TWI310819B - Supply system and supply method for special material gases - Google Patents

Supply system and supply method for special material gases Download PDF

Info

Publication number
TWI310819B
TWI310819B TW94140246A TW94140246A TWI310819B TW I310819 B TWI310819 B TW I310819B TW 94140246 A TW94140246 A TW 94140246A TW 94140246 A TW94140246 A TW 94140246A TW I310819 B TWI310819 B TW I310819B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
reservoir
special material
material gas
pressure
Prior art date
Application number
TW94140246A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200624704A (en
Inventor
Naoyuki Nakamoto
Seiya Tanoue
Eisaku Akiyama
Kazuo Yokogi
Shinji Miyoshi
Yoshiharu Kishida
Tomoko Yanagita
Original Assignee
Air Liquide
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Air Liquide filed Critical Air Liquide
Publication of TW200624704A publication Critical patent/TW200624704A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI310819B publication Critical patent/TWI310819B/zh

Links

Landscapes

  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Description

1310819 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種用於特殊材料氣體的大量供應系統及 供應方法,且特別是關於-種穩定地但以高流率供應用於 半導體之特殊材料氣體的大量供應系統及供應方法,該特 殊材料氣體典型的代表係例如是:ΝΑ、bcl 、& 、
SiH2CL2、Si2ll6、HBr、HF、N2〇、CA、% 或 ^。2 鲁 【先則技術】 對於使用於半導體製程中的特殊材料氣體而言,由於 石夕晶圓的尺寸變得愈來愈大,所以特殊材料氣體的用量也 變得愈來愈多。此外,典型的代表為數位資訊家電或可攜 式電話終端設備之化合物系列的半導體裝置的需求正逐年 增加’而不是衰退。另一方面,近年來,液晶顯示器一直 顯著地成長,而每個國家的製造商早已用驚人的速度加速 液晶電視的生產。正由於液晶電視日益龐大的生產,所以 _用於其中的特殊材料氣體的消耗量與半導體裝置的產量以 成比例的方式持續增加,而需要47公升大小的儲存器的 容積,而使得特殊材料氣體所供應的流率較大。作為一種 用於大消耗量之裝置,已經使用的是大尺寸的儲存器,其 容積是大於迄今為止一般所使用之47公升大小的的容積。 對於用於半導體製程的特殊材料氣體而言,已經為人 所熟知之具有低蒸汽壓的液化氣體,其典型的代表為: NH3、BCL3、CL2、SiH2CL2、Si2H6、HF、C3F8 或卿6。如 ί310819 果在儲存器中的氣相部分的氣體被釋放到外面,對於此種 液化氣體而言’相應於壓力下降程度之份量的液化氣體將 會從液相蒸發’且被供應到氣相。蒸發所需的大部分能量 是從殘留在該儲存器中的液相部分取得。因此,在沒有加 熱裝置被提供在一個儲存器上的情況中,此一問題將出現 液體度下降’且很快地在氣相部分的供應壓力會下降, 使得供應所希望的壓力變得不可能。
因此,一種將來自儲存器之外表面的熱量藉由使用一 個加熱裝置’而施加到該儲存器之方法已經被普遍採用, 攸而獲侍蒸發量的液化氣體。雖然有一種使用熱敷包(h〇t 7k)或溫水封套(w_……加⑻加熱器做為加熱 凌置的例j,但是具體地提出-種方法,其包括:藉由使 用陶t加熱器(或封套(jaeket )加熱器)來直接加 熱儲存器的底部’以在高流率下供應·3。此外,據指出: 鯖片的使用對於增進熱效率(請參照:例如,專利文件n 是有效的。 527,712/2004 公 器的外壁溫度之 溫度已經被控制 於該儲存器之後 伴隨著霧氣的形 在該儲存器之中 霧氣混合進入該 [專利文件曰本專利申請開平號: 報(美國專利號6,581,412的發明說明書) 然而,在一種於選擇溫度下控制儲存 傳統方法中,會出現此-種現象:當外壁 在Y個高於室溫的溫度時,氣體會在一條 引導的氣體供應管線中被再液化,其中係 成。在加熱的量未達到蒸發量的情況令, 會發生-種顛簸(bumping)現象,使得 1310819 氣體供給管線中。此種霧氣的 生 化’並因此使維持供應壓力變得困難二成流率與壓力的變 為腐蝕目的之情況中,會發 。在特殊材料氣體作 件的腐餘或金屬雜質與顆粒的增加。’像是供應系統構 率降低,❿且製程必需要被短二二::、,不僅半導體良 件的更換。 斷來進行氣體系統構 而且對於加熱裝置而言,—
