1322450 玫、發明說明： 用 置 裝 示 顯 晶 液 ' 圓 晶 體 導 半 mil 理 3處 域以 領用 術於 技關 之是 屬明 所發 明本 發 基板、記錄碟片用基板或光罩用基板或其他基板的基板處 理方法及其裝置，詳細爲關於用以可藉由一個處理槽進行 前述各種基板的由利用藥液的處理到乾燥等的一連的表面 處理的基板處理方法及基板處理裝置。 【先前技術】 在半導體的製程中，爲了使各種基板之中例如半導體 晶圓（wafer )的表面潔淨，在利用藥液洗淨晶圓表面後，藉 由純水等的處理液進行洗淨，再使用異丙醇（IPA : i sop ropy 1 a 1 coho 1 )等的有機溶劑進行使晶圓乾燥的處理。更具體爲 此處理係由：在利用藥液以及純水洗淨晶圓後，暴露晶圓於 IPA的蒸汽，在晶圓的表面使IPA凝結，藉由此IPA的凝結 ，使到此爲止附著於晶圓的純水與I P A置換，伴隨著此純 水由晶圓的表面流下，沖洗微粒（particle)等的污染物質 之製程，以及之後使IPA蒸發，使晶圓表面乾燥的乾燥製 程構成。在此乾燥製程中，在晶圓的表面水滴即使僅剩一 點點的話，在晶圓表面也會形成有水痕（water mark)，此 水痕與微粒一樣成爲使晶圓的品質惡化的原因。因此，在 半導體的製程中，必須不使這些污染物質等附著於晶圓。 而且，採取這種對策的晶圓等的基板表面處理方法及處理 裝置已多數被考慮實用化，在專利文獻中也有許多被介紹 。（例如參照專利文獻1 ) -7 - 1322450 [專利文獻1] 曰本特開2001-271188號公報（第1圖第5 頁右欄〜第6頁左欄） 前述專利文獻所記載的基板處理裝置係具備一個處理 槽，此處理槽由上部開口的有底箱體與覆蓋其開口的蓋體 構成，箱體的開口係形成在垂直狀態下隔著所需間隔，可 並聯地支持收容多數片晶圓的程度的大小，箱體的深度係 形成在浸漬晶圓成沒入狀時，在其上部側確保有供給惰性 氣體的適宜容積的上部空間的程度之深度。使用此處理槽 進行到達藥液處理，藉由洗淨用純水由晶圓的表面洗掉藥 液的水洗處理，在此水洗處理終了後，藉由有機溶劑的蒸 氣與惰性氣體的混合置換除去附著殘留於晶圓的表面的附 著水的乾燥處理等之處理。 因此，調查在前述晶圓的乾燥製程中的處理槽內的惰 性氣體的流動後，觀察到如第9圖所示的路徑（route)。此 外，第9圖是模式地顯示在處理槽內的惰性氣體的流動的 剖面圖。此基板處理裝置1具備頂面開口的有底箱形的內 槽、包圍此內槽2,的上部外周的外槽22、配設於此外槽 上部的可開關的蓋體23構成的處理槽2。在內槽2,的底部 形成有處理液排出孔212，在此排出孔連接有排氣管5，其 他端連結於真空泵浦（vacuum pump)等。而且，在外槽22 內蒸汽吐出口 8突出，這些蒸汽吐出口 8係連結於蒸汽供 給機構9。再者，在蓋體23的上部安裝有氣體噴射噴嘴4, ，該噴射噴嘴4,係藉由配管4連接於氮氣供給源7» 在此基板處理裝置1中，來自氮氣供給源7的氮氣N2( -8- 1322450 乾燥氣體）若由處理槽2的上部噴射的話，被噴射的氮氣N2 · 朝下方流動，噴射到晶圓集積體W ’，然後從排氣管5排放 到槽外。此時，一部分的噴射氣體由外槽22與蓋體23的間 隙a排放到水槽（s i n k ) 3之外。水槽3之外係大氣壓。而且 ，被噴射到晶圓集積體W ’的氣體如在第9圖的箭頭所示， 碰撞內槽2,的底壁面等而上升，回流到處理槽2內，在此 回流後由排氣管5排放到外面。