TWI308083B - Filtering device and filtering mthod and semiconductor fabricating method thereof - Google Patents

Description

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三達編號：TW2542PA 、 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種過濾裝置及其過濾方法與晶圓 製造方法，且特別是有關於一種利用一具有數個峰部及數 個谷部之吸附元件的過濾裝置及其過濾方法與晶圓製造 方法。 【先前技術】 • 在半導體製程中，晶圓必須透過許多道的製程步驟以 完成各種微電子元件及線路之佈局。不論是沈積製程 (deposition process)、氧化、擴散（diffusion process) 及钱刻製程（etching process)，均有可能在半導體機台 中產生廢氣，且廢氣中摻雜微粒子。 半導體機台具有一反應室及一排氣管。晶圓係在反應 室中進行薄膜沈積製程，製程中所產生之廢氣將透過排氣 管排出反應室。尤其是一些需在低壓進行之沈積製程，例 如電漿增強化學氣相沈積法（plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)或低壓化學氣相沈積法（l〇w pressure chemical vapor deposition，LPCVD)。此類製 程必須以一抽氣幫浦（pump)，透過排氣管抽出反應室内 之氣體。抽氣幫浦啟動時可透過排氣管將反應室内之氣體 抽出’以淨空反應室内之廢氣，或者是維持反應室在低壓 狀態或真空狀態。 反應室内之氣體、經常伴隨著需多甘餘子，例如览化石夕 6 1308083

三達編號·· TW2542PA “ （silicon nitride)。微粒子可能附著於排氣管之管壁而 影響抽氣，或進入抽氣幫浦造成過戴。因此，需藉由一〆 凝井（cold trap)來過濾氣體。 7 傳統之冷凝井係用以過濾氣體中之微粒子，氣體之溫 度比冷凝井之溫度高。傳統之冷凝井包括一冷凝室及一圓 柱狀冷凝元件。透過抽氣幫浦之抽氣運作，氣體可由冷凝 室之-端從排氣管進入冷凝室，並由冷凝室之另 冷凝室而進入抽氣幫浦。圓柱狀冷凝元件擺置於冷凝室 t ’且圓柱狀冷凝it件之溫度比進人冷凝室之氣體的溫度 還低。當氣體於冷凝室中接觸圓枉狀冷凝元件之表面時， =之:度：降。因此’部分之微粒子將被吸附於圓柱狀 ^件之表面。藉此，冷凝村㈣、賴之微粒子，以 祕子避免_於排氣f之管壁_㈣浦内。 限，導致圓柱狀冷凝元件對於氣 、有 到侷限。很快地，圓柱以凝=之破拉子的吸附效果受 ► ^ ^ 狀冷件之吸附量在报短之眭戸弓 内將會達到飽和狀態，而盖之夺間 此，人貝就必須經常停止機台 ^立子因 凝元件。如此-來，圓社心鮮_更換或〉月洗圓柱狀冷 降低機台之生產力，更與加^凡件過短之更換週期不僅 圓柱狀冷凝元件時之危之耗費，且增加人員更換 【發明内容】 種過濾裝置及 有鏗於此，本發明的目的就是在提供一 7 J308083 三達編號：TW2542PA 其過遽方法與晶圓製造方法。其利用一具有數個峰部及數 個谷部之吸附元件來增加其與氣體接觸之面積，可以更有 效率地吸附氣體之微粒子。因此，大大地提高過濾裝置之 過濾能力，避免面臨傳統之具有圓柱狀冷凝元件之冷凝井 所遭遇的問題。如此一來，本發明不僅可延長吸附元件之 更換週期而降低吸附元件更換頻率。更可提高機台之生產 力’且減少人員更換吸附元件時之危險性。 根據本發明之一目的，提出一種過滤裝置，用以過漁 一氣體。氣體具有一第一溫度。過濾裝置包括一殼體、一 冷凝器及至少一吸附元件。殼體具有一進氣口、—排氣口 及—冷凝室’進氣口用以供氣體進入冷凝室’排氣口用以 供氣體離開冷凝室。冷凝器與殼體耦接，用以維持冷凝室 内之溫度為一第二溫度，第二溫度低於第一溫度。至少一

