TWI313913B - - Google Patents

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1313913 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係為一種切割基板之方法及使用該方法 之裝置，尤指適用於影像感測器之基板切割方法及使 用該方法之裝置。 【先前技術】

請參閱第一圖U)⑴⑷⑷，其係傳統 晶片切割步驟示意圖，傳統矽晶圓1〇 將紫外光膠帶n(uvtape)黏貼於晶圓1〇背= 使用鑽石刀12進行㈣分離及裂片（break)之後將 晶圓移至紫外錢13之上方，使用料光照射晶 =1〇背面之紫外光膠帶H。最後，將切割完成之晶 :,0移至頂針（pin)設備14之上方藉由一頂針分 士將切割成複數個小方塊（dice)之晶片15頂起後， ”他機械裝置取出，以進行封裝或是後續製程。 上述之方法具有如下幾點缺失： 1.需要使用水來降低切割溫度。 2’切割後所產生之碎屑需要用水清洗乾淨。 3.造成較大之切割線寬。 照光側不同，故晶圓切割完成後需 :曰„ 、外光燈，再移動頂針設備，增大移 之工間’並且增加基板分割之時間。 U弟二圖⑺⑴⑴，其係使用鑽石 5 1313913 刀刀』之晶片上視圖（a )及側視圖（b ) ( c )， 由上視圖可知晶片15之切割面不平整，且晶片 ^ 口切割而產生裂痕及缺口，這將使晶片15 於後’只封裝製程中注入封裝膠不完全，使產品 ㈣具複數個氣泡的存在，而氣Μ之空氣將 會’5V β產σσ之品質，且隨著時間的增加，產品 會由裂痕及缺口處開始產生劣化現象，造成產 品相壞。 對於些不此用水清洗或是不能容忍切割時溫度 升高的應用’上述之方式將無法使用。 請參=第三圖，其係影像感測器（image sensor) 之結構示意® ’從影像感測ϋ所欲攝像之物體所發射 或反射之光訊號主要由玻璃基板3〇入射至影像感測 器内部’再由封農於黑南樹脂31 (Ep〇xy)内之積體 電路32 (1C)接收並進行光電轉換，將光訊號轉換成 影像訊號後，再經由接腳33將所得之影像訊號輸出至 後續電路。 由於上述影像感測器所需之玻璃基板30其尺寸 通常在5_*5_以下’而原始待㈣之基板尺寸也 只有1Cm*1Cm的大小，傳統鑽石刀切割將因尺寸太小 而無法使用。且隨著積體電路微小化下，相對的基板 尺寸要求也越來越小，只要基板切割時產生些許裂痕 及缺口，使外界水氣進入與影像感測器内部之積體電 1313913 路（ic)產生反應’則將會影響整個產品之品質，其 至造成積體電路（Ic)損壞.。 至於，仗用傳統真空吸附基板的方式亦因吸附力 不足，而無法避免上述問題。 戰疋之故申明人鐘於習知技術之缺失，乃經悉 心與研究，並一本_而不捨之精神，終研發出本 案之『切割基板之方法及使用該方法之裝置』。 【發明内容】 本發明之主要目的係為提供一種切割基板之法 及使用該方法之裝置，利用光束切割背面黏貼勝帶之 透明基板，以4到將透明基板分割成複數個低於 5mm*5mm尺寸之小基板，可應用於影像感測器。 切割完成之基板並不會產生裂痕及缺口之問題。 且利用光束切割不會產生碎屑、切割線寬小，更不需 用水來降低切割溫度。 本案之另一目的係為提供一種切割基板之方法， 用以將一透明基板分割成複數個單元，該透明基板係 包含一第一面及一第二面，其步驟係包含：提供該該 透明基板；將一膠帶黏貼於該透明基板之該第一面； 提供一光束，並藉由該光束對該透明基板之第二面進 行切割，進而使該透明基板分割成複數個單元；藉由 一光源照射該膠帶，使該膠帶與該複數個單元之間失 去黏性；以及藉由至少一頂針將該膠帶與該複數個單 板