而且，晶圓集積體W’係藉 由自噴射噴嘴4,直接噴射的氣體以及回流到處理槽2內的 氣體進行表面乾燥。 φ 【發明內容】 但是，在上述專利文獻記載的的基板處理裝置中，乾 燥氣體的一部分在處理槽內一邊回流一邊由排氣管排放到 外面，故在處理槽內的乾燥氣體的流動不爲一定而成爲亂 流狀態。其結果無法朝各個晶圓均勻地供給氮氣，在基板 面發生處理不勻。此處理不勻係乾燥氣體越多亂流狀態越 嚴重，處理不勻也擴大，使穩定的表面處理變成不可能。 而且，也判明因內槽的底部的處理液排出孔爲一個，故乾φ 燥氣體流量多，例如若成爲100L/min左右的話，槽內的亂 流變的劇烈。該亂流的產生源之一也考慮爲處理槽未被區 分爲乾燥處理部與洗淨處理部的緣故。 另一方面，若調查連接有排氣管的排氣處理設備的話 ，得知上述亂流的原因在此排氣處理設備也有。通常來自 基板處理裝置的排氣管係連接於工場內的排氣處理設備。 此排氣處理設備係使用真空泵浦，在此泵浦連接有複數個 -9- 1322450 機器/裝置，總括進行排氣處理的管理。因此，考慮各個機 器/裝置的規格，每一這些機器/裝置的細緻的調整很困難 ’若想實施個別調整，則設備費的上漲無法避免。而且， 在通常的排氣處理設備中，在起動初期或停止時排氣根源 壓力的變動激烈。因此，對於一邊維持高品質一邊處理大 胃m晶圓，必須使此排氣處理設備中的排氣根源壓力的影 響最少，但是在上述基板處理裝置中此調整極爲困難。 近年來，在處理槽內處理的晶圓等的基板爲了提高處 理效率，需在儘可能地保持多數個基板於升降機構的狀態 下插入槽內，依照情況以50〜100片的批（lot )單位使基板 在處理槽內同時被處理。此情形，各基板因以垂直豎起的 姿勢互相平行而支持，故基板間的間距（pitch)成爲數mm 的狹窄。如此在處理槽內藥液處理多量的基板，或者進行 利用純水的漂洗（rinse)處理的情形，需在處理槽內插入多 量的基板下供給處理液給處理槽內部，或置換成其他的處 理液等，惟此時對各基板的處理速度紛亂，或乾燥所需時 間變長，故有微粒等容易發生等的課題。 本發明係考慮如以上的事情，特別是解決在習知例中 的乾燥製程的課題，本發明的第一目的爲提供乾燥氣體可 均勻且穩定地供給到複數片基板集合體的基板處理方法。 本發明的第二目的爲提供在處理大量的基板時，減少 附著於基板的表面的污染物資，且防止因污染造成的良率 (yield)降低的基板處理裝置。 上述目的可藉由以下的手段達成。即本發明的基板處 1322450 理方法，其特徵爲：區分處理槽爲洗淨處理部與乾燥處理部 ，在該兩處理部的接合部形成間隙，使該間隙連通於水槽 ，在基板乾燥時由該洗淨處理部使基板移動到該乾燥處理 部，在形成有該間隙的下方插入多孔板，令該乾燥處理部 的內壓比水槽的內壓高，且該洗淨處理部的內壓比乾燥處 理部的內壓低，用以噴射乾燥氣體到該基板。 如果依照此基板處理方法，在基板乾燥時乾燥氣體在 乾燥處理部中供給到複數片基板的群後，一部分的乾燥氣 體由上述間隙朝水槽，剩餘的通過洗淨處理部，排放到外 部。