而使得其與—個儲存器直接接觸,D的加熱源被使用, 的熱保持效果,-旦施加熱量在該儲存父於加熱器結構 鉍屆τ限 , 帝存盗上’溫度便不舍 U下降。一個陶究加熱器因為其 =會 下降功能方面是不適當的,1因此 I在上升與 變化的反應會變&者氣體之流率 蚰姑Τ B 要一種固定式鰭片做為 輔助工具’而此種情況則是另—種經濟上的負擔。,、’' 雖然熱敷包或溫水封套加熱器已經普遍用做一種用於 》皿熱一儲存器、以獲得蒸發量之液化氣體的裝S M曰是辟 由將-個熱電耗固定在一個儲存器之加熱器所接觸的一; 分外表面上、並控制該熱㈣’使得該儲存器的外表面達 到一個預定的溫度(低力40°c),而可實際地實行1溫度 的控制。在此種溫度控制的情況中,對於一個儲存器之内 部溫度的改變之信賴性是不適當的,並因此會在該處作用 過度的熱量(過量(overshoot))。 在充填到一個儲存器内部之氣體為可燃性氣體的情況 中,需要確保對於任何因為其洩漏而引起之預料外情況之 妥善處理的安全性。特別地,在—個被擺置於—個儲存器 1310819 因此刀中的加熱構件中’其表面溫度可能超過5001, 因此根據氣體的種類而會存在 點的可能性。如里u 〃 有 度超過其起火 的$ β 丨種氣體$漏出去*與該加熱構件接觸 疋可以想像的到會導致起火或爆炸。 【發明内容】 統及= Π = —種用於特殊材料氣體的供應* 1時間維持-定的品::大流率供應液化氣體,同 在一個41 〃係藉由將-㈣素燈加熱器固定 個L括一個像是嘲級宏 器的底部上,及實施磁田寸健存器之壓力館存 的p W 種用於保持該儲存器内部塵力值定 ::式加熱控制。依據特殊材料的氣要 ;==安全性。因此,本發明另-個目 此種計材料氣體的供應系統及供應方法,1且有 此種較咼的安全性。 戍,、具有 為了解決上述問題,本案發明人努 明人已經發現到:Μ 丸,.、口果,發 的供應系統及_ _ # h 用於特殊材料氣體 ^久仏應方法來達成,1 已實施本發明。 八,;下文令描述,並且 依據本發明,那 系統,其特徵在於包:一财:;子:特殊材料氣體的供應 充填在該館存器中;-個::二而I?材料氣體被 存器的底部,·-個用於量測在該儲存^氣:皮固定在該健 之裝置;以及一個用认& °中风相部分的壓力 〖控制該齒素燈加熱器輪出功率、使 1310819 壓力保持定值的裝置。 藉由建構上述系統而能夠達成的是:可以實施適备地 隨著:!殊材料氣體的流率之增加或減少之隨選式加:控 制’精以可以預先防止從儲存器中所形成的霧氣。亦即, 上述it况疋基於此一發現’該發現為:氣體儲存器由一個 鹵素k加熱器的加熱是適合做為一種加熱源,#中, 由=熱器或溫水所傳導的溫熱作用比肖,在從加熱側^
' 會產生任何熱慣性(heat inertia )的一個程度内找 尋到隨選式加熱控制。 〃、體地,在半導體製造所使用的製程氣體之中的液化 氣體被大量地消耗之情況中,因為蒸發潛熱的喪失,要確 保一個目標流率(objectivefl〇Wrate)是相當困難的。本 發明已經設計出由—個鹵素燈加熱器來熱傳導,而該齒素 :加熱器作為一個用於從外界補充這種蒸發潛熱之裝置。 错由使用此種熱源,如與習知的封套加熱器等等相較下, 已經可能的是穩定地但以高流率供應液化㈣,並且増_ 大約兩倍的熱效率。且另外,高滞點之主要包括濕心雜 質剩餘量方面的可#性可以獲得解決H,使能夠提供 y種用於特殊材料氣體的優良供應系统,其能夠穩定地但 以高流率供應特殊材料氣體。 依據本發明,上述用於特殊材料氣體的供應系統之特 徵在於:在該控制裝置中,PID㈣是在液體溫度 '以及 在蒸汽壓力與從其物理性質所獲得的溫度兩者之間的相互 關係所導出之液體設定溫度的基礎上實施。 1310819 ^如上34,在敎地但以高㈣供應已經被液化之特殊 對=!’液相溫度相當重要。然而,另-方面,依據 机作用或者例如離該儲存器的壁部表面—段距離之測量 “要獲得液相溫度的精確資訊有時候是相當困難的。本 =明人已經發現:在供應特殊材料氣體時,作為一種控 传:::液化氣體的蒸氣壓力’其為儲存器的内部麼力, 不項重要的準則(barometer);且更發現到:其中 著二;方過量現象的優良控制係能夠藉 理性質所液體溫度及在蒸汽壓與從其物 定溫度的^〜之間的相互關係所導出之液體設 PID二丨土 "上之一個鹵素燈加熱器的輸出功率承受到 =愚藉著。ID控制,其包括:藉㈣控制導致儲i 益的内口P壓力接近一個實際目標值,且並中 被增加到一個A牲姊从糾A 、 差動作用係 1路“ 氣體的供給量之變化量,或在隨 ”發生的液相溫度之變化量,亦#,在 得隨著此種變化量而產 ’可以獲 此,炉约接# 之時間常數的合適控制特性。因 &月,夠&供一種用於特殊材料氣體的優良供 此夠穩定地且以高流率供應特殊材料氣體。‘〜、、/、 依據本發明,上述用於特殊材 ^特徵在於:該儲存器的底部之外部表供應系統 高熱吸收效率的顏色來著 ’、 種具有較 到該外部表面/ #色,Μ素燈加熱ϋ係輻射光線 不統相較,•素燈的反應時間很快,且 卜/、加熟的接觸,因此, 1 實知加熱標的的表面處理是相 1310819
當容易的。因為本發明已有效地利用使用_素燈所獲得的 優:,所以藉由以-種具有較高熱吸收效率的顏色將該儲 存器的底部之外部表面加以著色,_素燈的輻射能量可以 被有效地吸收。因,匕’已能夠更增進熱效率及節省能源。 在同時,即使在儲存器中_態氣體的剩餘量減少,從使 用初期到使用末期之間,穩定地持續供應高純度氣體、且 防止氣體雜質聚集到液相這一側是可能的。無論是無彩色 或彩色,本文所使用的用語‘‘―種具有較高熱吸收效率的 顏色”表示一個具有比一般被稱為無彩色的灰色更暗的顏 色,且其係對應例如是黑色、灰色或更暗的顏色。 依據本發明,上述用於特殊材料氣體的優良供應系勒 之特徵在於其更包含:-個用於聚集從函素燈輻射到儲肩 益之光線的裝置,使得該⑽被防止Μ到外部。 關於齒素燈上述的特性,茲山丨 ^ ά 们符性藉由控制一條光學路徑而網 光線集中到一個特定區域也 疋J此的。因為本發明已經有 效地利用此種齒素燈具有的優 ㈣優良特性,®而可以藉由將光 線承集到一個儲存器的 使得能夠防止光線洩 漏到外。卩’使得鹵素燈幅射的 里了以被有效地吸收。因 * ,已經能夠進一步增進熱效率且節省能量。 依據本發明,上述用於胜 ^用於特殊材料氣體的供應系統之特 徵在於,該齒素燈加熱器盥俜 π ^ 一係從該儲存器的外界環境被隔 開且被谷納在一個框罩之中。 