1313913 元分離。 根據上述構想’方法中該透明基板可為一玻璃基 板。 根據上述構想，方法中該透明基板可為一塑膠基 根據上述構想’方法中該複數個單元可適用於一 影像感測器’用以使一物體所發射或反射之光訊號， 由》亥複數個單元入射至該影像感測器之内部。 根據上述構想，方法中該膠帶可為一紫外光膠 帶，且該光源可為一紫外光。 根據上述構想，方法中該膠帶可為一準分子光膠 帶^且該光源可為一準分子光（Excimerlight)，該 二刀子光可為-氣化氣光（XeC1)、一氣化氣光（XeF ) 或一氟化氪光（KrF )其中之一。 根據上述構想’方法中該光束可為一雷射光，該雷 射光之切财式可為，先於透明基板上書出— =nbe)後，再進行裂片dk)使該 板 戎切割線裂開。 丞板/口 根據上述構想，方法中該雷射光之 為，採用全裂片（fullb〇dycutting)的； 將該透明基板切割開來忒 方式可 ，"次就 1313913 弟面及弟一面，其步驟係包含：提供該透 月基板，將一膠帶黏貼於該透明基板之該第一面；以 及提供一光束，並藉由該光束對該透明基板之第二面 進行切割，進而使該透明基板分割成複數個單元。 根據上述構想，方法中該膠帶可為一紫外光膠 帶，且該光源可為一紫外光。 根據上述構想，方法中該膠帶可為一準分子光膠 帶且5亥光源係為一準分子光（Excimer light)。 根據上述構想，方法中該光束係為一雷射光。 本案之又一目的係為提供一種切割基板之裝置， 用以將一透明基板切割成複數個單元，且該透明基板 係黏貼一膠帶，該裝置係包含：一第一光源設備，用 以產生一光束，並利用該光束將該透明基板切割成複 數個單元；一第二光源設備，其係設置於該透明基板 上方用以產生一光源，並利用該光源照射該膠帶， 使該膠帶與該複數個單元之間失去黏性；一頂針設 備，其係設置於該膠帶之下方，具有至少一頂針，= 以藉由該至光一頂針由該膠帶之下方將該複數個單元 頂起’俾使該膠帶與該複數個單元分離。 根據上述構想，裝置中該光束可為一雷射光。 根據上述構想，裝置中該光束可為一準分子光。 1313913 【實施方式】 為使本發明的上述目的、特徵和優點能更明顯易 懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細說明細下： 本發明之切割基板之方法及使用該方法之裝置， 將可由以下的實施例說明而得到充份的了解，使得熟 習本技藝之人士可據以完成之，然本案之實施並非可 由下列實施例而被限制其實施型態。 請參閱第、四圖及第五圖，其係本發明較佳實施例 之流程圖及結構示意圖。本發明係為一種切割基板之 方法及使用該方法之裝置 分割成複數個單元65，|| 其實施步驟可為：首先， 將-膠帶60黏貼於該透明基板61之背面，使該透明

藍，主要用來將一透明基板60 該透明基板60具有上下兩面， ’提供該透明基板6丨。接著， 1313913 --頂起（如第五圖⑷（e)所示），使被頂起之 二基:65與該膠帶6。分離，使小基板65進行下一個 製耘或疋進入封裝步驟。 至於上述之第一光源設備62所產生之一光束切 割該透明基板61的方式可分為下列兩種方式： 劃線（scribe) +裂片（break) 先於透明基板61上晝出一切割線（scribe)後， 再進行W (break)使該透明基板61沿該切割線裂 開。 χ 2.全裂片（full body cutting) 採用全裂片（full body cutting)的方法，一次 就將該透明基板切割開來。 就參閱第六圖，其係本發明第一較佳實施例之步 驟流程圖。本實施例係用以切割適用於一互補式金屬 氧化半導體（CMOS)之影像感測器之玻璃基板，其 中待切剎之玻璃基板尺寸為1 cm * 1 cm以下，將紫外光 膠帶黏貼於玻璃基板之背面，然後利用一使用劃線 (scribe) +裂片（break)方式切割之雷射光，對該玻 璃基板之正面進行切割，進而將該玻璃基板分割成複 數個小於6mm*5mm尺寸之小基板。等切割完成後， 貝J使用备、外光如射β亥务外光膠帶，-用以破壞該紫外光 膠帶之鍵架結構，使該紫外光膠帶與基板間失去黏 性。最後，就可利用一頂針將該複數個小基板——頂 1313913 起，使該被頂起之小基板以進行封裝製程。 請參閱第七圖’其係本發明第二較佳實施例之步 驟流程圖。本實施例於第一較佳實施例之不同處係在 於，本實施例可用以切割一透明塑膠基板，至於膠帶 與照射該膠帶之光源則可使用準分子光膠帶及準分子 光（Excimerlight)來破壞膠帶之鍵架結構，至於， 雷射光係採用全裂片（full body break )的方式對透明 塑膠基板進行切割，同樣可將透明塑膠基板分割成複 ►數個小於6mm*5mm尺寸之小基板。最後，就可以取 出該複數個小基板以進行下一個製程步驟。 至於，本實施例所使用之準分子光（Excimer Ught) 可為一氣化氣光（XeCl)、一氣化氣a (XeF)或一 氟化氪光（KrF )其中之一或其它。 综合上面所述，使用本發明能夠將lcm*icm之透 明基板，切割成複數個低於6mm*5mm之小基板，使 I該小基板可適用於影像感測器、3G攝影機的鏡頭或是 行動電話上之影像影測元件之基板等等。㈣完成之 基板並不會產生裂痕及缺口之問題。利用光束切割不 會產生碎屬、切割線寬小，更不需藉由水來降低切割 溫度。 、且本《明所使用$第二光源設備，其係設置於該 透月基板之上方’可以透過該透明基板照射該膠帶， 而頂針設備係設置於該膠帶之下方，可直接頂起該切 12 1313913 °成之小基板，使该透明基板進行切割步驟時不中 =動’可改善習知技術之秒晶圓需隨著切割步驟而 速率ϋ’、）進而杧加切割的 :疋故本發明具產業價值性，進而達 明之目的。 呷知 【圖式簡單說明】

