位。

图20(a)是表示液晶显示装置100F的取向膜126附近的液晶分子的倾斜方位的示意图，图20(b)是表示取向膜146附近的液晶分子的倾斜方位的示意图，图20(c)是表示子像素Spa、子像素Spb的液晶畴的取向方向的示意图。

在图20(a)，箭头dα、dβ表示从取向膜126的主面一侧看时取向膜126附近的液晶分子从取向膜126的主面的法线倾斜的方向。取向膜126具有：对附近的液晶分子赋予从主面的法线向-y方向倾斜的预倾的区域126α；和对附近的液晶分子赋予从主面的法线向+y方向倾斜的预倾的区域126β。如果着眼于子像素电极124a、124b与取向膜126的关系，则区域126α以与子像素电极124a、124b的+y方向一侧的区域重叠的方式设置，区域126β以与子像素电极124a、124b的-y方向一侧的区域重叠的方式设置。

另外，子像素电极124a为矩形，子像素电极124a具有四个边缘124a1～124a4。边缘124a1、124a3沿y方向延伸，边缘124b2、124b4沿x方向延伸。同样，子像素电极124b为矩形，子像素电极124b具有四个边缘124b1～124b4。边缘124b1、124b3沿y方向延伸，边缘124b2、124b4沿x方向延伸。

在图20(b)，箭头uα、uβ表示从取向膜146的主面一侧看时取向膜146附近的液晶分子从取向膜146的主面的法线倾斜的方向。在图20(b)，以虚线表示子像素电极124a、124b。

取向膜146具有：对附近的液晶分子赋予从主面的法线向-x方向倾斜的预倾的区域146α；和对附近的液晶分子赋予从主面的法线向+x方向倾斜的预倾的区域146β。如果着眼于子像素电极124a与取向膜146的关系，则区域146α以与子像素电极124a的端部重叠的方式设置，在区域146α之间设置有区域146β。此外，如果着眼于子像素电极124b与取向膜146的关系，则区域146β以与子像素电极124b的端部重叠的方式设置，在区域146β之间设置有区域146α。

例如，取向膜126、146如以下那样形成。在使光取向膜材料沉积后，利用光掩模，在以特定的区域为掩模的状态从相对于取向膜的主面的法线向特定的方向倾斜的方向照射直线偏光，之后，相对于取向膜使光掩模偏移规定的距离，在以另外的区域为掩模的状态从与取向膜的主面的法线向反向平行的方向倾斜的方向照射直线偏光。在使用某种材料作为光取向膜材料的情况下，取向膜126、146附近的液晶分子向与紫外光的入射方向平行的方向倾斜。此外，在使用其它材料作为光取向膜材料的情况下，取向膜126、146附近的液晶分子向与紫外光的入射方向正交的方向倾斜。另外，在液晶显示装置100F，在取向膜126，区域126α、126β的沿列方向的长度为像素的列方向的长度的一半，比较大。因此，能够使用能够比较简便地制作的曝光掩模进行光取向处理。

在图20(c)，示意地表示从观察者一侧看时的、子像素Spa、Spb的第一液晶畴～第四液晶畴Spa1～Spa4、Spb1～Spb4的液晶分子的取向方向。在子像素Spa，被取向膜126、146的区域126α、146α夹着的部分为第一液晶畴Spa1，被区域126α、146β夹着的部分为第二液晶畴Spa2，被区域126β、146β夹着的部分为第三液晶畴Spa3，被区域126β、146α夹着的部分为第四液晶畴Spa4。此外，在子像素Spb，被取向膜126、146的区域126α、146β夹着的部分为第一液晶畴Spb1，被取向膜126、146的区域126α、146α夹着的部分为第二液晶畴Spb2，被取向膜126、146的区域126β、146α夹着的部分为第三液晶畴Spb3，被取向膜126、146的区域126β、146β夹着的部分为第四液晶畴Spb4。另外，在液晶畴Spa1～Spb4中的各个液晶畴，区域126α、126β的液晶分子的倾斜方位与区域146α、146β的液晶分子的倾斜方位相差大致90°。

