TWI307732B - Method for crystallizing silicon and mask using therefor - Google Patents

Description

I30778〇2wf.dQc/e 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種將非晶矽結晶成複晶矽的方法 以及光罩，且特別是有關於一種將非晶矽結晶成複晶矽 的方法及使用於該方法之光罩。 - 【先前技術】 近年來，為了因應高效能平面顯示器及其面板整合電 路的需求，複晶矽薄膜低溫結晶技術已被廣泛的研究，其 鲁 中，以準分子雷射結晶(Excimer Laser Crystdlizaticm；)為目 前主流之結晶技術。 順序橫向固化(Sequential lateral solidification, SLS)結 曰曰技術為準分子雷射結晶之改良，是由原有之準分子雷射 系統加裝具有次微米移動的基板載台以及高精密的光學系 統，並藉由光學系統中之鮮狹縫佈局設計(顧让 design) ，雷射光束圖形化，用以控制薄膜橫向固化結晶之區域及 晶粒邊界(gram boundary)位置，因而可製得具有週期性晶 • _列之複晶石夕薄膜。因此，利用SLS結晶技術所得之晶 粒的大小與薄臈結晶品質將與圖形化之光罩狹縫佈局設計 • 息息相關。 v SLS雷射結晶設備藉由適當的光罩狹縫佈局設計可製 、 備具有高載子移動率的低溫複晶矽薄臈電晶體元件，其所 得的複晶矽薄膜晶粒大小可大於利用傳統準分子雷射結晶 所得之晶粒、，並且具有較優良的元件均勻性，因此 晶技術被視為是下世代的結晶技術。然而，利用sls結晶 I3077832vf-dctc/e 技術雖然可製得大尺寸晶粒之複晶矽薄膜，但所製得的石夕 薄膜仍具有兩表面粗縫度(surface roughness)的缺點及因晶 粒侧向成長日守所造成的薄膜突起(pr〇trusi〇n)現象。 圖1A至1D繪示實際晶粒成長示意圖。在基底1〇上 方設置一光罩，進行雷射照射，使基底1〇上非晶矽薄膜中 照射雷射的區域全部熔化而形成r熔融」態矽薄膜u，之 後，如圖1A所示，未經雷射照射的固態非晶矽薄膜會誘 發溶融_薄膜11做橫向長晶成「多」㈣14,如圖曰1B 至ID所不，直至兩側的晶粒彼此碰觸，如圖所示。藉 由上述的結晶方式可製得大尺寸且具週期性排列的晶粒。 ^由圖1E可知，在晶粒橫向成長後互相碰觸到的區备 【發明内容】 有鑑於此，本發明提供數種光罩， 晶時晶粒側向成長時所造成 ^缺由紅 性、可靠度及均==表面’進而改善元件之電氣特 本發明又提出數種使非晶 晶石夕薄膜可具有較平坦的表面 電乳祕、可靠度及均勾性等問題。 本發明提出一種將非晶♦ 罩，此光罩包括—祿㈣> ! °曰曰成複晶石夕製程之光 成長時所造成㈣=現 進而改善元件之 區 此光罩包括-透明基板，其 I307783»2vf-d〇,c/e 塊二第二區塊與-第三區塊Q第二區塊是位於第一區塊 與第二區塊之間，其中第-區塊包括多個第一透光區與多 個第一遮蔽區，第一遮蔽區位於第一透光區之間。第二區 塊包括多個第二透光區與多個第二遮蔽區，其中第二遮蔽 區疋位於第二透光區之間，且第二遮蔽區與第一透光區相 • 對且第一透光區與第一遮蔽區相對。第三區塊包括多個 ； 帛三透光區與多個第三遮蔽區’其中第三透絲是配置於 相對於第-透光區之中心處以及相對於第二透光區之中心 • 處，且第三遮蔽區是位於第三透光區之間。 依照本發明實施例所述，上述透明基板更包括一第四 區塊，第四區塊是與第一區塊中未與第二區塊相鄰之一側 相鄰，且與第一、第二及第三區塊之大小相等，第四區塊 包括多個第四透光區與多個第四遮蔽區，其中第四透光區 疋配置於相對於第一透光區之中心處以及相對於第二透光 區之中心處；而第四遮蔽區是位於第四透光區之間。 依照本發明實施例所述上述第一透光區之寬度大於第 .二遮蔽區之寬度。第二遮蔽區之寬度大於第三透光區之寬 度以及第四透光區之寬度。第二透光區之寬度大於第一遮 . 蔽區之寬度。第一遮蔽區之寬度大於第三透光區之寬度以 、 及第四透光區之寬度。 • 本發明提出一種使非晶石夕層的結晶方法，此方法是先 以一雷射光照射，通過一光罩的第一透光區，以在該非晶 矽層形成多個第一結晶區，各第一結晶區具有一第一突起 區，之後，以雷射光照射，通過前述光罩的第二透光區， 1307 Ts^Svf.dop/e 以使弟·一結晶區之間的未結晶區形成多個弟二結晶區’各 第二結晶區具有一第二突起區，其後，再以雷射光照射， 通過前述光罩的第三透光區，以使第一突起區與第二突起 區熔融再固化而變得較為平坦。 依照本發明實例所述，上述第三透光區之寬度小於第 一透光區之寬度，且小於第二透光區之寬度。 本發明又提出一種使非晶矽層的結晶方法，此方法是 先以雷射光照射，通過光罩的第一透光區，以在非晶矽層 中形成多個奇數第一照光區與多個偶數第一照光區，接 著，再以雷射光照射，通過前述光罩的第二透光區，以使 該些奇數/或偶數第一照光區及其周圍的該非晶矽層形成 多個第一結晶區，各第一結晶區具有第一突起區，其後， 再以雷射光照射，通過前述光罩的第三透光區，以使第一 結晶區之間的未結晶區以及該些偶數/或奇數第一照光區 形成多個第二結晶區，各第二結晶區具有第二突起區，其 後，再以雷射光照射，通過前述光罩的第四透光區，以使 前述第一突起區與第二突起區熔融再固化而變得較為平 坦。 依照本發明實施例所述，上述第三透光區以及第四透 光區之寬度小於該些第一透光區之寬度且小於該些第二透 光區之寬度。 本發明提出一種光罩，此光罩包括一透明基板，其可 區分為依序相鄰配置且大小相等的一第一區塊、一第二區 塊、一第三區塊與一第四區塊。第一區塊包括多個第一透 1307732 光區與多個第-遮蔽區，第—遮蔽層位於第—透光區之 間。第二區塊包括多個第二透光區、多個第三透光區以及 多個第二遮蔽區丄其中各第二透光區是位於相鄰的兩個第 二透光區之間且第二區位於相鄰的第二透规與第三 透光區之間，並且第二透光區是配置於可以使得第一透光 區之位置大致位於其中心處者，第三透統與第一遮蔽區 相對配置。第三區塊包料個第四透光m固第五透光 ^與多個第三遮蔽區，其中各第四透光區位於相鄰的兩個 =五透光區之間’且第二遮蔽區位於相鄰的第四透光區與 ί:=光區之間’並且雜第四透光區是配置於可以使得 置[相ί區i位置大致位於其巾心處者，第五透光區是配 六透弁二透光區之中心處者°第四區塊包括多個第 ㈣m六透統是配置於相 光區之^紅之中心處’並且第四遮蔽區是位於第六透 第$照本發明實施例所述，上述第二透光區之寬度大於 且大於第五透光區之寬度。上= 之寬度 透絲之寬度且Α於該些第六透光區 本發明提出一種使非晶 射先照射，通過一光罩夂方法是以雷 多數個第—昭光區，接著/，，以在非晶矽層形成 |的第二透;區以及第:透==:，通過前述光 圍的该非曰曰石夕層中形成多數個第—結晶區，並在該些 I307^32vfdop/e 第一照光區之間的該非晶矽層中形成多數個第二昭 各該第-結晶區具有第—突起區。其後，以雷射：昭2: 通過上述鮮的第四透光區與第五透純，以使如二丄 結晶區之間的未結晶區以及該些第二照光區二= 二結晶區，並使該些第-突起區·再固麵變 ^ 坦，各該第二結晶區具有第二突起區。之後，以射 光照射，通過前述光罩的第六透光區，以使該些:、 區熔融再固化而變得較為平坦。 一 一犬起

