TWI355687B - - Google Patents

Description

1355687 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種用以製造半導體裝置或電子零件 等之晶片的板狀構件的分割方法及分割裝置，尤其是關於 —種適用於在硏磨晶圓背面並加工爲預定厚度之後，藉由 雷射光進行改質區域形成加工作業且分割成個別晶片的板 狀構件的分割方法及分割裝置。

【先前技術】 近年來，安裝於由智慧卡（smart card)代表之薄型 1C卡（Integrated Circuit card，積體電路卡）等之中的極 薄1C晶片已廣受需求。上述極薄1C晶片係藉由將ΙΟΟμπι 以下之極薄晶圓分割成個別晶片來加以製造的。

在上述背景之下，習知之半導體裝置或電子零件等之 板狀構件的分割方法如第7圖之流程圖所示，爲了保護在 表面形成有複數個半導體裝置或電子零件之晶圓的表面， 因而首先進行在晶圓表面貼上單面具有黏著劑之保護膠帶 的保護膠帶黏貼製程（步驟S 1 0 1 )。接著，進行由背面 硏磨晶圓並加工爲預定厚度的背面硏磨製程（步驟S103 )° 在背面硏磨製程之後，進行採用單面具有黏著劑的切 割膠帶（dicing tape)，以將晶圓黏貼在切割用框架上的 框架貼裝製程（frame mount process )，而將晶圓與切割 用框架予以一體化（步驟S 1 05 )。接著，在該狀態下， -5-

1355687 - 進行在切割膠帶側吸附晶圓，並將黏貼在表面 予以剝離的保護膠帶剝離製程（步驟s 1 0 7 )。 已剝離保護膠帶的晶圓會依每一框架而被 機（dicing saw)，並由高速旋轉的鑽石刀I blade )切斷成個別的晶片（步驟S109 )。接 製程（expand process)中，切割膠帶會被拉 ，而使個別晶片的間隔拉大（步驟S 1 1 1 )， ® 裝製程（chip mount process )中被貼裝在導 frame)等封裝基材上（步驟S113)。 惟在上述習知之板狀構件的分割方法中， 背面時供作防止晶·圓表面污染之甩的保護膠帶 割之後供作保持晶圓之用的切割膠帶爲不可或 因而將使消耗品的成本增加。 而且’右爲厚度以下的極薄晶圓 機切斷晶圓的習知方法中，在進行切斷時往往 生碎屑（chipping)或缺口，而發生致使良品 良品的問題。 爲解決上述之在進行切斷時晶圓產生碎屑 題’目前已提出一種對晶圓內部射入已聚焦的 在晶圓內部形成由於多光子吸收效應（ absorption)而產生的改質區域，而分割成個 射加工方法相關技術（參照例如日本專利 1 923 67號公報、日本專利特開2〇〇2· 1 923 68 本專利特開20〇2- 1 92369號公報、日本專利 的保護膠帶 搬送到切割 I ( diamond 著，在延伸 伸爲放射狀 並在晶片貼 線架（lead 在硏磨晶圓 ，以及在切 缺的構件， ，在以切割 會使晶圓發 晶片成爲不 或缺口的問 雷射光*以 multiphoton 別晶片的雷 特開2002· 號公報、曰 特開2002_ 1355687 192370號、日本專利特開2002-192371號公報、日本專 利特開2 0 0 2 - 2 0 5 1 8 0號公報），來取代以切割機進行切斷 作業的習知方式。

然而’在上述各專利公報中所提出的技術係提出一種 採用雷射光來進行割斷技術的切割裝置，以取代習知之由 切割機所成的切割裝置，其雖可解決在進行切斷時晶圓產 生碎屑或缺口的問題，但是卻會衍生出於延展製程中產生 未分割部分、或所分割之晶片的端面形狀不良的問題點。 第8圖及第9圖係用以說明該現象的槪念圖。於第8 圖中’在晶圓W背面黏貼切割膠帶S，其切割膠帶S的 周緣部係固定在框狀框架F上。藉由雷射光而在晶圓W 上形成棋盤格狀的改質區域K。接著，於延展製程中，使 切割膠帶S伸展，其結果使得晶圓W以改質區域爲起點 來進行分割，而形成複數個晶片T。