，附件係設置於冷凝室中，並具有數個峰部及數個谷 ^。峰部及谷部交錯排列’峰部及谷部用以接觸氣體而吸 附氣體中之微粒子。 濟，本I明之再—目的，提出—種過濾、方法，用以過 ί件：體具有-第-溫度。首先，提供至少-吸附 及附元件具有數個峰部及數個 谷部，峰部及谷部交 先，發明之另—目的’提出—種晶圓製造方法。首 曰曰圓於一反應室中。接著，提供一第一溫度於 8 1308083

三達編號：TW2542PA 反應室，以進行晶圓之一半導體製程。然後，提供至少一 吸附元件。吸附元件具有數個峰部及數個谷部，峰部及谷 部交錯排列。接著，維持吸附元件之溫度為一第二溫度， 第二溫度低於第一溫度。然後，導引反應室之一氣體流經 吸附元件，使峰部及谷部接觸氣體而吸附氣體中之微粒 子。 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易

懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明 I 如下： 【實施方式】 實施例一 請參照第1圖，其繪示乃依照本發明之實施例一之過 濾裝置的示意圖。過濾裝置1包括一殼體10、一冷凝器 11及至少一吸附元件121。吸附元件121用以過濾一氣體 G，氣體G具有一第一溫度。在本實施例中，係以多個吸 附元件121為例作說明。殼體10具有一進氣口 101、一排 氣口 102及一冷凝室103。進氣口 101係用以供具有第一 溫度之氣體G進入冷凝室103，排氣口 102用以供氣體G 離開冷凝室103。冷凝器103係與殼體10耦接，用以維持 冷凝室103内之溫度為一第二溫度，其中第二溫度係低於 第一溫度。吸附元件121係設置於冷凝室103中，並具有 多個峰部及多個谷部。峰部及谷部交錯排列，峰部及谷部 用以接觸氣體G而吸附氣體G中之微粒子2，使得離開冷 9 '13〇8〇83

二達編號：TW2542PA 凝室103之氣體G幾乎不含微粒子。 本實施例透過峰部及谷部交錯排列之設計，可以增如 吸附元件121與氣體G接觸之面積，大大地提昇過濾裳置 1的過濾能力。至於吸附元件121之峰部及谷部之位置在 此附圖說明如下，但本實施例之技術並不偈限在此。 請同時參考第2A〜2B圖，第2A圖繪示乃依照本發明 之實施例一之吸附元件的立體圖。第2B圖繪示第2A圖中 I 吸附元件之俯視圖。吸附元件121具有一頂面121a、一底 面121b及一貫孔121d，貫孔121d貫穿頂面121a及底雨 121b。例如，吸附元件121為一中空圓柱體。在本實施例 中’貫孔121d之孔壁121e具有峰部121g及谷部121h。 如第2B圖所示，從吸附元件121之截面來看，峰部i2lg 傭:然如同一銳角凸起，且谷部12lh儼然如同一銳角凹D。 本實施例所屬技術領域中任何具有通常知識者，亦可 明瞭峰部121g與谷部121h之截面形狀並非限定於本實施 | 例所揭露之銳角凸起及銳角凹口，各種變形之結構態樣均 不脫離本實施例之技術範圍。例如，從吸附元件121之截 面來看，峰部121g與谷部丨2ih可以分別是半圓凸起及半 圓凹口。 其中’由於金屬材質具有導熱性良好，且容易在鑄造 吸附元件121時同時形成峰部12ig及谷部i21h。因此， 在本實施例中，吸附元件121之材質較佳地係以金屬材質 為例作說明。雖然吸附元件121係以金屬材質為例作說 明’然本實施例之吸附元件亦可針對欲過濾之不同的微雜 10 .1308083