依照本發明實施例所述，上述第二透光區之 第一透光區之寬度且大於第五透光區之寬产 2,J 之寬度大於第三透光區且大於第六透光=寬=四透光區 本發明提供-種使非晶石夕結晶的方法，包括 底，此基底上已形成有-非㈣層，且基底可區數土， 且各列可區分為多個區域，接著，在基底的第 至第四個區域上對準設置一光罩，該光罩至少包括相鄰且 大小相等的四個區塊。其後，使雷射光通過光罩之該些區 塊的多個透光區，並移動基底及/或光罩，使光罩與基底之 間的相對位置沿著-第—方向位移—個區塊的距離，使雷 射光通，該些透光區，並重複此步驟，使基底之光罩對準 基底的第-列上之各區域均有雷射光通過而形成第一結晶 區並且使得該第-結晶區中的突起區溶融再固化而變得較 為平坦。之後，移動基底及/或光罩，使光罩對準該基底之 第二列上最末的四個區域，接著，使雷射光通過光罩之該 些區塊的透光區，並移動基底及/或光罩，使光罩盘基底之 10 1307732 間的相對位置沿著與第-方向相反的方向位移—個區塊的 距離，使雷射光通過該些透光區，並重複此步驟，使 之光=準該基底的第二列上之各區域均有雷射光觸而 形成一弟-結晶區並且使得該第二結晶區中的突起區溶融 再固^變得較為平坦。之後，重複上述 上的各區域形成結晶區並且使得第一結晶區中的突 融再固化而變得較為平坦。 本發明提出-種非晶㈣結晶綠，此方法是在已形成 有非晶辦的基紅謂準設置―第—光罩，_ 包括相鄰且大小相等的—第—區塊與—第二區塊，其 ^區塊包括多個第-透光區與多個第—遮蔽區，第二遮蔽 =於透光區之間；而第二區塊包括”第二透光區 二夕個弟一遮蔽區’第二遮蔽區位於第二透光區之間，且 遮敝區配置於相對於第一透光區中心處，第二透光區 二配置，可以？得第—遮蔽區之位置大致位於其中心處 之m接ί =弟一光罩為罩幕’使雷射光通過該第一區塊 外弟-透先區，以在非晶石夕層上形成多個第一結晶區，各 ==晶區具有—第—突起區。之後，移動基底及/或第一 ^距離’使第一光罩之第二區塊位移至先前第一區塊 所對應的該基底上方，使雷射光通過該第二區塊之該些第 ，，區：以使遠些第—結晶區之間的多數個未結晶區形 個第二結晶區’各第二結晶區具有第二突起區。移除 t — ΐ罩並在基底上找置—第二光罩，此第二光罩包 夕個第二透光區财個第三遮蔽區，第三遮蔽區位於第 11 三透光區之間，且第三透光區對應於該些第一透光區之中 心處並且對應於該些第二透光區之中心處。然後，將第二 光罩之第三透光區對準第一突起區與第二突起區，使雷射 光通過第三透光區，以使第一突起區與該第二突起區熔融 再固化而變得較為平坦。 依照本發明實施例所述，上述基底是設置在一基座上 方，並藉由基座來移動之，並且基座移動的距離為上述第 一光罩長度的一半。此外，第一透光區之寬度大於第二遮 蔽區之寬度，且第二透光區之寬度大於第一遮蔽區之寬 度。此外，上述第一透光區以及第二透光區之寬度大於第 三透光區之寬度。 本發明又提出一種非晶矽的結晶方法，此方法包括Α. 提供一基底，該基底上已形成有一非晶矽層，該基底可區 分多數列，各列包括依序相鄰的第一區域、第二區域…至 第η區域。接著，Β.在基底上方對準設置一第一光罩，該 第一光罩包括相鄰且大小相等的一第一區塊與一第二區 塊，第一區塊包括多個第一透光區與多個第一遮蔽區，該 第一遮蔽區位於第一透光區之間且第一遮蔽區之寬度小於 該第一透光區之寬度；第二區塊包括多個第二透光區與多 數個第二遮蔽區，其中第二遮蔽區位於第一透光區之間， 且第二遮蔽區配置於相對於第一透光區中心區，第二透光 區是配置於可以使得該些第一遮蔽區之位置大致位於其中 心處者。之後，C.以第一光罩為罩幕，使雷射光通過第一 透光區與第二透光區，以分別在基底的第一列之第一區域 12 I307733wf.d〇〇/e 與第二區域上形成多數個第一結晶區，各第一結晶區分別 具有一突起區。其後’ D·移動該基底及/或該第一光罩一第 距離’使第—光罩之第二區塊位移至先_第一區塊所 在的基底之第-列之第二區域上方，並以一雷射光通過第 .—透光區與第二透光區，通過第二透光區之f射光可使該 : 基底^該第二區域之第-結晶區之間的多個未結晶區形成 : 多，第二結晶區’同時通過第-透光區之雷射光可使基底 之第二區域形成多個第一結晶區，第三區域之各第一結晶 攀1與第二區域之各第二結晶區分別具有-突起區。之&曰，曰 重複上述步驟D，以使基底之第一列之各區域形成多個第 一結晶區與多個第二結晶區。之後，F.移除第一光罩，並 基底上設置一第二光罩，第二光罩之第三區塊之長度 疋第-區塊以及第二區塊的兩倍，第三區塊包括多個第三 透光區與多個第三遮蔽區，第三遮蔽區位於第三透光區: 間’且第三透聽對應於第—透光區之巾^處並輯應於 第二透光區之中心處。其後，H.將第二光罩之第三透^區 • 鮮基底之第—列之第―區域與第二區域之第-結晶區與 §亥些第二結晶區之該些突起區，使雷射光通過第三透光 •區，以使第-區域與第二區域之突起區炫融再固化而變得 . 較為平坦。然後，I.移動基底及/或第二光罩一第二距離， . 使第二光罩對應於基底的第一列之第三區域與該第四區 域，並使雷射光通過第三透光區，以使第三區域與該第二 區域之突起區熔融再固化而變得較為平坦。之後，j重複 移動基底及/或第二光罩第二距離之步驟，以使基底上第^ 13 dac/e I3077JZ, 列之各區域之突起區熔融再固化而變得較為平坦。 依照本發明實施例所述，上述基底是設置在基座上， 亚猎由該基座來移動之，並且該基座移動的距離為第一光 罩長度的一半。 ^依照本發明實施例所述，上述第一透光區之寬度大於 弟办C蔽H之見度’且第—透光區之寬度大於第—遮蔽區 之見度。第一透光區以及第二透光區之寬度大於第三 區之寬度。 依照本發明實施例所述，上述在該步驟E之後，該步 驟/之前，更包括重複上述步驟c至步驟D之該些步1驟， 使該基底各列之各區域形成多個第—結晶區與多個第二社 晶區，並雌步驟】之後更包括錢上述步驟〗至步驟口了 f該些步驟，使基底各列之各區域之第—結晶區與第二結 曰曰區之突起區溶融再固化而變得較為平坦。 依照本發明實施例所述，上述在該步驟E之後，該步 驟F之前，更包括依據上述方法在該基底的第二列之=第 iM—區域與該第n區域上形成多個第—結晶區，然後广再 η1區域之該些第—結晶區之_多個未結晶區形成 夕，個第二結晶區’料在該基底之第區域形成多數 個第一結晶區，並重複前述步驟，以使基底之第二列之各 區域形成多個第-結晶區與多個第二結晶區。之後，以上 述在基底第-列各區域形成第—結晶區與第二結晶區之方 法在該基底基數列各區域上形成多個第—結晶區盘多個第 二結晶區，並以上述在基底第二列各區域形成第」結晶區 14 1307¾ doc/e =第—結晶區之方法在該基底偶數列各區域上形成多數個 第一結晶區與多數個第二結晶區。 、依照本發明實躺所述’上述步驟了之後更包括重複 上述步驟I至步驟：之該些步驟，使該基底各列之各區域 之該些突魅㈣翻化而變得較為平坦。