於延展製程中切割膠帶S的伸展處理係藉由例如在切 割膠帶S的框架F與晶圓W之間的輪環狀部分，將呈圓 筒狀環狀構件由下往上按押來進行的。 第9圖係用以說明延展製程中進行分割晶圓W之槪 略圖。第9 ( a)圖係俯視圖，第9 ( b )圖係剖視圖。如 第9 ( b )圖所示，藉由雷射光形成的改質區域K係存在 於晶圓W內部。如第9 ( a )圖所示，當對晶圓W均勻施 加張力時，即可順利進行割斷。 但是，在習知之板狀構件的分割方法及分割裝置中， 於延展製程中，大部分並無法在整面晶圓W上使切割膠 1355687 帶s均勻伸展。例如，會產生使已割斷部分的切割膠帶s 局部性伸展，而對未割斷部分之切割膠帶S無法施加張力 的狀態。其結果往往產生未割斷部分，或所分割之晶片的 端面形狀無法呈直線狀，而形成不良品。 【發明內容】 本發明係鑑於前述之問題點所開發者，目的在於提供 # 一種板狀構件的分割方法及分割裝置，其係將晶圓背面加 以硏磨並加工成預定厚度之後，在進行雷射光之改質區域 形成加工處理並分割成個別基板時，可精確地製造出端面 -一形狀良好的極蓐晶片，而不會Ί生_未割斷部_分或碎屑或缺 □。 此外，本發明之目的亦在提供一種可使板狀構件之分 割裝置小型化，且可在短時間內進行板狀構件之分割作業 的板狀構件的分割方法及分割裝置。

爲達成前述目的，本發明提供一種板狀構件的分割方 法，係由硬脆材質所成之板狀構件的分割方法，其由以下 製程所構成：在前述板狀構件表面黏貼膠帶之膠帶黏貼製 程；在貼有前述膠帶之前述板狀構件表面或內部形成線狀 改質區域之改質區域形成製程；以及在前述改質區域形成 製程之後，藉由對前述膠帶施加張力以進行拉伸，並對前 述膠帶照射UV光的方式，沿著前述線狀改質區域分割前 述板狀構件，以獲得複數個基板之延展製程。 此外，爲達成前述目的，本發明提供一種板狀構件的 -8- 1355687 分割裝置，係將在表面黏貼有膠帶且在表面或內部形成有 線狀改質區域之由硬脆材質所成之板狀構件，沿著前述線 狀改質區域予以分割，以獲得複數個基板之板狀構件的分 割裝置，其特徵爲具有：爲了沿著前述線狀改質區域分割 前述板狀構件，而對前述膠帶施加張力以進行拉伸的拉伸 機構；以及對前述膠帶照射UV光的UV光照射機構。 根據本發明，於延展時，對膠帶照射UV光（紫外線 之波長區域的光）。藉由照射UV光，可使膠帶的黏著劑 硬化或使膠帶的黏著力產生變化，且在對前述膠帶施加張 力以進行拉伸時，可在整面板狀構件上均勻地伸展膠帶。 其結果使得當沿著前述線狀改質區域分割前述板狀構件以 獲得複數個基板時，並不會產生未割斷部分或碎屑或缺口 ，而可精確地製造出端面形狀良好的極薄基板。 此外，根據本發明，只要在習知之板狀構件的分割裝 置上添加UV光照射機構即可，故可簡化裝置之構造。此 外，亦可簡化板狀構件的分割作業。其結果可使板狀構件 之分割裝置小型化，且可在短時間內進行板狀構件的分割 作業。 其中’於本發明中，線狀改質區域並不一定呈連續線 狀，亦可如虛線狀般，呈斷續線狀。與連續線狀改質區域 的情形相同地’在上述斷續線狀改質區域中亦可精確地製 造出端面形狀良好的極薄基板。 於本發明中’在前述延展製程中，最好使用光罩而對 前述膠帶以圖案（pattern )狀照射UV光爲宜。如上所述 1355687 - 可更易於達成本發明之目的，亦即，若以圖案狀對膠帶照 . 射UV光’則可區分出相當於板狀構件之線狀改質區域之 部分的膠帶與其他部分的膠帶，而使膠帶的黏著力產生變 化或使膠帶之黏著劑的硬化狀態產生變化，以選擇性地將 板狀構件之改質區域附近加以延展，且使膠帶的延展力有 效地成爲分割作用力而傳達至板狀構件，因此可精確地製 造出端面形狀良好的極薄基板之故。其中，於本發明中， #所謂圖案（pattern )係指根據藉由分割板狀構件所得之個 別基板的大小以及形狀而製成之預定模樣及其集合或是排 列，是供作選擇性地將UV光照射在膠帶上之用。 ϊε「歹厂，—『本W—’―nor 改—質 中—;-最-一 好藉由使雷射光入射至前述板狀構件，以在前述板狀構件 表面或內部形成前述改質區域爲宜。在板狀構件表面形成 線狀改質區域的方法雖亦可爲切割（dicing )、雕繪（