此時，因乾燥處理部的內壓確實比洗淨處理部的內壓 高，故在乾燥處理部的乾燥氣體的降流（down flow)平順， 藉由乾燥氣體的層流可有效地進行複數片基板的群的表面 處理β 而且，本發明的基板處理方法，其特徵爲：前述洗淨處 理部係在其底部分別獨立配設處理液供給部以及處理液排 出部，在基板洗淨時用以進行以下的（a ) ~ ( d )製程： (a) 、由該處理液供給部供給藥液給該處理槽內，在該 處理槽內貯存藥液的製程； (b) 、在該處理槽內投入浸漬該基板，實施預定時間該 基板的藥液處理的製程； (c) 、在藥液處理的終了後，由該處理液供給部供給洗 淨液，由該處理槽通過該處理液排出部排出該藥液的製程 :以及 (d) 、在排出該藥液後停止該洗淨液的供給的製程。 -11- 1322450 如果依照此基板處理方法，因使用共通的處理槽可進 行藥液、洗淨以及乾燥的一連的處理，故在此一連的處理 中無基板暴露於空氣。因此，基板處理的效率提高，並且 可抑制自然氧化膜的形成以及防止因微粒等造成的污染。 在前述處理液排出部，於該處理液排出部配設排洩 (drain)機構，在基板乾燥時在該洗淨處理部與該乾燥處理 部之間插入多孔板，同時使該排洩機構動作，短時間地使 前述洗淨處理部內的處理液排出，而且，前述多孔板爲設 有複數個預定直徑的小孔的穿孔板（punching plate)較佳 〇 如果依照此基板處理方法，穿孔板的各小孔使乾燥氣 體分散，並且藉由孔口（orifice)效應，可確實地使乾燥處 理部的內壓比洗淨處理部的內壓還高。而且，藉由該排洩 機構的動作，藉由快速大量地使前述洗淨處理部內的處理 液排出’使在乾燥處理部的乾燥氣體的降流平順，藉由乾 燥氣體的層流可有效地進行複數片基板群的表面處理。 本發明的基板處理裝置，其特徵包含：以互相等間距平 行且垂直的姿勢支持應處理的複數片基板的支持裝置； 收容藉由該支持裝置支持的基板的集合體的洗淨處理 槽：以及 覆蓋該洗淨處理槽的上部開口，當作乾燥處理槽而發 揮功能的蓋體，其中 該蓋體具有可收容該基板的集合體的大小，由頂面閉 鎖下部開口的容器構成，在該容器的頂面複數個噴射噴嘴 -12- 1322450 係以略等間隔排列成面狀，各噴射噴嘴孔係朝該基板集合 體而配設，在該蓋體覆蓋該洗淨處理槽的上部開口時，用 以在該洗淨處理槽與該蓋體之間形成有連通於水槽的間隙 ，且在該間隙的下方插入有多孔板。 如果依照此基板處理裝置，在基板乾燥時乾燥氣體在 乾燥處理槽中供給到複數片基板的群後，一部分的乾燥氣 體由上述間隙朝水槽，剩餘的通過洗淨處理槽，排放到外 部。此時，因乾燥處理槽的內壓確實比洗淨處理槽的內壓 高，故在乾燥處理槽的乾燥氣體的降流平順，藉由乾燥氣Φ 體的層流可有效地進行複數片基板群的表面處理。 而且，前述洗淨處理槽具備： 在其底部分別獨立配設的處理液供給部以及處理液排 出部； 連接於該處理液供給部，供給處理液給該處理槽的處 理液供給系配管： 供給藥液給該處理液供給系配管的藥液供給源； 藉由經由該處理液供給系配管，供給洗淨液給該處理φ 槽，且由該處理槽的上部溢出此洗淨液，洗淨該基板的洗 淨液供給裝置：以及 將連接於該處理液排出部，由該處理槽排出的洗淨液 導入到該處理槽的外部的排出配管較佳。 如果依照此構成，因使用共通的處理槽可進行藥液、 洗淨以及乾燥的一連的處理，故在此一連的處理中無基板 暴露於空氣。因此，基板處理的效率提高，並且可抑制自 -13- 1322450 然氧化膜的形成以及防止因微粒等造成的污染。 在前述處理液排出部配設排洩機構，在前述基板集合 體的乾燥時前述多孔板被插入前述洗淨處理槽與前述蓋體 之間，同時使該排洩機構動作，而且，前述複數個噴射噴 嘴係沿著前述基板集合體的外周緣，使該外周緣與各噴嘴 孔的距離大致相等而配設於前述容器的頂面，再者，前述 多孔板爲具有複數個預定直徑的孔的穿孔板較佳。 