另外，如上所述，整个液晶畴的液晶分子的取向方向由基准取向方位表示，但是子像素电极的边缘(edge)的附近的液晶分子的取向方向受到斜电场的影响。在子像素电极的边缘的附近生成的斜电场与各自的边缘正交，使具有朝向子像素电极的内侧的方向(方位角方向)的成分的取向限制力施加至液晶分子。子像素电极的边缘包括与水平方向平行的两个边缘和与垂直方向平行的两个边缘。即，子像素电极具有与一对偏光板的偏光轴中的一个偏光板的偏光轴平行的两个边缘和与一对偏光板的偏光轴中的另一个偏光板的偏光轴平行的两个边缘。另外，子像素电极也可以除这四个边缘之外还具有与这些边缘中的任一个边缘均不平行的边缘。

如果液晶畴的基准取向方位与由子像素电极的边缘的附近生成的斜电场产生的取向限制力的方位形成超过90°的角，则边缘附近的液晶分子的取向紊乱。产生这样的液晶分子的取向紊乱的结果是，在正面观看时，在子像素电极的边缘的内侧与边缘大致平行地形成比要显示的中间灰度暗的区域，并作为暗线被看到。关于形成该暗线的现象，在本说明书中援引国际公开第2006/132369号的全部公开内容以供参考。

在图20(c)所示的子像素Spa和Spb，在子像素电极124a、124b的边缘124a1～124a4和124b1～124b4中的、由在边缘附近生成的斜电场形成的取向限制力的方位与第一液晶畴～第四液晶畴Spa1～Spa4、Spb1～Spb4的基准取向方位形成的角度超过90°的边缘的内侧，形成与边缘大致平行的暗线。另外，边缘(与水平方向或垂直方向平行)与基准取向方位形成超过0°不足90°的角度。在利用液晶层的双折射的显示模式，基准取向方位需要以与正交尼科尔配置的一对偏光板的偏光轴中的任一偏光板的偏光轴均不平行的方式设定，典型的是，如例示那样，基准取向方位与一对偏光板的偏光轴的方位形成大致45°的角。

具体而言，在子像素Spa，在液晶畴Spa1中的子像素电极124a的边缘124a1的内侧部分、液晶畴Spa2中的子像素电极124a的边缘124a3的内侧部分、液晶畴Spa3中的子像素电极124a的边缘124a3的内侧部分和液晶畴Spa4中的子像素电极124a的边缘124a1的内侧部分产生暗线。此外，在子像素Spb，在液晶畴Spb1中的子像素电极124b的边缘124b3的内侧部分、液晶畴Spb2中的子像素电极124b的边缘124b1的内侧部分、液晶畴Spb3中的子像素电极124b的边缘124b1的内侧部分、液晶畴Spb4中的子像素电极124b的边缘124b3的内侧部分产生暗线。

在液晶显示装置100F，为了抑制暗线被看到而利用TFT130a的漏极和与辅助电容电极EC连接的漏极电极Ed，该辅助电容电极EC与CS配线Lcs对应。具体而言，在第n行第m列的像素P，漏极电极Ed1以不仅与属于同一像素P的子像素Spa、Spb之间重叠而且与子像素电极124a的边缘124a1的内侧重叠的方式设置。因此，能够抑制液晶畴Spa1中的在子像素电极124a的边缘124a1的内侧出现的暗线被看到。此外，在第n行第m+1列的像素P，TFT130a的漏极和与辅助电容电极EC连接的漏极电极Ed2以不仅与属于同一像素P的子像素Spa、Spb之间重叠而且与子像素电极124a的边缘124a1的内侧重叠的方式设置。因此，能够抑制液晶畴Spa4中的在子像素电极124a的边缘124a1的内侧出现的暗线被看到。这样，在子像素Spa，TFT130a的漏极和与辅助电容电极EC连接的漏极电极Ed1、Ed2以与子像素电极124a的边缘124a1的内侧重叠的方式设置，抑制暗线被看到。

(实施方式8)