scribing)等方法，不過若使用雷射光，則可在生產力、 運轉費用（running cost )、品質等各方面佔有優勢。 【實施方式】 以下按照所附圖面詳加說明本發明之板狀構件的分割 方法及分割裝置之較佳實施形態。 第1圖係表示本發明之板狀構件的分割方法的第1實 施形態之流程圖。在本第1實施形態中，首先，將在表面 側形成有複數個1C電路之晶圓的背面側放置在平台（ table )上，接著在晶圓外側配置呈環狀的切割用框架。接 -10- 1355687 著，從上方將單面具有紫外線（以下稱爲UV ( Ultra Violet))硬化型黏著劑的切割膠帶（dicing tape)黏貼 在框架與晶圓表面，而將晶圓貼裝在框架上（步驟S11) 。在該狀態下，晶圓表面係由切割膠帶加以保護，同時， 由於與框架呈一體化，因此搬送性佳（以上相當於膠帶黏 貼製程）。

接著，以背面硏磨機（backgrinder)來硏磨晶圓背面 ，並加工至預定厚度（例如5 0 μηι )左右。硏磨後，利用 拋光加工而將在硏磨時所產生的加工變質層予以去除。在 此所使用的背面硏磨機係附有拋光功能的拋光硏磨機（ polish grinder)，在進行硏磨後，由於並不會解除晶圓的 吸附功能，而可直接進行拋光並將加工變質層予以去除， 因此即使晶圓厚度約爲30μιη，亦不會發生破損。已進行 拋光的晶圓係由設在背面硏磨機的洗淨/乾燥裝置予以洗 淨並乾燥（步驟S 1 3 )。

接著，已加工爲預定厚度的晶圓爲了可分割成個別的 晶片，因而藉由安裝在附有拋光功能的拋光硏磨機中的雷 射切割裝置加以分割。在此，晶圓係依每一框架而吸附在 平台上，且透過切割膠帶由晶圓表面側入射雷射光。由於 雷射光的焦點被設定在晶圓厚度方向的內部’因此已穿透 晶圓表面的雷射光係在晶圓內部的焦點集中能量（energy )，而在晶圓內部形成由於多光子吸收效應（multiphoton absorption )而產生的改質區域（以上相當於改質區域形 成製程）。由此晶圓之分子間作用力（intermolecular -11 - 1355687 . force )會失去平衡，進而發生自然割斷或由 外力而割斷的情形（步驟S 1 5 )。 第Βί係用以說明安裝在拋光硏磨機中之 置的槪念圖。如第2圖所示，雷射切割裝置： 基台（machine base) 11上設有ΧΥΖΘ平台12 載置晶圓W，以高精密度地朝向ΧΥΖΘ方向移 ，在設在機器基台11上方的夾具（holder ) 1 φ割用的光學系統1 3。 在光學系統13中設置雷射光源13A， 13A發出的雷射光係經由瞄準透鏡（collimate 面—(―如丫广〇—厂)—τ 聚—光d-_e_ff s_e寸e—n s— 在晶圓W的內部聚光。在此，在焦點中的峰 (peak power density )爲 ΙχΙΟ8 ( W/cm2) 寬度（pulse width)爲lps以下的條件下，採 膠帶具有穿透性的雷射光。其中，焦點的厚度 Φ藉由ΧΥΖΘ平台12的Z方向微震來進行調整。 此外，在雷射切割裝置1 0中設置未圖示 系統，以形成在晶圓表面的圖案爲基準來進行 作業（alignment)，並決定雷射光的入射位 作業完成時，ΧΥΖΘ平台12會朝XY方向移動 圓的切割路徑（dicing street )來入射雷射光。 在進行第1圖所示之步驟S15的電射切割 使切割膠帶呈放射狀延伸，以加大各晶片間之 製程（expand process)(步驟 S17) » 關於 於施加些微 雷射切割裝 I 〇係在機器 :，用以吸附 動。相同地 4上安裝切 由雷射光源 lens)、鏡 光—學m-値功率密度 以上且脈衝 用對於切割 方向位置係 的觀看光學 晶圓的對準 置。當對準 ，並沿著晶 之後，進行 間隔的延展 該製程容後 -12- 1355687 詳述。 在切割膠帶爲延展的狀態之下，由切割膠帶側照射 UV，以使切割膠帶的黏著劑硬化，並降低其黏著力。其 中，該UV照射亦可在切割製程的最後再進行。