熱裝置相較,該鹵素 400〜5 00°C的温度。 雖然與一個使用電阻器等等的加 燈加熱器的表面溫度更低,其係達到 12 1310819 依據氣體的種類(例如,或Si2H6的情況)的不 同,因此有相同的表面溫度會變得比其發火點更高的可能 性。即使在像是乂〇之不具發火點之氣體的情況下,仍然 有在咼溫下此氣體被分解而產生氧氣、呈現助燃特性且助 長火災的可能性存在。本發明已考量到這些可能性。即使 氣體已經從儲存器洩漏出去,其係藉著製作此種隔開結構 而被防止與容納在該框罩之内的齒素燈加熱器接觸,並因 此可以避免發火的危險。此外,此種技術實現了一種防止 任何異常情況的功能,該異常情況是由洩漏的氣體或該鹵 素燈加熱器的可能污染物所造成之劣化所導致的。 依據本發明,上述用於特殊材料氣體的供應系統之特 徵在於,一種裝置被提供用於供應清潔用流體,其中,該 清潔用流體被供應到該框罩之内,使得其被設定成較該框 罩的外部環境更高的壓力。 本發明早已嘗試進一步利用該框罩。藉由將在框罩内 •㈣力設定成比大氣壓力更高,可以進一步確保此系統的 安二性,而戎儲存器被容納在框罩中。因為該儲存器之内 #壓力比大氣壓力更高’而已經线漏到開放空氣中之特殊 材料氣體的壓力接近大氣壓力,亦即,可以防止汽漏的氣 體擴散到該儲存器之内。因此,使能夠適當地防止由茂漏 的氣體或其污染物所造成的發火之危險。 依據本發明,上述用於特殊材料氣體的供應系統之特 徵在於,該清潔用流體為惰性氣體。 如果隋性轧體被引入作為上述的清潔用流體,則此種 13 1310819 系統的安全性被進一步強化铋 /強化就爆炸性氣體而言,其爆炸 2範圍將依據其氧氣濃度來決定,而其大致為:氣氣濃度 心同、爆炸的範圍愈大。本發明企圖藉著惰性氣體,而使 ==内部的空氣小於最低的爆炸極限。藉由經常清除 框罩内部的作業,或藉著使用像是氮氣(n2)的惰性氣 :來使其保持在密封的狀態下,可以加強此㈣統的^ ^外’此種技術實現了—種防止任何異常情況的功能, «常情況是由㈣的氣體或齒素燈加熱器的可能污染物 所造成之劣化所導致的。 依據本發明,上述用於特殊材料氣體的供應系統之特 徵在於,-個壓力伯測裝置係用來監控在該框罩之内的塵 =中:該壓力偵測裝置的輸出功率被傳輸到該控制裝 ’以執行該_素燈加熱器的電力供應之控制,及一個用 於供應特殊材料氣體之閥件的打開與關閉操作之控制。 如上所述,該框罩内部的空氣是此種系統安全性的一 個重要因1。依據本發明’壓力被選擇作為-種用於監控 該框罩之内部的要素,而其量測值制來作為—個控= 的,藉以確保該系統的安全性。亦即,建構一個系統,J :在該框罩内的壓力小於一個設定的壓力日夺,該系統具有 種自動地中止供應到該鹵素燈加熱器或關閉用於特殊 ^ 氣體的供應闊體之電力的控制功能。藉由此種系統結構 白、功效’使㊣夠預先避免茂㈣氣體混合物進入到該框罩 的危險’並且能夠預先防止該儲存器中所形成的霧氣。 依據本發明,上述用於特殊材料氣體的供應系統之特 14 1310819 徵在於,在該維罢+ 罩中’具有光透性之耐熱玻璃被提供在該 齒素燈加熱器與该健存器的底部之間的中間位置。
/齒素燈加熱15韓射紅外線光束,以加熱該儲存器的 底部。為了從容納在該框罩中的鹵素燈加熱器有效地取出 Ί車乂佳地在4框罩中,光透性玻璃被提供在該齒素燈 力二熱器與該儲存器的底部之間的中間位置。更佳的是選擇 -種具有更高光透性的玻璃。藉由較高光透性的功效,亦 即熱月b可以有效率地提供於該健存器的底冑,而可以避 免由其自身加熱所引起的玻璃之溫度加熱作用(hotting ), 仉而可以避免在玻璃表面上的發火之危險。此外,較佳選 擇在耐熱性與強度方面皆優良的玻璃。 、 /依據本發明,上述用於特殊材料氣體的供應系統之特 禮在於個保s蒦用構件被提供在該框罩之配置有耐熱破 璃的部分上,其中,當該儲存器被置人與取㈣,該配置 的财熱玻璃部分被封閉,而當使用該函素燈加熱器時,該 耐熱玻璃配置的部分被開啟。 如上述,該框罩防止沒漏的氣體與㈣素燈加熱器才 接觸’並且在藉由光透性玻璃,從該齒素燈加熱器使輻身 的先線變得安全的方面起作用。該㈣本身可以被做成j 堅固的結構’然而該耐熱玻璃大體上不能耐受機械撞擊。 在本發明中’為了保護玻璃’開啟與關閉式玻璃保護用相 件被提供在該框罩中。藉由依據此-系統的伺服狀鞋 (vice station)來操作該玻璃保護用構件能夠保= 不能耐受機械撞擊的玻璃。 π 15 1310819 η、爆不發明 •….•厂· I w肢叼识愿万法之和 ::於包含:將一㈣素燈加熱器固定在-個儲存器的: #上二而該氣體被充填到該儲存器中,以及依據液體溫度、-及在洛汽屢與從其物理性質所獲得的溫度兩者之 關係所導出之液體号宗、、b # . 、 又疋,皿度,使齒素燈加熱器的輸出功率 =於PID控制,使得在該儲存器中的氣態部分之麼力被 不:::,藉以從該氣態部分所取出的氣體中之雜 二;上:’:即使當在該儲存器中的液化氣體剩下的量下 夺攸該就態部分所取出的氣體不會含有霧氣。 依據本發明,藉由有效地利用由 性,並採用-種符合上述這些特性的控制方良特 供-種用於特殊材料氣體的i夠提 —ό 儍良供應糸統,其穩定地並以 ==化氣體。此外’在本發明之研究中,已經發 J .此種用於特殊材料氣體的供應方法可 ::::供給氣體而形成的霧氣,可以增進來自外;:: 輸效率,以保持儲存器的内部壓力以及 旦,,,、 一步解決伴隨著在該儲存㈣的殘 並進 之氣體雜質的增加。 餘孔體!的減少所產生 藉由將一個函素燈加熱器固定在— 之儲存器的底部上、且控制該加熱器 = 皮充填 =壓力被保持定值,在依據如上述之本發明== 特殊材料氣體的供應系統中,能夠實施 種用於 流率的增加或減少之隨選式力执㈣ 以正確地隨著 夕之4選式加熱控制,並且 器中所形成的錢是有可能方止儲存 16 1310819 藉由塗佈種具有高熱吸收效率的顏色到—個光線從 一個齒素燈加熱器被轄射到其上的部分上,及採用—種將 齒素燈聚光到-個儲存n的程序,則更加增進熱效率與節 省月匕里疋可此使在該儲存器中的液態氣體的剩餘量 減少,此時從使用初_㈣末期之間,穩定地持續供應 高純度氣體’㈣防止氣體雜質聚集到液相這一側是同: 可能的。 