三達編號：TW2542PA 子，採用適當之吸附材質。只要是利用一具有數個峰呷 數個谷部之吸附元件，以達到過濾微粒子之目的，比 離本實施例之技術範圍。 ^ 至於過濾、裝置1如何與爐管及抽氣幫浦連通_ it匕簡 單說明如下’但本實施例之技術並不侷限在此。 又如第1圖所示，進氣口 101透過〜第一管路 與爐管（未顯示）連通，出氣口 102透過〜笛-故办 a 弟一 g路1〇2 與一抽氣幫浦（PumP )(未顯示）連通。當抽氣幫浦（ •運作時，可以將爐管内之氣體G依序經由第一管路 及進氣口 101抽進冷凝室103。並可將氣體G從冷凝室a 依序經由排氣口 102及第二管路i〇2a抽離冷凝室的 在本實施例中，爐管例如是供晶圓進行氮化石夕° (silicon nitride)之化學氣相沈積製程。爐管内知 體G含有未反應元成之氮化石夕微粒子2。且此類微粒子氮 具有以下之特性。當氣體G為第一溫度時，例如是加〇。2 氣體G中之微粒子2呈現懸浮狀態。且當氣體〇為第— 度時，例如是10°C，氣體G中之微粒子2呈現緩慢移^邋 態。當帶有微粒子2之氣體g流經吸附元件121，並狀 側面121c或孔壁121e之峰部i2ig及谷部i21h時\從觸 子2之溫度由第一溫度瞬間降為第二溫度。使得微粒子麵 停留於吸附元件121之侧面121c上或孔壁me之峰部2 121g及谷部121h上。由於吸附元件121具有數個峰部 及數個谷部121h，明顯地比傳統之圓柱狀冷凝元件具有更 多與氣體接觸之面積。使得氣體G在短暫流經吸附元件工21 11 J308083

二達編號：TW2542PA 的過程中，有效率地將微粒子2吸附於吸附元件121上。 又如第1圖所示，殼體1〇更具有一頂面1〇a、一底 面及一側面l〇c’頂面l〇a與底面1〇b係藉由側面1〇c 連接。較佳地為了維持氣體G之流速，進氣口 1〇1係設置 於頂面l〇a，且排氣口 1〇2係對應於進氣口 設置於底 面10b。並且吸附元件121係以實質上順著氣體dg流動方 向之方式排列。亦即吸附元件121之中心軸L121 (如第 2A圖所示）平行於進氣口 1〇1及排氣口 1〇2之連接延伸線 L10。氣體G可穿越貫孔121d或流經吸附元件121之侧面 121c。 然本實施例之進氣口 101及排氣口 1〇2亦可以設置於 设體10不同之位置上。例如進氣口設置在殼體1 〇之侧面 10c但靠近頂面i〇a，排氣口設置在底面10b;或者進氣口 設置在頂面l〇a，排氣口設置在侧面l〇c但靠近底面1 〇b; 或者進氣口設置及排氣口 102在殼體之侧面i〇b，但進 氣口設置及排氣口 102分別靠近頂面i〇a及底面i〇b。本 齡實施例所屬技術領域中任何具有通常知識者，當可作各種 之更動與潤飾，皆不脫離本實施例之保護範圍。 又如第2A〜2B圖所示，過濾裝置1較佳地更包括一 濾網121f，濾網121f係設置於貫孔I21d之一端，並封住 貫孔121d之一端開口。當氣體G穿越貫孔i21d時，濾網 121 f可過濾部分之微粒子2。 又如第1圖所示，過濾裝置1較佳地更包括一網狀隔 板13 ’用以將冷凝室103區隔為兩空間，如上部空間及下 12 •1308083

三達編號：TW2542PA ' 部空間。較多之吸附元件121設置於鄰近進氣口 101之上 部空間，而較少之吸附元件121設置於鄰近排氣口 102之 下部空間。藉此，當氣體G —進入冷凝室103時，可立即 將大部分之微粒子2吸附於吸附元件121上。更可增加過 濾效率，提高吸附元件121之使用效率。 再者，冷凝器11係可以各種方式維持冷凝室103之 溫度。在本實施例中，冷凝器11包括冷凝槽11a及一具 有第二溫度之冷凝液W。冷凝槽11a具有一注入口 lib及 ，一排出口 11c。冷凝室103係設置於冷凝槽11a内。冷凝 液W係由注入口 11 b注入冷凝槽11 a中，並由排出口 11 c 離開冷凝槽11a。具有第二溫度之冷凝液W流經冷凝室103 之殼體10時，帶走冷凝室103之熱量，使得冷凝室103 内之工作環境溫度維持在第二溫度。即，吸附元件121維 持在第二溫度，比氣體G之第一溫度還低。其中，在冷凝 液W穿越冷凝槽11a的過程中，冷凝液W係以隔離之方式 不與氣體G接觸，避免干擾氣體G之流動。 | 本實施例所揭露之過濾裝置，其利用一具有數個峰部 及數個谷部之吸附元件來增加其與氣體接觸之面積，可以 更有效率地吸附氣體之微粒子。因此，大大地提高過濾、裝 置之過濾能力，避免面臨傳統之具有圓柱狀冷凝元件之冷 凝井所遭遇的問題。如此一來，本實施例不僅可延長吸附 元件之更換週期而降低吸附元件更換頻率，更可提高機台 之生產力，且減少人員更換吸附元件時之危險性。 13 •1308083