接著，在延展狀態下，利用突起銷使1個晶片從切割 膠帶側突起，以從切割膠帶剝離下來，接著利用讀取頭（ p i c k - u p h e a d )予以吸附，以進行表裏反轉並吸附在晶片 貼裝（chip mount)用的筒夾（collet)，進而貼裝在導 線架等封裝基材上（步驟S 1 9 )。在晶片貼裝製程之後， 進行打線接合（w i r e b ο n d i n g )、封媵（m ο 1 d i n g )、導線 切斷成型、標記（marking)等封裝製程，IC即告完成。 以上爲第1實施形態之槪略。 接著詳加說明延展製程。第3圖係用以說明本發明之 板狀構件的分割方法之原理的槪念圖。第4圖係表示第1 實施形態之槪要的剖視圖。

如第3圖所示，由雷射光形成的改質區域K係存在 於晶圓W的內部。如第3圖所示，透過切割膠帶S而對 改質區域K兩側的晶圓W施加的張力係以左右方向的箭 號表示。此外，如複數個朝上的箭號所示般，UV光由切 割膠帶S的下面大約照射到整面的切割膠帶S。 第4圖係表示供作進行上述分割方法之用的分割裝置 20。如第4圖及已於前述之第8圖所示，切割膠帶S的周 緣部係固定在框狀框架F上。切割膠帶S周緣部之內側部 分的下面係與環狀構件22相抵接。該環狀構件22的上面 -13- !35-5687 外周緣部係很平滑地進行倒圓角。在切割膠帶s的下方則 配置有UV光源24(UV光照射機構）。 由UV光將UV光朝向切割膠帶S照射，同時 將框架F朝第4圖的箭號方向壓低。藉由照射UV光，可 使切割膠帶S的黏著劑硬化，或使膠帶的黏著力產生變化 同時，對於框架F施加圖中箭號所示之作用力，並朝 ^下方壓低。藉此方式，使切割膠帶S延展，且晶片T之間 的間隔拉大。此時，由於環狀構件22的上面外周緣部很 平滑地進行倒圓角，因此切割膠帶S係很平順地受到延展 可採用眾所週知的各種直線運動裝置作爲供作壓低框 架F之用的機構。例如，可採用工作缸（cylinder)構件 (藉由油壓、氣壓等）、由電動機與螺釘（由作爲軸的陽 螺釘與作爲軸承的陰螺釘組成）組成之直線運動裝置。

UV光的照射強度（功率）、波長區域、照射時間等 照射條件係可按照切割膠帶S之黏著劑材質、晶圓W大 小、割斷後之晶片T大小等來選出適當的値。 根據以上說明之第1實施形態，於延展製程中，藉由 照射UV光，可使切割膠帶S的黏著劑硬化或使切割膠帶 S的黏著力產生變化，故可在整面晶圓W上均勻地拉伸切 割膠帶S。其結果使得當沿著改質區域K分割晶圓W以 獲得各晶片T時，並不會產生未割斷部分或碎屑或缺口， 而可製造出端面形狀良好的極薄晶片。 -14- 1355687 接著’根據第5圖說明本發明之第2實施形態。與前 述第1實施形態相較之下’本第2實施形態僅在延展製程 上有所不同。因此’關於其共同製程，在此不再詳加說明