或是，在步驟 J。之後更包括使雷射光通過該第三透光區，以使該第w 區域與該第nil域之該些突起區縣再·而變得較為平 坦’接著’使雷射光通過該第三透光區，以使該第W區 域與該第η·2區域之該些突起_融制麵變得較為平 坦，並錢此步驟，以使該基底上第二狀各區域之該些 突起區溶融再固化而變得較為平坦。之後，依據上述使基 底第-列各區朗及第二财區域之突起邮簡固化之 方法’使基底絲列各區朗及偶射彳各㊄域之該些突 區熔融再固化而變得較為平坦。 一 本發明又提出-種使非晶石夕層的結晶方法，此方法 以雷射光照射’通過-第-光罩的第—透光區，今 晶石夕層中形成多數第-結晶區，各第—結晶區具有Λ — 突起區，接著以雷射光照射，通過第一光罩的第二透光區， 以使第一結晶區之間的未結晶區形成多數個第二钟曰 各第二結晶區具有-第二突起區，之後，以雷：：曰:：： 通過第二光罩的第三透光區，以使第—突起區二 區熔融再固化而變得較為平坦。 、 、 依照本發明實施例所述，上述第三透光區之 第一透光區之寬度且大於第二透光區之寬度。 15 !3〇7^ άοό/e 本發明之光罩可解決因晶粒側向成長時所造成的薄膜 突起現象’進而改善電晶體元件電特性及可靠度。另一方 面’本發明之光罩可應用於雙方向掃瞄順序橫向固化 (bidirectional-scan SLS)結晶’相對於傳統僅適用於單方向 掃瞄順序橫向固化光罩設計，此處所提出的新型光罩可適 合於量產應用。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂’下文特舉較佳實施例’並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 實施例一 本發明之第一種光罩’如圖2所示。請參照圖2，此 光罩20包括一透明基板2〇〇，此透明基板2〇〇例如是玻璃 或是石英，其包括大小相等的三個區塊202、204、206， 其中第二區塊2〇4係是位於第一區塊202與第三區塊206 之間。這一些區塊202、204、206分別包括透光區212、 214及216以及遮蔽區222、224及226,其中遮蔽區222、 224及226分別位於透光區212之間、透光區214之間及 透光區216之間。第一區塊2〇2的第一透光區212與第二 遮蔽區224相對配置，且第一透光區212之寬度W212大於 第二遮蔽區224的寬度w224。第二區塊202的第二透光區 214與第一遮蔽區222相對配置，且第二透光區214之寬 度W214大於第一遮蔽區222的寬度W222。在一實施例中， 第一透光區212之寬度w212及第二透光區214之寬度 16 1307732 ：wf.dc5c/e ::雨：：二^付以雷射光照射非晶矽雷射光直接照射或 、狹=士曰：二統後在非晶矽中所形成的結晶區的寬度不 从取大B0粒成長之長度的2倍。第三區塊挪中一部分 的弟二透光區216a是配置於4目對於第一透光區之212中心 處，另-々部份216b則是配置於相對於第二透光區214之中 心處。第二透光區216b夕官& m 加之急度小於遮蔽區224之寬

度W224，第一透光區216a之寬度W2i6小於遮蔽區222之 寬度w222。在一實施例巾’第三透光區216之寬度w別， 是可以使得直接照射或經過雷射光學系統後之雷射光，令 基底200上以雷射光照射通過第—透光區212及第二透光 區214後於基底200上形成之結晶區中之突起區溶融再固 化而變得較為平坦。

请麥照圖3A，以上述光罩2G來進行非晶⑦層的結晶 製程時，將光罩2G的區塊2〇2對應於基底1〇的區域1〇3 ; 區塊204對應於基底10的區域搬；區塊2〇6對應於基底 10的區域1(Π。通過第一透光區212的雷射光，可使基底 10的區域103上的非晶石夕層*容融再固化後結晶成複晶石夕， 形，多個結晶區252。各結晶區252具有突起區25沘；通 過第二透光區214的雷射光，可使基底1〇的區域1〇2上的 非晶矽層結晶成複晶矽，形成多個結晶區254，結晶區254 具有突起區254b ;通過第三透光區216的雷射光，可使基 底的區域101上的非晶石夕層結晶成複晶石夕，形成多個結 晶區256。由於第三透光區216的寬度W216較小，其所形 成的結晶區256與以上所述之結晶區252不同，為了區別 17 130773^ '.doc/e 起見，此後稱之為照光區256。 之後，請參照圖3B ’移動光罩20及/或基底1〇 一距 離，使光罩20的第一區塊202對應於基底1〇的區域ι〇4 的上方’弟一區塊204對應於基底1 〇的區域1 〇3的上方； 第三區塊206對應於基底1〇的區域1〇2的上方。通過第一 透光區212的雷射光可使區域1〇4上的非晶石夕層結晶成複 晶石夕，形成多個結晶區262，結晶區262具有突起區262b ; 通過弟二透光區214的雷射光，可使區域1〇3之結晶區252 之間的未結晶區（non-crystalline regi〇n)250形成結晶區 264，各結晶區264具有突起區264b ;通過第三透光區216 的雷射光，則由於第三透光區216的寬度W216足以使得直 接照射或經過雷射光學系統後的雷射光令區域1〇2的突起 區254b熔融再固化且使得所形成的邊界255較為平坦，並 且通過第三透光區216的雷射光可使結晶區252之間的部 分未結晶區253形成照光區266。 其後，請參照圖3C，移動光罩20及/或基底1〇 一距 離’使光罩20的第一區塊202對應於基底1〇的區域1〇5 的上方；第二區塊204對應於基底1〇的區域104的上方； 弟二區塊206對應於基底1〇的區域1〇3的上方。通過第一 透光區212的雷射光可使區域1〇5上的非晶;5夕層結晶成複 晶矽，形成多個結晶區272’結晶區272具有突起區272b。 通過弟一透光區214的雷射光，可使區域1〇4之結晶區262 之間的未結晶區260形成結晶區274，各結晶區274具有 突起區274b。通過第三透光區216的雷射光，則由於第三 18 1307¾ d〇fc/e 透光區216的見度W216足以使得所通過的雷射光令突起區 252b熔融再固化且變得較為平坦。 其後’重複上述步驟，則可使基底1〇上的非晶石夕層結 晶成複晶矽，且所形成的邊界均非常平坦。 實施例二 請參照圖4，本發明又提出另一種光罩4〇。光罩4〇 之結構與上述光罩3〇之結構非常相似，但是，在第一區塊 202中的另一侧更包括第四個區塊2〇8，也就是基底2〇包 括大小相專的四個區塊208、202、204、206。第四區塊208 包括透光區218以及遮蔽區228，遮蔽區228位於透光區 218之間。第四區塊208中一部分的第四透光區2iga是配 置於相對於第一透光區之212中心處，另一部份218b則是 配置於相對於弟二透光區214之中心處。第四透光區218b 之寬度W^8小於遮蔽區224之寬度124;第四透光區218a 之寬度小於遮蔽區222之寬度W222。在一實施例中， 第四透光區218之寬度，足使得直接照射或經過雷射光學 系統後之雷射光’令基底200上以雷射光照射通過第一透 光區216及第二透光區214後基底200上之結晶區中之突 起區熔融再固化且變得較為平坦。