三達編號：TW2542PA ' 實施例二 請同時參照第3A〜3B圖，第3A圖繪示乃依照本發明 之實施例二之吸附元件的立體圖。第3B圖繪示第3A圖中 吸附元件之俯視圖。本實施例之吸附元件122與實施例一 之吸附元件121不同處在於吸附元件122之結構設計及峰 部122g和谷部122之設置位置。且本實施例之吸附元件 122亦可設置於實施例一之過濾裝置1的冷凝室1〇3中。 其餘相同之處沿用相同之標號，並不再贅述。 B 如第3A〜3B圖所示，吸附元件122更具有一底面 122b、一頂面122a、一侧面122c及一貫孔122d，側面122c 連接底面122b及頂面122a。貫孔I22d貫穿底面122b及 頂面122a。例如’吸附元件122為一中空圓柱體。在本實 施例中’侧面122c具有峰部122g及谷部122h。如第3B 圖所示，從吸附元件122之截面來看，峰部I22g儼然如 同一銳角凸起，且谷部122h儼然如同一銳角凹口。 ，峰部122g及谷部122h交錯排列，峰部122g及谷部 122h用以接觸氣體g而吸附氣體G中之微粒子2，使得離 開冷凝室之氣體G幾乎不含微粒子。 本實施例所屬技術領域中任何具有通常知識者，亦可 明瞭峰部122g與谷部I22h之截面形狀並非限定於本實施 例所揭露之銳角凸起及銳角凹口，各種變形之結構態樣均 不脫離本實施例之技術範圍。例如，從吸附元件122之哉 面來看’峰部122g與谷部122h可以分別是半圓凸起及半 圓凹口。 1308083

三達編號：TW2542PA ' 本實施例所屬技術領域中任何具有通常知識者，亦可 明暸本實施例之吸附元件122並非限定為具有貫孔之中空 圓柱體。各種變形之結構態樣均不脫離本實施例之技術範 圍。例如吸附元件122可以是實心柱體。 實施例三 請同時參照第4A〜4B圖，第4A圖繪示乃依照本發明 之實施例三之吸附元件的立體圖。第4B圖繪示第4A圖中 ，吸附元件之俯視圖。本實施例之吸附元件123與實施例一 之吸附元件121不同處在於吸附元件123之結構設計及峰 部123g和谷部123h之設置位置。且本實施例之吸附元件 123亦可設置於實施例一之過濾裝置1的冷凝室103中。 其餘相同之處沿用相同之標號，並不再贅述。 如第4A〜4B圖所示，吸附元件123更具有一底面 123b、一頂面123a、一側面123c及一貫孔123d，側面123c 連接底面123b及頂面123a。貫孔123d貫穿底面123b及 > 頂面123a。例如，吸附元件123為一中空圓柱體。在本實 施例中，貫孔123d之孔壁123e及側面123c具有數個峰 部123g及數個谷部123h。如第4B圖所示，從吸附元件 123之截面來看，峰部123g儼然如同一銳角凸起，且谷部 123h儼然如同一銳角凹口。 峰部123g及谷部123h交錯排列，峰部123g及谷部 123h用以接觸氣體G而吸附氣體G中之微粒子2，使得離 開冷凝室之氣體G幾乎不含微粒子。 15 l3〇8〇83