於第5圖所示之構造中，除了第1實施形態之外，在 切割膠帶S的下面配置有光罩（photomask) Μ。除此之 外的構造因與第4圖所示之分割裝置20相同，故省略說 明分割裝置20的圖示以及分割裝置20中的各部分。 關於光罩Μ ’可按照玻璃罩（使用合成石英、低熱膨 脹玻璃、鈉鈣坡璃（soda lime glass )等）、薄膜罩（ film mask )(使用聚酯薄膜（polyester film)等）、金 屬罩（metal mask )等、精密度、成本等條件，來使用各 種光罩。

於第5圖之構造中，光罩μ係將俯視光罩μ時呈正 方形的遮光部分Μ 1配置成將所分割之各晶片τ的中央部 分加以覆蓋的狀態。換言之，至於與所分割之各晶片Τ周 緣部分相對應的切割膠帶S部分，則係配置成可照射已穿 透光罩Μ之透光部分M2的UV光。此時，如圖所示，該 部分之切割膠帶S的黏著材料即形成被照射部3 〇。 光由UV光源24 (參照第4圖）經由光罩Μ朝向切 割膠帶S照射’同時壓低框架F (參照第4圖）。藉由照 射UV光，使得切割膠帶S之黏著劑之被照射部3 0的黏 著力降低。 同時’切割膠帶S受到延展，且晶片τ之間的間隔拉 -15- 1355687 大。此時，由於與各晶片Τ'之周緣部分相應的切割膠帶s 成爲被照射部3 0，使得該部分之黏著劑的黏著力降低， 因此晶片τ之間的蘄預定線附近的切割膠帶s受到選擇 性延展。亦即，切割膠帶S的延展力將有效成爲分割作用 力而傳達至晶圓W。其結果，使得當沿著改質區域K分 割晶圓W以獲得各晶片T時，並不會產生未割斷部分， 而可在整面晶圓W上進行晶片T的分割。

UV光的照射強度（功率）、波長區域、照射時間等 照射條件係可按照切割膠帶S之黏著劑材質、晶圓W大 小、割斷後之晶片T大小等來選出適當的値。 稂 ϋ—βτΐΓmr 明—_厂實idnr—於nw 程1^1亩_ 經過光罩Μ之UV光的照射，可使切割膠帶S之黏著力在 被照射部3 0中選擇性降低，而使切割膠帶S的延展力可 在整面晶圓W上有效地成爲分割作用力而傳達至晶圓 W 。其結果使得當沿著改質區域Κ分割晶圓W以獲得各晶 ® 片Τ時，並不會產生未割斷部分或碎屑或缺口，而可製造 出端面形狀良好的極薄晶片。 其中，在第2實施形態中亦可使用黏著力高的切割膠 帶S 〇 接著，根據第6圖說明本發明之第3實施形態。與前 述第1實施形態與第2實施形態相較之下，本第3實施形 態係僅在延展製程上有所不同。因此，關於其共同製程， 在此不再詳加說明。 於第6圖所不之構造中’除了第1實施形態之外，係 -16- 1355687 在切割膠帶S的下面配置光罩Μ。除此之外的構造因與第 4圖所示之分割裝置20相同，故省略說明分割裝置2〇的 圖示以及分_割·裝置20中的各部分。 關於光罩Μ ’與第2實施形態相同地，可按照玻璃罩 (使用合成石英、低熱膨脹玻璃、鈉鈣玻璃等）、薄膜罩 (使用聚酯薄膜等）、金屬罩等、精密度、成本等條件， 來使用各種光罩。

於第6圖之構造中，光罩Μ係將俯視光罩Μ時呈框 狀的遮光部分Μ1配置成將所分割之各晶片τ的周緣部分 加以覆蓋的狀態。換言之，至於與所分割之各晶片Τ中央 部分相對應的切割膠帶S部分，則係配置成可照射已穿透 光罩Μ之透光部分M2的UV光。此時，如圖所示，該部 分之切割膠帶S的黏著材料即形成被照射部4 0。