如果依照此基板處理裝置，可均勻穩定地供給乾燥氣 體到前述基板集合體。 【實施方式】 以下一·邊參照圖面一邊說明本發明的較佳實施形態。 此外，本發明並非限定於圖面所記載者。第1圖是顯示本 發明的一實施形態的基板處理裝置的剖面圖，第2圖是顯 示來自處理槽的一方的側視圖，第3圖是來自他方的側視 圖，第4圖是蓋體的俯視圖（此圖是由蓋體上部透視的俯視 圖），第5圖是第4圖所示的蓋體的側視圖。 參照第1圖，基板處理裝置10係用以處理基板的一例 爲半導體晶圓W的設備。在此所述的處理係指例如利用藥 液餓刻（etching)晶圓W的氫氟酸處理晶圓W的表面之製程 或水洗晶圓W的漂洗處理，以有機溶劑乾燥水洗後的晶圓W 的乾燥處理等。這些一連的處理係在一個處理槽15內連續 進行。 處理槽15如第5圖所示係設置於具有可與其附屬裝 置一起收容的容積的收容室11。附屬裝置爲進行收容室內 -14- 1322450 的空調的空調裝置、對處理槽供給各種處理液的供給源、 晶圓傳送機構等，在圖中這些被省略。處理槽15具備頂面 開口的有底箱形的內槽20、包圍此內槽20的上部外周的外 槽25、覆蓋此內槽20的開口的蓋體30，內外槽20、25係 收容於水槽29內·內外槽20、25係由不易被氫氟酸或IPA 等的有機溶劑腐蝕的材料例如聚氟乙烯叉 (polyfluorovinylidene)等形成。 內槽20係以基板保持具62保持50片左右的大量的大 號晶圓W例如直徑300rarii，具有可浸漬於處理液處理的深度 ，在其底部配設有處理液排出部21以及處理液供給部22。 基板保持具62例如使用晶圓匣盒導件（casset te guide)， 在此晶圓匣盒導件6 2複數片晶圓W係以互相平行等間距且 垂直豎起的狀態被保持。此基板保持具（晶圓匣盒導件）62 係連結於升降機構60，在此升降機構配設有升降裝置61， 藉由此升降裝置61，晶圓匣盒導件62朝上下垂直方向移動 ，進行取出放入到內槽20。第2圖的[Dry Position]係表 示乾燥製程的位置，[Rinse Posit ion]係表示洗淨製程的 位置，在升降裝置61使用例如氣缸（air cylinder)機構。 來自晶圓匣盒導件62的晶圓集合體的取出係藉由移動 機構50來進行。此移動機構50具備連結於機器人（robot) 機構（省略圖示）的複數根把持爪50,、502，藉由這些把持 爪50,、502使晶圓集合體被把持，移動到預定的場所。而 且，處理液排出部21如第2圖所示，由小徑的排出口 2 1 , 與大徑的排出口 2 12構成，大徑的排出口 2 12係當作快速排 1322450 出處理槽內的處理液的排洩機構而發揮功能。小徑的排出 口 21,係排出貯存於內槽20的底部以及管內的處理液。外 槽25係當作接受由內槽20的上部溢出的處理液用的溢流 (over flow)槽而發揮功能。在此外槽25的低位置設有排出 口 25】。 蓋體30如第5圖所示由下部開口上部閉鎖在內部具有 可收容集合多數片晶圓W的晶圓集合體W’的大小的箱狀容 器31構成，此容器31係由不易被氫氟酸或IPA等的有機 溶劑腐蝕的材料形成。此蓋體30係可由移動裝置55(參照 第3圖）朝水平方向移動。此移動裝置55如在第2圖的箭 頭所示，藉由在內槽20的上部使蓋體30朝水平方向移動 ，以堵塞或打開內槽20的開口。