第四透光區218之寬度 评2!8,可以與第三透光區216之寬度％216相等或不相等。 請參照圖4Α，以上述光罩40來進行非晶矽層的結晶 製程時，將光罩40的區塊208對應於基底10的區域1〇4; 區塊202對應於基底川的區域1〇3 ;區塊2〇4對應於基底 19 10的區域102 ;區塊206對應於基底10的區域1(n。雷射 光照射之後’基底10之區域101至103上的非晶矽層的結 晶情形，如以上圖3A所述。而通過第四區塊208之第四 透光區218的雷射光，則可使基底1〇的區域1〇4上的非晶 矽層結晶成複晶矽，形成多個結晶區258。由於第四透光 區218的覓度W^8較小，其所形成的結晶區258與以上所 述之結晶區252或254不同，為了區別起見，此後稱之為 照光區258。 請參照圖4B，移動光罩2〇及/或基底10 一距離，使 光罩20的第四區塊對應於基底的區域1〇5的上方；第一區 塊202對應於基底1〇中區域1〇4的上方；第二區塊2〇4 對應於基底10中區域1〇3的上方；第三區塊2〇6對應於基 底10中區域102的上方。通過第四區塊208之第四透光區 218的雷射光，則可使基底1〇的區域1〇5上的非晶矽層結 晶成複晶矽，形成多個照光區268。通過第一透光區212 的雷射光，則可使基底1〇的區域104上的奇數/或偶數照 光區268及其周圍的非晶矽層形成結晶區262，各結晶區 262具有突起區262b。通過第二透光區214以及第三透光 £ 216的雷射光’其在區域1 〇3及1 〇2所產生的變化，如 以上圖3B區域103及102所示。 請參照圖4C，移動光罩20及/或基底1〇 —距離，使 光罩20的第四區塊對應於基底的區域1〇6的上方；第一區 塊202對應於基底1〇的區域1〇5的上方；第二區塊204 對應於基底10的區域104的上方；第三區塊206對應於基 20 doc/e 130772¾ 底10的區域103的上方。通過第四區塊2〇8之第四透光區 218的雷射光，則可使基底10的區域106上的非晶矽層結 晶成複晶矽’形成多個照光區278。通過第一透光區212 的雷射光，則可使基底10的區域105上的奇數/或偶數照 光區268及其周圍的非晶矽層形成結晶區272，各結晶區 279具有突起區272b。通過第二透光區212的雷射光，則 可使基底10的區域104上結晶區269之間的未結晶區260 以及該些偶數/或奇數第一照光區258形成結晶區274，結 晶區274具有突起區274b。通過第三透光區216的雷射 光’其在區域103所產生的變化，如以上圖3C區域103 所示。 請參照圖4D，移動光罩20及/或基底1〇 —距離，使 光罩20的第四區塊對應於基底的區域1〇7的上方；第一區 塊202對應於基底10的區域106的上方；第二區塊204 對應於基底1〇的區域105的上方；第三區塊206對應於基 底10的區域104的上方。通過第四區塊208之第四透光區 218的雷射光，則可使基底10的區域107上的非晶石夕層結 晶成複晶矽，形成多個照光區288。通過第一透光區212 的雷射光’則可使基底1〇的區域106上的奇數/或偶數照 光區278及其周圍的非晶矽層形成結晶區282，各結晶區 282具有突起區282b。通過第二透光區214的雷射光，可 使基底的區域105上結晶區272之間的未結晶區280 以及偶數/戒奇數照光區268形成結晶區284，結晶區284 具有突起區284b。通過第三透光區216的雷射光，則可使 21 1307 1307

'vf-doc/e ί f 區域104上的突起區262b與突起區274b溶融再 U化而變得較為平坦。 =後，請參照圖4E，重複上述步驟，則可使基底10 土曰晶矽層結晶成複晶矽，且所形成的邊界均非常平 底；10 ?尤*疋以單向掃瞄的方式，例如是由左至右依序使基 石夕，―、列至帛n歹格區域上的非晶石夕層結晶成複晶 上Λ 至左依序使絲1()上第—列至第η列各區域 上的非晶矽層結晶成複晶矽。 然而，41照圖4ΕΕ，除了可以採用單向掃瞒雷射結 =方式之外使基底各列的非㈣層結晶成複晶較外， ’曰採用雙向_雷射結晶的方式來使基底各列上的非 1曰Γ層結晶成複㈣。例如，㈣左至右方式使基底1〇 -第列各區域上的非晶々層結晶成複㈣後，在進行第 3的固滅騎，可輯用由右至左的方式依序使第二 :區域上的非抑層結晶成複㈣。也就S，當第一列 广=後々個區域的非晶石夕結晶成複晶石夕之後，接著，由基 & /10的第二列的後面區域，即第η_3區域至第η區域開始 進仃田射S1化結晶製程，接著，再移動光罩4G或/及基底 10二使光罩40往基底10的第一區域1〇1的方向移動，以 使第二列各區域上的非㈣層依序結晶成複㈣，之後， 基底10的奇數列區域可以採用第_列的方式來完成固化 結晶製程；偶數列區域可以採用第二列的方式來完成固化 結晶製程。換言之’光罩4G可以可以用來雙向雷射結晶， 減少基底或光罩長轉移_花費的日销，因此，以增加 22 Ι30773〇2 Avf.dac/e 量產時之產能。 實施例三 5,本發明提出1光罩5Q，此光罩50包括 1G，其可區分為依序相鄰配置且大小相等的- 二^第二區塊504、-第三區塊506與-第四 品;t 508。第-區塊5〇2包括多個透光區與多個遮蔽 區522 ’遮蔽區522位於透光區si2之間。第二區塊5〇4 包括多個透光區514、多個透光區534以及多個遮蔽區 534 “中各透光g 514是位於相鄰的兩個透光區別之間 且遮蔽區524值於相鄰的透光區514與透光區534之間， 並且透光區514是配置於可以使得透光區512之位置大致 位於其中心處者；透光區534與遮蔽區522相對配置。第 二區塊包括多個透光區516、多個透光區536與多個遮蔽 區526，其_各透光區516位於相鄰的兩個透光區536之 間，且遮蔽區526位於相鄰的透光區516與透光區536之 間，並且透光區516是配置於可以使得透光區534之位置 大致位於其t心處者，透光區536是配置於相對於透光區 514之中心處者。第四區塊5〇8包括多個透光區518與多 個遮蔽區528’其中透光區518是配置於相對於透光區fig 之中心處，並且遮蔽區528是位於透光區518之間。 透光區514之寬度Wsh大於透光區512之寬度w512 且大於透光區536之寬度W536。透光區516之寬度w16大 於透光區534之寬度W534且大於透光區518之寬度w518。 23 doc/e 此外，透光區514、516之寬度％14、^6可以相等或不 相等’但足以使得雷射光照射非㈣t射光直接照射或經 過雷射光㈣統賴射於非晶錢在非⑽t形成之結晶 區的寬度的不大於最大晶粒成長之長度的2倍。透光區 512、534、536、518之寬度％12^34、％36、％18可以 相等或是不相等，但係;i以使以f射光照射通過透光區 514、516後在非晶梦中所形成之結晶區之突起區炫融再固 化而變得較為平坦。 請參照圖6A，以上述光罩5Q來進行非㈣層的結晶 製程時，將光罩50的區塊502對應於基底1〇的區域1〇4; 區塊504對應於基底1〇的區域1〇3 ;區塊5〇6對應於基底 10的區域102 ;區塊508對應於基底1〇的區域1〇1。