第一圖（a ) ( b ) 割基板之步驟示意圖。 弟 ~~'圖（a) (b) Γ r 'ι · # ^ /-t 切室,丨@ a u . ( C ).其係使用習知技術 ° 曰日片之上視圖及側視圖。 ，三圖：其係影像感測器之結才冓示意圖。 第四圖：其係本案較佳實施例之步驟流程圖。 苐五圖（a) (b) (c) (d):其 佳實施例之結構示意圖。 、” ”乂 =六圖·:其係本案第-較佳實施.步驟流程圖。 七圖.其係本案第二較佳實施例之步驟流程圖。 【主要元件符號說明】

C d 其係習知切 晶圓10 紫外光燈1 3 玻璃基板30 接腳33 弟一光源設備62 紫光膠帶Π 頂針設備.14 黑樹脂31 膠帶60 第二光源設備63 切割完成之小基板65 鑽石刀12 晶片15 積體電路3 2 透明基板61 項針設備64 13

Claims (1)

1313913 民)正替換買

十、申請專利範圍： 成複It4二切割基板之方法，用以將-透明基板分割 早^該透明基本係包含-第-面及一第— 面，其步驟包含： 乐— 提供該透明基板； ，—膠帶黏貼於該透明基板之該第一面.

面進而=該光束對該透明基板之第二 “刀口J進岐该透明基板分割成複數個單元； 元之=一光源照射該膠帶，使該膠帶與該複數個單 7G之間失黏性；以及 元分離。 其中該透 藉由至少一頂針將該膠帶與該複數個單 2.如申請專利範圍第丨項所述之方法， 明基板係為一玻璃基板。 其中該透 其中該複 物體所發 影像感測 3. 如申請專利範圍第1項所述之方法， 明基板係為一塑膠基板。 4. 如申請專利範圍第丨項所述之方法， 數個單元係適用於—影像感測器，用以使一 射或反射之光訊號，由該複數個單元入射至 器之内部。 其中該膠 其中該光 5. 如申請專利範圍第1項所述之方法 f係為一紫外光膠帶。 6. 如申請專利範圍第5項所述之方法 源係為一紫外光。 14 1313913 如申請專利範圍第1項所述之^^ —-— 帶係為一準分子膠帶。 〃 ^ 、8.如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該光 源係為一準分子光（Excimer light )。 9.如申請專利範圍第8項所述之方法，盆中該準 分子光係為—氣化山气光（加）、—氟化氤光（XeF) 或一氟化氪光（KrF )其中之一。 鲁 H).如申請專利範圍第i項所述之方法 束係為一雷射光。 ，、Y邊尤 n.如申請專利範圍帛10項所述之方法，I中嗜 Γ:光r二方式係為，先於透明基板上晝出：切割 ' SCri e <，再進行裂片（breal〇使該透明基板 沿該切割線裂開。 < π吞极 12.如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該 雷射光之切割方式传炎 八係為，採用全裂片（full body cutting )的方法，— ^ -人就將該透明基板切割開來。