: TW2542PA 本實施例所屬技術領域中任何具有通常知識者，亦 ^瞭峰部123g與谷部123h之截面形狀並非限定於本 列所揭露之銳角凸起及銳角凹口，各種變形之結構離樣^ 不脫離本實施例之技術範圍。例如，從吸附元件12=之巷 :來看’锋部123g與谷部123h可以分別是半圓凸起及半 根據以上二個實施例，本發明之峰部及谷部係可以各 .種方式形成，例如沖麼成型、矯模成型或者是以一側板^ 者數條折彎線折彎出峰部及谷部。峰部及谷部各種形成^ 方式皆不脫離本發明之保護範圍。 ^ 實施例四 、、請參照第5圖，其繪示乃依照本發明之實施例四之過 濾方法的流程圖。首先，在第5圖之步驟S1中，提供至 少一吸附元件。吸附元件可以是上述實施例之吸附元件， 鲁 在此以實施例三之吸附元件123為例作說明。吸附元件123 具有數個峰部123g及數個谷部123^其中，峰部12如及 谷部123h交錯排列，如第4A〜4B圖所示。 接著，進入第5圖之步驟S2，維持吸附元件123之 溫度為一第二溫度，第二溫度低於第一溫度。 然後在第5圖之步驟S3中’導引具有—第一溫度之 氣體G流經吸附元件123。使峰部123g及谷部123h接觸 氣體G而吸附氣體g中之微粒子2。 其中，維持吸附元件123之溫度的步驟中（S2)，係 16 •1308083

三達編號：TW2542PA * 利用一冷凝液W (如第1圖所示）維持吸附元件123之溫 度為一第二溫度。再者，較佳地更可導引氣體G流經濾網 123f (如第4A圖所示），用以過濾部分之微粒子2。且以 抽氣之方式導引氣體G流經吸附元件123。 實施例五 請參照第6圖，其繪示乃依照實施例五之晶圓製造方 法的流程圖。本實施例之晶圓製造方法係應用實施例一之 • 過濾裝置1及吸附元件121，相同之處沿用相同標號，並 不再贅述。 請參照第7圖，其繪示晶圓及反應室之示意圖。首 先，在第6圖步驟S61中，置放一晶圓30於一反應室40 中〇 接著，進入第6圖之步驟S62，提供一第一溫度於反 應室40，以進行晶圓30之一半導體製程。 請同時參照第1圖及第2A〜2B圖。然後，進入第6 * 圖之步驟S63，提供至少一吸附元件121。吸附元件121 具有數個峰部121g及數個谷部121h，峰部121g及谷部 121h交錯排列。 接著，進入第6圖之步驟S64，維持吸附元件121之 溫度為一第二溫度，第二溫度低於第一溫度。 然後，進入第6圖之步驟S65，導引反應室40之一 氣體G流經吸附元件121。使峰部121g及谷部121h接觸 氣體G而吸附氣體G中之微粒子2，如第2A圖所示。 17 J308083

三達編號：TW2542PA ' 本發明上述實施例所揭露之過濾裝置及其過濾方法 與晶圓製造方法，其利用一具有數個峰部及數個谷部之吸 附元件來增加其與氣體接觸之面積，可以更有效率地吸附 氣體之微粒子。因此，大大地提高過濾裝置之過濾能力， 避免面臨傳統之具有圓柱狀冷凝元件之冷凝井所遭遇的 問題。如此一來，本實施例不僅可延長吸附元件之更換週 期而降低吸附元件更換頻率，更可提高機台之生產力，且 減少人員更換吸附元件時之危險性。 I 綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然 其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中任何具有 通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各 種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申 請專利範圍所界定者為準。 18 1308083

三達編號：TW2542PA 【圖式簡單說明】 第1圖繪示乃依照本發明之實施例一之過濾裝置的 示意圖； 第2A圖繪示乃依照本發明之實施例一之吸附元件的 立體圖； 第2B圖繪示第2A圖中吸附元件之俯視圖； 第3A圖繪示乃依照本發明之實施例二之吸附元件的 立體圖； > 第3B圖繪示第3A圖中吸附元件之俯視圖； 第4A圖繪示乃依照本發明之實施例三之吸附元件的 立體圖； 第4B圖繪示第4A圖中吸附元件之俯視圖； 第5圖繪示乃依照本發明之實施例四之過濾方法的 流程圖； 第6圖繪示乃依照實施例五之晶圓製造方法的流程 圖；以及 1 第7圖繪示晶圓及反應室之示意圖。 【主要元件符號說明】 1 :過濾裝置 10 :殼體 10a :頂面 l〇b :底面 101 :進氣口 19 .1308083