通過 透光區512、534、536、518的雷射光，將使得基底1〇之 區域104及103的非晶石夕層形成照光區612、615、幻6及 618，而通過透光區514及516的雷射光，將使得基底1〇 之區域103及102的非晶石夕層形成結晶區614及6丨6。結 晶區614分別具有突起區614b、616b。 請參照圖6B，移動光罩50及/或基底1〇 一距離，使 光罩50的第一、二、三、四區塊分別對應於基底1〇的區 域105、104、103、102的上方。通過透光區M2、534及 514的雷射光，則可使區域105及104上的非晶石夕層結晶 成被晶珍’分別形成照光區662及照光區655與結晶區 654。結晶區654具有突起區654b。通過透光區516的雷 射光，可使得結晶區614之間的未結晶區650以及照光區 24 I3〇7He , 615形成結晶區656 ’結晶區656具有突起區656b。通過 透光區536以及518的雷射光，則因為透光區536以及518 的寬度We6以及W518的設計足以使得突起區614b、616b 熔融’因此在固化後可變得較為平坦。 請參照圖6C，移動光罩50及/或基底1〇 —距離，使 光罩50的第一、二、三、四區塊分別對應於基底1〇的區 域106、105、104、103的上方。通過透光區512、534及 514的雷射光，則可使區域1〇6及1〇5上的非晶石夕層結晶 > 成複晶矽’分別形成照光區672及照光區665與結晶區 664。結晶區664具有突起區064b。通過透光區516的雷 射光’可使得結晶區654之間的未結晶區660以及照光區 664形成結晶區666，結晶區666具有突起區666b。通過 透光區536以及518的雷射光’因為其寬度w536以及w518 足以使得區域104的突起區654b以及區域1〇3的突起區 656b熔融且可以使其在固化後變得較為平坦。至此，區域 103中的非晶矽層已結晶成複晶矽，其所形成的結晶區656 及614的邊界比習知者平坦。 請參照圖6D ’移動光罩50及/或基底1〇 一距離，使 光罩50的第一、二、二、四區塊分別對應於基底的區 域107、106、105、104的上方。通過透光區512、534及 514的雷射光’則可使區域1〇7及1〇6上的非晶矽層結晶 成複晶石夕’分別形成照光區682及照光區675與結晶區 674。結晶區674具有突起區674b。通過透光區516的雷 射光，可使彳于結晶區664之間的未結晶區670以及照光區 25

I307He 透光區5『6曰曰i ’結晶區676具有突起區676b。通過 區66_及「及/18的雷射光，足以使得區域105的突起 ^ 乂及區域104的突起區6_容融再固化 為平坦。至此，區域1〇 丁干 曰#日1 % 中的非晶矽層已結晶成 日日/、斤形成的結晶區的邊界比習知者平坦。 = 單向掃目轉射結晶方式，： 円4叩邮_ 4疋雙向掃聪雷射結晶方法，如 f4EE所不之方式，依序將各區域上 光，以使其結晶成複晶石夕。 “、、^射 實施例四 兩個ΓΓΓ提出—種非轉的結晶方法，此方法是利用 晶彻晶，其中第一個光罩是用來满 二夕、=結日日成複晶梦，而第二個光罩則是用來將所 y 禝晶矽中的突起區再熔融再固化而變得較為平坦， 其洋細說明如下。 、 =7與® 8，分麟示本發明第四實施例 個光罩70、80。 請參照圖7,光罩70是形成在一透明基才反2〇〇上，其 包括且大,!>相等且相鄰的—第一區塊702與一第二區塊 704’，中第-區塊702包括多個第—透光區712與多個第 一遮蔽區722,第一遮蔽區722位於第一透光區712之間； 而第二區塊7G4包括多個第二透光區714與多個第二遮蔽 區724，第二遮蔽區724位於第一透光區714之間，且第 26 13 077i3^tw^.dQc/e ===對於第一透光區712的中心處，第 Π 使得第―遮蔽區722之位置大致 一透光區Μ之寬度〜712大於第二遮 蚊£ 724之見度W724，且第二透光區μ ==之ί〜此外，第-透光區二 -，先£之見度W7U、W714可以相等或不相等， ;===雷射光學系統後照射後在㈣^ 2所形成之結晶區的寬度不大於最大晶粒成長之長度的2 睛參照圖8，第二光罩θ π ju :之長度的兩倍，其包括多個i光區‘ 第，光區712之中心處並且對應於第3 光巴712 2免’且透光區812的寬度％12小於第一透 先区712之i度且小於第二透光區714之 平坦。成，區之中的突起區溶融再固化且變得較為 12 照i圖M ’以上述兩個光罩7〇、8〇來進行非晶石夕 的、、，。日日¥，是先以第一光罩7〇為罩幕，使 ==基底H)的區域氣·第二區塊對應於基底二= 啲、通過透光區712及714的雷射光可分別在區域 形成結晶區912、914。結晶區912、914分別具 27 I30773(2wf.doc/e 有突起區912b、914b。 其後，請參照圖9B，移動光罩7〇及/或基底1〇 一距 離，使光罩70的第一區塊702對應於基底10的區域1〇3， 第二區塊704對應於基底10的區域1〇2。例如，當基底1〇 是設置在一基座上時，則可移動基座，移動的距離不大於 : 光罩長度的一半。通過透光區712及714的雷射光可使 : 區域103中的非晶矽12形成結晶區952,結晶區952具有 一突起區952b。通過透光區714的雷射光可使區域1〇2中 _ 結晶區912之間的未結晶區950的非晶石夕形成結晶區 954，結晶區954具有一突起區954b。 之後，请參如圖9C，重複上述步驟，依序將光罩％ 的第一區塊702對應於基底1〇的區域1〇4、1〇5區塊，以 雷射進行非晶矽12的結晶製程，則可依序在區域1〇4\1〇3 形成結晶區964、962’在區域1〇5、1〇4形成結晶區972、 974，各結晶區964、962、972、974分別具有突起區％4b、 962b、972b、974b。 # 然後’凊參照9D ’可以採用單向掃瞒雷射結晶方式， 如上述實施例三圖4E所示的方法，依序將各區域上的非 ' 晶矽層照射雷射光，以使其結晶成複晶石夕。 t 或者請參照圖9DD，可以採用雙向掃目g雷射結晶方 法，如圖4EE所示之方式，依序將各區域上的非晶矽層照 射雷射光，以使其結晶成複晶矽。更具體地說是以第一光 罩70為罩幕’使雷射光通過透光區714與透光區712，以 分別在基底10的第二列之第n_l區域與該第n區域上形成 28 1307732 wf.doc/e 二曰區然後，再移動基底l〇及/或第一光罩7〇，使第 二，罩70之區塊7〇4位移至第n_2㊄域，第一光罩川之 702位#至基底第w區域，並以—雷射光通過透光 =4 712，使該基底10之該第η]區域之該些第一結 β曰區，間的多數個未結晶區形成多數個第二結晶區，同時 ，過，些第-透光區之雷射光可使該基底iq之該第^區 域，成夕個第—結晶區，第三區域之各該第-結晶區與第 -區域之錢第二結晶區分祕有—突賴，紐，重複 上述步驟，以在基底10之第二列之各區域形成多個第一处 晶區與多個第二結晶區。其後，採用上述在基底U)第-歹; ，區域形成第-結晶區與第二結晶區之方法在基底基數列 區域上形成多個第—結晶區與多個第二結晶區，並採用 •^述在基底10第二列各區域形成第一結晶區與第二結晶 區之方法在基底偶數列各區域上形成多個第一結晶區 個第二結晶區。 /、 其後，請參照圖9Ε，移除該第一光罩7〇，並在基底 1〇的區域102、1〇1上方設置第二光罩8〇。然後，將第二 光罩80之透光區812對準突起區95牝、91牝、91沘，使 雷射光通過透光區812。透光區812的寬度Wm足以使得 雷射光另照射後的突起區914b'954b、912b炫融再固化而 變得較為平坦。 女之後，請參照圖9F，移動光罩80及/或基底1〇 一距 離，將光罩80設置於基底1〇的區域1〇4、1〇3上方，使透 光區812對準突起區974b、964b、962b、952b，接著，以 29 doc/e 13077此 雷射光通過透光區812。透光區812的寬度w812足以使突 起區974b、964b、962b、952b照射雷射光後熔融再固化而 變得較為平坦。 、其後，凊參照圖9G，可以採用單向掃瞄雷射結晶方 式，如上述實施例三圖4E所示的方法，依序使各區域中 所开>成的結晶區中的突起區溶融再固化，而變得較為平坦。 或者請參照圖9GG，可以採用雙向掃瞄雷射結晶方 法，如® 4EE所示之方式，依序使各區域中所形成的結晶 區的突起區熔融再固化，而變得較為平垣。更具體地說是 移動基底10及/或光罩80，使光罩8〇位移至第二列的第 n-1區域與第η區域，使雷射光通過透光區812以分別使 基底10的第二列之第η]區域與區域上所形成的結 晶區中的突起區熔融再固化而變得較為平坦，然後，再移 動基底10及/或光罩80,使光罩80位移至第n_2區域盘第 區域，並以-雷射光通過透光區812，以使第W區域 與弟n-1區域上的突起區炫融再固化。然後，重複上 ^以使基底K)之第二列之各區域的突墟舰再固化二 和H訂述使基底1G f ―列各區_突起㈣融再固 之方法’ U使基底基數列各區域的突起區騎再固化， 上觀基底1G第4各區域的突舰舰再固化 、、’以使基底偶數列各區域上的突域㈣再固化。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上 ，本發明，任何㈣此技藝者，在不脱離本發 和粑圍内’當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 30 I307^2f.doc/e 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。【圖式簡單說明】 ^圖1A至！ E是緣示習知非晶石夕結晶時之晶粒成長的示圖2是綠示本發明第—實施例之用於使 光罩的示意圖。 入、、口日日之圖3A至圖3C是緣示本發明筮一廢#如 石夕結晶之光翠的示意圖/ * ^例之用於使非 意圖 晶 :4J緣示本發明第二實施例之用 的 77T 音 JH „ ^ '''° 晶 之 光罩的示意圖 結二=是緣示本發明第二實施例之使㈣ 光罩本發㈣三實_之祕使非㈣結晶之 晶的^^^6叹繪示本發明第三Μ例之使非晶石夕結 晶之==示本發明第四實施例之用於物結 結晶是料本制第四之使非晶石夕 【主要元件符號說明】 10 :基底 11 :固化矽 20、40、50、70、80 :光罩 31 doc/e 101、102、103、104、105、106、107 :區域 200、201 :基板 202、204、206、208、502、504、506、508、702、704 : 區塊 212、214、216、216a、216b、218、218a、218b、512、 ; 514、516、518、534、536、712、714、812 :透光區 222、224、226、228、522、524、526、528、722、724、 822 :遮蔽區 • Wn :寬度 252、254、258、262、264、272、274、282、284、614、 616、654、656、664、666、675、912、914、952、962、 964、972、974 :結晶區 256、268、288、612、615、618、636、662、655、682 : 照光區 252b、254b、262b、264b、272b、274b、282b、284b、 614b、616b、654b、656b、664b、666b、676b、912b、914b、 • 952b、962b、964b、972b、974b :突起區 280、660、665、675 :未結晶區 32

Claims (1)

1307732 98-2-11 十、申請專利範圍： 1.一種光罩，適用於非晶矽雷射結晶成複晶矽之製 程’該光罩包括： -，明基板，包括大小相等的一第—區塊、一第二區 塊與-第三區塊，其中該第二區塊是位於該第—區塊與該 第三區塊之間： 該=區塊包括多數個第一透光區與多數個第一遮蔽 區，該弟一遮蔽區位於該些第一透光區之間； 〇該第=區塊包括多數個第二透光區與多數個第二遮蔽 區，其中該些第二遮蔽區是位於該些第二透光區之間，且 該些第二雜區與該第—透紐相對，且該㈣二透光區 之位置與第一遮蔽區相對；以及 〇該第三區塊包括多數個第三透光區與多數個第三遮蔽 品’、中°亥些弟二透光區是配置於相對於該些第一透光區 之中心處以及相對於該第二透光區之中心處，且該些第三 遮蔽區是位於該些第三透光區之間。 2_如申睛專利範圍第1項所述之光罩，其中該透明基 板更包括-第四區塊，該第四區塊是與該第—區塊中未^ 該第二區塊相鄰之一側相鄰’且與該第一、第二及該第2 ，塊之大小相等’該第四區塊包括鋒個第四透光 數個第四遮蔽區，其中： /、夕 、、/二第四透光區是配置於相對於該些第一透光區之中 U处，及相對於該些第二透光區之中心處；以及 °亥些第四遮蔽區是位於該些第四透光區之間。 1307732 98-2-11 3. 如申請專利範圍第2項所述之光罩，其中該些第一 透光區之寬度大於該些第二遮蔽區之寬度。 4. 如申請專利範圍第3項所述之光罩，其中該第二遮 蔽區之寬度大於該些第三透光區之寬度且大於該些第四透 光區之寬度。 5. 如申請專利範圍第2項所述之光罩，其中該些第二 透光區之寬度大於該些第一遮蔽區之寬度。 6. 如申請專利範圍第5項所述之光罩，其中該第一遮 蔽區之寬度大於該些第三透光區之寬度以及該些第四透光 區之寬度。 7. 如申請專利範圍第1項所述之光罩，其中該些第一 透光區之寬度大於該些第二遮蔽區之寬度。 8. 如申請專利範圍第7項所述之光罩，其中該第二遮 蔽區之寬度大於該些第三透光區之寬度。 9. 如申請專利範圍第1項所述之光罩，其中該些第二 透光區之寬度大於該些第一遮蔽區之寬度。 10. 如申請專利範圍第9項所述之光罩，其中該第一 遮蔽區之寬度大於該些第三透光區之寬度。 11. 一種使非晶石夕層結晶的方法，包括： 以一雷射光照射，通過一光罩的一第一透光區，以在 該非晶矽層形成多數個第一結晶區，各該第一結晶區具有 一第一突起區； 以該雷射光照射，通過該光罩的一第二透光區，以使 該第一結晶區之間的未結晶區形成多數個第二結晶區，各 34 98-2-11 1307732 該第二結晶區具有一第二突起區；以及 以該雷射光照射，通過該光罩的第三透光區，以使該 些第一突起區與該些第二突起區熔融再固化而變得較為平 坦。 