此外藉由將該鹵素燈加熱器容納在一個框罩中,並 執行該框罩㈣的清除作業,可以進—步強化此系統的安 全性。藉著在該框罩與該儲在 、忒儲存益之間的中間位置提供光透 性玻璃,以及提供一種用於伴 於保4 δ亥玻璃之構件,能夠建構 一個系統,在該系統中,可古 易獲得安全性。 以有效地利用光線,且可以容 【實施方式】 現在參照該等圖示,本發 述 *货a的實施例將於下文中被指 圖1是一個概略視圖,1例千— 特殊材姐^ _ /、例不—種依據本發明之用友 将殊材科氣體的供應系統。此供 1,而牲址“ 供應系統包括:-個儲存著 而特殊材料氣體被充填在該儲存器 加執写9廿 個画素趕 …為2’其被固定在該儲存器1的 m a ^ 1履4上,一個用於量 μ儲存器1中氣相部分的壓力 4 . , 刀之裝置(壓力感測器) ,、错由一個閥體3而被連接到該儲 及一個田μ 喵存器1的内部;以 固用於控制該鹵素燈加熱器2輪
别出功率的裝置(AVI 17 1310819 控制器)5’使得該儲存器丨的内部壓力保持定值。此外 在此視圖t,此-供應系統被例示成一個具有一個用於齒 素燈加熱器之反射板6之系統,而其將於下文中描述。、 保存在-預定條件下的特殊材料氣體是在該儲存器! 的内部中被蒸發,通過該閥冑3、且穩定地供應到個別的 早兀’例如:-個半導體製程的單元。其供應流率的調整 可以由-個位於處理單元之側邊上的流量調節器來實施。
該儲存器1的内部壓力,係依據在該AVP控制器5中 的壓力感測器4之輸出功率’而受到控制。藉由具體地在 將於下文中描述的AVP(全汽相(ALLVAp⑽pH·)) :態下實& PID控制’雖然一個預先設定值(對應於在蒸 汽壓與溫度兩者之間的相互關係所導出之液體設定溫度) …亥C力感測n 4之輪出功率(對應於在蒸汽壓與溫度兩 者之間的相互關係所導出之液體溫度)係互相比較,其係 能夠實施非常穩定的控制,而不會有過量現象產生。 一有低的蒸汽壓之液化氣體被充填到該儲存器丨中, 而該液化氣體典型的代表為··丽3、BCL3、CL2、SiH2CL2、 S^H6、HF、C3F84 WF6。雖然儲存器1的尺寸大小取決 方1文所提及的半導體製程之規模’但是一個從數百到數 千公升大小範圍的壓力儲存器,在本發明中可以被例示成 _種大尺寸的儲存器。例如在II的情況中,可以具體地例 示一個系統,a , — 上述具有大約13到1 5。(:液態溫度之液化氣 體係藉由忒系統在大約3〇〇到35〇 L/min( SLM)下被供給, 在此種條件下該儲存器1的内部壓力是大約0.55到0.65
18 1310819 MPaG。 此外,依據本發明用於特殊材料氣體的供應系統,也 可以被應用# —種小型儲存ϋ或從料到數十公升大小範 圍的標準高屢儲存器,不僅是作為—種像是嘲級容器之使 用大里化的儲存器之大型供應系統。在圖2中具體地提出 此種系統作為例示,其將於下文中描述。
該齒素燈加熱器2被固定在該儲存器i的底部上“亥 #素燈加熱器2使用從一個照射器(lamp)輻射出的光線 作為-個熱源,並且因此僅在光線被施加在其上時加熱。 亦即,當開關被打開/關閉時’熱能幾乎在同時被投射。因 為與-般加熱系統相較下其反應相當,决,因此藉由使用一 種控制方法來限制過量現象是可能的,其將於下文中被描 述。因為㈣素燈加熱器2與該儲存胃丨並非接觸狀離, 所以有—種可靠性顯著良好的特性,且不會有㈣可能由 加熱益引起的熱保持效應存在。再者,該_素燈加熱器2 因為其自身的特性而具有的豆中一 熱敷包等等相較下特性為]°與習知的 敉下之車“的熱效率。此外,該 器2也具有較大優熱,姑…也丄 Λ,、、、 使付與由溫水傳導而溫熱的情況相 杈下’其刼作控制非常容易。 藉由塗佈一種I右古止括而l 有回先線吸收效率的顏色(例如:里 色、灰色或深色)到一個挫左獎—A ''、、 個儲存器之一部分的下方部分之 而光線被輻射在該部分上 L你批 上以善加利用南素燈加熱器2的 此種特性,在與塗佈白& + .,L >佈白色或淺色相較下,更可以增加熱效 率。此種具有咼光線吸 政丰的顏色的塗佈較佳僅被實施 19 1310819 到一個光線所輻射的部分。至於使該儲存器丨的内部壓力 保持定值的加熱效應,亦即,僅是該鹵素燈加熱器2的溫 度,这僅疋光線輻射在該部分之上的某一部分的溫度,該 溫度較佳是-種控制的標的。理由是較佳地排除許多影 響,像是受光線轄射的部分之外的自然光,以及光線從該 儲存器1所擺置之位置處散射到最遠處。
再者,為了將光線有效率地輻射到一個目標表面上, 一個反射板6較佳地被固地到該處素燈加熱器2上。該輻 射能量可以被有效率地施加到該儲存胃i的下方表面,如 圖1所示,其係藉由以反射板6將從函素燈加熱器2被轄 射的光線聚集到該儲存^ 1,使得光線不會浪漏到外侧。 因此可以旨4進-步改善熱效率。藉由將因為儲存器丄 與齒素燈加熱器2不會接觸、而從該儲存器1與㈣素燈 力’、’、益2之間的間隙洩漏之光線’藉由使用該反射板6聚 集在該儲存器丨底部之一個目標區域,可以進一步改善熱 效率。配置該反射6,使得其覆蓋㈣素燈加熱器2與 光線所II射的表面是可能的,同時將—個具有預定曲面的 反射板6固定_素燈加熱器2的下方表面也是可能 J再者藉由選擇一個被覆有一個反射臈的鹵素燈加熱 將光線輻射到-個目標方向是可能的。 :反射板6並未被特別地限制,只要其能夠反射可見 ==線即可。由於考慮到覆蓋該儲存器1與該齒素 由f'2的可行性及確保反射功能,所以較佳可以使用 由-個在某種金屬或樹脂構件的表面上形成具有光線反射 20 Ϊ310819 力此::膜:製成的反射板’該薄膜例如:金或鋁。 調控制方=源中’從操作的觀點來看,在溫度微 . '"制,因為其為一種整合的型式(unified 二V:而在該_素燈加熱器2的情況中,藉由選擇地 控制加熱器的數目盥去_ 溫度微調控制,這的輸出功率’而能夠施行 旦 k疋因為可以擺置選擇數目之具有預定容