即朝垂直方向舉起位於內 槽20上的蓋體30預定距離，朝水平方向移動。然後，朝 垂直方向的下方降下，保持於待機狀態。此蓋體30的移動 係在將晶圓集合體W’傳入到內槽20內以及由內槽20內取 出處理完的晶圓集合體時進行。 而且，箱狀容器31如第5圖所示，在其上部形成有略 拱狀的頂面3 2，在此頂面3 2，噴射惰性氣體的複數個噴射 噴嘴33,〜3 3 7係大致等間隔地排列成四方而配設。複數個 噴嘴33如第4圖所示位於晶圓集合體W，的上方，在行方向 以大致等間隔排列的複數個噴射噴嘴33, ~ 3 3 7在列方向也 大致等間隔地配設有複數列。在第4圖中在行方向排列7 個爲6列’共計42個噴射噴嘴33,〜3 386係配設於晶圓集 合體W’的上部外周緣。行方向中的7個噴射噴嘴33,〜337 一 1 6 — 1322450 與晶圓集合體W，的關係如第5圖所示係使各噴射噴嘴33ι ~337與晶圓集合體W’的外周緣的距離大致相等而配設於頂 面32。藉由形成頂面32爲拱狀，晶圓W因成略圓板狀’故 使上述距離相等變的容易。此頂面的形狀係配合晶圓w的 形狀而變更，使上述距離大致相等較佳" 各噴射噴嘴33連接有氣體供給管3 42，此供給管342 被分歧，在這些分歧管3 421、34 22，各個噴射噴嘴33的個 數相同或結合有大致相等的數目。據此，在各噴射噴嘴可 大致均等地分配氣體。這些各噴射噴嘴33係分別使用噴射春 氣體以預定角度擴散者，在由各噴射噴嘴朝晶圓集合體的 外周緣噴射氣體時，令接鄰的噴射噴嘴例如噴射噴嘴332 與噴射噴嘴3 3 3之間的噴射氣體在晶圓集合體的外周緣b 重疊而設定較佳。藉由如上述排列複數個噴射噴嘴3 3於頂 面32，可大致均勻地供給氣體給晶圓集合體W。 在內外槽20 ' 25與蓋體30之間如第2、3、5圖所示 ，配設有中間連結構件26以及多孔板插入機構27。中間連 結構件26係以具有與蓋體30的下部開口相同大小的開口· 的筒體狀形成。此筒體狀係由不易被氫氟酸或IPA等的有 機溶劑腐蝕的材料形成。此中間連結構件26係配設於多孔 板插入機構27的上方，使下方的開口 262大致對接於收容 多孔板的框體27,的頂面而被定位’上方的開口 26,與箱狀 容器31的下部開口 31,嵌合。此外，用以直接嵌合蓋體30 於框體27,而省略中間連結構件也可以。 多孔板28在乾燥完成預定處理的晶圓集積體W’的製程 -17- 1322450 中，由插入內外槽20、25與中間連結構件26之間的平板 狀的平板構成，在板狀面穿設有複數個小孔。此多孔板係 由不易被氫氟酸或IPA等的有機溶劑腐蝕的材料形成。此 多孔板28被收容於框體27,內，連結於移動機構（省略圖 示），如第2圖所示在水平方向滑動。收容多孔板28的框 體27,具有預定的縱寬（垂直方向），用以在多孔板28被收 容於框體27,時，在框體27,與多孔板28之間形成有間隙 2 7 2。 此間隙2 72例如爲2mm左右的間隙，在乾燥製程中乾 燥氣體的一部分被排放到水槽29內。因此，因在內槽20 與蓋體30之間形成有間隙x(在第8圖中以X表示此間隙） ，故藉由此間隙X使內槽20與蓋體30之間無被密閉而是 半密閉，即乾燥處理部與洗淨處理部之間成爲半密閉狀態 。而且，多孔板28被插入內外槽20、25與中間連結構件26 之間，區分內槽與蓋體，即當作隔開洗淨處理部與乾燥處 理部的擋板（s hu t t e r )而發揮功能。 