12. 如申請專利範圍第11項所述之使非晶矽層結晶的 方法，其中該些第三透光區之寬度小於該些第一透光區之 寬度，且小於該些第二透光區之寬度。 13. —種使非晶矽層結晶的方法，包括： 以一雷射光照射，通過一光罩的一第一透光區，以在 該非晶矽層中形成多數個奇數第一照光區與多數個偶數第 一照光區； 以該雷射光照射，通過該光罩的一第二透光區，以使 該些奇數/或偶數第一照光區及其周圍的該非晶矽層形成 多數個第一結晶區，各該第一結晶區具有一第一突起區； 以該雷射光照射，通過該光罩的第三透光區，以使該 些第一結晶區之間的未結晶區以及該些偶數/或奇數第一 照光區形成多數個第二結晶區，各該第二結晶區具有一第 二突起區；以及 以該雷射光照射，通過該光罩的第四透光區，以使該 些第一突起區與該些第二突起區熔融再固化而變得較為平 坦。 14. 如申請專利範圍第13項所述之使非晶矽層結晶的 方法，其中該些第三透光區之寬度小於該些第一透光區之 寬度，且小於該些第二透光區之寬度。 35 1307732 98-2-Π 15.如t料鄕圍第13項魏 ί;，其中該些第四透光區之寬度小於該些第:以 見度，且小於該些第二透光區之寬度。 σ之 16· —種光罩，適用於非晶石夕 程，該光罩包括： 7田射、、、。曰曰成祓晶矽之製 區塊塊包:Ϊ序相鄰配置ΐ大小相等的-第-°° 弟一區塊與一第四區塊，並中· 區，^Ι區^括多數個第—透光區與多數個第™遮蔽 该些弟一遮敝層位於該些第一透光區之間； 該第二區塊包括多數個第二透光區、多數 區以及多數個第二遮蔽區，其中 :' :的兩個第三透光區之間且第二遮蔽:二m 第三透*區之間’並且該些第二透光區是配i二 一使㈣些弟-透光區之位置A致位於其中心處者，該些 弟二透光區與該些第一遮蔽區相對配置； 該第三區塊包括多數個第四透光區、多數個第五透光 °°°與=數個第二遮蔽區’其中各該第四透光區位於相鄰的 兩個第五透光區之間’且該第三遮蔽區位於相鄰的第四透 光與弟五透光區之間，並且該些第四透光區是配置於可 以使付该些第二透光區之位置大致位於其中心處者，該些 第五透光區是配置於相對於該些第二透光區之中心處者； 以及 該第四區塊包括多數個第六透光區與多數個第四遮蔽 區，其中该些第六透光區是配置於相對於該些第四透光區 36 98-2-11 1307732 之中心處，並且該些第四遮蔽區是位於該些第六透光區之 間。 17. 如申請專利範圍第16項所述之光罩，其中該些第 二透光區之寬度大於該些第一透光區之寬度且大於該些第 五透光區之寬度。 18. 如申請專利範圍第16項所述之光罩，其中該些第 四透光區之寬度大於該些第三透光區且大於該些第六透光 區之寬度。 19. 一種使非晶石夕層結晶的方法，包括： 以一雷射光照射，通過一光罩的一第一透光區，以在 該非晶石夕層形成多數個第一照光區； 以該雷射光照射，通過該光罩的一第二透光區以及第 三透光區，以在該些第一照光區及其周圍的該非晶矽層形 成多數個第一結晶區並在該些第一照光區之間的該非晶矽 層中形成多數個第二照光區，各該第一結晶區具有一第一 突起區； 以該雷射光照射，通過該光罩的第四透光區與第五透 光區，以使該些第一結晶區之間的未結晶區以及該些第二 照光區形成多數個第二結晶區並使該些第一突起區熔融再 固化而變得較為平坦，各該第二結晶區具有一第二突起 區，以及 以該雷射光照射，通過該光罩的第六透光區，以使該 些第二突起區熔融再固化而變得較為平坦。 20. 如申請專利範圍第19項所述之使非晶矽層結晶的 37 1307732 98-2-11 方法’其中該些第二透光區之寬度大於該些第—透光區之 寬度且大於該些第五透光區之寬度。 α 21. 如申請專利範圍第19項所述之使非晶矽層姓曰曰 方法，其中該些第四透光區之寬度大於該些第三且 大於該些第六透光區之寬度。 °° 22. —種非晶石夕的結晶方法，包括： 提供一基底，邊基底上已形成有一非晶石夕層，且該灵 底可區分為數列，且各列可區分為多數個區域；'"土 在該基底的第一列的第一至第四個區域上對準設置— 光罩，該光罩至少包括相鄰且大小相等的四區塊； 使雷射光通過該光罩之該些區塊的多數個透光區，並 移動該基底及/或該光罩，使該光罩與該基底之間的相對位 置沿著H向位移—個區塊的轉，使雷射光通過該 些透光區，並錢此㈣，使祕底之絲罩鱗該基底 的第-列上之各區域均有雷射絲過而形成第—結晶區並 且使仔該第-結晶區巾的突起隨融翻化賴得較為平 坦； ，動絲底及/或該光罩，使該光賴準該基底之第二 列上隶末的四個區域； ，雷射光通過該光罩之該些區塊_些透光區，並移 ΐ域該光罩，使該光罩與該基底之_相對位置 私…方向相反的方向位移—個區塊的距離，使雷 、"通過雜透絲，並重複 對準該基底的第二列上之各區域均有雷 38 1307732 98-2-11 弟-結晶區亚且使得該第二結晶區中的突起轉融再固化 而變得較為平坦；以及 重複上述步驟’使該基底各列上的各區域形成結晶區 並且使得該第-結晶區中的突起區紐再固化而變得較 平坦。 ‘

23. —種非晶矽的結晶方法，包括： 提供一基底，該基底上已形成有一非晶矽層； 在該基底上對準設置-第一光罩，該第一光罩包括相 鄰且大小相等的一第一區塊與一第二區塊，其中： 該第一區塊包括多數個第一透光區與多數個第一 Cix區，其中該些弟一遮蔽區位於該些第二透光區之間； 以及 ^ 該第二區塊包括多數個第二透光區與多數個第二 遮敝&，其中s亥些弟一遮敗區位於該些第—透光區之間， 且該些第二遮蔽區配置於相對於該些第一透光區中心處， 該些第二透光區是配置於可以使得該些第—遮蔽區之位置 大致位於其中心處者； 以該第一光罩為罩幕’使雷射光通過該第—區塊之該 些弟一透光區，以在該非晶石夕層上形成多數個第一結晶 區，各該第一結晶區具有一第一突起區； 移動該基底及/或該第一光罩一距離，使該第一光罩之 第二區塊位移至先前該第一區塊所對應的該基底的上方， 使雷射光通過§亥第·一 S·塊之该些第二透光區，以使該此第 一結晶區之間的多數個未結晶區形成多數個第二結晶區， 39 1307732 98-2-11 各該第二結晶區具有一第二突起區； 移除該第一光罩； 在該基底上設置-第二光罩，其包括多數個第三透光 區與多數個第三遮蔽區，該第三遮蔽區位於該些第三透光 區之間’且該些第三透光區對應於該些第_透光區之中心 處並且對應於該些第二透光區之中心處；以及 〜 使將該第二光罩之該些第三透光區對準該些第一突起 £與遺些弟一突起區’使雷射光通過該些第三透光區，以 使邊些弟一突起區與該些第一突起區溶融再固化而^得較 為平坦。 24. 如申請專利範圍第23項所述之非晶矽的結晶方 法’其中該基底是設置在一基座上方，並藉由該基座來移 動之，並且該基座移動的距離為不大於該第一光罩長度的 --〇 25. 如申請專利範圍第23項所述之非晶石夕的結晶方 法’其中該些第一透光區之寬度大於該第二遮蔽區之寬 度，且該些第二透光區之寬度大於該些第一遮蔽區之寬度。 26. 如申請專利範圍第25項所述之非晶石夕的結晶方 法’其中該些第一透光區以及該些第二透光區之寬度大於 該些第三透光區之寬度。 27. —種非晶矽的結晶方法’包括： A.