里的加熱器。即借去旦^ 6 X ^吏考里到女全性的觀點,當與一種直接接 一個:^習知熱源㈣’該非接觸式_素燈加熱器具有 哕-::女王性的優點。而且’與—種習知的加熱器相較, 且加熱器從成本的觀點來看更是便宜,並且其操作 較習知的加熱器更簡單。 ’、 並未特別限制壓力感測器4是否為具有对壓特性 〆pressure_p_f pr〇perty )。從量測精確性來看,可以適 選擇隔板類型、壓電類型與半導體類型的壓力感測 态0 在本發明中,提供一種用於特殊材料氣體之優良的大 型供應糸統是可能的,其使用一個齒素燈加熱器2與AVP 控制器5取代熱敷包或溫水。AVP是一種控制系統,盆中, 一種在蒸汽遷與液化氣體溫度兩者之間的相互㈣(―種 Μ關連之相關方程式)被預先輸入,且其中,藉由依據液 體溫度與在儲存器中之液化氣體的飽和蒸汽壓所導出之液 體設定溫度的PID控制,可以啟用隨選式加熱。 PID控制是由在圖2中所例示之方法具體地來達成。 雖然此處例示一種標準的高壓儲存器(例如:饥的儲存 21 1310819 器),但是該控制可以藉由一個類似系統,甚至是在一個 大型儲存器中,來達成。 (1 )如圖2所示,當從該高壓儲存器丨所供應的特殊 材料氣體由該壓力感測器4量測時,獲得—個連續的量測 值Ph。 (2)在该咼壓儲存器1中的飽和溫度Tsat是從基於 個相互關係表7 (在蒸汽Μ與依據物性表所決定的溫度 兩者之間的相互關係之數據)之壓力量測值ph來計算, 鲁並且輸入AVP控制器5。 (3 )在AVP控制器5中,—個液態溫度設定值Tsat* 已事先輸入。Tsat*可以由下列方程式獲得,其中,Tw表 示高壓儲存器1的周遭溫度或室溫。
Tsat*= Tw- Δ Τ △ Τ = Tw — Tsat 本文令藉由將在儲存器中的液體溫度Tsat設定在低於 室溫Tw,使能夠防止一個沸騰現象,這是一個霧氣形成 的原因。 / (4)尋找一個在Tsat與Tsat*之間的差異,而藉由該 函素燈加熱器2傳導之加熱作用是反應此種差異而被控 制。本文中對於該Avp控制器5的功能而言,較佳是依據 PID控制來實施隨選式控制。藉由此種隨選式控制,以充 刀反應的方式回應在流率方面的變化,其中,該儲存器的 情況可以被迅速反饋。 藉由上述的控制方法,已經能夠提供一種用於特殊材 22 1310819 料氣體之優良的大型供應系統, 凡如下文中所述,該供應系 統不此以習知的方法實現。 (1)使能夠增加氣體供應量。 (2 )藉由使氣體具有低l丄 ,、有低/揽或防止在該儲存器中的沸騰 現象,可以獲得一種無霧氣的情況。
(3)藉由維持均勻的液體溫度,可以防止雜質隼中到 液體側。 *貝罘Y生J (4 )藉由維持均句—鍤I 、波 ^ y J種軋-液向相均恆狀態’使能夠 降低液體剩餘量。亦即,在 有效地利用。 在讀存㈠的氣體可以被整體 <實例> 具體地揭示本發明内容與效果的 述。此外,不用說,本發明並未限定 :二7 評估方法。 疋於此等實例與所作的 <評估方法> 在實例1到3中,每個系統的 評估。 u w热双丰依據下列的標準 力二=广預期之氣想蒸發的潛熱_/加熱器電 預期的氣體蒸發潛熱(莫爾 , 妞λ批咕 …I兵爾早位)是從其物性表中霖 找。加熱器電力藉由將一個瓦特計 中尋 個加熱器電源線之上, 、 擺置在一 +, 且一直施行對該瓦特計的監批 早位時間、莫爾單位的電力。因此,兮献 政率可以從這兩個參數導出。 遠熱 23 1310819 <實例1 > 藉由使用圖1ws,,-上 ~侈丨7F之一種用於特殊材料氣體之優 、的大1仏應系統’來實現-種在本發明中的熱效率之評 估。一個此處所使用的r 士 的(大型)儲存器的尺寸被設計為外 徑_.6_與長度2.225 _,並具有術升的水容積。 ,素燈加熱器被固定在該儲存器的底部上。一個麼力 感測益被固定接近—個儲存器的《位置,該閥體是-種 用於該儲存器的内部氣相部分之排出口(take_〇ffp〇rt)。 在儲存器内的氣相部分中之壓力由此種壓力感測器所監 控’並且在AVP中被控制。例如,250公升的水被灌注到 =儲存器中,且在儲存器的底部為白色的情況中之熱效 率與在儲存ϋ的底部為灰色的情況中的熱效率係在相同的 加熱器容量被比較。結果,熱效率在白色的情況增加34%, :在灰色的情況增加59%;換言之,在灰色的情況下能夠 更加增進該熱效率。同樣在使用特殊材料氣體氨(丽3) :類似實驗中,確認到:如與白色的情況相較,在灰色的 情況下熱效率增加大約1>7肖。藉由固定—個反射板,用 於反射從該_素燈加敎5|歲兮蚀六gg …、與該儲存^之間的間隙洩漏的光 線到該儲存器外側,與無反射板的情況相車交,能夠更加增 進大約_的熱效率。藉由採用這些程序,在使用齒素燈 加熱器且使用腿“乍為一種液化氣體源時,如與習知的熱 敷包相較下’熱效率增進大約2倍。 <實例2 > 公斤的液態顧3被充填到—個外徑788麵、長度 24 1310819 2495 mm以及930L的次交旦从丄工丨h 水奋里的大型儲存器之中,而Nh3 以300 SLM的流率流動。採 休用兩種方法,其中一種方 括:當使用一個鹵素燈加埶考柞& ° 热器作為一個加熱源時,藉由一 個AVP控制器來控制儲存器 n丨!刀,而另一種方法是 使用一種溫度30°C的溫水封套加埶 >珂贫加熱Is作為—個比較用的例 子。間歇性地量測在該氣體中的 τ /然軋,置到初始5〇〇公斤 的充填量變成50公斤的剩铪吾各 剩餘里為止。選擇濕氣的理由為:
在液化氣體的的情況中’濕氣是一種高沸點的成分,而高 沸點的成分很容易集中到該液相側。結果顯示在圖3中。 在使用溫水的情況中,在淡能从 隹/夜態ΝίΪ3的剩餘量小於200公斤 之後’濕氣開始上升。另一太而,—冰m 为方面,在使用該_素燈加熱器 的情況中,濕氣的濃度不會從初始充填量上升到W公斤 的剩餘量,而其小於-個5Gppb之最低偵測限值。 <實例3 > 藉者使用NH3來實施—種測試,該測試關於一種在流 率與儲存器的内部壓力兩者之間對已經過時間的相互關 係。對於用於此種測試的加熱方法,採用兩種加熱方法, 亦即’ 1)無加熱作用;以及2) AVP+ ·素燈加熱器。結 果顯示在圖4中。剛開始NH3以3〇〇 SLM的流率流動,而 其流率在中途減少到200 SLM。在經過固定時間之後,流 率更増加到300 SLM,並且稍微維持一段時間。在i )無 加熱作用情況中,壓力隨著時間而下降、流率在一些時間 之後開始下降,且在25分鐘之後該測試中斷。