UV光由UV光源24 (參照第4圖）經由光罩Μ而朝 向切割膠帶S照射，同時壓低框架F (參照第4圖）。藉 由照射UV光’可促進切割膠帶S之被照射部40的硬化 同時，切割膠帶S受到延展，且晶片Τ之間的間隔拉 大。此時’與各晶片Τ之中央部分相應的切割膠帶s成爲 被照射部40，由於促進該部分硬化，因此該部分之切割 膠帶S難以受到延展，而使得被照射部40以外的部分， 亦即晶片Τ之間的割斷預定線附近的切割膠帶S受到選擇 性延展。亦即，切割膠帶S的延展力將有效地成爲分割作 用力而傳達至晶圓W。其結果使得當分割晶圓W時，並 -17- 1355687 不會產生未割斷部分，而可在整面晶圓W上進行晶片τ 的分割。 υ V光的照射強度（b ’率）、波長區域、照射時間等 照射條件係可按照切割膠帶S之黏著劑材質、晶圓W大 小、割斷後之晶片T大小等來選出適當的値。

根據以上說明之第3實施形態，於延展製程中，藉由 經過光罩Μ之U V光的照射，可在被照射部4 0中選擇性 促進切割膠帶S發生硬化，而使切割膠帶S的延展力可在 整面晶圓W上有效地成爲分割作用力而傳達至晶圓W。 其結果使得當沿著改質區域Κ分割晶圓W以獲得各晶片 Τ $ ’並不1產生未1!]斷部_分或碎肩~^缺口，-而可製~造出 端面形狀良好的極薄晶片。此外，根據第3實施形態，於 延展製程中，亦可獲得使得晶片Τ不易剝離之效果。 以上就本發明之板狀構件的分割方法及分割裝置之各 實施形態例加以說明，但本發明並非侷限於上述實施形態 例，可採用各種態樣。 例如，在實施形態例中，在黏貼有切割膠帶S之晶圓 W表面或內部形成改質區域的改質區域形成製程中，雖係 採用了雷射切割裝置，但亦可藉由如切割機來形成改質區 域。 此外，在實施形態例中，雖就由硬脆材料所成之板狀 構件作爲晶圓W之情形加以說明，不過，本發明之板狀構 件的分割方法及分割裝置亦可適用於使用於除此之外之各 種硬脆材料例如各種顯示元件（LC ( liquid crystal，液晶 -18- 1355687 )' EL ( electro· luminescence ’ 電激發光）等）之玻璃 基板的分割。在上述玻璃基板之雕繪（scribing)所進行 之分割作業中，§1會有因產生玻璃屑以致發生瑕疵的重大 問題，但是根據本發明則可有效解決該問題。

此外，在實施形態例中，雖以加工成厚度約30μιη至 1 00 μηι之極薄晶圓的方式而得極薄之晶圓爲例加以說明， 但是本發明之板狀構件的分割方法亦可適用於1 〇〇μιη以 上的晶片。 產業利用可能性

如以上之說明，根據本發明，於延展製程中對膠帶照 射UV光（紫外線之波長區域的光）。藉此方式，可使膠 帶的黏著劑硬化或使膠帶的黏著力產生變化，且可在整面 晶圓W上均句地伸展切割膠帶S。其結果使得當沿著線狀 改質區域分割板狀構件以獲得複數個基板時，並不會產生 未割斷部分或碎屑或缺口，而可精確製造出端面形狀良好 的極薄基板。 此外’根據本發明，只要在習知之板狀構件的分割裝 置中添加UV光照射機構即可，故可簡化裝置之構造。此 外’亦可簡化板狀構件的分割作業。其結果可使板狀構件 之分割裝置小型化，且可在短時間內進行板狀構件的分割 作業。 【圖式簡單說明】 •19- 1355687 第1圖係表示本發明之板狀構件的分割方法的第1實 施形態之流程的流程圖。 第2圖係用以說明雷射切ή瘥置之槪念圖。 第3圖係用以說明本發明之板狀構件的分割方法之原 理的槪念圖。 第4圖係表示本發明之板狀構件的分割方法的第1實 施形態之槪要的剖視圖。