提供一基底’該基底上已形成有一非晶石夕層，該基 底可區分多數列，各列包括依序相鄰的第—區域、第二區 域_..至弟η區域； 40 1307732 98-2-11 B. 在該基底第-列上之該第一區域與該第二區域上 對準設置一第一光罩，該第一光罩包括相鄰且大小相等的 一第一區塊與一第二區塊，其中： 該第一區塊包括多數個第一透光區與多數個第一 遮蔽區，其中該些第一遮蔽區位於該些第一透光區之間. 以及 曰， 該第二區塊包括多數個第二透光區與多數個第二 遮敝&，其中該些弟·一遮蔽區位於該些第一透光區之間且 其見度小於s亥第一透光區之寬度，且該些第二遮蔽區配置 於相對於該些第一透光區中心區，該些第二透光區是配置 於可以使得該些第一遮蔽區之位置大致位於其中心處者； C. 以該第一光罩為罩幕，使雷射光通過該些第二透光 區與該些第一透光區，以分別在該基底的第—列之該第一 區域與该第一區域上形成多數個第一結晶區，各該第一结 晶區分別具有一突起區； D. 移動該基底及/或該第一光罩一第一距離，使該第 一光罩之第二區塊位移至先前該第一區塊所在的該基底之 第一列之該第二區域上方，並以一雷射光通過該些第一透 光區與該些第二透光區，通過該些第二透光區之雷射光可 使該基底之該第二區域之該些第一結晶區之間的多數個未 結晶區形成多數個第二結晶區，同時通過該些第一透光區 之雷射光可使該基底之該第三區域形成多數個第一結晶 區，5亥第二區域之各該第一結晶區與該第二區域之各該第 二結晶區分別具有一突起區； 41 98-2-11 1307732 Ε·重複上述步驟d，以使該基底之該第一列之各該區 域形成多數個第一結晶區與多數個第二結晶區； F·移除該第一光罩； G·在該基底上設置一第二光罩’該第三區塊包括多數 個第二透光區與多數個第三遮蔽區，該第三遮蔽區位於該 些第三透光區之間，且該些第三透光區對應於該些第一透 光區之中心處並且對應於該些第二透光區之中心處； H. 將該第二光罩之該些第三透光區對準基底之該第 一列之該第一區域與該第二區域之該些第一結晶區與該些 第二結晶區之該些突起區，使雷射光通過該些第丄透^ 區，以使該第一區域與該第二區域之該些突起區熔融再固 化而變得較為平坦； I. 移動該基底及/或該第二光罩一第二距離，使該第二 光罩對應於該基底的第一列之該第三區域與該第四區域， 並使雷射光通過該些第三透光區，以使該第三區域與該第 四區域之該些突起區熔融再固化而變得較為平坦；以及 J. 重複移動該基雇及/或該第二光罩一第二距離之步 驟，以使該基底上第一列之各區域之該些突起區熔融再^ 化而變得較為平坦。 28.如申请專利範圍第27項所述之非晶矽的結晶方 法，其中該基底是設置在一基座上，並藉由該基座來移動 之，並且該基座移動的距離為不大於該第一光罩長度的— 半。 29.如申请專利範圍第27項所述之非晶矽的結晶方 42 1307732 98-2-11 法，其中該些第一透光區之寬度大於該第二遮蔽區之寬 度，且該些第二透光區之寬度大於該些第—遮蔽區之寬度。 30·如申请專利範圍第29項所述之非晶矽的結晶方 法’其中該些第一透光區以及該些第二透光區之寬度大於 該第三透光區之寬度。 31. 如申請專利範圍第27項所述之非晶矽的結晶方 法，其中在該步驟E之後’該步驟 F之前，更包括： 重複上述步驟C至步驟D之該些步驟，使該基底各列 之各區域形成多數個第一結晶區與多數個第二結晶區；且 該步驟J之後更包括： 重複上述步驟I至步驟J之該些步驟，使該基底各列 之各區域之該些突起區溶融再固化而變得較為平坦。 32. 如申請專利範圍第27項所述之非晶矽的結晶方 法’其中在該步驟E之後’該步驟F之前，更包括： K·以該第一光罩為罩幕’使雷射光通過該些第一透光 &與該些弟二透光區’以分別在該基底的第二列之該第n_ 1 區域與該第η區域上形成多數個第一結晶區，各該第一結 晶區分別具有一突起區； L.移動該基底及/或該第一光罩該第一距離，使該第 一光罩之第一區塊位移至先前該第一區塊所對應的第二列 之該第η-l區域，該第一光罩之第二區塊位移至基底第η_2 區域’並以一雷射光通過該些第一透光區與該些第二透光 區’通過該些第一透光區之雷射光可使該基底之該第η-1 區域之該些第一結晶區之間的多數個未結晶區形成多數個 43 1307732 9S-2-H 第二結晶區’同時通賴些第—透絲之雷射光可使該基 底之該第π_2區域形成多數個第—結晶區，該第n_2區^ 之各該第-結晶區與該第n]區域之各該第二結晶 具有一突起區； M·重複上述步驟D，以使該基底之該第二列之各該 區域形成多數個第-結晶區與多數個第二結晶區；以及Λ 。Ν.以上述在該基底第—列各區域形成該些第一結晶 區與該些第二結晶區之方法在絲底絲列各區域上形成 多，個第一結晶區與多數個第二結晶區，並以上述在該基 底第二列各區域形成該些第—結晶區與該些第二結晶區之 方法在邊基底偶數列各區域上形成多數個第—結晶區與多 數個第二結晶區；以及 /' 該步驟J之後更包括： 。以该第二光罩為罩幕’利用雷射光，使該基底各列之 各區域之該些突起區熔融再固化而變得較為平坦。 、、33·如申料利範圍第32項所述之非晶㈣結晶方 法其t以该第二光罩為罩幕，利用雷射光，使該基底各 列，各區域之該些突起區熔融再固化而變得較為平坦的方 法是重複上述步驟I至J之步驟。 、34·如申睛專利範圍第32項所述之非晶矽的結晶方 ’其^該第二光罩為罩幕，湘雷射光，使該基底各 列之各區域之該些突起區熔融再固化而變得較為平坦的方 法包括： 〇·將該第二光罩之該些第三透光區對準基底之該第 44 I3〇7732 98-2-11 j之該第H區域與該第n區域之該些第—結晶區與該 ^弟一結晶區之該些突起區，使雷射光通過該第三透光 二’以使該第η·1區域與該第n區域之該較起區溶融再 口化而變得較為平坦； —、，ρ·移動該基底及/或該第二光罩該第二距離，使該第 =光罩對應於該基底的第二列之該第η_3區域與該第 =域三並使雷射光通過該第三透光區，以使該第W區域 /、该第η-2區域之該些突起區熔融再固化而變得較為平 坦， ' Q. 重複移動該基底及/或該第二光罩—第二距離之步 驟’以使錄底上第二狀各區域之該些突起 化而變得較為平坦；以及 R. 以上述在該基底第—列各區域之鱗突起區溶融 再固化而變得較為平坦<方法使該基底基數列各區域上之 該些突起區熔融再固化而變得較為平坦，並以上述在嗜芙 底苐一列各區域之該些突起區溶融再固化而變得較為平土曰 之方法使該基底偶數列各區域上之該些突起區熔融 而變得較為平坦。 35. —種使非晶矽層結晶的方法，包括： 以一雷射光照射，通過一第一光罩的—第—透光區， 以在該非晶矽層形成多數個第一結晶區，各 具有一第一突起區； 乐一…日日區 晶 以該雷射光照射，通過該第—光罩的—第二透光區， 以使该第一結晶區之間的未結晶區形成多數個第二= 45 98-2-11 1307732 區’各該第二結晶區具有一弟二突起區，以及 以該雷射光照射，通過一第二光罩的第三透光區，以 使該些第一突起區與該些第二突起區熔融再固化而變得較 為平坦。 36.如申請專利範圍第35項所述之使非晶矽層結晶的 方法，其中該些第三透光區之寬度小於該些第一透光區之 寬度且小於該些第二透光區之寬度。 46