另一方面, 在1 ) AVP +鹵素燈加熱器的情況中,即使當流率改變且 25 1310819 流率可靠度非常穩定時’壓力幾乎不改變。 <另-個依據本發明之用於特殊材料氣體的供應系統 之結構實例> 在下文中將描述另-個依據本發明之用於特殊材料氣 體的供應系統之結構實例。該結構實例將基於一個具有圖 (A所示的側視圖與圖5(b)所示的前視圖之裝置被 ;=述。該裝置被建構成使得圖”的基本結構之齒 素燈加熱器2與反射板6被容納在—個框罩8巾,立中, ==行該鹵素燈加熱器與該儲存…外界空氣 2 :來確保系統的安全性。再者,藉由從-個清潔用 二Li 9來引入清潔用流體(空氣)或惰性氣體,以 個用於監控該框罩8的内部壓力之壓力偵測 ,來確保該系統較高的安全性。在該框 ,且 有光透性之耐埶*基彳彳 1 … 被獒仏在該鹵素燈加熱器2與該 = 確保了從㈣素_ 素燈加熱器2…:二㈣輻射’同時也確保該. 與該儲存态1的外界空氣隔離。 顯示在:存二7與圖5 (B)中’提出-個結構實例,其 在該儲存考φ與框罩8被容納在另-個底座中。即使當 褒置π:氣體㈣漏…防止對另-個系統或 —個風扇來’此—實例被建構成—種安全結構,藉由 得漏出的氣體 '負壓以排出在該底座的内部中的空氣,使 不會被保留在該底座的内部中。 該框罩8认 的形狀與尺寸並未被特別限制,只要框罩8 26 1310819 可以容納該鹵素燈加熱2與岑应斛4c γ 、忒反射板6即可。為了防止清 潔用流體或輻射的光線所執行 讯仃的π除效率之損失,較佳是 使用一個框罩8,而框罩8的形狀 7〜狀興尺寸係大到足以容納 一個最小的反射板ό。製作& τ % @ 卜以下的構造也是可能的:框罩 8之具有反射功能之一部位的姓楼 幻、〜構被配置來省略該反射板 且該鹵素燈加熱2被配置在咭柜g c , ^ 1隹忒框罩8相同的反射表面 上。藉由製作如上述之使得從儲存器i所、;矣漏的氣體不會 直接接觸該齒素燈加熱2的表面的結構,如果氣體已經從 讚儲存器1茂漏,可以避免發火的产!^ 艰兄赞Λ的危險,廷是因為該氣體並 未與容納在該框罩8中的_素燈加熱2相接觸。 來自清潔用流體引入〇 9的清潔用流體被引入到該框 罩8的_。對於要被引入的流體而言,使用例如藉由淨 化與該儲存器1之外部環境隔離的開放空氣(邛⑶ai〇所 獲得的空氣是可能的。在儲存器!的容積是大約3〇〇公升 的情況中’例如藉由使此種流率大到大約3〜3〇 L/min的 ,空氣’可以充分地實施清除作用。此外,在一種維持由加 壓所引起之密封的情況中,可以在一個較低的清除量下充 分地施行清除作用。如果惰性氣體被引入來取代開放空氣 的引入,則該系統的安全性將被進一步強化。具體的說, 或氬氣(Ar )可以作為例示。 在該框罩8内的壓力較佳被設定成高於框罩8的外界 環境’此情況在圖5 ( A )與圖5 ( B )中是儲存器丨的外 界壓力。因此’可以防止:洩漏的氣體散佈到該框罩8之 内,這是洩漏的氣體與該IS素燈加熱2相接觸的原因。如 S) 、/ 27 1310819 果在框罩8内的壓力可以被保持在稱微較外界壓力高之壓 力(高到大約數十〜數百mmAq或更多),如此就夠了。 對於-個清潔用流體供應裝£ 9而言,可以滿意地使用— 種具有吹軋功能的風扇。此外,此種具有一個能夠持續清 除作業的機構、-個能夠密封的機構或使用前述兩者之裝 此外較佳的是,提供能夠持續監測在該框罩中的壓力
之壓力崎4 1〇’用以確認上述清除作業之情況,且用 作-種安全機構與品質保證的功能。如果在該框罩8的内 部壓力低於設定壓力的情況下,藉由連結該框f 8的内部 壓力的資訊與此一系統的控制功能…同時獲得 動中斷供應到該_素燈加熱2之電力的功能,與一種 心特殊材料氣體之供應㈣3的功能,也就是,即使當 在5亥框罩8中的壓力由於該耐熱玻璃"等等的任何損壞 而達到大氣壓力時,可以維持此系統的安全性,而可以確 保所供應之特殊材料氣體的品質。具體的說,#由中斷供 :到該函素燈加熱2之電力,可以停止該加熱部件,以使 二溫度低於發火點,⑹而可以事先避免隨著汽漏的氣體 到該框罩内而發生的危險。冑由關閉用於特 體之供應閥體3,且同時,可以事# ’ ' 事先避免隨著在儲存器1 的加熱狀況之改變而產生之霧氣的形成1而,可以事先 避免含有霧氣的氣體混合到將被供應的 内。因此’可以建構出-種能夠供應具有穩定品;= 材料氣體之系統。此外,—種類似《力感測器4之^
28 1310819. 感測器可以被利用作為壓力偵測裝置i 0。 在該框罩8中,具有光透性之耐熱玻璃丨丨較佳被被提 供在該_素燈加熱器2與該儲存器1的底部之間的中間位 置。為了有效率地獲得在該框罩8中之幽素燈加熱2的光 線’較佳地,在該框罩8中,具有光透性之《熱玻璃U 被提供在鹵素燈加熱器2與儲存器i的底部之間的中間位 置,且較佳地,具有較高光透性之玻璃被選做此種玻璃。 換言之,必須提供—個大容量的齒素燈加熱器2,這是因 為如果光透性小,會損失提供到儲存胃t的底部之熱能。 在光線傳輸期間所損失的能量被轉換為加熱财熱玻璃η 本身的能量,並且結果該耐熱玻璃u本身係被加熱。因 此:避免茂漏的氣體與高溫表面接觸而被點燃的危險情況 變得不可能達成,而此是提供框罩的一個原始目的。且體 的說,當於此使用具有光透性之耐熱玻璃u _,強度優 異並具有超過9G%光透性之耐熱玻璃η是有效的。此外’ 最好是具有㈣95%光透性之耐熱玻璃u。例如,财執 石夕化侧、石英或藍寶石⑺2〇3)玻璃為典型的代表。’、’、 此外在此系統中,一種具有此種保護用構件a的結 構、用於保護圖6 Γ A )盥〇 < /。、 ()與圖6 (B)所例示的耐熱玻璃11 轨祐父们如果試圖使得光透性較高,那麼具有光透性之耐 熱玻璃11的厚度較小為較佳 w缺t 权住特別疋,其紅外線的光透 性。然而,如果該财熱玻璃u㈣度 不能耐受機械撞擊。藉由提供一 p麼其 2 W «λα 種保δ蒦今納_素燈加熱器 、耐熱玻璃"之開啟與關閉式保護用構件12、 29 B10819 及藉由製造當該儲存器"皮容納與取出時,該保護用構件 12被關閉以保護該耐熱破璃u,且當容納該儲存器丄的 作業已經完成之後氣體被使用時’該时熱破璃u會因此 被開啟的此種結構,能夠保護無㈣受機械撞擊的玻璃。 