三達編號：TW2542PA J 101a :第一管路 102 :排氣口 102a :第二管路 103 :冷凝室 11 :冷凝器 11 a :冷凝槽 lib :注入口 11c :排出口 • 121、122、123 :吸附元件 121a、122a、123a :頂面 121b、122b、123b :底面 121c、122c、123c :側面 121d、122d、123d :貫孔 121e、122e、123e :孔壁 121f、122f、123f :濾網 121g、122g、123g :峰部 • 121h、122h、123h :谷部 13 :網狀隔板 2 :微粒子 30 .晶圓 40 :反應室 G :氣體 W :冷凝液 L121、L122、L123 :吸附元件中心軸 L10:連接延伸線 20

Claims (1)

1. •1308083 三達編號·· TW2542PA 十、申請專利範圍： 一種過濾裝置，用以過 第一溫度，該過渡、裝置包括： 一殼體’具有一進氣口、一 乳體，該氣體具有 斤 - 一排氣口及一冷凝室，該進 ^ 口用以供該氣體進人該冷凝室，該排氣口用以供該氣體 離開該冷凝室； 、一+冷凝器，與該殼體耦接，用以維持該冷凝室内之溫 度為一第二溫度，該第二溫度低於該第一溫度；以及 至少一吸附元件，係設置於該冷凝室中，並具有複數 個峰部及魏财部，該料部及該㈣部翅排列，該 些導部及該些谷部用以接觸該氣體而吸附該氣體中之微 1如申請專利範圍第！項所述之過濾裝置，其中該 吸附70件更具有—底面、—頂面及—貫孔，該貫孔貫穿該 底面及》亥頂面，該貫孔之孔壁具有該些峰部及該些谷部。 • 如申請專利範圍第2項所述之過濾裝置，更包括： 上濾網，係設置於該頂面上，並封住該貫孔之一端開 口，1亥濾、網用以過渡該氣體。 4·如申請專利範圍第1項所述之過濾裝置，其中哕 吸附元件更具有一底面、一頂面、一側面及一貫孔，該側 面連接4底面及該頂面，該貫孔貫穿該底面及該頂面，該 側面具有該些峰部及該些谷部。 人 21 1 .如申請專利範圍第4項所述之過濾裝置，更包括： 一濾網，係設置於該頂面上，並封住該貫孔之—端開 •1308083 三麵號：TW2542PA 口 ’該渡網用以過濾該氣體。 6. 如申請專利範圍第丨項所述之過濾裝置，其中該 吸附元件更具有一底面、—頂面、—侧面及—貫孔、，該側 面連接該底面及該頂面’該貫孔貫穿該底面及該頂面，該 貫孔之孔壁及該側面具有該些峰部及該些谷部。 μ 7. 如申請專利範圍第6項所述之過濾裝置，更包括：