其次，參照第1圖說明前述處理槽與附屬裝置的配管 連接。在配設於內槽20底部的處理液供給部22連接有處 理液導入管22,，此導入管22,經由流量控制閥以及泵浦連 接於純水供給源38。此處理液導入管22,呈現處理液供給 系配管的功能，以此配管與流量控制閥以及泵浦構成有洗 淨液供給裝置。而且，在此處理液導入管22,同樣地經由 流量控制閥也連接於藥液供給源39。藥液供給源39具備用 以調製所希望的藥液成預定濃度以及預定溫度的藥液調和 -18- 1322450 裝置（省略圖示）。藥液依照處理的目的（例如洗淨、蝕刻、 氧化等的處理）由例如氫氟酸、鹽酸、過氧化氫水、硫酸、 臭氧水 '氨水、界面活性劑（surface active agent)、胺 系有機溶劑、氟系有機溶劑、電解臭氧水等選擇，依照需 要使用混合這些複數種藥液者。 而且，配設於內槽20底部的處理液排出部21如第2 圖所示由小徑的排出口 2 1 ,與大徑的排出口 2 12構成，分別 連接於內槽排液管23, ' 2 32，這些排液管23,係經由開關閥 、泵浦、流量控制閥連接於排液處理設備40»再者，排液 管2 32也同樣地經由開關閥、泵浦、流量控制閥連接於排 氣處理設備41。而且，水槽29也連接於排氣處理設備41, 。在外槽25的低位置連接有排洩管25,，此排洩管25,連 接於排液管23,。 在處理槽15的附近配設有蒸汽供給機構37。此蒸汽 供給機構3 7具備貯存由容易與附著殘留於晶圓W表面的附 著水混合，表面張力極小的例如異丙醇（I PA )溶劑等構成的 有機溶劑，並且加熱此有機溶劑使其氣化的蒸汽產生槽37, 。此蒸汽產生槽37,係浸漬於加熱槽3 7 2內的溫水，加熱有 機溶劑使其氣化。此蒸汽產生槽37,與有機溶劑（IPA)供給 源36係以配管36,連接，對蒸汽產生槽37,供給IPA * 而且，蒸汽產生槽37,與第二氮氣N2產生源35係以分 歧管35u、3512連接。由一方的分歧管3512朝蒸汽產生槽37, 的底部輸送氮氣N2，在貯存於蒸汽產生槽37,內的IPA內 使氣泡產生，促進IPA的蒸發。而且，由他方的分歧管35^ 1322450 供給的氮氣N2係當作載氣（carrier gas)而利用。而且’ 此蒸汽產生槽37,係經由配管3712連結於配管3 42，由蒸汽 產生槽37,朝噴射噴嘴33供給載氣&以及ιΡΑ蒸氣的混合 氣體。第一氮氣N2產生源34係經由配管34,、3 42朝噴射 噴嘴33供給氮氣&。此氮氣心不僅沖吹（purge)處理槽15 內’也使用於精乾燥。 其次’參照第6圖、第7(a)圖-第7(d)圖說明使用此 基板處理裝置的一連的處理。此外，第6圖係顯示一連的 處理的時序圖Uime chart)，第7(&)圖~第7(d)圖係顯示φ 洗 '淨/乾燥製程’同圖（a )係說明洗淨製程的剖面圖，同圖（b ) 係說明乾燥製程1的剖面圖，同圖（c )係說明乾燥製程2的 剖面圖’同圖（d )係說明乾燥製程3的剖面圖。 參照第1圖、6，首先打開處理槽15的蓋體30，收容 晶圓集合體W’於內槽20內。此時在內槽20內，所希望的 藥液例如氫氟酸（HF)由藥液供給源39經由處理液導入管22, 與處理液供給部22供給貯存到內槽20。因此，晶圓集合體 W’藉由浸漬於此處理液，進行依照藥液的處理（例如蝕刻或· 氫氟酸處理、洗淨等）。 此藥液處理終了後如第7 ( a )圖所示，純水D I W由純水 供給源38經由處理液導入管22,與處理液供給部22供給 到內槽20。