第5圖係表示本發明之板狀構件的分割方法的第2實 施形態之槪要的槪念圖。 第6圖係表示本發明之板狀構件的分割方法的第3實 www^rw 要—的—槪 第7圖係表示習知之板狀構件的分割方法之流程的流 程圖。 第8圖係用以說明習知之延伸製程的槪念圖。 第9 ( a )圖及第9 ( b )圖係用以說明習知之延伸製 I程中進行分割晶圓的槪略圖。 【主要元件符號說明】 10 雷射切割裝置 1 1 :機器基台 1 2 : ΧΥΖΘ 平台 1 3 :光學系統 1 3 A :雷射光源 14 :夾具 -20- 1355687 20 :分割裝置 22 :環狀構件 2 4 : U V光源 3 0 :被照射部 4 0 ·被照射部 F :框架

K :改質區域 Μ :光罩 Μ 1 :遮光部分 M2 :透光部分 5 :切割膠帶 Τ :晶片 UV光：紫外線光 W :晶圓

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Claims (1)

1355687 拾、申請專利範圍 1. 一種板狀構件的分割方法，係將由硬脆材質所成之 板狀構件分割成複數個晶片的分割方\法’，其特徵爲：由以 下製程所構成： 在前述板狀構件表面黏貼膠帶之膠帶貼附製程； 在貼有前述膠帶之前述板狀構件表面或內部照射雷射 光，藉此形成線狀改質區域之改質區域形成製程；

在前述改質區域形成製程之後，以將前述晶片的中央 部分進行遮光的方式配置光罩，將UV光通過前述光罩而 照射在前述膠帶，藉此對與前述晶片之周緣部分相對應的 前述膠帶的部分照射UV光_ T而使前述膠帶的黏著力降低 的UV光照射製程；及 在前述UV光照射製程之後，對前述膠帶施加張力以 進行拉伸，藉此沿著前述線狀改質區域分割前述板狀構件 ，以獲得複數個晶片之延展製程。 2 . —種板狀構件的分割裝置，係將在表面黏貼有膠帶 且在表面或內部照射雷射光而藉此形成有線狀改質區域之 由硬脆材質所成之板狀構件，沿著前述線狀改質區域予以 分割，以獲得複數個晶片之板狀構件的分割裝置，其特徵 爲具備有： 以將前述晶片之中央部分進行遮光的方式所配置的光 罩； 將UV光通過前述光罩而照射在前述膠帶的UV光照 射手段：及 -22- 1355687 爲了沿著前述線狀改質區域分割前述板狀構 前述膠帶施加張力以進行拉伸的拉伸手段。 3. —種板狀構件的分割方法，係將由硬脆材 板狀構件分割成複數個晶片的分割方法，其特徵 下製程所構成： 在前述板狀構件表面黏貼膠帶之膠帶貼附製 在貼有前述膠帶之前述板狀構件表面或內部 光，藉此形成線狀改質區域之改質區域形成製程 在前述改質區域形成製程之後，以將前述晶 部分進行遮光的方式配置光罩，將UV光通過前 照射在前述膠帶，藉此對與前述晶片之中央部分 前述膠帶的部分照射UV光，而促進前述膠帶 UV光照射製程；及 在前述UV光照射製程之後，對前述膠帶施 進行拉伸，藉此沿著前述線狀改質區域分割前述 ，以獲得複數個晶片之延展製程。 4. 一種板狀構件的分割裝置，係將在表面黏 且在表面或內部照射雷射光而藉此形成有線狀改 由硬脆材質所成之板狀構件，沿著前述線狀改質 分割，以獲得複數個晶片之板狀構件的分割裝置 爲具備有： 以將前述晶片之周邊部分進行遮光的方式所 罩； 將UV光通過前述光罩而照射在前述膠帶的 件，而對 質所成之 爲：由以 程； 照射雷射 片的周邊 述光罩而 相對應的 的硬化的 加張力以 板狀構件 貼有膠帶 質區域之 區域予以 ，其特徵 配置的光 UV光照

-23- 1355687 射手段；及 爲了沿著前述線狀改質區域分割前述板狀構件，而對 前述膠帶施加張力以進行拉伸的拉伸手段：

-24 - 1350687 柒、（一）、本案指定代表圖為：第3圖 (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明： κ :改質區域 . s :切割膠帶 τ :晶片 UV光：紫外線光 w :晶圓

捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：無