在参照图19和图20说明的上述液晶显示装置100F，在一个取向膜，在行方向上相邻的子像素的区域设置有预倾方位不同的区域，但是本发明并不仅限于此。

以下，参照图21和图22，说明本发明的液晶显示装置的第八实施方式。在本实施方式的液晶显示装置100G，除了在相邻的子像素连续地设置有取向区域且漏极电极Ed弯曲这方面以外，具有与上述液晶显示装置100F相同的结构，为了避免冗长而省略重复的说明。例如，液晶显示装置100G的等效电路与图14相同。

图21是本实施方式的液晶显示装置100G的示意图。在第n行第m列的像素P，漏极电极Ed1与液晶畴Spa1中的边缘124a1的内侧重叠并且以与液晶畴Spa2中的边缘124a1的内侧不重叠的方式弯曲。在第n+1行第m列的像素P，漏极电极Ed2与液晶畴Spa4中的边缘124a1的内侧重叠并且以与液晶畴Spa3中的边缘124a1的内侧不重叠的方式弯曲。

图22(a)是表示液晶显示装置100G的取向膜126附近的液晶分子的倾斜方位的示意图，图22(b)是表示取向膜146附近的液晶分子的倾斜方位的示意图，图22(c)是表示子像素Spa、Spb的液晶畴的取向方向的示意图。

在图22(a)，箭头dα、dβ表示从取向膜126的主面一侧看时取向膜126附近的液晶分子从取向膜126的主面的法线倾斜的方向。取向膜126具有：对附近的液晶分子赋予从主面的法线向-y方向倾斜的预倾的区域126α；和对附近的液晶分子赋予从主面的法线向+y方向倾斜的预倾的区域126β。区域126α以与子像素电极124a、124b的+y方向一侧的区域重叠的方式设置，区域126β以与子像素电极124a、124b的-y方向一侧的区域重叠的方式设置。

在图22(b)，箭头uα、uβ表示从取向膜146的主面一侧看时取向膜146附近的液晶分子从取向膜146的主面的法线倾斜的方向。在图22(b)，以虚线表示子像素电极124a、124b。

取向膜146具有：对附近的液晶分子赋予从主面的法线向-x方向倾斜的预倾的区域146α；和对附近的液晶分子赋予从主面的法线向+x方向倾斜的预倾的区域146β。如果着眼于子像素电极124a、124b与取向膜146的关系，则区域146α以与子像素电极124a、124b的端部重叠的方式设置，区域146β设置在区域146α之间。

在液晶显示装置100G，与液晶显示装置100F不同，区域146α跨越子像素电极124a、124b连续地设置，区域146β跨越子像素电极124a、124b连续地设置。因此，在使用光取向处理制作取向膜146的情况下，能够使用能够比较简便地制作的曝光掩模进行取向处理。

另外，在液晶显示装置100G也产生暗线。具体而言，在子像素Spa，在液晶畴Spa1中的子像素电极124a的边缘124a1的内侧部分、液晶畴Spa2中的子像素电极124a的边缘124a3的内侧部分、液晶畴Spa3中的子像素电极124a的边缘124a3的内侧部分和液晶畴Spa4中的子像素电极124a的边缘124a1的内侧部分产生暗线。此外，在子像素Spb，液晶畴Spb1中的子像素电极124b的边缘124b1的内侧部分、液晶畴Spb2中的子像素电极124b的边缘124b3的内侧部分、液晶畴Spb3中的子像素电极124b的边缘124b3的内侧部分、和液晶畴Spb4中的子像素电极124b的边缘124b1的内侧部分产生暗线。

在液晶显示装置100G，为了抑制暗线被看到而利用TFT130a的漏极和与辅助电容电极EC连接的漏极电极Ed，该辅助电容电极EC与CS配线Lcs对应。具体而言，在第n行第m列的像素P，漏极电极Ed1以与液晶畴Spa1中的子像素电极124a的边缘124a1的内侧重叠的方式设置，以与和液晶畴Spa2对应的子像素电极124a与子像素电极124b之间重叠的方式设置。因此，能够抑制液晶畴Spa1中的在子像素电极124a的边缘124a1的内侧出现的暗线被看到。