   一濾網，係設置於該頂面上，並封住該貫孔之一端開 口，5亥;慮網用以過渡該氣體。 8. 如申請專利範圍第丨項所述之過濾裝置，其中該 吸附兀件更具有—底面、—頂面及—貫孔，該貫孔貫穿該 底面及該頂面，該貫孔具有—貫穿中心線，該吸附元件之 任-垂直於該貫穿中心線之截面為―中空星狀截面。 9. 如申請專利範圍帛工項所狀過濾、裝置，其中咳 吸附元件更具有—底面、—頂面及—麻，該側面連接該 底面及該頂面，該側面具有該些峰部及該些谷部。 10. 如申請專利範圍第i項所述之過渡裝置，其中該 吸附7L件之材質係為一金屬材質。 H. 一種過濾方法，用以過濾一氣體，該氣體具有一 第一溫度，該過濾方法包括： ★提供至少-吸附元件’該吸附元件具有複數個峰部及 複數個谷部’該些峰部及該些谷部交錯排列； 維持該吸附元件之溫度為一第 於該第一溫度；以及 一溫度’該苐二溫度低 導引該氣體流經該吸附元件，使該些峰部及該些谷部 22 .1308083 —達編號：TW2542PA 接觸該氣體而吸附該氣體中之微粒子。 括.12.如申明專利範圍第u項所述之過遽方法，更包 導引5亥氣體流經一渡網。 I3.如申請專利範圍第11項所述之過濾方法，其中 k維持該吸附元件之溫度的步驟更包括： 利用一冷凝液維持該吸附元件之溫度為一第二溫度。 ^、I4.如申請專利範圍第11項所述之過濾方法，其中 该導引該氣體之步驟更包括： 以抽氣之方式導引該氣體流經該吸附元件。 _ 15.如申請專利範圍第n項所述之過濾方法，其中 u及附元件更具有一底面、一頂面及一貫孔，該貫孔貫穿 該底面及該頂面，該貫孔之孔壁具有該些峰部及該些谷 部。 16.如申請專利範圍第11項所述之過濾方法，其中 • 5亥吸附兀件更具有一底面、一頂面、一側面及一貫孔，該 侧面連接該底面及該頂面，該貫孔貫穿該底面及該頂面， 5亥側面具有該些學部及該些谷部。 π.如申請專利範圍第η項所述之過濾方法，其中 該吸附元件更具有一底面、一頂面、一側面及一貫孔，該 侧面連接該底面及該頂面，該貫孔貫穿該底面及該頂面， 該貫孔之孔壁及該側面具有該些峰部及該些谷部。 18.如申請專利範圍第η項所述之過濾方法，其中 該吸附元件更具有一底面、一頂面及一貫孔，該貫孔貫穿 23 •1308083 三達編號：TW2542PA • 該底面及該頂面，該貫孔具有一貫穿中心線，該吸附元件 之任一垂直於該貫穿中心線之截面為一中空星狀截面。 19. 如申請專利範圍第11項所述之過濾方法，其中 該吸附元件更具有一底面、一頂面及一側面，該側面連接 該底面及該頂面，該侧面具有該些峰部及該些谷部。 20. —種晶圓製造方法，包括： 置放一晶圓於一反應室中； 提供一第一溫度於該反應室，以進行該晶圓之一半導 •體製程； 提供至少一吸附元件，該吸附元件具有複數個峰部及 複數個谷部，該些峰部及該些谷部交錯排列； 維持該吸附元件之溫度為一第二溫度，該第二溫度低 於該第一溫度；以及 導引該反應室之一氣體流經該吸附元件，使該些峰部 及該些谷部接觸該氣體而吸附該氣體中之微粒子。 21. 如申請專利範圍第20項所述之晶圓製造方法， _更包括： 導引該氣體流經一濾網。 22. 如申請專利範圍第20項所述之晶圓製造方法， 其中該維持該吸附元件之溫度的步驟更包括： 利用一冷凝液維持該吸附元件之溫度為一第二溫度。 23. 如申請專利範圍第20項所述之晶圓製造方法， 其中該導引該氣體之步驟更包括： 以抽氣之方式導引該氣體流經該吸附元件。 24 .1308083 三達編號：TW2542PA • 24.如申請專利範圍第20項所述之晶圓製造方法， 其中該吸附元件更具有一底面、一頂面及一貫孔，該貫孔 貫穿該底面及該頂面，該貫孔之孔壁具有該些峰部及該些 谷部。 25.如申請專利範圍第20項所述之晶圓製造方法， 其中該吸附元件更具有一底面、一頂面、一侧面及一貫 孔，該側面連接該底面及該頂面，該貫孔貫穿該底面及該 頂面，該側面具有該些峰部及該些谷部。 ► 26.如申請專利範圍第20項所述之晶圓製造方法， 其中該吸附元件更具有一底面、一頂面、一側面及一貫 孔，該側面連接該底面及該頂面，該貫孔貫穿該底面及該 頂面，該貫孔之孔壁及該側面具有該些峰部及該些谷部。 27. 如申請專利範圍第20項所述之晶圓製造方法， 其中該吸附元件更具有一底面、一頂面及一貫孔，該貫孔 貫穿該底面及該頂面，該貫孔具有一貫穿中心線，該吸附 元件之任一垂直於該貫穿中心線之截面為一中空星狀截 面。 28. 如申請專利範圍第20項所述之晶圓製造方法， 其中該吸附元件更具有一底面、一頂面及一側面，該侧面 連接該底面及該頂面，該侧面具有該些峰部及該些谷部。 25