如圖6 (A)所示,在提供一個由虛線所示之儲存器^ 的情況中’會具體地維持以下情況:開啟與關閉式保護用 構件1"月該框罩的兩側開啟,使得從該_素燈加埶器2 所韓射的光線可以被輻射到該儲存器丨的底部。在同時, 此種技術效果為:該保護用構件12纟有_種如防止光線 賴射到介純罩8與該儲存m之外側、以降低光線 損失之反射板的功能。 此外’在接納該儲存器i之前或取出該儲存器丄之後, 該保護用構件12被開啟,以如圖6⑻所示地覆蓋耐熱 玻璃11 ’藉以該耐熱玻璃11可以被保護、不受到從外界 引起的機械撞擊。難_ + i ⑽ 植拏藉由此種如上述的結構,即使當該框罩 8單獨移動時,也能夠避免該耐熱玻璃11的損壞。 【圖式簡單說明】 圖1例示依據本發明之用於特殊材料氣體的供應系統 之概略視圖; 圖2例示依據本發明之Avp控制方法的說明圖; 圖3例示依據本發明實例之在該儲存器中,液相簡 的剩餘量與氣相而3中的霧氣濃度之間的關係之說明圖; 圖4例示依據本發明實例之在該儲存器中的加轨或I 加熱狀態’氣相叫的流率與氣相贿3㈣力之間的關係 30 1310819 之說明圖; , , ^ ^ /IJ 々, 之另一個結構的概略視圖;以及 - 圖6例示在另一種結構中之用於可透光玻場之保護用 構件的操作情況之概略視圖。 【主要元件符號說明】 Tsat液體溫度
Tsati|5液態溫度設定值 1 儲存器 2 i素燈加熱器 3 閥體 壓力量測裝置(壓力感測器) 控制裝置(AVP控制器) 反射板 8 框罩 9 清潔用流體引入口 10 壓力偵測裝置 11 耐熱玻璃 12 保護用構件 31

Claims (1)

  1. -1310819 十、申請專利範圍: :::特殊材料氣體的供應系統,其包括: 個儲存器,而特殊材料氣體被 —喝燈加熱器,其被固定在該儲存器的底::上; 置’·以及 在X储存盗中之氣相部分的壓力之褒 定值的裝置。控制以素燈加熱器輪出功率,使壓力保持 供二、如申請專利範圍第1項所述之用於特殊材料氣體的 應糸統,其中’在該控制裝置中,ρ 體的 酿度,以及在蒸汽屋力與從其物 :::液體 之間的相互關係所導出之液體設定J:實^ 3·如申請專利範圍第i項或第2 料氣體的供應系統用於特殊材 種具有高熱吸收效率二色部之外表面用- 輕射到該儲存器的底部之外表面/而㈣素燈係將光線 供應4二?更專::所述…特殊材料氣趙的 該儲存器的光線之…:聚集從該㈣燈所輻射到 尤猓之裝置,使得可防止該光線茂漏到外部。 供應1:,申:Γ範圍第1項所述之用於特殊材料氣體的 赫,/、該鹵素燈加熱器係從該儲存器的外界if 土兄隔離,並被容納在一個框罩之中。 卜界嶮 俾二利範圍第1項所述之用於特殊材料氣體的 〜糸統,其中,—個裝置被提供用於供應清潔用流體, 1310819 二中》亥^,糸用流體被供應到該框罩之 於 疋在比該框罩的外界環境更高的壓力。 于,、? 》又 供二:申Λ專利範圍第1項所述之用於特殊材料氣體的 供應糸統,其中,該清潔用流體是惰性氣體。 8.如申請專利範圍第丨項 供應系、统,其中,一個屨 ;特殊材料氣體的 框罩内的麗力,”置被提供用於監控在該 ,批㈣ /、中’该壓力偵測裝置的輸出功率被傳入 该控制裝置中,以勃杆呤A I W 刀千饭得入 制 κ 執订該齒素燈加熱器的電力供岸之栌 制’以及-個用於供應特殊材料氣 ::二 操作之控制。 Ν彳千的打開與關閉 9.如申請專利範圍第丨項所述之用 供應系統,其中,在兮框置 、特殊材料氣體的 罩中’具有光透性之耐埶玻璃被 k供在該鹵素燈加熱 “'、玻璃破 置。 省仔器的底部之間的中間位 !〇·如申請專利範圍帛丨Jf所 一 的_庫季餅,1 ;特殊材料氣體 == 保護用構件被提供在該框罩中配 π璃的部分之上,其中,當該儲存器被置= :時’該Γ置有耐熱玻璃的部分被關閉,而當使用 垃加熱器牯,該耐熱破璃配置的部分被開啟 X… U·—㈣於特殊材料氣體的供應Μ 將一個㈣燈加熱器固定在-個儲存器的底部; 體被充填到該儲存器之内;以及依據液 = 慶與從其物理性質所獲得的溫度和在h 出之液體設定溫度,使續自f 、目互關係所導 使㈣素燈加熱器的輪出功率受控於 33 1310819 PID控制,使得在該儲存器中的氣態部分之壓力保持定值, 藉以,從該氣態部分所取出的氣體中之雜質濃度不會上 升,而甚至當在該儲存器中的液化氣體剩下的量下降時, 從該氣態部分所取出的氣體不會含有霧氣。 十一、圖式: 如次頁
    34
TW94140246A 2004-11-30 2005-11-16 Supply system and supply method for special material gases TWI310819B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004345744 2004-11-30
JP2005234025A JP4744231B2 (ja) 2004-11-30 2005-08-12 特殊材料ガス用供給システムおよび供給方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200624704A TW200624704A (en) 2006-07-16
TWI310819B true TWI310819B (en) 2009-06-11

Family

ID=36737110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW94140246A TWI310819B (en) 2004-11-30 2005-11-16 Supply system and supply method for special material gases

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4744231B2 (zh)
TW (1) TWI310819B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5090031B2 (ja) * 2007-03-19 2012-12-05 日本エア・リキード株式会社 液化ガス供給装置および供給方法