此外，在第n行第m+1列的像素P，漏极电极Ed2以与子像素Spa的第四液晶畴Spa4中的子像素电极124a的边缘124a1的内侧重叠的方式设置，以与和液晶畴Spa3对应的子像素电极124a与子像素电极124b之间重叠的方式设置。因此，能够抑制液晶畴Spa4中的在子像素电极124a的边缘124a1的内侧出现的暗线被看到。

(实施方式9)

以下，参照图23和图24，说明本发明的液晶显示装置的第九实施方式。图23是本实施方式的液晶显示装置100H的示意图。液晶显示装置100H除了在漏极电极的形状和液晶畴的配置不同这方面以外，具有与上述液晶显示装置100G相同的结构，为了避免冗长而省略重复的说明。例如，液晶显示装置100H的等效电路与图14相同。

在第n行第m列的像素P，漏极电极Ed1与液晶畴Spa2中的边缘124a1的内侧重叠并且以与液晶畴Spa1中的边缘124a1的内侧不重叠的方式弯曲。在第n+1行第m列的像素P，漏极电极Ed2与液晶畴Spa3中的边缘124a1的内侧重叠并且以与液晶畴Spa4中的边缘124a1的内侧不重叠的方式弯曲。

图24(a)是表示液晶显示装置100H的取向膜126附近的液晶分子的倾斜方位的示意图，图24(b)是表示取向膜146附近的液晶分子的倾斜方位的示意图，图24(c)是表示子像素Spa、Spb的液晶畴的取向方向的示意图。

在图24(a)，箭头dα、dβ表示从取向膜126的主面一侧看时取向膜126附近的液晶分子从取向膜126的主面的法线倾斜的方向。取向膜126具有对附近的液晶分子赋予从主面的法线向-y方向倾斜的预倾的区域126α和对附近的液晶分子赋予从主面的法线向+y方向倾斜的预倾的区域126β。区域126α以与子像素电极124a、124b的+y方向一侧的区域重叠的方式设置，区域126β以与子像素电极124a、124b的-y方向一侧的区域重叠的方式设置。

在图24(b)，箭头uα、uβ表示从取向膜146的主面一侧看时取向膜146附近的液晶分子从取向膜146的主面的法线倾斜的方向。在图24(b)，以虚线表示子像素电极124a、124b。

取向膜146具有：对附近的液晶分子赋予从主面的法线向+x方向倾斜的预倾的区域146α；和对附近的液晶分子赋予从主面的法线向-x方向倾斜的预倾的区域146β。如果着眼于子像素电极124a、124b与取向膜146的关系，则区域146α、146β交替地设置，区域146α以与子像素电极124a、124b的端部重叠的方式设置，区域146β设置在区域146α之间。

在液晶显示装置100H，与液晶显示装置100F不同，区域146α跨越子像素电极124a、124b连续地设置，区域146β跨越子像素电极124a、124b连续地设置。因此，在使用光取向处理制作取向膜146的情况下，能够使用能够比较简便地制作的曝光掩模进行取向处理。

在液晶显示装置100H也产生暗线。具体而言，在子像素Spa，在液晶畴Spa1中的子像素电极124a的边缘124a3的内侧部分、液晶畴Spa2中的子像素电极124a的边缘124a1的内侧部分、液晶畴Spa3中的子像素电极124a的边缘124a1的内侧部分和液晶畴Spa4中的子像素电极124a的边缘124a3的内侧部分产生暗线。此外，在子像素Spb，在液晶畴Spb1中的子像素电极124b的边缘124b3的内侧部分、液晶畴Spb2中的子像素电极124b的边缘124b1的内侧部分、液晶畴Spb3中的子像素电极124b的边缘124b1的内侧部分和液晶畴Spb4中的子像素电极124b的边缘124b3的内侧部分产生暗线。

在液晶显示装置100H，为了抑制暗线被看到而利用TFT130a的漏极和与辅助电容电极EC连接的漏极电极Ed，该辅助电容电极EC与CS配线Lcs对应。具体而言，在第n行第m列的像素P，漏极电极Ed1以与子像素Spa的第二液晶畴Spa2中的子像素电极124a的边缘124a1的内侧重叠的方式设置，以与和第一液晶畴Spa1对应的子像素电极124a与子像素电极124b之间重叠的方式设置。因此，能够抑制液晶畴Spa2中的在子像素电极124a的边缘124a1的内侧出现的暗线被看到。

此外，在第n行第m+1列的像素P，漏极电极Ed2以与子像素Spa的第三液晶畴Spa3中的子像素电极124a的边缘124a1的内侧重叠的方式设置，以与和子像素Spa的第四液晶畴Spa4对应的子像素电极124a与子像素电极124b之间重叠的方式设置。因此，能够抑制液晶畴Spa3中的在子像素电极124a的边缘124a1的内侧出现的暗线被看到。

另外，在上述说明中，漏极电极Ed为了遮挡在子像素Spa产生的暗线而以与子像素电极124a的一部分的边缘的内侧重叠的方式设置，但是本发明并不仅限于此。漏极电极Ed也可以为了遮挡在子像素Spb产生的暗线而以与子像素电极124b的一部分的边缘的内侧重叠的方式设置。

另外，在上述参照图19～图24说明的、具有赋予预倾的取向膜126、146的液晶显示装置100F～100H，子像素Spb不具有辅助电容，但是本发明并不仅限于此。子像素Spb也可以具有两个辅助电容CCb1、CCb2，具有赋予预倾的取向膜126、146的液晶显示装置的等效电路也可以与图11所示的等效电路相同。

此外，在上述的说明中，在有源矩阵基板120和对置基板140分别设置有取向膜126、146，但是本发明并不仅限于此。取向膜126、146也可以仅在有源矩阵基板120和对置基板140中的任一个基板设置。

(实施方式10)

在上述的液晶显示装置100～100H，子像素Spa的沿列方向的长度与子像素Spb的沿列方向的长度大致相等，子像素Spa、Spb彼此在行方向设置，但是本发明并不仅限于此。

以下，参照图25说明本发明的液晶显示装置的第十实施方式。在本实施方式的液晶显示装置100J，除了子像素Spa、Spb中的一个子像素的沿列方向的长度与子像素Spa、Spb中的另一个子像素的沿列方向的长度不同这方面以外，具有与上述液晶显示装置100～100H相同的结构，为了避免冗长而省略重复的说明。例如，液晶显示装置100J的等效电路与图5相同。

在液晶显示装置100J，子像素Spb以包围子像素Spa的方式设置。因此，子像素Spb的沿列方向的长度比子像素Spa的沿列方向的长度长。在液晶显示装置100J，像素P的沿列方向的长度由子像素Spb规定。

此处，子像素Spa的面积比子像素Spb小，子像素Spa的亮度比子像素Spb高。在液晶显示装置100J，在像素P的极性为正的情况下，TFT130a、130b变化为断开状态后，被供给至CS配线Lcs的电压的最初的变化为增加。相反，在像素P的极性为负的情况下，TFT130a、130b变化为断开状态后，被供给至CS配线Lcs的电压的最初的变化为下降。

另外，在上述的说明中，子像素Spb包围子像素Spa，但是本发明并不仅限于此。也可以为子像素Spa包围子像素Spb。此外，在这种情况下，通过使子像素Spa的亮度比子像素Spb低，能够有效地进行视野角特性的改善。

另外，在上述的液晶显示装置100J，子像素Spb不具有辅助电容，但是本发明并不仅限于此。子像素Spb也可以具有两个辅助电容CCb1、CCb2。此外，液晶显示装置100J的子像素电极124a、124b也可以具有细微狭缝构造。此外，液晶显示装置100J也可以具备取向维持层162、164。或者，液晶显示装置100J的取向膜126、146也可以对液晶分子赋予预倾。

另外，在上述的说明中，对各种各样的模式的液晶显示装置进行了说明，但是液晶显示装置100～100J也可以为所谓的MVA模式。MVA模式的液晶显示装置，通过将在电极形成的直线状的狭缝和/或在电极的液晶层一侧形成的直线状的电介质突起(肋)、以在从基板的法线方向看时平行且交替的方式配置在隔着液晶层相对的一对基板，从而限制在施加电压时形成的液晶畴的指向矢的方位。

或者，液晶显示装置100～100J也可以为CPA模式。例如，也可以为如下方式：子像素电极124a、124b具有对称性高的形状，通过向液晶层160施加电压，使得各液晶畴的液晶分子轴对称地倾斜取向。

另外，在上述的说明中，液晶显示装置100～100J为垂直取向型，但是本发明并不仅限于此。液晶显示装置也可以为其它模式。

此外，在上述的说明中，各子像素电极124a、124b为矩形，但是本发明并不仅限于此。子像素电极也可以为其它形状。

产业上的可利用性

本发明的液晶显示装置能够改善显示品质。

附图标记的说明

100    液晶显示装置

120    有源矩阵基板

122    绝缘基板

124    像素电极

140    对置基板

142    透明绝缘基板

144    对置电极

Claims (28)

1.一种液晶显示装置，其特征在于：

所述液晶显示装置包括：有源矩阵基板；对置基板；和设置在所述有源矩阵基板与所述对置基板之间的液晶层，

所述液晶显示装置具有呈多行和多列的矩阵状排列的多个像素，

所述多个像素中的各个像素包括第一子像素和第二子像素，

所述像素的沿列方向的长度由所述第一子像素和所述第二子像素中的至少一个子像素规定，

所述有源矩阵基板具有：

多个像素电极，该多个像素电极分别具有规定所述第一子像素的第一子像素电极和规定所述第二子像素的第二子像素电极；

多个第一薄膜晶体管，该多个第一薄膜晶体管分别具有栅极、源极和与所述第一子像素电极电连接的漏极；

多个第二薄膜晶体管，该多个第二薄膜晶体管分别具有栅极、源极和与所述第二子像素电极电连接的漏极；

多个栅极配线，该多个栅极配线分别与所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极电连接；

多个源极配线，该多个源极配线分别与所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极电连接；

多个辅助电容电极，该多个辅助电容电极分别与所述第一子像素电极和所述第一薄膜晶体管的漏极电连接；和

多个辅助电容配线，该多个辅助电容配线分别与多个辅助电容对置电极中的至少一个辅助电容对置电极电连接，该多个辅助电容对置电极与所述多个辅助电容电极分别形成辅助电容，

所述对置基板具有对置电极，

在任意的像素，在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管从断开状态变化为导通状态后，所述第一子像素电极的平均电位从与在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管为导通状态时被供给至所述源极配线的源极信号的电压对应的电位发生变化，所述第二子像素电极的平均电位与在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管为导通状态时被供给至所述源极配线的源极信号的电压对应，

所述第一子像素具有所述辅助电容，

所述第二子像素不具有辅助电容。

2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述多个辅助电容配线包括：与所述多个像素中的在行方向上相邻的两个像素中的一个像素的所述第一子像素对应的第一辅助电容配线；和与该两个像素中的另一个像素的所述第一子像素对应的第二辅助电容配线。

3.如权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述一个像素的极性与所述另一个像素的极性不同。

4.如权利要求2或3所述的液晶显示装置，其特征在于：

在所述相邻的两个像素各自的所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管从导通状态变化为断开状态后，被供给至所述第一辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向与被供给至所述第二辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向不同。

5.如权利要求2或3所述的液晶显示装置，其特征在于：

在被供给至与所述相邻的两个像素各自的所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极电连接的栅极配线的栅极信号的电压变化为断开电压后，被供给至所述第一辅助电容配线和所述第二辅助电容配线的辅助电容信号的电压发生变化。

6.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述多个像素的所述第一子像素中的、所述第一子像素电极的电位比所述对置电极的电位高的所述第一子像素的所述第一子像素电极的电位的变化方向，与所述多个像素的所述第一子像素中的、所述第一子像素电极的电位比所述对置电极的电位低的所述第一子像素的所述第一子像素电极的电位的变化方向不同。

7.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述第一子像素和所述第二子像素中的一个子像素的面积比所述第一子像素和所述第二子像素中的另一个子像素的面积大。

8.如权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述一个子像素的面积为所述另一个子像素的面积的1.5倍以上4倍以下。

9.如权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述一个子像素的亮度比所述另一个子像素的亮度低。

10.如权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述一个子像素是所述第一子像素，

在任意的像素，在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管从导通状态变化为断开状态后，被供给至与所述第一子像素电极的电位比所述对置电极的电位低的所述第一子像素对应的辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向为增加，被供给至与所述第一子像素电极的电位比所述对置电极的电位高的所述第一子像素对应的辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向为减少。

11.如权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述一个子像素是所述第二子像素，

在任意的像素，在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管从导通状态变化为断开状态后，被供给至与所述第一子像素电极的电位比所述对置电极的电位高的所述第一子像素对应的辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向为增加，被供给至与所述第一子像素电极的电位比所述对置电极的电位低的所述第一子像素对应的辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向为减少。

12.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述有源矩阵基板还具有多对辅助电容电极，该多对辅助电容电极中的每一对辅助电容电极与所述第二子像素电极和所述第二薄膜晶体管的所述漏极分别电连接，

所述多对辅助电容电极中的每一对辅助电容电极中的一个电极与辅助电容对置电极形成辅助电容，该辅助电容对置电极与和任意像素的所述第一子像素对应的辅助电容配线电连接，所述多对辅助电容电极中的每一对辅助电容电极中的另一个电极与辅助电容对置电极形成辅助电容，该辅助电容对置电极与和在行方向上与所述任意像素相邻的像素的所述第一子像素对应的辅助电容配线电连接。

13.如权利要求12所述的液晶显示装置，其特征在于：

在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管变化为断开状态后，被供给至与所述一对辅助电容电极中的一个辅助电容电极对应的辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向，和被供给至与所述一对辅助电容电极中的另一个辅助电容电极对应的辅助电容配线的辅助电容信号的电压的最初的变化方向不同。

14.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述多个源极配线分别沿列方向延伸，

所述多个栅极配线分别沿行方向延伸。

15.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述第一子像素和所述第二子像素彼此沿行方向相邻。

16.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

在所述多个像素中的沿列方向排列的像素，所述第一子像素和所述第二子像素分别呈直线状排列。

17.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

在所述多个像素中的沿行方向排列的像素，所述第一子像素和所述第二子像素交替地排列。

18.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述第一子像素和所述第二子像素中的一个子像素以包围所述第一子像素和所述第二子像素中的另一个子像素的周围的方式设置。

19.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述多个像素中的在列方向上相邻的两行的像素的所述第一子像素电极的电位，根据被供给至同一辅助电容配线的辅助电容信号变化。

20.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述第一子像素电极和所述第二子像素电极分别具有：沿行方向和列方向延伸的主干部；和从所述主干部延伸的支部。

21.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述有源矩阵基板和所述对置基板中的至少一个基板还具有取向膜。

22.如权利要求21所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述取向膜包括光取向膜。

23.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述液晶显示装置还包括取向维持层，该取向维持层分别设置在所述有源矩阵基板与所述液晶层之间以及所述对置基板与所述液晶层之间。

24.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述有源矩阵基板还具有多个漏极电极，该多个漏极电极分别与所述第一薄膜晶体管的所述漏极和所述辅助电容电极连接。

25.如权利要求24所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述多个漏极电极中的各个漏极电极按照与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极中的至少一个子像素电极的边缘重叠的方式设置。

26.如权利要求24所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述多个漏极电极中的各个漏极电极与所述液晶层的至少一个液晶畴的液晶分子的基准取向方位与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极中的至少一个子像素电极的边缘交叉的部分重叠。

27.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述第一子像素和所述第二子像素各自具有液晶分子的基准取向方位大致相差90°的整数倍的四个液晶畴。

28.如权利要求27所述的液晶显示装置，其特征在于：

在所述第一子像素和所述第二子像素中的各个子像素，与所述四个液晶畴对应的区域在列方向上呈直线状排列，

所述四个液晶畴中的彼此相邻的两个液晶畴的液晶分子的基准取向方位大致相差90°。