此純水供給係一邊由內槽20的上部溢出一邊進 行。由內槽20溢出的純水DIW流入外槽25，由排洩管25, 經由排水管排出。花較長的時間進行此純水的供給，壓出 殘留於內槽20內的前述藥液HF。 -20- 1322450 此洗淨製程終了後，在第7 ( b )圖所示的乾燥製程1 停止純水DIW的連續供給，一邊供給少量的純水（DIW的 約用水），一邊由內槽20慢慢地（Slow up Speed)拉起晶 集合體W’。與此晶圓集合體W’的拉起同時，供給IPA到 理槽1 5內，惟也能供給少量的I PA。 其次，在第7(c)圖所示的乾燥製程2中使處理槽 底部的排出口 212的排洩機構閥動作，快速地排出處理 ，使多孔板28水平移動於框體27,內，插入內外槽20、 與中間連結構件26之間。再者，在內槽20內供給被加 的氮氣N2與I PA氣體的混合氣體。這些動作如圖所示係 時進行。此氮氣N2在蒸汽產生槽371內被加熱。在此製 中，處理槽15內的有機溶劑的蒸汽與各晶圓W的表面接 ，有機溶劑的蒸汽在晶圓W的表面凝聚，形成有有機溶 的膜。若在晶圓W的表面形成有有機溶劑的膜，則因到 爲止附著於晶圓W的純水與有機溶劑置換，故會由晶圓 的表面流掉。在第7(d)圖所示的乾燥製程3中爲了使被 換的IPA乾燥而供給氮氣N2，乾燥製程3終了後由處理 1 5取出晶圓集合體W ’。 前述乾燥製程1〜3之中若調查乾燥製程2中的乾燥 體的流動，則觀察到如第8圖所示的路徑。第8圖係模 地顯示第7(c)圖中的乾燥氣體的流動的剖面圖。乾燥氣 (IPA + HotN2)係由蓋體30的上部的噴射噴嘴33噴射到晶 集合體W’。此時，在內槽20與蓋體30之間形成有間隙 ’藉由此間隙X使內槽20與蓋體30之間無完全被密閉 中 節 圓 處 1 5 液 25 溫 同 程 觸 劑 此 W 置 槽 氣 式 體 圓 X 而 -2 1- 1322450 是半密閉狀態，即乾燥處理部與洗淨處理部之間成爲半密 閉狀態。因此，朝晶圓集合體w ’噴射的乾燥氣體其一部分 係由內槽20與蓋體30之間的間隙X流到水槽29內。 而且，處理槽15因設置於進行空調的收容室π內， 故空氣12a由此收容室11的上方的空調機12吹向箭頭的 下方。其結果，由此間隙X排出的乾燥氣體一部分經由配 管222排出，剩餘的氣體與空氣12a —起流到水槽29內， 藉由連結於水槽29的排氣裝置排氣。由噴射噴嘴33噴射 的乾燥氣體經由間隙X排出，故流入內槽20的氣體量僅該 部分變少。經由間隙X排出的量成爲較多量。因此，可不 受排氣處理設備中的排氣根源的變動的影響而排出乾燥氣 體。 即乾燥氣體在噴射到晶圓集合體W ’後因一部分由間隙 X排放到水槽29內，故流入內槽20的氣體量係該部分變少 。因此即使有排氣根源的變動也不太受其影響，可平順地 排出乾燥氣體。更詳述的話，藉由設置間隙X，以在除了內 槽以及外槽外也包含水槽的廣空間阻止排氣根源的變動， 故其影響可比在內槽以及外槽的狹窄空間阻止還小，而且 因由收容室11的上方供給大量的潔淨空氣，故可使其變動 的影響更小。 另一方面，多孔板28因在板狀體存在複數個小孔，故 通過此處的乾燥氣體被複數個小孔分散，且藉由孔口效應 ，在蓋體30與內槽20之間即構成乾燥室的蓋體與構成洗 淨室的內槽之間發生大的壓力差，在乾燥室的乾燥氣體一 -22- 1322450 邊平順地降流一邊被排出。因此，蓋體30(乾燥處理部）的 壓力確實比內槽20 (洗淨處理部）的壓力高。 此狀況若顯示在處理槽15以及水槽29內的各壓力關 係，貝11 ΡρΡρΡθ排氣根源壓力
PpPp排氣根源壓力 的關係成立。 其中P,爲蓋體30(乾燥處理部）的壓力，P2爲內槽20 ，壓力P3爲在排氣管內的壓力，P4爲水槽29內的壓力。 因此，藉由在處理槽15以及水槽29內的各壓力滿足 上述關係，此乾燥氣體在處理槽15內形成層流，平順地由 排氣管排放到槽外，在此過程中，乾燥氣體均勻地供給到 每一片晶圓，無在基板的表面形成有水痕，而且，也能防 止微粒的除去以及附著。而且也能阻止微粒的再附著。其 理由乃因無乾燥氣體在處理槽內回流。 【發明的功效】 如以上詳述的，如果依照本發明的基板處理方法，因 可均勻地供給乾燥氣體給基板集合體，故在基板的表面無 形成有水痕，而且也能防止微粒的除去、附著或再附著。 而且，如果依照本發明的基板處理裝置，因在一個密 閉的處理槽內進行一連的處理製程，故無被處理基板完全 接觸大氣，而且，因可均勻地供給乾燥氣體給基板集合體 ，故在基板的表面無形成有水痕，而且也能防止微粒的除 去、附著或再附著。 -23- 1322450 【圖式簡單說明】 第1圖是顯示本發明的一實施形態的基板處理裝置的 剖面圖。 第2圖是顯示處理槽的側視圖。 第3圖是由他方看第2圖的處理槽的側視圖。 第4圖是蓋體的俯視圖（此圖是由蓋體上部透視的俯視 圖）。 第5圖是第4圖所示的蓋體的側視圖。 第6圖是顯示一連的處理的時序圖的表。 第7(3)圖~第7(d)圖是說明洗淨/乾燥製程，第7(a) 圖是說明洗淨製程的剖面圖，第7 ( b )圖是說明乾燥製程1 的剖面圖，第7 ( c )圖是說明乾燥製程2的剖面圖，第7 ( d ) 圖是說明乾燥製程3的剖面圖。 第8圖是模式地顯示第7(c)圖中的乾燥氣體的流動的 剖面圖。 第9圖是顯示在習知技術的基板處理裝置中的處理槽 內的惰性氣體的流動的剖面圖。 【符號說明】 1、1 〇 :基板處理裝置 L :內槽 22、25 :外槽 、30 :蓋體 212:處理液排出孔 3 ' 29 :水槽 -24- 1322450 4 ,:氣體噴射噴嘴 5 :排氣管 7 :氮氣供給源 8 :蒸汽吐出口 1 1 :收容室 12:空調機 1 2 a :空氣
1 5 :處理槽 20 :內槽 2 1 :處理液排出部 2 1 ,:小徑的排出口 2 12 :大徑的排出口 22:處理液供給部 22, :處理液導入管（處理液供給系配管） 2 2 2 :配管
23, 、2 3 2:排液管 251:排洩管 2 6 :中間連結構件 27:多孔板插入機構 2 7 ,:框體 272:間隙 28:多孔板 2 9 :水槽 3 1 :箱狀容器 -25- 1322450 3 2 :頂面 3 3、3 3 ,〜3 3 7: 噴射噴嘴 34:第一氮氣化產生源 34,、342••供給管 35 :第二氮氣N2產生源 35^、3512:分歧管 36:有機溶劑（IPA)供給源 36t、3712:配管 3 7 :蒸汽供給機構 3 7 ,:蒸汽產生槽 3 72 :加熱槽 3 8 :純水供給源 3 9 :藥液供給源 40:排液處理設備 4 1 ' 41, ' 4 12 ：排氣處理設備 50:移動機構 50,、5 02 :把持爪 55:移動裝置 61 :升降裝置 6 2 :晶圓匣盒導件 D I W : 純水 W、W’ ：晶圓 X ：間隙 -26-