TW201202594A (en) * 2010-03-15 2012-01-16 Showa Denko Kk Method of supplying liquefied gas
JP6745825B2 (ja) * 2018-02-01 2020-08-26 大陽日酸株式会社 ガス供給装置及びガス供給方法
CN109132000A (zh) * 2018-06-27 2019-01-04 燕山大学 带分程控制的压力容器充氮包装系统
JP6813788B1 (ja) 2020-04-24 2021-01-13 セントラル硝子株式会社 組成物の供給方法、組成物、供給装置及び組成物の充填方法
JP7485922B2 (ja) 2020-04-24 2024-05-17 セントラル硝子株式会社 組成物の供給方法、組成物、供給装置及び組成物の充填方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11126512A (ja) * 1997-10-23 1999-05-11 Tokyo Gas Co Ltd 極低温用ハロゲンランプ装置及び低温タンク内部観察用照明装置
JP2000088351A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Komatsu Electronics Kk 有機溶剤加熱装置
JP2001110702A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Komatsu Electronics Inc 流体加熱装置
US6363728B1 (en) * 2000-06-20 2002-04-02 American Air Liquide Inc. System and method for controlled delivery of liquefied gases from a bulk source

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006183863A (ja) 2006-07-13
JP4744231B2 (ja) 2011-08-10
TW200624704A (en) 2006-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI310819B (en) Supply system and supply method for special material gases
CN101220505B (zh) 气体供给装置和方法、薄膜形成装置和方法及洗涤方法
TW201220358A (en) Evaporation device, substrate processing apparatus, coating and developing apparatus and substrate processing method
JP4443879B2 (ja) 高精度高圧アニール装置
TW200907217A (en) Liquefied gas supply device and method
TWI361875B (en) Lighter device with flow restrictor and methods of manufacturing and testing same
Wirbser et al. Flow-calorimetric specific heat capacities and Joule-Thomson coefficients of CF3CHFCF3 (R227)-a new working fluid in energy technics-at pressures up to 15 MPa and temperatures between 253 K and 423 K
TWI294515B (en) Method for determining the temperature of a semiconductor wafer in a rapid thermal processing system
TW505542B (en) Rapid thermal processing system and its apparatus and method
JP2006132003A (ja) 薄膜蒸着装置
Allen et al. The Explosion of Azomethane1
JP3403768B2 (ja) 水素ガス中の不純ガス分の検知方法及びその装置
JP2008133834A (ja) 水素吸蔵装置及び水素吸蔵方法
CN208751342U (zh) 一种利用烟气余热加强保温和调温调压的蒸汽蓄热器
JP2813830B2 (ja) 水素濃度調整装置及び水素濃度調整方法
JP2814380B2 (ja) 液体材料気化供給装置
AU2005203350B2 (en) An Improved Heat Transfer System
JP3148773B2 (ja) 熱交換装置
KR20170103513A (ko) 온도 조절이 가능한 휴대용 발열 장치
JP2021188804A (ja) プレート式熱交換器
CN108871030A (zh) 一种利用烟气余热加强保温和调温调压的蒸汽蓄热器
JP4567358B2 (ja) 液化ガス気化装置の運転方法
JP3248614B2 (ja) 容器内の火炎滅菌処理方法
Moore The combustion of lithium-aluminum alloy fuels in oxygen and water vapor
JPS5855343Y2 (ja) 自動消火機能付蓄熱装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees